KR20220019639A - 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20220019639A
KR20220019639A KR1020210104849A KR20210104849A KR20220019639A KR 20220019639 A KR20220019639 A KR 20220019639A KR 1020210104849 A KR1020210104849 A KR 1020210104849A KR 20210104849 A KR20210104849 A KR 20210104849A KR 20220019639 A KR20220019639 A KR 20220019639A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
protective film
substrate
wafer
attached
laser beam
Prior art date
Application number
KR1020210104849A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102591912B1 (ko
Inventor
겐스케 나가오카
야스요시 유비라
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20220019639A publication Critical patent/KR20220019639A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102591912B1 publication Critical patent/KR102591912B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer

Abstract

본 발명은 일측부(2)에 복수의 소자(8)가 있는 소자 영역(6)을 갖는 기판(W)을 처리하는 방법에 관한 것이다. 방법은 제1 보호 필름(22)을 마련하는 단계, 제2 보호 필름(14)을 마련하는 단계, 제1 보호 필름(22)의 전면(前面)(24)의 적어도 중앙 영역이 기판(W)의 일측부(2)와 직접 접촉하도록 제1 보호 필름(22)을 기판(W)의 일측부(2)에 부착하는 단계, 기판(W)의 일측부(2) 반대측의 측부(4)에 제2 보호 필름(14)을 부착하는 단계를 포함한다. 기판(W)의 일측부(2) 반대측의 측부(4)에 제2 보호 필름(14)을 부착한 후, 기판(W)의 일측부(2) 반대측의 측부(4)로부터 기판(W)에 레이저 빔(LB)이 인가된다. 기판(W)은 레이저 빔(LB)에 대해 투과성인 재료로 형성된다. 제2 보호 필름(14)은 레이저 빔(LB)에 대해 투과성인 재료로 형성된다. 레이저 빔(LB)은 기판(W)에 복수의 개질 영역을 형성하도록 복수의 위치에서 기판(W)에 인가된다.

Description

기판 처리 방법{METHOD OF PROCESSING A SUBSTRATE}
본 발명은 일측부에 복수의 소자를 갖는 소자 영역을 포함하는 반도체 웨이퍼 등의 웨이퍼와 같은 기판을 처리하는 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 제조 공정과 같은 소자 제조 공정에서, 일반적으로 복수의 분할 라인에 의해 복수의 소자가 분할된 소자 영역을 포함하는 웨이퍼와 같은 기판은 복수의 개별 다이로 분할된다. 소자 제조 공정은 일반적으로 복수의 개별 다이를 얻기 위해, 예를 들어 분할 라인을 따라 기판을 절단하는 절단 단계를 포함한다. 또한, 연삭 및/또는 연마 및/또는 에칭과 같은 다른 처리 단계도 소자 영역이 형성되는 기판 전면(前面) 반대측의 기판 후면에 대해 수행될 수 있다.
기판은 그 전면 또는 후면으로부터, 예를 들어 분할 라인을 따라 절단될 수 있다. 특히, 기판은 기계적 절단, 예를 들어 블레이드 다이싱 또는 소잉, 플라즈마 절단 또는 레이저 절단에 의해 절단될 수 있다. 레이저 절단은 예를 들어, 절제 레이저 절단 및/또는 스텔스(stealth) 레이저 절단에 의해, 즉 레이저 빔의 적용에 의해 기판 내에 개질된 영역을 형성하고 및/또는 레이저 빔의 적용에 의해 기판 내에 복수의 홀 영역을 형성하는 것에 의해 수행될 수 있다.
기존의 기계적 절단 또는 레이저 절단, 특히 스텔스 레이저 절단을 기판 전면으로부터 수행하는 경우, 절단 공정에서 발생하는 파편이 소자 영역에 형성되는 소자를 손상시키거나 오염시키는 문제가 발생할 수 있다. 이 문제는 기판이 그 전면에 예를 들어, 소자 영역에 취약한 구조체 및/또는 민감한 구조체를 포함하고 및/또는 예를 들어, 분할 라인 내에 금속 구조체를 포함하는 경우에 특히 현저하게 발생한다.
특히, 스텔스 레이저 절단에 사용되는 레이저 빔이 이러한 분할 라인에 형성된 금속 구조체를 투과할 수 없어서 기판 전면으로부터의 스텔스 다이싱 절단 공정을 불가능하게 한다는 문제가 일반적으로 존재한다. 따라서, 레이저 빔은 다음에서 상세히 설명하는 바와 같이 후면으로부터 기판에 적용되어야 한다.
이러한 파편에 의한 손상 및 오염으로부터 소자 영역에 형성된 소자를 보호하기 위해, 처리 전에 기판의 전면에 보호 필름 또는 시트가 도포될 수 있으며, 기계적 절단 또는 레이저 절단, 특히 스텔스 레이저 절단이 기판 후면으로부터 수행될 수 있다. 특히, 이러한 방식으로 기판을 후면으로부터 처리할 때, 기판은 일반적으로 그 전면이 지지체와 접촉하는 상태로 척 테이블(chuck table)과 같은 지지체 상에 위치된다. 기판 전면에 도포된 보호 필름 또는 시트는 지지체와의 접촉으로 인한 손상(예: 기계적 손상)으로부터 소자를 보호한다. 그러나, 이 경우, 보호필름이나 시트에 형성된 접착층의 접착력에 의해 기판 상의 소자 구조체가 손상되거나, 필름 또는 시트가 기판으로부터 박리될 때 소자 상의 접착제 잔류물에 의해 오염될 수 있는 문제가 있다. 이것은 특히 깨지기 쉬운 구조체 및/또는 민감한 구조체, 예를 들어 마이크로 전자기계 시스템(MEMS)과 같은 민감한 소자가 기판 전면에 존재하는 경우에 적용된다. 예를 들어, MEMS 멤브레인은 기판으로부터 보호 필름 또는 시트를 박리할 때 파손 등의 손상이 이루어질 수 있다.
접착층에 의한 소자 영역에 형성된 소자의 손상 및 오염의 위험을 줄이기 위해, 접착층을 보호 필름 또는 시트의 주변 부분에만 도포하는 것이 제안된 바 있다. 그러나, 이 경우, 보호 필름 또는 시트가 그 주변부에 의해 둘러싸인 필름 또는 시트의 중앙 부분에서 기판에 충분한 지지를 제공하지 않을 수 있기 때문에 처리 중에 기판을 신뢰성있게 유지하기 어려울 수 있다. 이 문제는 그 전면에 깨지기 쉬운 구조체 및/또는 민감한 구조체가 있는 기판의 경우 악화된다. 예를 들어, 기판 전면이 예를 들어, 얇은 멤브레인 또는 공동을 갖는 MEMS를 포함하는 경우, 이들 깨지기 쉬운 구조체를 손상시킬 수 있는 위험으로 인해 기판에 부착하는 동안 및/또는 부착 후에 보호 필름 또는 시트에 압력 및/또는 열을 가할 수 없다.
또한, 스텔스 레이저 절단으로 기판을 절단하는 경우, 기판 휨의 문제가 발생할 수 있다. 구체적으로, 레이저 빔을 인가하여 기판 내에 개질 영역을 형성하는 경우, 이들 영역에서 기판 부피가 증가됨으로써 응력 및 그에 따라 기판의 절곡 또는 휨이 발생될 수 있다. 이는 특히, 전면에 다수의 소형 소자가 형성된 기판을 스텔스 레이저 절단하는 경우와 같이 기판에 다수의 개질 영역이 형성되는 경우에 적용된다. 그 주변부에만 접착층이 도포된 보호 필름 또는 시트를 사용하는 경우, 기판은 상기의 기판 휨을 억제하기에는 필름 또는 시트에 의해 충분히 지지되지 않을 수 있다. 기판 휨은 개질된 영역이 기판 내에 형성될 수 있는 정확도에 영향을 미쳐 기판을 개별 다이들로 분할하는 것에 악영향을 미칠 수 있다. 예를 들어, 기판 분할 공정에서 일부 다이가 서로 제대로 분리되지 않거나 손상될 수 있다. 이 문제는 다이 크기가 작은 경우에 특히 두드러진다.
따라서, 기판의 오염 및 손상의 위험을 최소화하는, 소자 영역을 갖는 기판을 처리하기 위한 신뢰할 수 있고 효율적인 방법에 대한 요구가 남아 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 기판의 오염 및 손상의 위험을 최소화하는, 소자 영역을 갖는 기판을 처리하기 위한 신뢰할 수 있고 효율적인 방법을 제공하는 것이다. 이 목적은 청구항 1의 기술적 특징을 갖는 기판 처리 방법에 의해 달성된다. 본 발명의 바람직한 실시예는 종속항에 따른다.
본 발명은 일측부에 복수의 소자가 형성된 소자 영역을 갖는 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 방법은 제1 보호 필름 또는 시트를 마련하는 단계, 제2 보호 필름 또는 시트를 마련하는 단계, 제1 보호 필름 또는 시트의 전면의 적어도 중앙 영역이 기판의 상기 일측부와 직접 접촉하도록 제1 보호 필름 또는 시트를 기판의 상기 일측부에 부착하는 단계, 제2 보호 필름 또는 시트를 기판의 일측부 반대측의 측부에 부착하는 단계를 포함한다. 기판의 일측부 반대측의 측부에 제2 보호 필름 또는 시트를 부착한 후, 기판의 일측부 반대측의 측부으로부터 기판에 레이저 빔이 조사(照射)된다. 기판은 레이저 빔에 대해 투과성인 재료로 형성된다. 제2 보호 필름 또는 시트는 레이저 빔에 대해 투과성인 재료로 형성된다. 레이저 빔은 기판에 복수의 개질된 영역을 형성하도록 복수의 위치에서 기판에 인가된다.
소자 영역에 형성된 소자들을 덮기 위한 제1 보호 필름은 기판의 일측부, 즉 기판 전면에 부착되어, 제1 보호 필름의 전면의 적어도 중앙 영역이 기판의 일측부와 직접 접촉한다. 따라서, 적어도 제1 보호 필름의 전면의 중앙 영역과 기판의 일측부 사이에는 특히 접착제와 같은 물질이 존재하지 않는다.
따라서, 예를 들어, 기판 상의 접착제 층 또는 접착제 잔류물의 접착력으로 인해 가능한 기판의 오염 또는 손상의 위험이 크게 감소되거나 심지어 제거될 수 있다.
제2 보호 필름은 기판의 일측부 반대측의 측부, 즉 기판 후면에 부착된다. 제2 보호 필름은 레이저 빔에 대해 투과성인 재료로 형성된다. 따라서, 레이저 빔은 제2 보호 필름을 통해 레이저 빔을 투과시킬 수 있는 파장을 갖는다. 따라서, 제2 보호 필름을 기판 후면에 부착한 후, 제2 보호 필름을 통해 기판 후면으로부터 기판에 레이저 빔을 조사함으로써 기판에 복수의 개질 영역이 형성될 수 있다. 기판에 대한 레이저 빔의 이러한 인가 중에, 기판은 기판에 부착된 제2 보호 필름에 의해 확실하게 지지될 수 있다. 따라서, 처리 중의 기판의 임의의 휨이 억제되거나 심지어 완전히 방지될 수 있어서, 개질된 영역이 기판 내에 형성될 수 있는 정확도가 크게 향상될 수 있다. 예를 들어, 개질 영역은 기판 내에 동일한 깊이에, 즉 기판의 두께 방향을 따라 동일한 위치에 일관되게 형성될 수 있다. 기판의 두께 방향은 기판 전면으로부터 기판 후면 측으로 연장된다. 따라서, 기판은 특히 효율적인 방식으로 처리될 수 있다. 특히, 기판 내의 개질 영역의 정확한 형성은 작은 다이 크기의 경우에도 기판을 개별 다이들로 신뢰성있게 분할할 수 있게 한다.
따라서, 본 발명의 방법은 소자 영역을 갖는 기판의 신뢰성 있고 효율적인 처리를 가능하게 하여, 기판, 특히 소자 영역에 형성된 기판의 오염 및 손상의 위험을 최소화한다.
기판은 예를 들어, 반도체, 유리, 사파이어(Al2O3), 알루미나 세라믹과 같은 세라믹, 석영, 지르코니아, 납 지르코네이트 티타네이트(PZT), 폴리카보네이트, 금속(예를 들어, 구리, 철, 스테인리스 강, 알루미늄 등) 또는 금속화된 재료, 페라이트, 광학 결정 재료, 수지 등으로 형성될 수 있다.
특히, 기판은 예를 들어, 실리콘 카바이드(SiC), 실리콘(Si), 갈륨 비소(GaAs), 질화 갈륨(GaN), 인화 갈륨(GaP), 비화 인듐(InAs), 인화 인듐(InP), 질화 규소(SiN), 리튬 탄탈레이트(LT), 리튬 니오베이트(LN), 질화 알루미늄(AlN), 산화 규소(SiO2) 등으로 형성될 수 있다.
기판은 단결정 기판, 유리 기판, 화합물 반도체 기판과 같은 화합물 기판, 또는 세라믹 기판과 같은 다결정 기판일 수 있다.
기판은 웨이퍼, 특히 반도체 웨이퍼일 수 있다. 예를 들어, 기판은 실리콘 카바이드(SiC) 웨이퍼, 실리콘(Si) 웨이퍼, 갈륨 비소(GaAs) 웨이퍼, 질화 갈륨(GaN) 웨이퍼, 인화 갈륨(GaP) 웨이퍼, 비화 인듐(InAs) 웨이퍼, 인화 인듐(InP) 웨이퍼, 질화 규소(SiN) 웨이퍼, 리튬 탄탈레이트(LT) 웨이퍼, 리튬 니오베이트(LN) 웨이퍼, 질화 알루미늄(AlN) 웨이퍼, 산화 규소(SiO2) 웨이퍼 등일 수 있다.
기판은 단일 재료 또는 상이한 재료, 예를 들어 위에서 식별된 재료 중 2종 이상의 재료의 조합으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판은 Si로 형성된 기판 원소가 유리로 형성된 기판 원소에 결합된 Si-유리 결합된 기판, 예를 들어 Si-유리 결합된 웨이퍼일 수 있다.
기판은 임의의 유형의 형상을 가질 수 있다. 평면도 상으로, 기판은 예를 들어, 원형, 계란형, 타원형 또는 다각형(예, 직사각형 또는 정사각형) 형상을 가질 수 있다.
