DE102018200656A1 - Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers (W), der an einer Seite (1) einen Bauelementbereich (2) mit mehreren Bauelementen (27) aufweist. Insbesondere betrifft die Erfindung ein Verfahren, das umfasst, eine Schutzfolie (4) bereitzustellen und die Schutzfolie (4) auf die Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, aufzubringen, so dass zumindest ein mittlerer Bereich einer vorderen Oberfläche (4a) der Schutzfolie (4) in unmittelbarem Kontakt mit der Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, steht. Das Verfahren umfasst ferner, einen äußeren Impuls auf die Schutzfolie (4) während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie (4) auf die Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, aufzubringen, so dass die Schutzfolie (4) an der Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, angebracht wird, und die eine Seite (1) des Wafers (W) und/oder die Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, zu bearbeiten.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers, wie zum Beispiel eines Halbleiterwafers, der an einer Seite einen Bauelementbereich mit mehreren Bauelementen aufweist.
  • Technischer Hintergrund
  • Bei einem Halbleiterbauelement-Herstellverfahren wird ein Wafer, der einen Bauelementbereich mit mehreren Bauelementen aufweist, die üblicherweise durch mehrere Trennlinien abgeteilt sind, in einzelne Chips geteilt. Dieses Herstellverfahren umfasst üblicherweise einen Schleifschritt zum Einstellen der Waferdicke und einen Schneidschritt zum Schneiden des Wafers entlang der Trennlinien, um die einzelnen Chips zu erhalten. Der Schleifschritt wird von einer Rückseite des Wafers aus durchgeführt, die einer Wafervorderseite, an welcher der Bauelementbereich ausgebildet ist, gegenüberliegt. Außerdem können auch andere Bearbeitungsschritte, wie zum Beispiel Polieren und/oder Ätzen, an der Rückseite des Wafers durchgeführt werden. Der Wafer kann entlang der Trennlinien von dessen Vorderseite oder dessen Rückseite aus geschnitten werden.
  • Um die an dem Wafer ausgebildeten Bauelemente während der Bearbeitung des Wafers zu schützen, zum Beispiel vor Bruch, Verformung und/oder Verunreinigung durch Schmutzpartikel, Schleifwasser oder Schneidwasser, kann eine Schutzfolie oder Schutzabdeckung vor der Bearbeitung auf die Vorderseite des Wafers aufgebracht werden.
  • Ein solcher Schutz der Bauelemente ist besonders wichtig, wenn der Bauelementbereich eine unebene Oberflächenstruktur aufweist. Zum Beispiel wird bei bekannten Halbleiterbauelement-Herstellverfahren, wie zum Beispiel einer Wafer-Level-Chip-Scale-Packung (WLCSP), der Bauelementbereich des Wafers mit mehreren Vorsprüngen, wie zum Beispiel Bumps, ausgebildet, die von einer ebenen Oberfläche des Wafers hervorstehen. Diese Vorsprünge werden zum Beispiel zum Herstellen eines elektrischen Kontakts mit den Bauelementen in den einzelnen Chips verwendet, beispielsweise wenn die Chips in elektronische Geräte, wie zum Beispiel Mobiltelefone und PCs, aufgenommen werden.
  • Um eine Größenverringerung solcher elektronischer Geräte zu erreichen, muss die Größe der Halbleiterbauelemente verringert werden. Daher werden die Wafer, welche die daran ausgebildeten Bauelemente aufweisen, in dem oben genannten Schleifschritt auf Dicken im µm-Bereich, zum Beispiel im Bereich von 20 bis 100 µm, geschliffen.
  • Bei bekannten Halbleiterbauelement-Herstellverfahren können Probleme während der Bearbeitung, zum Beispiel in dem Schleifschritt, auftreten, falls Vorsprünge, wie zum Beispiel Bumps, in dem Bauelementbereich vorliegen. Insbesondere wird das Bruchrisiko des Wafers während der Bearbeitung wegen des Vorhandenseins dieser Vorsprünge erheblich erhöht. Ferner können die Vorsprünge des Bauelementbereichs an der Vorderseite des Wafers eine Verformung der Waferrückseite bewirken, falls der Wafer auf eine geringe Dicke, wie zum Beispiel eine Dicke im µm-Bereich, geschliffen wird, wodurch die Qualität der resultierenden Chips beeinträchtigt wird.
  • Deshalb ist die Verwendung einer Schutzfolie oder einer Schutzabdeckung von besonderer Wichtigkeit, wenn Wafer mit Bauelementbereichen, die solche unebenen Oberflächenstrukturen aufweisen, bearbeitet werden.
  • Jedoch besteht insbesondere in dem Fall empfindlicher Bauelemente, wie zum Beispiel MEMS, ein Problem dahingehend, dass die Bauelementstruktur an dem Wafer durch die Haftkraft einer Haftmittelschicht, die an der Schutzfolie oder Schutzabdeckung ausgebildet ist, beschädigt werden kann oder durch Haftmittelrückstände an den Bauelementen verunreinigt werden kann, wenn die Folie oder Abdeckung von dem Wafer abgezogen wird.
  • Eine Schutzfolie oder Schutzabdeckung kann vor der Bearbeitung auf die Rückseite des Wafers aufgebracht werden, um den Wafer zum Beispiel vor Bruch, Verformung und/oder Verunreinigung durch Schmutzpartikel zu schützen, zum Beispiel während eines Schritts des Schneidens des Wafers. Auch in diesem Fall besteht ein Problem dahingehend, dass der Wafer durch die Haftkraft einer an der Schutzfolie oder Schutzabdeckung ausgebildeten Haftmittelschicht beschädigt oder durch Haftmittelrückstände an dem Wafer verunreinigt werden kann, wenn die Folie oder Abdeckung von dem Wafer abgezogen wird.
  • Daher besteht weiterhin ein Bedarf nach einem zuverlässigen und effizienten Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers mit einem Bauelementbereich, das es ermöglicht, das Risiko einer Verunreinigung und einer Beschädigung des Wafers zu minimieren.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Dementsprechend ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein zuverlässiges und effizientes Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers mit einem Bauelementbereich bereitzustellen, das es ermöglicht, das Risiko einer Verunreinigung und einer Beschädigung des Wafers zu minimieren. Dieses Ziel wird durch ein Waferbearbeitungsverfahren mit den technischen Merkmalen des Anspruchs 1, durch ein Waferbearbeitungsverfahren mit den technischen Merkmalen des Anspruchs 9 und durch ein Waferbearbeitungsverfahren mit den technischen Merkmalen des Anspruchs 19 erreicht. Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung folgen aus den abhängigen Ansprüchen.
  • Die Erfindung stellt ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers bereit, der an einer Seite einen Bauelementbereich mit mehreren Bauelementen aufweist. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen einer Schutzfolie oder Schutzschicht und ein Aufbringen der Schutzfolie oder Schutzschicht auf die Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, so dass zumindest ein mittlerer Bereich einer vorderen Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht in unmittelbarem Kontakt mit der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, steht. Ferner umfasst das Verfahren ein Aufbringen eines äußeren Impulses auf die Schutzfolie oder Schutzschicht während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie oder Schutzschicht auf die Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, so dass die Schutzfolie oder Schutzschicht an der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, angebracht wird, und ein Bearbeiten der einen Seite des Wafers und/oder der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt.
  • Die Schutzfolie wird auf die Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, das heißt auf die Waferrückseite, so aufgebracht, dass zumindest der mittlere Bereich der vorderen Oberfläche der Schutzfolie in unmittelbarem Kontakt mit der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, steht. Somit liegt zwischen zumindest dem mittleren Bereich der vorderen Oberfläche der Schutzfolie und der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, kein Material, insbesondere kein Haftmittel, vor.
  • Deshalb kann das Risiko einer möglichen Verunreinigung oder Beschädigung des Wafers, zum Beispiel durch eine Haftkraft einer Haftmittelschicht oder Haftmittelrückstände an dem Wafer, erheblich verringert oder sogar beseitigt werden.
  • Während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie auf die Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, wird der äußere Impuls auf die Schutzfolie aufgebracht, so dass die Schutzfolie an der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, angebracht wird. Eine Anbringkraft zwischen Schutzfolie und Wafer, welche die Schutzfolie in ihrer Position an dem Wafer hält, wird somit durch das Aufbringen des äußeren Impulses erzeugt. Daher ist kein zusätzliches Haftmittelmaterial zum Anbringen der Schutzfolie an der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, erforderlich.
  • Insbesondere kann durch Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie ein Formschluss, wie zum Beispiel eine formschlüssige Verbindung, und/oder ein Stoffschluss, wie zum Beispiel eine stoffschlüssige Verbindung, zwischen der Schutzfolie und dem Wafer ausgebildet werden. Die Begriffe „Stoffschluss“ und „stoffschlüssige Verbindung“ definieren eine Anbringung oder Verbindung zwischen Schutzfolie und Wafer aufgrund von atomaren und/oder molekularen Kräften, die zwischen diesen zwei Komponenten wirken.
  • Der Begriff „stoffschlüssige Verbindung“ betrifft das Vorliegen dieser atomaren und/oder molekularen Kräfte, die so wirken, dass sie die Schutzfolie an dem Wafer anbringen oder anhaften, und impliziert nicht das Vorliegen eines zusätzlichen Haftmittels zwischen Schutzfolie und Wafer. Vielmehr steht zumindest der mittlere Bereich der vorderen Oberfläche der Schutzfolie in unmittelbarem Kontakt mit der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, wie oben dargelegt wurde.
  • Das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung ermöglicht somit eine zuverlässige und effiziente Bearbeitung eines Wafers mit einem Bauelementbereich, wobei das Risiko einer Verunreinigung und Beschädigung des Wafers minimiert wird.
  • Die Waferrückseitenoberfläche kann eine im Wesentlichen ebene, gleichmäßige Oberfläche oder eine ebene, gleichmäßige Oberfläche sein. Alternativ können an der Rückseite des Wafers Vorsprünge oder Erhebungen vorliegen, die von einer ebenen Waferoberfläche entlang der Dickenrichtung des Wafers hervorstehen.
  • Das Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie kann ein Erwärmen der Schutzfolie und/oder ein Kühlen der Schutzfolie und/oder ein Aufbringen eines Vakuums auf die Schutzfolie und/oder ein Bestrahlen der Schutzfolie mit Strahlung, wie zum Beispiel Licht, beispielsweise durch Verwendung eines Laserstrahls, umfassen oder daraus bestehen.
  • Der äußere Impuls kann eine chemische Verbindung und/oder eine Elektronen- oder Plasmabestrahlung und/oder eine mechanische Behandlung, wie zum Beispiel Druck, Reibung oder ein Aufbringen von Ultraschall, und/oder statische Elektrizität umfassen oder sein.
  • Besonders bevorzugt umfasst das Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie ein Erwärmen der Schutzfolie oder besteht das Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie aus einem Erwärmen der Schutzfolie. Zum Beispiel kann das Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie ein Erwärmen der Schutzfolie und ein Aufbringen eines Vakuums auf die Schutzfolie umfassen oder daraus bestehen. In diesem Fall kann das Vakuum während und/oder vor und/oder nach dem Erwärmen der Schutzfolie auf die Schutzfolie aufgebracht werden.
  • Falls das Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie das Erwärmen der Schutzfolie umfasst oder daraus besteht, kann das Verfahren ferner umfassen, die Schutzfolie nach dem Erwärmvorgang abkühlen zu lassen. Insbesondere kann der Schutzfolie gestattet werden, auf ihre Anfangstemperatur, das heißt auf deren Temperatur vor dem Erwärmvorgang, abzukühlen. Es kann der Schutzfolie vor dem Bearbeiten der einen Seite des Wafers, das heißt der Wafervorderseite, und/oder der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, das heißt der Waferrückseite, gestattet werden, abzukühlen, zum Beispiel auf deren Anfangstemperatur abzukühlen.
  • Durch den Erwärmvorgang wird eine Anbringkraft zwischen Schutzfolie und Wafer erzeugt. Die Anbringung der Schutzfolie an dem Wafer kann in dem Erwärmvorgang selbst und/oder in einem nachfolgenden Vorgang des Abkühlenlassens der Schutzfolie bewirkt werden.
  • Die Schutzfolie kann durch den Erwärmvorgang erweicht werden, zum Beispiel so dass diese sich der Waferoberfläche an der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, anpasst, wobei zum Beispiel die Wafertopographie absorbiert wird. Beim Abkühlen, zum Beispiel auf deren Anfangstemperatur, kann die Schutzfolie sich wieder erhärten, zum Beispiel so dass ein Formschluss und/oder Stoffschluss mit dem Wafer erzeugt wird.
  • Die Schutzfolie kann bis zu einer Temperatur von 180 °C oder mehr, vorzugsweise bis zu einer Temperatur von 220 °C oder mehr, bevorzugter bis zu einer Temperatur von 250 °C oder mehr und noch bevorzugter bis zu einer Temperatur von 300 °C oder mehr wärmebeständig sein.
  • Die Schutzfolie kann auf eine Temperatur im Bereich von 30 °C bis 250 °C, vorzugsweise 50 °C bis 200 °C, bevorzugter 60 °C bis 150 °C und noch bevorzugter 70 °C bis 110 °C erwärmt werden. Besonders bevorzugt wird die Schutzfolie auf eine Temperatur von annähernd 80 °C erwärmt.
  • Die Schutzfolie kann über eine Zeitdauer im Bereich von 30 Sek bis 10 Min, vorzugsweise 1 Min bis 8 Min, bevorzugter 1 Min bis 6 Min, noch bevorzugter 1 Min bis 4 Min und sogar noch bevorzugter 1 Min bis 3 Min während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie auf die Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, erwärmt werden.
  • Falls das Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie das Erwärmen der Schutzfolie umfasst oder daraus besteht, kann die Schutzfolie direkt und/oder indirekt erwärmt werden.
  • Die Schutzfolie kann erwärmt werden, indem Wärme direkt auf diese aufgebracht wird, zum Beispiel unter Verwendung eines Wärmeaufbringmittels, wie zum Beispiel einer erwärmten Walze, eines erwärmten Stempels oder dergleichen, oder eines Wärmeabstrahlmittels. Die Schutzfolie und der Wafer können in einer Aufnahme oder Kammer, wie zum Beispiel einer Vakuumkammer, angeordnet werden und ein inneres Volumen der Aufnahme oder Kammer kann erwärmt werden, so dass die Schutzfolie erwärmt wird. Die Aufnahme oder Kammer kann mit einem Wärmeabstrahlmittel versehen sein.
  • Die Schutzfolie kann indirekt erwärmt werden, zum Beispiel indem der Wafer vor und/oder während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie auf die Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, erwärmt wird. Zum Beispiel kann der Wafer durch Anordnen des Wafers an einer Auflage oder einem Träger, wie zum Beispiel einem Einspanntisch, und Erwärmen der Auflage oder des Trägers erwärmt werden.
  • Zum Beispiel kann die Auflage oder der Träger, wie zum Beispiel ein Einspanntisch, auf eine Temperatur im Bereich von 30 °C bis 250 °C, vorzugsweise 50 °C bis 200 °C, bevorzugter 60 °C bis 150 °C und noch bevorzugter 70 °C bis 110 °C erwärmt werden. Besonders bevorzugt kann die Auflage oder der Träger auf eine Temperatur von annähernd 80 °C erwärmt werden.
  • Diese Ansätze können auch kombiniert werden, zum Beispiel indem ein Wärmeaufbringmittel, wie zum Beispiel eine erwärmte Walze oder dergleichen, oder ein Wärmeabstrahlmittel zum direkten Erwärmen der Schutzfolie verwendet wird und außerdem die Schutzfolie indirekt durch den Wafer erwärmt wird.
  • Falls das Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie das Erwärmen der Schutzfolie umfasst oder daraus besteht, wird bevorzugt, dass die Schutzfolie biegsam, elastisch, flexibel, dehnbar, weich und/oder kompressibel ist, wenn diese sich in ihrem erwärmten Zustand befindet. Auf diese Weise kann besonders zuverlässig gewährleistet werden, dass die Schutzfolie sich der Waferoberfläche an der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, anpasst, wobei zum Beispiel die Wafertopographie absorbiert wird. Dies ist besonders vorteilhaft, wenn Vorsprünge, wie zum Beispiel eine Oberflächenunebenheit oder -rauigkeit, Bumps, optische Elemente oder dergleichen, die entlang einer Dickenrichtung des Wafers hervorstehen, an der Waferrückseite vorliegen, wie nachfolgend weiter dargelegt wird.
  • Vorzugsweise erhärtet oder versteift sich die Schutzfolie zumindest bis zu einem gewissen Grad beim Abkühlen, so dass sie im abgekühlten Zustand steifer und/oder robuster wird. Auf diese Weise kann ein besonders zuverlässiger Schutz des Wafers während der nachfolgenden Bearbeitung des Wafers, wie zum Beispiel eines Schneidens des Wafers, gewährleistet werden.
  • Das Verfahren kann ferner umfassen, während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie auf die Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, Druck auf eine hintere Oberfläche der Schutzfolie, die deren vorderer Oberfläche gegenüberliegt, aufzubringen. Auf diese Weise wird die vordere Oberfläche der Schutzfolie gegen die Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, gedrückt. Daher kann besonders effizient gewährleistet werden, dass die Schutzfolie zuverlässig an dem Wafer angebracht wird.
  • Falls das Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie das Erwärmen der Schutzfolie umfasst, kann der Druck vor und/oder während und/oder nach dem Erwärmen der Schutzfolie auf die hintere Oberfläche der Schutzfolie aufgebracht werden. Der Druck kann vor dem Bearbeiten der Vorderseite und/oder der Rückseite des Wafers auf die hintere Oberfläche der Schutzfolie aufgebracht werden.
  • Der Druck kann durch ein Druckaufbringmittel, wie zum Beispiel eine Walze, einen Stempel, eine Membran oder dergleichen, auf die hintere Oberfläche der Schutzfolie aufgebracht werden.
  • Besonders bevorzugt kann ein kombiniertes Wärme- und DruckAufbringmittel, wie zum Beispiel eine erwärmte Walze oder ein erwärmter Stempel, verwendet werden. In diesem Fall kann ein Druck auf die hintere Oberfläche der Schutzfolie aufgebracht werden, während gleichzeitig die Schutzfolie erwärmt wird.
  • Der Druck kann in einer Vakuumkammer auf die hintere Oberfläche der Schutzfolie aufgebracht werden, wie nachfolgend weiter dargelegt wird.
  • Die Schutzfolie kann in einer Atmosphäre mit verringertem Druck, insbesondere unter einem Vakuum, auf die Rückseite des Wafers aufgebracht und/oder an dieser angebracht werden. Auf diese Weise kann zuverlässig gewährleistet werden, dass keine Hohlräume und/oder Luftblasen zwischen der Schutzfolie und dem Wafer vorliegen. Daher wird eine Spannung oder Belastung an dem Wafer während der Bearbeitung von dessen Vorderseite und/oder Rückseite, zum Beispiel aufgrund dessen, dass solche Luftblasen sich in dem Erwärmvorgang aufweiten, vermieden.
  • Zum Beispiel kann oder können der Schritt oder die Schritte des Aufbringens und/oder Anbringens der Schutzfolie an der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, in einer Vakuumkammer durchgeführt werden. Insbesondere kann die Schutzfolie durch Verwendung einer Vakuumlaminiereinrichtung auf die Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, aufgebracht und/oder an dieser angebracht werden. Bei einer solchen Vakuumlaminiereinrichtung wird der Wafer auf einem Einspanntisch in einer Vakuumkammer in einem Zustand angeordnet, in dem die Wafervorderseite mit einer oberen Oberfläche des Einspanntischs in Kontakt steht und die Waferrückseite nach oben gerichtet ist. Der Einspanntisch kann zum Beispiel ein erwärmter Einspanntisch sein.
  • Die auf die Waferrückseite aufzubringende Schutzfolie wird an deren Umfangsabschnitt durch einen ringförmigen Rahmen gehalten und oberhalb der Waferrückseite in der Vakuumkammer angeordnet. Ein oberer Teil der Vakuumkammer, der oberhalb des Einspanntischs und des ringförmigen Rahmens angeordnet ist, ist mit einer Lufteinlassöffnung versehen, die durch eine aufweitbare Gummimembran geschlossen ist.
  • Nachdem der Wafer und die Schutzfolie in die Vakuumkammer geladen wurden, wird die Kammer ausgepumpt und der Gummimembran durch die Lufteinlassöffnung Luft zugeführt, wodurch bewirkt wird, dass sich die Gummimembran in die ausgepumpte Kammer aufweitet. Auf diese Weise wird die Gummimembran nach unten in die Vakuumkammer bewegt, so dass sie die Schutzfolie gegen die Waferrückseite drückt, den umfänglichen Waferabschnitt mit der Schutzfolie abdichtet und die Folie gegen die Waferrückseite presst. Daher kann die Schutzfolie dicht auf die Waferrückseite aufgebracht werden, zum Beispiel so, dass sie dem Profil von Vorsprüngen oder Erhebungen folgt, falls solche Vorsprünge oder Erhebungen vorliegen.
