DE102021209979A1 - Verfahren zur bearbeitung eines substrats - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft Verfahren zur Bearbeitung eines Substrats (2), das eine Seite (4) und eine der einen Seite (4) gegenüberliegende Seite (14) aufweist. Insbesondere betrifft die Erfindung ein Verfahren, das ein Bereitstellen eines Schutzfilms (16) mit einer vorderen Fläche (18) und einer der vorderen Fläche (18) gegenüberliegenden hinteren Fläche (20) und ein Aufbringen einer Beschichtung aus einem wasserlöslichen Material (22) auf zumindest einen mittleren Bereich der vorderen Fläche (18) des Schutzfilms (16) und/oder ein Aufbringen einer Beschichtung aus einem wasserlöslichen Material (22) auf zumindest einen mittleren Abschnitt der einen Seite (4) des Substrats (2) umfasst. Anschließend wird der Schutzfilm (16) auf die eine Seite (4) des Substrats (2) aufgebracht, wobei die vordere Fläche (18) des Schutzfilms (16) der einen Seite (4) des Substrats (2) zugewandt ist und zumindest zwischen dem mittleren Bereich der vorderen Fläche (18) des Schutzfilms (16) und der einen Seite (4) des Substrats (2) kein Haftmittel vorhanden ist. Ferner umfasst das Verfahren das Aufbringen eines äußeren Impulses auf den Schutzfilm (16) während und/oder nach dem Aufbringen des Schutzfilms (16) auf die eine Seite (4) des Substrats (2), sodass der Schutzfilm (16) an der einen Seite (4) des Substrats (2) angebracht wird, und das Bearbeiten der einen Seite (4) des Substrats (2) und/oder der Seite (14) des Substrats (2), die der einen Seite (4) gegenüberliegt.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung betrifft Verfahren zur Bearbeitung eines Substrats, wie z.B. eines Wafers, das eine Seite und eine der einen Seite gegenüberliegende Seite aufweist.
  • TECHNISCHER HINTERGRUND
  • Die Bearbeitung eines Substrats, wie zum Beispiel eines Wafers, muss in der Regel mit einem hohen Maß an Effizienz und Zuverlässigkeit durchgeführt werden. Bei einem Verfahren zur Herstellung von Bauelementen, zum Beispiel zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, wird beispielsweise ein Substrat, wie zum Beispiel ein Wafer, das einen Bauelementbereich mit mehreren Bauelementen aufweist, der üblicherweise durch mehrere Trennlinien unterteilt ist, in einzelne Chips unterteilt. Dieses Herstellungsverfahren umfasst im Allgemeinen einen Schleifschritt zur Einstellung der Substratdicke und einen Schneidschritt zum Schneiden des Substrats entlang der Trennlinien, um die einzelnen Dies zu erhalten. Der Schleifschritt wird von einer Rückseite des Substrats aus durchgeführt, die einer Substratvorderseite, auf der der Bauelementbereich ausgebildet ist, gegenüberliegt. Darüber hinaus können auch andere Bearbeitungsschritte, wie zum Beispiel Polieren und/oder Ätzen, auf der Rückseite des Substrats durchgeführt werden. Das Substrat kann entlang der Trennlinien von seiner Vorder- oder Rückseite aus geschnitten werden.
  • Um die auf dem Substrat ausgebildeten Bauelemente während der Bearbeitung des Substrats zum Beispiel vor Bruch, Verformung und/oder Verunreinigung durch Rückstände, Schleif- oder Schneidwasser zu schützen, kann auf der Vorderseite des Substrats vor der Bearbeitung ein Schutzfilm oder eine Schutzabdeckung aufgebracht werden.
  • Ein solcher Schutz der Bauelemente ist besonders wichtig, wenn der Bauelementbereich eine unebene Oberflächenstruktur aufweist. Zum Beispiel wird bei bekannten Halbleiterbauelement-Herstellungsverfahren, wie zum Beispiel Wafer-Level-Chip-Scale-Package (WLCSP), der Bauelementbereich des Substrats mit mehreren Vorsprüngen, wie zum Beispiel Kontakthöcker, ausgebildet, die von einer ebenen Oberfläche des Substrats hervorstehen. Diese Vorsprünge werden zum Beispiel zum Herstellen eines elektrischen Kontakts mit den Bauelementen in den einzelnen Chips verwendet, beispielsweise wenn die Chips in elektronische Geräte, wie zum Beispiel Mobiltelefone und PCs, aufgenommen werden.
  • Um eine Größenverringerung solcher elektronischer Geräte zu erreichen, muss die Größe der Halbleiterbauelemente verringert werden. Daher werden die Substrate, welche die daran ausgebildeten Bauelemente aufweisen, bei dem oben genannten Schleifschritt auf Dicken im pm-Bereich, zum Beispiel im Bereich von 20 bis 100 µm, geschliffen.
  • Bei bekannten Halbleiterbauelement-Herstellungsverfahren können Probleme während der Bearbeitung, zum Beispiel bei dem Schleifschritt, auftreten, falls Vorsprünge, wie zum Beispiel Kontakthöcker, in dem Bauelementbereich vorliegen. Insbesondere wird das Bruchrisiko des Substrats während der Bearbeitung wegen des Vorhandenseins dieser Vorsprünge erheblich erhöht. Ferner können die Vorsprünge des Bauelementbereichs an der Vorderseite des Substrats eine Verformung der Substratrückseite bewirken, falls das Substrat auf eine geringe Dicke, wie zum Beispiel eine Dicke im pm-Bereich, geschliffen wird, wodurch die Qualität der resultierenden Chips beeinträchtigt wird.
  • Deshalb ist die Verwendung eines Schutzfilms oder einer Schutzabdeckung von besonderer Wichtigkeit, wenn Substrate mit Bauelementbereichen, die solche unebenen Oberflächenstrukturen aufweisen, bearbeitet werden.
  • Jedoch besteht insbesondere in dem Fall empfindlicher Bauelemente, wie zum Beispiel mikroelektromechanische Systeme (MEMS), ein Problem dahingehend, dass die Bauelementstruktur an dem Substrat durch die Haftkraft einer Haftmittelschicht, die an dem Schutzfilm oder der Schutzabdeckung ausgebildet ist, beschädigt werden kann oder durch Haftmittelrückstände an den Bauelementen verunreinigt werden kann, wenn der Film oder die Abdeckung von dem Substrat abgezogen wird.
  • Ein Schutzfilm oder eine Schutzabdeckung kann vor der Bearbeitung auf die Rückseite des Substrats aufgebracht werden, um das Substrat zum Beispiel vor Bruch, Verformung und/oder Verunreinigung durch Schmutzpartikel zu schützen, zum Beispiel während eines Schritts des Schneidens des Substrats.
  • Auch in diesem Fall besteht ein Problem dahingehend, dass das Substrat durch die Haftkraft einer an dem Schutzfilm oder der Schutzabdeckung ausgebildeten Haftmittelschicht beschädigt oder durch Haftmittelrückstände an dem Substrat verunreinigt werden kann, wenn der Film oder die Abdeckung von dem Substrat abgezogen wird.
  • Um dieses Problem zu lösen, wurde in der DE 10 2018 200 656 A1 vorgeschlagen, eine Schutzfolie so auf einen Wafer aufzubringen, dass zumindest ein mittlerer Bereich des Schutzfilms in direktem Kontakt mit dem Wafer steht. Durch die Einwirkung eines äußeren Impulses wird eine Anbringkraft zwischen Schutzfolie und Wafer erzeugt, welche die Schutzfolie in ihrer Position auf dem Wafer hält. Auf diese Weise werden zwar Haftmittelrückstände auf dem Wafer vermieden, es kann jedoch nicht ausgeschlossen werden, dass nach dem Abziehen des Schutzfilms Rückstände des Schutzfolienmaterials auf dem Substrat verbleiben. Außerdem kann es bei einer starken Anbringkraft zwischen Schutzfolie und Wafer schwierig sein, die Schutzfolie vom Wafer abzuziehen.
  • Daher besteht weiterhin ein Bedarf nach einem zuverlässigen und effizienten Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats, das es ermöglicht, das Risiko einer Verunreinigung und einer Beschädigung des Substrats zu minimieren.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Dementsprechend ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein zuverlässiges und effizientes Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats bereitzustellen, das es ermöglicht, das Risiko einer Verunreinigung und einer Beschädigung des Substrats zu minimieren. Dieses Ziel wird durch ein Substratbearbeitungsverfahren mit den technischen Merkmalen des Anspruchs 1 und durch ein Substratbearbeitungsverfahren mit den technischen Merkmalen des Anspruchs 2 erreicht. Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung folgen aus den abhängigen Ansprüchen.
  • Die Erfindung stellt gemäß einem ersten Aspekt ein Verfahren zur Bearbeitung eines Substrats bereit, das eine Seite und eine der einen Seite gegenüberliegende Seite aufweist. Das Verfahren umfasst das Bereitstellen eines Schutzfilms mit einer vorderen Fläche und einer der vorderen Fläche gegenüberliegenden hinteren Fläche und das Aufbringen einer Beschichtung aus einem wasserlöslichen Material auf mindestens einen mittleren Bereich der vorderen Fläche des Schutzfilms und/oder das Aufbringen einer Beschichtung aus einem wasserlöslichen Material auf mindestens einen mittleren Abschnitt der einen Seite des Substrats. Das Verfahren umfasst ferner, nach dem Aufbringen der Beschichtung auf dem Schutzfilm und/oder dem Aufbringen der Beschichtung auf das Substrat, das Aufbringen des Schutzfilms auf die eine Seite des Substrats, wobei die vordere Fläche des Schutzfilms der einen Seite des Substrats zugewandt ist und der Schutzfilm so aufgebracht wird, dass kein Haftmittel zwischen mindestens dem mittleren Bereich der vorderen Fläche des Schutzfilms und der einen Seite des Substrats vorhanden ist. Darüber hinaus umfasst das Verfahren das Aufbringen eines äußeren Impulses auf den Schutzfilm während und/oder nach dem Aufbringen des Schutzfilms auf die eine Seite des Substrats, sodass der Schutzfilm an der einen Seite des Substrats angebracht wird, und das Bearbeiten der einen Seite des Substrats und/oder der Seite des Substrats, die der einen Seite gegenüberliegt.
  • Der Schutzfilm wird auf die eine Seite des Substrats aufgebracht, sodass zumindest zwischen dem mittleren Bereich der vorderen Fläche des Schutzfilms und der einen Seite des Substrats kein Haftmittel vorhanden ist. Dadurch kann das Risiko einer möglichen Verunreinigung oder Beschädigung des Substrats, zum Beispiel durch Haftmittel einer Haftmittelschicht oder Haftmittelrückstände auf dem Substrat, erheblich verringert oder sogar ausgeschlossen werden. Zwischen der vorderen Fläche des Schutzfilms und zumindest dem mittleren Abschnitt der einen Seite des Substrats können keine Haftmittel vorhanden sein.
  • Während und/oder nach dem Aufbringen des Schutzfilms auf die eine Seite des Substrats wird der äußere Impuls auf den Schutzfilm aufgebracht, sodass der Schutzfilm an der einen Seite des Substrats angebracht wird. Eine Anbringkraft zwischen Schutzfilm und Substrat, welche den Schutzfilm an seiner Position an dem Substrat hält, wird somit durch das Aufbringen des äußeren Impulses erzeugt. Daher ist kein zusätzliches Haftmittelmaterial zum Anbringen des Schutzfilms an der einen Seite des Substrats erforderlich.
  • Insbesondere kann durch Aufbringen des äußeren Impulses auf den Schutzfilm ein Formschluss, wie zum Beispiel eine formschlüssige Verbindung, und/oder ein Stoffschluss, wie zum Beispiel eine stoffschlüssige Verbindung, zwischen dem Schutzfilm und dem Substrat ausgebildet werden. Die Begriffe „Stoffschluss“ und „stoffschlüssige Verbindung“ definieren eine Anbringung oder Verbindung zwischen Schutzfilm und Substrat aufgrund von atomaren und/oder molekularen Kräften, die zwischen diesen zwei Komponenten wirken.
  • Der Begriff „stoffschlüssige Verbindung“ betrifft das Vorliegen dieser atomaren und/oder molekularen Kräfte, die so wirken, dass sie den Schutzfilm an dem Substrat anbringen oder anhaften, und impliziert nicht das Vorliegen eines zusätzlichen Haftmittels zwischen Schutzfilm und Substrat. Vielmehr sind, wie oben ausführlich beschrieben, zwischen zumindest dem mittleren Bereich der vorderen Fläche des Schutzfilms und der einen Seite des Substrats keine Haftmittel vorhanden.
  • Bevor der Schutzfilm auf die eine Seite des Substrats aufgebracht wird, wird eine Beschichtung aus einem wasserlöslichen Material auf mindestens den mittleren Bereich der vorderen Fläche des Schutzfilms und/oder auf mindestens den mittleren Abschnitt der einen Seite des Substrats aufgebracht. Die Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material kann auch nur auf mindestens den mittleren Bereich der vorderen Fläche des Schutzfilms aufgebracht werden. Die Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material kann nur auf mindestens den mittleren Abschnitt der einen Seite des Substrats aufgebracht werden. Die Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material kann zumindest auf den mittleren Bereich der vorderen Fläche des Schutzfilms und zumindest auf den mittleren Abschnitt der einen Seite des Substrats aufgebracht werden.
  • Der mittlere Bereich der vorderen Fläche des Schutzfilms kann mit dem mittleren Abschnitt der einen Seite des Substrats korrespondieren. Der mittlere Bereich der vorderen Fläche des Schutzfilms kann mit dem mittleren Abschnitt der einen Seite des Substrats kongruent sein.
  • Die Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material kann auf der gesamten vorderen Fläche des Schutzfilms aufgebracht werden. Die Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material kann auf den gesamten Abschnitt der vorderen Fläche des Schutzfilms aufgebracht werden, der mit der einen Seite des Substrats in Kontakt kommt. Die Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material kann auf der gesamten einen Seite des Substrats aufgebracht werden. Die Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material kann auf den gesamten Abschnitt der einen Seite des Substrats aufgebracht werden, der mit der vorderen Fläche des Schutzfilms in Kontakt kommt.
  • Bei dem wasserlöslichen Material handelt es sich nicht um ein Haftmittel. Zumindest zwischen dem mittleren Bereich der vorderen Fläche des Schutzfilms und der einen Seite des Substrats ist, wie oben ausführlich beschrieben, kein Haftmittel vorhanden.
  • Durch die Bereitstellung der Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material zwischen Schutzfilm und Substrat zumindest im mittleren Bereich oder Abschnitt, wird das Entfernen des Schutzfilms vom Substrat erheblich erleichtert. Insbesondere kann das wasserlösliche Material die zum Abziehen des Schutzfilms erforderliche Abziehkraft verringern. Dadurch wird das Risiko einer Beschädigung des Substrats beim Vorgang des Entfernens des Schutzfilms noch weiter verringert.
  • Außerdem wird durch das Vorhandensein des wasserlöslichen Materials das Risiko minimiert, dass nach dem Entfernen des Schutzfilms Rückstände des Schutzfilmmaterials auf dem Substrat verbleiben. Wenn nach dem Entfernen des Schutzfilms Rückstände des wasserlöslichen Materials auf dem Substrat verbleiben, können diese Rückstände aufgrund der wasserlöslichen Natur des Materials auf einfache, zuverlässige und effiziente Weise durch Reinigung der einen Seite des Substrats mit Wasser entfernt werden.