기판의 일측부의 소자 영역 내의 소자들은 예를 들어, 반도체 소자, 전력 소자, 광학 소자, 의료 소자, 전기 부품, MEMS 소자 또는 이들의 조합일 수 있다. 소자들은 예를 들어, MOSFET 또는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)와 같은 트랜지스터, 또는 쇼트키 장벽(Schottky barrier) 다이오드와 같은 다이오드이거나 이를 포함할 수 있다.
기판은 소자를 포함하지 않고 소자 영역 주변에 형성되는 주변 가장자리 영역을 일측부에 추가로 구비할 수 있다.
제1 보호 필름은 단일 재료, 특히 단일 균질 재료로 이루어질 수 있다. 제1 보호 필름은 고체 재료 시트일 수 있다. 예를 들어, 제1 보호 필름은 포일 또는 시트일 수 있다.
제1 보호 필름은 중합체와 같은 플라스틱 재료로 형성될 수 있다. 특히 바람직하게는, 제1 보호 필름은 폴리올레핀으로 형성된다. 예를 들어, 제1 보호 필름은 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP) 또는 폴리부틸렌(PB)으로 형성될 수 있다.
폴리올레핀 필름은 특히, 아래에 상세히 설명되는 바와 같이 제1 보호 필름에 대한 외부 자극의 인가가 제1 보호 필름의 가열로 이루어지거나 이를 포함하는 경우, 본 발명의 기판 처리 방법에 사용하기에 특히 유리한 재료 특성을 가진다. 폴리올레핀 필름은 가열된 상태, 예컨대, 60℃ 내지 150℃ 범위의 온도로 가열될 때 유연하고 신축성이 있으며 연질이다. 또한, 폴리올레핀 필름은 냉각시 경화 및 경질화되기 때문에 냉각된 상태에서 보다 단단하고 강화된다. 따라서, 기판의 후속 처리 중에 특히 신뢰성 있는 기판의 보호가 보장될 수 있다.
제1 보호 필름은 5 냐자 500 ㎛, 바람직하게는 5 내지 200 ㎛, 보다 바람직하게는 8 내지 100 ㎛, 더욱 더 바람직하게는 10 내지 80 ㎛, 더욱 더 바람직하게는 12 내지 50 ㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다. 특히 바람직하게, 제1 보호 필름은 80 내지 150 ㎛ 범위의 두께를 가진다.
제1 보호 필름은 임의의 유형의 형상을 가질 수 있다. 평면도 상으로, 제1 보호 필름은 예를 들어, 원형, 계란형, 타원형 또는 다각형(예, 직사각형 또는 정사각형) 형상을 가질 수 있다.
제1 보호 필름은 기판과 실질적으로 동일한 형상 또는 동일한 형상을 가질 수 있다.
제1 보호 필름은 기판의 외경보다 큰 외경을 가질 수 있다. 이러한 방식으로, 기판의 처리, 취급 및/또는 이송이 용이해질 수 있다. 특히, 제1 보호 필름의 외주부는 후술하는 바와 같이 환형 프레임에 부착될 수 있다.
제1 보호 필름은 기판의 외경보다 작은 외경을 가질 수 있다.
제1 보호 필름은 기판의 외경과 실질적으로 동일한 외경을 가질 수 있다.
제1 보호 필름은 기판의 일측부에 형성된 소자 영역의 외경과 실질적으로 동일한 외경을 가질 수 있다.
제2 보호 필름은 단일 재료, 특히 단일 균질 재료로 형성될 수 있다. 제2 보호 필름은 고체 재료 시트일 수 있다. 예를 들어, 제2 보호 필름은 포일 또는 시트일 수 있다.
제2 보호 필름은 중합체와 같은 플라스틱 재료로 형성될 수 있다. 특히 바람직하게는, 제2 보호 필름은 폴리올레핀으로 형성된다. 예를 들어, 제2 보호 필름은 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP) 또는 폴리부틸렌(PB)으로 형성될 수 있다.
폴리올레핀으로 형성된 제2 보호 필름의 사용은 아래에 상세히 설명되는 바와 같이 제2 보호 필름에 대한 외부 자극의 인가가 제2 보호 필름의 가열로 이루어지거나 이를 포함하는 경우에 특히 유리하다.
제2 보호 필름은 5 내지 500 ㎛, 바람직하게는 5 내지 200 ㎛, 보다 바람직하게는 8 내지 100 ㎛, 더욱 더 바람직하게는 10 내지 80 ㎛, 더욱 더 바람직하게는 12 내지 50 ㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다. 특히 바람직하게는, 제2 보호 필름은 80 내지 150 ㎛ 범위의 두께를 가진다.
제2 보호 필름은 임의의 유형의 형상을 가질 수 있다. 평면도 상으로, 제2 보호 필름은 예를 들어, 원형, 계란형, 타원형 또는 다각형(예, 직사각형 또는 정사각형) 형상을 가질 수 있다.
제2 보호 필름은 기판과 실질적으로 동일한 형상 또는 동일한 형상을 가질 수 있다. 제2 보호 필름은 제1 보호 필름과 실질적으로 동일한 형상 또는 동일한 형상을 가질 수 있다.
제2 보호 필름은 기판의 외경보다 큰 외경을 가질 수 있다. 이러한 방식으로, 기판의 처리, 취급 및/또는 이송이 용이해질 수 있다. 특히, 제2 보호 필름의 외주부는 후술하는 바와 같이 환형 프레임에 부착될 수 있다.
제2 보호 필름은 기판의 외경보다 작은 외경을 가질 수 있다.
제2 보호 필름은 기판의 외경과 실질적으로 동일한 외경을 가질 수 있다.
제2 보호 필름은 기판의 일측부에 형성된 소자 영역의 외경과 실질적으로 동일한 외경을 가질 수 있다.
제2 보호 필름은 상기 제1 보호 필름의 외경과 실질적으로 동일한 외경을 가질 수 있다.
기판의 후면으로부터 기판에 인가되는 레이저 빔은 펄스형 레이저 빔일 수 있다. 펄스형 레이저 빔은 예를 들어, 1 fs 내지 2000 ns 범위의 펄스폭을 가질 수 있다.
기판은 레이저 빔, 예를 들어 펄스형 레이저 빔에 대해 투과성인 재료로 형성된다. 따라서, 기판을 통한 레이저 빔의 투과를 허용하는 파장을 갖는 레이저 빔의 인가에 의해 복수의 개질 영역이 기판에 형성된다. 예를 들어, 기판이 Si 기판, 예를 들어, Si 웨이퍼인 경우, 레이저 빔은 1.0 ㎛ 이상의 파장을 가질 수 있다.
레이저 빔, 예를 들어 펄스형 레이저 빔은 기판에 복수의 개질 영역을 형성하기 위해 레이저 빔의 초점이 기판의 일측부와 반대되는 측부으로부터 기판의 일측부으로의 방향으로 일측부 반대측의 기판의 측부으로부터 거리를 두고 위치되는 조건에서 복수의 위치에서 기판에 인가될 수 있다. 대안적으로, 레이저 빔은 기판에 복수의 개질 영역을 형성하기 위해 레이저 빔의 초점이 기판의 일측부와 반대되는 측부으로부터 기판의 일측부으로의 방향과 반대되는 방향으로 일측부 반대측의 기판의 측부으로부터 거리를 두고 위치되는 조건에서 복수의 위치에서 기판에 인가될 수 있다. 레이저 빔은 기판에 복수의 개질 영역을 형성하기 위해 레이저 빔의 초점이 기판의 일측부 반대측의 측부에 위치되는 조건에서 복수의 위치에서 기판에 인가될 수 있다. 레이저 빔은 기판에 복수의 개질 영역을 형성하기 위해 레이저 빔의 초점이 기판의 용적 내에 위치되는 조건에서 복수의 위치에서 기판에 인가될 수 있다.
개질 영역은 레이저 빔의 인가에 의해 개질된 기판의 영역이다. 개질 영역은 기판 재료의 구조가 변형된 기판의 영역일 수 있다. 개질 영역은 기판이 손상된 기판의 영역일 수 있다.
이들 개질 영역을 형성함으로써, 개질 영역이 형성되어 있는 영역에서의 기판의 강도가 감소된다. 따라서, 복수의 개질 영역이 형성된 영역을 따른 기판의 분할이 크게 용이해진다. 이러한 기판 분할 공정에서, 기판의 소자 영역에 마련된 개별 소자들은 칩들 또는 다이들로서 획득된다.
개질 영역은 비정질 영역 및/또는 크랙이 형성된 영역을 포함할 수 있다. 개질 영역은 비정질 영역 및/또는 크랙이 형성된 영역일 수 있다. 특히 바람직한 실시예에서, 개질 영역은 비정질 영역을 포함하거나 비정질 영역이다.
각각의 개질 영역은 기판 재료 내부의 공동과 같은 공간을 포함할 수 있으며, 이 공간은 비정질 영역 및/또는 크랙이 형성된 영역에 의해 둘러싸여 있다.
각각의 개질 영역은 기판 재료 내부의 공동과 같은 공간과 비정질 영역 및/또는 그 공간을 둘러싸는 크랙이 형성된 영역으로 구성될 수 있다.
개질 영역이 크랙이 형성되는, 즉 크랙이 이미 형성된 영역이거나 이를 포함하는 경우, 크랙은 미세 크랙일 수 있다. 크랙은 ㎛ 범위의 길이 및/또는 폭 등의 치수를 가질 수 있다. 예를 들어, 크랙은 5 ㎛ 내지 100 ㎛ 범위의 폭 및/또는 100 ㎛ 내지 1000 ㎛ 범위의 길이를 가질 수 있다.
본 발명의 방법에 있어서, 기판의 일측부에 제1 보호 필름을 부착하는 단계는 제1 보호 필름의 전면의 적어도 중앙 영역이 기판의 일측부와 직접 접촉하도록 기판의 일측부에 제1 보호 필름을 도포하는 단계를 포함할 수 있다. 따라서, 적어도 제1 보호 필름의 전면의 중앙 영역과 기판의 일측부 사이에는 특히 접착제와 같은 물질이 존재하지 않는다. 또한, 기판의 일측부에 제1 보호 필름을 부착하는 단계는 제1 보호 필름이 기판의 일측부에 부착되도록 기판의 일측부에 제1 보호 필름을 도포하는 동안 및/또는 도포 후에 제1 보호 필름에 외부 자극을 인가하는 단계를 포함할 수 있다. 따라서, 제1 보호 필름을 기판 상의 제위치에 유지하는 제1 보호 필름과 기판 사이의 부착력이 외부 자극의 인가를 통해 생성된다. 따라서, 기판의 일측부에 제1 보호 필름을 부착하기 위해 추가적인 접착 재료가 필요하지 않다.
특히, 제1 보호 필름에 외부 자극을 인가함으로써, 제1 보호 필름과 기판 사이에 포지티브 정합과 같은 형상 정합 및/또는 접착 결합과 같은 재료 결합이 형성될 수 있다. "재료 결합" 및 "접착 결합"이라는 용어는 제1 보호 필름과 기판 사이에 작용하는 원자 및/또는 분자력으로 인한 제1 보호 필름과 기판 사이의 부착 또는 연결을 정의한다.
"접착 결합"이라는 용어는 제1 보호 필름을 기판에 부착하거나 접착하도록 작용하는 원자 및/또는 분자력의 존재와 관련되며, 제1 보호 필름과 기판 사이에 추가적인 접착제의 존재를 의미하지 않는다. 오히려, 제1 보호 필름의 전면의 적어도 중앙 영역은 위에서 상세히 설명된 바와 같이 기판의 일측부와 직접 접촉한다.
기판 전면은 실질적으로 평평하고 평탄한 표면일 수 있다. 대안적으로, 기판의 두께 방향을 따라 평면 기판 표면으로부터 돌출된 돌기 또는 돌출부 및/또는 평면 기판 표면으로부터 내측으로 연장되는 트렌치, 홈, 절개부 등과 같은 리세스가 기판의 전면에 존재할 수 있다. 제1 보호 필름은 기판의 일측부의 윤곽 또는 형상, 예를 들어 해당 기판 측에 존재하는 돌기 또는 돌출부 및/또는 리세스의 윤곽을 적어도 부분적으로 따르도록 기판의 일측부에 부착될 수 있다.
제1 보호 필름은 확장 가능할 수 있다.
제1 보호 필름은 기판의 일측부에 도포될 때 확장될 수 있다. 특히, 제1 보호 필름은 기판의 일측부의 윤곽 또는 형상, 예를 들어 해당 기판 측에 존재하는 돌기 또는 돌출부 및/또는 리세스의 윤곽을 적어도 부분적으로 따르도록 기판의 일측부에 도포될 때 확장될 수 있다.
예를 들어, 제1 보호 필름은 원래 크기의 2배 이상, 바람직하게는 원래 크기의 3배 이상, 보다 바람직하게는 원래 크기의 4배 이상으로 확장될 수 있다. 이와 같이, 특히, 원래 크기의 3배 또는 4배 이상으로 확장하는 경우에, 제1 보호 필름이 기판의 일측부의 윤곽 또는 형상을 따르는 것이 특히 확실하게 보장될 수 있다.
제1 보호 필름이 확장 가능한 경우, 아래에서 상세히 설명되는 바와 같이 소자들을 서로 분리하는 데 사용될 수 있다.
제1 보호 필름에 대한 외부 자극의 인가는 제1 보호 필름에 대한 압력의 인가 및/또는 제1 보호 필름의 가열 및/또는 제1 보호 필름의 냉각 및/또는 제1 보호 필름에 대한 진공의 인가 및/또는 예를 들어 레이저 빔을 사용하는 것에 의한 광 등의 조사에 의한 제1 보호 필름의 조사로 이루어지거나 이를 포함할 수 있다. 예를 들어, 조사는 UV 조사이거나 이를 포함할 수 있다.