  • Die Schutzfolie kann während und/oder nach deren Aufbringen auf die Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, erwärmt werden, zum Beispiel durch Erwärmen des Einspanntischs.
  • Nachfolgend wird das Vakuum in der Vakuumkammer gelöst und die Schutzfolie durch die Anbringkraft, die durch den Erwärmvorgang und den Überdruck in der Vakuumkammer erzeugt wird, in ihrer Position an der Waferrückseite gehalten. Alternativ kann die Gummimembran durch einen weichen Stempel oder eine weiche Walze, wie zum Beispiel einen erwärmten weichen Stempel oder eine erwärmte weiche Walze, ersetzt werden.
  • Das Verfahren kann ferner ein Entfernen der Schutzfolie von dem Wafer nach der Bearbeitung von dessen Vorderseite und/oder Rückseite umfassen. Vor und/oder während dem Entfernen der Schutzfolie von dem Wafer kann ein äußerer Impuls, wie zum Beispiel Wärme, auf die Schutzfolie aufgebracht werden. Auf diese Weise kann der Entfernvorgang erleichtert werden.
  • Der Wafer kann ferner an dessen Vorderseite einen Umfangsrandbereich aufweisen, der keine Bauelemente aufweist und um den Bauelementbereich herum ausgebildet ist.
  • Der Wafer kann zum Beispiel ein Halbleiterwafer, ein Glaswafer, ein Saphirwafer, ein Keramikwafer, wie zum Beispiel ein Aluminiumoxid (Al2O3)-Keramikwafer, ein Quarzwafer, ein Zirkonoxidwafer, ein PZT (Bleizirkonattitanat)-Wafer, ein Polycarbonatwafer, ein Wafer aus Metall (zum Beispiel Kupfer, Eisen, Edelstahl, Aluminium oder dergleichen) oder einem metallisierten Material, ein Ferritwafer, ein Wafer aus einem optischen Kristallmaterial, ein Wafer, der mit einem Harz, wie zum Beispiel einem Epoxidharz, beschichtet oder aus diesem geformt ist, oder dergleichen sein.
  • Insbesondere kann der Wafer zum Beispiel ein Si-Wafer, ein GaAs-Wafer, ein GaN-Wafer, ein GaP-Wafer, ein InAs-Wafer, ein InP-Wafer, ein SiC-Wafer, ein SiN-Wafer, ein LT (Lithiumtantalat)-Wafer, ein LN (Lithiumniobat)-Wafer oder dergleichen sein.
  • Der Wafer kann aus einem einzelnen Material oder aus einer Kombination unterschiedlicher Materialien, wie zum Beispiel zwei oder mehr der oben genannten Materialien, bestehen. Zum Beispiel kann der Wafer ein Si-und-Glas-Verbundwafer sein, bei dem ein aus Si bestehendes Waferelement mit einem aus Glas bestehenden Waferelement verbunden ist.
  • Der Wafer kann eine beliebige Art von Form aufweisen. In einer Draufsicht darauf kann der Wafer zum Beispiel eine Kreisform, eine ovale Form, eine elliptische Form oder eine Polygonform, wie zum Beispiel eine rechteckige Form oder eine quadratische Form, aufweisen.
  • Die Schutzfolie kann eine beliebige Art von Form aufweisen. In einer Draufsicht darauf kann die Schutzfolie oder Schutzschicht zum Beispiel eine Kreisform, eine ovale Form, eine elliptische Form oder eine Polygonform, wie zum Beispiel eine rechteckige Form oder eine quadratische Form, aufweisen.
  • Die Schutzfolie kann im Wesentlichen die gleiche Form wie der Wafer oder die gleiche Form wie der Wafer aufweisen.
  • Die Schutzfolie kann einen äußeren Durchmesser aufweisen, der größer als ein äußerer Durchmesser des Wafers ist. Auf diese Weise kann die Bearbeitung, die Handhabung und/oder der Transport des Wafers erleichtert werden. Insbesondere kann ein äußerer Umfangsabschnitt der Schutzfolie an einem ringförmigen Rahmen angebracht werden, wie nachfolgend dargelegt wird.
  • Die Schutzfolie kann einen äußeren Durchmesser aufweisen, der kleiner als der äußere Durchmesser des Wafers ist.
  • Die Schutzfolie kann einen äußeren Durchmesser aufweisen, der im Wesentlichen der gleiche wie der äußere Durchmesser des Wafers ist.
  • Das Verfahren kann ferner ein Schneiden der Schutzfolie umfassen. Die Schutzfolie kann so geschnitten werden, dass sie einen äußeren Durchmesser aufweist, der größer als der äußere Durchmesser des Wafers oder kleiner als der äußere Durchmesser des Wafers oder im Wesentlichen der gleiche wie der äußere Durchmesser des Wafers ist.
  • Der Schritt des Schneidens der Schutzfolie kann vor oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie auf den Wafer durchgeführt werden.
  • Der Schritt des Schneidens der Schutzfolie kann vor oder nach dem Anbringen der Schutzfolie an dem Wafer durchgeführt werden.
  • Das Verfahren kann ferner ein Anbringen eines äußeren Umfangsabschnitts der Schutzfolie an einem ringförmigen Rahmen umfassen. Insbesondere kann der äußere Umfangsabschnitt der Schutzfolie so an dem ringförmigen Rahmen angebracht werden, dass die Schutzfolie eine mittlere Öffnung des ringförmigen Rahmens, das heißt den Bereich innerhalb des inneren Durchmessers des ringförmigen Rahmens, schließt. Auf diese Weise wird der Wafer, der an der Schutzfolie, insbesondere an einem mittleren Abschnitt derselben, angebracht ist, durch die Schutzfolie von dem ringförmigen Rahmen gehalten. Daher wird eine Wafereinheit ausgebildet, die den Wafer, die Schutzfolie und den ringförmigen Rahmen umfasst, wodurch die Bearbeitung, die Handhabung und/oder der Transport des Wafers erleichtert wird.
  • Der Schritt des Anbringens des äußeren Umfangsabschnitts der Schutzfolie an dem ringförmigen Rahmen kann vor oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie auf den Wafer durchgeführt werden.
  • Der Schritt des Anbringens des äußeren Umfangsabschnitts der Schutzfolie an dem ringförmigen Rahmen kann vor oder nach dem Anbringen der Schutzfolie an dem Wafer durchgeführt werden.
  • Der Schritt des Anbringens des äußeren Umfangsabschnitts der Schutzfolie an dem ringförmigen Rahmen kann vor oder nach dem Bearbeiten der Vorderseite und/oder der Rückseite des Wafers durchgeführt werden.
  • Wenigstens eine Trennlinie kann an der einen Seite des Wafers ausgebildet sein. Mehrere Trennlinien können an der einen Seite des Wafers ausgebildet sein. Die eine oder mehreren Trennlinien teilen die in dem Bauelementbereich ausgebildeten Bauelemente ab.
  • Die Breite der wenigstens einen Trennlinie kann im Bereich von 30 µm bis 200 µm, vorzugsweise 30 µm bis 150 µm und bevorzugter 30 µm bis 100 µm liegen.
  • Das Verfahren kann ein Bearbeiten der einen Seite des Wafers, das heißt der Wafervorderseite, umfassen. Das Bearbeiten der einen Seite des Wafers kann ein Entfernen von Wafermaterial entlang der wenigstens einen Trennlinie umfassen oder daraus bestehen. Falls mehrere Trennlinien an der einen Seite des Wafers ausgebildet sind, kann das Bearbeiten der einen Seite des Wafers ein Entfernen von Wafermaterial entlang jeder der mehreren Trennlinien umfassen oder daraus bestehen.
  • Das Wafermaterial kann entlang der wenigstens einen Trennlinie über die gesamte Dicke des Wafers entfernt werden. In diesem Fall wird der Wafer durch den Wafermaterialentfernvorgang entlang der wenigstens einen Trennlinie in mehrere Bausteine oder Chips geteilt.
  • Alternativ kann das Wafermaterial entlang der wenigstens einen Trennlinie nur entlang eines Teils der Dicke des Wafers entfernt werden. Zum Beispiel kann das Wafermaterial entlang 20% oder mehr, 30% oder mehr, 40% oder mehr, 50% oder mehr, 60% oder mehr, 70% oder mehr, 80% oder mehr oder 90% oder mehr der Dicke des Wafers entfernt werden.
  • In diesem Fall kann ein Vorgang des Teilens, das heißt des vollständigen Teilens, des Wafers zum Beispiel durch Verwenden eines Brechvorgangs, bei dem eine äußere Kraft, zum Beispiel durch Verwendung eines Aufweitbands, auf den Wafer ausgeübt wird, oder durch Verwenden eines Schneid- oder Zerteilvorgangs, wie zum Beispiel eines mechanischen Schneid- oder Zerteilvorgangs, eines Laserschneid- oder Laserzerteilvorgangs oder eines Plasmaschneid- oder Plasmazerteilvorgangs, durchgeführt werden. Zum Beispiel kann eine äußere Kraft auf den Wafer ausgeübt werden, indem die Schutzfolie radial aufgeweitet wird, das heißt indem die Schutzfolie als ein Aufweitband verwendet wird. Ferner kann auch eine Kombination von zwei oder mehr dieser Vorgänge verwendet werden.
  • Außerdem kann der Wafer durch Schleifen der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, geteilt werden, wie nachfolgend weiter dargelegt wird.
  • Das Wafermaterial kann entlang der wenigstens einen Trennlinie mechanisch entfernt werden. Insbesondere kann das Wafermaterial entlang der wenigstens einen Trennlinie durch mechanisches Schneiden des Wafers entlang der wenigstens einen Trennlinie, zum Beispiel durch Klingenzerteilen oder Sägen, entfernt werden. In diesem Fall wird der Wafer von dessen Vorderseite aus geschnitten.
  • Alternativ oder zusätzlich kann das Wafermaterial entlang der wenigstens einen Trennlinie durch Laserschneiden und/oder durch Plasmaschneiden entfernt werden.
  • Der Wafer kann in einem einzelnen mechanischen Schneidschritt, in einem einzelnen Laserschneidschritt oder in einem einzelnen Plasmaschneidschritt geschnitten werden. Alternativ kann der Wafer durch eine Abfolge von mechanischen Schneidschritten und/oder Laserschneidschritten und/oder Plasmaschneidschritten geschnitten werden.
  • Das Laserschneiden kann zum Beispiel durch Ablationslaserschneiden und/oder durch Stealthlaserschneiden, das heißt durch Ausbilden modifizierter Bereiche innerhalb des Wafers durch das Aufbringen eines Laserstrahls, wie nachfolgend weiter dargelegt wird, und/oder durch Ausbilden mehrerer Öffnungsbereiche in dem Wafer durch das Aufbringen eines Laserstrahls durchgeführt werden. Jeder dieser Öffnungsbereiche kann aus einem modifizierten Bereich und einem Raum in dem modifizierten Bereich, der zu einer Oberfläche des Wafers offen ist, bestehen.
  • Dadurch, dass die Schutzfolie an der Waferrückseite angebracht ist, kann gewährleistet werden, dass der während des Schneidschritts aufgebrachte Druck während des Schneidens gleichmäßiger und einheitlicher über den Wafer verteilt wird, wodurch das Risiko einer Beschädigung des Wafers, wie zum Beispiel einer Rissbildung an den Seitenwänden der resultierenden Bausteine oder Chips, in dem Schneidschritt verringert oder sogar minimiert wird.
  • Das Verfahren kann ein Bearbeiten der einen Seite des Wafers umfassen, wobei das Bearbeiten der einen Seite des Wafers ein Aufbringen eines gepulsten Laserstrahls auf den Wafer von der einen Seite des Wafers aus umfasst oder daraus besteht, der Wafer aus einem Material besteht, das für den gepulsten Laserstrahl transparent ist, und der gepulste Laserstrahl zumindest an mehreren Stellen entlang der wenigstens einen Trennlinie in einem Zustand auf den Wafer aufgebracht wird, in dem ein Brennpunkt des gepulsten Laserstrahls mit einem Abstand von der einen Seite des Wafers in der Richtung von der einen Seite des Wafers auf die Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, zu angeordnet ist, so dass mehrere modifizierte Bereiche entlang der wenigstens einen Trennlinie in dem Wafer ausgebildet werden.
  • In diesem Fall besteht der Wafer aus einem Material, das für den gepulsten Laserstrahl transparent ist. Daher werden die mehreren modifizierten Bereiche in dem Wafer durch das Aufbringen eines gepulsten Laserstrahls ausgebildet, der eine Wellenlänge aufweist, die eine Transmission des Laserstrahls durch den Wafer ermöglicht. Zum Beispiel kann der gepulste Laserstrahl eine Wellenlänge von 1,0 µm oder mehr aufweisen, falls der Wafer ein Si-Wafer ist.
  • Der gepulste Laserstrahl kann eine Pulsbreite aufweisen, die zum Beispiel in dem Bereich von 1 ns bis 300 ns liegt.
  • Die modifizierten Bereiche können amorphe Bereiche oder Bereiche, in denen Risse ausgebildet sind, umfassen oder amorphe Bereiche oder Bereiche, in denen Risse ausgebildet sind, sein. Bei besonders bevorzugten Ausführungsformen umfassen die modifizierten Bereiche amorphe Bereiche oder sind die modifizierten Bereiche amorphe Bereiche.
  • Jeder modifizierte Bereich kann einen Raum, wie zum Beispiel eine Aussparung, im Inneren des Wafermaterials umfassen, wobei der Raum von einem amorphen Bereich oder einem Bereich, in dem Risse ausgebildet sind, umgeben ist.
  • Jeder modifizierte Bereich kann aus einem Raum, wie zum Beispiel einer Aussparung, im Inneren des Wafermaterials und einem den Raum umgebenden amorphen Bereich oder einem den Raum umgebenden Bereich, in dem Risse ausgebildet sind, bestehen.
  • Falls die modifizierten Bereiche Bereiche umfassen oder Bereiche sind, in denen Risse ausgebildet sind, das heißt Risse ausgebildet wurden, können die Risse Mikrorisse sein. Die Risse können Abmessungen, zum Beispiel Längen und/oder Breiten, im µm-Bereich aufweisen. Zum Beispiel können die Risse Breiten im Bereich von 5 µm bis 100 µm und/oder Längen im Bereich von 100 µm bis 1000 µm aufweisen.
  • Gemäß diesem Verfahren wird der gepulste Laserstrahl zumindest an mehreren Stellen entlang der wenigstens einen Trennlinie von der einen Seite des Wafers aus auf den Wafer aufgebracht, so dass mehrere modifizierte Bereiche entlang der wenigstens einen Trennlinie in dem Wafer ausgebildet werden. Durch Ausbilden dieser modifizierten Bereiche wird die Festigkeit des Wafers in dessen Bereichen verringert, in denen die modifizierten Bereiche ausgebildet werden. Daher wird das Teilen des Wafers entlang der wenigstens einen Trennlinie, an der die mehreren modifizierten Bereiche ausgebildet wurden, erheblich vereinfacht. Bei einem solchen Waferteilungsvorgang werden die in dem Bauelementbereich des Wafers vorgesehenen einzelnen Bauelemente als Bausteine oder Chips erhalten.
  • Das Verfahren kann ferner umfassen, den Wafer nach dem Ausbilden der mehreren modifizierten Bereiche in dem Wafer entlang der wenigstens einen Trennlinie zu teilen. Der Vorgang des Teilens des Wafers kann auf verschiedene Weisen durchgeführt werden, zum Beispiel durch Verwendung eines Brechvorgangs, bei dem eine äußere Kraft, zum Beispiel durch Verwendung eines Aufweitbands, auf den Wafer ausgeübt wird, oder durch Verwendung eines Schneid- oder Zerteilvorgangs, wie zum Beispiel eines mechanischen Schneid- oder Zerteilvorgangs, eines Laserschneid- oder Laserzerteilvorgangs oder eines Plasmaschneid- oder Plasmazerteilvorgangs. Zum Beispiel kann eine äußere Kraft auf den Wafer ausgeübt werden, indem die Schutzfolie radial aufgeweitet wird, das heißt durch Verwendung der Schutzfolie als ein Aufweitband. Ferner kann auch eine Kombination von zwei oder mehr dieser Vorgänge verwendet werden.
  • Das Verfahren kann ein Bearbeiten der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, umfassen. Das Bearbeiten der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, kann ein Aufbringen eines gepulsten Laserstrahls auf den Wafer von der Seite des Wafers aus, die der einen Seite gegenüberliegt, umfassen oder daraus bestehen, wobei die Schutzfolie aus einem Material besteht, das für den gepulsten Laserstrahl transparent ist, der Wafer aus einem Material besteht, das für den gepulsten Laserstrahl transparent ist, und der gepulste Laserstrahl zumindest an mehreren Stellen entlang der wenigstens einen Trennlinie in einem Zustand auf den Wafer aufgebracht wird, in dem ein Brennpunkt des gepulsten Laserstrahls mit einem Abstand von der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, in der Richtung von der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, auf die eine Seite des Wafers zu angeordnet ist, so dass mehrere modifizierte Bereiche in dem Wafer entlang der wenigstens einen Trennlinie ausgebildet werden.
  • Der von der Rückseite des Wafers aus aufgebrachte gepulste Laserstrahl kann der gleiche gepulste Laserstrahl sein, wie der, der von der Vorderseite des Wafers aus aufgebracht wird, oder ein unterschiedlicher gepulster Laserstrahl.
  • Die durch das Aufbringen des gepulsten Laserstrahls von der Rückseite des Wafers aus ausgebildeten modifizierten Bereiche können im Wesentlichen in der gleichen Weise wie die modifizierten Bereiche ausgebildet werden, die durch Aufbringen des gepulsten Laserstrahls von der Vorderseite des Wafers aus ausgebildet werden.
  • Die Schutzfolie kann so auf die Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, aufgebracht werden, dass in dem gesamten Bereich, in dem die vordere Oberfläche der Schutzfolie mit der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, in Kontakt steht, die vordere Oberfläche der Schutzfolie in unmittelbarem Kontakt mit der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, steht. Somit liegt zwischen der vorderen Oberfläche der Schutzfolie und der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, kein Material, insbesondere kein Haftmittel, vor.
  • Auf diese Weise kann das Risiko einer möglichen Verunreinigung oder Beschädigung des Wafers, zum Beispiel wegen einer Haftkraft einer Haftmittelschicht oder Haftmittelrückständen an dem Wafer, zuverlässig beseitigt werden.
  • Alternativ kann die Schutzfolie mit einer Haftmittelschicht versehen werden, wobei die Haftmittelschicht nur in einem Umfangsbereich der vorderen Oberfläche der Schutzfolie vorgesehen wird, der Umfangsbereich den mittleren Bereich der vorderen Oberfläche der Schutzfolie umgibt und die Schutzfolie so auf die Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, aufgebracht wird, dass die Haftmittelschicht nur mit einem Umfangsabschnitt der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, in Kontakt kommt. Der Umfangsabschnitt der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, kann einem an der einen Seite des Wafers ausgebildeten Umfangrandbereich entsprechen.
  • Auf diese Weise kann die Anbringung der Schutzfolie an dem Wafer weiter verbessert werden. Da die Haftmittelschicht nur in dem Umfangsbereich der vorderen Oberfläche der Schutzfolie vorgesehen wird, wird der Bereich, in dem Schutzfolie und Wafer durch die Haftmittelschicht aneinander angebracht werden, verglichen mit einem Fall, in dem eine Haftmittelschicht an der gesamten vorderen Oberfläche der Schutzfolie vorgesehen ist, erheblich verringert. Daher kann die Schutzfolie leichter von dem Wafer abgenommen werden und wird das Risiko einer Beschädigung des Wafers, insbesondere von an dessen Rückseite ausgebildeten Vorsprüngen, erheblich verringert.
  • Das Haftmittel der Haftmittelschicht kann durch einen äußeren Impuls, wie zum Beispiel Wärme, UV-Strahlung, ein elektrisches Feld und/oder eine chemische Substanz, härtbar sein. In diesem Fall kann die Schutzfolie nach der Bearbeitung besonders leicht von dem Wafer entfernt werden.
  • Der äußere Impuls kann auf das Haftmittel aufgebracht werden, so dass dessen Haftkraft verringert wird, wodurch ein leichtes Entfernen der Schutzfolie ermöglicht wird.
  • Zum Beispiel kann die Haftmittelschicht eine im Wesentlichen ringförmige Form, eine offene rechteckige Form oder eine offene quadratische Form, das heißt eine rechteckige bzw. quadratische Form mit einer Öffnung in der Mitte der Haftmittelschicht, aufweisen.
  • Die Schutzfolie kann aufweitbar sein. Die Schutzfolie kann aufgeweitet werden, wenn sie auf die Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, aufgebracht wird. Falls Vorsprünge an der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, vorliegen, kann die Schutzfolie so aufgeweitet werden, wenn sie auf die Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, aufgebracht wird, dass sie dem Profil dieser Vorsprünge dicht oder zumindest teilweise folgt.