  • Durch das Aufbringen der Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material auf den Schutzfilm kann eine besonders vollständige und homogene Beschichtung erreicht werden. Darüber hinaus kann die Beschichtung besonders einfach, zuverlässig und effizient überprüft werden, wie zum Beispiel durch visuelle Inspektion.
  • Das Verfahren des ersten Aspekts der vorliegenden Erfindung ermöglicht somit eine zuverlässige und effiziente Bearbeitung eines Substrats und minimiert das Risiko einer Verunreinigung und Beschädigung des Substrats.
  • Die Erfindung stellt ferner gemäß einem zweiten Aspekt ein Verfahren zur Bearbeitung eines Substrats bereit, das eine Seite und eine der einen Seite gegenüberliegende Seite aufweist. Das Verfahren umfasst das Bereitstellen eines Schutzfilms mit einer vorderen Fläche und einer der vorderen Fläche gegenüberliegenden hinteren Fläche, wobei der Schutzfilm eine Beschichtung aus einem wasserlöslichen Material aufweist, die auf mindestens einem mittleren Bereich der vorderen Fläche des Schutzfilms aufgebracht ist, und das Aufbringen des Schutzfilms auf die eine Seite des Substrats, wobei die vordere Fläche des Schutzfilms der einen Seite des Substrats zugewandt ist und der Schutzfilm so aufgebracht wird, dass zumindest zwischen dem mittleren Bereich der vorderen Fläche des Schutzfilms und der einen Seite des Substrats kein Haftmittel vorhanden ist. Das Verfahren umfasst ferner das Aufbringen eines äußeren Impulses auf den Schutzfilm während und/oder nach dem Aufbringen des Schutzfilms auf die eine Seite des Substrats, sodass der Schutzfilm an der einen Seite des Substrats angebracht wird, und das Bearbeiten der einen Seite des Substrats und/oder der Seite des Substrats, die der einen Seite gegenüberliegt.
  • Der Schutzfilm kann vorab, z.B. während oder kurz nach der Herstellung des Schutzfilms, mit der Beschichtung des wasserlöslichen Materials bereitgestellt werden.
  • Das Substratbearbeitungsverfahren nach dem zweiten Aspekt stellt die technischen Effekte und Vorteile bereit, die bereits oben für das Bearbeitungsverfahren nach dem ersten Aspekt im Detail beschrieben wurden.
  • Die oben für das Verfahren der Substratbearbeitung nach dem ersten Aspekt beschriebenen Merkmale sind auch für das Verfahren der Substratbearbeitung nach dem zweiten Aspekt anwendbar. Insbesondere können das Substrat, der Schutzfilm, das wasserlösliche Material und der äußere Impuls, wie oben beschrieben, dieselben sein.
  • Somit ermöglicht auch das Verfahren nach dem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung eine zuverlässige und effiziente Bearbeitung eines Substrats, wobei das Risiko einer Verunreinigung und Beschädigung des Substrats minimiert wird.
  • Die folgenden Merkmale, Definitionen, technischen Effekte und Vorteile sind auf die Verfahren des ersten und zweiten Aspekts anwendbar.
  • Die eine Seite des Substrats kann eine Vorderseite oder eine Rückseite des Substrats sein. Die der einen Seite gegenüberliegende Seite des Substrats kann eine Vorderseite oder eine Rückseite des Substrats sein.
  • Die eine Seite oder Fläche des Substrats und die Seite oder Fläche des Substrats, die der einen Seite oder Fläche gegenüberliegt, können im Wesentlichen parallel zueinander sein.
  • Das Substrat kann zum Beispiel aus einem Halbleiter, Glas, Saphir (Al2O3), einer Keramik, wie zum Beispiel einer Aluminiumoxidkeramik, Quarz, Zirkoniumdioxid, PZT (Bleizirkonattitanat), einem Polycarbonat, einem optischen Kristallmaterial oder Ähnlichem hergestellt werden.
  • Insbesondere kann das Substrat beispielsweise aus Siliziumkarbid (SiC), Silizium (Si), Galliumarsenid (GaAs), Galliumnitrid (GaN), Galliumphosphid (GaP), Indiumarsenid (InAs), Indiumphosphid (InP), Siliziumnitrid (SiN), Lithiumtantalat (LT), Lithiumniobat (LN), Aluminiumnitrid (AlN), Siliziumoxid (SiO2) oder Ähnlichem hergestellt werden.
  • Das Substrat kann ein Einkristallsubstrat, ein Glassubstrat, ein Verbundsubstrat, wie zum Beispiel ein Halbleiterverbundsubstrat, zum Beispiel ein SiC-, SiN-, GaN- oder GaAs-Substrat, oder ein polykristallines Substrat, wie zum Beispiel ein Keramiksubstrat sein.
  • Das Substrat kann ein Wafer sein. Das Substrat kann zum Beispiel ein Wafer in Halbleitergröße sein. Der Begriff „Wafer in Halbleitergröße“ bezieht sich hier auf einen Wafer mit den Abmessungen (standardisierte Abmessungen), insbesondere dem Durchmesser (standardisierter Durchmesser), das heißt dem Außendurchmesser, eines Halbleiterwafers. Die Abmessungen, insbesondere die Durchmesser, das heißt die Außendurchmesser, von Halbleiterwafern sind in den SEMI-Normen festgelegt. Beispielsweise sind die Abmessungen von polierten einkristallinen Siliziumwafern (Si-Wafer) in den SEMI-Normen M1 und M76 festgelegt. Die Halbleiterwafer können 3 Inch, 4 Inch, 5 Inch, 6 Inch, 8 Inch, 12 Inch oder 18 Inch groß sein.
  • Das Substrat kann ein Halbleiterwafer sein. Das Substrat kann zum Beispiel aus einem der oben genannten Halbleitermaterialien hergestellt werden.
  • Das Substrat, wie zum Beispiel ein Wafer, kann aus einem einzigen Material oder aus einer Kombination verschiedener Materialien, zum Beispiel aus zwei oder mehr der oben genannten Materialien, hergestellt sein. Das Substrat kann zum Beispiel ein aus Si und Glas hergestellter Wafer sein, bei dem ein aus Si hergestelltes Waferelement mit einem aus Glas hergestelltem Waferelement verbunden ist.
  • Das Substrat kann jede beliebige Form aufweisen. In der Draufsicht kann das Substrat zum Beispiel eine kreisförmige, ovale, elliptische oder polygonale Form aufweisen, wie zum Beispiel eine rechteckige oder quadratische Form.
  • Das Substrat kann auf der einen Seite und/oder auf der Seite, die der einen Seite gegenüberliegt, einen Bauelementbereich mit mehreren Bauelementen aufweisen. Die Seite des Substrats, die den Bauelementbereich aufweist, kann die Vorderseite des Substrats sein.
  • Bei den Bauelementen im Bauelementbereich kann es sich zum Beispiel um Halbleiterbauelemente, Leistungsbauelemente, optische Bauelemente, medizinische Bauelemente, elektrische Komponenten, MEMS-Bauelemente oder Kombinationen davon handeln. Die Bauelemente können beispielsweise Transistoren wie MOSFETs oder bipolare Transistoren mit isolierter Gateelektrode (IGBTs) oder Dioden, zum Beispiel Schottky-Barrieredioden, umfassen oder sein.
  • Das Substrat kann ferner auf der Seite des Substrats, die den Bauelementbereich aufweist, einen Umfangsrandbereich aufweisen, der keine Bauelemente enthält und um den Bauelementbereich herum ausgebildet ist.
  • Eine oder mehrere Trennlinien können auf der einen Seite des Substrats und/oder auf der der einen Seite gegenüberliegenden Seite des Substrats ausgebildet sein. Wenn das Substrat auf der einen Seite des Substrats und/oder auf der Seite des Substrats, die der einen Seite gegenüberliegt, einen Bauelementbereich mit mehreren Bauelementen aufweist, können die Bauelemente durch die eine oder mehrere Trennlinien unterteilt sein. Die Breite der einen oder mehreren Trennlinien kann im Bereich von 30 pm bis 200 µm, vorzugsweise 30 pm bis 150 pm und noch bevorzugter 30 pm bis 100 pm liegen.
  • Der Schutzfilm kann auf der einen Seite des Substrats aufgebracht werden, um die im Bauelementbereich ausgebildeten Bauelemente abzudecken und so die Bauelemente zum Beispiel vor Verschmutzung und Beschädigung zu schützen.
  • Die Oberfläche der einen Seite des Substrats kann eine im Wesentlichen ebene, gleichmäßige Fläche oder eine ebene, gleichmäßige Fläche sein. Alternativ können auf der einen Seite des Substrats Vorsprünge oder Erhebungen, die von einer ebenen Fläche des Substrats entlang einer Dickenrichtung des Substrats hervorstehen, und/oder Aussparungen vorhanden sein, die von einer ebenen Fläche des Substrats aus entlang der Dickenrichtung des Substrats ausgespart sind. Die Dickenrichtung des Substrats erstreckt sich von der einen Seite des Substrats zu der Seite des Substrats, die der einen Seite gegenüberliegt.
  • Das Aufbringen des äußeren Impulses auf den Schutzfilm kann ein Erwärmen des Schutzfilms und/oder ein Kühlen des Schutzfilms und/oder ein Aufbringen von Druck auf den Schutzfilm und/oder ein Aufbringen eines Vakuums auf den Schutzfilm und/oder ein Bestrahlen des Schutzfilms mit Strahlung, wie zum Beispiel Licht oder UV-Strahlung, beispielsweise durch Verwendung eines Laserstrahls, umfassen oder daraus bestehen.
  • Der äußere Impuls kann eine chemische Verbindung und/oder eine Elektronen- oder Plasmabestrahlung und/oder eine mechanische Behandlung, wie zum Beispiel ein Vakuum, Druck, Reibung oder ein Aufbringen von Ultraschall, und/oder statische Elektrizität umfassen oder sein.
  • Besonders bevorzugt umfasst das Aufbringen des äußeren Impulses auf den Schutzfilm ein Erwärmen des Schutzfilms oder besteht das Aufbringen des äußeren Impulses auf den Schutzfilm aus einem Erwärmen des Schutzfilms. Zum Beispiel kann das Aufbringen des äußeren Impulses auf den Schutzfilm ein Erwärmen des Schutzfilms und ein Aufbringen eines Vakuums auf den Schutzfilm umfassen oder daraus bestehen. In diesem Fall kann das Vakuum während und/oder vor und/oder nach dem Erwärmen des Schutzfilms auf den Schutzfilm aufgebracht werden.
  • Falls das Aufbringen des äußeren Impulses auf den Schutzfilm das Erwärmen des Schutzfilms umfasst oder daraus besteht, kann das Verfahren ferner umfassen, den Schutzfilm nach dem Erwärmungsvorgang abkühlen zu lassen. Insbesondere kann dem Schutzfilm gestattet werden, auf ihre Anfangstemperatur, das heißt auf deren Temperatur vor dem Erwärmungsvorgang, abzukühlen. Es kann dem Schutzfilm vor dem Bearbeiten der einen Seite des Substrats und/oder der Seite des Substrats, die der einen Seite gegenüberliegt, gestattet werden, abzukühlen, wie zum Beispiel auf deren Anfangstemperatur.
  • Durch den Erwärmungsvorgang wird eine Anbringkraft zwischen Schutzfilm und Substrat erzeugt. Die Anbringung des Schutzfilms an dem Substrat kann bei dem Erwärmungsvorgang selbst und/oder bei einem nachfolgenden Vorgang des Abkühlenlassens des Schutzfilms bewirkt werden.
  • Der Schutzfilm kann durch den Erwärmungsvorgang erweicht werden, zum Beispiel um sich der Fläche des Substrats auf der einen Seite des Substrats anzupassen, indem sie zum Beispiel die Topografie des Substrats aufnimmt. Nach dem Abkühlen, zum Beispiel auf die Ausgangstemperatur, kann sich der Schutzfilm wieder verfestigen, um zum Beispiel einen Formschluss und/oder eine stoffliche Verbindung mit dem Substrat herzustellen.
  • Der Schutzfilm kann bis zu einer Temperatur von 180 °C oder mehr, vorzugsweise bis zu einer Temperatur von 220 °C oder mehr, bevorzugter bis zu einer Temperatur von 250 °C oder mehr und noch bevorzugter bis zu einer Temperatur von 300 °C oder mehr wärmebeständig sein.
  • Der Schutzfilm kann auf eine Temperatur im Bereich von 30 °C bis 250 °C, vorzugsweise 50 °C bis 200 °C, bevorzugter 60 °C bis 150 °C und noch bevorzugter 70 °C bis 110 °C erwärmt werden. Besonders bevorzugt wird der Schutzfilm auf eine Temperatur von annähernd 80 °C erwärmt.
  • Der Schutzfilm kann über eine Zeitdauer im Bereich von 30 Sek bis 10 Min, vorzugsweise 1 Min bis 8 Min, bevorzugter 1 Min bis 6 Min, noch bevorzugter 1 Min bis 4 Min und sogar noch bevorzugter 1 Min bis 3 Min während und/oder nach dem Aufbringen des Schutzfilms auf die eine Seite des Substrats erwärmt werden.
  • Falls das Aufbringen des äußeren Impulses auf den Schutzfilm das Erwärmen des Schutzfilms umfasst oder daraus besteht, kann der Schutzfilm direkt und/oder indirekt erwärmt werden.
  • Der Schutzfilm kann erwärmt werden, indem Wärme direkt auf diese aufgebracht wird, zum Beispiel unter Verwendung eines Wärmeaufbringmittels, wie zum Beispiel einer erwärmten Walze, eines erwärmten Stempels oder dergleichen, oder eines Wärmeabstrahlmittels. Der Schutzfilm und das Substrat können in einer Aufnahme oder Kammer, wie zum Beispiel einer Vakuumkammer, angeordnet werden und ein inneres Volumen der Aufnahme oder Kammer kann erwärmt werden, sodass der Schutzfilm erwärmt wird. Die Aufnahme oder Kammer kann mit einem Wärmeabstrahlmittel versehen sein.
  • Der Schutzfilm kann indirekt erwärmt werden, zum Beispiel indem das Substrat vor und/oder während und/oder nach dem Aufbringen des Schutzfilms auf die eine Seite des Substrats erwärmt wird. Zum Beispiel kann das Substrat durch Platzieren des Substrats an einer Auflage oder einem Träger, wie zum Beispiel einem Spanntisch, und Erwärmen der Auflage oder des Trägers erwärmt werden.
  • Zum Beispiel kann die Auflage oder der Träger, wie zum Beispiel ein Spanntisch, auf eine Temperatur im Bereich von 30 °C bis 250 °C, vorzugsweise 50 °C bis 200 °C, bevorzugter 60 °C bis 150 °C und noch bevorzugter 70 °C bis 110 °C erwärmt werden. Besonders bevorzugt kann die Auflage oder der Träger auf eine Temperatur von annähernd 80 °C erwärmt werden.
  • Diese Ansätze können auch kombiniert werden, zum Beispiel indem ein Wärmeaufbringmittel, wie zum Beispiel eine erwärmte Walze oder dergleichen, oder ein Wärmeabstrahlmittel zum direkten Erwärmen des Schutzfilms verwendet wird und außerdem der Schutzfilm indirekt durch das Substrat erwärmt wird.