외부 자극은 화학적 화합물 및/또는 전자 또는 플라즈마 조사 및/또는 압력, 마찰 또는 초음파 인가와 같은 기계적 처리 및/또는 정전기이거나 이를 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 제1 보호 필름에 대한 외부 자극의 인가는 예를 들어, 압연기, 스탬프, 멤브레인 등과 같은 압력 인가 수단을 사용하는 것에 의한 제1 보호 필름에 대한 압력의 인가로 이루어지거나 이를 포함한다. 대안적으로, 제1 보호 필름은 예를 들어 기판의 일측부에 단지 제1 보호 필름을 배치하는 것에 의해 제1 보호 필름에 압력을 인가하지 않고 기판의 일측부에 부착될 수 있다. 제1 보호 필름은 제1 보호 필름에 열을 인가하지 않고 기판의 일측부에 부착될 수 있다. 제1 보호 필름은 제1 보호 필름에 진공을 인가하지 않고 기판의 일측부에 부착될 수 있다. 제1 보호 필름은 제1 보호 필름에 압력을 인가하지 않고, 제1 보호 필름에 열을 인가하지 않고, 제1 보호 필름에 진공을 인가하지 않고 기판의 일측부에 부착될 수 있다. 이 후자의 접근 방식은 매우 깨지기 쉬운 및/또는 민감한 구조체, 예를 들어 마이크로 전자 기계 시스템(MEMS)과 같은 매우 민감한 소자가 기판 전면에 있는 경우 특히 유리하다.
예를 들어, 제1 보호 필름에 대한 외부 자극의 인가는 제1 보호 필름에 압력을 인가하고 제1 보호 필름에 진공을 인가하는 것을 포함하거나 이것으로 이루어질 수 있다. 진공은 진공 챔버 내에서 제1 보호 필름에 인가될 수 있다. 대안적으로, 제1 보호 필름은 제1 보호 필름에 진공을 인가하지 않고 기판의 일측부에 부착될 수 있다.
일부 실시예에서, 제1 보호 필름에 대한 외부 자극의 인가는 제1 보호 필름을 가열하는 것을 포함하거나 이것으로 이루어진다. 예를 들어, 제1 보호 필름에 대한 외부 자극의 인가는 제1 보호 필름을 가열하고 제1 보호 필름에 진공을 인가하는 것을 포함하거나 이것으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 진공은 제1 보호 필름을 가열하는 도중 및/또는 이전 및/또는 이후에 제1 보호 필름에 인가될 수 있다.
제1 보호 필름에 대한 외부 자극의 인가가 제1 보호 필름의 가열을 포함하거나 이것으로 이루어지는 경우, 방법은 가열 공정 후에 제1 보호 필름을 냉각시키는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 특히, 제1 보호 필름은 초기 온도, 즉 가열 공정 이전의 온도로 냉각될 수 있다. 제1 보호 필름은 레이저 빔을 기판에 인가하기 전에, 예를 들어 초기 온도로 냉각될 수 있다.
가열 과정을 통해 제1 보호 필름과 기판 사이에 부착력이 발생된다. 기판에 대한 제1 보호 필름의 부착은 가열 공정 자체 및/또는 제1 보호 필름을 냉각시키는 후속 공정에서 행해질 수 있다.
제1 보호 필름은 예를 들어, 기판 형상을 흡수하도록 기판의 일측부의 기판 표면에 일치하도록 가열 공정에 의해 연화될 수 있다. 예를 들어, 초기 온도로 냉각될 때, 제1 보호 필름은 예를 들어 기판에 대한 형상 정합 및/또는 재료 결합을 이루도록 재경화될 수 있다.
제1 보호 필름은 180℃ 이상, 바람직하게는 220℃ 이상, 보다 바람직하게는 250℃ 이상, 더욱 더 바람직하게는 300℃ 이상의 온도까지 내열성을 가질 수 있다.
제1 보호 필름은 30℃ 내지 250℃, 바람직하게는 50℃ 내지 200℃, 보다 바람직하게는 60℃ 내지 150℃, 더욱 더 바람직하게는 70℃ 내지 110℃ 범위의 온도로 가열될 수 있다. 특히 바람직하게, 제1 보호 필름은 약 80℃의 온도로 가열된다.
제1 보호 필름은 기판의 일측부에 제1 보호 필름을 도포하는 도중 및/또는 이후에 30초 내지 10분, 바람직하게는 1분 내지 8분, 보다 바람직하게는 1분 내지 6분, 훨씬 더 바람직하게는 1분 내지 4분, 더욱 더 바람직하게는 1분 내지 3분 범위의 지속 시간에 걸쳐 가열될 수 있다.
제1 보호 필름에 대한 외부 자극의 인가가 제1 보호 필름의 가열을 포함하거나 이것으로 구성된 경우, 제1 보호 필름은 직접적 및/또는 간접적으로 가열될 수 있다.
제1 보호 필름은 가열된 압연기, 가열된 스탬프 등과 같은 열 인가 수단 또는 열방사 수단을 사용하여 제1 보호 필름에 직접 열을 인가하는 것에 의해 가열될 수 있다. 가열된 압연기 또는 가열된 스탬프와 같은 결합된 열 및 압력 인가 수단을 사용함으로써 제1 보호 필름에 압력을 인가함과 동시에 제1 보호 필름을 가열할 수 있다. 제1 보호 필름 및 기판은 진공 챔버와 같은 리셉터클 또는 챔버에 배치될 수 있고, 리셉터클 또는 챔버의 내부 공간이 가열되어 제1 보호 필름을 가열할 수 있다. 리셉터클 또는 챔버에는 열방사 수단이 제공될 수 있다.
제1 보호 필름은, 예를 들어 기판의 일측부에 제1 보호 필름을 도포하기 이전 및/또는 도중 및/또는 이후에 기판을 가열하는 것에 의해 간접적으로 가열될 수 있다. 예를 들어, 기판은 척 테이블과 같은 지지체 또는 캐리어 상에 기판을 배치하고 지지체 또는 캐리어를 가열하는 것에 의해 가열될 수 있다.
예를 들어, 척 테이블과 같은 지지체 또는 캐리어는 30℃ 내지 250℃, 바람직하게는 50℃ 내지 200℃, 더욱 바람직하게는 60℃ 내지 150℃, 훨씬 더 바람직하게는 70℃ 내지 110℃ 범위의 온도로 가열될 수 있다. 특히 바람직하게, 지지체 또는 캐리어는 약 80℃의 온도로 가열될 수 있다.
이러한 접근법은 또한 예를 들어, 가열된 압연기 등과 같은 열 인가 수단 또는 제1 보호 필름을 직접 가열하고 또한 기판을 통해 제1 보호 필름을 간접적으로 가열하는 열방사 수단을 사용하는 것에 의해 조합될 수 있다.
제1 보호 필름에 대한 외부 자극의 인가가 제1 보호 필름의 가열을 포함하거나 이것으로 구성되는 경우, 제1 보호 필름은 가열된 상태에서 잘 휘어지고, 탄력 있고, 유연하고, 신축성이 있고, 연질이고 및/또는 압축 가능한 것이 바람직하다. 이러한 방식으로, 제1 보호 필름이 기판의 일측부의 기판 표면에 일치하여, 예를 들어 기판 형상을 흡수하는 것이 특히 확실하게 보장될 수 있다. 이것은 돌기 또는 돌출부 및/또는 트렌치, 홈, 절개부 등과 같은 리세스가 기판의 전면에 존재하는 경우 특히 유리하다.
바람직하게는, 제1 보호 필름은 냉각시 적어도 어느 정도 경화되거나 경질화되어 냉각된 상태에서 더 경질화되고 및/또는 강화된다. 이러한 방식으로, 레이저 빔을 기판에 인가하는 것과 같은 후속 처리 중에 특히 신뢰할 수 있는 기판의 보호가 보장될 수 있다.
기판의 일측부에는 적어도 하나의 분할 라인이 형성될 수 있다. 기판의 일측부에는 복수의 분할 라인이 형성될 수 있다. 하나 이상의 분할 라인은 소자 영역에 형성된 소자들을 분할한다.
적어도 하나의 분할 라인의 폭은 30 ㎛ 내지 200 ㎛, 바람직하게는 30 ㎛ 내지 150 ㎛, 보다 바람직하게는 30 ㎛ 내지 100 ㎛ 범위일 수 있다.
레이저 빔은 적어도 하나의 분할 라인을 따라 기판에 복수의 개질 영역을 형성하기 위해 적어도 하나의 분할 라인을 따라 복수의 위치에서 기판에 인가될 수 있다. 이러한 방식으로 개질 영역을 형성함으로써, 적어도 하나의 분할 라인을 따라 기판의 강도가 감소되고, 따라서 적어도 하나의 분할 라인을 따라 기판의 분할이 상당히 용이해진다.
본 발명의 방법은 제1 보호 필름과 제2 보호 필름 사이에서 기판을 둘러싸도록 제1 보호 필름을 제2 보호 필름에 부착하는 단계를 더 포함할 수 있다. 제1 보호 필름은 제1 보호 필름을 기판에 부착하는 도중 및/또는 이후에 및/또는 제2 보호 필름을 기판에 부착하는 도중 및/또는 이후에 제2 보호 필름에 부착될 수 있다. 기판은 제1 보호 필름과 제2 보호 필름 사이에 밀봉될 수 있다. 제1 보호 필름은 제1 보호 필름의 주변부 및/또는 제2 보호 필름의 주변부에서 제2 보호 필름에 부착될 수 있다.
기판을 그 사이에서 둘러싸도록 제1 및 제2 보호 필름을 서로 부착함으로써, 기판은 예를 들어 파편 등에 의한 손상 및 오염으로부터 특히 확실하게 보호될 수 있다. 더욱이, 처리 중 기판이 휘어질 위험이 더 감소되거나 심지어 완전히 제거될 수 있다.
제1 보호 필름은 제2 보호 필름을 기판에 부착하는 도중 및/또는 이후에 기판에 부착될 수 있다. 제2 보호 필름은 제1 보호 필름을 기판에 부착하는 도중 및/또는 이후에 기판에 부착될 수 있다.
제1 보호 필름은 제1 보호 필름의 전면이 기판의 일측부와 접촉하는 전체 영역에서 제1 보호 필름의 전면이 기판의 일측부와 직접 접촉하도록 기판의 일측부에 부착될 수 있다. 따라서, 제1 보호 필름의 전면과 기판의 일측부 사이에는 특히 접착제와 같은 물질이 존재하지 않는다.
이러한 방식으로, 예를 들어, 기판 상의 접착제 층 또는 접착제 잔류물의 접착력으로 인해 가능한 기판의 오염 또는 손상의 위험이 확실하게 제거될 수 있다.
대안적으로, 제1 보호 필름에는 접착층이 마련될 수 있으며, 접착층은 제1 보호 필름의 전면의 주변 영역에만 마련되고, 주변 영역은 제1 보호 필름의 전면의 중앙 영역을 둘러싸며, 제1 보호 필름은 접착층이 기판의 일측부의 주변부, 예를 들어 기판의 주변 가장자리 영역에만 접촉되도록 기판의 일측부에 부착된다.
이러한 방식으로, 기판에 대한 제1 보호 필름의 부착이 더욱 개선될 수 있다. 접착층은 제1 보호 필름 전면의 주변 영역에만 마련되기 때문에, 접착층에 의해 제1 보호 필름과 기판이 접착되는 면적이 제1 보호 필름의 전면 전체에 접착층이 도포되는 경우에 비해 현저히 감소된다. 따라서, 제1 보호 필름이 기판으로부터 보다 용이하게 탈착될 수 있고 기판, 특히 소자 영역에 형성된 소자에 대한 손상의 위험이 크게 감소된다.
접착층의 접착제는 열, 자외선, 전기장 및/또는 화학 작용제와 같은 외부 자극에 의해 경화될 수 있다. 이러한 방식으로, 제1 보호 필름은 처리 후에 기판으로부터 특히 용이하게 제거될 수 있다. 접착제에 외부 자극을 가하여 접착력을 낮춤으로써 제1 보호 필름을 용이하게 제거할 수 있다.
예를 들어, 접착층은 접착층의 중앙에 개구가 있는 실질적으로 환형인 형상, 개방 직사각형 형상 또는 개방 정사각형 형상, 즉 직사각형 또는 정사각형 형상을 각각 가질 수 있다.
제2 보호 필름은 상기 제2 보호 필름, 특히 그 전면이 기판의 일측부 반대측의 측부과 접촉하는 전체 영역에서 제1 보호 필름이 기판에 부착되도록 일측부 반대측의 기판의 측부에 부착될 수 있다. 이러한 방식으로, 기판은 제2 보호 필름에 의해 특히 신뢰성있고 확실하게 유지될 수 있고, 따라서 처리 중에 기판의 임의의 휘어짐의 위험이 최소화될 수 있다. 이러한 기판 휨의 억제는 아래에 상세히 설명되는 바와 같이 환형 프레임에 제2 보호 필름을 부착하고, 예를 들어 환형 프레임을 아래로 압박하여 제2 보호 필름에 의해 기판 후면에 압력이 인가됨으로써 더욱 강화될 수 있다.
이러한 방식으로 기판의 일측부 반대측의 측부에 제2 보호 필름을 부착함으로써, 기판으로부터 얻은 칩 또는 다이가 예를 들어, 기판을 칩들 또는 다이들로 분할하는 이전 및/또는 도중 및/또는 이후에 제1 보호 필름으로부터 의도치 않게 떨어질 수 있는 것이 특히 확실하게 방지될 수 있다. 예를 들어, 이러한 칩 또는 다이 중 일부는 기판에 개질 영역을 형성할 때, 즉 실제 기판 분할 공정 전에 기판의 나머지 부분으로부터 이미 분리되어 있을 수 있다. 이러한 칩 또는 다이는 제2 보호 필름에 의해 특히 확실하게 유지될 수 있다.
제2 보호 필름은, 예를 들어, 제2 보호 필름, 특히, 그 전면이 일측부 반대측의 기판의 측부과 접촉하는 전체 영역에 접착층을 마련하고 및/또는 일측부 반대측의 기판의 측부에 제2 보호 필름을 도포하는 도중 및/또는 이후에 제2 보호 필름에 외부 자극을 인가하는 것에 의해 상기 식별된 방식으로 일측부 반대측의 기판의 측부에 부착될 수 있다. 이것은 다음에 더 상세히 설명될 것이다.
제2 보호 필름에는 접착층이 마련될 수 있으며, 접착층은 제2 보호 필름, 특히 그 전면이 일측부 반대측의 기판의 측부에 접촉하는 전체 영역에 마련될 수 있다. 이와 같이, 제2 보호 필름은 이 연속 접착층에 의해 기판의 일측부 반대측의 측부에 특히 확실하게 부착될 수 있다. 또한, 기판의 반대측에 부착된 제2 보호 필름의 접착층에 의해 기판의 일측부의 소자 영역 내의 소자가 손상되거나 오염될 위험이 실질적으로 존재하지 않는다. 접착층의 접착제는 제1 보호 필름의 접착층의 접착제와 동일한 특성을 가질 수 있다. 제2 보호 필름의 연속 접착층의 접착제는 존재하는 경우 기판에 인가되는 레이저 빔에 대해 투과성인 재료로 형성된다.