  • Insbesondere kann die Schutzfolie auf das Zweifache ihrer ursprünglichen Größe oder mehr, vorzugsweise auf das Dreifache ihrer ursprünglichen Größe oder mehr und bevorzugter auf das Vierfache ihrer ursprünglichen Größe oder mehr aufweitbar sein. Auf diese Weise kann, insbesondere für den Fall einer Aufweitung auf das Drei- oder Vierfache deren ursprünglicher Größe oder mehr, zuverlässig gewährleistet werden, dass die Schutzfolie dem Profil der Vorsprünge folgt.
  • Falls die Schutzfolie aufweitbar ist, kann sie zum Trennen der Bauelemente voneinander verwendet werden. Insbesondere kann das Verfahren ferner umfassen, die Schutzfolie nach dem Bearbeiten der einen Seite des Wafers und/oder der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, radial aufzuweiten, um so die Bauelemente voneinander zu trennen.
  • Zum Beispiel kann der Wafer beispielsweise durch einen mechanischen Schneidvorgang, einen Laserschneidvorgang oder einen Plasmaschneidvorgang oder durch einen Vorgang des Zerteilens vor dem Schleifen vollständig geteilt werden. Nachfolgend können die vollständig geteilten Bauelemente, die in der Form von Bausteinen oder Chips vorliegen können, durch radiales Aufweiten der Schutzfolie voneinander weg bewegt werden, wodurch die Abstände zwischen nebeneinanderliegenden Bauelementen vergrößert werden.
  • Alternativ kann der Wafer einem Stealthzerteilvorgang, das heißt einem Vorgang, in dem modifizierte Bereiche durch das Aufbringen eines Laserstrahls innerhalb des Wafers ausgebildet werden, wie oben dargelegt wurde, unterzogen werden. Anschließend kann der Wafer entlang der wenigstens einen Trennlinie, an der die modifizierten Bereiche ausgebildet sind, durch radiales Aufweiten der Schutzfolie geteilt, zum Beispiel gebrochen, werden, wodurch einzelne Bausteine oder Chips erhalten werden.
  • Als eine Alternative zum radialen Aufweiten der Schutzfolie kann ein separates Aufweitband, zum Beispiel nachdem die Schutzfolie entfernt wurde, an der Waferrückseite angebracht werden. Nachfolgend können die Bauelemente durch radiales Aufweiten des Aufweitbands voneinander getrennt werden.
  • Die Schutzfolie kann aus einem einzelnen Material, insbesondere einem einzelnen homogenen Material, bestehen.
  • Die Schutzfolie kann aus einem Kunststoffmaterial, wie zum Beispiel einem Polymer, bestehen. Besonders bevorzugt besteht die Schutzfolie aus einem Polyolefin. Zum Beispiel kann die Schutzfolie aus Polyethylen (PE), Polypropylen (PP) oder Polybutylen (PB) bestehen.
  • Polyolefinfolien weisen Materialeigenschaften auf, die für die Verwendung in den Waferbearbeitungsverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung besonders vorteilhaft sind, insbesondere falls das Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie ein Erwärmen der Schutzfolie umfasst oder daraus besteht. Polyolefinfolien sind biegsam, dehnbar und weich, wenn sie sich in einem erwärmten Zustand befinden, zum Beispiel wenn sie auf eine Temperatur im Bereich von 60 °C bis 150 °C erwärmt werden. Daher kann besonders zuverlässig gewährleistet werden, dass sich die Schutzfolie an die Waferoberfläche an der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, anpasst, wodurch zum Beispiel die Wafertopographie absorbiert wird. Dies ist besonders vorteilhaft, wenn die Waferrückseite mit Vorsprüngen oder Erhebungen ausgebildet ist, die von einer ebenen Oberfläche des Wafers hervorstehen.
  • Ferner erhärten und versteifen sich Polyolefinfolien beim Abkühlen, so dass sie im abgekühlten Zustand steifer und robuster werden. Daher kann ein besonders zuverlässiger Schutz des Wafers während der nachfolgenden Bearbeitung des Wafers, wie zum Beispiel eines Schneidens des Wafers, gewährleistet werden.
  • Die Schutzfolie kann eine Dicke im Bereich von 5 bis 200 µm, vorzugsweise 8 bis 100 µm, bevorzugter 10 bis 80 µm und noch bevorzugter 12 bis 50 µm aufweisen. Besonders bevorzugt weist die Schutzfolie eine Dicke im Bereich von 80 bis 150 µm auf.
  • Auf diese Weise kann besonders zuverlässig gewährleistet werden, dass die Schutzfolie flexibel und biegsam genug ist, um sich ausreichend an das Profil von an der Waferrückseite ausgebildeten Vorsprüngen anzupassen, falls solche Vorsprünge vorliegen, und gleichzeitig eine ausreichende Dicke aufweist, um den Wafer während der Bearbeitung von dessen Vorderseite und/oder Rückseite zuverlässig und effizient zu schützen. Eine Dämpferschicht kann an einer hinteren Oberfläche der Schutzfolie, die deren vorderer Oberfläche gegenüberliegt, angebracht werden.
  • Dieser Ansatz ist besonders vorteilhaft, falls Vorsprünge oder Erhebungen, wie zum Beispiel eine Oberflächenunebenheit oder -rauigkeit, Bumps, optische Elemente, wie zum Beispiel optische Linsen, andere Strukturen oder dergleichen, von der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, entlang der Dickenrichtung des Wafers hervorstehen, sich von dieser erstrecken oder von dieser vorspringen. In diesem Fall definieren die Vorsprünge oder Erhebungen eine Oberflächenstruktur oder -topographie der Waferrückseite, wodurch diese Seite uneben wird.
  • Falls die Dämpferschicht an der hinteren Oberfläche der Schutzfolie angebracht wird, können solche Vorsprünge in der Dämpferschicht eingebettet werden. Daher kann ein negativer Einfluss der Oberflächenunebenheit, die aus dem Vorliegen der Vorsprünge entsteht, auf nachfolgende Waferbearbeitungsschritte, wie zum Beispiel ein Schneiden, beseitigt werden. Insbesondere kann die Dämpferschicht erheblich dazu beitragen, eine besonders gleichmäßige und einheitliche Verteilung des Drucks während eines Schneidvorgangs zu erzielen.
  • Durch Einbetten der Vorsprünge in der Dämpferschicht werden die Vorsprünge, wie zum Beispiel optische Elemente oder andere Strukturen, zuverlässig vor einer Beschädigung während der Waferbearbeitung, zum Beispiel in einem nachfolgenden Schneidschritt, geschützt.
  • Das Material der Dämpferschicht ist nicht besonders eingeschränkt. Insbesondere kann die Dämpferschicht aus einer beliebigen Art von Material ausgebildet werden, die ermöglicht, dass entlang der Dickenrichtung des Wafers hervorstehende Vorsprünge darin eingebettet werden. Zum Beispiel kann die Dämpferschicht aus einem Harz, einem Haftmittel, einem Gel oder dergleichen ausgebildet werden.
  • Die Dämpferschicht kann durch einen äußeren Impuls, wie zum Beispiel UV-Strahlung, Wärme, ein elektrisches Feld und/oder eine chemische Substanz, härtbar sein. In diesem Fall härtet die Dämpferschicht beim Aufbringen des äußeren Impulses darauf zumindest bis zu einem gewissen Grad aus. Zum Beispiel kann die Dämpferschicht aus einem härtbaren Harz, einem härtbaren Haftmittel, einem härtbaren Gel oder dergleichen ausgebildet sein.
  • Die Dämpferschicht kann so ausgelegt sein, dass sie nach deren Aushärten ein gewisses Maß an Kompressibilität, Elastizität und/oder Flexibilität aufweist, das heißt nach dem Aushärten kompressibel, elastisch und/oder flexibel ist. Zum Beispiel kann die Dämpferschicht so beschaffen sein, dass sie durch Aushärten in einen gummiartigen Zustand gebracht wird. Alternativ kann die Dämpferschicht so ausgelegt sein, dass sie nach dem Aushärten einen steifen, harten Zustand erreicht.
  • Bevorzugte Beispiele UV-härtender Harze zur Verwendung als Dämpferschicht in den Verfahren gemäß der Erfindung sind ResiFlat von DISCO Corporation und TEMPLOC von DENKA.
  • Das Verfahren kann ferner ein Aufbringen des äußeren Impulses auf die Dämpferschicht, um so die Dämpferschicht auszuhärten, vor dem Bearbeiten, zum Beispiel einem Schneiden, des Wafers umfassen. Auf diese Weise können der Schutz des Wafers während des Schneidens und die Schneidgenauigkeit weiter verbessert werden.
  • Die Dämpferschicht kann bis zu einer Temperatur von 180 °C oder mehr, vorzugsweise bis zu einer Temperatur von 220 °C oder mehr, bevorzugter bis zu einer Temperatur von 250 °C oder mehr und noch bevorzugter bis zu einer Temperatur von 300 °C oder mehr wärmebeständig sein.
  • Die Dämpferschicht kann eine Dicke im Bereich von 10 bis 300 µm, vorzugsweise 20 bis 250 µm und bevorzugter 50 bis 200 µm aufweisen.
  • Die Dämpferschicht kann an der hinteren Oberfläche der Schutzfolie angebracht werden, bevor die Schutzfolie auf die Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, aufgebracht wird.
  • In diesem Fall können die Schutzfolie und die Dämpferschicht zuerst geschichtet werden, wodurch eine Schutzabdeckung ausgebildet wird, welche die Dämpferschicht und die an der Dämpferschicht angebrachte Schutzfolie umfasst. Die in dieser Weise ausgebildete Schutzabdeckung kann nachfolgend auf die Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, aufgebracht werden, zum Beispiel so, dass Vorsprünge oder Erhebungen, die von der ebenen Oberfläche des Wafers hervorstehen, durch die Schutzfolie abgedeckt und in die Schutzfolie und die Dämpferschicht eingebettet werden. Die Schutzabdeckung kann so aufgebracht werden, dass die hintere Oberfläche der Dämpferschicht im Wesentlichen parallel zu der einen Seite des Wafers ist. Die vordere Oberfläche der Schutzfolie wird auf die Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, aufgebracht, wenn die Schutzabdeckung auf die Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, aufgebracht wird.
  • Auf diese Weise kann das Waferbearbeitungsverfahren in einer besonders einfachen und effizienten Weise durchgeführt werden. Zum Beispiel kann die Schutzabdeckung im Voraus vorbereitet, zur späteren Verwendung gelagert und, wenn erforderlich, zur Waferbearbeitung verwendet werden. Die Schutzabdeckung kann daher in großen Mengen hergestellt werden, wodurch deren Herstellung hinsichtlich sowohl der Zeit als auch der Kosten besonders effizient wird.
  • Die Dämpferschicht kann an die hintere Oberfläche der Schutzfolie angebracht werden, nachdem die Schutzfolie auf die Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, aufgebracht wurde.
  • In diesem Fall wird die Schutzfolie zuerst auf die Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, aufgebracht und nachfolgend die Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, welche die darauf aufgebrachte Schutzfolie aufweist, an der vorderen Oberfläche der Dämpferschicht angebracht, zum Beispiel so, dass Vorsprünge oder Erhebungen, die von der ebenen Oberfläche des Wafers hervorstehen, in der Schutzfolie und der Dämpferschicht eingebettet werden und die hintere Oberfläche der Dämpferschicht im Wesentlichen parallel zu der einen Seite des Wafers ist. Dieser Ansatz ermöglicht es, die Schutzfolie mit einem besonders hohen Maß an Genauigkeit an der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, anzubringen, insbesondere mit Bezug auf Vorsprünge oder Erhebungen, die von der ebenen Oberfläche des Wafers hervorstehen.
  • Die Dämpferschicht kann an der hinteren Oberfläche der Schutzfolie angebracht werden bevor und/oder während und/oder nachdem die Schutzfolie an der einen Seite des Wafers angebracht wird.
  • Das Verfahren kann ferner ein Entfernen der Schutzfolie und der Dämpferschicht von dem Wafer umfassen. Die Schutzfolie und die Dämpferschicht können von dem Wafer nach der Bearbeitung, wie zum Beispiel einem Schneiden, des Wafers entfernt werden.
  • Die Dämpferschicht und die Schutzfolie können einzeln, das heißt eine nach der anderen, entfernt werden. Zum Beispiel kann zuerst die Dämpferschicht entfernt werden, gefolgt dem Entfernen der Schutzfolie oder Schutzschicht. Alternativ können die Dämpferschicht und die Schutzfolie zusammen entfernt werden.
  • Eine Basisschicht kann an der hinteren Oberfläche der Dämpferschicht, die deren vorderer Oberfläche, die an der Schutzfolie angebracht wird, gegenüberliegt, angebracht werden.
  • Das Material der Basisschicht ist nicht besonders eingeschränkt. Die Basisschicht kann aus einem weichen oder biegsamen Material, wie zum Beispiel einem Polymermaterial, beispielsweise Polyvinylchlorid (PVC), Ethylenvinylacetat (EVA) oder einem Polyolefin, bestehen.
  • Alternativ kann die Basisschicht aus einem steifen oder harten Material, wie zum Beispiel Polyethylenterephthalat (PET) und/oder Silizium und/oder Glas und/oder Edelstahl (SUS), bestehen.
  • Zum Beispiel kann, falls die Basisschicht aus Polyethylenterephthalat (PET) oder Glas besteht, und die Dämpferschicht durch einen äußeren Impuls härtbar ist, die Dämpferschicht mit Strahlung ausgehärtet werden, die durch Polyethylenterephthalat (PET) oder Glas transmittiert werden kann, wie zum Beispiel UV-Strahlung. Falls die Basisschicht aus Silizium oder Edelstahl (SUS) besteht, wird eine kosteneffiziente Basisschicht bereitgestellt.
  • Die Basisschicht kann auch aus einer Kombination der oben aufgezählten Materialien ausgebildet sein.
  • Die Basisschicht kann bis zu einer Temperatur von 180 °C oder mehr, vorzugsweise bis zu einer Temperatur von 220 °C oder mehr, bevorzugter bis zu einer Temperatur von 250 °C oder mehr und noch bevorzugter bis zu einer Temperatur von 300 °C oder mehr wärmebeständig sein.
  • Die Basisschicht kann eine Dicke im Bereich von 30 bis 1500 µm, vorzugsweise 40 bis 1200 µm und bevorzugter 50 bis 1000 µm aufweisen.
  • Die Dämpferschicht und die Basisschicht können vor oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie auf die Rückseite des Wafers an der hinteren Oberfläche der Schutzfolie angebracht werden. Insbesondere können die Schutzfolie, die Dämpferschicht und die Basisschicht zuerst geschichtet werden, wodurch eine Schutzabdeckung ausgebildet wird, welche die Basisschicht, die Dämpferschicht und die an der Dämpferschicht angebrachte Schutzfolie umfasst. Die in dieser Weise ausgebildete Schutzabdeckung kann nachfolgend auf die Waferrückseite aufgebracht werden.
  • Die vordere Oberfläche der Basisschicht kann mit der hinteren Oberfläche der Dämpferschicht in Kontakt stehen, und eine hintere Oberfläche der Basisschicht, die deren vorderer Oberfläche gegenüberliegt, kann im Wesentlichen parallel zu der einen Seite des Wafers sein. Daher kann, wenn die eine Seite des Wafers bearbeitet, wie zum Beispiel geschnitten, wird, ein geeigneter Gegendruck auf die hintere Oberfläche der Basisschicht ausgeübt werden, zum Beispiel indem diese hintere Oberfläche auf einem Einspanntisch angeordnet wird.
  • In diesem Fall wird, da die ebene hintere Oberfläche der Basisschicht im Wesentlichen parallel zu der Vorderseite des Wafers ist, der Druck, der während der Bearbeitung, wie zum Beispiel eines Schneidvorgangs, beispielsweise durch eine Schneid- oder Zerteilklinge einer Schneidvorrichtung, auf den Wafer ausgeübt wird, gleichmäßiger und einheitlicher über den Wafer verteilt, wodurch das Risiko eines Brechens des Wafers minimiert wird. Ferner ermöglicht die im Wesentlichen parallele Ausrichtung der ebenen, gleichmäßigen hinteren Oberfläche der Basisschicht und der Vorderseite des Wafers, einen Schneidschritt mit einem hohen Maß an Genauigkeit durchzuführen, wodurch die Herstellung von Bausteinen oder Chips mit hoher Qualität und mit gut definierten Formen und Größen erreicht wird.
  • Das Verfahren kann ferner umfassen, die Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, insbesondere vor dem Aufbringen der Schutzfolie auf den Wafer, zu schleifen und/oder zu polieren und/oder zu ätzen, zum Beispiel zu plasmaätzen. Die Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, kann zum Einstellen der Waferdicke geschliffen werden.
  • Die Erfindung stellt ferner ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers bereit, der an einer Seite einen Bauelementbereich mit mehreren Bauelementen aufweist, wobei wenigstens eine Trennlinie an der einen Seite des Wafers ausgebildet ist. Das Verfahren umfasst ein Entfernen von Wafermaterial entlang der wenigstens einen Trennlinie von der einen Seite des Wafers aus, ein Bereitstellen einer Schutzfolie und, nach dem Entfernen von Wafermaterial entlang der wenigstens einen Trennlinie, ein Aufbringen der Schutzfolie auf die eine Seite des Wafers zum Abdecken der Bauelemente an dem Wafer, so dass zumindest ein mittlerer Bereich einer vorderen Oberfläche der Schutzfolie in unmittelbarem Kontakt mit der einen Seite des Wafers steht. Das Verfahren umfasst ferner ein Aufbringen eines äußeren Impulses auf die Schutzfolie während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie auf die eine Seite des Wafers, so dass die Schutzfolie an der einen Seite des Wafers angebracht wird, und, nach dem Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie, ein Schleifen der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, um die Waferdicke einzustellen. Das Wafermaterial wird nur entlang eines Teils der Dicke des Wafers entfernt und das Schleifen der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, wird entlang eines verbleibenden Teils der Dicke des Wafers, in dem kein Wafermaterial entfernt wurde, durchgeführt, um so den Wafer entlang der wenigstens einen Trennlinie zu teilen.
  • Der Wafer kann die Eigenschaften, Charakteristiken und Merkmale, die oben im Einzelnen beschrieben wurden, aufweisen.
  • Der Wafer kann eine beliebige Art von Form aufweisen. In einer Draufsicht darauf kann der Wafer zum Beispiel eine Kreisform, eine ovale Form, eine elliptische Form oder eine Polygonform, wie zum Beispiel eine rechteckige Form oder eine quadratische Form, aufweisen.
  • Die Schutzfolie kann die Eigenschaften, Charakteristiken und Merkmale aufweisen, die oben im Einzelnen beschrieben wurden. Insbesondere kann die Schutzfolie in Kombination mit einer Dämpferschicht oder in Kombination mit einer Dämpferschicht und einer Basisschicht verwendet werden, wie oben im Einzelnen beschrieben wurde.
  • Die Schutzfolie kann eine beliebige Art von Form aufweisen. In einer Draufsicht darauf kann die Schutzfolie zum Beispiel eine Kreisform, eine ovale Form, eine elliptische Form oder eine Polygonform, wie zum Beispiel eine rechteckige Form oder eine quadratische Form, aufweisen.
  • Die Schutzfolie kann im Wesentlichen die gleiche Form oder die gleiche Form wie der Wafer aufweisen.
  • Die Schutzfolie kann auf die eine Seite des Wafers in der gleichen Weise aufgebracht werden, wie oben für das Aufbringen der Schutzfolie auf die Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, dargelegt wurde.
  • Insbesondere wird die Schutzfolie auf die eine Seite des Wafers, das heißt auf die Wafervorderseite, so aufgebracht, dass zumindest der mittlere Bereich der vorderen Oberfläche der Schutzfolie in unmittelbarem Kontakt mit der einen Seite des Wafers steht. Daher liegt zwischen zumindest dem mittleren Bereich der vorderen Oberfläche der Schutzfolie und der einen Seite des Wafers kein Material, insbesondere kein Haftmittel, vor.
  • Deshalb kann das Risiko einer möglichen Verunreinigung oder Beschädigung des Wafers, insbesondere der in dem Bauelementbereich ausgebildeten Bauelemente, zum Beispiel wegen einer Haftkraft einer Haftmittelschicht oder Haftmittelrückständen an dem Wafer, erheblich verringert oder sogar beseitigt werden.
  • Der äußere Impuls und der Vorgang des Aufbringens des äußeren Impulses auf die Schutzfolie können die Eigenschaften, Charakteristiken und Merkmale aufweisen, die oben im Einzelnen beschrieben wurden.
  • Insbesondere kann das Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie ein Erwärmen der Schutzfolie und/oder ein Kühlen der Schutzfolie und/oder ein Aufbringen eines Vakuums auf die Schutzfolie und/oder ein Bestrahlen der Schutzfolie mit Strahlung, wie zum Beispiel Licht, beispielsweise durch Verwendung eines Laserstrahls, umfassen oder daraus bestehen.