  • Falls das Aufbringen des äußeren Impulses auf den Schutzfilm das Erwärmen des Schutzfilms umfasst oder daraus besteht, wird bevorzugt, dass der Schutzfilm biegsam, elastisch, flexibel, dehnbar, weich und/oder kompressibel ist, wenn diese sich in ihrem erwärmten Zustand befindet. Auf diese Weise kann besonders zuverlässig gewährleistet werden, dass der Schutzfilm sich der Substratoberfläche an der einen Seite des Substrats anpasst, wobei zum Beispiel die Wafertopographie absorbiert wird. Dies ist besonders vorteilhaft, wenn Vorsprünge, wie zum Beispiel eine Oberflächenunebenheit oder -rauigkeit, Kontakthöcker, optische Elemente oder dergleichen, die entlang der Dickenrichtung des Substrats hervorstehen, und/oder Aussparungen, die entlang der Dickenrichtung des Substrats ausgespart sind, an der einen Seite des Substrats vorliegen.
  • Vorzugsweise erhärtet oder versteift sich der Schutzfilm zumindest bis zu einem gewissen Grad beim Abkühlen, sodass sie im abgekühlten Zustand steifer und/oder robuster wird. Auf diese Weise kann ein besonders zuverlässiger Schutz des Substrats während der nachfolgenden Bearbeitung des Substrats gewährleistet werden.
  • Das Verfahren kann ferner umfassen, während und/oder nach dem Aufbringen des Schutzfilms auf die eine Seite des Substrats, Druck auf die hintere Oberfläche des Schutzfilms aufzubringen. Auf diese Weise wird die vordere Oberfläche des Schutzfilms gegen die eine Seite des Substrats gedrückt. Daher kann besonders effizient gewährleistet werden, dass der Schutzfilm zuverlässig an dem Substrat angebracht wird.
  • Falls das Aufbringen des äußeren Impulses auf den Schutzfilm das Erwärmen des Schutzfilms umfasst, kann der Druck vor und/oder während und/oder nach dem Erwärmen des Schutzfilms auf die hintere Oberfläche des Schutzfilms aufgebracht werden. Der Druck kann vor dem Bearbeiten der einen Seite des Substrats und/oder der Seite des Substrats, die der einen Seite gegenüberliegt, auf die hintere Oberfläche des Schutzfilms aufgebracht werden.
  • Der Druck kann durch ein Druckaufbringmittel, wie zum Beispiel eine Walze, einen Stempel, eine Membran oder dergleichen, auf die hintere Oberfläche des Schutzfilms aufgebracht werden.
  • Besonders bevorzugt kann ein kombiniertes Wärme- und DruckAufbringmittel, wie zum Beispiel eine erwärmte Walze oder ein erwärmter Stempel, verwendet werden. In diesem Fall kann ein Druck auf die hintere Oberfläche des Schutzfilms aufgebracht werden, während gleichzeitig der Schutzfilm erwärmt wird.
  • Der Druck kann in einer Vakuumkammer auf die hintere Oberfläche des Schutzfilms aufgebracht werden, wie nachfolgend weiter dargelegt wird.
  • Der Schutzfilm kann in einer Atmosphäre mit verringertem Druck, insbesondere unter einem Vakuum, auf die eine Seite des Substrats aufgebracht und/oder an dieser angebracht werden. Auf diese Weise kann zuverlässig gewährleistet werden, dass keine Hohlräume und/oder Luftblasen zwischen dem Schutzfilm und dem Substrat vorliegen. Daher wird eine Spannung oder Belastung an dem Substrat während dessen Bearbeitung, zum Beispiel aufgrund dessen, dass solche Luftblasen sich bei dem Erwärmungsvorgang aufweiten, vermieden.
  • Zum Beispiel kann oder können der Schritt oder die Schritte des Aufbringens und/oder Anbringens des Schutzfilms an der einen Seite des Substrats in einer Vakuumkammer durchgeführt werden. Insbesondere kann der Schutzfilm durch Verwendung einer Vakuumlaminiereinrichtung auf die eine Seite des Wafers aufgebracht und/oder an dieser angebracht werden. Bei einer solchen Vakuumlaminiereinrichtung wird das Substrat auf einem Spanntisch in einer Vakuumkammer in einem Zustand angeordnet, in dem die Seite des Substrats, die der einen Seite gegenüberliegt, mit einer oberen Fläche des Spanntischs in Kontakt steht und die eine Seite des Substrats nach oben gerichtet ist. Der Spanntisch kann zum Beispiel ein erwärmter Spanntisch sein.
  • Der auf die eine Seite des Substrats aufzubringende Schutzfilm wird an deren Umfangsabschnitt durch einen ringförmigen Rahmen gehalten und oberhalb der einen Seite des Substrats in der Vakuumkammer platziert. Ein oberer Teil der Vakuumkammer, der oberhalb des Spanntischs und des ringförmigen Rahmens angeordnet ist, ist mit einer Lufteinlassöffnung versehen, die durch eine aufweitbare Gummimembran geschlossen ist.
  • Nachdem das Substrat und der Schutzfilm in die Vakuumkammer geladen wurden, wird die Kammer ausgepumpt und der Gummimembran durch die Lufteinlassöffnung Luft zugeführt, wodurch bewirkt wird, dass sich die Gummimembran in die ausgepumpte Kammer aufweitet. Auf diese Weise wird die Gummimembran nach unten in die Vakuumkammer bewegt, sodass sie den Schutzfilm gegen die eine Seite des Substrats drückt, den Substratumfangsabschnitt mit dem Schutzfilm abdichtet und die Folie gegen die eine Seite des Substrats presst. Daher kann der Schutzfilm dicht auf die eine Seite des Substrats aufgebracht werden, zum Beispiel so, dass sie den Konturen von Vorsprüngen oder Erhebungen folgt, falls solche Vorsprünge oder Erhebungen vorliegen.
  • Der Schutzfilm kann während und/oder nach dessen Aufbringen auf die eine Seite des Substrats erwärmt werden, zum Beispiel durch Erwärmen des Spanntischs.
  • Nachfolgend wird das Vakuum in der Vakuumkammer aufgehoben und der Schutzfilm durch die Anbringkraft, die durch den Erwärmungsvorgang und den Überdruck in der Vakuumkammer erzeugt wird, in ihrer Position an der einen Seite des Substrats gehalten.
  • Alternativ kann die Gummimembran durch einen weichen Stempel oder eine weiche Walze, wie zum Beispiel einen erwärmten weichen Stempel oder eine erwärmte weiche Walze, ersetzt werden.
  • Der Schutzfilm kann eine beliebige Art von Form aufweisen. In einer Draufsicht darauf kann der Schutzfilm zum Beispiel eine Kreisform, eine ovale Form, eine elliptische Form oder eine Polygonform, wie zum Beispiel eine rechteckige Form oder eine quadratische Form, aufweisen.
  • Der Schutzfilm kann im Wesentlichen die gleiche Form wie das Substrat oder die gleiche Form wie das Substrat aufweisen.
  • Der Schutzfilm kann einen äußeren Durchmesser aufweisen, der größer als ein äußerer Durchmesser des Substrats ist. Auf diese Weise kann die Bearbeitung, die Handhabung und/oder der Transport des Substrats erleichtert werden. Insbesondere kann ein äußerer Umfangsabschnitt des Schutzfilms an einem ringförmigen Rahmen angebracht werden, wie nachfolgend dargelegt wird.
  • Der Schutzfilm kann einen äußeren Durchmesser aufweisen, der kleiner als der äußere Durchmesser des Substrats ist.
  • Der Schutzfilm kann einen äußeren Durchmesser aufweisen, der im Wesentlichen der gleiche wie der äußere Durchmesser des Substrats ist.
  • Der Schutzfilm kann einen äußeren Durchmesser aufweisen, der im Wesentlichen der gleiche wie oder größer als der äußere Durchmesser eines Bauelementbereichs des Substrats ist.
  • Das Verfahren kann ferner ein Schneiden des Schutzfilms umfassen. Der Schutzfilm kann so geschnitten werden, dass er einen äußeren Durchmesser aufweist, der größer als der äußere Durchmesser des Substrats oder kleiner als der äußere Durchmesser des Substrats oder im Wesentlichen der gleiche wie der äußere Durchmesser des Substrats ist. Der Schutzfilm kann so geschnitten werden, dass er einen Außendurchmesser aufweist, der im Wesentlichen dem Außendurchmesser eines Bauelementbereichs des Substrats entspricht oder größer ist als dieser.
  • Der Schritt des Schneidens des Schutzfilms kann vor oder nach dem Aufbringen des Schutzfilms auf das Substrat durchgeführt werden.
  • Der Schritt des Schneidens des Schutzfilms kann vor oder nach dem Anbringen des Schutzfilms an dem Substrat durchgeführt werden.
  • Das Verfahren kann ferner ein Anbringen eines äußeren Umfangsabschnitts des Schutzfilms an einem ringförmigen Rahmen umfassen. Insbesondere kann der äußere Umfangsabschnitt des Schutzfilms so an dem ringförmigen Rahmen angebracht werden, dass der Schutzfilm eine mittlere Öffnung des ringförmigen Rahmens, das heißt den Bereich innerhalb des inneren Durchmessers des ringförmigen Rahmens, schließt. Auf diese Weise wird das Substrat, das an dem Schutzfilm, insbesondere an einem mittleren Abschnitt derselben, angebracht ist, durch den Schutzfilm von dem ringförmigen Rahmen gehalten. Daher wird eine Substrateinheit ausgebildet, die das Substrat, der Schutzfilm und den ringförmigen Rahmen umfasst, wodurch die Bearbeitung, die Handhabung und/oder der Transport des Substrats erleichtert wird.
  • Der Schritt des Anbringens des äußeren Umfangsabschnitts des Schutzfilms an dem ringförmigen Rahmen kann vor oder nach dem Aufbringen des Schutzfilms auf das Substrat durchgeführt werden.
  • Der Schritt des Anbringens des äußeren Umfangsabschnitts des Schutzfilms an dem ringförmigen Rahmen kann vor oder nach dem Anbringen des Schutzfilms an dem Substrat durchgeführt werden.
  • Der Schritt des Anbringens des äußeren Umfangsabschnitts des Schutzfilms an dem ringförmigen Rahmen kann vor oder nach dem Bearbeiten der einen Seite des Substrats und/oder der Seite des Substrats, die der einen Seite gegenüberliegt, durchgeführt werden.
  • Der Schutzfilm kann so auf die eine Seite des Substrats aufgebracht werden, dass in dem gesamten Bereich, in dem die vordere Oberfläche des Schutzfilms mit der einen Seite des Substrats in Kontakt steht, keine Haftmittel zwischen der vorderen Oberfläche des Schutzfilms und der einen Seite des Substrats vorliegt.
  • Auf diese Weise kann das Risiko einer möglichen Verunreinigung oder Beschädigung des Substrats, zum Beispiel wegen einer Haftkraft einer Haftmittelschicht oder Haftmittelrückständen an dem Substrat, zuverlässig beseitigt werden.
  • Die gesamte vordere Fläche des Schutzfilms kann haftmittelfrei sein.
  • Alternativ kann der Schutzfilm mit einer Haftmittelschicht versehen werden, wobei die Haftmittelschicht nur in einem Umfangsbereich der vorderen Oberfläche des Schutzfilms vorgesehen wird, der Umfangsbereich den mittleren Bereich der vorderen Oberfläche des Schutzfilms umgibt und der Schutzfilm so auf die eine Seite des Substrats aufgebracht wird, dass die Haftmittelschicht nur mit einem Umfangsabschnitt der einen Seite des Substrats in Kontakt kommt. Der Umfangsabschnitt der einen Seite des Substrats kann den mittleren Abschnitt der einen Seite des Substrats umgeben. Der Umfangsabschnitt der einen Seite des Substrats kann, wenn vorhanden, der ausgebildete Umfangsrandbereich des Substrats sein oder diesem entsprechen.
  • Indem der Schutzfilm nur im Umfangsbereich der vorderen Fläche des Schutzfilms mit einer Haftmittelschicht bereitgestellt wird, kann die Befestigung des Schutzfilms auf dem Substrat weiter verbessert werden. Da die Haftmittelschicht nur in dem Umfangsbereich der vorderen Oberfläche des Schutzfilms vorgesehen wird, wird der Bereich, in dem Schutzfilm und Substrat durch die Haftmittelschicht aneinander angebracht werden, verglichen mit einem Fall, in dem eine Haftmittelschicht an der gesamten vorderen Oberfläche des Schutzfilms vorgesehen ist, erheblich verringert. Daher kann der Schutzfilm leichter von dem Substrat abgenommen werden und wird das Risiko einer Beschädigung des Substrats, insbesondere von an dessen einen Seite ausgebildeten Vorsprüngen, erheblich verringert.
  • Das Haftmittel der Haftmittelschicht kann durch einen äußeren Impuls, wie zum Beispiel Wärme, UV-Strahlung, ein elektrisches Feld und/oder eine chemische Substanz, härtbar sein. In diesem Fall kann der Schutzfilm nach der Bearbeitung besonders leicht von dem Substrat entfernt werden. Der äußere Impuls kann auf das Haftmittel aufgebracht werden, sodass dessen Haftkraft verringert wird, wodurch ein leichtes Entfernen des Schutzfilms ermöglicht wird.
  • Zum Beispiel kann die Haftmittelschicht eine im Wesentlichen ringförmige Form, eine offene rechteckige Form oder eine offene quadratische Form, das heißt eine rechteckige bzw. quadratische Form mit einer Öffnung in der Mitte der Haftmittelschicht, aufweisen.
  • Der Schutzfilm kann aufweitbar sein. Der Schutzfilm kann aufgeweitet werden, wenn er auf die eine Seite des Substrats aufgebracht wird. Falls Vorsprünge an der einen Seite des Substrats vorliegen, kann der Schutzfilm so aufgeweitet werden, wenn er auf die eine Seite des Substrats aufgebracht wird, dass sie den Konturen dieser Vorsprünge dicht oder zumindest teilweise folgt.
  • Insbesondere kann der Schutzfilm auf das Zweifache seiner ursprünglichen Größe oder mehr, vorzugsweise auf das Dreifache seiner ursprünglichen Größe oder mehr und bevorzugter auf das Vierfache seiner ursprünglichen Größe oder mehr aufweitbar sein. Auf diese Weise kann, insbesondere für den Fall einer Aufweitung auf das Drei- oder Vierfache seiner ursprünglichen Größe oder mehr, zuverlässig gewährleistet werden, dass der Schutzfilm den Konturen der Vorsprünge folgt.
  • Der Schutzfilm ist so ausgebildet, dass er die eine Seite des Substrats schützt, insbesondere während der Bearbeitung der einen Seite des Substrats und/oder der Seite des Substrats, die der einen Seite gegenüberliegt.
  • Der Schutzfilm kann aus einem einzelnen Material, insbesondere einem einzelnen homogenen Material, hergestellt sein. Der Schutzfilm kann zum Beispiel ein Flächenmaterial oder eine Folie sein.
  • Der Schutzfilm kann aus einem Kunststoffmaterial, wie zum Beispiel einem Polymer, bestehen. Besonders bevorzugt besteht der Schutzfilm aus einem Polyolefin. Zum Beispiel kann der Schutzfilm aus Polyethylen (PE), Polypropylen (PP) oder Polybutylen (PB) bestehen.
  • Polyolefinfolien weisen Materialeigenschaften auf, die für die Verwendung bei den Substratbearbeitungsverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung besonders vorteilhaft sind, insbesondere falls das Aufbringen des äußeren Impulses auf den Schutzfilm ein Erwärmen des Schutzfilms umfasst oder daraus besteht. Polyolefinfolien sind biegsam, dehnbar und weich, wenn sie sich in einem erwärmten Zustand befinden, zum Beispiel wenn sie auf eine Temperatur im Bereich von 60 °C bis 150 °C erwärmt werden. Daher kann besonders zuverlässig gewährleistet werden, dass sich der Schutzfilm an der einen Seite des Substrats an die Substratoberfläche anpasst, wodurch zum Beispiel die Substrattopographie absorbiert wird. Dies ist besonders vorteilhaft, wenn die eine Seite des Substrats mit Vorsprüngen oder Erhebungen ausgebildet ist, die von einer ebenen Oberfläche des Substrats hervorstehen.