대안적으로, 제2 보호 필름은 제2 보호 필름의 전면의 적어도 중앙 영역이 일측부 반대측의 기판의 측부과 직접 접촉하도록 기판의 일측부 반대측의 측부에 부착될 수 있다. 따라서, 적어도 제2 보호 필름의 전면의 중앙 영역과 기판의 일측부 반대측의 측부 사이에는 특히 접착제와 같은 물질이 존재하지 않는다.
따라서, 예를 들어 기판 상의 접착층 또는 접착제 잔류물의 접착력으로 인해 가능한 기판의 오염 또는 손상의 위험이 더욱 감소되거나 심지어 완전히 제거될 수 있다. 또한, 제2 보호 필름의 전면의 적어도 중앙 영역이 기판 후면과 직접 접촉하도록 기판의 후면에 제2 보호 필름을 부착하는 것에 의해 레이저 빔이 기판에 인가되어 특히 효율적이고 정확한 방식으로 기판에 복수의 개질 영역을 형성할 수 있다.
제2 보호 필름은 제2 보호 필름의 전면이 일측부 반대측의 기판의 측부과 접촉하는 전체 영역에서 제2 보호 필름의 전면이 일측부 반대측의 기판의 측부과 직접 접촉하도록 일측부 반대측의 측부에 부착될 수 있다. 따라서, 제2 보호 필름의 전면과 일측부 반대측의 기판의 측부 사이에는 특히 접착제와 같은 물질이 존재하지 않는다.
이러한 방식으로, 예를 들어 기판 상의 접착층 또는 접착제 잔류물의 접착력으로 인해 가능한 기판의 오염 또는 손상의 위험이 확실하게 제거될 수 있다. 또한, 기판에 복수의 개질 영역을 형성하기 위해 레이저 빔이 기판에 인가될 수 있는 효율 및 정확도가 더욱 향상될 수 있다.
대안적으로, 제2 보호 필름에는 접착층이 마련될 수 있고, 접착층은 제2 보호 필름의 전면의 주변 영역에만 마련되고, 주변 영역은 제2 보호 필름의 전면의 중앙 영역을 둘러싸며, 제2 보호 필름은 접착층이 일측부 반대측의 기판의 측부의 주변부에만 접촉하도록 일측부 반대측의 기판의 측부에 도포된다. 일측부 반대측의 기판의 측부의 주변부는 기판의 일측부에 형성된 주변 가장자리 영역에 해당할 수 있다. 접착층의 접착제는 제1 보호 필름의 접착층의 접착제와 동일한 특성을 가질 수 있다.
이러한 방식으로, 기판에 대한 제2 보호 필름의 부착이 더욱 향상될 수 있다. 접착층은 제2 보호 필름의 전면의 주변 영역에만 마련되기 때문에 접착층에 의해 제2 보호 필름과 기판이 서로 부착되는 면적은 접착층이 제2 보호 필름의 전면 전체에 마련되는 경우에 비해 크게 감소된다. 따라서, 제2 보호 필름은 기판으로부터 보다 용이하게 탈착될 수 있고, 예를 들어, 존재하는 경우, 기판의 후면에 형성된 돌기 또는 돌출부에 대한 기판의 손상 위험이 크게 감소된다.
일측부 반대측의 기판의 측부에 대한 제2 보호 필름의 부착은 제2 보호 필름의 전면의 적어도 중앙 영역이 일측부 반대측의 기판의 측부과 직접 접촉하도록 일측부 반대측의 기판의 측부에 제2 보호 필름을 도포하는 것을 포함한다. 따라서, 제2 보호 필름의 전면의 적어도 중앙 영역과 일측부 반대측의 기판의 측부 사이에는 특히 접착제와 같은 물질이 존재하지 않는다. 또한, 일측부 반대측의 기판의 측부에 대한 제2 보호 필름의 부착은 제2 보호 필름이 일측부 반대측의 기판의 측부에 부착되도록 일측부 반대측의 기판의 측부에 제2 보호 필름을 도포하는 도중 및/또는 이후에 제2 보호 필름에 외부 자극을 인가하는 단계를 포함할 수 있다. 따라서, 제2 보호 필름을 기판 상의 제위치에 유지하는 제2 보호 필름과 기판 사이의 부착력은 외부 자극의 인가를 통해 생성된다. 따라서, 일측부 반대측의 기판의 측부에 제2 보호 필름을 부착하기 위해 추가적인 접착 물질이 필요하지 않다.
특히, 제2 보호 필름에 외부 자극을 인가함으로써, 제2 보호 필름과 기판 사이에 포지티브 정합과 같은 형상 정합 및/또는 접착 결합과 같은 재료 결합이 형성될 수 있다.
외부 자극 및 이를 제2 보호 필름에 인가하는 방법은 제1 보호 필름에 대해 전술한 바와 동일할 수 있다.
제2 보호 필름의 접착층의 접착제, 예를 들어, 연속적인 접착층 또는 제2 보호 필름의 전면의 주변 영역에만 마련되는 접착층은 열, UV 조사, 전기장 및/또는 화학 작용제와 같은 외부 자극에 의해 경화될 수 있다. 이러한 방식으로, 제2 보호 필름은 처리 후에 기판으로부터 특히 용이하게 제거될 수 있다. 접착제에 외부 자극을 가하여 접착력을 낮춤으로써 제2 보호 필름을 용이하게 제거할 수 있다. 특히, 기판을 분할하여 얻어진 칩이나 다이를 특히 용이한 방식으로 제2 보호 필름으로부터 픽업할 수 있다.
기판 후면은 실질적으로 평평하고 평탄한 표면일 수 있다. 대안적으로, 기판의 두께 방향을 따라 평면 기판 표면으로부터 돌출된 돌기 또는 돌출부 및/또는 평면 기판 표면으로부터 내측으로 연장되는 트렌치, 홈, 절개부 등과 같은 리세스가 기판의 후면에 존재할 수 있다. 제2 보호 필름은 일측부 반대측의 기판의 측부에 부착되어 일측부 반대측의 기판의 측부의 윤곽 또는 형상, 예를 들어 이 기판 측에 존재하는 돌기 또는 돌출부 및/또는 리세스의 윤곽을 적어도 부분적으로 따른다.
제2 보호 필름은 180℃ 이상, 바람직하게는 220℃ 이상, 보다 바람직하게는 250℃ 이상, 더욱 더 바람직하게는 300℃ 이상의 온도까지 내열성을 가질 수 있다.
제2 보호 필름에 대한 외부 자극의 인가가 제2 보호 필름의 가열을 포함하거나 이것으로 구성되는 경우, 제2 보호 필름은 가열된 상태에서 잘 휘어지고, 탄력 있고, 유연하고, 신축성이 있고, 연질이고 및/또는 압축 가능한 것이 바람직하다. 이러한 방식으로, 제2 보호 필름이 일측부 반대측의 기판의 측부의 기판 표면에 일치하여, 예를 들어 기판 형상을 흡수하는 것이 특히 확실하게 보장될 수 있다. 이것은 돌기 또는 돌출부 및/또는 트렌치, 홈, 절개부 등과 같은 리세스가 기판의 후면에 존재하는 경우 특히 유리하다.
제1 보호 필름의 전면 반대측의 후면에는 완충층이 부착될 수 있다. 완충층은 완충층의 전면에서 제1 보호 필름에 부착될 수 있다.
이 접근 방식은 돌기 또는 돌출부 및/또는 예를 들어 트렌치, 홈, 절개부와 같은 리세스가 기판의 일측부에 존재하는 경우 특히 유리하다. 이 경우, 돌기 또는 돌출부 및/또는 리세스는 기판 전면의 표면 구조 또는 형상을 정의하여 이 측면을 평탄하지 않게 만든다.
제1 보호 필름의 후면에 완충층이 부착되면, 돌기 또는 돌출부와 같은 기판 표면의 구조나 형상이 완충층에 매립될 수 있다. 따라서, 후속하는 기판 처리, 특히 기판에 대한 레이저 빔의 인가 및/또는 예를 들어 연삭에 의한 기판 두께 감소시 돌기 또는 돌출부 및/또는 리세스의 존재로 인해 발생하는 임의의 표면 불균일성의 부정적인 영향을 제거할 수 있다. 완충층은 처리 중 특히 일정하고 균일한 압력 분포를 달성하는 데 크게 기여할 수 있다. 예를 들어, 완충층에 돌기 또는 돌출부를 매립함으로써, 돌기 또는 돌출부는 기판 처리 중에 임의의 손상으로부터 확실하게 보호된다.
완충층의 재료는 특별히 제한되지 않는다. 특히, 완충층은 돌기 또는 돌출부와 같은 기판 표면 구조 또는 형상이 내부에 매립되도록 하는 임의의 유형의 재료로 형성될 수 있다. 예를 들어, 완충층은 수지, 접착제, 젤 등으로 형성될 수 있다.
완충층은 UV 조사, 열, 전기장 및/또는 화학 작용제와 같은 외부 자극에 의해 경화될 수 있다. 이 경우, 완충층은 외부 자극의 인가시 적어도 어느 정도 경화된다. 예를 들어, 상기 완충층은 경화성 수지, 경화성 접착제, 경화성 젤 등으로 형성될 수 있다.
완충층은 경화 후 어느 정도의 압축성, 탄성 및/또는 유연성을 나타내도록, 즉 경화 후에 압축 가능하고, 탄성적이고 및/또는 유연성을 나타내도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 완충층은 경화에 의해 고무와 같은 상태가 되도록 형성될 수 있다. 대안적으로, 완충층은 경화 후에 경질의 단단한 상태에 도달하도록 구성될 수 있다.
본 발명의 방법에서 완충층으로 사용되는 UV 경화성 수지의 바람직한 예는 DISCO Corporation의 ResiFlat 및 DENKA의 TEMPLOC이다.
방법은, 예를 들어 레이저 빔을 기판에 인가하기 전에 완충층을 경화시키기 위해 완충층에 외부 자극을 인가하고 및/또는 예를 들어 연삭에 의해 기판 두께를 감소시키는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 이러한 방식으로, 레이저 빔의 인가 중에 기판의 보호가 향상되고 기판에 복수의 개질 영역이 형성될 수 있는 효율성 및 정확도가 더욱 향상된다.
완충층은 180℃ 이상의 온도까지, 바람직하게는 220℃ 이상의 온도까지, 보다 바람직하게는 250℃ 이상의 온도까지, 더욱 더 바람직하게는 300℃ 이상의 온도까지 내열성을 가질 수 있다.
완충층은 10-300 ㎛, 바람직하게는 20-250 ㎛, 보다 바람직하게는 50-200 ㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다.
완충층은 기판의 일측부에 제1 보호 필름을 도포 또는 부착하기 전에 제1 보호 필름의 후면에 부착될 수 있다.
이 경우, 제1 보호 필름과 완충층을 먼저 적층하여 완충층과 해당 완충층에 부착된 제1 보호 필름을 포함하는 보호 시트를 형성할 수 있다. 이러한 방식으로 형성된 보호 시트는 후속으로 기판의 일측부에 도포될 수 있으며, 예를 들어 돌기 또는 돌출부와 같은 기판 표면 구조 또는 형상이 제1 보호 필름에 의해 덮이고 제1 보호 필름과 완충층에 매립되도록 할 수 있다. 보호 시트는 완충층의 전면 반대측의 완충층의 후면이 일측부 반대측의 기판의 측부과 실질적으로 평행하도록 도포될 수 있다. 기판의 일측부에 보호 시트를 도포하는 경우, 제1 보호 필름의 전면은 기판의 일측부에 도포된다.
이러한 방식으로, 기판 처리 방법은 특히 간단하고 효율적인 방식으로 수행될 수 있다. 예를 들어, 보호 시트는 미리 준비되고 나중에 사용하기 위해 보관되고 필요시 기판 처리에 사용될 수 있다. 따라서, 보호 시트는 대량으로 제조될 수 있어서, 시간 및 비용 모두에서 그 생산을 특히 효율적으로 할 수 있다.
완충층은 기판의 일측부에 제1 보호 필름을 도포 또는 부착한 후 제1 보호 필름의 후면에 부착될 수 있다.
이 경우, 기판의 일측부에 먼저 제1 보호 필름을 도포하고, 이어서 제1 보호 필름이 도포된 기판의 일측부를 완충층의 전면에 부착함으로써, 제1 보호 필름 및 완충층에 돌기 또는 돌출부와 같은 기판 표면 구조 또는 형상이 매립되며, 완충층의 후면은 기판의 일측부 반대측의 측부과 실질적으로 평행하다. 이러한 접근 방식은 특히 기판 표면 구조 또는 형상과 관련하여 특히 높은 정확도로 제1 보호 필름이 기판의 일측부에 부착될 수 있게 한다.
완충층은 기판의 일측부에 제1 보호 필름을 부착하기 이전 및/또는 도중 및/또는 이후에 제1 보호 필름의 후면에 부착될 수 있다.
완충층의 후면, 즉 완충층의 전면과 반대되는 면에는 베이스 시트가 부착될 수 있다. 완충층의 전면은 제1 보호 필름에 부착된다.
베이스 시트의 재료는 특별히 제한되지 않는다. 베이스 시트는 예를 들어 폴리비닐 클로라이드(PVC), 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA) 또는 폴리올레핀과 같은 중합체 재료와 같은 연질 또는 유연한 재료로 형성될 수 있다.
대안적으로, 베이스 시트는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 및/또는 실리콘 및/또는 유리 및/또는 스테인리스 강(SUS)과 같은 강성 또는 경질 재료로 형성될 수 있다.
예를 들어, 베이스 시트가 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 또는 유리로 이루어지고 완충층이 외부 자극에 의해 경화될 수 있는 경우, 완충층은 예를 들어 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 또는 유리를 투과할 수 있는 UV 조사와 같은 조사로 경화될 수 있다. 베이스 시트가 실리콘 또는 스테인리스 강(SUS)으로 형성되면, 비용 효율적인 베이스 시트가 마련된다.