  • Der äußere Impuls kann eine chemische Verbindung und/oder eine Elektronen- oder Plasmabestrahlung und/oder eine mechanische Behandlung, wie zum Beispiel Druck, Reibung oder ein Aufbringen von Ultraschall, und/oder statische Elektrizität umfassen oder sein.
  • Besonders bevorzugt umfasst das Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie ein Erwärmen der Schutzfolie oder besteht das Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie aus einem Erwärmen der Schutzfolie. Zum Bespiel kann das Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie ein Erwärmen der Schutzfolie und ein Aufbringen eines Vakuums auf die Schutzfolie umfassen oder daraus bestehen. In diesem Fall kann das Vakuum während und/oder vor und/oder nach dem Erwärmen der Schutzfolie auf die Schutzfolie aufgebracht werden.
  • Falls das Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie ein Erwärmen der Schutzfolie umfasst oder daraus besteht, kann das Verfahren ferner umfassen, die Schutzfolie nach dem Erwärmvorgang abkühlen zu lassen. Insbesondere kann der Schutzfolie gestattet werden, auf ihre Anfangstemperatur, das heißt auf deren Temperatur vor dem Erwärmvorgang, abzukühlen. Es kann der Schutzfolie vor dem Schleifen der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, das heißt der Waferrückseite, gestattet werden, abzukühlen, zum Beispiel auf deren Anfangstemperatur abzukühlen.
  • Das Wafermaterial kann entlang der wenigstens einen Trennlinie in der gleichen Weise wie oben dargelegt entfernt werden.
  • Insbesondere kann das Wafermaterial entlang der wenigstens einen Trennlinie mechanisch entfernt werden. Zum Beispiel kann das Wafermaterial entlang der wenigstens einen Trennlinie entfernt werden, indem der Wafer entlang der wenigstens einen Trennlinie, zum Beispiel durch Klingenzerteilen oder Sägen, mechanisch geschnitten wird. Alternativ oder zusätzlich kann das Wafermaterial entlang der wenigstens einen Trennlinie durch Laserschneiden und/oder durch Plasmaschneiden entfernt werden.
  • Der Vorgang des Entfernens von Wafermaterial entlang der wenigstens einen Trennlinie kann so durchgeführt werden, dass in der Ebene des Wafers Wafermaterial vollständig bis zu seitlichen Rändern des Wafers entfernt wird, oder so, dass in einem Umfangsabschnitt des Wafers, zum Beispiel in dem Umfangsrandbereich, kein Wafermaterial entfernt wird. Falls in einem Umfangsabschnitt des Wafers kein Wafermaterial entfernt wird, kann der Bauelementbereich besonders zuverlässig vor Verunreinigung geschützt werden. Insbesondere kann die Schutzfolie an dem Umfangsabschnitt des Wafers in besonders dichtem Kontakt zu der Waferoberfläche angebracht werden, wodurch der Bauelementbereich effizient abgedichtet wird.
  • Bei dem Verfahren wird das Schleifen der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, entlang eines verbleibendes Teils der Dicke des Wafers, in dem kein Wafermaterial entfernt wurde, durchgeführt, so dass der Wafer entlang der wenigstens einen Trennlinie geteilt wird. Durch Teilen des Wafers in dem Schleifschritt auf diese Weise kann der Wafer in einer besonders zuverlässigen, genauen und effizienten Weise bearbeitet werden. Speziell wird der Schritt des Entfernens von Wafermaterial entlang der wenigstens einen Trennlinie an dem Wafer vor dem Schleifen, das heißt vor einer Verringerung von dessen Dicke, durchgeführt. Daher kann eine Verformung des Wafers während der Materialentfernung, zum Beispiel während eines Schneidens, entlang der wenigstens einen Trennlinie, wie zum Beispiel eine Waferkrümmung oder dergleichen, zuverlässig vermieden werden. Ferner wird die auf den Wafer während der Wafermaterialentfernung entlang der wenigstens einen Trennlinie aufgebrachte Spannung erheblich verringert, wodurch ermöglicht wird, Bausteine oder Chips mit einer erhöhten Chipfestigkeit zu erhalten. Eine Beschädigung der resultierenden Bausteine oder Chips, wie zum Beispiel die Ausbildung von Rissen oder ein Abplatzen der Rückseite, kann verhindert werden.
  • Außerdem wird, da das Wafermaterial entlang der wenigstens einen Trennlinie nur entlang eines Teils der Waferdicke entfernt wird, die Effizienz, insbesondere die Bearbeitungsgeschwindigkeit, des Wafermaterialentfernvorgangs erhöht. Außerdem wird die Betriebsdauer eines Mittels, wie zum Beispiel eines Schneidmittels, das für den Wafermaterialentfernschritt verwendet wird, verlängert.
  • Während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie auf die eine Seite des Wafers wird der äußere Impuls auf die Schutzfolie aufgebracht, so dass die Schutzfolie an der einen Seite des Wafers angebracht wird. Eine Anbringkraft zwischen Schutzfolie und Wafer, welche die Schutzfolie in ihrer Position an dem Wafer hält, wird somit durch das Aufbringen des äußeren Impulses erzeugt. Daher ist kein zusätzliches Haftmittelmaterial zum Anbringen der Schutzfolie an der einen Seite des Wafers erforderlich. Insbesondere kann durch Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie ein Formschluss, wie zum Beispiel eine formschlüssige Verbindung, und/oder Stoffschluss, wie zum Beispiel eine stoffschlüssige Verbindung, zwischen der Schutzfolie und dem Wafer ausgebildet werden.
  • Das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung ermöglicht somit eine zuverlässige und effiziente Bearbeitung eines Wafers mit einem Bauelementbereich, wobei das Risiko einer Verunreinigung und Beschädigung des Wafers minimiert wird.
  • Die Wafervorderseitenoberfläche kann eine im Wesentlichen ebene, gleichmäßige Oberfläche oder eine ebene, gleichmäßige Oberfläche sein.
  • Alternativ kann der Bauelementbereich mit mehreren Vorsprüngen oder Erhebungen ausgebildet sein, die von einer ebenen Oberfläche des Wafers hervorstehen. Die von der ebenen Oberfläche des Wafers hervorstehenden Vorsprünge oder Erhebungen können in der Schutzfolie eingebettet werden.
  • Die Vorsprünge oder Erhebungen, wie zum Beispiel Bumps, können von einer ebenen Oberfläche des Wafers, die eine im Wesentlichen glatte Oberfläche ist, hervorstehen, sich von dieser erstrecken oder von dieser vorspringen. Die Vorsprünge oder Erhebungen können eine Oberflächenstruktur oder - topographie der einen Seite des Wafers, das heißt von dessen Vorderseite, definieren, wodurch diese eine Seite uneben wird.
  • Diese Vorsprünge oder Erhebungen können zum Beispiel zum Herstellen eines elektrischen Kontakts mit den Bauelementen in einzelnen Bausteinen oder Chips verwendet werden, nachdem der Wafer geteilt wurde, zum Beispiel wenn die Bausteine oder Chips in elektronische Geräte, wie zum Beispiel Mobiltelefone und PCs, aufgenommen werden.
  • Die Vorsprünge können unregelmäßig oder in einem gleichmäßigen Muster angeordnet sein. Nur einige der Vorsprünge können in einem gleichmäßigen Muster angeordnet sein.
  • Die Vorsprünge können eine beliebige Art von Form aufweisen. Zum Beispiel können einige oder alle der Vorsprünge die Form von Kugeln, Halbkugeln, Pfeilern oder Säulen, zum Beispiel Pfeilern oder Säulen mit einem kreisförmigen, elliptischen oder polygonalen, wie zum Beispiel dreieckigen, quadratischen etc., Querschnitt oder mit einer kreisförmigen, elliptischen oder polygonalen, wie zum Beispiel dreieckigen, quadratischen etc., Grundfläche, Kegeln, Kegelstümpfen oder Stufen aufweisen.
  • Wenigstens einige der Vorsprünge können aus Elementen entstehen, die an der ebenen Oberfläche des Wafers ausgebildet sind. Wenigstens einige der Vorsprünge können aus Elementen entstehen, die den Wafer in dessen Dickenrichtung teilweise oder vollständig durchdringen, wie zum Beispiel für den Fall einer Silizium-Durchkontaktierung (TSV). Diese letzteren Elemente können sich entlang eines Teils der Waferdicke oder entlang der gesamten Waferdicke erstrecken.
  • Die Vorsprünge können eine Höhe in der Dickenrichtung des Wafers im Bereich von 20 bis 500 µm, vorzugsweise 30 bis 400 µm, bevorzugter 40 bis 250 µm, noch bevorzugter 50 bis 200 µm und sogar noch bevorzugter 70 bis 150 µm aufweisen.
  • Alle Vorsprünge können im Wesentlichen die gleiche Form und/oder Größe aufweisen. Alternativ können sich wenigstens einige der Vorsprünge hinsichtlich der Form und/oder der Größe voneinander unterscheiden.
  • Bei dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung können die Vorsprünge oder Erhebungen, die von der ebenen Oberfläche des Wafers hervorstehen, in der Schutzfolie eingebettet werden. Daher kann ein negativer Einfluss der Oberflächenunebenheit, die aus dem Vorliegen der Vorsprünge in dem Bauelementbereich entsteht, auf nachfolgende Waferbearbeitungsschritte, insbesondere das Schleifen der Waferrückseite, verringert oder sogar beseitigt werden.
  • Insbesondere können die Vorsprünge durch Einbetten der Vorsprünge in der Schutzfolie vor einer Beschädigung während der Waferbearbeitung, zum Beispiel in dem nachfolgenden Schleifschritt, geschützt werden.
  • Ferner können die Vorsprünge des Bauelementbereichs an der Vorderseite des Wafers wegen der verringerten Dicke des Wafers und des in dem Schleifvorgang auf diesen ausgebübten Drucks eine Verformung der Waferrückseite bewirken, falls der Wafer auf eine geringe Dicke, zum Beispiel eine Dicke im µm-Bereich, geschliffen wird. Dieser letztere Effekt wird als „Musterübertragung“ bezeichnet, da das Muster der Vorsprünge an der Wafervorderseite auf die Waferrückseite übertragen wird, und führt zu einer unerwünschten Unebenheit der Rückseitenoberfläche des Wafers, wodurch die Qualität der resultierenden Bausteine oder Chips beeinträchtigt wird.
  • Die Schutzfolie wirkt als ein Dämpfer oder Puffer zwischen der Wafervorderseite und zum Beispiel einer Auflage oder einem Träger, an der oder dem die Wafervorderseite während der Bearbeitung, wie zum Beispiel des Schleifens und/oder eines Polierens, der Waferrückseite aufliegt, wodurch dazu beigetragen wird, eine gleichmäßige und einheitliche Verteilung des Drucks während der Bearbeitung zu erreichen. Daher kann eine Musterübertragung oder ein Brechen des Wafers während der Bearbeitung, insbesondere des Schleifens, von dessen Rückseite verhindert werden.
  • Die Schutzfolie kann aufweitbar sein. Die Schutzfolie kann aufgeweitet werden, wenn sie auf die eine Seite des Wafers aufgebracht wird. Falls Vorsprünge an der einen Seite des Wafers vorliegen, kann die Schutzfolie so aufgeweitet werden, wenn sie auf die eine Seite des Wafers aufgebracht wird, dass sie dem Profil dieser Vorsprünge dicht oder zumindest teilweise folgt.
  • Insbesondere kann die Schutzfolie auf das Zweifache ihrer ursprünglichen Größe oder mehr, vorzugsweise auf das Dreifache ihrer ursprünglichen Größe oder mehr und bevorzugter auf das Vierfache ihrer ursprünglichen Größe oder mehr aufweitbar sein. Auf diese Weise kann, insbesondere für den Fall einer Aufweitung auf das Drei- oder Vierfache deren ursprünglicher Größe oder mehr, zuverlässig gewährleistet werden, dass die Schutzfolie dem Profil der Vorsprünge folgt.
  • Falls die Schutzfolie aufweitbar ist, kann sie zum Trennen der Bauelemente voneinander verwendet werden. Insbesondere kann das Verfahren ferner umfassen, nach dem Schleifen der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, die Schutzfolie radial aufzuweiten, um so die Bauelemente voneinander zu trennen.
  • Der Wafer wird durch das Schleifen von dessen Rückseite vollständig entlang der wenigstens einen Trennlinie geteilt, wie oben dargelegt wurde. Nachfolgend können die vollständig geteilten Bauelemente, die in der Form von Bausteinen oder Chips vorliegen können, voneinander weg bewegt werden, indem die Schutzfolie radial aufgeweitet wird, wodurch die Abstände zwischen nebeneinanderliegenden Bauelementen vergrößert werden. Auf diese Weise kann eine Beschädigung der Bauelemente aufgrund eines unbeabsichtigten Kontakts zwischen diesen, zum Beispiel weil nebeneinanderliegende Bauelemente einander berühren oder aneinander reiben, zuverlässig vermieden werden.
  • Das Verfahren kann umfassen, nach dem Schleifen der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, ein aufweitbares Haftband, wie zum Beispiel ein Aufweitband, an der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, anzubringen und das Haftband radial aufzuweiten, um so die Bauelemente voneinander zu trennen. Auch auf diese Weise können die vollständig geteilten Bauelemente voneinander weg bewegt werden, wodurch die Abstände zwischen nebeneinanderliegenden Bauelementen vergrößert werden. Dieser Ansatz ist besonders vorteilhaft, falls eine Schutzfolie verwendet wird, die nicht aufweitbar ist.
  • Vor dem Anbringen des Haftbands an der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, kann die Schutzfolie entfernt werden.
  • Das Verfahren kann ferner umfassen, nach dem Schleifen der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, die Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, zu polieren und/oder zu ätzen, zum Beispiel zu plasmaätzen.
  • Die Schutzfolie kann so auf die eine Seite des Wafers aufgebracht werden, dass in dem gesamten Bereich, in dem die vordere Oberfläche der Schutzfolie in Kontakt mit der einen Seite des Wafers steht, die vordere Oberfläche der Schutzfolie in unmittelbarem Kontakt mit der einen Seite des Wafers steht. Somit liegt kein Material, insbesondere kein Haftmittel, zwischen der vorderen Oberfläche der Schutzfolie und der einen Seite des Wafers vor.
  • Auf diese Weise kann das Risiko einer möglichen Verunreinigung oder Beschädigung des Wafers, insbesondere der in dem Bauelementbereich ausgebildeten Bauelemente, beispielsweise wegen einer Haftkraft einer Haftmittelschicht oder Haftmittelrückständen an dem Wafer, zuverlässig beseitigt werden.
  • Alternativ kann die Schutzfolie mit einer Haftmittelschicht versehen werden, wobei die Haftmittelschicht nur in einem Umfangsbereich der vorderen Oberfläche der Schutzfolie vorgesehen wird, der Umfangsbereich den mittleren Bereich der vorderen Oberfläche der Schutzfolie umgibt und die Schutzfolie so auf die eine Seite des Wafers aufgebracht wird, dass die Haftmittelschicht nur mit einem Umfangsabschnitt der einen Seite des Wafers, wie zum Beispiel dem Umfangsrandbereich, in Kontakt kommt.
  • Auf diese Weise kann die Anbringung der Schutzfolie an dem Wafer weiter verbessert werden. Da die Haftmittelschicht nur in dem Umfangsbereich der vorderen Oberfläche der Schutzfolie vorgesehen wird, wird der Bereich, in dem Schutzfolie und Wafer durch die Haftmittelschicht aneinander angebracht sind, verglichen mit einem Fall, in dem eine Haftmittelschicht an der gesamten vorderen Oberfläche der Schutzfolie vorgesehen wird, erheblich verringert. Somit kann die Schutzfolie leichter von dem Wafer abgenommen werden und wird das Risiko einer Beschädigung des Wafers, insbesondere von an dessen Vorderseite, zum Beispiel in dem Bauelementbereich, ausgebildeten Vorsprüngen, erheblich verringert oder sogar beseitigt.
  • Das Haftmittel der Haftmittelschicht kann durch einen äußeren Impuls, wie zum Beispiel Wärme, UV-Strahlung, ein elektrisches Feld und/oder eine chemische Substanz, härtbar sein. Auf diese Weise kann die Schutzfolie nach der Bearbeitung besonders leicht von dem Wafer entfernt werden. Der äußere Impuls kann auf das Haftmittel aufgebracht werden, um so dessen Haftkraft zu verringern, wodurch ein leichtes Entfernen der Schutzfolie ermöglicht wird.
  • Zum Beispiel kann die Haftmittelschicht eine im Wesentlichen ringförmige Form, eine offene rechteckige Form oder eine offene quadratische Form aufweisen.
  • Eine Dämpferschicht kann an einer hinteren Oberfläche der Schutzfolie, die deren vorderer Oberfläche gegenüberliegt, angebracht werden.
  • Die Dämpferschicht kann die Eigenschaften, Charakteristiken und Merkmale aufweisen, die oben im Einzelnen beschrieben wurden. Die Dämpferschicht kann an der hinteren Oberfläche der Schutzfolie in der gleichen Weise wie oben dargelegt angebracht werden. Die oben in Bezug auf die Dämpferschicht vorgebrachte Offenbarung trifft in vollem Umfang zu.
  • Ein Anbringen einer Dämpferschicht an der hinteren Oberfläche der Schutzfolie ist besonders vorteilhaft, falls Vorsprünge oder Erhebungen an der einen Seite des Wafers, insbesondere in dem Bauelementbereich, vorliegen. In diesem Fall definieren die Vorsprünge oder Erhebungen eine Oberflächenstruktur oder -topographie der Wafervorderseite, wodurch diese Seite uneben wird.
  • Falls die Dämpferschicht an der hinteren Oberfläche der Schutzfolie angebracht wird, können solche Vorsprünge in der Dämpferschicht eingebettet werden. Daher kann ein negativer Einfluss der Oberflächenunebenheit, die aus dem Vorliegen der Vorsprünge entsteht, auf nachfolgende Waferbearbeitungsschritte, insbesondere das Schleifen der Waferrückseite, beseitigt werden. Insbesondere kann die Dämpferschicht erheblich dazu beitragen, eine besonders gleichmäßige und einheitliche Verteilung des Drucks während des Schleifvorgangs zu erreichen. Durch Einbetten der Vorsprünge in der Dämpferschicht werden die Vorsprünge zuverlässig vor einer Beschädigung während der Waferbearbeitung, zum Beispiel in dem Schleifschritt, geschützt.
  • Die Dämpferschicht kann so an der hinteren Oberfläche der Schutzfolie angebracht werden, dass die hintere Oberfläche der Dämpferschicht im Wesentlichen parallel zu der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, ist.
  • Die Dämpferschicht kann durch einen äußeren Impuls, wie zum Beispiel UV-Strahlung, Wärme, ein elektrisches Feld und/oder eine chemische Substanz, härtbar sein.
  • Das Verfahren kann ferner umfassen, nach dem Aufbringen der Schutzfolie auf die eine Seite des Wafers, den äußeren Impuls auf die Dämpferschicht aufzubringen, um so die Dämpferschicht auszuhärten.
  • Eine Basisschicht kann an einer hinteren Oberfläche der Dämpferschicht angebracht werden.
  • Die Basisschicht kann die Eigenschaften, Charakteristiken und Merkmale aufweisen, die oben im Einzelnen beschrieben wurden. Die Basisschicht kann an der hinteren Oberfläche der Dämpferschicht in der gleichen Weise wie oben dargelegt angebracht werden. Die oben in Bezug auf die Basisschicht vorgebrachte Offenbarung trifft in vollem Umfang zu.
  • Eine vordere Oberfläche der Basisschicht kann mit der hinteren Oberfläche der Dämpferschicht in Kontakt stehen. Eine hintere Oberfläche der Basisschicht, die deren vorderer Oberfläche gegenüberliegt, kann im Wesentlichen parallel zu der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, sein.
  • In diesem Fall wird, da die ebene hintere Oberfläche der Basisschicht im Wesentlichen parallel zu der Rückseite des Wafers ist, der Druck, der während der Bearbeitung, wie zum Beispiel des Schleifens, zum Beispiel durch eine Schleifscheibe einer Schleifvorrichtung, auf den Wafer ausgeübt wird, gleichmäßig und einheitlich über den Wafer verteilt, wodurch das Risiko einer Musterübertragung, das heißt einer Übertragung eines durch Vorsprünge oder Erhebungen in dem Bauelementbereich definierten Musters auf die bearbeitete, insbesondere geschliffene, Waferrückseite, und eines Brechens des Wafers minimiert wird. Ferner ermöglicht die im Wesentlichen parallele Ausrichtung der ebenen, gleichmäßigen hinteren Oberfläche der Basisschicht und der Rückseite des Wafers, den Schleifschritt mit einem hohen Maß an Genauigkeit durchzuführen, wodurch eine besonders gleichmäßige und einheitliche Waferdicke nach dem Schleifen erreicht wird.