  • Ferner erhärten und versteifen sich Polyolefinfolien beim Abkühlen, sodass sie im abgekühlten Zustand steifer und robuster werden. Daher kann ein besonders zuverlässiger Schutz des Substrats während dessen nachfolgenden Bearbeitung gewährleistet werden.
  • Der Schutzfilm kann eine Dicke im Bereich von 5 bis 500 µm, vorzugsweise 5 bis 200 µm, bevorzugter 8 bis 100 µm, noch bevorzugter 10 bis 80 pm und sogar noch bevorzugter 12 bis 50 pm aufweisen. Besonders bevorzugt weist der Schutzfilm eine Dicke im Bereich von 80 bis 150 pm auf.
  • Auf diese Weise kann besonders zuverlässig gewährleistet werden, dass der Schutzfilm flexibel und biegsam genug ist, um sich ausreichend an die Konturen von an der einen Seite des Substrats ausgebildeten Vorsprüngen anzupassen, falls solche Vorsprünge vorliegen, und gleichzeitig eine ausreichende Dicke aufweist, um das Substrat während dessen Bearbeitung zuverlässig und effizient zu schützen.
  • Eine Dämpferschicht kann an der hinteren Oberfläche des Schutzfilms angebracht werden. Eine vordere Fläche der Dämpferschicht kann an der hinteren Fläche des Schutzfilms angebracht werden.
  • Dieser Ansatz ist besonders vorteilhaft, falls Vorsprünge oder Erhebungen, wie zum Beispiel eine Oberflächenunebenheit oder -rauigkeit, Kontakthöcker, optische Elemente, wie zum Beispiel optische Linsen, andere Strukturen oder dergleichen, von der einen Seite des Substrats entlang der Dickenrichtung des Substrats hervorstehen, sich von dieser erstrecken oder von dieser vorspringen. In diesem Fall definieren die Vorsprünge oder Erhebungen eine Oberflächenstruktur oder -topographie der einen Seite des Substrats, wodurch diese Seite uneben wird.
  • Falls die Dämpferschicht an der hinteren Oberfläche des Schutzfilms angebracht wird, können solche Vorsprünge in der Dämpferschicht eingebettet werden. Daher kann ein negativer Einfluss der Oberflächenunebenheit, die aus dem Vorliegen der Vorsprünge entsteht, auf nachfolgende Substratbearbeitungsschritte beseitigt werden. Insbesondere kann die Dämpferschicht erheblich dazu beitragen, eine besonders gleichmäßige und einheitliche Verteilung des Drucks während einer Bearbeitung zu erzielen.
  • Durch Einbetten der Vorsprünge in der Dämpferschicht werden die Vorsprünge, wie zum Beispiel optische Elemente oder andere Strukturen, zuverlässig vor einer Beschädigung während der Substratbearbeitung geschützt.
  • Das Material der Dämpferschicht ist nicht besonders eingeschränkt. Insbesondere kann die Dämpferschicht aus einer beliebigen Art von Material ausgebildet werden, die ermöglicht, dass entlang der Dickenrichtung des Substrats hervorstehende Vorsprünge darin eingebettet werden. Zum Beispiel kann die Dämpferschicht aus einem Harz, einem Haftmittel, einem Gel oder dergleichen ausgebildet werden.
  • Die Dämpferschicht kann durch einen äußeren Impuls, wie zum Beispiel UV-Strahlung, Wärme, ein elektrisches Feld und/oder eine chemische Substanz, härtbar sein. In diesem Fall härtet die Dämpferschicht beim Aufbringen des äußeren Impulses darauf zumindest bis zu einem gewissen Grad aus. Zum Beispiel kann die Dämpferschicht aus einem härtbaren Harz, einem härtbaren Haftmittel, einem härtbaren Gel oder dergleichen ausgebildet sein.
  • Die Dämpferschicht kann so ausgelegt sein, dass sie nach deren Aushärten ein gewisses Maß an Komprimierbarkeit, Elastizität und/oder Flexibilität aufweist, das heißt nach dem Aushärten kompressibel, elastisch und/oder flexibel ist. Zum Beispiel kann die Dämpferschicht so beschaffen sein, dass sie durch Aushärten in einen gummiartigen Zustand gebracht wird. Alternativ kann die Dämpferschicht so ausgelegt sein, dass sie nach dem Aushärten einen steifen, harten Zustand erreicht.
  • Bevorzugte Beispiele UV-härtender Harze zur Verwendung als Dämpferschicht bei den Verfahren gemäß der Erfindung sind ResiFlat von DISCO Corporation und TEMPLOC von DENKA.
  • Das Verfahren kann ferner ein Aufbringen des äußeren Impulses auf die Dämpferschicht, um so die Dämpferschicht auszuhärten, insbesondere vor dem Bearbeiten des Substrats umfassen. Auf diese Weise können der Schutz des Substrats während der Bearabeitung und die Bearbeitungsgenauigkeit weiter verbessert werden.
  • Die Dämpferschicht kann bis zu einer Temperatur von 180 °C oder mehr, vorzugsweise bis zu einer Temperatur von 220 °C oder mehr, bevorzugter bis zu einer Temperatur von 250 °C oder mehr und noch bevorzugter bis zu einer Temperatur von 300 °C oder mehr wärmebeständig sein.
  • Die Dämpferschicht kann eine Dicke im Bereich von 10 bis 300 µm, vorzugsweise 20 bis 250 pm und bevorzugter 50 bis 200 pm aufweisen.
  • Die Dämpferschicht kann an der hinteren Oberfläche des Schutzfilms angebracht werden, bevor der Schutzfilm auf die eine Seite des Substrats aufgebracht wird. In diesem Fall können der Schutzfilm und die Dämpferschicht zuerst geschichtet werden, wodurch eine Schutzabdeckung ausgebildet wird, welche die Dämpferschicht und den an der Dämpferschicht angebrachten Schutzfilm umfasst. Die in dieser Weise ausgebildete Schutzabdeckung kann nachfolgend auf die eine Seite des Substrats aufgebracht werden, zum Beispiel so, dass Vorsprünge oder Erhebungen, die von der ebenen Oberfläche des Substrats hervorstehen, durch den Schutzfilm abgedeckt und in den Schutzfilm und die Dämpferschicht eingebettet werden. Die Schutzabdeckung kann so aufgebracht werden, dass eine hintere Oberfläche der Dämpferschicht, die deren vorderen Fläche gegenüberliegt, im Wesentlichen parallel zu der Seite des Substrats ist, die der einen Seite gegenüberliegt. Die vordere Oberfläche des Schutzfilms wird auf die eine Seite des Substrats aufgebracht, wenn die Schutzabdeckung auf die eine Seite des Substrats aufgebracht wird.
  • Auf diese Weise kann das Substratbearbeitungsverfahren in einer besonders einfachen und effizienten Weise durchgeführt werden. Zum Beispiel kann die Schutzabdeckung im Voraus vorbereitet, zur späteren Verwendung gelagert und, wenn erforderlich, zur Substratbearbeitung verwendet werden. Die Schutzabdeckung kann daher in großen Mengen hergestellt werden, wodurch deren Herstellung hinsichtlich sowohl der Zeit als auch der Kosten besonders effizient wird.
  • Die Dämpferschicht kann an die hintere Oberfläche des Schutzfilms angebracht werden, nachdem der Schutzfilm auf die eine Seite des Substrats aufgebracht wurde.
  • In diesem Fall wird der Schutzfilm zuerst auf die eine Seite des Substrats aufgebracht und nachfolgend die eine Seite des Substrats, welche den darauf aufgebrachten Schutzfilm aufweist, an der vorderen Oberfläche der Dämpferschicht angebracht, zum Beispiel so, dass Vorsprünge oder Erhebungen, die von der ebenen Oberfläche des Substrats hervorstehen, in dem Schutzfilm und der Dämpferschicht eingebettet werden und die hintere Oberfläche der Dämpferschicht im Wesentlichen parallel zu der Seite des Substrats ist, die der einen Seite des Substrats gegenüberliegt. Dieser Ansatz ermöglicht es, der Schutzfilm mit einem besonders hohen Maß an Genauigkeit an der einen Seite des Substrats anzubringen, insbesondere mit Bezug auf Vorsprünge oder Erhebungen, die von der ebenen Oberfläche des Substrats hervorstehen.
  • Die Dämpferschicht kann an der hinteren Oberfläche des Schutzfilms angebracht werden bevor und/oder während und/oder nachdem der Schutzfilm an der einen Seite des Substrats angebracht wird.
  • Eine Basisschicht kann an der hinteren Oberfläche der Dämpferschicht angebracht werden. Eine vordere Oberfläche der Basisschicht kann an der hinteren Fläche der Dämpferschicht angebracht werden.
  • Das Material der Basisschicht ist nicht besonders eingeschränkt. Die Basisschicht kann aus einem weichen oder biegsamen Material, wie zum Beispiel einem Polymermaterial, beispielsweise Polyvinylchlorid (PVC), Ethylenvinylacetat (EVA) oder einem Polyolefin, bestehen.
  • Alternativ kann die Basisschicht aus einem steifen oder harten Material, wie zum Beispiel Polyethylenterephthalat (PET) und/oder Silizium und/oder Glas und/oder Edelstahl (SUS), bestehen.
  • Zum Beispiel kann, falls die Basisschicht aus Polyethylenterephthalat (PET) oder Glas besteht, und die Dämpferschicht durch einen äußeren Impuls härtbar ist, die Dämpferschicht mit Strahlung ausgehärtet werden, die durch Polyethylenterephthalat (PET) oder Glas übertragen werden kann, wie zum Beispiel UV-Strahlung. Falls die Basisschicht aus Silizium oder Edelstahl (SUS) besteht, wird eine kosteneffiziente Basisschicht bereitgestellt.
  • Die Basisschicht kann auch aus einer Kombination der oben aufgezählten Materialien ausgebildet sein.
  • Die Basisschicht kann bis zu einer Temperatur von 180 °C oder mehr, vorzugsweise bis zu einer Temperatur von 220 °C oder mehr, bevorzugter bis zu einer Temperatur von 250 °C oder mehr und noch bevorzugter bis zu einer Temperatur von 300 °C oder mehr wärmebeständig sein.
  • Die Basisschicht kann eine Dicke im Bereich von 30 bis 1500 µm, vorzugsweise 40 bis 1200 pm und bevorzugter 50 bis 1000 µm aufweisen.
  • Die Dämpferschicht und die Basisschicht können vor oder nach dem Aufbringen des Schutzfilms auf die eine Seite des Substrats an der hinteren Oberfläche des Schutzfilms angebracht werden. Insbesondere können der Schutzfilm, die Dämpferschicht und die Basisschicht zuerst geschichtet werden, wodurch eine Schutzabdeckung ausgebildet wird, welche die Basisschicht, die Dämpferschicht und den an der Dämpferschicht angebrachten Schutzfilm umfasst. Die in dieser Weise ausgebildete Schutzabdeckung kann nachfolgend auf die eine Seite des Substrats aufgebracht werden.
  • Die vordere Oberfläche der Basisschicht kann mit der hinteren Oberfläche der Dämpferschicht in Kontakt stehen, und eine hintere Oberfläche der Basisschicht, die deren vorderer Oberfläche gegenüberliegt, kann im Wesentlichen parallel zu der Seite des Substrats sein, die der einen Seite gegenüberliegt. Daher kann beim Bearbeiten der Seite des Substrats, die der einen Seite gegenüberliegt, ein geeigneter Gegendruck auf die hintere Oberfläche der Basisschicht ausgeübt werden, zum Beispiel indem diese hintere Oberfläche auf einem Spanntisch angeordnet wird.
  • Da die plane hintere Oberfläche der Basisschicht im Wesentlichen parallel zu der Seite des Substrats ist, die der einen Seite gegenüberliegt, wird in diesem Fall der Druck, der während der Bearbeitung auf das Substrat ausgeübt wird, gleichmäßiger und einheitlicher über das Substrat verteilt, wodurch das Risiko eines Brechens des Substrats minimiert wird. Ferner ermöglicht die im Wesentlichen parallele Ausrichtung der flachen, ebenen hinteren Oberfläche der Basisschicht und der Seite des Substrats, die der einen Seite gegenüberliegt, eine Bearbeitung mit einem hohen Maß an Genauigkeit durchzuführen.
  • Das wasserlösliche Material kann aus einem wasserlöslichen Harz bestehen oder ein solches umfassen. Insbesondere kann das wasserlösliche Material aus Polyvinylalkohol (PVA), Polyethylenglykol (PEG) und/oder Polyvinylpyrrolidon (PVP) bestehen oder diese umfassen.
  • Durch die Verwendung eines wasserlöslichen Materials, das aus einem wasserlöslichen Harz besteht oder dieses umfasst, insbesondere aus PVA, PEG und/oder PVP, lässt sich die zum Entfernen des Schutzfilms vom Substrat erforderliche Abziehkraft besonders einfach und zuverlässig steuern, zum Beispiel durch geeignete Wahl der Materialeigenschaften des wasserlöslichen Materials, wie zum Beispiel der Viskosität und/oder der Verdünnung desselben, insbesondere der Viskosität und/oder der Verdünnung eines flüssigen wasserlöslichen Materials.
  • Die Materialeigenschaften des wasserlöslichen Materials können so gewählt werden, dass eine Anbringkraft zwischen der Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material und dem Schutzfilm größer ist als eine Anbringkraft zwischen der Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material und dem Substrat. Auf diese Weise kann die Möglichkeit, dass nach dem Abziehen des Schutzfilms vom Substrat Rückstände des wasserlöslichen Materials auf dem Substrat verbleiben, minimiert werden.
  • Das wasserlösliche Material kann durch einen äußeren Impuls härtbar sein, wie zum Beispiel durch Wärme, UV-Strahlung, ein elektrisches Feld und/oder einen chemischen Wirkstoff. Durch die Aushärtung des wasserlöslichen Materials können die Eigenschaften des Materials eingestellt werden, zum Beispiel durch eine geeignete Wahl der Aushärtungsbedingungen, um die Abziehkraft zu verringern, die zum Entfernen des Schutzfilms vom Substrat erforderlich ist. Darüber hinaus kann das wasserlösliche Material so ausgebildet sein, dass das wasserlösliche Material bei Einwirkung eines äußeren Impulses zumindest bis zu einem gewissen Grad aushärtet.
  • Das Verfahren kann ferner das Aushärten des wasserlöslichen Materials umfassen, nachdem die Beschichtung des wasserlöslichen Materials auf den Schutzfilm und/oder das Substrat aufgebracht wurde. Das wasserlösliche Material kann nach der Bearbeitung der einen Seite des Substrats und/oder der der einen Seite gegenüberliegenden Seite des Substrats ausgehärtet werden.
  • Das wasserlösliche Material kann im Wesentlichen silikonfrei oder silikonfrei sein. Auf diese Weise kann auf der einen Seite des Substrats nach dem Abziehen des Schutzfilms vom Substrat eine besonders hohe Qualität der Fläche erreicht werden. Die Verwendung eines solchen wasserlöslichen Materials ist besonders vorteilhaft, wenn es sich bei dem Substrat um ein Halbleitersubstrat, wie zum Beispiel einen Halbleiterwafer, handelt.