또한, 베이스 시트는 전술한 재료들의 조합으로 형성될 수 있다.
베이스 시트는 180℃ 이상의 온도까지, 바람직하게는 220℃ 이상의 온도까지, 보다 바람직하게는 250℃ 이상의 온도까지, 더욱 더 바람직하게는 300℃ 이상의 온도까지 내열성을 가질 수 있다.
베이스 시트는 30 내지 1500 ㎛, 바람직하게는 40 내지 1200 ㎛, 보다 바람직하게는 50 내지 1000 ㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다.
완충층 및 베이스 시트는 기판의 일측부에 제1 보호 필름을 도포하기 이전 또는 이후에 제1 보호 필름의 후면에 부착될 수 있다. 특히, 제1 보호 필름, 완충층 및 베이스 시트를 먼저 적층하여 베이스 시트, 완충층 및 해당 완충층에 부착된 제1 보호 필름을 포함하는 보호 시트를 형성할 수 있다. 이러한 방식으로 형성된 보호 시트는 기판 전면에 후속으로 도포될 수 있다.
베이스 시트의 전면은 완충층의 후면과 접촉하고, 베이스 시트의 전면 반대측의 후면은 일측부 반대측의 기판의 측부과 실질적으로 평행할 수 있다. 따라서, 기판을 처리할 때, 예를 들어 척 테이블과 같은 지지체 또는 캐리어 상에 베이스 시트의 후면을 배치함으로써 베이스 시트의 후면에 적절한 반대 압력이 인가될 수 있다.
이 경우, 베이스 시트의 평면 후면은 기판의 후면과 실질적으로 평행하기 때문에, 처리 중 기판에 가해지는 압력은 보다 일정하고 균일하게 기판에 걸쳐 분포되어 기판 파손의 위험을 최소화한다. 또한, 베이스 시트의 평평하고 고른 후면과 기판 후면의 실질적으로 평행한 정렬은 특히 높은 정밀도로 레이저 빔을 인가하는 것에 의해 기판에 복수의 개질 영역이 형성될 수 있게 함으로써 형상 및 크기가 양호하게 형성된 고품질 다이 또는 칩을 생산할 수 있다.
방법은 특히 기판에 제2 보호 필름을 도포하거나 부착하기 전에 기판의 일측부 반대측의 측부에 대해 연삭 및/또는 연마, 예를 들어 건식 연마 및/또는 플라즈마 에칭 등의 에칭을 행하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 기판의 일측부 반대측의 측부는 기판 두께 조절을 위해 연삭될 수 있다.
제2 보호 필름은 확장 가능할 수 있다.
제2 보호 필름은 일측부 반대측의 기판의 측부에 도포될 때 확장될 수 있다. 특히, 제2 보호 필름은 일측부 반대측의 기판의 측부의 윤곽 또는 형상, 예를 들어 해당 기판 측에 존재하는 돌기 또는 돌출부 및/또는 리세스의 윤곽을 적어도 부분적으로 따르도록 일측부 반대측의 기판의 측부에 도포될 때 확장될 수 있다.
예를 들어, 제2 보호 필름은 원래 크기의 2배 이상, 바람직하게는 원래 크기의 3배 이상, 보다 바람직하게는 원래 크기의 4배 이상으로 확장될 수 있다. 이와 같이, 특히, 원래 크기의 3배 또는 4배 이상으로 확장하는 경우에, 제2 보호 필름이 일측부 반대측의 기판의 측부의 윤곽 또는 형상을 따르는 것이 특히 확실하게 보장될 수 있다.
제2 보호 필름이 확장 가능한 경우, 소자들을 서로 분리하는 데 사용될 수 있다. 특히, 방법은 기판의 일측부 반대측의 측부으로부터 기판에 레이저 빔을 인가한 후, 소자들을 서로 분리하도록 제2 보호 필름을 반경 방향으로 확장하는 단계를 더 포함할 수 있다. 제2 보호 필름은 기판 전면으로부터 제1 보호 필름을 제거한 후 반경 방향으로 확장될 수 있다. 기판은 제2 보호 필름을 반경 방향으로 확장함으로써 복수의 개질된 영역이 기판에 형성된 영역 또는 영역들을 따라, 예를 들어, 적어도 하나의 분할 라인을 따라 분할(예, 파단)되어 개별 칩들 또는 다이들을 얻을 수 있다. 제2 보호 필름을 반경 방향으로 확장함으로써 기판에 외력이 인가되어, 개질 영역의 존재로 인해 강도가 감소된 기판을 분할한다. 이러한 방식으로 기판을 분할한 후, 생성된 칩들 또는 다이들은 예를 들어 픽업(pick-up) 장치를 사용하여 제2 보호 필름으로부터 직접 픽업될 수 있다.
대안적으로, 확장 가능한 경우, 제1 보호 필름은 소자를 서로 분리하기 위해 사용될 수 있다. 이 경우, 방법은 기판에 레이저 빔을 인가한 후, 소자들을 서로 분리하도록 제1 보호 필름을 반경 방향으로 확장하는 단계를 더 포함할 수 있다. 제1 보호 필름은 기판 후면으로부터 제2 보호 필름을 제거한 후 반경 방향으로 확장될 수 있다. 따라서, 기판은 제1 보호 필름을 반경 방향으로 확장함으로써 복수의 개질된 영역이 기판에 형성된 영역 또는 영역들을 따라, 예를 들어, 적어도 하나의 분할 라인을 따라 분할(예, 파단)되어 개별 칩들 또는 다이들을 얻을 수 있다. 이러한 후자의 접근법은, 예를 들어, 위에서 상세히 설명된 바와 같이, 열 및/또는 압력을 제1 보호 필름에 인가함으로써 제1 보호 필름이 기판의 일측부에 부착된 경우에 특히 유리한 방식으로 채택될 수 있다. 이러한 방식으로 기판을 분할한 후, 생성된 칩들 또는 다이들은 예를 들어 픽업 장치를 사용하여 제1 보호 필름으로부터 직접 픽업될 수 있다.
제1 보호 필름 또는 제2 보호 필름을 반경 방향으로 확장시키는 것에 대한 대안으로서, 예를 들어, 제2 보호 필름을 제거한 후, 별도의 확장 테이프를 기판 후면에 부착할 수 있다. 이어서, 확장 테이프를 반경 방향으로 확장하여 소자를 서로 분리할 수 있다.
소자를 서로 분리하기 위해 제1 보호 필름 또는 제2 보호 필름이 사용되는 경우, 기판을 분할하기 위해 별도의 확장 테이프와 같은 다른 필름 또는 테이프에 기판을 재장착할 필요가 없다. 따라서, 기판은 특히 효율적인 방식으로 분할될 수 있다. 또한, 기판 및/또는 형성되는 칩 또는 다이에 대한 임의의 손상, 예컨대, 칩 또는 다이가 그 지지체로부터 의도치 않게 탈락하는 것으로 인한 손상의 위험이 더욱 감소될 수 있다.
본 발명의 방법은 제1 보호 필름 및/또는 제2 보호 필름을 환형 프레임에 부착하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 보호 필름은 제1 환형 프레임에 부착될 수 있고 제2 보호 필름은 제2 환형 프레임, 즉 다른 환형 프레임에 부착될 수 있다. 대안적으로, 제1 및 제2 보호 필름은 동일한 환형 프레임, 즉 단일 환형 프레임에 부착될 수 있다.
특히, 제1 보호 필름의 외주부는 환형 프레임에 부착될 수 있다. 제1 보호 필름의 외주부는 제1 보호 필름이 환형 프레임의 중앙 개구, 즉 환형 프레임의 내경 내부 영역을 폐쇄하도록 환형 프레임에 부착될 수 있다. 이러한 방식으로, 제1 보호 필름, 특히 그 중앙 부분에 부착된 기판은 제1 보호 필름을 통해 환형 프레임에 의해 유지된다. 따라서, 기판, 제1 보호 필름 및 환형 프레임을 포함하는 기판 유닛이 형성되어 기판의 처리, 취급 및/또는 이송을 용이하게 한다.
제1 보호 필름의 외주부를 환형 프레임에 부착하는 단계는 제1 보호 필름을 기판에 부착하기 이전 또는 도중 또는 이후에 수행될 수 있다.
제1 보호 필름의 외주부를 환형 프레임에 부착하는 단계는 레이저 빔을 기판에 인가하기 이전 또는 이후에 수행될 수 있다.
제2 보호 필름의 외주부는 환형 프레임에 부착될 수 있다. 제2 보호 필름의 외주부는 제2 보호 필름이 환형 프레임의 중앙 개구, 즉 환형 프레임의 내경 내부 영역을 폐쇄하도록 환형 프레임에 부착될 수 있다. 이러한 방식으로, 제2 보호 필름, 특히 그 중앙 부분에 부착된 기판은 제2 보호 필름을 통해 환형 프레임에 의해 유지된다. 따라서, 기판, 제2 보호 필름 및 환형 프레임을 포함하는 기판 유닛이 형성되어 기판의 처리, 취급 및/또는 이송을 용이하게 한다.
제2 보호 필름의 외주부를 환형 프레임에 부착하는 단계는 제2 보호 필름을 기판에 부착하기 이전 또는 도중 또는 이후에 수행될 수 있다.
제2 보호 필름의 외주부를 환형 프레임에 부착하는 단계는 기판에 레이저 빔을 인가하기 이전 또는 이후에 수행될 수 있다.
제1 및/또는 제2 보호 필름에 부착된 환형 프레임은 기판 분할 공정을 더욱 용이하게 할 수 있다. 예를 들어, 제2 보호 필름이 확장 가능하고 환형 프레임에 부착된 경우, 제2 보호 필름은 예를 들어 환형 프레임과 확장 드럼을 통상적인 방식으로 서로에 대해 이동시킴으로써 확장될 수 있으며, 이에 의해 소자를 서로 분리할 수 있다. 제1 보호 필름이 확장 가능하고 환형 프레임에 부착되는 경우, 제1 보호 필름은 예를 들어 환형 프레임과 확장 드럼을 통상적인 방식으로 서로에 대해 이동시킴으로써 확장될 수 있고, 이에 의해 소자를 서로 분리할 수 있다.
본 발명의 방법은 기판의 일측부으로부터 제1 보호 필름을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. 제1 보호 필름은 기판에 레이저 빔을 인가한 후 기판의 일측부으로부터 제거될 수 있다. 제1 보호 필름은 제2 보호 필름을 반경 방향으로 확장시키기 전에 기판의 일측부으로부터 제거되어 소자들이 서로 분리될 수 있다.
베이스 시트, 완충층 및 제1 보호 필름은 기판으로부터 개별적으로, 즉 차례로 제거될 수 있다. 예를 들어, 베이스 시트가 먼저 제거된 후, 완충층이 제거되고, 이어서 제1 보호 필름이 제거될 수 있다. 대안적으로, 베이스 시트, 완충층 및 제1 보호 필름은 기판으로부터 함께 제거될 수 있다. 또한, 베이스 시트는 완충층과 함께 제거될 수 있거나, 또는 완충층이 제1 보호 필름과 함께 제거될 수 있다.
본 발명의 방법은 기판의 일측부 반대측의 측부으로부터 제2 보호 필름을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. 제2 보호 필름은 기판에 레이저 빔을 인가한 후 기판의 일측부 반대측의 측부으로부터 제거될 수 있다. 제2 보호 필름은 제1 보호 필름을 반경 방향으로 확장시키기 전에 기판의 일측부 반대측의 측부으로부터 제거되어 소자들을 서로 분리할 수 있다.
이하, 본 발명의 비제한적인 예를 도면을 참조로 설명한다.
도 1은 본 발명의 방법에 의해 처리되는 기판으로서의 웨이퍼를 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 방법의 제1 실시예에 따라 웨이퍼에 제2 보호 필름을 부착하는 단계의 결과를 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명의 방법의 제1 실시예에 따라 웨이퍼에 제1 보호 필름을 부착하는 단계의 결과를 나타낸 단면도.
도 4는 본 발명의 방법의 제1 실시예에 따라 웨이퍼에 레이저 빔을 인가하는 단계를 나타낸 단면도.
도 5는 본 발명의 방법의 제1 실시예의 변형예에 따라 웨이퍼에 레이저 빔을 인가하는 단계를 나타낸 단면도.
도 6은 본 발명의 방법의 제1 실시예에 따라 웨이퍼의 소자들을 서로 분리하기 위해 제2 보호 필름을 반경 방향으로 확장하는 단계를 나타낸 단면도.
도 7은 본 발명의 방법의 제2 실시예에 따라 웨이퍼에 제1 보호 필름을 부착하는 단계의 결과를 나타낸 단면도.
도 8은 본 발명의 방법의 제2 실시예의 변형예에 따라 웨이퍼에 제1 보호 필름을 부착하는 단계의 결과를 나타낸 단면도.
도 9는 본 발명의 방법의 제2 실시예에 따라 웨이퍼에 레이저 빔을 인가하는 단계를 나타낸는 단면도.
도 10은 본 발명의 방법의 제3 실시예에 따라 웨이퍼에 제1 보호 필름을 부착하는 단계의 결과를 나타낸 단면도.
도 11은 본 발명의 방법의 제3 실시예에 따라 웨이퍼를 연삭하는 단계의 결과를 나타낸 단면도.
도 12는 본 발명의 방법의 제3 실시예에 따라 웨이퍼에 제2 보호 필름을 부착하는 단계의 결과 및 웨이퍼에 레이저 빔을 인가하는 단계를 나타낸 단면도.
도 13은 본 발명의 방법의 제3 실시예의 변형예에 따라 웨이퍼에 제2 보호 필름을 부착하는 단계의 결과 및 웨이퍼에 레이저 빔을 인가하는 단계를 나타낸 단면도.
도 14는 본 발명의 방법의 제3 실시예에 따라 웨이퍼의 소자들을 서로 분리하기 위해 제2 보호 필름을 반경 방향으로 확장하는 단계를 나타낸 단면도.
도 15는 본 발명의 방법의 제3 실시예의 변형예에 따라 웨이퍼의 소자들을 서로 분리하기 위해 제1 보호 필름을 반경 방향으로 확장하는 단계를 나타낸 단면도.
도 16은 본 발명의 방법의 제3 실시예의 변형예에 따라 웨이퍼에 부착된 제1 보호 필름을 절단하는 단계의 결과를 나타낸 단면도.