  • Außerdem wirkt die Schutzfolie als ein weiterer Dämpfer oder Puffer zwischen der Wafervorderseite und der Dämpferschicht, wodurch weiter zu der gleichmäßigen und einheitlichen Verteilung des Drucks während der Bearbeitung, wie zum Beispiel des Schleifens, beigetragen wird. Daher kann eine Musterübertragung oder ein Brechen des Wafers während des Bearbeitens besonders zuverlässig verhindert werden.
  • Die Erfindung stellt ferner ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers bereit, der an einer Seite einen Bauelementbereich mit mehreren Bauelementen aufweist. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen einer Schutzfolie mit einer Haftmittelschicht, ein Aufbringen der Schutzfolie auf die eine Seite des Wafers zum Abdecken der Bauelemente an dem Wafer, so dass ein mittlerer Bereich einer vorderen Oberfläche der Schutzfolie in unmittelbarem Kontakt mit der einen Seite des Wafers steht, ein Aufbringen eines äußeren Impulses auf die Schutzfolie während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie auf die eine Seite des Wafers, so dass die Schutzfolie an der einen Seite des Wafers angebracht wird, und ein Bearbeiten der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt. Die Haftmittelschicht ist nur in einem Umfangsbereich der vorderen Oberfläche der Schutzfolie vorgesehen, wobei der Umfangsbereich den mittleren Bereich der vorderen Oberfläche der Schutzfolie umgibt. Die Schutzfolie wird so auf die eine Seite des Wafers aufgebracht, dass die Haftmittelschicht nur mit einem Umfangsabschnitt der einen Seite des Wafers, wie zum Beispiel einem Umfangsrandbereich des Wafers, in Kontakt kommt.
  • Der Wafer kann die Eigenschaften, Charakteristiken und Merkmale aufweisen, die oben im Einzelnen beschrieben wurden.
  • Der Wafer kann eine beliebige Art von Form aufweisen. In einer Draufsicht darauf kann der Wafer zum Beispiel eine Kreisform, eine ovale Form, eine elliptische Form oder eine Polygonform, wie zum Beispiel eine rechteckige Form oder eine quadratische Form, aufweisen.
  • Die Schutzfolie kann die Eigenschaften, Charakteristiken und Merkmale aufweisen, die oben im Einzelnen beschrieben wurden. Insbesondere kann die Schutzfolie in Kombination mit einer Dämpferschicht oder in Kombination mit einer Dämpferschicht und einer Basisschicht verwendet werden, wie oben im Einzelnen beschrieben wurde.
  • Die Schutzfolie kann eine beliebige Art von Form aufweisen. In einer Draufsicht darauf kann die Schutzfolie zum Beispiel eine Kreisform, eine ovale Form, eine elliptische Form oder eine Polygonform, wie zum Beispiel eine rechteckige Form oder eine quadratische Form, aufweisen.
  • Die Schutzfolie kann im Wesentlichen die gleiche Form oder die gleiche Form wie der Wafer aufweisen.
  • Die Schutzfolie kann auf die eine Seite des Wafers in der gleichen Weise wie oben dargelegt aufgebracht werden.
  • Insbesondere wird die Schutzfolie so auf die eine Seite des Wafers, das heißt auf die Wafervorderseite, aufgebracht, dass der mittlere Bereich der vorderen Oberfläche der Schutzfolie in unmittelbarem Kontakt mit der einen Seite des Wafers steht. Somit liegt zwischen dem mittleren Bereich der vorderen Oberfläche der Schutzfolie und der einen Seite des Wafers kein Material, insbesondere kein Haftmittel, vor.
  • Deshalb kann das Risiko einer möglichen Verunreinigung oder Beschädigung des Wafers, insbesondere der in dem Bauelementbereich ausgebildeten Bauelemente, zum Beispiel wegen der Haftkraft der Haftmittelschicht oder Haftmittelrückständen an dem Wafer, erheblich verringert werden.
  • Die Wafervorderseitenoberfläche kann eine im Wesentlichen ebene, gleichmäßige Oberfläche oder eine ebene, gleichmäßige Oberfläche sein. Alternativ können an der Vorderseite des Wafers, insbesondere in dem Bauelementbereich, Vorsprünge oder Erhebungen vorliegen, die von einer ebenen Waferoberfläche entlang der Dickenrichtung des Wafers hervorstehen.
  • Der äußere Impuls und der Vorgang des Aufbringens des äußeren Impulses auf die Schutzfolie können die Eigenschaften, Charakteristiken und Merkmale aufweisen, die oben im Einzelnen beschrieben wurden.
  • Insbesondere kann das Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie ein Erwärmen der Schutzfolie und/oder ein Kühlen der Schutzfolie und/oder ein Aufbringen eines Vakuums auf die Schutzfolie und/oder ein Bestrahlen der Schutzfolie mit Strahlung, wie zum Beispiel Licht, beispielsweise durch Verwendung eines Laserstrahls, umfassen oder daraus bestehen.
  • Der äußere Impuls kann eine chemische Verbindung und/oder eine Elektronen- oder Plasmabestrahlung und/oder eine mechanische Behandlung, wie zum Beispiel Druck, Reibung oder ein Aufbringen von Ultraschall, und/oder statische Elektrizität umfassen oder sein.
  • Besonders bevorzugt umfasst das Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie ein Erwärmen der Schutzfolie oder besteht das Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie aus einem Erwärmen der Schutzfolie. Zum Beispiel kann das Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie ein Erwärmen der Schutzfolie und ein Aufbringen eines Vakuums auf die Schutzfolie umfassen oder daraus bestehen. In diesem Fall kann das Vakuum während und/oder vor und/oder nach dem Erwärmen der Schutzfolie auf die Schutzfolie aufgebracht werden.
  • Falls das Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie ein Erwärmen der Schutzfolie umfasst oder daraus besteht, kann das Verfahren ferner umfassen, die Schutzfolie nach dem Erwärmvorgang abkühlen zu lassen. Insbesondere kann der Schutzfolie gestattet werden, auf ihre Anfangstemperatur, das heißt auf deren Temperatur vor dem Erwärmvorgang, abzukühlen. Es kann der Schutzfolie vor dem Bearbeiten der Seite, die der einen Seite gegenüberliegt, das heißt der Waferrückseite, gestattet werden, abzukühlen, zum Beispiel auf deren Anfangstemperatur abzukühlen.
  • Das Bearbeiten der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, kann in der oben dargelegten Weise durchgeführt werden.
  • Während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie auf die eine Seite des Wafers wird der äußere Impuls auf die Schutzfolie aufgebracht, so dass die Schutzfolie an der einen Seite des Wafers angebracht wird. Eine Anbringkraft zwischen Schutzfolie und Wafer, welche die Schutzfolie in ihrer Position an dem Wafer hält, wird somit durch das Aufbringen des äußeren Impulses erzeugt. Insbesondere kann durch Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie ein Formschluss, wie zum Beispiel eine formschlüssige Verbindung, und/oder ein Stoffschluss, wie zum Beispiel eine stoffschlüssige Verbindung, zwischen der Schutzfolie und dem Wafer ausgebildet werden. Zusätzlich wird die Schutzfolie durch die Haftmittelschicht an dem Wafer angebracht. Auf diese Weise wird die Anbringung der Schutzfolie an dem Wafer weiter verbessert.
  • Da die Haftmittelschicht nur in dem Umfangsbereich der vorderen Oberfläche der Schutzfolie vorgesehen ist, wird der Bereich, in dem Schutzfolie und Wafer durch die Haftmittelschicht aneinander angebracht sind, verglichen mit einem Fall, in dem eine Haftmittelschicht an der gesamten vorderen Oberfläche der Schutzfolie vorgesehen ist, erheblich verringert. Somit kann die Schutzfolie leichter von dem Wafer abgenommen werden und wird das Risiko einer Beschädigung des Wafers, insbesondere von an dessen Vorderseite ausgebildeten Vorsprüngen, erheblich verringert.
  • Das Verfahren der vorliegenden Erfindung ermöglicht somit eine zuverlässige und effiziente Bearbeitung eines Wafers mit einem Bauelementbereich, wobei das Risiko einer Verunreinigung und Beschädigung des Wafers minimiert wird.
  • Das Haftmittel der Haftmittelschicht kann durch einen äußeren Impuls, wie zum Beispiel Wärme, UV-Strahlung, ein elektrisches Feld und/oder eine chemische Substanz, härtbar sein. Auf diese Weise kann die Schutzfolie nach der Bearbeitung besonders leicht von dem Wafer entfernt werden.
  • Der äußere Impuls kann auf das Haftmittel aufgebracht werden, so dass dessen Haftkraft verringert wird, wodurch ein leichtes Entfernen der Schutzfolie ermöglicht wird.
  • Zum Beispiel kann die Haftmittelschicht eine im Wesentlichen ringförmige Form, eine offene rechteckige Form oder eine offene quadratische Form aufweisen.
  • Eine Dämpferschicht kann an einer hinteren Oberfläche der Schutzfolie, die deren vorderer Oberfläche gegenüberliegt, angebracht werden.
  • Die Dämpferschicht kann die Eigenschaften, Charakteristiken und Merkmale aufweisen, die oben im Einzelnen beschrieben wurden. Die Dämpferschicht kann an der hinteren Oberfläche der Schutzfolie in der gleichen Weise wie oben dargelegt angebracht werden. Die oben in Bezug auf die Dämpferschicht vorgebrachte Offenbarung trifft in vollem Umfang zu.
  • Ein Anbringen einer Dämpferschicht an der hinteren Oberfläche der Schutzfolie ist besonders vorteilhaft, falls Vorsprünge oder Erhebungen an der einen Seite des Wafers, insbesondere in dem Bauelementbereich, vorliegen. In diesem Fall definieren die Vorsprünge oder Erhebungen eine Oberflächenstruktur oder -topographie der Wafervorderseite, wodurch diese Seite uneben wird.
  • Falls die Dämpferschicht an der hinteren Oberfläche der Schutzfolie angebracht wird, können solche Vorsprünge in der Dämpferschicht eingebettet werden. Daher kann ein negativer Einfluss der Oberflächenunebenheit, die aus dem Vorliegen der Vorsprünge entsteht, auf nachfolgende Waferbearbeitungsschritte, wie zum Bespiel Schleifen, Schneiden oder Polieren, beseitigt werden. Insbesondere kann die Dämpferschicht erheblich dazu beitragen, eine besonders gleichmäßige und einheitliche Verteilung des Drucks während einer solchen Bearbeitung zu erreichen. Durch Einbetten der Vorsprünge in der Dämpferschicht werden die Vorsprünge zuverlässig vor einer Beschädigung während der Waferbearbeitung, zum Beispiel in einem Schleifschritt, geschützt.
  • Die Dämpferschicht kann so an der hinteren Oberfläche der Schutzfolie angebracht werden, dass die hintere Oberfläche der Dämpferschicht im Wesentlichen parallel zu der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, ist.
  • Die Dämpferschicht kann durch einen äußeren Impuls, wie zum Beispiel UV-Strahlung, Wärme, ein elektrisches Feld und/oder eine chemische Substanz, härtbar sein.
  • Das Verfahren kann ferner umfassen, nach dem Aufbringen der Schutzfolie auf die eine Seite des Wafers den äußeren Impuls auf die Dämpferschicht aufzubringen, um so die Dämpferschicht auszuhärten.
  • Eine Basisschicht kann an einer hinteren Oberfläche der Dämpferschicht angebracht werden.
  • Die Basisschicht kann die Eigenschaften, Charakteristiken und Merkmale aufweisen, die oben im Einzelnen beschrieben wurden. Die Basisschicht kann an der hinteren Oberfläche der Dämpferschicht in der gleichen Weise wie oben dargelegt angebracht werden. Die oben vorgebrachte Offenbarung in Bezug auf die Basisschicht trifft in vollem Umfang zu.
  • Eine vordere Oberfläche der Basisschicht kann mit der hinteren Oberfläche der Dämpferschicht in Kontakt stehen. Eine hintere Oberfläche der Basisschicht, die deren vorderer Oberfläche gegenüberliegt, kann im Wesentlichen parallel zu der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, sein.
  • In diesem Fall wird, da die ebene hintere Oberfläche der Basisschicht im Wesentlichen parallel zu der Rückseite des Wafers ist, der Druck, der während der Bearbeitung, wie zum Beispiel eines Schleifens, zum Beispiel durch eine Schleifscheibe einer Schleifvorrichtung, auf den Wafer ausgeübt wird, gleichmäßig und einheitlich über den Wafer verteilt, wodurch das Risiko einer Musterübertragung minimiert wird, wie oben dargelegt wurde. Ferner ermöglicht die im Wesentlichen parallele Ausrichtung der ebenen, gleichmäßigen hinteren Oberfläche der Basisschicht und der Rückseite des Wafers, einen Schleifschritt mit einem hohen Maß an Genauigkeit durchzuführen, wodurch eine besonders gleichmäßige und einheitliche Waferdicke nach dem Schleifen erreicht wird.
  • Außerdem wirkt die Schutzfolie als ein weiterer Dämpfer oder Puffer zwischen der Wafervorderseite und der Dämpferschicht, wodurch weiter zu der gleichmäßigen und einheitlichen Verteilung des Drucks während der Bearbeitung, wie zum Beispiel des Schleifens, beigetragen wird. Daher kann eine Musterübertragung oder ein Brechen des Wafers während des Bearbeitens besonders zuverlässig verhindert werden.
  • Das Bearbeiten der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, kann ein Schleifen der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, um die Waferdicke einzustellen, umfassen oder daraus bestehen.
  • Das Bearbeiten der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, kann ein Polieren der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, zum Beispiel nach dem Schleifen der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, umfassen oder daraus bestehen.
  • Wenigstens eine Trennlinie kann an der einen Seite des Wafers ausgebildet sein. Mehrere Trennlinien können an der einen Seite des Wafers ausgebildet sein. Die eine oder mehreren Trennlinien teilen die in dem Bauelementbereich ausgebildeten Bauelemente ab.
  • Das Bearbeiten der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, kann ein Entfernen von Wafermaterial entlang der wenigstens einen Trennlinie, zum Beispiel nach dem Schleifen der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, umfassen oder daraus bestehen. Falls mehrere Trennlinien an der einen Seite des Wafers ausgebildet sind, kann das Bearbeiten der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, ein Entfernen von Wafermaterial entlang jeder der mehreren Trennlinien, zum Beispiel nach dem Schleifen der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, umfassen oder daraus bestehen.
  • Das Wafermaterial kann entlang der wenigstens einen Trennlinie über die gesamte Dicke des Wafers entfernt werden. In diesem Fall wird der Wafer durch den Wafermaterialentfernvorgang entlang der wenigstens einen Trennlinie in mehrere Bausteine oder Chips geteilt.
  • Alternativ kann das Wafermaterial entlang der wenigstens einen Trennlinie nur entlang eines Teils der Dicke des Wafers entfernt werden. Zum Beispiel kann das Wafermaterial entlang 20% oder mehr, 30% oder mehr, 40% oder mehr, 50% oder mehr, 60% oder mehr, 70% oder mehr, 80% oder mehr oder 90% oder mehr der Dicke des Wafers entfernt werden.
  • In diesem Fall kann ein Vorgang des Teilens, das heißt des vollständigen Teilens, des Wafers durchgeführt werden, indem zum Beispiel ein Brechvorgang verwendet wird, bei dem eine äußere Kraft auf den Wafer, zum Beispiel unter Verwendung eines Aufweitbands, ausgeübt wird, oder indem ein Schneid- oder Zerteilvorgang, wie zum Beispiel ein mechanischer Schneid- oder Zerteilvorgang, ein Laserschneid- oder Laserzerteilvorgang oder ein Plasmaschneid- oder Plasmazerteilvorgang, verwendet wird. Zum Beispiel kann eine äußere Kraft durch radiales Aufweiten der Schutzfolie, das heißt durch Verwendung der Schutzfolie als ein Aufweitband, auf den Wafer aufgebracht werden. Ferner kann auch eine Kombination von zwei oder mehr dieser Vorgänge verwendet werden.
  • Das Wafermaterial kann mechanisch entlang der wenigstens einen Trennlinie entfernt werden. Insbesondere kann das Wafermaterial entlang der wenigstens einen Trennlinie entfernt werden, indem der Wafer entlang der wenigstens einen Trennlinie mechanisch, zum Beispiel durch Klingenzerteilen oder Sägen, geschnitten wird. In diesem Fall wird der Wafer von dessen Rückseite aus geschnitten.
  • Alternativ oder zusätzlich kann das Wafermaterial entlang der wenigstens einen Trennlinie durch Laserschneiden und/oder durch Plasmaschneiden entfernt werden.
  • Der Wafer kann in einem einzelnen mechanischen Schneidschritt, in einem einzelnen Laserschneidschritt oder in einem einzelnen Plasmaschneidschritt geschnitten werden. Alternativ kann der Wafer durch eine Abfolge von mechanischen Schneidschritten und/oder Laserschneidschritten und/oder Plasmaschneidschritten geschnitten werden.
  • Ein Laserschneiden kann zum Beispiel durch Ablationslaserschneiden und/oder durch Stealthlaserschneiden, das heißt durch Ausbilden modifizierter Bereiche innerhalb des Wafers durch das Aufbringen eines Laserstrahls, wie oben dargelegt wurde, und/oder durch Ausbilden mehrerer Öffnungsbereiche in dem Wafer durch das Aufbringen eines Laserstrahls durchgeführt werden. Jeder dieser Öffnungsbereiche kann aus einem modifiziertem Bereich und einem Raum in dem modifizierten Bereich, der zu einer Oberfläche des Wafers offen ist, bestehen.
  • In einem solchen Stealthlaserschneid- oder Stealthzerteilvorgang kann ein gepulster Laserstrahl von der Seite des Wafers aus, die der einen Seite gegenüberliegt, auf den Wafer aufgebracht werden, wobei der Wafer aus einem Material besteht, das für den gepulsten Laserstrahl transparent ist, und der gepulste Laserstrahl an mehreren Stellen entlang der wenigstens einen Trennlinie in einem Zustand auf den Wafer aufgebracht wird, in dem ein Brennpunkt des gepulsten Laserstrahls mit einem Abstand von der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, in der Richtung von der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, auf die eine Seite des Wafers zu angeordnet ist, um so mehrere modifizierte Bereiche entlang der wenigstens einen Trennlinie in dem Wafer auszubilden.
  • Das Verfahren kann ferner umfassen, den Wafer nach dem Ausbilden der mehreren modifizierten Bereiche in dem Wafer entlang der wenigstens einen Trennlinie zu teilen. Der Vorgang des Teilens des Wafers kann auf verschiedene Weisen, zum Beispiel durch Verwenden eines Brechvorgangs, bei dem eine äußere Kraft, beispielsweise unter Verwendung eines Aufweitbands, auf den Wafer aufgebracht wird, oder durch Verwenden eines Schneid- oder Zerteilvorgangs, wie zum Beispiel eines mechanischen Schneid- oder Zerteilvorgangs, eines Laserschneid- oder Laserzerteilvorgangs oder eines Plasmaschneid- oder Plasmazerteilvorgangs, durchgeführt werden. Zum Beispiel kann eine äußere Kraft durch radiales Aufweiten der Schutzfolie, das heißt durch Verwendung der Schutzfolie als ein Aufweitband, auf den Wafer aufgebracht werden, wie nachfolgend weiter dargelegt wird. Ferner kann auch eine Kombination von zwei oder mehr dieser Vorgänge verwendet werden.
  • Die Schutzfolie kann aufweitbar sein. In diesem Fall kann die Schutzfolie dafür verwendet werden, die Bauelemente voneinander zu trennen. Insbesondere kann das Verfahren ferner umfassen, die Schutzfolie nach dem Bearbeiten der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, radial aufzuweiten, um so die Bauelemente voneinander zu trennen.
  • Zum Beispiel kann der Wafer, beispielsweise durch einen mechanischen Schneidvorgang, einen Laserschneidvorgang oder einen Plasmaschneidvorgang, vollständig geteilt werden. Nachfolgend können die vollständig geteilten Bauelemente, die in der Form von Bausteinen oder Chips vorliegen können, voneinander weg bewegt werden, indem die Schutzfolie radial aufgeweitet wird, wodurch die Abstände zwischen nebeneinanderliegenden Bauelementen vergrößert werden.
  • Alternativ kann der Wafer einem Stealthlaserschneid- oder Stealthzerteilvorgang unterzogen werden. Nachfolgend kann der Wafer entlang der wenigstens einen Trennlinie, an der die modifizierten Bereiche ausgebildet sind, durch radiales Aufweiten der Schutzfolie geteilt, zum Beispiel gebrochen, werden, wodurch einzelne Bausteine oder Chips erhalten werden.
  • Als Alternative zum radialen Aufweiten der Schutzfolie kann ein separates Aufweitband an der Wafervorderseite oder Waferrückseite, zum Beispiel nach einem Entfernen der Schutzfolie, angebracht werden. Nachfolgend können die Bauelemente durch radiales Aufweiten des Aufweitbands voneinander getrennt werden.