  • Die auf den Schutzfilm aufgebrachte Beschichtung des wasserlöslichen Materials und/oder die auf das Substrat aufgebrachte Beschichtung des wasserlöslichen Materials kann eine Dicke im Bereich von 0,5 bis 5 µm, vorzugsweise 0,5 bis 4 µm, noch bevorzugter 0,5 bis 3 µm und sogar noch bevorzugter 0,5 bis 2 µm aufweisen. Durch die Wahl einer solchen Schichtdicke kann das Entfernen des Schutzfilms vom Substrat besonders effizient und zuverlässig vereinfacht werden, während die Möglichkeit von Rückständen des wasserlöslichen Materials auf dem Substrat minimiert wird.
  • Das wasserlösliche Material kann in flüssiger Form auf den Schutzfilm und/oder auf das Substrat aufgebracht werden. Auf diese Weise kann besonders zuverlässig sichergestellt werden, dass die gewünschten Abschnitte des Schutzfilms und/oder des zu beschichtenden Substrats vollständig und homogen mit dem wasserlöslichen Material beschichtet werden, auch für den Fall von Vorsprüngen und/oder Aussparungen auf der einen Seite des Substrats. Eine besonders vollständige und homogene Beschichtung kann erreicht werden, indem das wasserlösliche Material in flüssiger Form auf den Schutzfilm aufgebracht wird. Das wasserlösliche Material kann beispielsweise durch Sprühbeschichtung oder Schleuderbeschichtung auf den Schutzfilm und/oder auf das Substrat aufgebracht werden. Außerdem kann das wasserlösliche Material durch Siebdruck auf den Schutzfilm und/oder auf das Substrat aufgebracht werden. Nach dem Aufbringen des wasserlöslichen Materials auf den Schutzfilm und/oder auf das Substrat kann das wasserlösliche Material gehärtet werden. Auf diese Weise kann das wasserlösliche Material, wie oben beschrieben, ausgehärtet werden. Diese Vorgehensweise ermöglicht eine besonders zuverlässige Platzierung oder Positionierung des wasserlöslichen Materials auf dem Schutzfilm und/oder auf dem Substrat. Außerdem lässt sich die Dicke des wasserlöslichen Materials besonders genau und zuverlässig steuern.
  • Das wasserlösliche Material kann in fester Form auf den Schutzfilm und/oder auf den Untergrund aufgebracht werden. Auf diese Weise kann das wasserlösliche Material auf besonders einfache Weise aufgebracht werden. Beispielsweise kann das wasserlösliche Material in Form einer Folie oder eines Flächenmaterials, insbesondere einer dünnen Folie oder eines dünnen Flächenmaterials, auf den Schutzfilm und/oder auf das Substrat aufgebracht werden.
  • Die Bearbeitung der Seite des Substrats, die der einen Seite gegenüberliegt, kann das Schneiden des Substrats entlang der Dickenrichtung des Substrats umfassen oder darin bestehen. Das Substrat kann entlang seiner gesamten Dicke geschnitten werden, sodass es vollständig geteilt wird, oder nur entlang eines Teils seiner Dicke. Das Substrat kann, falls vorhanden, entlang einer oder mehrerer Trennlinien geschnitten werden. Das Substrat kann in mehrere einzelne Elemente aufgeteilt werden. Die einzelnen Elemente können beispielsweise Chips oder Dies sein.
  • Das Schneiden des Substrats entlang der Dickenrichtung des Substrats kann das mechanische Schneiden des Substrats und/oder das Laserschneiden des Substrats und/oder das Plasmaschneiden des Substrats umfassen oder daraus bestehen. Das Substrat kann zum Beispiel durch Schneiden oder Sägen mechanisch geschnitten werden.
  • Das Substrat kann bei einem einzigen mechanischen Schneidschritt, einem einzigen Laserschneidschritt oder einem einzigen Plasmaschneidschritt geschnitten werden. Alternativ kann das Substrat auch in einer Abfolge von mechanischen Schneidschritten und/oder Laserschneidschritten und/oder Plasmaschneidschritten geschnitten werden.
  • Das Laserschneiden kann zum Beispiel durch Ablationslaserschneiden und/oder durch Stealth-Laserschneiden erfolgen, das heißt durch Ausbilden modifizierter Bereiche innerhalb des Substrats durch Aufbringen eines Laserstrahls, wie weiter unten näher erläutert wird, und/oder durch Ausbilden mehrerer Lochbereiche im Substrat durch das Aufbringen eines Laserstrahls. Jeder dieser Lochbereiche kann aus einem modifizierten Bereich und einem Raum in dem modifizierten Bereich bestehen, der zu einer Fläche des Substrats offen ist.
  • Bei einem Stealthlaser-Schneidvorgang wird ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge, die die Übertragung des Laserstrahls durch das Substrat ermöglicht, auf das Substrat aufgebracht. Das Substrat wird also aus einem Material hergestellt, das für den Laserstrahl transparent ist. Der Laserstrahl wird zumindest an mehreren Positionen auf das Substrat aufgebracht, um mehrere modifizierte Bereiche im Substrat auszubilden, zum Beispiel im Inneren des Substrats oder in der Substanz desselben. Insbesondere kann der Laserstrahl zumindest an mehreren Positionen entlang mindestens einer Trennlinie auf das Substrat aufgebracht werden, um mehrere modifizierte Bereiche in dem Substrat entlang der mindestens einen Trennlinie auszubilden.
  • Bei dem Laserstrahl kann es sich um einen gepulsten Laserstrahl handeln. Der gepulste Laserstrahl kann eine Pulsbreite aufweisen, die beispielsweise im Bereich von 1 fs bis 1000 ns liegt.
  • Die modifizierten Bereiche sind Bereiche des Substrats, die durch das Aufbringen des Laserstrahls modifiziert worden sind. Bei den modifizierten Bereichen kann es sich um Bereiche des Substrats handeln, in denen die Struktur des Substratmaterials modifiziert wurde. Bei den modifizierten Bereichen kann es sich um Bereiche des Substrats handeln, in denen das Substrat beschädigt wurde. Die modifizierten Bereiche können amorphe Bereiche oder Bereiche umfassen, in denen Risse ausgebildet sind, oder sie können amorphe Bereiche oder Bereiche sein, in denen Risse ausgebildet sind.
  • Durch die Ausbildung dieser modifizierten Bereiche wird die Festigkeit des Substrats in dessen Bereichen, in denen die modifizierten Bereiche ausgebildet sind, verringert. Dadurch wird die Trennung des Substrats, zum Beispiel entlang der mindestens einen Trennlinie, an der mehrere modifizierte Bereiche ausgebildet worden sind, erheblich erleichtert.
  • Das Substrat kann in dem Stealthlaser-Schneidvorgang vollständig geteilt werden, zum Beispiel, wenn sich Risse im Substrat von den modifizierten Bereichen zu der einen Seite des Substrats und zu der Seite des Substrats erstrecken, die der einen Seite gegenüberliegt. Wird das Substrat bei dem Stealthlaser-Schneidvorgang nicht vollständig geteilt, kann das Verfahren ferner das vollständige Trennen des Substrats umfassen, zum Beispiel durch Aufbringen einer äußeren Kraft darauf.
  • Die Bearbeitung der Seite des Substrats, die der einen Seite gegenüberliegt, kann das Verdünnen des Substrats umfassen oder daraus bestehen, um die Dicke des Substrats zu verringern. Das Verdünnen des Substrats kann das Schleifen des Substrats von der der einen Seite gegenüberliegenden Seite des Substrats und/oder das Polieren des Substrats von der der einen Seite gegenüberliegenden Seite des Substrats und/oder das Ätzen des Substrats von der der einen Seite gegenüberliegenden Seite des Substrats umfassen.
  • Die Bearbeitung der einen Seite des Substrats kann die Bearbeitung der einen Seite des Substrats durch den Schutzfilm hindurch umfassen oder darin bestehen, zum Beispiel durch Anwendung eines Stealthlaser-Schneidvorgangs. Bei einem solchen Verfahren wird der Laserstrahl durch den Schutzfilm hindurch auf das Substrat aufgebracht. In diesem Fall wird die Wellenlänge des Laserstrahls so gewählt, dass der Laserstrahl durch den Schutzfilm hindurchgeht, das heißt so, dass der Schutzfilm für den Laserstrahl transparent ist.
  • Das Substrat kann in dem Stealthlaser-Schneidvorgang vollständig geteilt werden, zum Beispiel, wenn sich Risse im Substrat von den modifizierten Bereichen zu der einen Seite des Substrats und zu der Seite des Substrats erstrecken, die der einen Seite gegenüberliegt. Wird das Substrat bei dem Stealthlaser-Schneidvorgang nicht vollständig geteilt, kann das Verfahren ferner das vollständige Trennen des Substrats umfassen, zum Beispiel durch Aufbringen einer äußeren Kraft darauf.
  • Das Verfahren kann ferner das Entfernen des Schutzfilms von dem Substrat nach der Bearbeitung der einen Seite des Substrats und/oder der der einen Seite gegenüberliegenden Seite des Substrats umfassen. Indem die Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material zwischen Schutzfilm und Substrat zumindest im mittleren Bereich oder Abschnitt bereitgestellt wird, wird das Abziehen des Schutzfilms vom Substrat, wie oben ausführlich beschrieben, erheblich erleichtert. Insbesondere kann das wasserlösliche Material die Abziehkraft, die zum Abziehen des Schutzfilms erforderlich ist, verringern. Dadurch wird das Risiko einer Beschädigung des Substrats beim Abziehvorgang des Schutzfilms noch weiter verringert. Außerdem wird durch das Vorhandensein des wasserlöslichen Materials das Risiko minimiert, dass nach dem Abziehen des Schutzfilms Rückstände des Schutzfilmmaterials auf dem Substrat verbleiben.
  • Das Verfahren kann ferner das Entfernen des Schutzfilms und der Dämpferschicht von dem Substrat umfassen. Der Schutzfilm und die Dämpferschicht können von dem Substrat entfernt werden, nachdem die eine Seite des Substrats und/oder die der einen Seite gegenüberliegende Seite des Substrats bearbeitet worden ist.
  • Die Dämpferschicht und der Schutzfilm können einzeln, das heißt nacheinander, entfernt werden. Beispielsweise kann die Dämpferschicht zuerst entfernt werden, gefolgt von dem Entfernen des Schutzfilms. Alternativ können die Dämpferschicht und der Schutzfilm auch gemeinsam entfernt werden.
  • Das Verfahren kann ferner das Entfernen des Schutzfilms, der Dämpferschicht und der Basisschicht von dem Substrat umfassen. Der Schutzfilm, die Dämpferschicht und die Basisschicht können von dem Substrat entfernt werden, nachdem die eine Seite des Substrats und/oder die der einen Seite gegenüberliegende Seite des Substrats bearbeitet wurde.
  • Die Basisschicht, die Dämpferschicht und der Schutzfilm können einzeln, das heißt nacheinander, entfernt werden. Zum Beispiel kann zuerst die Basisschicht entfernt werden, gefolgt von der Entfernung der Dämpferschicht und der anschließenden Entfernung des Schutzfilms. Auch kann die Basisschicht zusammen mit der Dämpferschicht entfernt werden, gefolgt von dem Schutzfilm. Alternativ dazu können die Basisschicht, die Dämpferschicht und der Schutzfilm gemeinsam entfernt werden.
  • Das Verfahren kann ferner umfassen, dass nach dem Entfernen des Schutzfilms von dem Substrat die eine Seite des Substrats gereinigt wird, insbesondere durch Reinigung der einen Seite des Substrats mit Wasser aufgrund der wasserlöslichen Eigenschaft des Materials. Sollten nach dem Entfernen des Schutzfilms Rückstände des wasserlöslichen Materials auf dem Substrat verbleiben, so können diese aufgrund der Wasserlöslichkeit des Materials durch das Reinigen der einen Seite des Substrats, insbesondere durch das Reinigen der einen Seite des Substrats mit Wasser, einfach, zuverlässig und effizient entfernt werden. So kann auf der einen Seite des Substrats eine Fläche erreicht werden, die frei von jeglichen Rückständen oder Verunreinigungen anderer Art ist. Die eine Seite des Substrats kann zum Beispiel mit entionisiertem Wasser gereinigt werden.
  • Figurenliste
  • Nachfolgend werden nicht-einschränkende Beispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erläutert, in denen:
    • 1 eine perspektivische Ansicht ist, die einen Wafer als Substrat zeigt, der mit Verfahren der vorliegenden Erfindung bearbeitet wird;
    • 2 eine Schnittansicht ist, die einen Schritt des Aufbringens eines Schutzfilms auf eine Seite des Wafers bei einem Verfahren gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
    • 3 eine Schnittansicht ist, die das Ergebnis eines Schritts des Anbringens des Schutzfilms an der einen Seite des Wafers in dem Verfahren gemäß der ersten Ausführungsform zeigt;
    • 4 eine Schnittansicht ist, die einen Schritt des Aufbringens eines Schutzfilms auf die eine Seite des Wafers bei einem Verfahren in Übereinstimmung mit einer Abwandlung der ersten Ausführungsform veranschaulicht;
    • 5 eine Schnittansicht ist, die das Ergebnis eines Schritts des Anbringens des Schutzfilms an der einen Seite des Wafers in dem Verfahren in Übereinstimmung mit der Abwandlung der ersten Ausführungsform zeigt;
    • 6 eine Schnittansicht ist, die das Ergebnis eines Schrittes des Aufbringens einer Beschichtung aus einem wasserlöslichen Material auf den Wafer bei einem Verfahren gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
    • 7 eine Schnittansicht ist, die einen Schneidschritt eines an dem Wafer angebrachten Anbringbandes in dem Verfahren gemäß der zweiten Ausführungsform veranschaulicht;
    • 8 eine Schnittansicht ist, die das Ergebnis eines Schritts des Anbringens eines Schutzfilms auf die eine Seite des Wafers in dem Verfahren gemäß der zweiten Ausführungsform zeigt;
    • 9 eine Schnittansicht ist, die einen Schneidschritt veranschaulicht, bei dem ein Schutzfilm, eine Dämpferschicht und eine Basisschicht bei einem Verfahren gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung an dem Wafer angebracht werden; und
    • 10 eine Schnittansicht ist, die das Ergebnis des in 9 veranschaulichten Schritts zeigt.
  • AUSFÜHRLICHE ERLÄUTERUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Die bevorzugten Ausführungsformen betreffen Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats.
  • Bei der ersten bis dritten Ausführungsform werden die erfindungsgemäßen Bearbeitungsverfahren auf einem Wafer 2 als Substrat durchgeführt (siehe 1). Der Wafer 2 kann zum Beispiel ein MEMS-Wafer sein, der MEMS-Bauelemente aufweist, die an der Oberfläche einer Seite 4, das heißt einer Vorderseite desselben ausgebildet sind. Jedoch ist der Wafer 2 nicht auf einen MEMS-Wafer beschränkt, sondern kann auch ein CMOS-Wafer, der CMOS-Bauelemente, vorzugsweise als Festkörper-Bildgebungsbauelemente, aufweist, die an dessen Vorderseite 4 ausgebildet sind, oder ein Wafer mit anderen Arten von Bauelementen an der Vorderseite 4 sein.
  • Der Wafer 2 kann aus einem Halbleiter, wie zum Beispiel Silizium (Si), hergestellt sein. Ein solcher Siliziumwafer 2 kann Bauelemente, wie zum Beispiel ICs (integrierte Schaltungen) und LSIs (großflächige Integrationen), auf einem Siliziumsubstrat beinhalten. Alternativ kann der Wafer 2 ein Optikbauelementwafer sein, der durch Ausbilden optischer Bauelemente, wie zum Beispiel LEDs (lichtemittierende Dioden), auf einem Substrat aus anorganischem Material, wie zum Beispiel Keramik, Glas oder Saphir, aufgebaut ist. Der Wafer 2 ist nicht hierauf beschränkt und kann in einer beliebigen anderen Weise ausgebildet sein. Ferner ist auch eine Kombination der oben beschriebenen beispielhaften Waferausgestaltungen möglich.
  • Der Wafer 2 kann eine Dicke im pm-Bereich, vorzugsweise im Bereich von 30 bis 1000 µm, aufweisen.
  • Der Wafer 2 weist vorzugsweise eine Kreisform auf. Jedoch ist die Form des Wafers W nicht besonders eingeschränkt. Bei anderen Ausführungsformen kann der Wafer 2 zum Beispiel eine ovale Form, eine elliptische Form oder eine Polygonform, wie zum Beispiel eine rechteckige Form oder eine quadratische Form, aufweisen.
  • Der Wafer 2 ist mit mehreren sich kreuzenden, auch als Straßen bezeichneten Trennlinien 6 (siehe 1) versehen, die an dessen Vorderseite 4 ausgebildet sind, wodurch der Wafer 2 in mehrere rechteckige Bereiche abgeteilt wird, in denen jeweils Bauelemente 8, wie zum Beispiel die zuvor beschriebenen, ausgebildet sind. Diese Bauelemente 8 sind in einem Bauelementbereich 10 des Wafers 2 ausgebildet. In dem Fall eines kreisförmigen Wafers 2 ist dieser Bauelementbereich 10 vorzugsweise im Wesentlichen kreisförmig und konzentrisch zu dem äußeren Umfang des Wafers 2 angeordnet.
  • Der Bauelementbereich 10 des Wafers 2 ist mit einer Mehrzahl von Vorsprüngen 11 ausgebildet, die aus einer ebenen Fläche des Wafers 2 hervorstehen (siehe 2). Bei den Vorsprüngen 11 kann es sich beispielsweise um Kontakthöcker zur Herstellung eines elektrischen Kontakts mit den Bauelementen 8 des Bauelementbereichs 10 handeln. Die Höhe der Vorsprünge 11 in Richtung der Dicke des Wafers 2 kann im Bereich von 20 bis 500 µm liegen.
  • Der Bauelementbereich 10 ist von einem ringförmigen Umfangsrandbereich 12 umgeben, wie in 1 schematisch gezeigt ist. In diesem Umfangsrandbereich 12 sind keine Bauelemente ausgebildet. Der Umfangsrandbereich 12 ist vorzugsweise konzentrisch zu dem Bauelementbereich 10 und/oder dem äußeren Umfang des Wafers 2 angeordnet. Die radiale Erstreckung des Umfangsrandbereichs 12 kann im mm-Bereich liegen und reicht vorzugsweise von 1 bis 3 mm.
  • Der Wafer 2 hat ferner eine Seite 14, das heißt eine Rückseite, die der Vorderseite 4 gegenüberliegt (siehe 1).
  • Im Folgenden wird eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die 1 bis 5 beschrieben.
  • Es wird ein Schutzfilm 16 mit einer vorderen Fläche 18 und einer der vorderen Fläche 18 gegenüberliegenden hinteren Fläche 20 bereitgestellt (siehe 2).
  • Der Schutzfilm 16 kann aus einem Kunststoffmaterial, wie zum Beispiel einem Polymer, hergestellt werden. Beispielsweise kann der Schutzfilm 16 aus einem Polyolefin wie Polyethylen (PE), Polypropylen (PP) oder Polybutylen (PB) hergestellt sein. Der Schutzfilm 16 kann eine Dicke im Bereich von 5 bis 500 µm, vorzugsweise 5 bis 200 µm, noch bevorzugter 8 bis 100 µm, noch bevorzugter 10 bis 80 µm und noch bevorzugter 12 bis 50 µm aufweisen. Bei der vorliegenden Ausführungsform weist der Schutzfilm 16 in der Draufsicht eine im Wesentlichen kreisförmige Form und einen Außendurchmesser auf, der im Wesentlichen mit dem Außendurchmesser des Wafers 2 übereinstimmt. Bei anderen Ausführungsformen kann der Außendurchmesser des Schutzfilms 16 kleiner, zum Beispiel etwas kleiner, oder größer, zum Beispiel etwas größer, als der Außendurchmesser des Wafers 2 sein. Beispielsweise kann der Außendurchmesser des Schutzfilms 16 kleiner sein als der Außendurchmesser des Wafers 2, aber im Wesentlichen gleich groß oder größer als der Außendurchmesser des Bauelementbereichs 10 des Wafers 2.
  • Auf der gesamten vorderen Fläche 18 des Schutzfilms 16 wird eine Beschichtung aus einem wasserlöslichen Material 22 aufgebracht (siehe 2). Das wasserlösliche Material 22 kann aus einem wasserlöslichen Harz bestehen oder dieses umfassen, wie zum Beispiel PVA, PEG und/oder PVP. Die Beschichtung des wasserlöslichen Materials 22 kann eine Dicke im Bereich von 0,5 bis 5 µm, vorzugsweise 0,5 bis 4 µm, noch bevorzugter 0,5 bis 3 µm und sogar noch bevorzugter 0,5 bis 2 µm aufweisen. Bei der vorliegenden Ausführungsform wird das wasserlösliche Material 22 in flüssiger Form auf den Schutzfilm 16 aufgebracht, beispielsweise durch Sprühbeschichtung oder Schleuderbeschichtung oder Siebdruck.
  • Beispielsweise kann die Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material 22 auf die vordere Fläche 18 des Schutzfilms 16 kurz, zum Beispiel unmittelbar vor dem Aufbringen des Schutzfilms 16 auf die Vorderseite 4 des Wafers 2 oder im Voraus, zum Beispiel während oder kurz nach der Herstellung des Schutzfilms 16, aufgebracht werden.
  • Nach dem Aufbringen der Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material 22 auf den Schutzfilm 16 wird der Schutzfilm 16 auf die Vorderseite 4 des Wafers 2 aufgebracht, wie in 2 durch einen Pfeil angedeutet. Die vordere Fläche 18 des Schutzfilms 16 ist der Vorderseite 4 des Wafers 2 zugewandt, und der Schutzfilm 16 wird so auf den Wafer 2 aufgebracht, dass kein Haftmittel zwischen der gesamten vorderen Fläche 18 des Schutzfilms 16 und der gesamten Vorderseite 4 des Wafers 2 vorhanden ist. Die gesamte vordere Fläche 18 des Schutzfilms 16 ist frei von Haftmitteln. Somit befindet sich in dem gesamten Bereich, in dem der Schutzfilm 16 und der Wafer 2 miteinander in Kontakt sind, nur das wasserlösliche Material 22 zwischen Schutzfilm 16 und Wafer 2. Der Schutzfilm 16 ist auf der Vorderseite 4 des Wafers 2 aufgebracht, um die im Bauelementbereich 10 ausgebildeten Bauelemente 8 abzudecken und so die Bauelemente 8 z.B. vor Verschmutzung und Beschädigung zu schützen.
  • Nach dem Aufbringen des Schutzfilms 16 auf die Vorderseite 4 des Wafers 2 wird ein äußerer Impuls auf den Schutzfilm 16 ausgeübt, sodass der Schutzfilm 16 an der Vorderseite 4 des Wafers 2 angebracht wird. Das Ergebnis dieses Anbringschritts ist in 3 dargestellt.
  • Das Aufbringen des äußeren Impulses auf den Schutzfilm 16 kann das Erwärmen des Schutzfilms 16 und/oder das Kühlen des Schutzfilms 16 und/oder das Ausüben von Druck auf den Schutzfilm 16 und/oder das Anlegen eines Vakuums an den Schutzfilm 16 und/oder das Bestrahlen des Schutzfilms 16 mit Strahlung, wie zum Beispiel Licht oder UV-Strahlung, umfassen, zum Beispiel durch Verwendung eines Laserstrahls, wie oben ausführlich beschrieben. Insbesondere kann bei der vorliegenden Ausführungsform das Aufbringen des äußeren Impulses auf den Schutzfilm 16 das Erwärmen des Schutzfilms 16 umfassen oder darin bestehen. Durch den Erwärmungsvorgang kann eine Anbringkraft zwischen Schutzfilm 16 und Wafer 2 erzeugt werden. Der Schutzfilm 16 kann in ihrem erwärmten Zustand biegsam, elastisch, flexibel, dehnbar, weich und/oder komprimierbar sein. Auf diese Weise kann besonders zuverlässig sichergestellt werden, dass sich der Schutzfilm 16 an der Vorderseite 4 des Wafers 2 an die Waferoberfläche anpasst, z.B. die Wafertopographie aufnimmt und den Konturen der Vorsprünge 11 folgt (siehe 3). Die Vorsprünge 11 können zumindest teilweise in den Schutzfilm 16 eingebettet sein.
  • Nach dem Anbringen des Schutzfilms 16 auf der Vorderseite 4 des Wafers 2 wird die Vorderseite 4 des Wafers 2 und/oder die Rückseite 14 des Wafers 2 in einem Zustand bearbeitet, in dem der Schutzfilm 16 an dem Wafer 2 angebracht ist. Dadurch wird der Wafer 2, insbesondere die im Bauelementbereich 10 ausgebildeten Bauelemente 8, bei der Bearbeitung des Wafers 2 zuverlässig, z.B. vor Verunreinigungen und Beschädigungen, geschützt.
  • Die Bearbeitung der Rückseite 14 des Wafers 2 kann das Schneiden des Wafers 2 von der Rückseite 14 umfassen oder darin bestehen, zum Beispiel entlang der Trennlinien 6 (siehe 1). Der Wafer 2 kann zum Beispiel entlang seiner gesamten Dicke geschnitten werden, sodass der Wafer 2 vollständig geteilt wird, oder nur entlang eines Teils seiner Dicke. Der Wafer 2 kann entlang der Trennlinien 6 durch Schneiden vollständig geteilt werden, sodass mehrere separate Elemente, wie zum Beispiel Chips oder Dies, entstehen. Jeder der so erhaltenen Chips oder Dies kann eines oder mehrere der Bauelemente 8 umfassen.
  • Das Schneiden des Wafers 2 von der Rückseite 14 kann, wie oben beschrieben, das mechanische Schneiden des Wafers 2 und/oder das Laserschneiden des Wafers 2 und/oder das Plasmaschneiden des Wafers 2 umfassen oder darin bestehen.
  • Die Bearbeitung der Rückseite 14 des Wafers 2 kann das Verdünnen des Wafers 2 umfassen oder daraus bestehen, um die Dicke des Wafers 2 zu verringern. Das Verdünnen des Wafers 2 kann, wie oben ausführlich beschrieben, das Schleifen des Wafers 2 von der Rückseite 14 und/oder das Polieren des Wafers 2 von der Rückseite 14 und/oder das Ätzen des Wafers 2 von der Rückseite 14 umfassen oder darin bestehen.
  • Die Bearbeitung der Vorderseite 4 des Wafers 2 kann die Bearbeitung der Vorderseite 4 durch den Schutzfilm 16 hindurch umfassen oder darin bestehen, zum Beispiel durch Anwendung eines Stealthlaser-Schneidvorgangs. Bei einem solchen Vorgang wird der Laserstrahl, wie oben ausführlich beschrieben, durch den Schutzfilm 16 hindurch auf den Wafer 2 aufgebracht.
  • Nach der Bearbeitung der Vorderseite 4 des Wafers 2 und/oder der Rückseite 14 des Wafers 2 wird der Schutzfilm 16 von dem Wafer 2 entfernt. Da sich in dem gesamten Bereich, in dem der Schutzfilm 16 und der Wafer 2 miteinander in Kontakt stehen, das wasserlösliche Material 22 zwischen Schutzfilm 16 und Wafer 2 befindet, wird das Entfernen des Schutzfilms 16 von dem Wafer 2 erheblich erleichtert. Insbesondere senkt das wasserlösliche Material 22 die Abziehkraft, die zum Abziehen des Schutzfilms 16 vom Wafer 2 erforderlich ist. Dadurch wird das Risiko einer Beschädigung des Wafers 2 bei dem Vorgang des Entfernens des Schutzfilms 16 von diesem noch weiter verringert. Außerdem wird durch das Vorhandensein des wasserlöslichen Materials 22 das Risiko minimiert, dass nach dem Entfernen des Schutzfilms 16 Rückstände des Schutzfilmmaterials auf dem Wafer 2 verbleiben.
  • Nach dem Entfernen des Schutzfilms 16 vom Wafer 2 kann die Vorderseite 4 des Wafers 2 mit Wasser, zum Beispiel mit entionisiertem Wasser, gereinigt werden. Sollten nach dem Entfernen des Schutzfilms Rückstände des wasserlöslichen Materials 22 auf dem Wafer 2 verbleiben, zum Beispiel durch das Vorhandensein der Vorsprünge 11 auf dem Wafer 2, so können diese Rückstände aufgrund der Wasserlöslichkeit des wasserlöslichen Materials 22 durch die Reinigung der Vorderseite 4 mit Wasser einfach, zuverlässig und effizient entfernt werden. Somit kann auf der Vorderseite 4 des Wafers 2 eine Fläche erreicht werden, die frei von jeglichen Rückständen oder sonstigen Arten von Verunreinigungen ist.
  • 4 veranschaulicht einen Schritt des Aufbringens des Schutzfilms 16 auf die Vorderseite 4 des Wafers 2 bei einem Verfahren gemäß einer Abwandlung der ersten Ausführungsform. Das Verfahren dieser Ausführungsform unterscheidet sich von dem Verfahren der ersten Ausführungsform dadurch, dass der Außendurchmesser des Schutzfilms 16 größer ist als der Außendurchmesser des Wafers 2, die Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material 22 nur auf einem mittleren Bereich der vorderen Fläche 18 des Schutzfilms 16 aufgebracht wird und der Schutzfilm 16 mit einer Haftmittelschicht 24 versehen ist, die nur in einem Umfangsbereich der vorderen Fläche 18 des Schutzfilms 16 vorhanden ist (siehe 4).
  • Wie ferner in 4 gezeigt wird, ist ein äußerer Umfangsabschnitt des Schutzfilms 16 an einem ringförmigen Rahmen 26 angebracht. Insbesondere ist der äußere Umfangsabschnitt des Schutzfilms 16 an dem ringförmigen Rahmen 26 angebracht, sodass der Schutzfilm 16 eine mittlere Öffnung des ringförmigen Rahmens 26 verschließt, das heißt den Bereich innerhalb des Innendurchmessers des ringförmigen Rahmens 26. Bei der vorliegenden Ausführungsform wird der Schritt des Anbringens des äußeren Umfangsabschnitts des Schutzfilms 16 am ringförmigen Rahmen 26 durchgeführt, bevor der Schutzfilm 16 auf den Wafer 2 aufgebracht wird. Auf diese Weise wird die Handhabung des Schutzfilms 16, insbesondere beim Aufbringen und Anbringen des Schutzfilms 16 auf dem Wafer 2, erleichtert. Ferner kann der Wafer 2 nach dem Anbringen des Schutzfilms 16 an dem Wafer 2 über den Schutzfilm 16 durch den ringförmigen Rahmen 26 gehalten werden. Auf diese Weise wird eine Wafereinheit ausgebildet, die den Wafer 2, den Schutzfilm 16 und den ringförmigen Rahmen 26 aufweist, was die Bearbeitung, die Handhabung und/oder den Transport des Wafers 2 erleichtert.
  • Der Schutzfilm 16 kann durch ein Haftmittel, zum Beispiel durch einen Abschnitt der Haftmittelschicht 24, an dem ringförmigen Rahmen 26 angebracht werden, wie im Folgenden näher erläutert wird. Außerdem kann der Schutzfilm 16 durch Aufbringen eines äußeren Impulses auf den Schutzfilm 16 an dem ringförmigen Rahmen 26 angebracht werden. In diesem Fall kann kein Haftmittel zwischen dem Schutzfilm 16 und dem ringförmigen Rahmen 26 vorhanden sein. Das Aufbringen des äußeren Impulses auf den Schutzfilm 16 kann, wie oben näher erläutert wurde, das Erwärmen des Schutzfilms 16 und/oder das Kühlen des Schutzfilms 16 und/oder das Ausüben von Druck auf den Schutzfilm 16 und/oder das Anlegen eines Vakuums an den Schutzfilm 16 und/oder das Bestrahlen des Schutzfilms 16 mit Strahlung, wie Licht oder UV-Strahlung, zum Beispiel durch Verwendung eines Laserstrahls, umfassen oder darin bestehen. Das Aufbringen des äußeren Impulses auf den Schutzfilm 16 kann insbesondere das Erwärmen des Schutzfilms 16 umfassen. Durch den Erwärmungsvorgang kann eine Anbringkraft zwischen dem Schutzfilm 16 und dem ringförmigen Rahmen 26 erzeugt werden.
  • Der mittlere Bereich der vorderen Fläche 18 des Schutzfilms 16, auf der das wasserlösliche Material 22 aufgebracht ist, korrespondiert mit dem Bauelementbereich 10 des Wafers 2 und ist im Wesentlichen deckungsgleich mit diesem. Der Umfangsbereich der vorderen Fläche 18 des Schutzfilms 16, der mit der Haftmittelschicht 24 versehen ist, umgibt den mittleren Bereich der vorderen Fläche 18 des Schutzfilms 16. Der mit der Haftmittelschicht 24 bereitgestellte Umfangsbereich der vorderen Fläche 18 des Schutzfilms 16 korrespondiert mit dem Umfangsrandbereich 12 des Wafers 2 und ist mit diesem im Wesentlichen deckungsgleich. Die Haftmittelschicht 24 weist eine im Wesentlichen ringförmige Form auf. Der Schutzfilm 16 ist auf der Vorderseite 4 des Wafers 2 aufgebracht (wie in 4 durch einen Pfeil angedeutet), sodass die Haftmittelschicht 24 nur mit dem Umfangsrandbereich 12 des Wafers 2 in Kontakt kommt. Zwischen dem mittleren Bereich der vorderen Fläche 18 des Schutzfilms 16 und dem Bauelementbereich 10 des Wafers 2 befindet sich nur das wasserlösliche Material 22.
  • Die in 4 veranschaulichte Ausführungsform kann ferner auf verschiedene Weise modifiziert werden. Insbesondere kann die Haftmittelschicht 24 im gesamten Bereich der vorderen Fläche 18 des Schutzfilms 16 bereitgestellt werden, der außerhalb, das heißt radial außerhalb des mittleren Bereichs der vorderen Fläche 18 des Schutzfilms 16 liegt. In diesem Fall erstreckt sich die Haftmittelschicht 24 von einer Außenumfangskante des mittleren Bereichs der vorderen Fläche 18 des Schutzfilms 16 bis zu einer äußeren Umfangskante des Schutzfilms 16. Alternativ kann die Haftmittelschicht 24 beispielsweise nur in den Bereichen der vorderen Fläche 18 des Schutzfilms 16 bereitgestellt werden, die mit dem Umfangsrandbereich 12 des Wafers 2 (siehe 4 und 5) und mit dem ringförmigen Rahmen 26 in Kontakt kommen.
  • Bei der in 4 veranschaulichten Ausführungsform wird das wasserlösliche Material 22 nur auf den mittleren Bereich der vorderen Fläche 18 des Schutzfilms 16 aufgebracht. Somit erstreckt sich das wasserlösliche Material 22, das heißt in radialer Richtung, bis zu einem inneren Umfangsrand der Haftmittelschicht 24. Außerhalb, d.h. radial außerhalb des inneren Umfangsrandes der Haftmittelschicht 24 ist kein wasserlösliches Material 22 vorhanden. Besonders zuverlässig lässt sich diese Anordnung beispielsweise dadurch erreichen, dass beim Aufbringen des wasserlöslichen Materials 22 auf die vordere Fläche 18 des Schutzfilms 16 der Bereich der vorderen Fläche 18 des Schutzfilms 16 außerhalb des inneren Umfangsrandes der Haftmittelschicht 24, d.h. der Bereich außerhalb des mittleren Bereichs der vorderen Fläche 18 des Schutzfilms 16, z.B. durch Verwendung einer Maske, abgedeckt wird. Das wasserlösliche Material 22 kann zum Beispiel durch Siebdruck oder Sprühbeschichtung auf die vordere Fläche 18 des Schutzfilms 16 aufgebracht werden.
  • Alternativ kann die Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material 22 zum Beispiel auf der gesamten vorderen Fläche 18 des Schutzfilms 16 aufgebracht werden. Die Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material 22 kann auf dem gesamten Abschnitt der vorderen Fläche 18 des Schutzfilms 16 aufgebracht werden, der mit der Vorderseite 4 des Wafers 2 in Kontakt kommt. In den Bereichen der vorderen Fläche 18 des Schutzfilms 16, in denen die Haftmittelschicht 24 vorhanden ist, kann das wasserlösliche Material 22 auf der Oberseite der Haftmittelschicht 24 bereitgestellt werden, das heißt auf der Seite der Haftmittelschicht 24, die der Seite der Haftmittelschicht 24 gegenüberliegt, die mit dem Schutzfilm 16 in Kontakt ist.
  • Nach dem Aufbringen des Schutzfilms 16 auf die Vorderseite 4 des Wafers 2 wird ein äußerer Impuls auf den Schutzfilm 16 ausgeübt, sodass der Schutzfilm 16 an der Vorderseite 4 des Wafers 2 angebracht wird. Das Ergebnis dieses Anbringschritts ist in 5 dargestellt.
  • Der äußere Impuls wird in der gleichen Weise, wie oben für das Verfahren gemäß der ersten Ausführungsform beschrieben, auf den Schutzfilm 16 aufgebracht wodurch der mittlere Bereich der vorderen Fläche 18 des Schutzfilms 16 am Bauelementbereich 10 des Wafers 2 angebracht wird. Ferner wird der Umfangsbereich der vorderen Fläche 18 des Schutzfilms 16 mit Hilfe der Haftmittelschicht 24 am Umfangsrandbereich 12 des Wafers 2 angebracht. Durch das Bereitstellen der Haftmittelschicht 24 kann die Anbringung des Schutzfilms 16 an dem Wafer 2 ferner verbessert werden. Da die Haftmittelschicht 24 nur im Umfangsbereich der vorderen Fläche 18 des Schutzfilms 16 vorhanden ist, ist der Bereich, in dem der Schutzfilm 16 und der Wafer 2 durch die Haftmittelschicht 24 aneinander angebracht sind, im Vergleich zu einem Fall, in dem eine Haftmittelschicht auf der gesamten vorderen Fläche 18 des Schutzfilms 16 bereitgestellt wird, deutlich reduziert. Dadurch lässt sich der Schutzfilm 16 leichter vom Wafer 2 ablösen, und die Gefahr einer Beschädigung des Wafers 2 wird erheblich verringert. Da die Haftmittelschicht 24 zudem nur mit dem Umfangsrandbereich 12 des Wafers 2 in Kontakt kommt, in dem keine Bauelemente ausgebildet sind, wird gegen eine mögliche Kontamination der Bauelemente 8 im Bauelementbereich 10 durch Haftmittelrückstände zuverlässig vorgebeugt.
  • Das Haftmittel der Haftmittelschicht 24 kann durch einen äußeren Impuls härtbar sein, wie zum Beispiel durch Wärme, UV-Strahlung, ein elektrisches Feld und/oder einen chemischen Stoff. Auf diese Weise lässt sich der Schutzfilm 16 nach der Bearbeitung besonders leicht von dem Wafer 2 entfernen. Der äußere Impuls kann auf das Haftmittel aufgebracht werden, um dessen Haftkraft zu verringern und so ein besonders leichtes Entfernen des Schutzfilms 16 zu ermöglichen.
  • Nach dem Anbringen des Schutzfilms 16 an der Vorderseite 4 des Wafers 2 können die Schritte des Bearbeitens der Vorderseite 4 des Wafers 2 und/oder der Rückseite 14 des Wafers 2, des Entfernens des Schutzfilms 16 vom Wafer 2 und des Reinigens der Vorderseite 4 des Wafers 2 mit Wasser, zum Beispiel entionisiertem Wasser, in Übereinstimmung mit dem oben beschriebenen Verfahren gemäß der ersten Ausführungsform durchgeführt werden.
  • Da sich zwischen dem mittleren Bereich der vorderen Fläche 18 des Schutzfilms 16 und dem Bauelementbereich 10 des Wafers 2 das wasserlösliche Material 22 befindet, wird das Entfernen des Schutzfilms 16 von dem Wafer 2 erheblich erleichtert. Insbesondere senkt das wasserlösliche Material 22 die Abziehkraft, die zum Abziehen des Schutzfilms 16 vom Wafer 2 erforderlich ist. Dadurch wird das Risiko einer Beschädigung des Wafers 2 bei dem Vorgang des Entfernens des Schutzfilms 16, insbesondere im Bauelementbereich 10, noch weiter reduziert. Außerdem wird durch das Vorhandensein des wasserlöslichen Materials 22 das Risiko minimiert, dass nach dem Entfernen des Schutzfilms 16 Rückstände des Schutzfilmmaterials auf dem Wafer 2, insbesondere im Bauelementbereich 10, verbleiben. Das Entfernen des Schutzfilms 16 von dem Wafer 2 kann ferner dadurch erleichtert werden, dass, wie oben ausführlich beschrieben wurde, das Haftmittel der Haftmittelschicht 24 durch das Aufbringen eines äußeren Impulses darauf ausgehärtet wird.
  • Im Folgenden wird eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die 6 bis 8 beschrieben.
  • Das Verfahren gemäß der zweiten Ausführungsform unterscheidet sich dadurch von dem Verfahren gemäß der ersten Ausführungsform, dass eine Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material 22 auf die Vorderseite 4 des Wafers 2 anstatt auf die vordere Fläche 18 des Schutzfilms 16 aufgebracht wird und dass der Außendurchmesser des Schutzfilms 16 größer als der Außendurchmesser des Wafers 2 ist. Ferner umfasst das Verfahren der zweiten Ausführungsform den optionalen Schritt des Anbringens des Wafers 2 an einem Anbringband 28 (siehe 6). Die verbleibenden Schritte des Verfahrens der ersten Ausführungsform werden bei dem Verfahren der zweiten Ausführungsform auf die gleiche Weise durchgeführt. Daher wird auf eine erneute detaillierte Beschreibung darüber verzichtet.
  • Insbesondere wird bei dem Verfahren der zweiten Ausführungsform optional die Rückseite 14 des Wafers 2 beispielsweise mit Hilfe eines Haftmittels an das Anbringband 28 angebracht. Das Haftmittel kann auf der gesamten Fläche des Anbringbandes 28 vorhanden sein, die mit der Rückseite 14 des Wafers 2 in Kontakt kommt, oder nur in einem Umfangsbereich dieser Fläche. Alternativ kann auch kein Haftmittel zwischen dem Anbringband 28 und der Rückseite 14 des Wafers 2 vorhanden sein. In diesem Fall kann das Anbringband 28 an der Rückseite 14 des Wafers 2 angebracht werden, indem ein äußerer Impuls auf das Anbringband 28 aufgebracht wird, wie zum Beispiel der oben beschriebene äußere Impuls.
  • Wie ferner in 6 gezeigt wird, ist ein äußerer Umfangsabschnitt des Anbringbands 28 an einem ringförmigen Rahmen 30 angebracht. Insbesondere ist der äußere Umfangsabschnitt des Anbringbands 28 an dem ringförmigen Rahmen 30 angebracht, sodass das Anbringband 28 eine mittlere Öffnung des ringförmigen Rahmens 30 verschließt, das heißt den Bereich innerhalb des Innendurchmessers des ringförmigen Rahmens 30. Bei der vorliegenden Ausführungsform wird der Schritt des Anbringens des äußeren Umfangsabschnitts des Anbringbands 28 an dem ringförmigen Rahmen 30 vor dem Aufbringen der Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material 22 auf die Vorderseite 4 des Wafers 2 durchgeführt. Auf diese Weise wird die Handhabung des Wafers 2, insbesondere beim Aufbringen der Beschichtung des wasserlöslichen Materials 22 darauf, erleichtert.
  • Nach dem Anbringen des Anbringbands 28 an der Rückseite 14 des Wafers 2 wird die Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material 22 auf der gesamten Vorderseite 4 des Wafers 2 aufgebracht. Das Ergebnis dieses Aufbringschrittes ist in 6 dargestellt. Die Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material 22 bedeckt die gesamte Vorderseite 4 des Wafers 2, einschließlich der Flächen der Vorsprünge 11. Die auf der Vorderseite 4 des Wafers 2 aufgebrachte Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material 22 kann eine Dicke im Bereich von 0,5 bis 5 µm, vorzugsweise 0,5 bis 4 µm, noch bevorzugter 0,5 bis 3 µm und sogar noch bevorzugter 0,5 bis 2 µm aufweisen.
  • Das wasserlösliche Material 22, das auf die Vorderseite 4 des Wafers 2 aufgebracht wird, ist das gleiche wasserlösliche Material wie oben für das Verfahren der ersten Ausführungsform beschrieben. Insbesondere kann das wasserlösliche Material 22 aus einem wasserlöslichen Harz bestehen oder dieses umfassen, wie zum Beispiel PVA, PEG und/oder PVP.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform wird das wasserlösliche Material 22 in flüssiger Form auf die Vorderseite 4 des Wafers 2 aufgebracht, beispielsweise durch Sprühbeschichtung oder Schleuderbeschichtung oder Siebdruck. Bei diesem Aufbringvorgang wird eine Auflage oder ein Träger, wie zum Beispiel ein Spanntisch, auf dem der Wafer 2 gehalten werden kann, durch das Vorhandensein des Anbringbandes 28 vor einer Verunreinigung durch das flüssige wasserlösliche Material 22 geschützt.
  • Nach dem Aufbringen der Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material 22 auf die Vorderseite 4 des Wafers 2 wird bei einem optionalen Schritt ein Schneiden des Anbringbands 28 entlang des äußeren Umfangs des Wafers 2 zum Beispiel mit einer Schneidklinge ausgeführt, wie durch gestrichelte Linien in 7 angedeutet ist. Das Anbringband 28 wird so geschnitten, dass es einen Außendurchmesser aufweist, der im Wesentlichen mit dem Außendurchmesser des Wafers 2 übereinstimmt (siehe 7 und 8). Dieser Schneidschritt erleichtert insbesondere das anschließende Aufbringen des Schutzfilms 16 auf den Wafer 2, da auch der Schutzfilm 16 durch einen ringförmigen Rahmen, das heißt den ringförmigen Rahmen 26, gehalten wird (siehe 8).
  • Als alternativer optionaler Schritt kann das Anbringband 28 nach dem Aufbringen der Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material 22 auf die Vorderseite 4 des Wafers 2 und vor dem Aufbringen des Schutzfilms 16 auf den Wafer 2 von dem Wafer 2 entfernt werden, anstatt das Anbringband 28 zu schneiden.
  • Nach dem optionalen Schritt des Schneidens des Anbringbands 28 oder des Entfernens des Anbringbands 28 vom Wafer 2 wird der Schutzfilm 16 aufgebracht und an der Vorderseite 4 des Wafers 2 angebracht. Das Ergebnis dieser Schritte ist in 8 dargestellt.
  • Die Schritte des Aufbringens und Anbringens des Schutzfilms 16 auf dem Wafer 2 werden in der gleichen Weise durchgeführt, wie oben für das Verfahren der ersten Ausführungsform beschrieben. Der äußere Umfangsabschnitt des Schutzfilms 16 wird auf die gleiche Weise wie bei dem Verfahren gemäß der Abwandlung der ersten Ausführungsform an dem ringförmigen Rahmen 26 angebracht.
  • Insbesondere ist beim Aufbringen des Schutzfilms 16 auf den Wafer 2 die vordere Fläche 18 des Schutzfilms 16 der Vorderseite 4 des Wafers 2 zugewandt und der Schutzfilm 16 wird so auf den Wafer 2 aufgebracht, dass zwischen der gesamten vorderen Fläche 18 des Schutzfilms 16 und der gesamten Vorderseite 4 des Wafers 2 kein Haftmittel vorhanden ist. Die gesamte vordere Fläche 18 des Schutzfilms 16 ist haftmittelfrei. In dem gesamten Bereich, in dem der Schutzfilm 16 und der Wafer 2 miteinander in Kontakt sind, befindet sich also nur das wasserlösliche Material 22 zwischen Schutzfilm 16 und Wafer 2. Der Schutzfilm 16 ist auf der Vorderseite 4 des Wafers 2 aufgebracht, um die im Bauelementbereich 10 ausgebildeten Bauelemente 8 abzudecken und so die Bauelemente 8 z.B. vor Verschmutzung und Beschädigung zu schützen.
  • Nach dem Aufbringen des Schutzfilms 16 auf die Vorderseite 4 des Wafers 2 wird ein äußerer Impuls auf den Schutzfilm 16 ausgeübt, sodass der Schutzfilm 16 an der Vorderseite 4 des Wafers 2 angebracht wird. Der äußere Impuls wird in der gleichen Weise auf den Schutzfilm 16 aufgebracht, wie oben in Übereinstimmung mit dem Verfahren gemäß der ersten Ausführungsform beschrieben.
  • Nach dem Anbringen des Schutzfilms 16 an der Vorderseite 4 des Wafers 2 können die Schritte des Bearbeitens der Vorderseite 4 des Wafers 2 und/oder der Rückseite 14 des Wafers 2, des Entfernens des Schutzfilms 16 vom Wafer 2 und des Reinigens der Vorderseite 4 des Wafers 2 mit Wasser, zum Beispiel entionisiertem Wasser, auf die gleiche Weise wie bei dem oben beschriebenen Verfahren gemäß der ersten Ausführungsform durchgeführt werden.
  • Bei einem Verfahren gemäß einer Abwandlung der zweiten Ausführungsform kann ein Schutzfilm 16 verwendet werden, deren Außendurchmesser im Wesentlichen dem Außendurchmesser des Wafers 2 entspricht (siehe 2 und 3). Dieses modifizierte Verfahren unterscheidet sich von dem Verfahren nach der ersten Ausführungsform im Wesentlichen nur dadurch, dass die Beschichtung des wasserlöslichen Materials 22 auf der Vorderseite 4 des Wafers 2 und nicht auf der vorderen Fläche 18 des Schutzfilms 16 aufgebracht wird.
  • Bei anderen Ausführungsformen kann eine Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material 22 auf die Vorderseite 4 des Wafers 2 aufgebracht werden und eine Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material 22 kann auf die vordere Fläche 18 des Schutzfilms 16 aufgebracht werden.
  • Ferner kann der Schutzfilm 16 in der gleichen Weise, wie oben in Übereinstimmung mit dem Verfahren gemäß der Abwandlung der ersten Ausführungsform (siehe 4) beschrieben, mit einer Haftmittelschicht 24 bereitgestellt werden, die nur in einem Umfangsbereich der vorderen Fläche 18 des Schutzfilms 16 vorhanden ist. Darüber hinaus kann die Anordnung der Haftmittelschicht 24 und/oder die Anordnung des wasserlöslichen Materials 22 zum Beispiel auf die gleiche Weise abgewandelt werden, wie oben in Bezug auf die Abwandlung der ersten Ausführungsform beschrieben wurde.
  • Im Folgenden wird eine dritte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die 9 und 10 beschrieben.
  • Das Verfahren gemäß der dritten Ausführungsform unterscheidet sich von dem Verfahren gemäß der zweiten Ausführungsform dadurch, dass eine Dämpferschicht 32 und eine Basisschicht 34 an der rückseitigen Fläche 20 des Schutzfilms 16 angebracht werden (siehe 9 und 10). Ferner wird ein optionaler Schritt des Schneidens des Schutzfilms 16, der Dämpferschicht 32 und der Basisschicht 34, die an dem Wafer 2 angebracht sind, durchgeführt. Die übrigen Schritte des Verfahrens der zweiten Ausführungsform werden in der gleichen Weise bei dem Verfahren der dritten Ausführungsform durchgeführt. Daher wird auf eine erneute detaillierte Beschreibung verzichtet.
  • Insbesondere können bei dem Verfahren der dritten Ausführungsform die Dämpferschicht 32 und die Basisschicht 34 an der hinteren Fläche 20 des Schutzfilms 16 angebracht werden, bevor der Schutzfilm 16 auf die Vorderseite 4 des Wafers 2 aufgebracht und befestigt wird. Eine vordere Fläche der Dämpferschicht 32 ist an der hinteren Fläche 20 des Schutzfilms 16 angebracht und eine vordere Fläche der Basisschicht 34 ist an einer hinteren Fläche der Dämpferschicht 32 angebracht. Die hintere Fläche der Dämpferschicht 32 liegt der vorderen Fläche der Dämpferschicht 32 gegenüber. Die Dämpferschicht 32 und die Basisschicht 34 können die oben beschriebenen Merkmale, Eigenschaften und Kennzeichen aufweisen.
  • Der Schutzfilm 16, die die Dämpferschicht 32 und die daran angebrachte Basisschicht 34 aufweist, wird in der gleichen Weise, wie oben in Übereinstimmung mit dem Verfahren gemäß der zweiten Ausführungsform beschrieben, auf die Vorderseite 4 des Wafers 2 aufgebracht und angebracht.
  • Beim Aufbringen und Anbringen des Schutzfilms 16 mit der daran angebrachten Dämpferschicht 32 und der Basisschicht 34 auf der Vorderseite 4 des Wafers 2 werden die Vorsprünge 11, wie oben ausgeführt wurde, in dem Schutzfilm 16 und der Dämpferschicht 32 eingebettet und damit besonders zuverlässig vor Beschädigungen bei der Bearbeitung des Wafers geschützt.
  • Nach dem Anbringen des Schutzfilms 16 mit der Dämpferschicht 32 und der daran angebrachten Basisschicht 34 an der Vorderseite 4 des Wafers 2 wird ein optionaler Schritt des Schneidens des Schutzfilms 16, der Dämpferschicht 32 und der Basisschicht 34 entlang des äußeren Umfangs des Wafers 2, zum Beispiel mit einer Schneidklinge, durchgeführt, wie durch Pfeile und gestrichelte Linien in 9 angedeutet ist. Das Ergebnis dieses Schneidschrittes ist in 10 dargestellt. Der Schutzfilm 16, die Dämpferschicht 32 und die Basisschicht 34 werden so geschnitten, dass sie jeweils einen Außendurchmesser aufweisen, der im Wesentlichen dem Außendurchmesser des Wafers 2 entspricht (siehe 9 und 10). Dieser Schneidschritt kann die spätere Handhabung des Wafers 2 erleichtern, insbesondere bei der Bearbeitung der Vorderseite 4 des Wafers 2 und/oder der Rückseite 14 des Wafers 2.
  • Nach dem optionalen Schritt des Schneidens des Schutzfilms 16, der Dämpferschicht 32 und der Basisschicht 34 können die Schritte des Bearbeitens der Vorderseite 4 des Wafers 2 und/oder der Rückseite 14 des Wafers 2, des Entfernens des Schutzfilms 16 vom Wafer 2 und des Reinigens der Vorderseite 4 des Wafers 2 mit Wasser, zum Beispiel entionisiertem Wasser, in Übereinstimmung mit den Verfahren gemäß der ersten und zweiten Ausführungsform durchgeführt werden.
  • Die Basisschicht 34, die Dämpferschicht 32 und der Schutzfilm 16 können einzeln, das heißt nacheinander, von dem Wafer 2 entfernt werden. Beispielsweise kann die Basisschicht 34 zuerst entfernt werden, gefolgt vom Entfernen der Dämpferschicht 32 und dem anschließenden Entfernen des Schutzfilms 16. Auch kann die Basisschicht 34 zusammen mit der Dämpferschicht 32 zuerst entfernt werden, gefolgt vom Entfernen des Schutzfilms 16. Alternativ können die Basisschicht 34, die Dämpferschicht 32 und der Schutzfilm 16 auch gemeinsam entfernt werden.
  • Das Verfahren gemäß der dritten Ausführungsform kann modifiziert werden, indem die Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material 22 auf die vordere Fläche 18 des Schutzfilms 16 anstatt auf die Vorderseite 4 des Wafers 2 aufgebracht wird. Alternativ kann eine Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material 22 auf die Vorderseite 4 des Wafers 2 aufgebracht werden und kann eine Beschichtung aus dem wasserlöslichen Material 22 auf die vordere Fläche 18 des Schutzfilms 16 aufgebracht werden.
  • Ferner kann der Schutzfilm 16 in der gleichen oben in Übereinstimmung mit dem Verfahren gemäß der Abwandlung der ersten Ausführungsform beschriebenen Weise mit einer Haftmittelschicht 24 bereitgestellt werden (siehe 4), die nur in einem Umfangsbereich der vorderen Fläche 18 des Schutzfilms 16 vorhanden ist. Darüber hinaus kann die Anordnung der Haftmittelschicht 24 und/oder die Anordnung des wasserlöslichen Materials 22 abgewandelt werden, zum Beispiel in der Weise, wie sie oben in Bezug auf die Abwandlung der ersten Ausführungsform beschrieben wurde.
  • Bei den Verfahren gemäß der oben beschriebenen Ausführungsformen 1 bis 3 wird der Schutzfilm 16 auf der Vorderseite 4 des Substrats, das heißt des Wafers 2, aufgebracht und angebracht. Bei anderen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kann der Schutzfilm jedoch auch auf der Rückseite des Substrats aufgebracht und angebracht werden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102018200656 A1 [0011]

Claims (8)

  1. Verfahren zur Bearbeitung eines Substrats (2), das eine Seite (4) und eine der einen Seite (4) gegenüberliegende Seite (14) aufweist, wobei das Verfahren umfasst: Bereitstellen eines Schutzfilms (16) mit einer vorderen Fläche (18) und einer der vorderen Fläche (18) gegenüberliegenden hinteren Fläche (20); Aufbringen einer Beschichtung aus einem wasserlöslichen Material (22) auf mindestens einen mittleren Bereich der vorderen Fläche (18) des Schutzfilms (16) und/oder Aufbringen einer Beschichtung aus einem wasserlöslichen Material (22) auf mindestens einen mittleren Abschnitt der einen Seite (4) des Substrats (2); nach dem Aufbringen der Beschichtung auf den Schutzfilm (16) und/oder dem Aufbringen der Beschichtung auf das Substrat (2), Aufbringen des Schutzfilms (16) auf die eine Seite (4) des Substrats (2), wobei die vordere Fläche (18) des Schutzfilms (16) der einen Seite (4) des Substrats (2) zugewandt ist und der Schutzfilm (16) so aufgebracht wird, dass zumindest zwischen dem mittleren Bereich der vorderen Fläche (18) des Schutzfilms (16) und der einen Seite (4) des Substrats (2) kein Haftmittel vorhanden ist; Aufbringen eines äußeren Impulses auf den Schutzfilm (16) während und/oder nach dem Aufbringen des Schutzfilms (16) auf die eine Seite (4) des Substrats (2), sodass der Schutzfilm (16) an der einen Seite (4) des Substrats (2) angebracht wird; und Bearbeiten der einen Seite (4) des Substrats (2) und/oder der Seite (14) des Substrats (2), die der einen Seite (4) gegenüberliegt.
  2. Verfahren zur Bearbeitung eines Substrats (2), das eine Seite (4) und eine der einen Seite (4) gegenüberliegende Seite (14) aufweist, wobei das Verfahren umfasst: Bereitstellen eines Schutzfilms (16) mit einer vorderen Fläche (18) und einer der vorderen Fläche (18) gegenüberliegenden hinteren Fläche (20), wobei der Schutzfilm (16) eine Beschichtung aus einem wasserlöslichen Material (22) aufweist, die auf mindestens einem mittleren Bereich der vorderen Fläche (18) des Schutzfilms (16) aufgebracht ist; Aufbringen des Schutzfilms (16) auf die eine Seite (4) des Substrats (2), wobei die vordere Fläche (18) des Schutzfilms (16) der einen Seite (4) des Substrats (2) zugewandt ist und der Schutzfilm (16) so aufgebracht wird, dass zumindest zwischen dem mittleren Bereich der vorderen Fläche (18) des Schutzfilms (16) und der einen Seite (4) des Substrats (2) kein Haftmittel vorhanden ist; Aufbringen eines äußeren Impulses auf den Schutzfilm (16) während und/oder nach dem Aufbringen des Schutzfilms (16) auf die eine Seite (4) des Substrats (2), sodass der Schutzfilm (16) an der einen Seite (4) des Substrats (2) angebracht wird; und Bearbeiten der einen Seite (4) des Substrats (2) und/oder der Seite (14) des Substrats (2), die der einen Seite (4) gegenüberliegt.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die auf den Schutzfilm (16) aufgebrachte Beschichtung und/oder die auf das Substrat (2) aufgebrachte Beschichtung eine Dicke im Bereich von 0,5 bis 5 µm aufweist.
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das ferner ein Entfernen des Schutzfilms (16) von dem Substrat (2) nach der Bearbeitung der einen Seite (4) des Substrats (2) und/oder der der einen Seite (4) gegenüberliegenden Seite (14) des Substrats (2) umfasst.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, das ferner, nach Entfernen des Schutzfilms (16) vom Substrat (2), die Reinigung der einen Seite (4) des Substrats (2) mit Wasser umfasst.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Schutzfilm (16) mit einer Haftmittelschicht (24) bereitgestellt wird, die Haftmittelschicht (24) nur in einem Umfangsbereich der vorderen Fläche (18) des Schutzfilms (16) bereitgestellt wird, wobei der Umfangsbereich den mittleren Bereich der vorderen Fläche (18) des Schutzfilms (16) umgibt, und der Schutzfilm (16) auf die eine Seite (4) des Substrats (2) aufgebracht wird, sodass die Haftmittelschicht (24) nur mit einem Umfangsabschnitt der einen Seite (4) des Substrats (2) in Kontakt kommt.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Aufbringen des äußeren Impulses auf den Schutzfilm (16) ein Erwärmen des Schutzfilms (16) und/oder ein Abkühlen des Schutzfilms (16) und/oder ein Ausüben von Druck auf den Schutzfilm (16) und/oder ein Bestrahlen des Schutzfilms (16) mit Licht oder UV-Strahlung umfasst.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Schutzfilm (16) aus einem Polymer, insbesondere einem Polyolefin, hergestellt ist.
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