도 17은 본 발명의 방법의 제3 실시예의 변형예에 따라 웨이퍼에 제2 보호 필름을 부착하는 단계의 결과 및 웨이퍼에 레이저 빔을 인가하는 단계를 보여주는 웨이퍼 연삭 단계의 결과를 나타낸 단면도.
이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다. 바람직한 실시예는 기판을 처리하는 방법에 관한 것이다.
본 실시예에서, 본 발명의 방법은 처리될 기판인 웨이퍼(W)에 대해 수행된다. 웨이퍼(W)는 예를 들어, Si 웨이퍼와 같은 반도체 웨이퍼일 수 있다. 특히, 웨이퍼(W)는 단결정 Si 웨이퍼일 수 있다. 그러나, 위에서 상세히 설명된 바와 같이 상이한 유형의 기판, 특히 상이한 기판 재료가 사용될 수 있다.
예를 들어, 웨이퍼(W)는 ㎛ 범위, 바람직하게는 625 내지 925 ㎛ 범위의 연삭전 두께를 가질 수 있다. 본 실시예에서, 웨이퍼(W)는 그 평면도 상으로 대략 원형의 형상을 나타낸다. 그러나, 웨이퍼(W)의 형상은 특별히 제한되지 않는다. 다른 실시예에서, 웨이퍼(W)는 예를 들어, 계란형, 타원형 또는 다각형(예, 직사각형 또는 정사각형) 형상을 가질 수 있다.
웨이퍼(W)는 일측부, 즉 전면(2)과, 상기 일측부와 반대되는 측부, 즉, 후면(4)을 가진다(도 1 참조). 복수의 소자(8)를 갖는 소자 영역(6)은 웨이퍼(W)의 전면(2) 상에 형성된다. 소자(8)는 예를 들어, 반도체 소자, 전력 소자, 광학 소자, 의료 소자, 전기 부품, MEMS 소자 또는 이들의 조합일 수 있다. 소자(8)는, 예를 들어, MOSFET 또는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)와 같은 트랜지스터, 또는 쇼트키 장벽 다이오드와 같은 다이오드이거나 이를 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 소자 영역(6)은 대략 원형 형상을 가지고 웨이퍼(W)의 외주와 동심으로 배열된다. 소자 영역(6)은 환형의 주변 가장자리 영역(10)에 의해 둘러싸여 있다(도 1 참조). 이 주변 가장자리 영역(10)에는 소자가 형성되지 않는다. 주변 가장자리 영역(10)은 소자 영역(6) 및 웨이퍼(W)의 외주와 동심으로 배열된다. 주변 가장자리 영역(10)의 반경 방향 확장은 mm 범위, 바람직하게는 1 내지 3 mm 범위일 수 있다.
웨이퍼(W)의 전면(2)에는 복수의 분할 라인(12)이 형성되어 있다. 분할 라인(12)은 전면(2)을 복수의 직사각형 영역으로 분할하도록 격자 패턴으로 배열된다. 이들 영역 각각에 소자(8)가 마련된다. 분할 라인(12)은 30 ㎛ 내지 200 ㎛, 바람직하게는 30 ㎛ 내지 150 ㎛, 보다 바람직하게는 30 ㎛ 내지 100 ㎛ 범위의 폭을 가질 수 있다.
이하, 도 1 내지 도 6을 참조로 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼(W)의 처리 방법을 설명한다.
본 실시예의 방법에서는, 우선 웨이퍼(W)의 후면(4)에 제2 보호 필름(14)이 부착된다. 이 부착 단계의 결과는 도 2에 도시되어 있다. 예를 들어, 제2 보호 필름(14)은 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP) 또는 폴리부틸렌(PB)과 같은 폴리올레핀으로 형성될 수 있다. 제2 보호 필름(14)은 5 내지 500 ㎛, 바람직하게는 5 내지 200 ㎛, 보다 바람직하게는 8 내지 100 ㎛, 더욱 더 바람직하게는 10 내지 80 ㎛, 더욱 더 바람직하게는 12 내지 50 ㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다.
제2 보호 필름(14)은 대략 원형의 형상이며 웨이퍼(W)의 외경보다 큰 외경을 가진다. 제2 보호 필름(14)의 외주부(16)는 환형 프레임(18)에 부착된다(도 2 참조). 제2 보호 필름(14)은 제2 보호 필름(14)을 웨이퍼(W)에 부착하기 이전 또는 도중 또는 이후에 환형 프레임(18)에 부착될 수 있다. 제2 보호 필름(14)은 예를 들어, 접착제(미도시)에 의해 환형 프레임(18)에 부착될 수 있다. 웨이퍼(W)와 환형 프레임(18)은 제2 보호 필름(14)의 동일한 표면, 즉 그 전면(20)에 부착된다.
제2 보호 필름(14)은 위에서 상세히 설명된 접근법 중 하나를 이용함으로써, 예를 들어 연속 접착층(미도시)을 사용하거나, 제2 보호 필름(14)의 전면(20) 주변 영역에만 마련되는 접착층(미도시)을 사용하거나 접착제를 사용하지 않고 웨이퍼(W)의 후면(4)에 부착될 수 있다. 이들 후자의 2가지 경우에, 웨이퍼(W)의 후면(4)에 제2 보호 필름(14)을 부착하는 것은 위에서 상세히 설명된 바와 같이, 제2 보호 필름(14)을 후면(4)에 도포하는 도중 및/또는 이후에, 예를 들어, 열 및/또는 압력 및/또는 진공과 같은 외부 자극을 제2 보호 필름(14)에 인가하는 것을 포함할 수 있다.
제2 보호 필름(14)을 웨이퍼(W)의 후면(4)에 부착한 후, 제1 보호 필름(22)을 웨이퍼(W)에 부착한다. 이 부착 단계의 결과는 도 3에 도시된다. 제1 보호 필름(22)은 제1 보호 필름(22)의 전면(24)의 중앙 영역이 전면(2)과 직접 접촉하도록 웨이퍼(W)의 전면(2)에 부착된다. 따라서, 제1 보호 필름(22)의 전면(24)의 중앙 영역과 전면(2) 사이에는 특히 접착제와 같은 재료가 존재하지 않는다.
예를 들어, 제1 보호 필름(22)은 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리부틸렌(PB) 등의 폴리올레핀으로 이루어질 수 있다. 제1 보호 필름(22)은 5 내지 500 ㎛, 바람직하게는 5 내지 200 ㎛, 보다 바람직하게는 8 내지 100 ㎛, 더욱 더 바람직하게는 10 내지 80 ㎛, 더욱 더 바람직하게는 12 내지 50 ㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다.
제1 보호 필름(22)은 대략 원형의 형상이고 웨이퍼(W)의 외경과 대략 동일한 외경을 가진다. 제1 보호 필름(22)은 소자 영역(6)에 형성된 소자(8)를 덮는다.
제1 보호 필름(22)에는 접착층(26)이 마련된다(도 3 참조). 접착층(26)은 전면(24)의 중앙 영역을 둘러싸는 제1 보호 필름(22)의 전면(24)의 주변 영역에만 마련된다. 접착층(26)은 대략 환형 형상을 갖는다. 제1 보호 필름(22)은 접착층(26)이 웨이퍼(W)의 전면(2)의 주변부, 즉 주변 가장자리 영역(10)에만 접촉하도록 웨이퍼(W)의 전면(2)에 부착된다(도 1 참조). 접착층(26)의 접착제는 열, UV 조사, 전기장 및/또는 화학 작용제와 같은 외부 자극에 의해 경화될 수 있다.
또한, 웨이퍼(W)의 전면(2)에 제1 보호 필름(22)을 도포하는 도중 및/또는 이후에 외부 자극이 제1 보호 필름(22)에 인가될 수 있으므로, 제1 보호 필름(22)은 접착제가 존재하지 않는 전면(24)의 중앙 영역에서도 전면(2)에 부착된다. 외부 자극의 인가에 의해 전면(24)의 중앙 영역에서 제1 보호 필름(22)과 웨이퍼(W) 사이의 부착력이 발생한다. 외부 자극의 종류 및 이를 제1 보호 필름(22)에 인가하는 방식은 위에 상세히 설명된 바와 같을 수 있다. 예를 들어, 외부 자극은 열 및/또는 압력 및/또는 진공이거나 이를 포함할 수 있다.
다른 실시예에서, 제1 보호 필름(22)의 전면(24) 전체가 웨이퍼(W)의 전면(2)과 직접 접촉하도록 제1 보호 필름(22)의 전면(24)에 접착층이 마련되지 않을 수 있다. 이 경우, 제1 보호 필름(22)은 위에서 상세히 설명한 바와 같이 제1 보호 필름(22)에 외부 자극을 인가함으로써 전면(2)에 부착될 수 있다.
다른 실시예에서, 완충층(미도시)이 위에서 상세하게 설명된 바와 같이 그 전면(24)에 대향하는 제1 보호 필름(22)의 후면(28)에 부착될 수 있다. 베이스 시트(미도시)도 역시 위에서 상세히 설명된 바와 같이 완충층의 후면에 부착될 수 있다.
제1 및 제2 보호 필름(22, 14)을 웨이퍼(W)에 부착한 후, 제1 보호 필름(22)의 후면(28)이 척 테이블(30)의 상부면과 접촉하도록 척 테이블(30) 상에 웨이퍼(W)가 배치된다. 따라서, 제2 보호 필름(14)이 부착된 웨이퍼(W)의 후면(4)은 위쪽으로 배향된다. 계속해서, 도 4에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 후면(4)으로부터 레이저 빔(LB)이 인가된다. 제2 보호 필름(14)은 레이저 빔(LB)에 대해 투과성인 재료로 이루어진다. 따라서, 레이저 빔(LB)은 제2 보호 필름(14)을 투과한다.
본 실시예에서, 레이저 빔(LB)은 예를 들어 1 fs 내지 2000 ns 범위의 펄스폭을 갖는 펄스형 레이저 빔이다. 웨이퍼(W)는 레이저 빔(LB)에 대해 투과성인 재료, 예를 들어 Si로 이루어진다. 레이저 빔(LB)은 분할 라인(12)을 따라 웨이퍼(W)에 복수의 개질 영역(미도시)을 형성하도록 분할 라인(12)을 따라 복수의 위치에서 웨이퍼(W)에 인가된다. 레이저 빔(LB)은 레이저 빔(LB)의 초점이 웨이퍼(W)의 용적 내에 위치되는 조건에서 이러한 복수의 위치에서 웨이퍼(W)에 인가된다. 개질 영역은 크랙이 형성되는 비정질 영역 및/또는 크랙이 형성되는 영역이거나 이를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 개질 영역은 비정질 영역을 포함하거나 비정질 영역이다.
웨이퍼(W)에 레이저 빔(LB)을 인가하는 동안, 웨이퍼(W)는 그에 부착된 제2 보호 필름(14)에 의해 확실하게 유지된다(도 4 참조). 따라서, 이러한 처리 중의 웨이퍼(W)의 어떤 휨도 억제되거나 심지어 완전히 방지될 수 있어서, 웨이퍼(W) 내에 개질된 영역이 형성될 수 있는 정확도가 크게 향상될 수 있다. 특히, 웨이퍼(W) 내부의 동일한 깊이, 즉 웨이퍼(W)의 두께 방향을 따른 동일한 위치에 개질 영역이 일관되게 형성될 수 있다.
도 5는 본 발명의 방법의 제1 실시예의 변형예에 따라 웨이퍼(W)에 레이저 빔(LB)을 인가하는 단계를 도시하는 단면도이다. 이 변형된 방법에서, 환형 프레임(18)은 도 5에서 2개의 화살표로 표시된 바와 같이 웨이퍼(W) 및 척 테이블(30)에 대해 수직 하향 방향으로 변위된다. 예를 들어, 이를 위해, 환형 프레임(18)은 아래로 가압된다. 따라서, 제2 보호 필름(14)의 외주부(16)는 그에 따라 도 5에 도시된 바와 같이 변위되고, 제2 보호 필름(14)에 의해 웨이퍼(W)의 후면(4)에 압력이 가해진다. 이 방식으로, 레이저 빔(LB)을 인가하는 중의 웨이퍼(W)의 어떤 휨의 위험도 최소화될 수 있다.
환형 프레임(18)은 웨이퍼(W) 및 척 테이블(30)에 대해 수직 하향 방향으로 상이한 정도로, 예를 들어 웨이퍼(W)의 재료 및/또는 두께 및 웨이퍼(W)에 형성될 개질 영역들의 개수 또는 면적 밀도와 같은 처리 파라미터에 따라 변위될 수 있다. 이와 같이, 제2 보호 필름(14)에 의해 웨이퍼(W)의 후면(4)에 인가되는 압력을 적절히 조절할 수 있다. 환형 프레임(18)은 선택적으로 상부에 접착층이 마련된 제2 보호 필름(14)의 전면(20)이 도 5에 도시된 바와 같이 척 테이블(30)의 상부 표면과 접촉하는 정도로 웨이퍼(W) 및 척 테이블(30)에 대해 변위될 수 있다. 이 접근 방식은 웨이퍼(W)가 제2 보호 필름(14)과 척 테이블(30) 사이에 완전히 둘러싸일 수 있다는 추가적인 이점을 제공하여 웨이퍼(W)가 손상 및 오염으로부터 특히 확실하게 보호될 수 있다.
웨이퍼(W)에 개질 영역을 형성한 후, 웨이퍼(W)의 전면(2)으로부터 제1 보호 필름(22)이 제거된다. 접착층(26)의 접착제가 외부 자극에 의해 경화될 수 있으면, 접착제의 접착력을 낮추기 위해 접착제에 외부 자극을 가함으로써 상기 제거 공정이 용이해질 수 있다.
웨이퍼(W)로부터 제1 보호 필름(22)을 제거한 후, 웨이퍼(W)는 개별 다이(32)로 분할된다(도 6 참조). 특히, 확장 가능한 필름인 제2 보호 필름(14)은 예를 들어 환형 프레임(18)과 확장 드럼(미도시)을 통상적인 방식으로 서로에 대해 이동시킴으로써 도 6에서 2개의 화살표로 표시된 바와 같이 반경 방향으로 확장된다. 제2 보호 필름(14)을 반경 방향으로 확장함으로써, 웨이퍼(W)에 외력이 가해져서, 개질 영역의 존재에 의해 웨이퍼 강도가 감소된 분할 라인(12)을 따라 웨이퍼(W)가 분할된다. 이러한 방식으로 완전히 분리된 다이(32)가 얻어진다. 이러한 방식으로 웨이퍼(W)를 분할한 후, 형성된 다이(32)는 예를 들어 종래의 픽업 장치(미도시)를 사용하여 제2 보호 필름(14)으로부터 직접 픽업될 수 있다.
