JP2017152569A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
ウエーハの加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017152569A JP2017152569A JP2016034426A JP2016034426A JP2017152569A JP 2017152569 A JP2017152569 A JP 2017152569A JP 2016034426 A JP2016034426 A JP 2016034426A JP 2016034426 A JP2016034426 A JP 2016034426A JP 2017152569 A JP2017152569 A JP 2017152569A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- adhesive tape
- laser beam
- frame
- shield tunnel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 13
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 29
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 5
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
- B23K26/402—Removing material taking account of the properties of the material involved involving non-metallic material, e.g. isolators
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
- H01L2221/68386—Separation by peeling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
- H01L2223/5446—Located in scribe lines
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
【課題】本発明の課題は、ウエーハの表面側にレーザー光線を遮る遮蔽物があっても、後工程での加工効率を犠牲にすることなく、効率よく効果的にシールドトンネルを形成するウエーハの加工方法を提供することにある。
【解決手段】本発明によれば、ウエーハを収容する開口部を有するフレームの該開口部に該ウエーハを位置付け該ウエーハの裏面と該フレームとを粘着テープで一体に貼着して該ウエーハを該フレームで支持するフレーム支持工程と、該ウエーハの表面側を保持手段に保持し、該ウエーハ、及び、該粘着テープに対して透過性を有する波長のレーザー光線を、該粘着テープを通して分割予定ラインに対応する裏面に位置付けて照射し、該分割予定ラインに沿って細孔と該細孔を囲繞する非晶質とからなるシールドトンネルを形成するシールドトンネル形成工程と、を含むウエーハの加工方法が提供される。
【選択図】図3
【解決手段】本発明によれば、ウエーハを収容する開口部を有するフレームの該開口部に該ウエーハを位置付け該ウエーハの裏面と該フレームとを粘着テープで一体に貼着して該ウエーハを該フレームで支持するフレーム支持工程と、該ウエーハの表面側を保持手段に保持し、該ウエーハ、及び、該粘着テープに対して透過性を有する波長のレーザー光線を、該粘着テープを通して分割予定ラインに対応する裏面に位置付けて照射し、該分割予定ラインに沿って細孔と該細孔を囲繞する非晶質とからなるシールドトンネルを形成するシールドトンネル形成工程と、を含むウエーハの加工方法が提供される。
【選択図】図3
Description
本発明は、複数のデバイスが分割予定ラインに沿って区画され表面に形成されたウエーハを、レーザー光線を照射して個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法の発明に関する。
IC、LSI、LED等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、レーザー加工装置によって個々のデバイスに分割され、携帯電話、パソコン、照明機器等の電気機器に利用される(例えば、特許文献1を参照。)。
レーザー加工装置は、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、から概ね構成されていて、ウエーハの分割予定ラインに沿って高精度にレーザー光線を照射して分割加工を施すことができる。
また、レーザー加工装置は、上記特許文献1に例示される如く、被加工物に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してアブレーション加工を施すタイプのものと、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を被加工物の内部に位置付けて照射して改質層を形成するタイプと(例えば、特許文献2を参照。)に分けられる。しかし、いずれのタイプにおいても、ウエーハを完全に切断するためには、分割予定ラインに沿って複数回レーザー光線を照射する必要があり、生産性が悪いという問題がある。
そこで、本出願人は、分割予定ラインに沿って表面から裏面に至る細孔と該細孔を囲繞する非晶質とからなるいわゆるシールドトンネルを形成し生産効率を向上させる技術を開発し、提案している(特許文献3を参照。)。
上記特許文献3に記載された技術によれば、ウエーハの分割予定ラインに沿って、表面から裏面まで貫通するシールドトンネルを形成することが可能であり、複数回のレーザー光線の照射をする必要がなく、効率よくウエーハを個々のデバイスに分割することができる。ここで、ウエーハの基板表面側に形成されたデバイスには、分割予定ラインに隣接して、突起状のバンプ(電極)が形成されることがある。このようなバンプが存在している場合に、該ウエーハの表面側からシールドトンネルを形成するレーザー光線の集光点位置を深い位置に位置付けようとすると、レーザー光線照射手段の集光レンズの開口数によっては、当該バンプが遮蔽物となって、レーザー光線の外周の一部を遮り、所望のシールドトンネルを形成できないという問題が生じる。このような問題は、デバイスに形成されるバンプのみならず、分割予定ライン上に形成されるテストエレメントグループ(TEG)が形成される場合も同様に生じ得る。