  • Das Verfahren kann umfassen, zum Beispiel nach dem Schleifen der Rückseite des Wafers, ein aufweitbares Haftband, wie zum Beispiel ein Aufweitband, an der Waferrückseite anzubringen. Vor oder nach dem Anbringen des Haftbands an der Waferrückseite kann die Schutzfolie entfernt werden, um so die Wafervorderseite freizulegen.
  • Das Verfahren kann umfassen, zum Beispiel nach dem Anbringen des Haftbands an der Waferrückseite und/oder dem Entfernen der Schutzfolie, Wafermaterial entlang der wenigstens einen Trennlinie zu entfernen. Das Wafermaterial kann von der Wafervorderseite aus entlang der wenigstens einen Trennlinie entfernt werden.
  • Das Entfernen von Wafermaterial entlang der wenigstens einen Trennlinie kann in der oben dargelegten Weise durchgeführt werden. Zum Beispiel kann der Wafer entlang der wenigstens einen Trennlinie von der Wafervorderseite aus geschnitten werden oder kann ein Stealthlaserschneid- oder Stealthzerteilvorgang von der Wafervorderseite aus entlang der wenigstens einen Trennlinie durchgeführt werden.
  • Nach dem Entfernen von Wafermaterial entlang der wenigstens einen Trennlinie oder nach dem Durchführen eines Stealthlaserschneid- oder Stealthzerteilvorgangs können die Bauelemente voneinander getrennt werden, zum Beispiel indem das Haftband radial aufgeweitet wird.
  • Figurenliste
  • Nachfolgend werden nicht beschränkende Beispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erörtert, wobei:
    • 1 eine Querschnittdarstellung ist, die einen durch ein Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zu bearbeitenden Wafer zeigt;
    • 2 eine perspektivische Ansicht des in 1 gezeigten Wafers ist;
    • 3 eine Querschnittdarstellung ist, die eine Ausführungsform einer in einem Verfahren zum Bearbeiten des Wafers gemäß der vorliegenden Erfindung zu verwendenden Schutzabdeckung zeigt;
    • 4 eine Querschnittdarstellung ist, die einen Schritt des Aufbringens der in 3 gezeigten Schutzabdeckung auf den in 1 gezeigten Wafer in einem Verfahren zum Bearbeiten des Wafers gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
    • 5 eine Querschnittdarstellung ist, die einen Schritt des Aufbringens der in 3 gezeigten Schutzabdeckung auf den in 1 gezeigten Wafer in einem Verfahren zum Bearbeiten des Wafers gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
    • 6 eine Querschnittdarstellung ist, die das Ergebnis eines Schritts des Anbringens der Schutzabdeckung an dem Wafer zeigt;
    • 7 eine perspektivische Ansicht der Anordnung des Wafers und der Schutzabdeckung ist, die in 6 gezeigt ist;
    • 8 eine Querschnittdarstellung ist, die einen an dem in 6 und 7 gezeigten Wafer durchgeführten Schneidschritt veranschaulicht;
    • 9 eine Querschnittdarstellung ist, die das Ergebnis eines Schritts des Anbringens einer Schutzfolie an einem Wafer in einem Verfahren zum Bearbeiten des Wafers gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
    • 10 eine Querschnittdarstellung ist, die einen an dem in 9 gezeigten Wafer durchgeführten Schneidschritt veranschaulicht;
    • 11 eine Querschnittdarstellung ist, die einen nach dem in 10 gezeigten Schneidschritt durchgeführten Bauelementtrennschritt veranschaulicht;
    • 12 eine Querschnittdarstellung ist, die einen an dem in 9 gezeigten Wafer durchgeführten Stealthzerteilschritt veranschaulicht;
    • 13 eine Querschnittdarstellung ist, die das Ergebnis eines Schritts des Entfernens von Wafermaterial in einem Verfahren zum Bearbeiten des Wafers gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
    • 14 eine Querschnittdarstellung ist, die das Ergebnis eines Schritts des Anbringens einer Schutzfolie an dem in 13 gezeigten Wafer zeigt;
    • 15A eine Draufsicht des in 13 gezeigten Wafers ist;
    • 15B eine Draufsicht des Wafers ist, die das Ergebnis eines modifizierten Schritts des Entfernens von Wafermaterial zeigt;
    • 16 eine Querschnittdarstellung ist, die das Ergebnis eines Schritts des Schleifens der Rückseite des in 14 gezeigten Wafers zeigt;
    • 17 eine Querschnittdarstellung ist, die das Ergebnis eines Schritts des Anbringens eines Haftbands an dem in 16 gezeigten Wafer zeigt;
    • 18 eine Querschnittdarstellung ist, die einen nach dem in 17 gezeigten Anbringschritt durchgeführten Bauelementtrennschritt veranschaulicht;
    • 19 eine Querschnittdarstellung ist, die einen durch ein Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zu bearbeitenden Wafer zeigt;
    • 20 eine Querschnittdarstellung ist, die einen Schritt des Aufbringens einer Schutzfolie auf den Wafer gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
    • 21 eine perspektivische Ansicht ist, die den Schritt des Aufbringens der Schutzfolie auf den Wafer gemäß der in 20 gezeigten Ausführungsform veranschaulicht;
    • 22 eine Querschnittdarstellung ist, die das Ergebnis eines Schritts des Anbringens der Schutzfolie an dem Wafer zeigt;
    • 23 eine Querschnittdarstellung ist, die das Ergebnis eines Schritts des Schleifens der Rückseite des in 22 gezeigten Wafers zeigt;
    • 24 eine Querschnittdarstellung ist, die einen an dem in 23 gezeigten Wafer durchgeführten Schneidschritt veranschaulicht;
    • 25 eine Querschnittdarstellung ist, die einen nach dem in 24 gezeigten Schneidschritt durchgeführten Bauelementtrennschritt veranschaulicht;
    • 26 eine Querschnittdarstellung ist, die das Ergebnis eines Schritts des Anbringens eines Haftbands an dem in 23 gezeigten Wafer zeigt; und
    • 27 eine Querschnittdarstellung ist, die einen an dem in 26 gezeigten Wafer durchgeführten Schneidschritt veranschaulicht.
  • Ausführliche Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen
  • Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Die bevorzugten Ausführungsformen betreffen Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers W.
  • Der Wafer W kann zum Beispiel ein MEMS-Wafer sein, der MEMS-Bauelemente aufweist, die an der Oberfläche einer Vorderseite 1 desselben ausgebildet sind (siehe 1). Jedoch ist der Wafer W nicht auf einen MEMS-Wafer beschränkt, sondern kann dieser auch ein CMOS-Wafer, der CMOS-Bauelemente, vorzugsweise als Festkörper-Abbildeeinrichtungen, aufweist, die an dessen Vorderseite 1 ausgebildet sind, oder ein Wafer mit anderen Arten von Bauelementen an der Vorderseite 1 sein.
  • Der Wafer W kann aus einem Halbleiter, wie zum Beispiel Silizium (Si), bestehen. Ein solcher Siliziumwafer W kann Bauelemente, wie zum Beispiel ICs (integrierte Schaltungen) und LSIs (hohe Integrationsgrade), auf einem Siliziumsubstrat beinhalten. Alternativ kann der Wafer ein Optikbauelementwafer sein, der durch Ausbilden optischer Bauelemente, wie zum Beispiel LEDs (Leuchtdioden), auf einem Substrat aus anorganischem Material, wie zum Beispiel Keramik, Glas oder Saphir, aufgebaut ist. Der Wafer W ist nicht hierauf beschränkt und kann in einer beliebigen anderen Weise ausgebildet sein. Ferner ist auch eine Kombination der oben beschriebenen beispielhaften Waferausgestaltungen möglich.
  • Der Wafer W kann vor dem Schleifen eine Dicke im µm-Bereich, vorzugsweise im Bereich von 625 bis 925 µm, aufweisen.
  • Der Wafer W weist vorzugsweise eine Kreisform auf. Jedoch ist die Form des Wafers W nicht besonders eingeschränkt. Bei anderen Ausführungsformen kann der Wafer W zum Beispiel eine ovale Form, eine elliptische Form oder eine Polygonform, wie zum Beispiel eine rechteckige Form oder eine quadratische Form, aufweisen.
  • Der Wafer W ist mit mehreren sich kreuzenden, auch als Straßen bezeichneten Trennlinien 11 (siehe 2) versehen, die an dessen Vorderseite 1 ausgebildet sind, wodurch der Wafer in mehrere rechteckige Bereiche abgeteilt wird, in denen jeweils Bauelemente 27, wie zum Beispiel die zuvor beschriebenen, ausgebildet sind. Diese Bauelemente 27 sind in einem Bauelementbereich 2 des Wafers W ausgebildet. In dem Fall eines kreisförmigen Wafers W ist dieser Bauelementbereich 2 vorzugsweise kreisförmig und konzentrisch zu dem äußeren Umfang des Wafers W angeordnet.
  • Der Bauelementbereich 2 ist von einem ringförmigen Umfangsrandbereich 3 umgeben, wie in 1 und 2 schematisch gezeigt ist. In diesem Umfangsrandbereich 3 sind keine Bauelemente ausgebildet. Der Umfangsrandbereich 3 ist vorzugsweise konzentrisch zu dem Bauelementbereich 2 und/oder dem äußeren Umfang des Wafers W angeordnet. Die radiale Erstreckung des Umfangsrandbereichs 3 kann im mm-Bereich liegen und reicht vorzugsweise von 1 bis 3 mm.
  • Der Wafer W weist ferner eine Rückseite 6 auf, die der Vorderseite 1 gegenüberliegt (siehe 1). Die Rückseite 6 weist mehrere Vorsprünge 14 auf, die entlang einer Dickenrichtung des Wafers W hervorstehen, wie zum Beispiel in 1 schematisch gezeigt ist. Die Vorsprünge 14 können zum Beispiel eine Oberflächenunebenheit oder -rauigkeit, Bumps, optische Elemente, wie zum Beispiel optische Linsen, andere Strukturen oder dergleichen sein. Die Höhe der Vorsprünge 14 in der Dickenrichtung des Wafers W kann zum Beispiel im Bereich von 5 bis 300 µm liegen. Die Vorsprünge 14, die zum Beispiel in 1 veranschaulicht sind, sind nicht maßstabsgetreu gezeichnet, sondern zur besseren Darstellbarkeit in vergrößerter Form gezeigt.
  • Nachfolgend wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers W gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 1 bis 8 beschrieben.
  • 1 zeigt eine Querschnittdarstellung des durch das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zu bearbeitenden Wafers W. 2 zeigt eine perspektivische Ansicht des in 1 im Querschnitt gezeigten Wafers W. 3 zeigt eine Querschnittdarstellung einer in dem Verfahren zum Bearbeiten des Wafers W zu verwendenden Schutzabdeckung 5.
  • Wie in 3 gezeigt ist, umfasst die Schutzabdeckung 5 eine Basisschicht 7, eine auf eine vordere Oberfläche 17 der Basisschicht 7 aufgebrachte Dämpferschicht 13, eine Schutzfolie 4, deren hintere Oberfläche an der Dämpferschicht 13 angebracht ist, und eine Haftmittelschicht 9, die auf einen Teil einer vorderen Oberfläche 4a der Schutzfolie 4, die deren hinterer Oberfläche gegenüberliegt, aufgebracht ist. Speziell weist die Haftmittelschicht 9 eine Ringform auf und ist diese nur in einem Rand- oder Umfangsbereich der vorderen Oberfläche 4a der Schutzfolie 4 vorgesehen. Der Rand- oder Umfangsbereich umgibt einen mittleren Bereich der vorderen Oberfläche 4a der Schutzfolie 4.
  • Die Basisschicht 7 und die Dämpferschicht 13 weisen eine im Wesentlichen kreisförmige Form auf. Die äußeren Durchmesser der Basisschicht 7 und der Dämpferschicht 13 sind im Wesentlichen identisch zueinander und zu dem äußeren Durchmesser der Haftmittelschicht 9.
  • Die Basisschicht 7 kann zum Beispiel eine Dicke im Bereich von 500 bis 1000 µm aufweisen. Die Schutzfolie 4 kann eine Dicke im Bereich von 5 bis 200 µm aufweisen. Die Dämpferschicht 13 kann eine Dicke im Bereich von 10 bis 300 µm, vorzugsweise 50 bis 200 µm aufweisen.
  • Die Dämpferschicht 13 ist durch einen äußeren Impuls, wie zum Beispiel UV-Strahlung, Wärme, ein elektrisches Feld und/oder eine chemische Substanz, härtbar. Insbesondere kann die Dämpferschicht 13 aus einem härtbaren Harz, wie zum Beispiel ResiFlat von DISCO Corporation oder TEMPLOC von DENKA, ausgebildet sein.
  • Die Schutzabdeckung 5 wird durch Schichten der Schutzfolie 4 und der Basisschicht 7, auf deren vorderer Oberfläche 17 die Dämpferschicht 13 aufgebracht ist, ausgebildet.
  • 4 veranschaulicht einen Schritt des Aufbringens der vorderen Oberfläche 4a der Schutzfolie 4 auf die Rückseite 6 des Wafers W.
  • Wie in 4 gezeigt ist, weist die ringförmige Haftmittelschicht 9 einen äußeren Durchmesser auf, der größer als der innere Durchmesser eines ringförmigen Rahmens 25 ist. Ferner weist die ringförmige Haftmittelschicht 9 einen inneren Durchmesser auf, der kleiner als der äußere Durchmesser des Wafers W aber größer als der äußere Durchmesser des Bauelementbereichs 2 ist. Daher kann zuverlässig gewährleistet werden, dass das Haftmittel der Haftmittelschicht 9 nur mit dem Umfangsabschnitt der Rückseite 6 des Wafers W in Kontakt kommt, der dem Umfangsrandbereich 3 an der Vorderseite 1 des Wafers W entspricht.
  • Vor dem Aufbringen der Schutzabdeckung 5 auf den Wafer W wird ein Umfangsabschnitt der Schutzabdeckung 5 an dem ringförmigen Rahmen 25 angebracht. Ferner wird eine hintere Oberfläche 18 der Basisschicht 7, die deren vorderer Oberfläche 17 gegenüberliegt, auf einem Einspanntisch 20 angeordnet. Nachfolgend wird, wie in 4 durch einen Pfeil angezeigt ist, der Wafer W auf die auf dem Einspanntisch 20 angeordnete Schutzabdeckung 5 aufgebracht, wodurch die vordere Oberfläche 4a der Schutzfolie 4 auf die Rückseite 6 des Wafers W aufgebracht und die Schutzfolie 4 durch die Haftmittelschicht 9 an dem Umfangsabschnitt der Rückseite 6 angehaftet wird. Ferner werden die an der Rückseite 6 des Wafers W hervorstehenden Vorsprünge 14 in die Dämpferschicht 13 eingebettet, wie in 6 schematisch gezeigt ist.
  • Die Schutzfolie 4 deckt die Vorsprünge 14 ab, wodurch diese vor Beschädigung oder Verunreinigung geschützt werden. Ferner wird die Schutzfolie 4 als ein zusätzlicher Dämpfer oder Puffer in einem nachfolgenden Schneidschritt, wie im Folgenden dargelegt wird.
  • Das Haftmittel, das die Haftmittelschicht 9 bildet, kann durch einen äußeren Impuls, wie zum Beispiel Wärme, UV-Strahlung, ein elektrisches Feld und/oder eine chemische Substanz, härtbar sein. Auf diese Weise kann die Schutzabdeckung 5 nach der Bearbeitung besonders leicht von dem Wafer W entfernt werden.
  • Insbesondere kann das Haftmittel ein Acrylharz oder ein Epoxidharz sein. Ein bevorzugtes Beispiel eines UV-härtenden Harzes für das Haftmittel ist zum Beispiel Urethan-Acrylat-Oligomer.
  • Ferner kann das Haftmittel zum Beispiel ein wasserlösliches Harz sein.
  • Die Schutzfolie 4 besteht aus einem Polyolefin. Zum Beispiel kann die Schutzfolie 4 aus Polyethylen (PE) oder Polypropylen (PP) bestehen.
  • Die Schutzfolie 4 ist biegsam und auf annähernd das Dreifache ihres ursprünglichen Durchmessers aufweitbar.
  • Wenn der Wafer W auf die Schutzabdeckung 5 aufgebracht wird, wird die Schutzfolie 4 aufgeweitet, zum Beispiel auf annähernd das Dreifache ihres ursprünglichen Durchmessers, so dass diese dem Profil der Vorsprünge 14 dicht folgt, wie in 6 schematisch gezeigt ist.
  • Die hintere Oberfläche 18 der Basisschicht 7 ist im Wesentlichen parallel zu der Vorderseite 1 des Wafers W, wie in 6 durch gestrichelte Pfeile angezeigt ist.
  • Die Schutzabdeckung 5 wird so auf die Rückseite 6 des Wafers W aufgebracht, dass der mittlere Bereich der vorderen Oberfläche 4a der Schutzfolie 4, das heißt der Bereich der vorderen Oberfläche 4a innerhalb der ringförmigen Haftmittelschicht 9, in unmittelbarem Kontakt mit der Rückseite 6 des Wafers W steht (siehe 4 und 6). Somit liegt zwischen dem mittleren Bereich der vorderen Oberfläche 4a der Schutzfolie 4 und der Rückseite 6 des Wafers W kein Material, insbesondere kein Haftmittel, vor.
  • Nach dem Aufbringen der Schutzabdeckung 5 auf die Rückseite 6 des Wafers W wird ein äußerer Impuls auf die Schutzfolie 4 aufgebracht, so dass die Schutzfolie 4, und somit die Schutzabdeckung 5, an der Rückseite 6 des Wafers W angebracht, das heißt vollständig angebracht, wird.
  • Das Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie 4 kann ein Erwärmen der Schutzfolie 4 und/oder ein Kühlen der Schutzfolie 4 und/oder ein Aufbringen eines Vakuums auf die Schutzfolie 4 und/oder ein Bestrahlen der Schutzfolie 4 mit Strahlung, wie zum Beispiel Licht, beispielsweise durch Verwendung eines Laserstrahls, umfassen oder daraus bestehen.
  • Der äußere Impuls kann eine chemische Verbindung und/oder eine Elektronen- oder Plasmabestrahlung und/oder eine mechanische Behandlung, wie zum Beispiel Druck, Reibung oder Aufbringen von Ultraschall, und/oder statische Elektrizität umfassen oder sein.
  • Besonders bevorzugt umfasst das Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie 4 ein Erwärmen der Schutzfolie 4 oder besteht das Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie 4 aus einem Erwärmen der Schutzfolie 4. Zum Beispiel kann das Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie 4 ein Erwärmen der Schutzfolie 4 und ein Aufbringen eines Vakuums auf die Schutzfolie 4 umfassen oder daraus bestehen. In diesem Fall kann das Vakuum während und/oder vor und/oder nach dem Erwärmen der Schutzfolie 4 auf die Schutzfolie 4 aufgebracht werden.
  • Insbesondere kann die Schutzfolie 4 durch Erwärmen des Einspanntischs 20 (siehe 4 bis 6), zum Beispiel auf eine Temperatur im Bereich von 60 °C bis 150 °C, erwärmt werden. Besonders bevorzugt wird der Eispanntisch 20 auf eine Temperatur von annähernd 80 °C erwärmt. Der Einspanntisch 20 kann zum Beispiel über eine Zeitdauer im Bereich von 1 Min bis 10 Min erwärmt werden.
  • Ferner kann Druck auf die Schutzabdeckung 5 und/oder den Wafer W ausgeübt werden, so dass die Schutzfolie 4 gegen die Rückseite 6 des Wafers W gedrückt wird. Zu diesem Zweck kann ein Druckaufbringmittel (nicht gezeigt), wie zum Beispiel eine Walze, beispielsweise eine erwärmte Walze, verwendet werden. Zusätzlich zu dem Erwärmen der Schutzfolie 4 durch den erwärmten Einspanntisch 20 oder als Alternative hierzu kann durch eine solche erwärmte Walze Wärme auf die Schutzfolie 4 aufgebracht werden.
  • Durch Erwärmen der Schutzfolie 4 unter Verwendung des erwärmten Einspanntisches 20 und/oder der erwärmten Walze wird die Schutzfolie 4 an der Rückseite 6 des Wafers W angebracht, das heißt vollständig angebracht.
  • Speziell wird eine Anbringkraft zwischen dem mittleren Bereich der vorderen Oberfläche 4a der Schutzfolie 4 und der Rückseite 6 des Wafers W durch den Erwärmvorgang erzeugt. Insbesondere wird durch Erwärmen der Schutzfolie 4 ein Formschluss und/oder ein Stoffschluss zwischen Schutzfolie 4 und Wafer W in diesem mittleren Bereich ausgebildet.
  • Ferner wird der Umfangsbereich der vorderen Oberfläche 4a der Schutzfolie 4 durch die Haftmittelschicht 9 an dem Umfangsabschnitt der Rückseite 6 des Wafers W angehaftet, wodurch eine besonders robuste und zuverlässige Anbringung der Schutzabdeckung 5 gewährleistet wird.
  • In dem angebrachten Zustand der Schutzabdeckung 5, der in 6 gezeigt ist, sind die von der ebenen Rückseitenoberfläche des Wafers W hervorstehenden Vorsprünge 14 vollständig in der Schutzabdeckung 5 eingebettet.
  • Durch Anbringen der Schutzabdeckung 5 an dem Wafer W in der oben beschriebenen Weise wird eine Wafereinheit ausgebildet, die aus dem Wafer W, der Schutzfolie 4, der Dämpferschicht 13 und der Basisschicht 7 besteht, wie in 6 und 7 gezeigt ist.
  • Ein alternativer Ansatz zum Anbringen der Schutzabdeckung 5 an dem Wafer W ist in 5 veranschaulicht.
  • Speziell kann, wie in dieser Zeichnung gezeigt ist, die Vorderseite 1 des Wafers W auf dem Einspanntisch 20 angeordnet werden, so dass die Rückseite 6 nach oben gerichtet ist. Nachfolgend kann die Schutzabdeckung 5 auf die Rückseite 6 des an dem Einspanntisch 20 gehaltenen Wafers W aufgebracht und an dieser angebracht werden, wie in 5 durch einen Pfeil angezeigt ist, so dass die Vorsprünge 14 in die Dämpferschicht 13 eingebettet werden und die hintere Oberfläche 18 der Basisschicht 7 im Wesentlichen parallel zu der Vorderseite 1 des Wafers W ist. Dieser alternative Schritt des Anbringens des Wafers W und der Schutzabdeckung 5 aneinander kann zum Beispiel in einer Vakuumanbringeinrichtung, wie beispielsweise einer Vakuumkammer, zum Beispiel der oben beschriebenen Vakuumkammer, durchgeführt werden.
  • Nachdem der Wafer W und die Schutzabdeckung 5 aneinander angebracht wurden, wird ein weiterer äußerer Impuls auf die Dämpferschicht 13 aufgebracht, um so die Dämpferschicht 13 auszuhärten. Zum Beispiel kann für den Fall einer wärmehärtenden, wie zum Beispiel einer duroplastischen, Dämpferschicht 13 die Dämpferschicht 13 durch Erwärmen in einem Ofen ausgehärtet werden. Für den Fall einer UV-härtenden Dämpferschicht 13 wird die Dämpferschicht 13 durch das Aufbringen von UV-Strahlung, zum Beispiel durch die Basisschicht 7, falls ein Basisschichtmaterial verwendet wird, das für diese Art von Strahlung transparent ist, wie zum Beispiel PET oder Glas, ausgehärtet.
  • Daher werden die Vorsprünge 14 fest in der ausgehärteten Dämpferschicht 13 gehalten und wird die im Wesentlichen parallele relative Ausrichtung der hinteren Basisschichtoberfläche 18 und der Musterseite 1 während der weiteren Bearbeitung besonders zuverlässig aufrechterhalten.
  • Es ist jedoch anzumerken, dass der oben beschriebene Schritt des Aushärtens der Dämpferschicht 13 optional ist. Alternativ kann die Dämpferschicht 13 aus einem nicht-härtenden Material, wie zum Beispiel einem nicht-härtenden Haftmittel, einem nicht-härtenden Harz oder einem nicht-härtenden Gel, ausgebildet sein oder die Dämpferschicht 13 aus einem härtbaren Material ausgebildet sein, aber in dem Verfahren zum Bearbeiten des Wafers W nicht ausgehärtet werden.
  • Nachfolgend wird nach dem optionalen Schritt des Aushärtens der Dämpferschicht 13 die Vorderseite 1 des Wafers W in dem Zustand bearbeitet, in dem die hintere Oberfläche 18 der Basisschicht 7, die eine ebene, glatte Oberfläche ist, auf der oberen Oberfläche des Einspanntischs 20 angeordnet ist (siehe 6). Insbesondere kann der Bearbeitungsschritt einen Schritt des Schneidens der Vorderseite 1 des Wafers W, zum Beispiel des Schneidens des Wafers W entlang der Trennlinien 11, umfassen oder daraus bestehen. Auf diese Weise kann der Wafer W in einzelne Bausteine oder Chips geteilt werden, wobei jeder Baustein oder Chip ein entsprechendes Bauelement 27 aufweist (siehe 2).
  • Der Schritt des Schneidens des Wafers W entlang der Trennlinien 11 ist in 8 durch gestrichelte Linien angezeigt. Wie in dieser Zeichnung veranschaulicht ist, wird der Wafer W bei der vorliegenden Ausführungsform von dessen Vorderseite 1 aus geschnitten. Das Schneiden des Wafers W kann durch mechanisches Schneiden, zum Beispiel durch Klingenzerteilen oder Sägen, und/oder durch Laserschneiden und/oder durch Plasmaschneiden durchgeführt werden. Zum Beispiel kann ein Laserschneiden durch Laserablation oder durch Ausbilden modifizierter Schichten innerhalb des Wafers W entlang der Trennlinien 11 durch Laserbestrahlung durchgeführt werden. Der Wafer W kann in einem einzelnen mechanischen Schneidschritt, einem einzelnen Laserschneidschritt oder einem einzelnen Plasmaschneidschritt geschnitten werden. Alternativ kann der Wafer W durch eine Abfolge von mechanischen Schneidschritten und/oder Laserschneidschritten und/oder Plasmaschneidschritten geschnitten werden. Außerdem kann der Schneidvorgang unter Verwendung einer Abfolge von Schneidschritten mit unterschiedlichen Schnittbreiten durchgeführt werden.
  • Da die ebene hintere Oberfläche 18 der Basisschicht 7, die auf der oberen Oberfläche des Einspanntischs 20, der Teil einer Schneidvorrichtung (nicht gezeigt) bilden kann, angeordnet ist, im Wesentlichen parallel zu der Vorderseite 1 des Wafers W ist, wird der Druck, der während des Schneidvorgangs, beispielsweise durch eine Schneidklinge oder Säge, auf den Wafer W ausgeübt wird, gleichmäßig und einheitlich über den Wafer W verteilt. Daher kann das Risiko eines Brechens des Wafers W minimiert werden. Ferner ermöglicht die im Wesentlichen parallele Ausrichtung der ebenen, gleichmäßigen hinteren Oberfläche 18 der Basisschicht 7 und der Vorderseite 1 des Wafers W, den Schneidschritt mit einem hohen Maß an Genauigkeit durchzuführen, wodurch besonders gut definierte und einheitliche Formen und Größen der resultierenden Bausteine oder Chips erreicht werden.
  • Die Schutzfolie 4 deckt die an der Rückseite 6 des Wafers W ausgebildeten Vorsprünge 14 ab, wodurch die Vorsprünge 14 vor Beschädigung und Verunreinigung, zum Beispiel durch Rückstände des Materials, das die Dämpferschicht 13 bildet, geschützt werden. Außerdem wirkt die Schutzfolie 4 als ein zusätzlicher Dämpfer oder Puffer zwischen der Rückseite 6 des Wafers W und der Dämpferschicht 13, wodurch weiter zu der gleichmäßigen und einheitlichen Verteilung des Drucks während der Bearbeitung, wie zum Beispiel des Schneidens, beigetragen wird. Deshalb kann ein Brechen des Wafers W während des Schneidvorgangs besonders zuverlässig verhindert werden.
  • Nachdem die Bausteine oder Chips in dem Schneidschritt vollständig voneinander geteilt wurden, können sie durch eine Aufnehmeinrichtung (nicht gezeigt) aufgenommen werden.
  • Bevor dieser Aufnehmschritt durchgeführt wird, können die Basisschicht 7 und die Dämpferschicht 13 zusammen von dem geteilten Wafer W entfernt werden, so dass die Bausteine oder Chips auf der Schutzfolie 4 verbleiben. Auf diese Weise können die getrennten Chips oder Bausteine in einer besonders einfachen und effizienten Weise von der Schutzfolie 4 aufgenommen werden. Zum Beispiel kann die Schutzfolie 4 unter Verwendung einer Aufweittrommel oder dergleichen radial aufgeweitet werden, wodurch eine Lücke zwischen nebeneinanderliegenden Bausteinen oder Chips vergrößert und somit der Aufnehmvorgang erleichtert wird. Da die Schutzfolie 4 an der Rückseite 6 des Wafers W in dem mittlerem Bereich und dem Umfangsbereich der vorderen Oberfläche 4a der Schutzfolie 4 durch das Aufbringen des äußeren Impulses bzw. durch die Haftmittelschicht 9 angebracht ist, kann dieser Vorgang des Trennens der Bausteine oder Chips voneinander in einer besonders zuverlässigen und effizienten Weise durchgeführt werden.
  • Die Dämpferschicht 13 kann nach dem Aushärten ein gewisses Maß an Kompressibilität, Elastizität und/oder Flexibilität, wie zum Beispiel ein gummiartiges Verhalten, aufweisen, wodurch ein besonders leichtes Entfernen derselben von dem Wafer W ermöglicht wird. Alternativ oder zusätzlich kann ein weiterer äußerer Impuls, wie zum Beispiel heißes Wasser, vor deren Entfernung auf die ausgehärtete Dämpferschicht 13 aufgebracht werden, um die ausgehärtete Dämpferschicht 13 zur weiteren Erleichterung des Entfernvorgangs zu erweichen.
  • Die Schutzfolie 4 ist an der Rückseite 6 des Wafers W so angeordnet, dass das Haftmittel der Haftmittelschicht 9 nur mit dem Umfangsabschnitt der Rückseite 6 in Kontakt steht, der dem Umfangsrandbereich 3 an der Vorderseite 1 des Wafers W entspricht. Kein Material, insbesondere kein Haftmittel, liegt zwischen dem mittleren Bereich der vorderen Oberfläche 4a der Schutzfolie 4 und der Waferrückseite 6, das heißt zwischen der Schutzfolie 4 und den getrennten Bausteinen oder Chips, vor. Daher wird das Risiko einer möglichen Verunreinigung oder Beschädigung der Bausteine oder Chips, zum Beispiel wegen der Haftkraft der Haftmittelschicht 9 oder Haftmittelrückständen an den Bausteinen oder Chips, in dem Aufnehmvorgang beseitigt.
  • Nachfolgend wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers W gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 9 bis 12 beschrieben.
  • Das Verfahren gemäß der Ausführungsform der 9 bis 12 unterscheidet sich von dem Verfahren gemäß der Ausführungsform der 1 bis 8 hauptsächlich dahingehend, dass nur eine Schutzfolie 4 anstatt einer Schutzabdeckung 5 verwendet wird und in dem gesamten Bereich, in dem die vordere Oberfläche 4a und die Waferrückseite 6 miteinander in Kontakt stehen, kein Haftmittel an der vorderen Oberfläche 4a der Schutzfolie 4 vorgesehen ist. Ferner liegen keine Vorsprünge oder Erhebungen an der Rückseite 6 des Wafers W vor. Bei der Beschreibung der vorliegenden Ausführungsform werden die Elemente, die ähnlich oder im Wesentlichen identisch zu denen der Ausführungsform der 1 bis 8 sind, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet und wird eine wiederholte ausführliche Beschreibung derselben weggelassen.
  • Der Bauelementbereich 2 des in 9 gezeigten Wafers W ist mit mehreren Vorsprüngen 24, die von einer ebenen Oberfläche des Wafers W hervorstehen, ausgebildet. Die Vorsprünge 24 können zum Beispiel Bumps zum Herstellen eines elektrischen Kontakts mit den Bauelementen des Bauelementbereichs 2 in den getrennten Bausteinen oder Chips sein. Die Höhe der Vorsprünge 24 in der Dickenrichtung des Wafers W kann im Bereich von 20 bis 500 µm liegen.
  • Vor dem Aufbringen der Schutzfolie 4 auf den Wafer W wird ein Umfangsabschnitt der Schutzfolie 4 an dem ringförmigen Rahmen 25 (siehe 5) angebracht. Nachfolgend wird die Schutzfolie 4 so auf die Rückseite 6 des Wafers W aufgebracht, dass in dem gesamten Bereich, in dem die vordere Oberfläche 4a der Schutzfolie 4 mit der Waferrückseite 6 in Kontakt steht, die vordere Oberfläche 4a der Schutzfolie 4 mit der Rückseite 6 in unmittelbarem Kontakt steht. Somit liegt kein Material, insbesondere kein Haftmittel, zwischen der vorderen Oberfläche 4a und der Rückseite 6 vor.
  • Nach dem Aufbringen der Schutzfolie 4 auf die Rückseite 6 des Wafers W wird ein äußerer Impuls auf die Schutzfolie 4 aufgebracht, so dass die Schutzfolie 4 an der Rückseite 6 des Wafers W angebracht wird. Das Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie 4 kann im Wesentlichen in der gleichen Weise durchgeführt werden, wie oben für die Ausführungsform der 1 bis 8 dargelegt wurde, insbesondere durch Erwärmen der Schutzfolie 4. Das Ergebnis dieses Anbringschritts ist in 9 gezeigt.
  • Nachfolgend wird der Wafer W von dessen Vorderseite 1 aus bearbeitet, das heißt entlang der Trennlinien 11 (siehe 2) geschnitten, wie in 10 durch Pfeile und gestrichelte Linien angezeigt ist. Der Schneidschritt kann im Wesentlichen in der gleichen Weise durchgeführt werden, die oben für die Ausführungsform der 1 bis 8 dargelegt wurde.
  • Bei diesem Schneidvorgang kann der Wafer W, beispielsweise durch einen mechanischen Schneidvorgang, einen Laserschneidvorgang oder einen Plasmaschneidvorgang, vollständig in einzelne Bausteine oder Chips geteilt werden. Nachfolgend können die vollständig geteilten Bausteine oder Chips durch radiales Aufweiten der Schutzfolie 4, zum Beispiel unter Verwendung einer Aufweittrommel oder dergleichen, voneinander weg bewegt werden, wodurch die Abstände zwischen nebeneinanderliegenden Bausteinen oder Chips vergrößert werden, wie in 11 gezeigt ist. Auf diese Weise wird ein nachfolgender Schritt des Aufnehmens der Bausteine oder Chips, zum Beispiel durch eine Aufnehmeinrichtung (nicht gezeigt), erheblich erleichtert.
  • Das Bewegen der Bausteine oder Chips voneinander weg durch das radiale Aufweiten der Schutzfolie 4 ermöglicht, die Bausteine oder Chips in einer besonders effizienten Weise zu trennen. Insbesondere ist kein erneutes Anbringen des Wafers W, zum Beispiel an einem separaten Haftband, wie zum Beispiel einem Aufweitband, erforderlich, so dass die Anzahl der Verfahrensschritte verringert wird.
  • Alternativ kann der Wafer W einem Stealthzerteilvorgang, das heißt einem Vorgang, in dem durch das Aufbringen eines Laserstrahls modifizierte Bereiche innerhalb des Wafers W ausgebildet werden, unterzogen werden, um einzelne Bausteine oder Chips zu erhalten, wie oben dargelegt wurde. Der Laserstrahl wird auf den Wafer W von dessen Vorderseite 1 aus aufgebracht. Nachfolgend kann der Wafer W entlang der Trennlinien 11, an denen die modifizierten Bereiche ausgebildet sind, geteilt, zum Beispiel gebrochen, werden, indem die Schutzfolie 4 radial aufgeweitet wird, wie in 11 durch zwei Pfeile angezeigt ist.
  • Kein Material, insbesondere kein Haftmittel, liegt zwischen der vorderen Oberfläche 4a der Schutzfolie 4 und der Waferrückseite 6, das heißt zwischen der Schutzfolie 4 und den getrennten Bausteinen oder Chips, vor. Daher wird das Risiko einer möglichen Verunreinigung oder Beschädigung der Bausteine oder Chips, zum Beispiel wegen der Haftkraft einer Haftmittelschicht oder Haftmittelrückständen an den Bausteinen oder Chips, in dem Aufnehmvorgang beseitigt.
  • Eine alternative Weise, den Wafer W zu teilen, ist in 12 veranschaulicht. Bei diesem Ansatz wird der Wafer W einer Stealthzerteilung von dessen Rückseite 6 aus unterzogen, anstatt einen Schneid- oder Stealthzerteilvorgang von der Vorderseite 1 des Wafers W aus durchzuführen. Insbesondere wird ein gepulster Laserstrahl auf den Wafer W von dessen Rückseite 6 aus aufgebracht, wie in 12 durch Pfeile angezeigt ist. Die Schutzfolie 4 besteht aus einem Material, das für den gepulsten Laserstrahl transparent ist. Daher wird der Laserstrahl durch die Schutzfolie 4 transmittiert und bildet mehrere modifizierte Bereiche (in 12 durch gestrichelte Linien angezeigt) in dem Wafer W entlang der Trennlinien 11 aus. Nach dem Ausbilden dieser modifizierten Bereiche in dem Wafer W kann der Wafer W entlang der Trennlinien 11 durch radiales Aufweiten der Schutzfolie 4 (siehe 11) geteilt, zum Beispiel gebrochen, werden.
  • Das Durchführen der Stealthzerteilung von der Rückseite 6 des Wafers W aus ist besonders vorteilhaft, falls Elemente, wie zum Beispiel Metallstrukturen oder dergleichen, an der Wafervorderseite 1 vorgesehen sind, die eine Transmission des gepulsten Laserstrahls beeinträchtigen oder sogar blockieren.
  • Nachfolgend wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers W gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 13 bis 18 beschrieben.
  • Bei der Beschreibung der vorliegenden Ausführungsform werden die Elemente, die ähnlich oder im Wesentlichen identisch zu denen der vorherigen Ausführungsformen sind, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet und wird eine wiederholte ausführliche Beschreibung derselben weggelassen. Insbesondere ist der in 13 gezeigte Wafer W im Wesentlichen identisch zu dem, der in 9 gezeigt ist.
  • Bei dem Verfahren gemäß dieser Ausführungsform wird Wafermaterial entlang der Trennlinien 11 (siehe 15A und 15B) von der Vorderseite 1 des Wafers W aus entfernt. Bei diesem Vorgang wird Wafermaterial nur entlang eines Teils der Dicke des Wafers W entfernt, so dass Nuten 28 ausgebildet werden, die sich entlang der Trennlinien 11 erstrecken, wie in 13, 15A und 15B gezeigt ist.
  • Das Wafermaterial kann entlang der Trennlinien 11 in der gleichen Weise wie oben dargelegt entfernt werden. Insbesondere kann das Wafermaterial entlang der Trennlinien 11 mechanisch entfernt werden. Zum Beispiel kann das Wafermaterial entlang der Trennlinien 11 entfernt werden, indem der Wafer W entlang der Trennlinien 11, beispielsweise durch Klingenzerteilen oder Sägen, mechanisch geschnitten wird. Alternativ oder zusätzlich kann das Wafermaterial entlang der Trennlinien 11 durch Laserschneiden und/oder durch Plasmaschneiden entfernt werden.
  • Wie in 15A gezeigt ist, kann der Vorgang des Entfernens von Wafermaterial entlang der Trennlinien 11 so durchgeführt werden, dass die Nuten 28 sich nicht vollständig bis zu seitlichen Rändern des Wafers W erstrecken. In diesem Fall wird in einem Umfangsabschnitt des Wafers W kein Wafermaterial entfernt. Auf diese Weise kann der Bauelementbereich 2 besonders zuverlässig vor Verunreinigung geschützt werden. Insbesondere kann die Schutzfolie 4 in besonders dichtem Kontakt zu der Waferoberfläche an dem Umfangsabschnitt des Wafers W angebracht werden, wodurch der Bauelementbereich 2 effizient abgedichtet wird.
  • Alternativ kann, wie in 15B gezeigt ist, der Vorgang des Entfernens von Wafermaterial entlang der Trennlinien 11 so durchgeführt werden, dass sich die Nuten 28 vollständig bis zu den seitlichen Rändern des Wafers W erstrecken.
  • Nach dem Entfernen des Wafermaterials entlang der Trennlinien 11 wird die Schutzfolie 4 zum Abdecken der Bauelemente 27 an dem Wafer W auf die Vorderseite 1 des Wafers W aufgebracht, so dass in dem gesamten Bereich, in dem die vordere Oberfläche 4a der Schutzfolie 4 in Kontakt mit der Wafervorderseite 1 steht, die vordere Oberfläche 4a der Schutzfolie 4 in unmittelbarem Kontakt mit der Vorderseite 1 steht. Somit liegt zwischen der vorderen Oberfläche 4a der Schutzfolie 4 und der Wafervorderseite 1 kein Material, insbesondere kein Haftmittel, vor. Die Schutzfolie 4 weist vorzugsweise die gleiche Form wie der Wafer W, das heißt bei der vorliegenden Ausführungsform eine Kreisform, auf und ist vorzugsweise konzentrisch an diesem angebracht. Der Durchmesser der Schutzfolie 4 ist annähernd der gleiche wie der des Wafers W, wie in 14 schematisch gezeigt ist.
  • Nach dem Aufbringen der Schutzfolie 4 auf die Vorderseite 1 des Wafers W wird ein äußerer Impuls auf die Schutzfolie 4 aufgebracht, so dass die Schutzfolie 4 an der Vorderseite 1 angebracht wird. Das Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie 4 kann im Wesentlichen in der gleichen Weise durchgeführt werden, die oben für die Ausführungsform der 1 bis 8 dargelegt wurde, insbesondere durch Erwärmen der Schutzfolie 4. Das Ergebnis dieses Anbringschritts ist in 14 gezeigt. In dem angebrachten Zustand der Schutzfolie 4 sind die von der ebenen Oberfläche der Wafervorderseite 1 hervorstehenden Vorsprünge 24 vollständig in der Schutzfolie 4 eingebettet.
  • Nachfolgend wird die Rückseite 6 des Wafers W geschliffen, um die Waferdicke einzustellen. Das Schleifen der Waferrückseite 6 wird entlang eines verbleibenden Teils der Dicke des Wafers W, in dem kein Wafermaterial entfernt wurde, durchgeführt, so dass der Wafer W entlang der Trennlinien 11 geteilt wird, wodurch einzelne Bausteine oder Chips erhalten werden. Das Ergebnis dieses Schleifschritts ist in 16 gezeigt. Nach dem Schleifen der Rückseite 6 des Wafers W kann die Rückseite 6 poliert und/oder geätzt, beispielsweise mit Plasma geätzt, werden.
  • In einem nachfolgenden Schritt wird ein aufweitbares Haftband 30, wie zum Beispiel ein Aufweitband, an der geschliffenen Rückseite 6 des Wafers W angebracht. Ein Umfangsabschnitt des Haftbands 30 wird an einem ringförmigen Rahmen 25 angebracht. Das Ergebnis dieses Anbringschritts ist in 17 gezeigt.
  • Nachdem das Haftband 30 an der geschliffenen Waferrückseite 6 abgebracht wurde, wird die Schutzfolie 4 entfernt. Das Haftband 30 wird nachfolgend, zum Beispiel durch Verwendung einer Aufweittrommel oder dergleichen, radial aufgeweitet, wie in 18 durch zwei Pfeile angezeigt ist, so dass die geteilten Bausteine oder Chips voneinander weg bewegt werden, wodurch die Abstände zwischen nebeneinanderliegenden Bausteinen oder Chips vergrößert werden. Nachfolgend können die Bausteine oder Chips, zum Beispiel durch Verwendung einer Aufnehmeinrichtung (nicht gezeigt), aufgenommen werden.
  • Nachfolgend wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers W gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 19 bis 27 beschrieben.
  • Bei der Beschreibung der vorliegenden Ausführungsform werden die Elemente, die ähnlich oder im Wesentlichen identisch zu denen der vorherigen Ausführungsformen sind, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet und wird eine wiederholte ausführliche Beschreibung derselben weggelassen. Insbesondere ist der in 19 gezeigte Wafer W im Wesentlichen identisch zu dem, der in 9 gezeigt ist.
  • Bei dem Verfahren gemäß dieser Ausführungsform wird eine Schutzfolie 4 mit einer Haftmittelschicht 9 zum Abdecken der Bauelemente 27 an dem Wafer W so auf die Vorderseite 1 des Wafers W aufgebracht (wie in 20 durch einen Pfeil angezeigt ist), dass ein mittlerer Bereich der vorderen Oberfläche 4a der Schutzfolie 4 in unmittelbarem Kontakt mit der Vorderseite 1 des Wafers W steht. Somit liegt zwischen dem mittleren Bereich der vorderen Oberfläche 4a der Schutzfolie 4 und der Wafervorderseite 1 kein Material, insbesondere kein Haftmittel, vor.
  • Die Haftmittelschicht 9 weist eine Ringform auf und ist nur in einem Umfangsbereich der vorderen Oberfläche 4a der Schutzfolie 4 vorgesehen. Der Umfangsbereich umgibt den mittleren Bereich der vorderen Oberfläche 4a der Schutzfolie 4. Die Schutzfolie 4 wird so auf die Wafervorderseite 1 aufgebracht, dass das Haftmittel der Haftmittelschicht 9 nur mit einem Umfangsabschnitt der Vorderseite 1 in Kontakt kommt. Dieser Umfangsabschnitt der Vorderseite 1 ist innerhalb des Umfangsrandbereichs 3, in dem keine Bauelemente 27 ausgebildet sind, angeordnet. In dieser Hinsicht ist anzumerken, dass die Haftmittelschicht 9 in 22 bis 24 zur einfacheren Darstellung nicht gezeigt ist.
  • Die Schutzfolie 4 weist vorzugsweise die gleiche Form wie der Wafer W, das heißt bei der vorliegenden Ausführungsform eine Kreisform, auf und wird vorzugsweise konzentrisch an diesem abgebracht. Der Durchmesser der Schutzfolie 4 ist im Wesentlichen der gleiche wie der des Wafers W, wie in 21 und 22 schematisch gezeigt ist.
  • Die Schutzfolie 4 deckt die in dem Bauelementbereich 2 ausgebildeten Bauelemente 27 einschließlich der Vorsprünge 24 ab, wodurch die Bauelemente 27 vor Beschädigung oder Verunreinigung geschützt werden. Ferner wirkt die Schutzfolie 4 als ein Dämpfer in der nachfolgenden Bearbeitung des Wafers W, zum Beispiel in einem nachfolgenden Schleifschritt.
  • Nach dem Aufbringen der Schutzfolie 4 auf die Vorderseite 1 des Wafers W wird ein äußerer Impuls auf die Schutzfolie 4 aufgebracht, so dass die Schutzfolie 4 an der Wafervorderseite 1 angebracht, das heißt vollständig angebracht, wird. Das Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie 4 kann im Wesentlichen in der gleichen Weise durchgeführt werden, die oben für die Ausführungsform der 1 bis 8 dargelegt wurde, insbesondere durch Erwärmen der Schutzfolie 4. Das Ergebnis dieses Anbringschritts ist in 22 gezeigt. In dem angebrachten Zustand der Schutzfolie 4 sind die von der ebenen Oberfläche der Wafervorderseite 1 hervorstehenden Vorsprünge 24 vollständig in der Schutzfolie 4 eingebettet.
  • Eine Anbringkraft zwischen dem mittleren Bereich der vorderen Oberfläche 4a der Schutzfolie 4 und der Vorderseite 1 des Wafers W wird durch das Aufbringen des äußeren Impulses, zum Beispiel durch den Erwärmvorgang, erzeugt. Insbesondere kann durch Erwärmen der Schutzfolie 4 ein Formschluss und/oder ein Stoffschluss zwischen Schutzfolie 4 und Wafer W in diesem mittleren Bereich ausgebildet werden.
  • Ferner wird der Umfangsbereich der vorderen Oberfläche 4a der Schutzfolie 4 durch die Haftmittelschicht 9 an dem Umfangsabschnitt der Vorderseite 1 des Wafers W angehaftet, wodurch eine besonders robuste und zuverlässige Anbringung der Schutzfolie 4 gewährleistet wird.
  • Nach dem Anbringen der Schutzfolie 4 an der Vorderseite 1 des Wafers W wird die Rückseite 6 des Wafers W bearbeitet. Die Rückseite 6 des Wafers W kann durch Schleifen und/oder Polieren und/oder Ätzen und/oder Schneiden bearbeitet werden.
  • Bei dem Verfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird die Waferrückseite 6 geschliffen, um die Waferdicke einzustellen, nachdem die Schutzfolie 4 an der Wafervorderseite 1 angebracht wurde. Das Ergebnis dieses Schleifschritts ist in 23 gezeigt. Nach dem Schleifen der Rückseite 6 des Wafers W kann die Rückseite 6 poliert und/oder geätzt, zum Beispiel mit Plasma geätzt, werden.
  • Nachfolgend wird die geschliffene Waferrückseite 6 weiter bearbeitet, das heißt entlang der Trennlinien 11 geschnitten (siehe 21), wie in 24 durch Pfeile und gestrichelte Linien angezeigt ist. Der Schneidschritt kann im Wesentlichen in der gleichen Weise durchgeführt werden, die oben für die Ausführungsform der 1 bis 8 dargelegt wurde.
  • Bei diesem Schneidvorgang kann der Wafer W, zum Beispiel durch einen mechanischen Schneidvorgang, einen Laserschneidvorgang oder einen Plasmaschneidvorgang, vollständig in einzelne Bausteine oder Chips geteilt werden. Nachfolgend kann ein aufweitbares Haftband 30, wie zum Beispiel ein Aufweitband, an der geschliffenen Rückseite 6 des Wafers W angebracht werden (siehe 25).
  • Nachdem das Haftband 30 an der geschliffenen Waferrückseite 6 angebracht wurde, kann die Schutzfolie 4 entfernt werden. Das Haftband 30 kann nachfolgend, zum Beispiel durch Verwendung einer Aufweittrommel oder dergleichen, radial aufgeweitet werden, wie in 25 durch zwei Pfeile angezeigt ist, um so die geteilten Bausteine oder Chips voneinander weg zu bewegen, wodurch die Abstände zwischen nebeneinanderliegenden Bausteinen oder Chips vergrößert werden. Nachfolgend können die Bausteine oder Chips, zum Beispiel durch Verwendung einer Aufnehmeinrichtung (nicht gezeigt), aufgenommen werden.
  • Alternativ kann der Wafer W einem Stealthzerteilvorgang von dessen geschliffener Rückseite 6 aus unterzogen werden, um einzelne Bausteine oder Chips zu erhalten. Nachfolgend kann das Haftband 30 an der geschliffenen Rückseite 6 des Wafers W angebracht werden, die Schutzfolie 4 entfernt werden und der Wafer W entlang der Trennlinien 11, an denen die modifizierten Bereiche ausgebildet sind, durch radiales Aufweiten des Haftbands 30 (siehe 25) geteilt, zum Beispiel gebrochen, werden.
  • Eine alternative Weise, den Wafer W zu teilen, ist in 26 und 27 veranschaulicht. Bei diesem Ansatz wird nach dem Schleifen der Rückseite 6 des Wafers W das Haftband 30 an der geschliffenen Waferrückseite 6 angebracht und die Schutzfolie 4 entfernt. Der Umfangsabschnitt des Haftbands 30 wird an dem ringförmigen Rahmen 25 angebracht. Das Ergebnis dieser Anbring- und Entfernschritte ist in 26 gezeigt. Nachfolgend wird der Wafer W einem Schneiden oder Stealthzerteilen entlang der Trennlinien 11 von dessen Vorderseite 1 aus unterzogen, wie in 27 durch Pfeile und gestrichelte Linien angezeigt ist.

Claims (22)

  1. Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers (W), der an einer Seite (1) einen Bauelementbereich (2) mit mehreren Bauelementen (27) aufweist, wobei das Verfahren umfasst: Bereitstellen einer Schutzfolie (4); Aufbringen der Schutzfolie (4) auf die Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, so dass zumindest ein mittlerer Bereich einer vorderen Oberfläche (4a) der Schutzfolie (4) in unmittelbarem Kontakt mit der Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, steht; Aufbringen eines äußeren Impulses auf die Schutzfolie (4) während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie (4) auf die Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, so dass die Schutzfolie (4) an der Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, angebracht wird; und Bearbeiten der einen Seite (1) des Wafers (W) und/oder der Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem wenigstens eine Trennlinie (11) an der einen Seite (1) des Wafers (W) ausgebildet ist, das Verfahren ein Bearbeiten der einen Seite (1) des Wafers (W) umfasst, und das Bearbeiten der einen Seite (1) des Wafers (W) umfasst, Wafermaterial entlang der wenigstens einen Trennlinie (11), vorzugsweise nur entlang eines Teils der Dicke des Wafers (W) oder entlang der gesamten Dicke des Wafers (W), zu entfernen.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem das Wafermaterial entlang der wenigstens einen Trennlinie (11) mechanisch entfernt wird, insbesondere durch mechanisches Schneiden des Wafers (W) entlang der wenigstens einen Trennlinie (11).
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem wenigstens eine Trennlinie (11) an der einen Seite (1) des Wafers (W) ausgebildet ist, das Verfahren ein Bearbeiten der einen Seite (1) des Wafers (W) umfasst, und das Bearbeiten der einen Seite (1) des Wafers (W) umfasst, einen gepulsten Laserstrahl von der einen Seite (1) des Wafers (W) aus auf den Wafer (W) aufzubringen, wobei der Wafer (W) aus einem Material besteht, das für den gepulsten Laserstrahl transparent ist, und der gepulste Laserstrahl zumindest an mehreren Stellen entlang der wenigstens einen Trennlinie (11) in einem Zustand auf den Wafer (W) aufgebracht wird, in dem ein Brennpunkt des gepulsten Laserstrahls mit einem Abstand von der einen Seite (1) des Wafers (W) in der Richtung von der einen Seite (1) des Wafers (W) auf die Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, zu angeordnet ist, so dass mehrere modifizierte Bereiche in dem Wafer (W) entlang der wenigstens einen Trennlinie (11) ausgebildet werden.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem wenigstens eine Trennlinie (11) an der einen Seite (1) des Wafers (W) ausgebildet ist, das Verfahren ein Bearbeiten der Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, umfasst, und das Bearbeiten der Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, umfasst, einen gepulsten Laserstrahl von der Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, auf den Wafer (W) aufzubringen, wobei die Schutzfolie (4) aus einem Material besteht, das für den gepulsten Laserstrahl transparent ist, der Wafer (W) aus einem Material besteht, das für den gepulsten Laserstrahl transparent ist, und der gepulste Laserstrahl zumindest an mehreren Stellen entlang der wenigstens einen Trennlinie (11) in einem Zustand auf den Wafer (W) aufgebracht wird, in dem ein Brennpunkt des gepulsten Laserstrahls mit einem Abstand von der Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, in der Richtung von der Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite gegenüberliegt, auf die eine Seite (1) des Wafers (W) zu angeordnet ist, so dass mehrere modifizierte Bereiche in dem Wafer (W) entlang der wenigstens einen Trennlinie (11) ausgebildet werden.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Schutzfolie (4) mit einer Haftmittelschicht (9) versehen ist, die Haftmittelschicht (9) nur in einem Umfangsbereich der vorderen Oberfläche (4a) der Schutzfolie (4) angeordnet ist, wobei der Umfangsbereich den mittleren Bereich der vorderen Oberfläche (4a) der Schutzfolie (4) umgibt, und die Schutzfolie (4) so auf die Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, aufgebracht wird, dass die Haftmittelschicht (9) nur mit einem Umfangsabschnitt der Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, in Kontakt kommt.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem die Haftmittelschicht (9) eine im Wesentlichen ringförmige Form, eine offene rechteckige Form oder eine offene quadratische Form aufweist.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Schutzfolie (4) aufweitbar ist, und das Verfahren ferner umfasst, die Schutzfolie (4) nach dem Bearbeiten der einen Seite (1) des Wafers (W) und/oder der Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, radial aufzuweiten, um so die Bauelemente (27) voneinander zu trennen.
  9. Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers (W), der an einer Seite (1) einen Bauelementbereich (2) mit mehreren Bauelementen (27) aufweist, wobei wenigstens eine Trennlinie (11) an der einen Seite (1) des Wafers (W) ausgebildet ist und das Verfahren umfasst: Entfernen von Wafermaterial entlang der wenigstens einen Trennlinie (11) von der einen Seite (1) des Wafers (W) aus; Bereitstellen einer Schutzfolie (4); Aufbringen der Schutzfolie (4) auf die eine Seite (1) des Wafers (W) zum Abdecken der Bauelemente (27) an dem Wafer (W) nach dem Entfernen von Wafermaterial entlang der wenigstens einen Trennlinie (11), so dass zumindest ein mittlerer Bereich einer vorderen Oberfläche (4a) der Schutzfolie (4) in unmittelbarem Kontakt mit der einen Seite (1) des Wafers (W) steht; Aufbringen eines äußeren Impulses auf die Schutzfolie (4) während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie (4) auf die eine Seite (1) des Wafers (W), so dass die Schutzfolie (4) an der einen Seite (1) des Wafers (W) angebracht wird; und Schleifen der Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, zum Einstellen der Waferdicke, nach dem Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie (4), wobei das Wafermaterial nur entlang eines Teils der Dicke des Wafers (W) entfernt wird, und das Schleifen der Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, entlang eines verbleibenden Teils der Dicke des Wafers (W), in dem kein Wafermaterial entfernt wurde, durchgeführt wird, so dass der Wafer (W) entlang der wenigstens einen Trennlinie (11) geteilt wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem die Schutzfolie (4) aufweitbar ist, und das Verfahren ferner umfasst, die Schutzfolie (4) nach dem Schleifen der Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, radial aufzuweiten, so dass die Bauelemente (27) voneinander getrennt werden.
  11. Verfahren nach Anspruch 9, das nach dem Schleifen der Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, ferner umfasst: Anbringen eines Haftbands (30) an der Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, und radiales Aufweiten des Haftbands (30), so dass die Bauelemente (27) voneinander getrennt werden.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, das ferner umfasst, nach dem Schleifen der Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, die Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, zu polieren.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 12, bei dem die Schutzfolie (4) mit einer Haftmittelschicht (9) versehen ist, die Haftmittelschicht (9) nur in einem Umfangsbereich der vorderen Oberfläche (4a) der Schutzfolie (4) angeordnet ist, wobei der Umfangsbereich den mittleren Bereich der vorderen Oberfläche (4a) der Schutzfolie (4) umgibt, und die Schutzfolie so auf die eine Seite (1) des Wafers (W) aufgebracht wird, dass die Haftmittelschicht (9) nur mit einem Umfangsabschnitt der einen Seite (1) des Wafers (W) in Kontakt kommt.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 13, bei dem eine Dämpferschicht (13) an einer hinteren Oberfläche (4b) der Schutzfolie (4), die deren vorderer Oberfläche (4a) gegenüberliegt, angebracht wird.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, bei dem eine Basisschicht (7) an einer hinteren Oberfläche der Dämpferschicht (13) angebracht wird.
  16. Verfahren nach Anspruch 15, bei dem eine vordere Oberfläche (17) der Basisschicht (7) mit der hinteren Oberfläche der Dämpferschicht (13) in Kontakt steht, und eine hintere Oberfläche (18) der Basisschicht (7), die deren vorderer Oberfläche (17) gegenüberliegt, im Wesentlichen parallel zu der Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, ist.
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 16, bei dem die Dämpferschicht (13) durch einen äußeren Impuls, wie zum Beispiel UV-Strahlung, Wärme, ein elektrisches Feld und/oder eine chemische Substanz, härtbar ist.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, das ferner umfasst, den äußeren Impuls auf die Dämpferschicht (13) aufzubringen, so dass die Dämpferschicht (13) ausgehärtet wird, nachdem die Schutzfolie (4) auf die eine Seite (1) des Wafers (W) aufgebracht wurde.
  19. Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers (W), der an einer Seite (1) einen Bauelementbereich (2) mit mehreren Bauelementen (27) aufweist, wobei das Verfahren umfasst: Bereitstellen einer Schutzfolie (4), die eine Haftmittelschicht (9) aufweist; Aufbringen der Schutzfolie (4) auf die eine Seite (1) des Wafers (W) zum Abdecken der Bauelemente (27) an dem Wafer (W), so dass ein mittlerer Bereich einer vorderen Oberfläche (4a) der Schutzfolie (4) in unmittelbarem Kontakt mit der einen Seite (1) des Wafers (W) steht; Aufbringen eines äußeren Impulses auf die Schutzfolie (4) während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie (4) auf die eine Seite (1) des Wafers (W), so dass die Schutzfolie (4) an der einen Seite (1) des Wafers (W) angebracht wird; und Bearbeiten der Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, wobei die Haftmittelschicht (9) nur in einem Umfangsbereich der vorderen Oberfläche (4a) der Schutzfolie (4) angeordnet ist, wobei der Umfangsbereich den mittleren Bereich der vorderen Oberfläche (4a) der Schutzfolie (4) umgibt, und die Schutzfolie (4) so auf die eine Seite (1) des Wafers (W) aufgebracht wird, dass die Haftmittelschicht (9) nur mit einem Umfangsabschnitt der einen Seite (1) des Wafers (W) in Kontakt kommt.
  20. Verfahren nach Anspruch 19, bei dem das Bearbeiten der Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, umfasst, die Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, zu schleifen, um die Waferdicke einzustellen.
  21. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie (4) ein Erwärmen der Schutzfolie (4) und/oder ein Kühlen der Schutzfolie (4) und/oder ein Aufbringen eines Vakuums auf die Schutzfolie (4) und/oder ein Bestrahlen der Schutzfolie (4) mit Licht umfasst.
  22. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Schutzfolie (4) aus einem Polymer, insbesondere einem Polyolefin, besteht.
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