이하, 도 7 내지 도 9를 참조로 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼(W)의 처리 방법을 설명한다.
제2 실시예의 방법은 제1 보호 필름(22)의 구성 및 배치에서 제1 실시예의 방법과 상이하다. 제2 실시예의 설명에서, 제1 실시예와 유사하거나 실질적으로 동일한 요소는 동일한 참조 부호로 지시되며, 반복되는 상세한 설명은 생략된다.
제2 실시예의 방법에서는, 제1 실시예의 방법에서와 동일한 방식으로 웨이퍼(W)에 제2 보호 필름(14)이 부착된다(도 2 참조). 이어서, 제1 보호 필름(22)이 웨이퍼(W)에 부착된다. 이 부착 단계의 결과가 도 7에 예시된다. 제1 보호 필름(22)은 제1 보호 필름(22)의 전면(24)에 중앙 영역이 전면(2)과 직접 접촉하도록 웨이퍼(W)의 전면(2)에 부착된다. 제2 실시예의 방법에 사용된 제1 보호 필름(22)의 재료 및 두께는 제1 실시예의 방법에 사용된 제1 보호 필름(22)의 재료 및 두께와 동일할 수 있다.
제1 보호 필름(22)은 대략 원형 형상이며 웨이퍼(W)의 외경보다 큰 외경을 가진다. 제1 보호 필름(22)은 소자 영역(6)에 형성된 소자(8)를 덮는다.
제1 보호 필름(22)에는 접착층(26)이 마련된다(도 7 참조). 접착층(26)은 전면(24)의 중앙 영역을 둘러싸는 제1 보호 필름(22)의 전면(24)의 주변 영역에만 마련된다. 접착층(26)은 실질적으로 환형인 형상을 가진다. 제1 보호 필름(22)은 접착층(26)이 웨이퍼(W)의 전면(2)의 주변부, 즉 주변 가장자리 영역(10)에만 접촉하도록 웨이퍼(W)의 전면(2)에 부착된다(도 1 참조). 접착층(26)의 접착제는 열, UV 조사, 전기장 및/또는 화학 작용제와 같은 외부 자극에 의해 경화될 수 있다.
또한, 제1 보호 필름(22)은 제1 보호 필름(22)과 제2 보호 필름(14) 사이에 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 접착층(26)에 의해 제2 보호 필름(14)에 부착된다. 이에 따라, 접착층(26)은 웨이퍼(W)의 외주부 둘레에 밀봉부를 형성한다. 따라서, 웨이퍼(W)는 손상 및 오염으로부터 특히 확실하게 보호될 수 있다.
다른 실시예에서, 적어도 제1 보호 필름(22)의 전면(24)이 제2 보호 필름(14)과 접촉하는 영역에서, 제1 보호 필름(22)의 전면(24) 상에 접착층이 마련되지 않을 수 있다. 이 경우, 제1 보호 필름(22)은 제2 보호 필름(14)의 전면(20)에 마련된 접착층(미도시)에 의해 제2 보호 필름(14)에 부착될 수 있다.
더욱이, 접착층(26)에 의해, 제1 보호 필름(22)은 환형 프레임(18), 즉 제2 보호 필름(14)과 동일한 환형 프레임(18)에 부착된다. 따라서, 웨이퍼(W), 제1 보호 필름(22), 제2 보호 필름(14) 및 환형 프레임(18)을 포함하는 특히 안정적이고 신뢰성있는 웨이퍼 유닛이 형성된다. 대안적으로, 제1 보호 필름(22)은 다른 환형 프레임(미도시)에 부착될 수 있다.
제1 보호 필름(22)은 제1 보호 필름(22)을 웨이퍼(W)에 부착하는 도중 또는 이후에 제2 보호 필름(14) 및 환형 프레임(18)에 부착될 수 있다.
웨이퍼(W)의 전면(2)에 제1 보호 필름(22)을 도포하는 도중 및/또는 이후에 외부 자극이 제1 보호 필름(22)에 인가될 수 있으므로, 제1 보호 필름(22)은 제1 실시예의 방법에 대해 위에서 설명한 바와 동일한 방식으로 접착제가 존재하지 않는 전면(24)의 중앙 영역에서도 전면(2)에 부착된다.
다른 실시예에서, 제1 보호 필름(22)은 웨이퍼(W)의 전면(2)에 부착될 수 있어서, 제1 보호 필름(22)의 전면(24)이 전면(2)과 접촉하는 전체 영역에서 전면(24)은 전면(2)과 직접 접촉한다. 이 경우, 제1 보호 필름(22)은 위에서 설명한 바와 같이 제1 보호 필름(22)에 외부 자극을 가함으로써 전면(2)에 부착될 수 있다.
다른 실시예에서, 완충층(미도시)이 위에서 상세히 설명된 바와 같이, 제1 보호 필름(22)의 전면(24)의 반대측에 있는 후면(28)에 부착될 수 있다. 베이스 시트(미도시)도 위에서 상세히 설명된 바와 같이 완충층의 후면에 부착될 수 있다.
도 8은 본 발명의 방법의 제2 실시예의 변형예에 따라 웨이퍼(W)에 제1 보호 필름(22)을 부착하는 단계의 결과를 나타낸 단면도이다. 이 변형된 방법에서, 제1 보호 필름(22)은 환형 프레임(18)까지 연장되지 않는 감소된 외경을 가진다. 그러나, 이 변형된 실시예에서도, 제1 보호 필름(22)은 제1 보호 필름(22)과 제2 보호 필름(14) 사이에 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 접착층(26)에 의해 제2 보호 필름(14)에 부착된다.
웨이퍼(W)에 제1 및 제2 보호 필름(22, 14)을 부착한 후, 제1 보호 필름(22)의 후면(28)이 척 테이블(30)의 상부면과 접촉하도록 웨이퍼(W)가 척 테이블(30) 상에 배치된다. 이어서, 도 9에 도시한 바와 같이, 제1 실시예의 방법에서와 동일한 방식으로 레이저 빔(LB)이 웨이퍼(W)의 후면(4)으로부터 웨이퍼(W)에 인가된다. 레이저 빔(LB)은 분할 라인(12)을 따라 웨이퍼(W)에 복수의 개질 영역(미도시)을 형성하도록 분할 라인(12)을 따라 복수의 위치에서 웨이퍼(W)에 인가된다.
제1 실시예의 방법에서와 같이, 예컨대 환형 프레임(18)을 아래로 클램핑하는 것에 의해 환형 프레임(18)이 웨이퍼(W) 및 척 테이블(30)에 대해 수직 하방으로 변위된 상태에서 레이저 빔(LB)이 웨이퍼(W)에 인가될 수 있다.
웨이퍼(W)에 개질 영역을 형성한 후, 웨이퍼(W)의 전면(2)으로부터 제1 보호 필름(22)이 제거된다. 계속해서, 웨이퍼(W)는 제1 실시예의 방법에서와 동일한 방식으로, 즉 제2 보호 필름(14)을 반경 방향으로 확장시키는 것에 의해(도 6 참조) 개별 다이(32)로 분할된다. 형성된 다이(32)는 예를 들어 종래의 픽업 장치(미도시)를 사용하여 제2 보호 필름(14)으로부터 직접 픽업될 수 있다.
이하, 도 10 내지 도 17을 참조로 본 발명의 제3 실시예에 따른 웨이퍼(W)의 처리 방법을 설명한다.
제3 실시예의 방법은 제1 및 제2 보호 필름(22, 14)을 웨이퍼(W)에 부착하는 순서에서 제1 및 제2 실시예의 방법과 상이하다. 제3 실시예의 설명에서, 제1 및 제2 실시예와 유사하거나 실질적으로 동일한 요소들은 동일한 참조 부호로 지시되며, 그 반복되는 상세한 설명은 생략한다.
제3 실시예의 방법에서는, 먼저 웨이퍼(W)의 전면(2)에 제1 보호 필름(22)이 부착된다. 이 부착 단계의 결과가 도 10에 예시된다. 제3 실시예의 방법에 사용된 제1 보호 필름(22)의 재료 및 두께는 제1 및 제2 실시예의 방법에 사용된 제1 보호 필름(22)의 재료 및 두께와 동일할 수 있다. 제1 보호 필름(22)은 제1 보호 필름(22)의 전면(24)의 중앙 영역이 전면(2)과 직접 접촉하도록 웨이퍼(W)의 전면(2)에 부착된다. 제1 보호 필름(22)은 소자 영역(6)에 형성된 소자(8)를 덮는다.
제1 보호 필름(22)은 대략 원형이며 웨이퍼(W)의 외경보다 큰 외경을 가진다. 제1 보호 필름(22)의 외주부(34)는 환형 프레임(18)에 부착된다(도 10 참조). 제1 보호 필름(22)은 제1 보호 필름(22)을 웨이퍼(W)에 부착하기 이전 또는 도중 또는 이후에 환형 프레임(18)에 부착될 수 있다. 제1 보호 필름(22)은 접착층(26)에 의해 환형 프레임(18)에 부착된다. 웨이퍼(W)와 환형 프레임(18)은 제1 보호 필름(22)의 동일한 표면, 즉 그 전면(24)에 부착된다.
제1 보호 필름(22)의 접착층(26)은 전면(24)의 중앙 영역을 둘러싸는 제1 보호 필름(22)의 전면(24)의 주변 영역에만 마련된다. 접착층(26)은 대략 환형 형상을 가진다. 제1 보호 필름(22)은 접착층(26)이 웨이퍼(W)의 전면(2)의 주변부, 즉 주변 가장자리 영역(10)에만 접촉하도록 웨이퍼(W)의 전면(2)에 부착된다(도 1 참조). 접착층(26)의 접착제는 열, UV 조사, 전기장 및/또는 화학 작용제와 같은 외부 자극에 의해 경화될 수 있다.
또한, 웨이퍼(W)의 전면(2)에 제1 보호 필름(22)을 도포하는 도중 및/또는 이후에 외부 자극이 제1 보호 필름(22)에 인가될 수 있으므로, 제1 보호 필름(22)은 접착제가 존재하지 않는 전면(24)의 중앙 영역에서도 전면(2)에 부착된다. 외부 자극의 유형 및 이를 제1 보호 필름(22)에 인가하는 방식은 전술한 바와 같을 수 있다. 예를 들어, 외부 자극은 열 및/또는 압력 및/또는 진공이거나 이를 포함할 수 있다.
다른 실시예에서, 제1 보호 필름(22)은 웨이퍼(W)의 전면(2)에 부착되어, 제1 보호 필름(22)의 전면(24)이 전면(2)과 접촉하는 전체 영역에서 전면(24)은 전면(2)과 직접 접촉할 수 있다. 이 경우, 제1 보호 필름(22)은 위에서 설명한 바와 같이 제1 보호 필름(22)에 외부 자극을 인가함으로써 전면(2)에 부착될 수 있다.
다른 실시예에서, 완충층(미도시)이 위에서 상세히 설명된 바와 같이, 제1 보호 필름(22)의 전면(24) 반대편에 있는 후면(28)에 부착될 수 있다. 베이스 시트(미도시)도 역시 위에서 상세히 설명된 바와 같이 완충층의 후면에 부착될 수 있다.
이어서, 선택적인 단계로서, 웨이퍼(W)의 후면(4)이 예를 들어, 종래의 연삭 장치(미도시)를 사용하는 것으로 웨이퍼 두께 조절을 위해 연삭된다. 이 연삭 단계의 결과는 도 11에 도시되어 있다. 연삭 단계 후에, 선택적으로, 웨이퍼 후면(4)은 예를 들어, 건식 연마 등의 연마 및/또는 플라즈마 에칭 등의 에칭이 수행될 수 있다.
그 다음, 제2 보호 필름(14)이, 연삭되고 선택적으로 연마 및/또는 에칭된 웨이퍼(W)의 후면(4)에 부착된다. 이 부착 단계의 결과가 도 12에 도시되어 있다. 제3 실시예의 방법에 사용된 제2 보호 필름(14)의 재료 및 두께는 제1 및 제2 실시예의 방법에 사용된 제2 보호 필름(14)의 재료 및 두께와 동일할 수 있다.
제2 보호 필름(14)은 대략 원형 형상이며 웨이퍼(W)의 외경보다 큰 외경을 가진다. 제2 보호 필름(14)은 제1 실시예의 방법에서와 동일한 방식으로 웨이퍼(W)의 후면(4)에 부착된다. 또한, 제2 보호 필름(14)의 외주부(16)는, 예를 들면 접착제(미도시)에 의해 환형 프레임(18)에 부착된다. 따라서, 제2 보호 필름(14)은 제1 보호 필름(22)과 동일한 환형 프레임(18)에 부착된다. 대안적으로, 제2 보호 필름(14)은 상이한 환형 프레임(미도시)에 부착될 수 있다.
제1 보호 필름(22)과 제2 보호 필름(14)은 제1 보호 필름(22)과 제2 보호 필름(14) 사이에 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 접착층(26)에 의해 서로 접착된다(도 12 참조). 따라서, 접착층(26)은 웨이퍼(W)의 외주부 둘레에 밀봉부를 형성한다.
다른 실시예에서, 적어도 제1 보호 필름(22)의 전면(24)이 제2 보호 필름(14)과 접촉하는 영역에서, 제1 보호 필름(22)의 전면(24) 상에 접착층이 마련되지 않을 수 있다. 이 경우, 제1 보호 필름(22)은 제2 보호 필름(14)의 전면(20)에 마련된 접착층(미도시)에 의해 제2 보호 필름(14)에 부착될 수 있다.
제2 보호 필름(14)은 제2 보호 필름(14)을 웨이퍼(W)에 부착하는 도중 또는 이후에 제1 보호 필름(22) 및 환형 프레임(18)에 부착될 수 있다.