ここで、該ウエーハの表面側に形成されるバンプや、TEG等を避けてレーザー光線を照射してシールドトンネルを形成する場合、上記した特許文献3に記載された技術のように、デバイスが形成されたウエーハの表面側を環状のフレームと一体とするテープ側に貼着して、該ウエーハの裏面側からレーザー光線を照射することが考えられる。この場合は、ウエーハをレーザー加工装置に保持させるための環状のフレームの内側開口部を覆うように外周部が装着された粘着テープの表面に対し、ウエーハのデバイスが形成された表面側を貼着し、該ウエーハの裏面側を上方に向けてセットすることになる。しかし、このようにウエーハをセットした場合、該レーザー加工時に該テープ側にデバイスが形成された表面側が貼着されて保持されているため、その後に続いて実行されるダイボンディング工程や、ワイヤボンディング工程時に、デバイスが形成された側、即ちウエーハの表面側を上方に向ける必要があり、個々に分割された後にピックアップされたデバイスを一つずつ裏返す工程が必要となって、生産性の向上に課題が残されている。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、複数のデバイスが分割予定ラインに沿って区画され表面に形成されたウエーハを、レーザー光線を照射して個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法において、ウエーハの表面側に形成されるバンプ、TEG等のレーザー光線を遮る遮蔽物があっても、後工程での加工効率を犠牲にすることなく、効率よく効果的にシールドトンネルを形成するウエーハの加工方法を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハを収容する開口部を有するフレームの該開口部に該ウエーハを位置付け該ウエーハの裏面と該フレームとを粘着テープで一体に貼着して該ウエーハを該フレームで支持するフレーム支持工程と、該ウエーハの表面側を保持手段に保持し、該ウエーハ、及び、該粘着テープに対して透過性を有する波長のレーザー光線を、該粘着テープを通して分割予定ラインに対応する裏面に位置付けて照射し、該分割予定ラインに沿って細孔と該細孔を囲繞する非晶質とからなるシールドトンネルを形成するシールドトンネル形成工程と、を含むウエーハの加工方法が提供される。
該シールドトンネル形成工程の後、該粘着テープを拡張して個々のデバイスに分離するデバイス分離工程を実施することができる。また、該ウエーハを保持手段に保持する前に、該ウエーハの表面側に保護部材を配設し、該デバイス分離工程において、該粘着テープを拡張する前に該保護部材を剥離することが好ましい。
本発明によるウエーハの加工方法によれば、ウエーハを収容する開口部を有するフレームの該開口部に該ウエーハを位置付け該ウエーハの裏面と該フレームとを粘着テープで一体に貼着して該ウエーハを該フレームで支持するフレーム支持工程と、該ウエーハの表面側を保持手段に保持し、該粘着テープを通して該ウエーハの裏面から分割予定ラインを検出する検出工程と、該ウエーハと該粘着テープに対して透過性を有する波長のレーザー光線を、該粘着テープを通して分割予定ラインに対応する裏面に位置付けて照射し、該分割予定ラインに沿って細孔と該細孔を囲繞する非晶質とからなるシールドトンネルを形成するシールドトンネル形成工程と、を含むウエーハの加工方法が提供されることにより、ウエーハの表面側に形成されたデバイスに分割予定ラインに隣接して突起状のバンプ(電極)が設けられていたり、分割予定ライン上にTEG等の遮蔽物が形成されていたりしても、これらに影響を受けることなく分割予定ラインに沿ってシールドトンネルを効率よく形成することが可能になる。
また、本発明によれば、該ウエーハを個々のデバイスに分割した後は、デバイスが形成されたウエーハの表面側から個々のデバイスをピックアップすることが可能であり、その後の行程を実行する際にも個々のデバイスを裏返す等の行程が必要ないため、生産効率を犠牲にすることなく、ウエーハを加工することができるという作用効果を奏する。
以下、本発明によるウエーハの加工方法を実行するための好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1には、本発明によるウエーハの加工方法を実施するためのレーザー加工装置1の斜視図が示されており、該レーザー加工装置1は、静止基台2と、該静止基台2に矢印Xで示すX軸方向に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構3と、静止基台2上に配設されたレーザー光線照射ユニット4とを備えている。チャックテーブル機構3は、静止基台2上にX軸方向に沿って平行に配設された一対の案内レール31、31と、該案内レール31、31上にX軸方向に移動可能に配設された第1の滑動ブロック32と、該第1の滑動ブロック32上にX軸方向と直交する矢印Yで示すY軸方向に移動可能に配設された第2の滑動ブロック33と、該第2の滑動ブロック33上に円筒部材34によって支持されたカバーテーブル35と、被加工物を保持する保持手段としてのチャックテーブル36を備えている。このチャックテーブル36は通気性を有する多孔性材料から形成された吸着チャック361を備えており、吸着チャック361の上面である保持面上に図示しない吸引手段を作動することによって被加工物を保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル36は、円筒部材34内に配設された図示しないパルスモータによって回転させられる。なお、チャックテーブル36には、被加工物を支持する環状のフレームを固定するためのクランプ362が配設されている。
上記第1の滑動ブロック32は、下面に上記一対の案内レール31、31と嵌合する一対の被案内溝321、321が設けられているとともに、上面にY軸方向に沿って平行に形成された一対の案内レール322、322が設けられている。このように構成された第1の滑動ブロック32は、被案内溝321、321が一対の案内レール31、31に嵌合することにより、一対の案内レール31、31に沿ってX軸方向に移動可能に構成される。図示のチャックテーブル機構3は、第1の滑動ブロック32を一対の案内レール31、31に沿ってX軸方向に移動させるためのX軸方向移動手段37を備えている。X軸方向移動手段37は、上記一対の案内レール31と31との間に平行に配設された雄ネジロッド371と、該雄ネジロッド371を回転駆動するためのパルスモータ372の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド371は、第1の滑動ブロック32の中央部下面に突出して設けられた図示しない雄ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ372によって雄ネジロッド371を正転及び逆転駆動することにより、第1の滑動ブロック32は、案内レール31、31に沿ってX軸方向に移動させられる。
図示のレーザー加工装置1は、上記チャックテーブル36のX軸方向位置を検出するための図示しないX軸方向位置検出手段を備えている。該X軸方向位置検出手段は、案内レール31に沿って配設された図示しないリニアスケールと、第1の滑動ブロック32に配設され第1の滑動ブロック32とともに該リニアスケールに沿って移動する図示しない読み取りヘッドとからなっている。このX軸方向位置検出手段の読み取りヘッドは、例えば1μm毎に1パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして、後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル36のX軸方向位置を検出する。なお、上記X軸方向移動手段37の駆動源としてパルスモータ372を用いた場合には、パルスモータ372に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル36のX軸方向の位置を検出することもできる。また、上記X軸方向移動手段37の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル36のX軸方向位置を検出することもでき、本発明では該X軸方向位置を検出する手段の形式については特に限定されない。
上記第2の滑動ブロック33は、下面に上記第1の滑動ブロック32の上面に設けられた一対の案内レール322、322と嵌合する一対の被案内溝331、331が設けられており、この被案内溝331、331を一対の案内レール322、322に嵌合することにより、Y軸方向に移動可能に構成される。図示のチャックテーブル機構3は、第2の滑動ブロック33を第1の滑動ブロック32に設けられた一対の案内レール322、322に沿ってY軸方向に移動させるためのY軸方向移動手段38を具備している。Y軸方向移動手段38は、上記一対の案内レール322、322の間に平行に配設された雄ネジロッド381と、該雄ネジロッド381を回転駆動するためのパルスモータ382等の駆動源を含んでいる。該雄ネジロッド381は、一端が上記第1の滑動ブロック32の上面に固定された軸受ブロック383に回転自在に支持されており、他端が上記パルスモータ382の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド381は、第2の滑動ブロック33の中央部下面に突出して設けられた図示しない雄ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ382によって雄ネジロッド381を正転及び逆転駆動することにより、第2の滑動ブロック33は案内レール322、322に沿ってY軸方向に移動させられる。
図示のレーザー加工装置1は、上記第2の滑動ブロック33のY軸方向位置を検出するための図示しないY軸方向位置検出手段を備えている。該Y軸方向位置検出手段は、上記したX軸方向位置検出手段と同様に、案内レール322に沿って配設された図示しないリニアスケールと、第2の滑動ブロック33に配設され第2の滑動ブロック33とともに該リニアスケールに沿って移動する図示しない読み取りヘッドとからなっている。このY軸方向位置検出手段の該読み取りヘッドは、例えば1μm毎に1パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして、後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、第2の滑動ブロック33のY軸方向位置を検出する。なお、上記Y軸方向移動手段38の駆動源としてパルスモータ382を用いた場合には、パルスモータ382に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、第2の滑動ブロック33のY軸方向の位置を検出することもできる。また、上記Y軸方向移動手段38の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、第2の滑動ブロック33のY軸方向位置を検出することもできる。
上記レーザー光線照射ユニット4は、上記静止基台2上に配置された支持部材41と、該支持部材41によって支持され実質上水平に延出するケーシング42と、該ケーシング42に配設されたレーザー光線照射手段5と、ケーシング42の前端部に配設されレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段6を備えている。この撮像手段6は、可視光線によって撮像する通常の撮像素子(CCD)の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成されており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。
上記レーザー光線照射手段5は、チャックテーブル36上に保持された半導体ウエーハ上に集光して照射する集光器51を含み構成されており、図示しない所望の繰り返し周波数でレーザー光線を照射するパルスレーザー光線発振器、該パルスレーザー光線発振器から発振されたパルスレーザー光線の出力を調整する出力調整手段(アッテネーター)、照射されたパルスレーザー光線の光路を該集光器51に向けて方向変換するための方向変換ミラー等を備えている。
図示のレーザー加工装置1は、図示しない制御手段を備えている。制御手段は、コンピュータによって構成されており、制御プログラム従って演算処理する中央演算処理(CPU)と、該制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ(ROM)と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ(RAM)と、入力インターフェース、出力インターフェースを備えている。
以下、図1に示すレーザー加工装置1を用いて実行されるウエーハの加工方法の実施形態の一例として、複数のSAWデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成された例えば、リチウムタンタレート(LiTaO3)基板からなるウエーハ10を個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法について説明する。
先ず、図2(a)に示すように、環状のフレームFの内側開口部を覆うようにフレームFの裏面Fb側に外周部が装着された粘着テープTの表面側にウエーハ10の裏面側10bを貼着する。従って、粘着テープTの表面に貼着されたウエーハ10は、フレームFの表面Fa側に、その表面10a側が上側となるように貼着される(フレーム支持工程)。なお、該粘着テープTの材質としては、例えば、軟質PVC(ポリ塩化ビニル)フィルム、或いは、PO(ポリオレフィン)フィルムを選択することができ、後述するレーザー光線を透過する性質を有するものであれば、これに限定されない。
上記したフレーム支持工程を実施したならば、ウエーハ10の表面10a側を被覆するように保護部材としての保護テープ15を貼着する(保護テープ貼着工程)。なお、当該保護テープ15の貼着は、必ずしも該フレーム支持工程の後に行う必要はなく、該ウエーハ10、粘着テープT、フレームFらを一体とする前に、予めウエーハ10の表面側10aに対して貼着することもでき、該ウエーハ10を該レーザー加工装置の保持手段に保持させる前に貼着されていればよい。なお、該保護テープ15の材質としては、上記粘着テープと同様のPVC、POを選択することもできるが、レーザー光線を透過しない材質も採用することができる。
該保護テープ貼着工程を実施したならば、フレームFを裏返して裏面Fb側が上側になるように、該ウエーハ10の保護テープ15が貼着された表面10a側をチャックテーブル36上に載置し、図示しない吸引手段を作動させて吸着チャック361に吸引保持させる。該ウエーハ10がチャックテーブル36上に吸引保持されたら、フレームFを介してクランプ362により固定される。このように固定されることで、チャックテーブル機構3上には、上から粘着テープT、ウエーハ10、保護テープ15の順になるように位置付けられる(図2(b)、図3(b)を参照)。
上述したようにウエーハ10を吸引保持したチャックテーブル36は、図2(b)に示すように、加工送り機構によって撮像手段6の直下に位置付けられる。チャックテーブル36が撮像手段6の直下に位置付けられると、この状態で、チャックテーブル36に保持されたウエーハ10に形成されている格子状の分割予定ラインがX軸方向とY軸方向とに対して所定の位置に配設されるように撮像手段6によってチャックテーブル36に保持されたウエーハ10を撮像し、パターンマッチング等の画像処理を実行してアライメント作業を行う(アライメント工程)。このとき、ウエーハ10の分割予定ラインが形成されている基板の表面側10aは下側に位置しているが、撮像手段6は上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成されているので、ウエーハ10の裏面10b側から透かして分割予定ラインを撮像することができる。
上述したアライメント工程を実施することにより、チャックテーブル36上に保持されたウエーハ10は、チャックテーブル36上の所定の座標位置に位置付けられ、該座標位置情報が、レーザー加工装置1の上記制御手段のランダムアクセスメモリ(RAM)に格納される。
上述したアライメント工程を実施したならば、チャックテーブル36を、レーザー光線を照射するレーザー光線照射手段5の集光器51が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ラインの一端部を集光器51の直下に位置するように位置付ける。そして、集光器51の集光レンズによって集光されるパルスレーザー光線の集光点Pがウエーハ10の厚み方向の所望の位置に位置付けられるように図示しない集光点位置調整手段を作動して集光器51を光軸方向に移動する。なお、本実施形態におけるパルスレーザー光線の集光点Pは、図3(b)に示すように、ウエーハ10においてパルスレーザー光線が入射される裏面10b側に対する反対側の表面10a側に隣接した所定の位置に設定されている。
上述したようにウエーハ10を集光点位置に位置付けたならば、図3(a)、(b)に示すように、レーザー光線照射手段5を作動して、集光器51からパルスレーザー光線LBを、粘着テープTを通して照射し、ウエーハ10内に位置付けられた集光点Pとパルスレーザー光線が入射された側(裏面10b側)との間に細孔121と該細孔をシールドする非晶質122とを形成させて、シールドトンネルを形成するシールドトンネル形成工程を実施する。即ち、集光器51から粘着テープT、及び、ウエーハ10を構成する基板に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつ、チャックテーブル36を図3において矢印Xで示す方向に所定の送り速度で移動させる。そして、レーザー光線照射手段5の集光器51の照射位置に分割予定ラインの他端が達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル36の移動を停止する。
なお、上記レーザー加工の加工条件は、例えば、以下のように設定される。
波長 :1030nm
平均出力 :3W
繰り返し周波数 :50kHz
パルス幅 :10ps
スポット径 :φ10μm
屈折率/開口数(*):0.05〜0.2
加工送り速度 :500mm/秒
(*)リチウムタンタレートの屈折率/集光器を構成するレンズの開口数
波長 :1030nm
平均出力 :3W
繰り返し周波数 :50kHz
パルス幅 :10ps
スポット径 :φ10μm
屈折率/開口数(*):0.05〜0.2
加工送り速度 :500mm/秒
(*)リチウムタンタレートの屈折率/集光器を構成するレンズの開口数
上述したシールドトンネル形成工程を実施することにより、ウエーハ10の内部には、図3の(b)、(c)に示すようにパルスレーザー光線の集光点Pが位置付けられた表面10a(下面)側から入射面である裏面10b(上面)に亘って細孔121と該細孔121の周囲に形成された非晶質122が成長し、分割予定ラインに沿って所定の間隔(図示の実施形態においては10μmの間隔)で非晶質のシールドトンネル12が形成される。このシールドトンネル12は、図3の(c)に示すように中心に形成された直径がφ1μm程度の細孔121と該細孔121の周囲に形成された直径がφ10μmの非晶質122とからなり、図示の実施形態においては互いに隣接する非晶質122同士がつながるように形成される。なお、上述したシールドトンネル形成工程において形成される非晶質のシールドトンネル12は、ウエーハ10の表面10a(下面)側から入射面である裏面10b(上面)に亘って形成することができるため、ウエーハの厚みが厚くてもパルスレーザー光線を1回照射すればよいので、生産性が極めて良好となる。また、シールドトンネル形成工程においてはデブリが飛散しないので、デバイスの品質を低下させるという問題も解消される。
上述したシールドトンネル形成工程を実施したならば、チャックテーブル36上に載置されているウエーハ10を固定しているクランプ362を解除し、チャックテーブル機構3から粘着テープTを介してフレームFに保持されたウエーハ10を取り出し、図4(a)に示すように、フレームFを裏返してウエーハ10が保持された側を上方にする。このとき、レーザー加工時は、下側を向いていたフレームFの表面Fa側が、上側を向くように保持される。その後、ウエーハ10の表面10a側に貼着された保護テープ15を剥離して(保護テープ剥離工程)、次の分離工程を実施する分離手段へ送られる。
上記のシールドトンネル形成工程が実施されたウエーハ10を、個々のデバイスに分離する分離工程について説明する。ウエーハ10が貼着されている粘着テープTが装着された環状のフレームFを、図4の(b)に示すようにフレーム保持手段61を構成するフレーム保持部材611の載置面611a上に載置し、クランプ612によってフレーム保持部材611に固定する(フレーム保持工程)。このとき、フレーム保持部材611は図4の(b)に示す基準位置に位置付けられている。次に、テープ拡張手段を構成する支持手段623としての複数のエアシリンダ623aを作動して、環状のフレーム保持部材611を図4の(c)に示す拡張位置に下降させる。従って、フレーム保持部材611の載置面611a上に固定されている環状のフレームFも下降するため、図4の(c)に示すように環状のフレームFに装着された粘着テープTは拡張ドラム621の上端縁に接して拡張させる。この結果、粘着テープTに貼着されているウエーハ10には放射状に引張力が作用するため、上述したシールドトンネル12が連続して形成され強度が低下させられた分割予定ラインに沿って個々のデバイス11に分離されるとともにデバイス11間に間隔が形成される(分離工程)。なお、上記した保護テープ剥離工程は、当該分離工程において粘着テープTが拡張される前であればいずれのタイミングであってもよく、例えば、ウエーハ10が、上記フレーム保持部材611に保持された後に実施することもできる。
次に、図4の(c)に示すようにピックアップコレット63を作動してデバイス11を吸着し、粘着テープTから剥離してピックアップし、図示しないダイボンディング工程に搬送する。なお、ピックアップ工程においては、上述したように粘着テープTに貼着されている個々のデバイス11間の隙間が広げられているので、隣接するデバイス11と接触することなく容易にピックアップすることができる。
本発明は、本実施形態によって示されるように、ウエーハを収容する開口部を有するフレームの該開口部に該ウエーハを位置付け該ウエーハの裏面と該フレームとを粘着テープで一体に貼着して該ウエーハを該フレームで支持し、該ウエーハの表面側を保持手段に保持し、該ウエーハと該粘着テープに対して透過性を有する波長のレーザー光線を、該粘着テープを通して分割予定ラインに対応する裏面に位置付けて照射し、該分割予定ラインに沿って細孔と該細孔を囲繞する非晶質とからなるシールドトンネルを形成するシールドトンネル形成工程を含んでいる。よって、該ウエーハの表面側の分割予定ライン、或いはそれに隣接した位置にレーザー光線を遮蔽するような部材があったとしても、なんら影響されることなく、シールドトンネル形成加工を施すことができる。さらに、該シールドトンネル形成工程時に照射するレーザー光線を、ウエーハの裏面側を保持する粘着テープを通して照射することで、レーザー光線照射後のピックアップ工程時には、デバイスが形成されたウエーハの表面側からピックアップすることが可能となり、後のダイボンディング工程等にデバイスを送る際に、別途裏返す工程等を設ける必要がなく、生産効率を低下させることがない。
本発明は、上記実施形態に限定されず、種々の変形例が想定される。例えば、本実施形態では、被加工物として、リチウムタンタレート(LiTaO3)基板を例示したが、これに限定されず、例えば、SiC基板、Si基板、窒化ガリウム基板、サファイア基板を採用することができる。また、本実施形態では、シールドトンネル形成工程を実施する前に、ウエーハの表面側に保護テープを貼着してチャックテーブルに保持するようにしたが、該保護テープは必ずしも必要ではなく、ウエーハの表面側に保護膜が形成されているような場合は、これを省略することができる。さらに、本実施形態では、粘着テープを拡張して分離し、ピックアップ工程を実施する技術を示したが、これに限定されず、例えば、分割予定ラインに沿って外力を付加することにより分離した上で、紫外線を照射することにより粘着テープの粘着性を喪失させピックアップ工程を実施する手段を採用することもできる。
1:レーザー加工装置
2:静止基台
3:チャックテーブル機構
4:レーザー光線照射ユニット
5:レーザー光線照射手段
6:撮像手段
10:ウエーハ
11:デバイス
12:シールドトンネル
15:保護テープ
36:チャックテーブル
T:粘着テープ
F:フレーム
LB:レーザー光線
2:静止基台
3:チャックテーブル機構
4:レーザー光線照射ユニット
5:レーザー光線照射手段
6:撮像手段
10:ウエーハ
11:デバイス
12:シールドトンネル
15:保護テープ
36:チャックテーブル
T:粘着テープ
F:フレーム
LB:レーザー光線
Claims (3)
- 複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハを収容する開口部を有するフレームの該開口部に該ウエーハを位置付け該ウエーハの裏面と該フレームとを粘着テープで一体に貼着して該ウエーハを該フレームで支持するフレーム支持工程と、
該ウエーハの表面側を保持手段に保持し、該ウエーハ、及び、該粘着テープに対して透過性を有する波長のレーザー光線を、該粘着テープを通して分割予定ラインに対応する裏面に位置付けて照射し、該分割予定ラインに沿って細孔と該細孔を囲繞する非晶質とからなるシールドトンネルを形成するシールドトンネル形成工程と、
を含むウエーハの加工方法。 - 該シールドトンネル形成工程の後、該粘着テープを拡張して個々のデバイスに分離するデバイス分離工程を実施する請求項1に記載のウエーハの加工方法。
- 該ウエーハを保持手段に保持する前に、該ウエーハの表面側に保護部材を配設し、
該デバイス分離工程において、該粘着テープを拡張する前に該保護部材を剥離する請求項2に記載のウエーハの加工方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016034426A JP2017152569A (ja) | 2016-02-25 | 2016-02-25 | ウエーハの加工方法 |
TW106101031A TW201730946A (zh) | 2016-02-25 | 2017-01-12 | 晶圓的加工方法 |
SG10201701086SA SG10201701086SA (en) | 2016-02-25 | 2017-02-10 | Wafer processing method |
KR1020170018746A KR20170100426A (ko) | 2016-02-25 | 2017-02-10 | 웨이퍼의 가공 방법 |
CN201710095216.4A CN107123595A (zh) | 2016-02-25 | 2017-02-22 | 晶片的加工方法 |
DE102017103737.3A DE102017103737A1 (de) | 2016-02-25 | 2017-02-23 | Waferbearbeitungsverfahren |
US15/440,867 US9997392B2 (en) | 2016-02-25 | 2017-02-23 | Wafer processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016034426A JP2017152569A (ja) | 2016-02-25 | 2016-02-25 | ウエーハの加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017152569A true JP2017152569A (ja) | 2017-08-31 |
Family
ID=59580042
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016034426A Pending JP2017152569A (ja) | 2016-02-25 | 2016-02-25 | ウエーハの加工方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9997392B2 (ja) |
JP (1) | JP2017152569A (ja) |
KR (1) | KR20170100426A (ja) |
CN (1) | CN107123595A (ja) |
DE (1) | DE102017103737A1 (ja) |
SG (1) | SG10201701086SA (ja) |
TW (1) | TW201730946A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021044388A (ja) * | 2019-09-11 | 2021-03-18 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2021044375A (ja) * | 2019-09-11 | 2021-03-18 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2021064627A (ja) * | 2019-10-10 | 2021-04-22 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
KR20220019639A (ko) * | 2020-08-10 | 2022-02-17 | 가부시기가이샤 디스코 | 기판 처리 방법 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6478821B2 (ja) * | 2015-06-05 | 2019-03-06 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6821261B2 (ja) * | 2017-04-21 | 2021-01-27 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
JP2019125688A (ja) * | 2018-01-16 | 2019-07-25 | 株式会社ディスコ | 被加工物のレーザー加工方法 |
JP7281873B2 (ja) | 2018-05-14 | 2023-05-26 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7166718B2 (ja) * | 2018-10-17 | 2022-11-08 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
CN109894739B (zh) * | 2019-03-04 | 2024-04-09 | 无锡蓝智自动化科技有限公司 | 用于发动机气缸圈的全自动激光刻印装置 |
JP7285694B2 (ja) * | 2019-05-23 | 2023-06-02 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置の光軸調整方法 |
JP7305268B2 (ja) | 2019-08-07 | 2023-07-10 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7345973B2 (ja) | 2019-08-07 | 2023-09-19 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7382762B2 (ja) * | 2019-08-27 | 2023-11-17 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置の加工結果の良否判定方法 |
CN114346474B (zh) * | 2022-01-17 | 2023-05-16 | 博捷芯(深圳)半导体有限公司 | 一种全自动激光晶圆切割装置及切割方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012109338A (ja) * | 2010-11-16 | 2012-06-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | ワークの加工方法及びダイシングテープ |
JP2014168790A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014221483A (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-27 | 株式会社ディスコ | レーザー加工方法 |
JP2015213927A (ja) * | 2014-05-08 | 2015-12-03 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10305420A (ja) | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Ngk Insulators Ltd | 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法 |
JP3408805B2 (ja) | 2000-09-13 | 2003-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法 |
ES2523432T3 (es) * | 2003-07-18 | 2014-11-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Chip semiconductor cortado |
US8334150B2 (en) * | 2005-10-07 | 2012-12-18 | Stats Chippac Ltd. | Wafer level laser marking system for ultra-thin wafers using support tape |
JP5132911B2 (ja) * | 2006-10-03 | 2013-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
US9224650B2 (en) * | 2013-09-19 | 2015-12-29 | Applied Materials, Inc. | Wafer dicing from wafer backside and front side |
JP6328485B2 (ja) * | 2014-05-13 | 2018-05-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
-
2016
- 2016-02-25 JP JP2016034426A patent/JP2017152569A/ja active Pending
-
2017
- 2017-01-12 TW TW106101031A patent/TW201730946A/zh unknown
- 2017-02-10 SG SG10201701086SA patent/SG10201701086SA/en unknown
- 2017-02-10 KR KR1020170018746A patent/KR20170100426A/ko unknown
- 2017-02-22 CN CN201710095216.4A patent/CN107123595A/zh active Pending
- 2017-02-23 DE DE102017103737.3A patent/DE102017103737A1/de not_active Ceased
- 2017-02-23 US US15/440,867 patent/US9997392B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012109338A (ja) * | 2010-11-16 | 2012-06-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | ワークの加工方法及びダイシングテープ |
JP2014168790A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014221483A (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-27 | 株式会社ディスコ | レーザー加工方法 |
JP2015213927A (ja) * | 2014-05-08 | 2015-12-03 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021044388A (ja) * | 2019-09-11 | 2021-03-18 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2021044375A (ja) * | 2019-09-11 | 2021-03-18 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7341607B2 (ja) | 2019-09-11 | 2023-09-11 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7341606B2 (ja) | 2019-09-11 | 2023-09-11 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2021064627A (ja) * | 2019-10-10 | 2021-04-22 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
KR20220019639A (ko) * | 2020-08-10 | 2022-02-17 | 가부시기가이샤 디스코 | 기판 처리 방법 |
JP2022032045A (ja) * | 2020-08-10 | 2022-02-24 | 株式会社ディスコ | 基板加工方法 |
JP7275208B2 (ja) | 2020-08-10 | 2023-05-17 | 株式会社ディスコ | 基板加工方法 |
KR102591912B1 (ko) * | 2020-08-10 | 2023-10-19 | 가부시기가이샤 디스코 | 기판 처리 방법 |
US11842926B2 (en) | 2020-08-10 | 2023-12-12 | Disco Corporation | Method of processing a substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107123595A (zh) | 2017-09-01 |
SG10201701086SA (en) | 2017-09-28 |
KR20170100426A (ko) | 2017-09-04 |
US9997392B2 (en) | 2018-06-12 |
TW201730946A (zh) | 2017-09-01 |
US20170250102A1 (en) | 2017-08-31 |
DE102017103737A1 (de) | 2017-08-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2017152569A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6062315B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
TWI618192B (zh) | 晶圓之雷射加工方法及雷射加工裝置 | |
JP6034219B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2014165246A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
KR102313271B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP2009272421A (ja) | デバイスの製造方法 | |
JP2009123835A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
JP2006344795A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP6189066B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6360411B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2010027857A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
JP2007012878A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2016213318A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP4833657B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP5860219B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
JP4447392B2 (ja) | ウエーハの分割方法および分割装置 | |
JP2008235398A (ja) | デバイスの製造方法 | |
JP2017103406A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2017084932A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2010064125A (ja) | レーザー加工装置 | |
JP5331417B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
JP2016207765A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2009081333A (ja) | レーザー加工装置および接着フィルム切断方法 | |
JP2009277778A (ja) | ウエーハの分割方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181219 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190808 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190820 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200310 |