도 13은 본 발명의 방법의 제3 실시예의 변형예에 따라 웨이퍼(W)에 제2 보호 필름(14)을 부착하는 단계의 결과를 나타내는 단면도이다. 이 변형된 방법에서, 제2 보호 필름(14)은 환형 프레임(18)까지 연장되지 않는 감소된 외경을 가진다. 그러나, 이 변형된 실시예에서도, 제1 보호 필름(22)과 제2 보호 필름(14)은 제1 보호 필름(22)과 제2 보호 필름(14) 사이에 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 접착층(26)에 의해 서로 부착된다.
제1 및 제2 보호 필름(22, 14)을 웨이퍼(W)에 부착한 후, 도 12 및 도 13에 도시된 바와 같이 제1 실시예의 방법에서와 동일한 방식으로 웨이퍼(W)의 후면(4)으로부터 웨이퍼(W)에 레이저 빔(LB)이 인가된다. 레이저 빔(LB)은 분할 라인(12)을 따라 웨이퍼(W)에 복수의 개질 영역(미도시)을 형성하도록 분할 라인(12)을 따라 복수의 위치에서 웨이퍼(W)에 인가된다.
웨이퍼(W)에 개질 영역을 형성한 후, 웨이퍼(W)의 전면(2)으로부터 제1 보호 필름(22)이 제거된다. 이어서, 제1 실시예의 방법에서와 동일한 방식으로, 즉 도 14에서 2개의 화살표로 표시된 바와 같이 제2 보호 필름(14)을 반경 방향으로 확장함으로써 웨이퍼(W)가 개별 다이(32)로 분할된다. 형성된 다이(32)는 예를 들어 종래의 픽업 장치(미도시)를 사용하는 것으로 제2 보호 필름(14)으로부터 직접 픽업될 수 있다.
도 15는 본 발명의 방법의 제3 실시예의 변형예를 나타낸 단면도이다. 이 변형 방법에서는, 웨이퍼(W)에 개질 영역을 형성한 후, 웨이퍼(W) 상에 제1 보호 필름(22)이 남고, 제2 보호 필름(14)은 그로부터 제거된다. 이어서, 확장 가능한 필름인 제1 보호 필름(22)이 예를 들어 환형 프레임(18)과 확창 드럼(미도시)을 통상의 방식으로 서로에 대해 이동시킴으로써 도 15에서 2개의 화살표로 표시된 바와 같이 반경 방향으로 확장된다. 제1 보호 필름(22)을 반경 방향으로 확장함으로써 웨이퍼(W)에 외력이 인가됨으로써 개질 영역의 존재로 인해 웨이퍼 강도가 감소된 분할 라인(12)을 따라 웨이퍼(W)가 분할된다. 이러한 방식으로 완전히 분리된 다이(32)가 얻어진다. 이러한 방식으로 웨이퍼(W)를 분할한 후, 형성된 다이(32)는 예를 들어 통상의 픽업 장치(미도시)를 사용하는 것으로 제1 보호 필름(22)으로부터 직접 픽업될 수 있다.
도 15에 예시된 변형된 접근 방식은 예를 들어, 위에 상세히 설명된 바와 같이 열 및/또는 압력 및/또는 진공과 같은 외부 자극을 제1 보호 필름(22)에 인가하는 것에 의해 웨이퍼(W)의 전면(2)에 제1 보호 필름(22)이 부착된 경우에 특히 유리한 방식으로 채택될 수 있다. 또한, 이 접근법은 예를 들어 제2 보호 필름(14)이 도 13에 도시된 바와 같은 구성, 즉 환형 프레임(18)까지 연장되지 않는 감소된 외경을 갖는 경우에 적용될 수 있다.
본 발명의 방법의 제3 실시예의 가능한 추가의 변형예가 도 16 및 17에 예시되어 있다. 특히, 제1 보호 필름(22)을 웨이퍼(W)에 부착한 후(도 10 참조), 제1 보호 필름(22)의 결과적인 외경이 웨이퍼(W)의 외경과 실질적으로 동일하도록(도 16 참조) 제1 보호 필름(22)이 절단될 수 있다. 후속으로, 선택적으로, 웨이퍼(W)의 후면(4)이 예를 들어 종래의 연삭 장치(미도시)를 사용하는 것으로 웨이퍼 두께 조절을 위해 연삭될 수 있다. 연삭 단계 후에, 선택적으로, 웨이퍼 후면(4)은 건식 연마 등의 연마 및/또는 플라즈마 에칭 등의 에칭이 수행될 수 있다.
그런 다음, 제2 보호 필름(14)이, 연삭되고 선택적으로 연마 및/또는 에칭된 웨이퍼(W)의 후면(4)에 부착된다. 위에서 설명한 것과 동일한 방식으로 수행될 수 있는 이 부착 단계의 결과가 도 17에 예시된다. 이 해당 도면에도 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)에 제2 보호 필름(14)을 부착한 후, 분할 라인(12)을 따라 웨이퍼(W)에 복수의 개질 영역(미도시)을 형성하도록 분할 라인(12)을 따라 복수의 위치에서 웨이퍼(W)의 후면(4)으로부터 웨이퍼(W)에 레이저 빔(LB)이 인가된다.
웨이퍼(W)에 개질 영역이 형성된 후, 웨이퍼(W)의 전면(2)으로부터 제1 보호 필름(22)이 제거된다. 계속해서, 웨이퍼(W)는 제2 보호 필름(14)을 반경 방향으로 확장함으로써 개별 다이(32)로 분할된다. 형성된 다이(32)는 예를 들어 종래의 픽업 장치(미도시)를 사용하는 것으로 제2 보호 필름(14)으로부터 직접 픽업될 수 있다. 레이저 빔(LB)을 웨이퍼(W)에 인가하고, 웨이퍼(W)로부터 제1 보호 필름(22)을 제거하고, 웨이퍼(W)를 개별 다이(32)로 분할하는 단계는 제3 실시예의 방법에 대해 위에서 설명한 것과 동일한 방식으로 수행될 수 있다.

Claims (13)

  1. 일측부(2)에 복수의 소자(8)가 있는 소자 영역(6)을 갖는 기판(W)을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
    제1 보호 필름(22)을 마련하는 단계;
    제2 보호 필름(14)을 마련하는 단계;
    제1 보호 필름(22)의 전면(前面)(24)의 적어도 중앙 영역이 기판(W)의 일측부(2)와 직접 접촉하도록 제1 보호 필름(22)을 기판(W)의 일측부(2)에 부착하는 단계;
    기판(W)의 일측부(2) 반대측의 측부(4)에 제2 보호 필름(14)을 부착하는 단계; 및
    기판(W)의 일측부(2) 반대측의 측부(4)에 제2 보호 필름(14)을 부착한 후, 기판(W)의 일측부(2) 반대측의 측부(4)로부터 기판(W)에 레이저 빔(LB)을 인가하는 단계
    를 포함하고,
    기판(W)은 레이저 빔(LB)에 대해 투과성인 재료로 형성되고,
    제2 보호 필름(14)은 레이저 빔(LB)에 대해 투과성인 재료로 형성되며,
    레이저 빔(LB)은 기판(W)에 복수의 개질 영역을 형성하도록 복수의 위치에서 기판(W)에 인가되는 것인 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 기판(W)의 일측부(2)에 제1 보호 필름(22)을 부착하는 단계는
    제1 보호 필름(22)의 전면(24)의 적어도 중앙 영역이 기판(W)의 일측부(2)와 직접 접촉하도록 기판(W)의 일측부(2)에 제1 보호 필름(22)을 도포하는 단계; 및
    제1 보호 필름(22)이 기판(W)의 일측부(2)에 부착되도록, 기판(W)의 일측부(2)에 제1 보호 필름(22)을 도포하는 도중, 또는 기판(W)의 일측부(2)에 제1 보호 필름(22)을 도포한 이후, 또는 기판(W)의 일측부(2)에 제1 보호 필름(22)을 도포하는 도중 및 기판(W)의 일측부(2)에 제1 보호 필름(22)을 도포한 이후에 제1 보호 필름(22)에 외부 자극을 인가하는 단계
    를 포함하는 것인 기판 처리 방법.
  3. 제2항에 있어서, 제1 보호 필름(22)에 외부 자극을 인가하는 단계는, 제1 보호 필름(22)에 압력을 인가하는 단계, 제1 보호 필름(22)을 가열하는 단계, 제1 보호 필름(22)을 냉각시키는 단계, 제1 보호 필름(22)에 진공을 인가하는 단계, 및 제1 보호 필름(22)을 광으로 조사(照射)하는 단계 중 하나 이상을 포함하는 것인 기판 처리 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    기판(W)의 일측부(2)에 적어도 하나의 분할 라인(12)이 형성되고,
    적어도 하나의 분할 라인(12)을 따라 기판(W)에 복수의 개질 영역을 형성하도록 적어도 하나의 분할 라인(12)을 따라 복수의 위치에서 기판(W)에 레이저 빔(LB)이 인가되는 것인 기판 처리 방법.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    제1 보호 필름(22)과 제2 보호 필름(14) 사이에서 기판(W)을 둘러싸도록 제1 보호 필름(22)을 제2 보호 필름(14)에 부착하는 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 제2 보호 필름(14)은, 제2 보호 필름(14)의 전면(20)의 적어도 중앙 영역이 기판(W)의 일측부(2) 반대측의 측부(4)와 직접 접촉하도록 기판(W)의 일측부(2) 반대측의 측부(4)에 부착되는 것인 기판 처리 방법.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    제1 보호 필름(22)에는 접착층(26)이 마련되고,
    접착층(26)은 제1 보호 필름(22)의 전면(24)의 중앙 영역을 둘러싸는, 제1 보호 필름(22)의 전면(24)의 주변 영역에만 마련되고,
    제1 보호 필름(22)은, 접착층(26)이 기판(W)의 일측부(2)의 주변부에만 접촉하도록 기판(W)의 일측부(2)에 부착되는 것인 기판 처리 방법.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 완충층이 제1 보호 필름(22)의 전면(24) 반대측의 제1 보호 필름(22)의 후면(28)에 부착되는 것인 기판 처리 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 완충층의 후면에 베이스 시트가 부착되는 것인 기판 처리 방법.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    제2 보호 필름(14)은 확장 가능하고,
    상기 기판 처리 방법은 기판(W)의 일측부(2) 반대측의 측부(4)로부터 기판(W)에 레이저 빔(LB)을 인가한 후, 소자들(8)을 서로 분리하도록 제2 보호 필름(14)을 반경 방향으로 확장시키는 단계를 더 포함하는 것인 기판 처리 방법.
  11. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    제1 보호 필름(22)은 확장 가능하고,
    상기 기판 처리 방법은 기판(W)의 일측부(2) 반대측의 측부(4)로부터 기판(W)에 레이저 빔(LB)을 인가한 후, 소자들(8)을 서로 분리하도록 제1 보호 필름(22)을 반경 방향으로 확장시키는 단계를 더 포함하는 것인 기판 처리 방법.
  12. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    제1 보호 필름(22)과 제2 보호 필름(14) 중 하나 이상을 환형 프레임(18)에 부착하는 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.
  13. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    기판(W)의 일측부(2)로부터 제1 보호 필름(22)을 제거하는 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.
KR1020210104849A 2020-08-10 2021-08-09 기판 처리 방법 KR102591912B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102020210104.3 2020-08-10
DE102020210104.3A DE102020210104A1 (de) 2020-08-10 2020-08-10 Verfahren zum bearbeiten eines substrats

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220019639A true KR20220019639A (ko) 2022-02-17
KR102591912B1 KR102591912B1 (ko) 2023-10-19

Family

ID=79686424

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210104849A KR102591912B1 (ko) 2020-08-10 2021-08-09 기판 처리 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11842926B2 (ko)
JP (1) JP7275208B2 (ko)
KR (1) KR102591912B1 (ko)
CN (1) CN114078696A (ko)
DE (1) DE102020210104A1 (ko)
TW (1) TWI804947B (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4937564A (ko) * 1972-08-07 1974-04-08
JP2017152569A (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2019140387A (ja) * 2018-02-14 2019-08-22 株式会社ディスコ ウェハの処理方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4563097B2 (ja) 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP2010027857A (ja) * 2008-07-18 2010-02-04 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体デバイスの製造方法
JP2010177277A (ja) 2009-01-27 2010-08-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd レーザーダイシング方法及びレーザーダイシング装置
CN102521260B (zh) 2011-11-18 2014-04-02 华为技术有限公司 数据预热方法及装置
JP6054234B2 (ja) 2013-04-22 2016-12-27 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2014229702A (ja) 2013-05-21 2014-12-08 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6360411B2 (ja) 2014-10-09 2018-07-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6590164B2 (ja) * 2014-12-29 2019-10-16 株式会社ディスコ 半導体サイズのウェーハの処理に使用するための保護シート、保護シート構成、ハンドリングシステムおよび半導体サイズのウェーハの処理方法
DE102015216619B4 (de) * 2015-08-31 2017-08-10 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers
SG11201803007TA (en) 2015-11-04 2018-05-30 Lintec Corp Kit for thermosetting resin film and second protective film forming film, thermosetting resin film, first protective film forming sheet, and method for forming first protective film for semiconductor wafer
JP2017107921A (ja) 2015-12-07 2017-06-15 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2019016731A (ja) 2017-07-10 2019-01-31 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
DE102018200656A1 (de) 2018-01-16 2019-07-18 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers
DE102018214337A1 (de) 2018-08-24 2020-02-27 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats
US10658240B1 (en) * 2018-12-31 2020-05-19 Texas Instruments Incorporated Semiconductor die singulation

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4937564A (ko) * 1972-08-07 1974-04-08
JP2017152569A (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2019140387A (ja) * 2018-02-14 2019-08-22 株式会社ディスコ ウェハの処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN114078696A (zh) 2022-02-22
JP2022032045A (ja) 2022-02-24
JP7275208B2 (ja) 2023-05-17
DE102020210104A1 (de) 2022-02-10
US11842926B2 (en) 2023-12-12
TWI804947B (zh) 2023-06-11
KR102591912B1 (ko) 2023-10-19
TW202221839A (zh) 2022-06-01
US20220044970A1 (en) 2022-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102351842B1 (ko) 웨이퍼 처리 방법
KR102482627B1 (ko) 웨이퍼를 처리하는 방법
JP6859581B2 (ja) 基板を処理する方法
KR20200096743A (ko) 기판 제조 방법 및 기판 제조 시스템
KR102593404B1 (ko) 기판 처리 방법
KR102591912B1 (ko) 기판 처리 방법
TWI822316B (zh) 加工基板的方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant