DE112017007552T5

DE112017007552T5 - Schutzabdeckung für eine Verwendung bei einer Bearbeitung eines Wafers, Handhabungssystem für einen Wafer und eine Kombination aus einem Wafer und einer Schutzabdeckung

Info

Publication number: DE112017007552T5
Application number: DE112017007552.1T
Authority: DE
Inventors: Karl Heinz Priewasser
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2017-05-18
Filing date: 2017-05-18
Publication date: 2020-01-30
Also published as: KR102345923B1; US11676833B2; CN110663106B; KR20200007957A; WO2018210426A1; TW201901783A; JP2020520117A; CN110663106A; JP6940217B2; TWI795402B; US20200373176A1

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Schutzabdeckung (10, 110, 210, 310, 410) zur Verwendung bei der Bearbeitung eines Halbleiterwafers (W). Die Schutzabdeckung (10, 110, 210, 310, 410) weist eine Schutzfolie (4) und eine Dämpferschicht (8) auf, die an einer Rückseite (4b) der Schutzfolie (4) angebracht ist. Zumindest in einem mittigen Bereich der Schutzabdeckung (10, 10, 210, 310, 410) wird kein Klebstoff auf eine Vorderseite (4a) und eine Rückseite (8b, 9b) der Schutzfolie (10, 110) aufgebracht, wobei der mittige Bereich einen Außendurchmesser aufweist, der gleich oder größer als ein Außendurchmesser des Halbleiterwafers (W) ist. Ferner betrifft die Erfindung eine Schutzabdeckung (10, 310, 410) für eine Verwendung bei der Bearbeitung eines Wafers (W), wobei die Schutzabdeckung (10, 310, 410) eine Schutzfolie (4) und eine auf einer Rückseite (4b) der Schutzfolie (4) angebrachte Dämpferschicht (8) aufweist. Auf einer gesamten Vorderseite (4a) und einer gesamten Rückseite (8b, 9b) der Schutzabdeckung (10, 310, 410) ist kein Klebstoff vorhanden. Darüber hinaus betrifft die Erfindung ein Handhabungssystem für einen Wafer (W) in Halbleitergröße sowie eine Kombination aus einem Wafer (W) und der Schutzabdeckung (10, 110, 210, 310, 410).

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schutzabdeckung für eine Verwendung bei einer Bearbeitung eines Wafers, insbesondere eines halbleitergroßen Wafers, ein Handhabungssystem für einen halbleitergroßen Wafer, das einen halbleitergroßen ringförmigen Rahmen und die Schutzabdeckung aufweist, und eine Kombination, die einen Wafer, insbesondere einen halbleitergroßen Wafer, der auf einer Seite einen Bauelementbereich mit einer Vielzahl von Bauelementen aufweist, und die Schutzabdeckung aufweist.
Technischer Hintergrund
Bei einem Halbleiterbauelementherstellungsvorgang wird ein Wafer, der einen Bauelementbereich mit einer Vielzahl von Bauelementen aufweist, die üblicherweise durch eine Vielzahl von Trennlinien abgeteilt sind, in einzelne Dies unterteilt. Dieser Herstellungsvorgang umfasst im Allgemeinen einen Schleifschritt für ein Einstellen der Waferdicke und einen Schneidschritt mit einem Schneiden des Wafers entlang der Trennlinien, um die einzelnen Dies zu erhalten. Der Schleifschritt wird von einer hinteren Seite des Wafers aus ausgeführt, die einer Wafervorderseite gegenüberliegt, an welcher der Bauelementbereich ausgebildet ist. Darüber hinaus können auch andere Bearbeitungsschritte, wie zum Beispiel ein Polieren und/oder Ätzen, an der hinteren Seite des Wafers ausgeführt werden.
Um die an dem Wafer ausgebildeten Bauelemente zu schützen, wie zum Beispiel vor Bruch, einer Verformung und/oder einer Verunreinigung durch Rückstände, Schleifwasser oder Schneidwasser, während einer Bearbeitung des Wafers, kann eine Schutzfolie oder Schutzabdeckung auf die vordere Seite des Wafers vor einer Bearbeitung aufgebracht werden.
So ein Schutz der Bauelemente ist insbesondere wichtig, wenn der Bauelementbereich eine unebene Oberflächenstruktur aufweist. Zum Beispiel wird bei bekannten Halbleiterbauelementherstellungsvorgängen, wie zum Beispiel das Wafer-Level-Scale-Chip-Package (WLCSP), der Bauelementbereich des Wafers mit einer Vielzahl von Vorsprüngen, wie zum Beispiel Höcker, ausgebildet, die von einer ebenen Fläche des Wafers hervorstehen. Diese Vorsprünge werden zum Beispiel zum Herstellen eines elektrischen Kontakts mit den Bauelementen in den einzelnen Dies verwendet, wenn die Dies beispielsweise in elektronische Ausrüstung, wie zum Beispiel Mobiltelefone und Personal Computer, eingebaut werden.
Um eine Reduzierung der Größe solch elektronischer Ausrüstung zu erreichen, müssen die Halbleiterbauelemente in ihrer Größe verkleinert werden. Folglich werden Wafer mit den daran ausgebildeten Bauelementen während des Schleifschritts, auf den oben Bezug genommen wird, auf Dicken im µm-Bereich, zum Beispiel in einem Bereich von 20 bis 100 µm, geschliffen.
Bei bekannten Halbleiterbauelementherstellungsvorgängen können während einer Bearbeitung, zum Beispiel während des Schleifschritts, Probleme auftauchen, wenn Vorsprünge, wie zum Beispiel Höcker, in dem Bauelementbereich vorliegen. Insbesondere aufgrund solch vorhandener Vorsprünge wird das Risiko eines Bruchs des Wafers während einer Bearbeitung signifikant erhöht. Wenn der Wafer auf eine geringe Dicke, zum Beispiel auf eine Dicke im µm-Bereich, geschliffen wird, können die Vorsprünge des Bauelementbereichs an der vorderen Seite des Wafers eine Verformung der Waferrückseite verursachen, was folglich die Qualität der sich ergebenden Dies kompromittiert.
Daher ist die Verwendung einer Schutzfolie oder Schutzabdeckung beim Bearbeiten von Wafern mit Bauelementbereichen, die so eine unebene Oberflächenstruktur aufweisen, besonders wichtig.
Jedoch gibt es insbesondere für den Fall von empfindlichen Bauelementen, wie zum Beispiel MEMS, dadurch ein Problem, dass die Bauelementstruktur an dem Wafer durch die Haftkraft einer Haftmittelschicht, die an der Schutzfolie oder Schutzabdeckung ausgebildet ist, beschädigt werden kann, oder durch Haftmittelrückstände an den Bauelementen verschmutzt werden kann, wenn die Folie oder Abdeckung von dem Wafer abgezogen wird.
Folglich gibt es weiterhin einen Bedarf für eine Schutzabdeckung, die ein zuverlässiges und effizientes Bearbeiten eines Wafers ermöglicht und jegliches Risiko einer Verunreinigung und Beschädigung des Wafers minimiert.
Zusammenfassung der Erfindung
Dementsprechend ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Schutzabdeckung bereitzustellen, die eine zuverlässige und effiziente Bearbeitung eines Wafers ermöglicht und jegliches Risiko von Verunreinigung und Beschädigung des Wafers minimiert. Ferner zielt die Erfindung darauf, ein Handhabungssystem mit einem halbleitergroßen ringförmigen Rahmen und der Schutzabdeckung bereitzustellen, um eine Kombination bereitzustellen, die einen Wafer, insbesondere einen halbleitergroßen Wafer, und die Schutzabdeckung aufweist.
Diese Ziele werden durch eine Schutzabdeckung mit den technischen Merkmalen des Anspruchs 1, durch eine Schutzabdeckung mit den technischen Merkmalen des Anspruchs 6, durch ein Handhabungssystem mit den technischen Merkmalen des Anspruchs 11, durch eine Kombination mit den technischen Merkmalen des Anspruchs 12 und durch eine Kombination mit den technischen Merkmalen des Anspruchs 13 erreicht. Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
Die Erfindung stellt in Übereinstimmung mit einem ersten Aspekt eine Schutzabdeckung für eine Verwendung beim Bearbeiten eines halbleitergroßen Wafers bereit. Die Schutzabdeckung weist eine Schutzfolie und eine Dämpferschicht auf, die an einer hinteren Fläche der Schutzfolie angebracht ist. Zumindest in einem mittigen Bereich der Schutzabdeckung wird kein Haftmittel auf eine vordere Fläche und eine hintere Fläche der Schutzabdeckung aufgebracht. Der mittige Bereich weist einen Durchmesser, das heißt einen äußeren Durchmesser, auf, der gleich wie oder größer als ein äußerer Durchmesser des halbleitergroßen Wafers ist.
Hierin bezieht sich der Begriff „halbleitergroßer Wafer“ auf einen Wafer mit den Abmessungen (genormte Abmessungen), insbesondere den Durchmesser (genormter Durchmesser), das heißt den äußeren Durchmesser eines Halbleiterwafers. Die Abmessungen, insbesondere die Durchmesser, das heißt äußere Durchmesser, der Halbleiterwafer werden in den SEMI-Normen definiert. Zum Beispiel kann der halbleitergroße Wafer ein Si-Wafer sein. Die Abmessungen polierter Si-Einkristallwafer werden in den SEMI-Normen M1 und M76 definiert. Die halbleitergroßen Wafer können ein 1-Inch-, 2-Inch-, 3-Inch-, 4-Inch-, 5-Inch-, 6-Inch-, 8-Inch-, 12-Inch- oder 18-Inch-Wafer sein.
Die vordere Fläche der Schutzabdeckung wird durch eine vordere Fläche der Schutzfolie ausgebildet, die deren hinteren Fläche gegenüberliegt. Die hintere Fläche der Schutzabdeckung kann durch eine hintere Fläche der Dämpferschicht ausgebildet werden.
Die Schutzabdeckung ist eingerichtet, beim Bearbeiten eines halbleitergroßen Wafers, wie zum Beispiel eines Halbleiterwafers, verwendet zu werden, der auf einer Seite, das heißt der vorderen Seite, einen Bauelementbereich mit einer Vielzahl von Bauelementen aufweist.
Wenn die Schutzabdeckung bei einer Bearbeitung des halbleitergroßen Wafers verwendet wird, wird die Abdeckung auf die eine Seite des Wafers, das heißt auf die Wafervorderseite, aufgebracht, sodass die vordere Fläche der Abdeckung, das heißt die vordere Fläche der Schutzfolie, mit der Wafervorderseite in Kontakt kommt, und die Abdeckung, insbesondere deren Schutzfolie, die Bauelemente bedeckt, die in dem Bauelementbereich ausgebildet sind. Insbesondere ist der Wafer mit dem mittigen Bereich der Schutzabdeckung in Kontakt, in dem kein Haftmittel auf die vordere Fläche und die hintere Fläche der Abdeckung aufgebracht wird.
Da der mittige Bereich der Abdeckung einen äußeren Durchmesser aufweist, der gleich wie oder größer als der äußere Durchmesser des halbleitergroßen Wafers ist, kann der Wafer vollständig innerhalb dieses mittigen Bereichs angeordnet werden. Folglich ist die vordere Fläche der Schutzfolie der Abdeckung mit der vorderen Seite des Wafers in direktem Kontakt. Somit ist kein Material, insbesondere kein Haftmittel, zwischen der vorderen Fläche der Schutzfolie und der Wafervorderseite vorhanden.
Folglich kann eine mögliche Verunreinigung oder Beschädigung der Bauelemente, die in dem Bauelementebereich ausgebildet sind, zum Beispiel aufgrund einer Haftkraft einer Haftmittelschicht oder Haftmittelrückständen an den Bauelementen ausgeschlossen werden.
Die Schutzabdeckung der vorliegenden Erfindung ermöglicht somit ein zuverlässiges und effizientes Bearbeiten eines Wafers und lässt zu, jegliches Risiko einer Verunreinigung oder Beschädigung des Wafers, insbesondere an den in dem Bauelementbereich ausgebildeten Bauelementen, zu minimieren.
Die Schutzabdeckung kann im Voraus vorbereitet werden, für eine spätere Verwendung gelagert werden und wenn notwendig für eine Waferbearbeitung benutzt werden. Die Schutzabdeckung kann folglich in großen Mengen hergestellt werden, was deren Herstellung besonders effizient im Hinblick auf sowohl Zeit als auch Kosten macht.
Der Durchmesser, das heißt der äußere Durchmesser, des mittigen Bereichs der Schutzabdeckung kann 3 cm oder mehr, 6 cm oder mehr, 8 cm oder mehr, 11 cm oder mehr, 13 cm oder mehr, 16 cm oder mehr, 21 cm oder mehr, 31 cm oder mehr oder 46 cm oder mehr sein. Der Durchmesser des mittigen Bereichs der Schutzabdeckung kann 100 cm oder weniger, 90 cm oder weniger, 80 cm oder weniger, 70 cm oder weniger, 60 cm oder weniger, 50 cm oder weniger, 40 cm oder weniger, 30 cm oder weniger, 20 cm oder weniger oder 10 cm oder weniger sein.
Besonders bevorzugt ist der Durchmesser des mittigen Bereichs der Schutzabdeckung in einem Bereich von 3 bis 50 cm und noch bevorzugter in einem Bereich von 8 bis 50 cm.
Die Schutzfolie der Schutzabdeckung kann so eingerichtet sein, dass sie durch Erwärmen der Schutzfolie an der vorderen Seite des Wafers angebracht werden kann. Auf diese Weise kann die Schutzabdeckung durch Erwärmen der Schutzfolie oder der gesamten Schutzabdeckung an dem Wafer angebracht werden.
Insbesondere während und/oder nach einem Aufbringen der Schutzabdeckung auf die vordere Seite des Wafers, kann die Schutzfolie oder Schutzabdeckung erwärmt werden, sodass die Schutzfolie und folglich die gesamte Schutzabdeckung an der vorderen Seite des Wafers angebracht wird. Eine Befestigungskraft zwischen der Schutzfolie und dem Wafer wird somit durch den Erwärmungsvorgang erzeugt, welche die Schutzabdeckung an dem Wafer in Position hält. Folglich ist kein zusätzliches Haftmaterial für ein zuverlässiges Anbringen der Schutzabdeckung an der vorderen Seite des Wafers notwendig.
Insbesondere durch Erwärmen der Schutzfolie oder - abdeckung kann ein Formschluss, wie zum Beispiel eine formschlüssige Verbindung, und/oder ein Stoffschluss, wie zum Beispiel eine stoffschlüssige Verbindung, zwischen der Schutzfolie und dem Wafer ausgebildet werden. Die Begriffe „Stoffschluss“ und „stoffschlüssige Verbindung“ definieren eine Befestigung oder Verbindung zwischen der Schutzfolie und dem Wafer aufgrund von Atom- und/oder Molekularkräften, die zwischen diesen zwei Komponenten wirken.
Der Begriff „stoffschlüssige Verbindung“ bezieht sich auf das Vorhandensein dieser Atom- und/oder Molekularkräfte, die wirken, um die Schutzabdeckung an dem Wafer anzubringen oder anzuhaften, und deuten nicht auf das Vorhandensein eines zusätzlichen Haftmittels zwischen der Schutzabdeckung und dem Wafer hin. Stattdessen ist die vordere Fläche der Schutzabdeckung mit der vorderen Seite des Wafers, wie oben detailliert ausgeführt worden ist, in direktem Kontakt.
Der Schutzfolie oder Schutzabdeckung kann ermöglicht werden, nach dem Erwärmungsvorgang abzukühlen. Insbesondere kann der Schutzfolie oder Schutzabdeckung ermöglicht werden, auf ihre Ausgangstemperatur abzukühlen, das heißt auf ihre Temperatur, die sie vor dem Erwärmungsvorgang hatte. Der Schutzfolie oder Schutzabdeckung kann ermöglicht werden, vor einer Bearbeitung des Wafers, insbesondere vor einer Bearbeitung der Seite des Wafers, die der einen Seite, das heißt der Waferrückseite, gegenüberliegt, zum Beispiel auf ihre Ausgangstemperatur abzukühlen.
Wie oben im Detail erläutert worden ist, kann zwischen der Schutzfolie und dem Wafer durch den Erwärmungsvorgang eine Befestigungskraft erzeugt werden. Das Anbringen der Schutzfolie an dem Wafer kann bei dem Erwärmungsvorgang selbst und/oder in einem nachfolgenden Vorgang verursacht werden, bei dem der Schutzfolie oder Schutzabdeckung ermöglicht wird, abzukühlen.
Die Schutzfolie kann so eingerichtet sein, dass sie durch Erwärmen, zum Beispiel durch den oben beschriebenen Erwärmungsvorgang weicher und/oder nachgiebiger, flexibler und/oder dehnbarer gemacht wird. Auf diese Weise kann die Schutzfolie durch Erwärmen dazu gebracht werden, sich der Waferfläche an der vorderen Seite des Wafers, zum Beispiel durch Aufnehmen der Wafertopographie, anzupassen. Beim Abkühlen, zum Beispiel auf ihre Ausgangstemperatur, kann die Schutzfolie sich wieder erhärten, zum Beispiel um einen Formschluss und/oder einen Stoffschluss mit dem Wafer zu erzeugen.
Die Schutzfolie kann so eingerichtet sein, dass die durch Erwärmen auf eine Temperatur in einem Bereich von 60°C bis 150°C, vorzugsweise 70°C bis 140°C, bevorzugt 80°C bis 130°C und noch bevorzugter 90°C bis 120°C weicher und/oder nachgiebiger, flexibler und/oder dehnbarer gemacht wird. Insbesondere ist die Schutzfolie vorzugsweise so eingerichtet, dass sie durch Erwärmen auf eine Temperatur von in etwa 100°C weicher und/oder nachgiebiger, flexibler und/oder dehnbarer gemacht wird.
Die Schutzfolie kann bis zu einer Temperatur von 180°C oder mehr, vorzugsweise bis zu einer Temperatur von 220°C oder mehr und noch bevorzugter bis zu einer Temperatur von 250°C oder mehr wärmebeständig sein.
Die Dämpferschicht kann bis zu einer Temperatur von 180°C oder mehr, vorzugsweise bis zu einer Temperatur von 220°C oder mehr und noch bevorzugter bis zu einer Temperatur von 250°C oder mehr wärmebeständig sein.
Die Schutzabdeckung kann bis zu einer Temperatur von 180°C oder mehr, vorzugsweise bis zu einer Temperatur von 220°C oder mehr und noch bevorzugter bis zu einer Temperatur von 250°C oder mehr wärmebeständig sein.
Wenn die Schutzabdeckung bei einer Bearbeitung des halbleitergroßen Wafers verwendet wird, kann die Schutzfolie oder die gesamte Schutzabdeckung über einen Zeitraum in einem Bereich von 1 min bis 10 min, vorzugsweise in einem Bereich von 1 min bis 8 min, noch bevorzugter in einem Bereich von 1 min bis 6 min, noch weiter bevorzugt in einem Bereich von 1 min bis 4 min und am meisten bevorzugt in einem Bereich von 1 min bis 3 min während und/oder nach einem Aufbringen der Schutzabdeckung an der vorderen Seite des Wafers erwärmt werden, um die Schutzabdeckung an die vordere Seite des Wafers anzubringen.
Die Schutzfolie oder Schutzabdeckung kann direkt und/oder indirekt erwärmt werden.
Die Schutzfolie oder Schutzabdeckung kann durch direktes Aufbringen von Wärme darauf, zum Beispiel durch Verwendung eines Wärmeaufbringmittels, beispielsweise eine erwärmte Walze, ein erwärmter Stempel oder Ähnlichem, oder einem Heizstrahlmittel erwärmt werden. Die Schutzabdeckung und der Wafer können in einer Aufnahme oder Kammer, wie zum Beispiel einer Vakuumkammer, platziert werden, und ein inneres Volumen der Aufnahme oder Kammer kann erwärmt werden, um so die Schutzabdeckung zu erwärmen. Die Aufnahme oder Kammer kann mit einem Heizstrahlmittel versehen sein.
Die Schutzfolie oder Schutzabdeckung kann zum Beispiel durch Erwärmen des Wafers vor und/oder während und/oder nach einem Aufbringen der Schutzabdeckung an der vorderen Seite des Wafers indirekt erwärmt werden. Zum Beispiel kann der Wafer durch Platzieren des Wafers auf einer Unterstützung oder einem Träger, wie zum Beispiel einem Spanntisch, und Erwärmen der Unterstützung oder des Trägers erwärmt werden.
Zum Beispiel kann die Unterstützung oder der Träger, wie zum Beispiel ein Spanntisch, auf eine Temperatur in einem Bereich von 60°C bis 150°C, vorzugsweise 70°C bis 140°C, bevorzugt 80°C bis 130°C und noch bevorzugter 90°C bis 120°C erwärmt werden. Insbesondere kann die Unterstützung oder der Träger vorzugsweise auf eine Temperatur von in etwa 100°C erwärmt werden.
Diese Herangehensweisen können beispielsweise durch Verwendung eines Wärmeaufbringmittels, wie zum Beispiel eine erwärmte Walze oder Ähnlichem, oder eines Heizstrahlmittels für ein direktes Erwärmen der Schutzfolie oder Schutzabdeckung und zudem durch ein indirektes Erwärmen der Schutzfolie oder Schutzabdeckung durch den Wafer hindurch kombiniert werden.
Es wird bevorzugt, dass die Schutzfolie nachgiebig, elastisch, flexibel, dehnbar, weich und/oder kompressibel ist, wenn diese in ihrem erwärmten Zustand ist. Auf diese Weise kann besonders zuverlässig sichergestellt werden, dass sich die Schutzfolie auf der einen Seite des Wafers, zum Beispiel durch Aufnehmen der Wafertopographie, an die Waferfläche anpasst. Dies ist besonders vorteilhaft, wenn der Bauelementbereich, wie nachfolgend weiter im Detail beschrieben, mit Vorsprüngen ausgebildet ist, die von einer ebenen Fläche des Wafers hervorstehen.
Vorzugsweise ist die Schutzfolie so eingerichtet, dass sie sich zumindest bis zu einem gewissen Ausmaß beim Abkühlen verhärtet oder versteift, sodass sie in dem abgekühlten Zustand steifer und/oder robuster wird. Auf diese Weise kann ein besonders zuverlässiger Schutz der Bauelemente während einer nachfolgenden Bearbeitung des Wafers, wie zum Beispiel ein Schleifen und/oder Polieren, sichergestellt werden.
Die Schutzabdeckung kann so eingerichtet sein, dass sie nach einer Bearbeitung von dessen Rückseite von dem Wafer entfernbar ist. Vor und/oder nach dem Entfernen der Schutzabdeckung von dem Wafer kann die Schutzfolie oder Schutzabdeckung erwärmt werden. Auf diese Weise kann der Entfernvorgang erleichtert werden.
Der Bauelementbereich des halbleitergroßen Wafers, der unter Verwendung der Schutzabdeckung der Erfindung bearbeitet werden soll, kann ferner mehrere Trennlinien aufweisen, welche die mehreren Bauelemente aufteilen.
Der Wafer kann ferner an dessen vorderen Seite einen Umfangsrandbereich, der keine Bauelemente aufweist und um den Bauelementbereich herum ausgebildet ist, aufweisen.
Der halbleitergroße Wafer kann zum Beispiel ein Halbleiterwafer, ein Glaswafer, ein Saphirwafer, ein Keramikwafer, wie zum Beispiel ein Aluminiumoxidwafer (Al₂O₃-Wafer), ein Quarzwafer, ein Zirkonoxidwafer, ein PZT-Wafer (Lead Zirconate Titanate Wafer), Polykarbonatwafer, ein Wafer aus Metall (zum Beispiel Kupfer, Eisen, rostfreier Stahl, Aluminium oder Ähnliches) oder metallisiertem Material, ein Ferritwafer, ein Wafer aus optischem Kristallmaterial, ein Wafer aus einem Harz, wie zum Beispiel Epoxidharz, ein beschichteter oder urgeformter Wafer oder Ähnliches sein.
Insbesondere kann der Halbleiterwafer zum Beispiel ein Si-Wafer, ein GaAs-Wafer, ein GaN-Wafer, ein GaP-Wafer, ein InAs-Wafer, ein InP-Wafer, ein SiC-Wafer, ein SiN-Wafer, ein LT-Wafer (Lithiumtantalatwafer), ein LN-Wafer (Lithiumniobatwafer) oder Ähnliches sein.
Der halbleitergroße Wafer kann aus einem einzigen Material oder aus einer Kombination unterschiedlicher Materialien ausgebildet sein, wie zum Beispiel aus zwei oder mehreren der oben genannten Materialien. Zum Beispiel kann der Wafer ein Verbundwafer aus Si und Glas sein, bei dem ein aus Si hergestelltes Waferelement mit einem aus Glas hergestellten Waferelement verbunden ist.
Der halbleitergroße Wafer ist im Wesentlichen kreisförmig oder weist eine im Wesentlichen kreisförmige Form auf. Hierin definiert der Begriff „im Wesentlichen kreisförmig“ eine Form, deren Randform oder Umfangsform von einem perfekten Kreis abweichen kann, zum Beispiel aufgrund einer Bereitstellung von einem oder mehreren flachen oder geraden Abschnitten, Kerben und/oder Nuten.
Der äußere Umfang des halbleitergroßen Wafers kann einen oder mehrere flache oder gerade Abschnitte aufweisen. Der äußere Umfang des Wafers kann eine Kerbe oder Nut, zum Beispiel zum Andeuten der Kristallausrichtung des Wafers, aufweisen.
Die Schutzabdeckung kann eine beliebige Form aufweisen. Bei einer Draufsicht auf diese kann die Schutzabdeckung zum Beispiel eine kreisförmige Form, eine ovale Form, eine elliptische Form oder eine polygonale Form, wie zum Beispiel eine rechtwinklige Form oder eine quadratische Form, aufweisen.
Die Schutzabdeckung kann im Wesentlichen die gleiche Form oder die gleiche Form wie der Wafer aufweisen. Die Schutzabdeckung kann im Wesentlichen die gleiche Form oder die gleiche Form wie der Bauelementbereich des Wafers aufweisen.
Bei einigen Ausführungsformen kann die Schutzabdeckung eine im Wesentlichen kreisförmige Form oder eine Kreisform aufweisen. Die Schutzfolie und/oder die Dämpferschicht kann eine im Wesentlichen kreisförmige Form oder eine Kreisform aufweisen. Der mittige Bereich der Schutzabdeckung kann eine im Wesentlichen kreisförmige Form oder eine Kreisform aufweisen.
Der Bauelementbereich des halbleitergroßen Wafers kann mit einer Vielzahl von Vorsprüngen oder Projektionen ausgebildet sein, die von einer ebenen Fläche des Wafers hervorstehen. Die Schutzabdeckung kann für ein darin Einbetten der Vorsprünge oder Projektionen sein, die von der ebenen Fläche des Wafers hervorstehen.
Die Vorsprünge oder Projektionen, wie zum Beispiel Höcker, können von einer ebenen Fläche des Wafers, die eine im Wesentlichen flache Fläche ist, hervorstehen, sich von dieser erstrecken oder hervorragen. Die Vorsprünge oder Projektionen können eine Flächenstruktur oder -topographie der einen Seite des Wafers, das heißt von dessen vorderen Seite, definieren, was diese eine Seite uneben macht.
Diese Vorsprünge oder Projektionen können zum Beispiel zum Herstellen eines elektrischen Kontakts mit den Bauelementen in einzelnen Chips oder Dies verwendet werden, nachdem der Wafer geteilt worden ist, zum Beispiel beim Einbauen der Chips oder Dies in elektronischer Ausrüstung, wie zum Beispiel Mobiltelefone und Personal Computer.
Die Vorsprünge können unregelmäßig angeordnet oder in einem regelmäßigen Muster angeordnet sein. Lediglich einige der Vorsprünge können in einem regelmäßigen Muster angeordnet sein.
Die Vorsprünge können eine beliebige Form aufweisen. Zum Beispiel können einige oder sämtliche der Vorsprünge die Form von Kugeln, Halbkugeln, Säulen oder Balken, wie zum Bespiel Säulen oder Balken mit einer kreisförmigen, elliptischen oder Polygonform, wie zum Beispiel dreieckig, quadratisch etc., im Querschnitt oder in der Grundfläche, Kegel, Stumpfkegel oder Stufen sein.
Zumindest einige der Vorsprünge können von Elementen hervorstehen, die an der ebenen Fläche des Wafers ausgebildet sind. Zumindest einige der Vorsprünge können von Elementen hervorstehen, welche den Wafer in seiner Dickenrichtung teilweise oder vollständig durchdringen, wie zum Beispiel in einem Fall eines Through Silicon Via (TSV). Diese letzteren Elemente können sich entlang eines Teils der Waferdicke oder entlang der gesamten Waferdicke erstrecken.
Die Vorsprünge können in der Dickenrichtung des Wafers eine Höhe in einem Bereich von 20 bis 500 µm, vorzugsweise 30 bis 400 µm, noch bevorzugter 40 bis 250 µm, noch weiter bevorzugt von 50 bis 200 µm und am bevorzugtesten von 70 bis 150 µm aufweisen. Insbesondere weisen die Vorsprünge vorzugsweise eine Höhe in der Dickenrichtung des Wafers in einem Bereich von 100 bis 250 µm auf.
Sämtliche Vorsprünge können im Wesentlichen die gleiche Form und/oder Größe aufweisen. Alternativ können sich zumindest einige der Vorsprünge in ihrer Form und/Größe unterscheiden.
Die Schutzabdeckung der Erfindung kann für ein Einbetten der Vorsprünge oder Projektionen darin eingerichtet sein, die von der ebenen Fläche des Wafers hervorstehen. Folglich kann jeglicher nachteilige Einfluss der Oberflächenunebenheit, die durch das Vorliegen der Vorsprünge in dem Bauelementbereich entsteht, auf nachfolgende Waferbearbeitungschritte vermindert oder sogar ausgeschlossen werden.
Insbesondere können die Vorsprünge durch Einbetten der Vorsprünge in der Schutzabdeckung vor jeglichem Schaden während einer Waferbearbeitung, zum Beispiel bei nachfolgenden Schleif- und/oder Schneidschritten, geschützt werden.
Wenn der Wafer auf eine geringe Dicke geschliffen wird, wie zum Beispiel eine Dicke in einem µm-Bereich, können die Vorsprünge des Bauelementbereichs an der vorderen Seite des Wafers ferner eine Verformung der Waferrückseite aufgrund der verminderten Dicke des Wafers und des bei dem Schleifvorgang auf diesen aufgebrachten Drucks verursachen. Auf diesen letzteren Effekt wird als „Strukturübertragung“ (pattern transfer) Bezug genommen, da die Struktur der Vorsprünge an der Wafervorderseite auf die Waferrückseite übertragen wird und eine ungewünschte Unebenheit der Fläche der Hinterseite des Wafers ergibt, was folglich die Qualität der sich ergebenden Chips oder Dies kompromittiert.
Die Schutzabdeckung wirkt als Dämpfer bzw. Kissen oder Puffer zwischen der Wafervorderseite und beispielsweise einer Unterstützung oder einem Träger, auf den die Wafervorderseite während einer Bearbeitung, zum Beispiel einem Schleifen und/oder Polieren, der Waferrückseite liegt, was folglich zum Erreichen einer einheitlichen und homogenen Verteilung von Druck während der Bearbeitung beiträgt. Folglich kann einer Strukturübertragung oder einem Brechen des Wafers während einer Bearbeitung von dessen hinteren Seite vorgebeugt werden.
Wenn bei einer Bearbeitung des halbleitergroßen Wafers die Schutzabdeckung während und/oder nach einem Aufbringen der Schutzabdeckung an der vorderen Seite des Wafers verwendet wird, kann Druck auf die hintere Fläche der Schutzabdeckung aufgebracht werden, die deren vorderen Fläche gegenüberliegt. Auf diese Weise wird die vordere Fläche der Schutzabdeckung, das heißt die vordere Fläche der Schutzfolie, gegen die vordere Seite des Wafers gedrückt. Folglich kann auf besonders effiziente Weise sichergestellt werden, dass die Schutzabdeckung zuverlässig an dem Wafer angebracht wird.
Der Druck kann auf die hintere Fläche der Schutzabdeckung vor und/oder während und/oder nach einem Erwärmen der Schutzfolie oder Schutzabdeckung aufgebracht werden. Der Druck kann vor einem Bearbeiten der hinteren Seite des Wafers auf die hintere Fläche der Schutzabdeckung aufgebracht werden.
Der Druck kann durch ein Druckaufbringmittel, wie zum Beispiel eine Walze, ein Stempel, eine Membran oder Ähnliches, auf die hintere Fläche der Schutzabdeckung aufgebracht werden.
Insbesondere kann vorzugsweise ein kombiniertes Wärme- und Druckaufbringmittel, wie zum Beispiel eine erwärmte Walze oder ein erwärmter Stempel, verwendet werden. In diesem Fall kann ein Druck auf die hintere Fläche der Schutzabdeckung aufgebracht werden, während gleichzeitig die Schutzabdeckung erwärmt wird und dadurch die Schutzfolie erwärmt wird.
Der Druck kann in einer Vakuumkammer, wie sie weiter unten im Detail beschrieben wird, auf die hintere Fläche der Schutzabdeckung aufgebracht werden.
Die Schutzabdeckung kann an der vorderen Seite des Wafers unter einem verminderten Umgebungsdruck, insbesondere unter einem Vakuum, auf die vordere Seite des Wafers aufgebracht und/oder daran angebracht werden. Auf diese Weise kann zuverlässig sichergestellt werden, dass keine Leerräume und/oder Luftblasen zwischen der Schutzfolie und dem Wafer vorliegen. Folglich können beispielsweise während einer Bearbeitung von dessen hinteren Seite jegliche Spannungen oder Dehnungen an dem Wafer aufgrund solcher Luftblasen, die sich bei dem Erwärmungsvorgang ausdehnen, vermieden werden.
Zum Beispiel kann der Schritt oder die Schritte eines Aufbringens und/oder Anbringens der Schutzabdeckung an der vorderen Seite des Wafers in einer Vakuumkammer ausgeführt werden. Insbesondere kann die Schutzabdeckung durch Verwendung eines Vakuumlaminators auf die vordere Seite des Wafers aufgebracht und/oder daran angebracht werden. In so einem Vakuumlaminator wird der Wafer an einem Spanntisch in einer Vakuumkammer in einem Zustand platziert, in dem die Waferrückseite mit einer oberen Fläche des Spanntischs in Kontakt ist und die Wafervorderseite nach oben gerichtet ist. Der Spanntisch kann zum Beispiel ein erwärmter Spanntisch sein.
Die Schutzabdeckung, die auf die Wafervorderseite aufgebracht werden soll, wird in ihrem Umfangsabschnitt durch einen ringförmigen Rahmen gehalten und in der Vakuumkammer über der Wafervorderseite platziert. Ein oberer Teil der Vakuumkammer, der über den Spanntisch und den ringförmigen Rahmen angeordnet ist, ist mit einer Lufteinlassöffnung versehen, die durch eine dehnbare Kautschukmembran verschlossen ist.
Nachdem der Wafer und die Schutzabdeckung in die Vakuumkammer geladen worden sind, wird die Kammer evakuiert und Luft wird durch die Lufteinlassöffnung zu der Kautschukmembran geführt, was verursacht, dass sich die Kautschukmembran in die evakuierte Kammer ausdehnt. Auf diese Weise wird die Kautschukmembran in der Vakuumklammer nach unten bewegt, um die Schutzabdeckung gegen die Wafervorderseite zu drücken, was den Waferumfangsabschnitt mit der Schutzabdeckung abdeckt und die Abdeckung gegen den Bauelementbereich an der Wafervorderseite drückt. Folglich kann die Schutzabdeckung eng an die Wafervorderseite aufgebracht werden, sodass die Schutzfolie den Konturen des Bauelementbereichs, zum Beispiel den Konturen der darin vorliegenden Vorsprünge oder Projektionen, folgt.
Die Schutzfolie oder Schutzabdeckung kann während und/oder nach deren Aufbringen auf die vordere Seite des Wafers, zum Beispiel durch Erwärmen des Spanntischs, erwärmt werden.
Nachfolgend wird der Unterdruck in der Vakuumkammer freigegeben und die Schutzabdeckung wird durch die Befestigungskraft, welche durch den Erwärmungsvorgang und den Überdruck in der Vakuumkammer erzeugt wird, an der Wafervorderseite in Position gehalten.
Alternativ kann die Kautschukmembran durch einen weichen Stempel oder eine weiche Walze, wie zum Beispiel ein erwärmter weicher Stempel oder eine erwärmte weiche Walze, ersetzt werden.
Ein Bearbeiten der Seite des Wafers, die der einen Seite, das heißt der Waferrückseite, gegenüberliegt, kann ein Schleifen und/oder Polieren und/oder Ätzen der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, umfassen oder daraus bestehen.
Insbesondere kann ein Bearbeiten der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, ein Schleifen der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, für ein Einstellen der Waferdicke umfassen oder daraus bestehen. In diesem Fall kann die Schutzabdeckung der Erfindung auf eine besonders vorteilhafte Weise eingesetzt werden.
Insbesondere bei dem Schleifvorgang wird ein beachtlicher Druck auf die hintere Seite des Wafers aufgebracht. Dieser Druck kann einen Schaden an dem Wafer, wie zum Beispiel einen Bruch und/oder eine Verformung von diesem, insbesondere dann verursachen, wenn der Wafer auf eine geringe Dicke, zum Beispiel eine Dicke im µm-Bereich, geschliffen wird. Zum Beispiel kann eine Struktur von Vorsprüngen oder Projektionen, die an der Wafervorderseite ausgebildet sind, wie oben im Detail erläutert, auf die Waferrückseite übertragen werden.
Die Schutzabdeckung der vorliegenden Erfindung wirkt als Dämpfer oder Puffer zwischen einer Wafervorderseite und beispielsweise einer Unterstützung oder einem Träger, wie zum Beispiel ein Spanntisch, auf dem die Wafervorderseite während eines Schleifens der Waferrückseite liegt. Folglich kann eine einheitlichere und homogenere Verteilung des Drucks während eines Schleifens erreicht werden, was das Risiko einer Strukturübertragung oder eines Bruchs des Wafers während des Schleifens vermindert oder sogar ausschließt.
Ein Bearbeiten des halbleitergroßen Wafers kann ferner ein Schneiden des Wafers, zum Beispiel entlang von Trennlinien, welche die Vielzahl von Bauteilen abgrenzen, umfassen.
Der Wafer kann von dessen vorderen Seite oder hinteren Seite geschnitten werden, das Schneiden des Wafers kann einen Teil oder die gesamte Bearbeitung der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, ausbilden.
Das Schneiden kann durch ein mechanisches Schneiden, zum Beispiel durch Trennen mittels einer Klinge oder Sägen, und/oder durch Laserschneiden und/oder durch Plasmaschneiden ausgeführt werden. Der Wafer kann in einem einzigen mechanischen Schneidschritt, einem einzigen Laserschneidschritt oder einem einzigen Plasmaschneidschritt, geschnitten werden. Alternativ kann der Wafer durch eine Abfolge von mechanischen Schneid- und/oder Laserschneid- und/oder Plasmaschneidschritten geschnitten werden.
Das Laserschneiden kann zum Beispiel durch Ablasionslaserschneiden und/oder durch Stealth-Laserschneiden, das heißt durch Ausbilden modifizierter Bereiche innerhalb des Wafers durch das Aufbringen eines Laserstrahls, und/oder durch Ausbilden mehrerer Lochbereiche in dem Wafer durch das Aufbringen eines Laserstrahls ausgeführt werden. Jeder dieser Lochbereiche kann aus einem modifizierten Bereich und einem Raum in dem modifizierten Bereich aufgebaut sein, der sich zu einer Fläche des Wafers öffnet.
Das Schneiden des Wafers kann in einem Zustand ausgeführt werden, in dem die Schutzabdeckung an dem Wafer angebracht ist. Auf diese Weise kann sichergestellt werden, dass der während des Schneidschritts aufgebrachte Druck während des Schneidens einheitlicher und homogener durch den Wafer hindurch verteilt wird und somit jegliches Risiko einer Beschädigung des Wafers, zum Beispiel eines Reißens der Seitenwände der sich ergebenden Chips oder Dies während des Schneidschritts reduziert oder sogar minimiert. Auf diese Weise wird insbesondere bevorzugt, dass der Wafer von dessen Rückseite aus geschnitten wird.
Die Schutzabdeckung kann einen äußeren Durchmesser aufweisen, der größer ist als ein äußerer Durchmesser des halbleitergroßen Wafers. Auf diese Weise kann ein Bearbeiten, eine Handhabung und/oder ein Transport des Wafers erleichtert werden. Insbesondere kann ein äußerer Umfangsabschnitt der Schutzabdeckung, die nachfolgend im Detail beschrieben wird, an einem ringförmigen Rahmen angebracht werden.
Die Schutzabdeckung kann einen äußeren Durchmesser aufweisen, der im Wesentlichen der gleiche ist wie der äußere Durchmesser des halbleitergroßen Wafers.
Die Schutzfolie und/oder die Dämpferschicht kann einen äußeren Durchmesser aufweisen, der größer ist als ein äußerer Durchmesser des halbleitergroßen Wafers.
Die Schutzfolie und/oder die Dämpferschicht kann einen äußeren Durchmesser aufweisen, der im Wesentlichen der gleiche ist wie der äußere Durchmesser des halbleitergroßen Wafers.
Wenn die Schutzabdeckung während einer Bearbeitung des halbleitergroßen Wafers verwendet wird, kann die Schutzabdeckung geschnitten werden. Die Schutzabdeckung kann so geschnitten werden, dass sie einen äußeren Durchmesser aufweist, der größer ist als der äußere Durchmesser des Wafers oder der im Wesentlichen gleich wie der äußere Durchmesser des Wafers ist.
Der Schneidschritt der Schutzabdeckung kann vor oder nach dem Aufbringen der Schutzabdeckung auf den Wafer ausgeführt werden.
Der Schneidschritt der Schutzabdeckung kann vor oder nach dem Anbringen der Schutzabdeckung an dem Wafer ausgeführt werden.
Die Schutzabdeckung kann so eingerichtet sein, dass an der gesamten vorderen Fläche und/oder an der gesamten hinteren Fläche der Schutzabdeckung kein Haftmittel aufgebracht wird. Die gesamte vordere Fläche und/oder die gesamte hintere Fläche der Schutzabdeckung kann haftmittelfrei sein.
Auf diese Weise kann eine Verunreinigung des Wafers, insbesondere der in dem Bauelementbereich ausgebildeten Bauelemente, während einer Bearbeitung durch Haftmittelrückstände besonders zuverlässig vermieden werden.
Es kann eine im Wesentlichen ringförmige oder ringförmig haftende Schicht auf einem äußeren Umfangsabschnitt einer vorderen Fläche der Schutzfolie, die deren hinteren Fläche gegenüberliegt, aufgebracht werden. Die vordere Fläche der Schutzfolie bildet, wie oben im Detail beschrieben worden ist, die vordere Fläche der Schutzabdeckung aus.
Hierin definiert der Begriff „im Wesentlichen ringförmig“, dass die Form der Haftschicht von einer perfekten Ringform zum Beispiel aufgrund des Vorhandenseins von einem oder mehreren flachen oder geraden Abschnitten, Kerben und/oder Nuten abweichen kann.
Die im Wesentlichen ringförmige oder ringförmig haftende Schicht kann eine durchgängige, haftende Schicht sein. Alternativ kann die im Wesentlichen ringförmige oder ringförmig haftende Schicht eine unterbrochene haftende Schicht sein. Insbesondere kann das Haftmittel in der im Wesentlichen ringförmigen oder ringförmigen Haftschicht in einer unterbrochenen Form vorgesehen sein, wie zum Beispiel einer gepunkteten Form, einer Streifenform, zum Beispiel mit geraden und/oder gekrümmten Streifen, oder Ähnlichem.
Die im Wesentlichen ringförmige oder ringförmig haftende Schicht kann bis zu einer Temperatur von 180°C oder mehr, vorzugsweise bis zu einer Temperatur von 220°C oder mehr und noch bevorzugter bis zu einer Temperatur von 250°C oder mehr wärmebeständig sein.
Ein innerer Durchmesser der im Wesentlichen ringförmigen oder ringförmigen Haftschicht kann im Wesentlichen gleich wie oder größer als ein innerer Durchmesser eines halbleitergroßen ringförmigen Rahmens zum Halten des halbleitergroßen Wafers sein.
Hierin bezieht sich der Begriff „halbleitergroßer ringförmiger Rahmen“ auf einen ringförmigen Rahmen mit den Abmessungen (genormte Abmessungen), insbesondere dem Innendurchmesser (genormter Innendurchmesser), eines ringförmigen Rahmens zum Halten eines Halbleiterwafers.
Die Abmessungen, insbesondere die Innendurchmesser, ringförmiger Rahmen zum Halten von Halbleiterwafern sind in den SEMI-Normen definiert. Zum Beispiel sind die Abmessungen von Bandrahmen für 300 mm-Wafer in der SEMI-Norm SEMI G74 und die Abmessungen von Kunststoffbandrahmen für 300 mm-Wafer in der SEMI-Norm SEMI G87 definiert. Die ringförmigen Rahmen können Rahmengrößen zum Halten halbleitergroßer Wafer mit Größen von beispielsweise 1 Inch, 2 Inch, 3 Inch, 4 Inch, 5 Inch, 6 Inch, 8 Inch, 12 Inch oder 18 Inch aufweisen.
Der innere Durchmesser der im Wesentlichen ringförmigen oder ringförmigen Haftmittelschicht ist größer als der äußere Durchmesser des halbleitergroßen Wafers.
Ein äußerer Durchmesser der im Wesentlichen ringförmigen oder ringförmigen Haftmittelschicht ist größer als der innere Durchmesser des halbleitergroßen ringförmigen Rahmens.
Mittels der im Wesentlichen ringförmigen oder ringförmigen Haftmittelschicht kann der äußere Umfangsabschnitt der Schutzfolie an dem ringförmigen Rahmen angebracht werden, sodass die Schutzabdeckung eine mittige Öffnung des ringförmigen Rahmens, das heißt den Bereich im Inneren des inneren Durchmessers des ringförmigen Rahmens, verschließt. Auf diese Weise wird der Wafer, der an die Schutzabdeckung angebracht ist, insbesondere an deren mittigem Bereich, durch den ringförmigen Rahmen über die Schutzabdeckung gehalten. Folglich wird eine Wafereinheit, die den Wafer, die Schutzabdeckung und den ringförmigen Rahmen aufweist, ausgebildet, was eine Bearbeitung, Handhabung und/oder einen Transport des Wafers erleichtert.
Die im Wesentlichen ringförmige oder ringförmige Haftmittelschicht kann zwischen der Schutzabdeckung und dem ringförmigen Rahmen angeordnet sein.
Der Schritt eines Anbringens des äußeren Umfangsabschnitts der Schutzfolie an den ringförmigen Rahmen kann vor oder nach einem Aufbringen der Schutzabdeckung an dem Wafer ausgeführt werden.
Der Schritt eines Anbringens des äußeren Umfangsabschnitts der Schutzfolie an dem ringförmigen Rahmen kann vor oder nach einem Anbringen der Schutzabdeckung an dem Wafer ausgeführt werden.
Der Schritt eines Anbringens des äußeren Umfangsabschnitts der Schutzfolie an dem ringförmigen Rahmen kann vor oder nach einem Bearbeiten der hinteren Seite des Wafers ausgeführt werden.
Der Bauelementbereich des Wafers kann mit mehreren Vorsprüngen oder Projektionen, wie zum Beispiel Höckern, ausgebildet sein, die, wie oben im Detail ausgeführt worden ist, von einer ebenen Fläche des Wafers hervorstehen.
Die Schutzabdeckung der Erfindung kann so eingerichtet sein, dass die Vorsprünge oder Projektionen, die von der ebenen Fläche des Wafers hervorstehen, in der Abdeckung, das heißt in der Schutzfolie oder in der Schutzfolie und der Dämpferschicht, eingebettet werden.
Durch Einbetten der Vorsprünge oder Projektionen in der Schutzabdeckung werden die Vorsprünge oder Projektionen besonders zuverlässig vor jeglicher Beschädigung während einer Waferbearbeitung, zum Beispiel während nachfolgender Schleif- und/oder Schneidschritte, geschützt.
Die Schutzfolie der Abdeckung ist eingerichtet, die in dem Bauelementbereich des Wafers ausgebildeten Bauelemente zu bedecken, um dadurch die Bauelemente vor einer Beschädigung und Verunreinigung zu schützen. Darüber hinaus erleichtert die Schutzfolie ein Entfernen der Schutzabdeckung von dem Wafer nach der Bearbeitung. Da die vordere Fläche der Schutzabdeckung mit der vorderen Seite des Wafers in direkten Kontakt ist, das heißt kein Haftmittel zwischen der vorderen Fläche der Schutzabdeckung und der Wafervorderseite vorliegt, kann die Schutzabdeckung insbesondere auf eine besonders einfache und effiziente Weise von dem Wafer entfernt werden.
Die Dämpferschicht kann aus einem beliebigen Material ausgebildet sein, das es ermöglicht, darin die Vorsprünge oder Projektionen, die von der ebenen Fläche des Wafers hervorstehen, einzubetten. Zum Beispiel kann die Dämpferschicht aus einem Harz, einem Haftmittel, einem Gel oder Ähnlichem ausgebildet sein. Wenn die hintere Fläche der Schutzabdeckung jedoch durch die hintere Fläche der Dämpferschicht aufgebaut ist, wird zumindest in dem mittigen Bereich der Schutzabdeckung kein zusätzliches Haftmittel, das heißt kein Haftmittel zusätzlich zu dem Material der Dämpferschicht, auf die hintere Fläche der Dämpferschicht aufgebracht.
Die Dämpferschicht kann eine Dicke in einem Bereich von 20 bis 300 µm, bevorzugt 50 bis 200 µm und noch bevorzugter 80 bis 200 µm aufweisen.
Der Aufbau der Schutzabdeckung dieser Erfindung, der die Schutzfolie und die an deren hinteren Fläche angebrachte Dämpferschicht aufweist, ist besonders vorteilhaft für Wafer, die einen relativ hohen Grad an Oberflächenrauigkeit oder - unebenheit an deren vorderen Seite aufweisen, zum Beispiel aufgrund des Vorliegens von Vorsprüngen und Projektionen, wie zum Beispiel Höcker. In diesem Fall können die Vorsprünge oder Projektionen möglicherweise nicht vollständig in der Schutzfolie der Schutzabdeckung eingebettet sein, sodass zumindest ein gewisses Ausmaß an Oberflächenunebenheit an der hinteren Fläche der Schutzfolie vorhanden ist. Diese Flächenunebenheit wird durch die Dämpferschicht aufgenommen, die die Vorsprünge oder Projektionen weiter einbettet. Folglich können die Vorsprünge oder Projektionen auf eine besonders zuverlässige Weise geschützt werden. Darüber hinaus kann die Verteilung von Spannungen oder Dehnungen über den Wafer während dessen Bearbeitung, wie weiter unten im Detail beschrieben wird, weiter verbessert werden.
Die vordere Fläche der Dämpferschicht ist mit der hinteren Fläche der Schutzfolie in Kontakt.
Wenn die Schutzabdeckung bei einer Bearbeitung des halbleitergroßen Wafers verwendet wird, kann die hintere Fläche der Dämpferschicht, die deren vorderen Fläche gegenüberliegt, im Wesentlichen parallel zu der Seite des Wafers angeordnet werden, dir der einen Seite gegenüberliegt, das heißt an der Waferrückseite.
In diesem Fall kann bei einer Bearbeitung, zum Beispiel einem Schleifen, Polieren und/oder Schneiden, der hinteren Seite des Wafers ein angemessener Gegendruck auf die hintere Fläche der Dämpferschicht, zum Beispiel durch Platzieren dieser hinteren Fläche auf einer Unterstützung oder einem Träger, wie zum Beispiel einem Spanntisch aufgebracht werden.
Da die ebene hintere Fläche der Dämpferschicht im Wesentlichen parallel zu der hinteren Seite des Wafers ist, ist in diesem Fall der Druck, der auf den Wafer während einer Bearbeitung, zum Beispiel einem Schleifen, beispielsweise durch ein Schleifrad einer Schleifvorrichtung, aufgebracht wird, einheitlich und homogen über den Wafer verteilt und minimiert somit jegliches Risiko einer Strukturübertragung, das heißt eine Übertragung einer Struktur, die durch Vorsprünge oder Projektionen in dem zu bearbeitenden Bauelementbereich definiert ist, zum Beispiel der geschliffenen Waferrückseite, und ein Brechen des Wafers minimiert werden. Ferner ermöglicht die im Wesentlichen parallele Ausrichtung der flachen, ebenen hinteren Fläche der Dämpferschicht und der hinteren Seite des Wafers den Bearbeitungsschritt, mit einem hohen Grad an Genauigkeit ausgeführt zu werden, um somit beispielsweise eine besonders einheitliche und homogene Waferdicke nach dem Schleifen zu erhalten.
Auch dient die Schutzfolie als ein weiterer Dämpfer oder Puffer zwischen der Wafervorderseite und der Dämpferschicht, was somit weiter zu der einheitlichen und homogenen Verteilung von Druck während einer Bearbeitung, zum Beispiel einem Schleifen, beiträgt. Folglich kann einer Strukturübertragung oder einem Bruch des Wafers während einer Bearbeitung besonders zuverlässig vorgebeugt werden.
Die hintere Fläche der Dämpferschicht kann im Wesentlichen parallel zu der hinteren Seite des Wafers durch Aufbringen eines Drucks auf die hintere Fläche der Dämpferschicht ausgerichtet werden. Der Druck kann direkt auf die hintere Fläche der Dämpferschicht, das heißt, sodass kein zusätzliches Element oder keine zusätzliche Komponente zwischen einem Druckmittel zum Aufbringen des Drucks und der hinteren Fläche der Dämpferschicht vorliegt, aufgebracht werden.
Zum Beispiel können der Wafer und die Dämpferschicht mit der Schutzfolie oder Schutzabdeckung dazwischen angeordnet durch Aufbringen einer parallelen Druckkraft auf die Waferrückseite und die hintere Fläche der Dämpferschicht, zum Beispiel in einer Montagekammer, wie zum Beispiel eine Vakuumkammer, zusammengepresst werden. Der Druck kann zum Beispiel mittels zweier paralleler Druckplatten aufgebracht werden. Die Druckplatten können erwärmte Druckplatten sein, die es der Schutzfolie ermöglichen, während des Druckaufbringvorgangs erwärmt zu werden.
Die Dämpferschicht kann durch einen äußeren Stimulus, wie zum Beispiel UV-Strahlung, Wärme, ein elektrisches Feld und/oder eine chemische Verbindung, härtbar sein. In diesem Fall verhärtet sich die Dämpferschicht zumindest zu einem gewissen Ausmaß beim Aufbringen des äußeren Stimulus auf diese. Zum Beispiel kann die Dämpferschicht aus einem härtbaren Harz, einem härtbaren Haftmittel, einem härtbaren Gel oder Ähnlichem, ausgebildet sein.
Die Dämpferschicht kann so eingerichtet sein, dass sie ein Ausmaß an Stauchbarkeit, Elastizität und/oder Flexibilität nach deren Härten zeigt. Zum Beispiel kann die Dämpferschicht so sein, dass sie durch das Härten in einen gummiähnlichen Zustand gebracht wird. Alternativ kann die Dämpferschicht so eingerichtet sein, dass sie nach dem Härten einen steifen, harten Zustand erreicht.
Bevorzugte Beispiele von UV-härtbaren Harzen für eine Verwendung als Dämpferschicht bei der Schutzabdeckung der Erfindung sind ResiFlat von DISCO Corporation und TEMPLOC von DENKA.
Wenn bei einer Bearbeitung des halbleitergroßen Wafers die Schutzabdeckung verwendet wird, kann der äußere Stimulus auf die Dämpferschicht aufgebracht werden, um die Dämpferschicht nach dem Aufbringen der Schutzabdeckung auf die vordere Seite des Wafers zu härten. Der äußere Stimulus kann nach einem Anbringen der Schutzabdeckung an der vorderen Seite des Wafers aufgebracht werden.
Der äußere Stimulus kann vor einer Bearbeitung, zum Beispiel einem Schleifen, der Waferrückseite auf die Dämpferschicht aufgebracht werden. Auf diese Weise kann der Schutz des Wafers während einer Bearbeitung und die Bearbeitungsgenauigkeit weiter verbessert werden.
Die Schutzfolie oder die Schutzabdeckung erleichtert ein Entfernen der härtbaren oder gehärteten Dämpferschicht, die an dieser angebracht ist, von dem Wafer. Insbesondere kann die Dämpferschicht aufgrund des Vorhandenseins der Schutzfolie in der Abdeckung auf eine zuverlässige und einfache Weise von dem Wafer entfernt werden, was jegliche Rückstände, wie zum Beispiel Harz-, Haftmittel- oder Gelrückstände, in dem Bauelementbereich vermeidet und folglich einer Verunreinigung der Bauelemente vorbeugt und das Risiko einer Beschädigung der Vorsprünge oder Projektionen bei dem Entfernvorgang minimiert.
Die gehärtete Dämpferschicht kann nach einem Härten auf eine besonders zuverlässige und effiziente Weise entfernt werden, wenn die härtbare Dämpferschicht nach einem Härten ein Ausmaß an Kompressionsfähigkeit, Elastizität und/oder Flexibilität zeigt, das heißt komprimierbar, elastisch und/oder flexibel, zum Beispiel gummiähnlich ist.
Wenn die Dämpferschicht so eingerichtet ist, dass sie beim Härten einen steifen, harten Zustand erreicht, kann ein Entfernen der Dämpferschicht von dem Wafer durch Aufbringen eines äußeren Stimulus auf die gehärtete Dämpferschicht, was die Dämpferschicht zumindest zu einem gewissen Ausmaß weicher macht oder entfernt, erleichtert werden. Zum Beispiel können einige Dämpferschichten, die zum Beispiel aus dem UV-härtbaren Harz TEMPLOC von DENKA ausgebildet sind, durch Aufbringen heißen Wassers auf dieses nach dem Härten behandelt werden, um die gehärtete Dämpferschicht weicher zu machen und ein besonders einfaches Entfernen der Dämpferschicht von dem Wafer zu ermöglichen.
Die Schutzabdeckung, welche die Schutzfolie und die Dämpferschicht aufweist, kann nach einer Bearbeitung, zum Beispiel einem Schleifen von dem Wafer entfernt werden. Zum Beispiel kann die Schutzabdeckung von dem Wafer nach einem Schleifen, jedoch vor einem Schneiden, oder nach einem Schleifen und Schneiden entfernt werden. Auf diese Weise können einzelne Chips oder Dies, die bei dem Schneidvorgang erhalten werden, getrennt werden und auf eine einfache und zuverlässige Weise aufgenommen werden.
Die Dämpferschicht und die Schutzfolie der Schutzabdeckung können einzeln, das heißt eine nach der anderen, entfernt werden. Zum Beispiel kann als erstes die Dämpferschicht, gefolgt von dem Entfernen der Schutzfolie, entfernt werden.
Ein Schneiden des Wafers kann vor einem Entfernen der Schutzabdeckung von dem Wafer ausgeführt werden. In diesem Fall wird der Wafer auf sichere Weise durch die Schutzabdeckung während des Schneidvorgangs geschützt. Folglich kann jegliche Beschädigung des Wafers während des Schneidens besonders zuverlässig vermieden werden.
Alternativ kann ein Schneiden des Wafers nach einem Entfernen der Schutzabdeckung von dem Wafer ausgeführt werden. Diese Herangehensweise ermöglicht es, die einzelne Chips oder Dies unmittelbar nach dem Schneidschritt zu trennen und aufzunehmen.
In diesem Fall wird besonders bevorzugt, den Schneidschritt von der vorderen Seite des Wafers aus auszuführen.
Die Schutzfolie der Schutzabdeckung kann aus einem Kunststoffmaterial, wie zum Beispiel einem Polymer, hergestellt sein. Insbesondere ist die Schutzfolie vorzugsweise aus einem Polyolefin hergestellt. Zum Beispiel kann die Schutzfolie aus einem Polyethylen (PE) oder einem Polypropylen (PP) hergestellt sein.
Polyolefinfolien weisen Materialeigenschaften auf, die für eine Verwendung als Schutzfolie der Schutzabdeckung der vorliegenden Erfindung besonders vorteilhaft sind. Insbesondere sind solche Folien nachgiebig, dehnbar und weich, wenn sie in einem erwärmten Zustand sind, zum Beispiel wenn sie auf eine Temperatur in einem Bereich von 60°C bis 150°C erwärmt sind. Folglich kann auf besonders zuverlässige Weise sichergestellt werden, dass sich die Schutzfolie der Waferfläche an der vorderen Seite des Wafers, zum Beispiel mit einem Aufnehmen der Wafertopographie, anpasst. Dies ist besonders vorteilhaft, wenn der Bauelementbereich mit Vorsprüngen oder Projektionen ausgebildet ist, die von einer ebenen Fläche des Wafers hervorstehen.
Ferner verhärten und versteifen sich Polyolefinfolien beim Abkühlen, sodass sie in dem abgekühlten Zustand härter und robuster werden. Folglich kann ein besonders zuverlässiger Schutz der Bauelemente während einer nachfolgenden Bearbeitung des Wafers, zum Beispiel einem Schleifen und/oder Polieren, sichergestellt werden.
Die Schutzfolie der Schutzabdeckung kann eine Dicke in einem Bereich von 5 bis 200 µm, vorzugsweise 8 bis 100 µm, noch bevorzugter 10 bis 80 µm und am bevorzugtesten von 12 bis 50 µm aufweisen. Besonders bevorzugt weist die Schutzfolie der Schutzabdeckung eine Dicke in einem Bereich von 80 bis 150 µm auf. Auf diese Weise kann sichergestellt werden, dass die Schutzfolie flexibel und nachgiebig genug ist, um sich den Konturen des Bauelementbereichs ausreichend anzupassen und gleichzeitig eine ausreichende Dicke aufweist, um die in dem Bauelementbereich ausgebildeten Bauelemente zuverlässig und effizient zu schützen.
Die Schutzabdeckung der Erfindung kann ferner eine Basisschicht aufweisen, die an der hinteren Fläche der Dämpferschicht angebracht ist. In diesem Fall kann die hintere Fläche der Schutzabdeckung durch eine hintere Fläche der Basisschicht ausgebildet sein.
Eine vordere Fläche der Basisschicht, die deren hinteren Fläche gegenüberliegt, kann mit der hinteren Fläche der Dämpferschicht in direktem Kontakt sein.
Das Material der Basisschicht ist nicht besonders beschränkt.
Die Basisschicht kann aus einem weichen oder nachgiebigen Material hergestellt sein, wie zum Beispiel einem Polymermaterial, beispielsweise Polyvinylchlorid (PVC) oder Ethylenvinylacetat (EVA).
Alternativ kann die Basisschicht aus einem steifen oder harten Material ausgebildet sein, wie Polyethylenterephthalat (PET) und/oder Silizium und/oder Glas und/oder rostfreiem Stahl (SUS).
Wenn die Basisschicht zum Beispiel aus Polyethylenterephthalat (PET) oder Glas hergestellt ist und die Dämpferschicht durch einen äußeren Stimulus härtbar ist, kann die Dämpferschicht mit einer Strahlung, die durch Polyethylenterephthalat (PET) oder Glas übertragbar ist, beispielsweise UV-Strahlung, härtbar sein. Wenn die Basisschicht aus Silizium oder rostfreiem Stahl (SUS) hergestellt ist, wird eine kostengünstige Basisschicht bereitgestellt.
Auch kann die Basisschicht aus einer Kombination der oben genannten Materialien ausgebildet sein.
Die Basisschicht kann bis zu einer Temperatur von 180°C oder mehr, bevorzugt bis zu einer Temperatur von 220°C oder mehr und am bevorzugtesten bis zu einer Temperatur von 250°C oder mehr wärmebeständig sein.
Die Basisschicht kann eine Dicke in einem Bereich von 30 bis 1500 µm, bevorzugt 40 bis 1200 µm und am bevorzugtesten 50 bis 1000 µm aufweisen. Insbesondere weist die Basisschicht bevorzugt eine Dicke in einem Bereich von 30 bis 250 µ auf. Eine Dicke der Basisschicht von 50 µm ist besonders bevorzugt. Zum Beispiel kann die Basisschicht eine Polyethylenterephthalatfolie (PET-Folie) mit einer Dicke von 50 µm sein.
Die Schutzabdeckung kann eine Dicke ohne die Dicke der Basisschicht, wenn diese vorhanden ist, in einem Bereich von 30 bis 800 µm, bevorzugt 50 bis 700 µm, noch bevorzugter 80 bis 600 µm und am bevorzugtesten 100 bis 500 µm aufweisen.
Die Erfindung stellt ferner in Übereinstimmung mit einem zweiten Aspekt eine Schutzabdeckung für eine Verwendung bei einer Bearbeitung eines Wafers bereit. Die Schutzabdeckung weist eine Schutzfolie und eine Dämpferschicht, die an einer hinteren Fläche der Schutzfolie angebracht ist, auf. Die Schutzabdeckung ist so eingerichtet, dass an einer gesamten vorderen Fläche und an einer gesamten hinteren Fläche der Schutzabdeckung kein Haftmittel aufgetragen wird.
Die gesamte vordere Fläche und die gesamte hintere Fläche der Schutzabdeckung sind somit haftmittelfrei.
Die Schutzabdeckung ist eingerichtet, um bei einer Bearbeitung eines Wafers verwendet zu werden, der auf einer Seite, das heißt der vorderen Seite, einen Bauelementbereich mit einer Vielzahl von Bauelementen aufweist. Die Schutzabdeckung kann für eine Bearbeitung eines Wafers auf die im Wesentlichen oben erläuterte Weise verwendet werden.
Die Schutzabdeckung des zweiten Aspekts stellt im Wesentlichen die gleichen technischen Effekte und Vorteile, wie die oben für den ersten Aspekt erläuterten, bereit. Insbesondere kann jegliche mögliche Verunreinigung oder Beschädigung der Bauelemente, die in dem Bauelementbereich ausgebildet sind, zum Beispiel aufgrund einer Haftkraft einer Haftmittelschicht oder Haftmittelrückständen an den Bauelementen, ausgeschlossen werden.
Die Schutzabdeckung ermöglicht somit eine zuverlässige und effiziente Bearbeitung eines Wafers und lässt zu, dass jegliches Risiko einer Verunreinigung und Beschädigung des Wafers, insbesondere der in dem Bauelementbereich ausgebildeten Bauelemente, minimiert wird.
Der Wafer kann die Eigenschaften, Charakteristika und Merkmale aufweisen, die oben im Detail erläutert worden sind.
Die Größe und die Form des Wafers sind nicht besonders beschränkt. Der Wafer kann ein halbleitergroßer Wafer oder ein Wafer mit einer anderen Größe und/oder Form sein.
In dessen Draufsicht kann der Wafer beispielsweise eine kreisförmige Form, eine ovale Form, eine elliptische Form oder eine Polygonform, wie zum Beispiel eine rechtwinklige Form oder eine quadratische Form, aufweisen.
Die Schutzabdeckung kann eine beliebige Form aufweisen. In deren Draufsicht kann die Schutzabdeckung zum Beispiel eine kreisförmige Form, eine ovale Form, eine elliptische Form oder eine Polygonform, wie zum Beispiel eine rechtwinklige Form oder eine quadratische Form, aufweisen.
Die Schutzabdeckung kann im Wesentlichen die gleiche Form oder die gleiche Form wie der Wafer aufweisen.
Die Schutzabdeckung kann im Wesentlichen die gleiche Form oder die gleiche Form wie der Bauelementbereich des Wafers aufweisen. Zum Beispiel kann die Schutzabdeckung einen äußeren Durchmesser aufweisen, der im Wesentlichen der gleiche ist wie ein äußerer Durchmesser des Bauelementbereichs, und die Schutzabdeckung kann im Wesentlichen die gleiche Form oder die gleiche Form wie der Bauelementbereich des Wafers aufweisen.
Der Wafer kann an dessen vorderen Seite einen Umfangsrandbereich ohne Bauelemente und um den Bauelementbereich ausgebildet aufweisen.
Der Wafer kann zum Beispiel ein Halbleiterwafer, ein Glaswafer, ein Saphirwafer, ein Keramikwafer, wie zum Beispiel ein Aluiminiumoxidkeramikwafer (Al₂O₃-Keramikwafer), ein Quarzwafer, ein Zirkonoxidwafer, ein PZT-Wafer (lead zirconate titanate wafer), ein Polykarbonatwafer, ein Wafer aus Metall (zum Beispiel Kupfer, Eisen, rostfreier Stahl, Aluminium oder Ähnliches) oder metallisiertem Material, ein Ferritwafer, ein Wafer aus optischem Kristallmaterial, aus einem Harz, wie zum Beispiel Epoxidharz, ein beschichteter oder urgeformter Wafer oder Ähnliches sein.
Insbesondere kann der Wafer zum Beispiel ein Si-Wafer, ein GaAs-Wafer, ein GaN-Wafer, ein Gap-Wafer, ein InAs-Wafer, ein InP-Wafer, ein SiC-Wafer, ein SiN-Wafer, ein LT-Wafer (Lithiumtantalatwafer), ein LN-Wafer (Lithiumniobatwafer) oder Ähnliches sein.
Der Wafer kann aus einem einzelnen Material oder aus einer Kombination unterschiedlicher Materialien hergestellt sein, wie zum Beispiel aus zwei oder mehreren der oben genannten Materialien. Zum Beispiel kann der Wafer ein Verbundwafer aus Si und Glas sein, bei dem ein aus Si hergestelltes Waferelement mit einem aus Glas hergestellten Waferelement verbunden ist.
Die Schutzfolie kann die Eigenschaften, Charakteristika und Merkmale aufweisen, die oben im Detail beschrieben worden sind.
Die Dämpferschicht kann die Eigenschaften, Charakteristika und Merkmale aufweisen, die oben im Detail beschrieben worden sind.
Die Schutzabdeckung kann ferner, wie oben im Detail beschrieben worden ist, eine Basisschicht aufweisen.
Die Schutzabdeckung kann einen äußeren Durchmesser aufweisen, der größer ist als ein äußerer Durchmesser des Wafers.
Die Schutzabdeckung kann einen äußeren Durchmesser aufweisen, der kleiner ist als der äußere Durchmesser des Wafers.
Die Schutzabdeckung kann einen äußeren Durchmesser aufweisen, der im Wesentlichen der gleiche ist wie der äußere Durchmesser des Wafers.
Die Schutzabdeckung kann einen äußeren Durchmesser aufweisen, der im Wesentlichen der gleiche ist wie ein äußerer Durchmesser des Bauelementbereichs.
Die Schutzfolie und/oder die Dämpferschicht kann einen äußeren Durchmesser aufweisen, der größer ist als ein äußerer Durchmesser des Wafers.
Die Schutzfolie und/oder die Dämpferschicht kann einen äußeren Durchmesser aufweisen, der kleiner ist als der äußere Durchmesser des Wafers.
Die Schutzfolie und/oder die Dämpferschicht kann einen äußeren Durchmesser aufweisen, der im Wesentlichen der gleiche ist wie der äußere Durchmesser des Wafers.
Die Schutzfolie und/oder die Dämpferschicht kann einen äußeren Durchmesser aufweisen, der im Wesentlichen der gleiche ist wie ein äußerer Durchmesser des Bauelementbereichs.
Die Erfindung stellt ferner in Übereinstimmung mit einem dritten Aspekt ein Handhabungssystem für einen halbleitergroßen Wafer bereit, das eine halbleitergroßen ringförmigen Rahmen und die Schutzabdeckung des ersten Aspekts aufweist. Die Schutzabdeckung ist an dem ringförmigen Rahmen über die im Wesentlichen ringförmige Haftmittelschicht angebracht, sodass eine mittige Öffnung des ringförmigen Rahmens durch die Schutzabdeckung verschlossen ist.
Der halbleitergroße Wafer, der halbleitergroße ringförmige Rahmen und die Schutzabdeckung des ersten Aspekts wurden oben in Detail beschrieben.
Insbesondere kann, wie oben im Detail ausgeführt worden ist, die im Wesentlichen ringförmige Haftmittelschicht eine durchgehende Haftmittelschicht sein. Alternativ kann die im Wesentlichen ringförmige Haftmittelschicht eine unterbrochene Haftmittelschicht sein. Insbesondere kann das Haftmittel in der im Wesentlichen ringförmigen Haftmittelschicht in einer unterbrochenen Form vorgesehen sein, wie zum Beispiel in einer gepunkteten Form, einer Streifenform, zum Beispiel mit geraden und/oder gekrümmten Streifen, oder Ähnlichem.
Die Erfindung stellt ferner in Übereinstimmung mit einem vierten Aspekt eine Kombination bereit, die einen halbleitergroßen Wafer, der an einer Seite einen Bauelementbereich mit einer Vielzahl von Bauelementen aufweist, und die Schutzabdeckung des ersten Aspekts aufweist. Die Schutzabdeckung ist an der einen Seite des halbleitergroßen Wafers angebracht, sodass der halbleitergroße Wafer in dem mittigen Bereich der Schutzabdeckung angeordnet ist, und eine vordere Fläche der Schutzfolie, die deren hinteren Fläche gegenüberliegt, mit der einen Seite des halbleitergroßen Wafers in direktem Kontakt ist.
Der halbleitergroße Wafer und die Schutzabdeckung des ersten Aspekts sind oben im Detail beschrieben worden.
Die Erfindung stellt ferner in Übereinstimmung mit einem fünften Aspekt eine Kombination bereit, die einen Wafer, der an einer Seite einen Bauelementbereich mit einer Vielzahl von Bauelementen aufweist, und die Schutzabdeckung des zweiten Aspekts aufweist. Die Schutzabdeckung ist an der einen Seite des Wafers angebracht, sodass eine vordere Fläche der Schutzfolie, die deren hinteren Fläche gegenüberliegt, mit der einen Seite des Wafers in direktem Kontakt ist.
Der Wafer und die Schutzabdeckung des zweiten Aspekts sind oben im Detail beschrieben worden.
Figurenliste
Hiernach werden unter Bezugnahme auf die Zeichnungen nicht beschränkende Beispiele der Erfindung erläutert, bei denen:

1 eine Schnittansicht ist, die einen Wafer zeigt, derunter Verwendung der Schutzabdeckung der vorliegenden Erfindung zu bearbeiten ist;
2 eine Schnittansicht ist, die eine Schutzabdeckung in Übereinstimmung mit einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
3 eine Schnittansicht ist, die einen Schritt mit einem Aufbringen der Schutzabdeckung in Übereinstimmung mit der in 2 gezeigten ersten Ausführungsform auf den in 1 gezeigten Wafer veranschaulicht;
4 eine perspektivische Ansicht ist, die den Schritt eines Aufbringens der Schutzabdeckung in Übereinstimmung mit der ersten Ausführungsform auf den Wafer veranschaulicht;
5 eine Schnittansicht ist, die einen Schritt eines Anbringens der Schutzabdeckung in Übereinstimmung mit der ersten Ausführungsform an den Wafer veranschaulicht;
6 eine Schnittansicht ist, die eine Schutzabdeckung in Übereinstimmung mit einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und einen ringförmigen Rahmen zeigt;
7 eine Schnittansicht ist, die einen Schritt eines Anbringens der Schutzabdeckung in Übereinstimmung mit der in 6 gezeigten zweiten Ausführungsform an den in 1 gezeigten Wafer veranschaulicht;
8 eine Schnittansicht ist, die eine Schutzabdeckung in Übereinstimmung mit einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in einem Zustand zeigt, in dem sie an dem in 1 gezeigten Wafer angebracht ist;
9 eine Schnittansicht ist, die einen Schritt mit einem Abschneidens eines Abschnitts der Schutzabdeckung in Übereinstimmung mit der dritten Ausführungsform veranschaulicht;
10 eine Schnittansicht ist, die das Ergebnis des in 9 veranschaulichten Schritts mit einem Abschneiden eines Abschnitts der Schutzabdeckung zeigt;
11 eine Schnittansicht ist, die das Ergebnis eines Schritts zum Schleifen der Waferrückseite nach dem Abschneiden eines Abschnitts der Schutzabdeckung in Übereinstimmung mit der dritten Ausführungsform zeigt;
12 eine Schnittansicht ist, die das Ergebnis eines Schritts zum Schleifen der Waferrückseite vor einem Abschneiden eines Abschnitts der Schutzabdeckung in Übereinstimmung mit der dritten Ausführungsform zeigt;
13 eine Schnittansicht ist, die einen Schritt zum Abschneiden eines Abschnitts der Schutzabdeckung in Übereinstimmung mit der dritten Ausführungsform nach einem Schleifen der Waferrückseite veranschaulicht;
14 eine Schnittansicht ist, die das Ergebnis des in 13 veranschaulichten Schritts mit einem Abschneiden eines Abschnitts der Schutzabdeckung zeigt;
15 eine Schnittansicht ist, die eine Schutzabdeckung in Übereinstimmung mit einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in einem Zustand zeigt, in dem sie an dem in 1 gezeigten Wafer angebracht ist;
16 eine Schnittansicht ist, die eine Schutzabdeckung in Übereinstimmung mit einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in einem Zustand zeigt, in dem sie an dem in 1 gezeigten Wafer angebracht ist; und
17 eine Schnittansicht ist, die das Ergebnis eines Schritts zum Schleifen der hinteren Seite des Wafers zeigt, an dessen vorderer Seite die Schutzabdeckung in Übereinstimmung mit der fünften Ausführungsform angebracht ist.

Ausführliche Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen
Es werden nun bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben. Die bevorzugten Ausführungsformen betreffen Schutzabdeckungen für eine Verwendung beim Bearbeiten eines Wafers W, ein Handhabungssystem für den Wafer W und Kombinationen des Wafers W und der Schutzabdeckungen.
Der Wafer W kann zum Beispiel ein MEMS-Wafer sein, der an der Fläche von dessen vorderen Seite 1 MEMS-Bauelemente ausgebildet aufweist (siehe 1). Jedoch ist der Wafer W nicht auf einen MEMS-Wafer beschränkt, sondern kann auch ein CMOS-Wafer mit CMOS-Bauelementen, insbesondere Halbleiter-Bildsensoren (solid-state imaging devices), die an dessen vorderen Seiet 1 ausgebildet sind, oder ein Wafer mit anderen Bauelementtypen an der vorderen Seite 1 sein.
Der Wafer W kann aus einem Halbleiter, zum Beispiel Silizium, hergestellt sein. So ein Siliziumwafer W kann Bauelemente, wie Beispiel ICs (integrated circuits) und LSIs (large scale integrations) an einem Siliziumsubstrat aufweisen. Alternativ kann der Wafer ein Wafer optischer Bauelemente sein, der durch Ausbilden optischer Bauelemente, wie zum Beispiel LEDs (light emitting diodes), an einem anorganischen Materialsubstrat aus beispielsweise Keramik, Glas oder Saphir, aufgebaut ist. Der Wafer W ist nicht hierauf beschränkt und kann auf eine andere beliebige Weise ausgebildet sein. Darüber hinaus ist auch eine Kombination der oben beschriebenen beispielhaften Waferausführungen möglich.
Der Wafer W kann vor dem Schleifen eine Dicke in einem µm-Bereich, vorzugsweise in einem Bereich von 625 bis 925 µm, aufweisen.
Der Wafer W weist vorzugsweise eine Kreisform auf. Jedoch ist die Form des Wafers W nicht besonders beschränkt. Bei anderen Ausführungsformen kann der Wafer W zum Beispiel eine ovale Form, eine elliptische Form oder eine Polygonform, wie zum Beispiel eine rechtwinklige Form oder eine quadratische Form, aufweisen.
Der Wafer W ist mit mehreren sich schneidenden Trennlinien 11 (siehe 4), so genannte Straßen, versehen, die an dessen vorderen Seite 1 ausgebildet sind, um dadurch den Wafer W in eine Vielzahl rechtwinkliger Bereiche zu unterteilen, wo jeweils Bauelemente 7, wie die zuvor beschriebenen, ausgebildet werden. Diese Bauelemente 7 werden in einem Bauelementbereich 2 des Wafers W ausgebildet. Im Fall eines kreisförmigen Wafers W ist dieser Bauelementbereich 2 vorzugsweise kreisförmig und zu dem äußeren Umfang des Wafers W konzentrisch angeordnet.
Bei der vorliegenden Ausführungsform ist der Bauelementbereich 2 durch einen ringförmigen Umfangsrandbereich 3 umgeben, wie in den 1, 3 und 4 gezeigt. In diesem Umfangsrandbereich 3 werden keine Bauelemente ausgebildet. Der Umfangsrandbereich 3 ist zu dem Bauelementbereich 2 und/oder dem äußeren Umfang des Wafers W vorzugsweise konzentrisch angeordnet. Die radiale Erstreckung des Umfangsrandbereichs 3 kann in einem mm-Bereich liegen und liegt vorzugswiese in einem Bereich von 1 bis 3 mm.
Der Bauelementbereich 2 ist, wie zum Beispiel in den 1 und 3 schematisch gezeigt, mit mehreren Vorsprüngen 14 ausgebildet, die von einer ebenen Fläche des Wafers W hervorstehen. Die Vorsprünge 14 können zum Beispiel Höcker zum Herstellen eines elektrischen Kontakts mit den Bauelementen 7 des Bauelementbereichs 2 in den getrennten Chips oder Dies sein. Die Höhe der Vorsprünge 14 in der Dickenrichtung des Wafers W können in einem Bereich von 20 bis 500 µm sein.
Im Folgenden wird unter Bezugnahme auf die 1 bis 5 eine Schutzabdeckung 10 in Übereinstimmung mit eine ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben.
1 zeigt eine Schnittansicht des Wafers W, der unter Verwendung der Schutzabdeckung 10 in Übereinstimmung mit der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zu bearbeiten ist. 2 zeigt eine Schnittansicht der Schutzabdeckung 10 in Übereinstimmung mit der ersten Ausführungsform. Die 3 und 4 veranschaulichen einen Schritt zum Aufbringen der Schutzabdeckung 10 auf den Wafer W. 5 veranschaulicht einen Schritt zum Anbringen der Schutzabdeckung 10 an dem Wafer W.
Die Schutzabdeckung 10 weist eine Schutzfolie 4 und eine Dämpferschicht 8 auf, die an einer hinteren Fläche 4b der Schutzfolie 4 angebracht ist (siehe 2). Eine vordere Fläche 8a der Dämpferschicht 8 ist mit der hinteren Fläche 4b der Schutzfolie 4 in direktem Kontakt. Die Schutzabdeckung 10 ist so eingerichtet, dass an einer gesamten vorderen Fläche 4a der Schutzfolie 4, welche die vordere Fläche der Schutzabdeckung 10 ausbildet, und an einer gesamten hinteren Fläche 8b der Dämpferschicht 8, welche die hintere Fläche der Schutzabdeckung 10 ausbildet, kein Haftmittel aufgebracht wird. Die vordere Fläche 4a der Schutzfolie 4 und die hintere Fläche 8b der Dämpferschicht 8 sind somit haftmittelfrei.
Die Schutzabdeckung 10 weist im Wesentlichen die gleiche Form wie der Wafer W auf, das heißt bei der vorliegenden Ausführungsform eine Kreisform, und ist konzentrisch an diesem angebracht (siehe 3 bis 5). Der Durchmesser der Schutzabdeckung 10 ist, wie schematisch in den 4 und 5 gezeigt, näherungsweise der gleiche wie der des Wafers W.
Die Schutzfolie 4 ist aus Polyolefin hergestellt. Zum Beispiel kann die Schutzfolie 4 aus Polyethylen (PE) oder Polypropylen (PP) hergestellt sein. Die Schutzfolie 4 kann eine Dicke in einem Bereich von 5 bis 200 µm, vorzugsweise 80 bis 150 µm, aufweisen. Zum Beispiel kann die Schutzfolie 4 eine Dicke von 80 µm aufweisen.
Die Dämpferschicht 8 kann aus einem Harz, einem Haftmittel, einem Gel oder Ähnlichem ausgebildet sein. Die Dämpferschicht 8 kann eine Dicke in einem Bereich von 20 bis 500 µm aufweisen.
Die Dämpferschicht 8 kann durch einen äußeren Stimulus, wie zum Beispiel UV-Strahlung, Wärme, ein elektrisches Feld und/oder eine chemische Verbindung härtbar sein. In diesem Fall härtet bzw. verhärtet sich die Dämpferschicht 8 bei Anwendung des äußeren Stimulus auf diese zumindest bis zu einem gewissen Ausmaß. Zum Beispiel kann die Dämpferschicht 8 aus einem härtbaren Harz, einem härtbaren Haftmittel, einem härtbaren Gel oder Ähnlichem ausgebildet sein.
Bevorzugte Beispiele von UV-härtbaren Harzen für eine Verwendung als Dämpferschicht 8 sind bei der vorliegende Ausführungsform ResiFlat von DISCO Corporation und TEMPLOC von DENKA.
Die Schutzabdeckung 10 ist eingerichtet, die in dem Bauelementbereich 2 ausgebildeten Bauelemente 7 einschließlich der Vorsprünge 14 zu bedecken, um so die Bauelemente 7 gegen Beschädigung oder Verunreinigung zu schützen (siehe 4 und 5). Ferner wirkt die Schutzabdeckung 10 beim nachfolgenden Bearbeiten des Wafers W, zum Beispiel bei einem nachfolgenden Schleifschritt, wie weiter unten beschrieben, als Dämpfer.
Die Schutzabdeckung 10 zum Bedecken der Bauelemente 7 an dem Wafer W wird auf die vordere Seite 1 des Wafers aufgebracht, wie in 3 durch einen Pfeil angedeutet wird. Insbesondere wird die Schutzabdeckung 10 auf die vordere Seite 1 des Wafers W aufgebracht, sodass die vordere Fläche 4a der Schutzfolie 4 mit der Vorderseite 1 des Wafers in direktem Kontakt ist. Folglich liegt kein Material, insbesondere kein Haftmittel, zwischen der vorderen Fläche 4a der Schutzfolie 4 und der vorderen Seite 1 des Wafers W vor (siehe 3 bis 5) .
Nach dem Aufbringen der Schutzabdeckung der Schutzabdeckung 10 auf die vordere Seite 1 des Wafers W wird die Schutzfolie 4 erwärmt, sodass die Schutzfolie 4 und folglich die gesamte Schutzabdeckung 10 an der Wafervorderseite 1 angebracht wird.
Insbesondere kann der Wafer W mit der darauf aufgebrachten Schutzabdeckung 10 auf einem Spanntisch 20 platziert werden (siehe 5) und der Spanntisch 20 kann zum Beispiel auf eine Temperatur in einem Bereich von 60°C bis 150°C erwärmt werden. Insbesondere wird der Spanntisch 20 vorzugsweise auf eine Temperatur auf in etwa 100°C erwärmt. Der Spanntisch 20 kann beispielsweise über eine Zeitdauer in einem Bereich von 1 min bis 10 min beheizt werden.
Ferner wird, wie in 5 gezeigt, mittels einer Walze 30 Druck auf die hintere Fläche der Schutzabdeckung 10, das heißt die hintere Fläche 8b der Dämpferschicht 8, aufgebracht. Die Walze 30 wird entlang der hinteren Fläche 8b der Dämpferschicht 8 entlangbewegt, wie in 5 durch einen Pfeil angedeutet wird, um die Schutzabdeckung 10 gegen die vordere Seite 1 des Wafers W zu drücken.
Die Walze 30 kann eine erwärmte Walze sein. Zusätzlich zum Erwärmen der Schutzfolie 4 durch den erwärmten Spanntisch 20 oder als Alternative hierzu, kann über die erwärmte Walze 30 durch die Dämpferschicht 8 hindurch Wärme auf die Schutzfolie 4 aufgebracht werden.
Alternativ oder zusätzlich kann durch Verwendung von zwei parallelen Druckplatten, wie nachfolgend unter Bezugnahme auf 8 für die dritte Ausführungsform detaillierter beschrieben wird, Druck auf die hintere Fläche 8b der Dämpferschicht 8 aufgebracht werden.
Durch Erwärmen der Schutzfolie 4 unter Verwendung des erwärmten Spanntischs 20 und/oder der erwärmten Walze 30 wird die Schutzabdeckung 10 an der vorderen Seite 1 des Wafers W angebracht.
Insbesondere wird durch den Erwärmungsvorgang eine Befestigungskraft zwischen der Schutzfolie 4 und dem Wafer W erzeugt, welche die Abdeckschicht 10 an dem Wafer W in Position hält. Insbesondere durch Erwärmung der Schutzfolie 4 wird ein Formschluss und/oder ein Materialschluss zwischen der Schutzfolie 4 und dem Wafer W ausgebildet.
Durch Aufbringen von Druck auf die hintere Fläche 8b der Dämpferschicht 8 wird die vordere Fläche 4a der Schutzfolie 4 gegen die vordere Seite 1 des Wafers W gedrückt. Folglich kann auf besonders effiziente Weise sichergestellt werden, dass die Schutzabdeckung 10 zuverlässig an dem Wafer W angebracht wird.
In dem angebrachten Zustand der Schutzabdeckung 10 sind die Vorsprünge 14, die von der ebenen Fläche des Wafers W hervorstehen, wie schematisch in 5 gezeigt, vollständig in der Schutzabdeckung 10 eingebettet.
Der Wafer W und die daran angebrachte Schutzabdeckung 10 bilden eine Kombination in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung aus.
Wenn die Dämpferschicht 8 durch einen äußeren Stimulus härtbar ist, kann der äußere Stimulus nach einem Aufbringen der Schutzabdeckung 10 auf die vordere Seite 1 des Wafers W auf die Dämpferschicht 8 aufgebracht werden, um so die Dämpferschicht 8 zu härten. Der äußere Stimulus kann nach dem Anbringen der Schutzabdeckung 10 auf die Wafervorderseite 1 auf die Dämpferschicht 8 aufgebracht werden.
Der äußere Stimulus kann vor einem Bearbeiten, zum Beispiel Schleifen, einer Waferrückseite 6 auf die Dämpferschicht 8 aufgebracht werden. Auf diese Weise kann der Schutz des Wafers W während einer Bearbeitung und die Bearbeitungsgenauigkeit weiter verbessert werden.
Nach dem Anbringen der Schutzabdeckung 10 an der vorderen Seite 1 des Wafers W wird die hintere Seite 6 des Wafers W (siehe 1, 3 und 4), die dessen vorderen Seite 1 gegenüberliegt, bearbeitet. Die hintere Seite 6 des Wafers W kann durch Schleifen und/oder Polieren und/oder Ätzen und/oder Schneiden bearbeitet werden. Insbesondere wird bevorzugt, die hintere Seite 6 des Wafers W durch Schleifen zu bearbeiten.
Insbesondere kann der Wafer W, an dem die Schutzabdeckung 10 angebracht ist, von dem Spanntisch 20 entfernt und umgedreht werden, sodass die Waferrückseite 6 nach oben gerichtet ist. Nachfolgend kann eine Bearbeitung der Waferrückseite 6, zum Beispiel durch Schleifen, ausgeführt werden. So ein Schleifschritt wird nachfolgend für die dritte Ausführungsform der Schutzabdeckung der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 11 erläutert.
Während einer Bearbeitung, wie zum Beispiel einem Schleifen, der Rückseite 6 des Wafers W kann der Wafer W auf einer nicht gezeigten Unterstützung, wie zum Beispiel einem Spanntisch, platziert werden, sodass die hintere Fläche 8b der Dämpferschicht 8 mit einer oberen Fläche der Unterstützung in Kontakt ist. Die Schutzabdeckung 10 schützt den Wafer W, insbesondere die Bauelemente 7 und die Vorsprünge 14, zuverlässig vor einer Beschädigung während der Waferbearbeitung.
Nachdem die hintere Seite 6 des Wafers W geschliffen worden ist, kann der Wafer W entlang der Trennlinien 11 geschnitten werden, um nicht gezeigte einzelne Chips oder Dies zu erhalten.
Zum Beispiel kann die Schutzabdeckung 10 von dem Wafer W nach einem Schleifen von dessen Rückseite 6 entfernt, beispielsweise abgezogen, werden. Dieser Entfernvorgang kann zum Beispiel durch Erwärmen der Schutzfolie 4 vor und/oder während dessen Entfernen von dem Wafer W erleichtert werden.
Nachfolgend kann der Wafer W entlang der Trennlinien 11 von dessen vorderen Seite 1 aus geschnitten werden. Auf diese Weise werden Chips oder Dies, die vollständig voneinander getrennt sind, erhalten. Das Schneiden des Wafers W kann durch mechanisches Schneiden, zum Beispiel unter Verwendung einer Klinge oder einer Säge und/oder Schneiden durch einen Laser und/oder Schneiden durch Plasma ausgeführt werden.
Insbesondere kann ein Schneiden durch einen Laser zum Beispiel durch Ablasionslaserschneiden und/oder durch Stealth-Laserschneiden, das heißt durch Ausbilden modifizierter Bereiche innerhalb des Wafers W durch Aufbringen eines Laserstrahls, und/oder durch Ausbilden einer Vielzahl von Lochbereichen in dem Wafer W durch das Aufbringen eines Laserstrahls ausgeführt werden. Jeder dieser Lochbereiche kann aus einem modifizierten Bereich und einem Raum in dem modifizierten Bereich aufgebaut sein, der sich zu einer Fläche des Wafers W öffnet.
Nachdem die Chips oder Dies bei dem Schneidschritt vollständig voneinander getrennt worden sind, können sie zum Beispiel durch Verwendung einer nicht gezeigten Aufnehmeeinrichtung aufgenommen werden. Der Abstand zwischen den einzelnen Chips oder Dies kann vor dem Aufnehmvorgang erhöht werden, um den Aufnehmvorgang zu erleichtern.
Im Folgenden wird eine Schutzabdeckung 110 in Übereinstimmung mit einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die 6 und 7 beschrieben.
Die Schutzabdeckung 110 in Übereinstimmung mit der zweiten Ausführungsform unterscheidet sich von der Schutzabdeckung 10 in Übereinstimmung mit der ersten Ausführungsform dadurch, dass der Durchmesser der Schutzabdeckung 110 größer ist als der äußere Durchmesser des Wafers W und dadurch, dass eine im Wesentlichen ringförmige Haftmittelschicht 42 auf einen äußeren Umfangsabschnitt der vorderen Fläche 4a der Schutzfolie 4 aufgebracht wird. Bei der Beschreibung der zweiten Ausführungsform werden die Elemente, die im Wesentlichen identisch zu denen der ersten Ausführungsform sind, durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und ihre wiederholte detaillierte Beschreibung wird ausgelassen.
Die im Wesentlichen ringförmige Haftmittelschicht 42 kann eine durchgehende Haftmittelschicht sein. Alternativ kann die im Wesentlichen ringförmige Haftmittelschicht 42 eine unterbrochene Haftmittelschicht sein. Insbesondere in der im Wesentlichen ringförmigen Haftmittelschicht 42 kann das Haftmittel in unterbrochener Form, wie zum Beispiel als gepunktete Form, in Streifenform, zum Beispiel mit geraden und/oder gekrümmten Streifen, oder ähnlich vorgesehen sein.
6 zeigt die Schutzabdeckung 110 und einen ringförmigen Rahmen 40 vor dem Anbringen der Schutzabdeckung 110 an dem ringförmigen Rahmen 40. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist der Wafer W ein halbleitergroßer Wafer und der ringförmige Rahmen 40 ist ein halbleitergroßer, ringförmiger Rahmen.
Beim Verwenden der Schutzabdeckung 110 in Übereinstimmung mit der zweiten Ausführungsform während einer Bearbeitung des Wafers W wird ein äußerer Umfangsabschnitt der Schutzabdeckung 110 durch die im Wesentlichen ringförmige Haftmittelschicht 42 an dem ringförmigen Rahmen 40 angebracht (siehe 7). Die Haftmittelschicht 42 wird zwischen der Schutzfolie 4 und dem ringförmigen Rahmen 40 angeordnet. Der angebrachte Zustand der Schutzabdeckung 110 und des ringförmigen Rahmens 40 ist in 7 veranschaulicht.
Insbesondere ist der äußere Umfangsabschnitt der Schutzabdeckung 110 an dem ringförmigen Rahmen 40 angebracht, sodass die Schutzabdeckung 110 eine mittige Öffnung des ringförmigen Rahmens 40 verschließt. Der ringförmige Rahmen 40 und die daran angebrachte Schutzabdeckung 110 bilden ein Handhabungssystem in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung aus.
Die im Wesentlichen ringförmige Haftmittelschicht 42 ist so eingerichtet, dass deren innerer Durchmesser im Wesentlichen gleich einem inneren Durchmesser des halbleitergroßen ringförmigen Rahmens 40 ist (siehe 7). In einem mittigen Bereich der Schutzabdeckung 110 ist kein Haftmittel an der vorderen Fläche der Schutzabdeckung 110, das heißt der vorderen Fläche 4a der Schutzfolie 4, aufgebracht. Der mittige Bereich der Schutzabdeckung 110 weist einen äußeren Durchmesser auf, der, wie in 7 gezeigt, größer ist als ein äußerer Durchmesser des halbleitergroßen Wafers W. Ferner wird kein Haftmittel auf die hintere Fläche der Schutzabdeckung 110, das heißt die hintere Fläche 8b der Dämpferschicht 8, aufgebracht. Folglich ist die gesamte hintere Fläche der Schutzabdeckung 110 haftmittelfrei.
Die Schutzabdeckung 110 wird auf die vordere Seite 1 des Wafers W aufgebracht, sodass der Wafer W in dem mittigen Bereich der Schutzabdeckung 110 angeordnet ist und die vordere Fläche 4a der Schutzfolie 4 mit der Wafervorderseite 1 in direktem Kontakt ist (siehe 7). Folglich ist kein Material, insbesondere kein Haftmittel, zwischen der vorderen Fläche 4a der Schutzfolie 4 und der vorderen Seite 1 des Wafers W vorhanden.
Bei der vorliegenden Ausführungsform wird der Schritt mit einem Anbringen desäußeren Umfangsabschnitts der Schutzfolie 4 an dem ringförmigen Rahmen 40 vorzugsweise vor einem Aufbringen der Schutzabdeckung 110 auf den Wafer W ausgeführt. Auf diese Weise kann der Schritt mit einem Aufbringen der Schutzabdeckung 110 auf den Wafer W weiter vereinfacht werden, zum Beispiel unter Verwendung des ringförmigen Rahmens 40 zum Handhaben und Transportieren des Wafers W.
Nach dem Aufbringen der Schutzabdeckung 110 auf den Wafer W werden auf die gleiche oben unter Bezugnahme auf 5 für die erste Ausführungsform beschriebene Weise Wärme und Druck auf die Schutzabdeckung 110 aufgebracht, wodurch die Schutzabdeckung 110 an dem Wafer W angebracht wird (siehe 7).
Der Wafer W und die daran angebrachte Schutzabdeckung 110 bilden eine Kombination in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung aus.
Wie oben im Detail beschrieben worden ist, wird der Wafer W, der an der Schutzabdeckung 110 insbesondere an dessen mittigen Bereich angebracht ist, durch den ringförmigen Rahmen 40 über die Schutzabdeckung 110 gehalten. Folglich wird eine Wafereinheit, die den Wafer W, die Schutzabdeckung 110 und den ringförmigen Rahmen 40 aufweist, ausgebildet, was eine Bearbeitung, Handhabung und/oder einen Transport des Wafers W vereinfacht (siehe 7).
Nach dem Anbringen der Schutzabdeckung 110 an dem Wafer W kann der Wafer W im Wesentlichen auf die gleiche oben für die erste Ausführungsform im Detail beschriebene Weise bearbeitet werden.
Im Folgenden wird eine Schutzabdeckung 210 in Übereinstimmung mit einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die 8 bis 14 beschrieben.
Die Schutzabdeckung 210 in Übereinstimmung mit der dritten Ausführungsform unterscheidet sich von der Schutzabdeckung 110 in Übereinstimmung mit der zweiten Ausführungsform dadurch, dass die Dämpferschicht einen kleineren Durchmesser als die Schutzfolie 4 aufweist, und dadurch, dass eine Basisschicht 9 an der hinteren Fläche 8b der Dämpferschicht 8 vorgesehen ist (siehe zum Beispiel 8). Bei der Beschreibung der dritten Ausführungsform werden Elemente, die im Wesentlichen identisch zu denen der vorangegangenen Ausführungsformen sind, durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und eine Wiederholung ihrer Beschreibung wird unterlassen.
8 zeigt die Schutzabdeckung 210 in Übereinstimmung mit der dritten Ausführungsform in einem Zustand, in dem sie an dem halbleitergroßen Wafer W angebracht ist. Wie in 8 angedeutet, ist die Wafertopographie, die von den Vorsprüngen 14 herrührt, nicht vollständig durch die Schutzfolie 4 aufgenommen. Folglich wird an der hinteren Fläche 4b der Schutzfolie 4 eine Flächenunebenheit erzeugt. So eine Flächenunebenheit kann für den Fall von Vorsprüngen 14 mit relativ großen Höhen auftreten. Jedoch wird diese Flächenunebenheit der Schutzfolie 4 durch die Dämpferschicht 8 aufgenommen, sodass die Vorsprünge 14 vollständig in der Schutzfolie 4 und der Dämpferschicht 8 eingebettet sind.
Die Basisschicht 9 ist an der hinteren Fläche 8b der Dämpferschicht 8 angebracht, sodass eine vordere Fläche der Basisschicht 9 mit der hinteren Fläche 8b der Dämpferschicht 8 in direktem Kontakt ist. Bei der vorliegenden Ausführungsform bildet eine hintere Fläche 9b der Basisschicht 9 die hintere Fläche der Schutzabdeckung 210 aus.
Das Material der Basisschicht 9 ist nicht besonders beschränkt.
Die Basisschicht 9 kann aus einem weichen oder nachgiebigen Material, wie zum Beispiel einem Polymermaterial, beispielsweise Polyvinylchlorid (PVC) oder Ethylenvinylacetat (EVA), hergestellt sein.
Alternativ kann die Basisschicht 9 aus einem steifen oder harten Material, wie zum Beispiel Polyethylenterephthalat (PET) und/oder Silizium und/oder Glas und/oder rostfreiem Stahl (SUS), hergestellt sein.
Wenn die Basisschicht 9 zum Beispiel aus Polyethylenterephthalat (PET) oder Glas hergestellt ist und die Dämpferschicht 8 durch einen äußeren Stimulus härtbar ist, kann die Dämpferschicht 8 mit einer Strahlung gehärtet werden, die durch Polyethylenterephthalat (PET) oder Glas übertragbar ist, wie zum Beispiel UV-Strahlung. Wenn die Basisschicht 9 aus Silizium oder rostfreiem Stahl (SUS) hergestellt ist, wird eine kostengünstige Basisschicht 9 bereitgestellt.
Auch kann die Basisschicht 9 aus einer Kombination der oben aufgeführten Materialien ausgebildet werden.
Die Basisschicht 9 kann eine Dicke in einem Bereich von 30 bis 1500 µm, vorzugsweise von 40 bis 1200 µm und noch bevorzugter von 50 bis 1000 µm aufweisen. Insbesondere weist die Basisschicht 9 vorzugsweise eine Dicke in einem Bereich von 30 bis 250 um auf. Besonders bevorzugt wird eine Dicke der Basisschicht 9 von 50 µm. Zum Beispiel kann die Basisschicht 9 eine Polyethylenterephthalatfolie (PET-Folie) mit einer Dicke von 50 µm sein.
Die Basisschicht 9 und die Dämpferschicht 8 weisen jeweils im Wesentlichen eine Kreisform auf. Die Durchmesser der Basisschicht 9 und der Dämpferschicht 8 sind im Wesentlichen identisch im Verhältnis zueinander und größer als der Durchmesser des halbleitergroßen Wafers W. Die Durchmesser der Basisschicht 9 und der Dämpferschicht 8 sind kleiner als der Durchmesser der Schutzfolie 4.
Die Schutzabdeckung 210 weist folglich die Basisschicht 9, die Dämpferschicht 8 und die Schutzfolie 4 auf. In einem mittigen Bereich der Schutzabdeckung 210 wird auf die vordere Fläche der Schutzabdeckung 210, das heißt der vorderen Fläche 4a der Schutzfolie 4, auf die oben für die zweite Ausführungsform beschriebene im Wesentlichen gleiche Weise kein Haftmittel aufgebracht. Der mittige Bereich der Schutzabdeckung 210 weist, wie in 8 gezeigt, einen Außendurchmesser auf, der größer ist als ein Außendurchmesser des halbleitergroßen Wafers W. Ferner wird kein Haftmittel auf die hintere Fläche der Schutzabdeckung 110, das heißt der hinteren Fläche 9b der Basisschicht 9, aufgebracht. Folglich ist die gesamte hintere Fläche der Schutzabdeckung 110 haftmittelfrei.
Der ringförmige Rahmen 40 und die daran angebrachte Schutzabdeckung 210 bilden in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Handhabungssystem aus (siehe 8).
Die Schutzabdeckung 210 wird auf die vordere Seite 1 des Wafers W aufgebracht, sodass der Wafer W in dem mittigen Bereich der Schutzabdeckung 210 angeordnet ist und die vordere Fläche 4a der Schutzfolie 4 mit der Wafervorderseite 1 in direktem Kontakt ist (siehe 8). Folglich ist zwischen der vorderen Fläche 4a der Schutzfolie 4 und der vorderen Seite 1 des Wafers W kein Material, insbesondere kein Haftmittel, vorhanden.
Nachfolgend wird die Schutzfolie 4 erwärmt, um so die Schutzabdeckung 210 an die Vorderseite 1 des Wafers W anzubringen. Die Schutzfolie 4 kann im Wesentlichen auf die gleiche für die erste Ausführungsform erläuterte Weise erwärmt werden, das heißt mittels des erwärmten Spanntischs 20 (siehe 8).
Ferner wird bei der vorliegenden Ausführungsform durch Verwendung von zwei parallelen Druckplatten ein Druck auf die hintere Fläche 9b der Basisschicht 9 aufgebracht. Bei dem Druckaufbringvorgang drückt eine Platte gegen die hintere Fläche 9b der Basisschicht 9 und die andere Platte drückt gegen die hintere Seite 6 des Wafers W. Auf diese Weise kann sichergestellt werden, dass die hintere Fläche 9b der Basisschicht 9, wie in 8 durch gestrichelte Pfeile angedeutet, im Wesentlichen parallel zu der Waferrückseite 6 ist.
Die Druckplatten können erwärmte Druckplatten sein, was ermöglicht, die Schutzfolie 4 während des Druckausübungsvorgang durch den Wafer W hindurch und/oder durch die Basisschicht 9 und die Dämpferschicht 8 hindurch zu erwärmen. Dieser Erwärmungsvorgang bzw. Heizvorgang kann zusätzlich oder als Alternative zu einem Erwärmen der Schutzfolie 4 mittels des erwärmten Spanntischs 20 ausgeführt werden.
Der Wafer W und die daran angebrachte Schutzabdeckung 210 bilden eine Kombination in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung aus.
Wenn die Dämpferschicht 8 durch einen äußeren Stimulus härtbar ist, kann der äußere Stimulus im Wesentlichen auf die gleiche Weise, wie oben für die erste Ausführungsform beschrieben, auf die Dämpferschicht 8 aufgebracht werden.
9 veranschaulicht einen nachfolgenden Schritt mit einem Abschneiden von Abschnitten der Schutzfolie 4, der Dämpferschicht 8 und der Basisschicht 9, die sich seitlich über den Umfang des Wafers W hinaus erstrecken, wie in 9 durch die gestrichelten Linien und Pfeile angedeutet wird. diese Abschnitte können zum Beispiel durch mechanisches Schneiden, wie zum Beispiel durch Verwendung einer Klinge oder einer Säge, Laserschneiden oder Plasmaschneiden, abgeschnitten werden. Ein Abschneiden dieser Abschnitte erleichtert die Handhabung der Wafereinheit in nachfolgenden Bearbeitungsschritten.
10 zeigt das Ergebnis des in 9 veranschaulichten Schneidschritts.
Nach diesem Schneidschritt wird die hintere Seite 6 des Wafers W bearbeitet, das heißt einem Schleifvorgang ausgesetzt, wie im Folgenden erläutert wird.
Die hintere Fläche 9b der Basisschicht 9, die eine ebene, flache Fläche ist, wird auf der oberen Fläche eines nicht gezeigten Spanntischs platziert, der identisch zu dem Spanntisch 20 in 8 sein kann. Nachfolgend wird die hintere Seite 6 des Wafers W zum Einstellen der Waferdicke, zum Beispiel auf einen Wert in einem Bereich von in etwa 20 bis 100 µm, geschliffen. Die Dicke kann die Enddicke der Chips oder Dies sein. 11 zeigt das Ergebnis dieses Schleifschritts.
Das Schleifen der hinteren Seite 6 des Wafers W kann unter Verwendung einer nicht gezeigten Schleifvorrichtung ausgeführt werden. Die Schleifvorrichtung kann ein Spindelgehäuse, eine in dem Spindelgehäuse drehbar aufgenommene Spindel und ein an dem unteren Ende der Spindel montiertes Schleifrad aufweisen. Eine Vielzahl von Schleifelementen kann an der unteren Fläche des Schleifrads befestigt sein, wobei jedes Schleifelement aus einem Diamantschleifelement ausgebildet sein kann, das durch Befestigen von Diamantschleifkörnern mit einem Bindemittel, wie zum Beispiel ein Metallbindemittel oder ein Harzbindemittel, ausgebildet sein kann. Das Schleifrad mit den Schleifelementen wird durch Antreiben der Spindel zum Beispiel durch Verwendung eines Motors, mit hohen Geschwindigkeiten gedreht.
Bei dem Schleifschritt werden der die Wafereinheit haltende Spanntisch und das Schleifrad der Schleifvorrichtung gedreht, und das Schleifrad wird abgesenkt, um die Schleifelemente des Schleifrads mit der hinteren Seite 6 des Wafers W in Kontakt zu bringen, wodurch die hintere Seite 6 geschliffen wird.
Da die ebene hintere Fläche 9b der Basisschicht 9, die auf der oberen Fläche des Spanntischs der Schleifvorrichtung platziert ist, im Wesentlichen parallel zu der hinteren Seite 6 des Wafers W ist (siehe 8), wird der auf den Wafer W durch das Schleifrad aufgebrachte Druck während des Schleifvorgangs gleichmäßig und homogen über den Wafer W verteilt. Folglich kann jegliches Risiko einer Strukturübertragung oder eines Brechens des Wafers W minimiert werden. Zudem ermöglicht die im Wesentlichen parallele Ausrichtung der flachen, ebenen hinteren Fläche 9b der Basisschicht 9 und der hinteren Seite 6 des Wafers W dem Schleifschritt, mit einem hohen Grad an Genauigkeit durchgeführt zu werden, wodurch nach dem Schleifen ein besonders einheitlicher und homogener Wafer erreicht wird.
Die weitere Bearbeitung des Wafers W, das heißt das Schneiden von diesem und das Aufnehmen der getrennten Chips oder Dies, kann im Wesentlichen auf die gleiche oben für die erste Ausführungsform erläuterte Weise ausgeführt werden.
Im Folgenden wird eine Abwandlung des in den 9 bis 11 veranschaulichten Vorgangs unter Bezugnahme auf die 12 bis 14 beschrieben.
Das in den 12 bis 14 veranschaulichte Verfahren unterscheidet sich von dem in den 9 bis 11 veranschaulichten Verfahren in der Reihenfolge der Schritte zum Schneiden der Schutzabdeckung 210 und zum Schleifen der Waferrückseite 6.
Insbesondere wird bei dem in den 12 bis 14 veranschaulichten Verfahren die hintere Seite 6 des Wafers W als erstes geschliffen, während die Schutzabdeckung 210 weiterhin an dem ringförmigen Rahmen 40 angebracht ist. Das Ergebnis dieses Schleifschritts wird in 12 gezeigt. Die Waferrückseite 6 wird im Wesentlichen auf die gleiche Weise wie die obige unter Bezugnahme auf 11 beschriebene Weise geschliffen.
Nachfolgend werden Abschnitte der Schutzfolie 4, der Dämpferschicht 8 und der Basisschicht 9, die sich seitlich über den Umfang des Wafers W hinaus erstrecken, wie durch gestrichelte Linien und Pfeile in 13 angedeutet, abgeschnitten. Dieser Schneidschritt wird im Wesentlichen auf die gleiche Weise wie die oben unter Bezugnahme auf 9 erläuterte ausgeführt. 14 zeigt das Ergebnis des in 13 veranschaulichten Schneidschritts.
Die weitere Bearbeitung des Wafers W, das heißt das Schneiden von diesem und das Aufnehmen der getrennten Chips oder Dies, kann im Wesentlichen auf die gleiche, wie oben für die erste Ausführungsform erläuterte Weise, ausgeführt werden.
Im Folgenden wird eine Schutzabdeckung 310 in Übereinstimmung mit einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 15 beschrieben.
Die Schutzabdeckung 310 in Übereinstimmung mit der vierten Ausführungsform unterscheidet sich von der Schutzabdeckung 10 in Übereinstimmung mit der ersten Ausführungsform dadurch, dass die Basisschicht 9 an der hinteren Fläche 8b der Dämpferschicht 8 angebracht ist (siehe zum Beispiel 6). Bei der Beschreibung der vierten Ausführungsform werden die Elemente, die im Wesentlichen identisch zu denen der vorangegangenen Ausführungsformen sind, durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet, und deren wiederholte ausführliche Beschreibung wird unterlassen.
Die Basisschicht 9 wird an der hinteren Fläche 8b der Dämpferschicht 8 angebracht, sodass die vordere Fläche der Basisschicht 9 mit der hinteren Fläche 8b der Dämpferschicht 8 in direktem Kontakt ist (siehe 15). Die Basisschicht 9 kann die gleichen Eigenschaften und Charakteristika wie die oben für die dritte Ausführungsform erläuterten aufweisen.
Die Durchmesser der Schutzfolie 4, der Dämpferschicht 8 und der Basisschicht 9 sind im Wesentlichen identisch zueinander und identisch zu dem Durchmesser des Wafers W (siehe 15).
Die Schutzfolie 4, die Dämpferschicht 8 und die Basisschicht 9 können im Wesentlichen auf die gleiche Weise, wie oben für die dritte Ausführungsform beschrieben, an der Wafervorderseite 1 angebracht sein.
Das Ergebnis dieses Anbringvorgangs wird in 15 gezeigt. Die hintere Fläche 9b der Basisschicht 9 ist, wie durch gestrichelte Pfeile in 15 angedeutet, im Wesentlichen parallel zu der hinteren Seite 6 des Wafers W.
Nachfolgend wird die hintere Seite 6 des Wafers W im Wesentlichen auf die gleiche Weise, wie oben für die dritte Ausführungsform erläutert, geschliffen.
Die weitere Bearbeitung des Wafers W, das heißt dessen Schneiden und das Aufnehmen der getrennten Chips oder Dies, kann im Wesentlichen auf die gleiche oben für die erste Ausführungsform erläuterte Weise ausgeführt werden.
Im Folgenden wird eine Schutzabdeckung 410 in Übereinstimmung mit einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die 16 und 17 beschrieben.
Die Schutzabdeckung 410 in Übereinstimmung mit der fünften Ausführungsform unterscheidet sich von der Schutzabdeckung 310 in Übereinstimmung mit der vierten Ausführungsform dadurch, dass die Schutzfolie 4 einen kleineren Durchmesser als die Dämpferschicht 8 aufweist und die Dämpferschicht 8 über die Schutzfolie 4 hinausreicht. Bei der Beschreibung der fünften Ausführungsform werden die Elemente, die im Wesentlichen identisch zu denen der vorangegangenen Ausführungsformen sind, durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet, und ihre wiederholte ausführliche Beschreibung wird unterlassen.
Insbesondere weist die Schutzfolie 4 einen Durchmesser auf, der im Wesentlichen der gleiche ist wie der Durchmesser des Bauelementbereichs 2 des Wafers W (siehe 16 und 17) .
Die Schutzabdeckung 410 kann im Wesentlichen auf die gleiche oben für die dritte Ausführungsform erläuterte Weise an der Wafervorderseite 1 angebracht werden. Das Ergebnis dieses Anbringvorgangs wird in 16 gezeigt.
Wie in dieser Figur veranschaulicht, umgibt die Dämpferschicht 8 einen äußeren Umfang der Schutzfolie 4 und ist mit der Wafervorderseite 1 in direktem Kontakt. Diese Anordnung stellt ein besonders stabiles und robustes Anbringen der Schutzabdeckung 410, insbesondere der Schutzfolie 4, an der Wafervorderseite 1 bereit. Die Festigkeit dieser Anbringung kann ferner durch Härten der Dämpferschicht 8 verbessert werden.
Nachfolgend wird die hintere Seite 6 des Wafers W im Wesentlichen auf die gleiche wie oben für die dritte Ausführungsform beschriebene Weise geschliffen. Das Ergebnis dieses Schleifvorgangs wird in 17 gezeigt.
Die weitere Bearbeitung des Wafers W, das heißt dessen Schneiden und das Aufnehmen der getrennten Chips oder Dies, kann im Wesentlichen auf die gleiche wie oben für die erste Ausführungsform erläuterte Weise ausgeführt werden.

Claims

Schutzabdeckung (10, 110, 210, 310, 410) für eine Verwendung bei einer Bearbeitung eines halbleitergroßen Wafers (W), wobei die Schutzabdeckung (10, 110, 210, 310, 410) aufweist: eine Schutzfolie (4); und eine Dämpferschicht (8), die an einer hinteren Fläche (4b) der Schutzfolie (4) angebracht ist, wobei zumindest in einem mittigen Bereich der Schutzabdeckung (10, 110, 210, 310, 410) kein Haftmittel auf eine vordere Fläche (4a) und eine hintere Fläche (8b, 9b) der Schutzabdeckung (10, 110, 210, 310, 410) aufgebracht ist und der mittige Bereich einen äußeren Durchmesser aufweist, der gleich wie oder größer als ein äußerer Durchmesser des halbleitergroßen Wafers (W) ist.
Schutzabdeckung (10, 110, 210, 310, 410) nach Anspruch 1, bei welcher der äußere Durchmesser des mittigen Bereichs in einem Bereich von 3 bis 50 cm ist.
Schutzabdeckung (10, 110, 210, 310, 410) nach Anspruch 1 oder 2, bei dem auf der gesamten vorderen Fläche (4a) und/oder der gesamten hinteren Fläche (8b, 9b) der Schutzabdeckung (10, 110, 210, 310, 410) kein Haftmittel aufgebracht ist.
Schutzabdeckung (110, 210) nach Anspruch 1 oder 2, bei der eine im Wesentlichen ringförmige Haftmittelschicht (42) auf einen äußeren Umfangsabschnitt einer vorderen Fläche (4a) der Schutzfolie (4) aufgebracht ist, die deren hinteren Fläche (4b) gegenüberliegt.
Schutzabdeckung (110, 210) nach Anspruch 4, bei der ein innerer Durchmesser der im Wesentlichen ringförmigen Haftmittelschicht (42) im Wesentlichen gleich wie oder größer als ein innerer Durchmesser eines halbleitergroßen ringförmigen Rahmens (40) zum Halten des halbleitergroßen Wafers (W) ist.
Schutzabdeckung (10, 310, 410) für eine Verwendung bei einer Bearbeitung eines Wafers (W), wobei die Schutzabdeckung (10, 310, 410) aufweist: eine Schutzfolie (4); und eine Dämpferschicht (8), die an einer hinteren Fläche (4b) der Schutzfolie (4) angebracht ist, wobei an einer gesamten vorderen Fläche (4a) und einer gesamten hinteren Fläche (8b, 9b) der Schutzabdeckung (10, 310, 410) kein Haftmittel aufgebracht ist.
Schutzabdeckung (10, 110, 210, 310, 410) nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei welcher die Dämpferschicht (8) durch einen äußeren Stimulus, wie zum Beispiel UV-Strahlung, Wärme, ein elektrisches Feld und/oder eine chemische Verbindung, härtbar ist.
Schutzabdeckung (10, 110, 210, 310, 410) nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei der die Dämpferschicht (8) eine Dicke in einem Bereich von 20 bis 500 µm aufweist.
Schutzabdeckung (10, 110, 210, 310, 410) nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei der die Schutzfolie (4) eine Dicke in einem Bereich von 5 bis 200 µm aufweist.
Schutzabdeckung (10, 110, 210, 310, 410) nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei der die Schutzfolie (4) aus einem Polymer, insbesondere einem Polyolefin, hergestellt ist.
Handhabungssystem für einen halbleitergroßen Wafer (W), das aufweist: einen halbleitergroßen ringförmigen Rahmen (40); und die Schutzabdeckung (110, 210) nach Anspruch 4 oder 5 oder einem der Ansprüche 7 bis 10 in Abhängigkeit von Anspruch 4 oder 5, wobei die Schutzabdeckung (110, 210) über die im Wesentlichen ringförmige Haftmittelschicht (42) an dem ringförmigen Rahmen (40) angebracht ist, sodass eine mittige Öffnung des ringförmigen Rahmens (40) durch die Schutzabdeckung (110, 210) verschlossen ist.
Kombination, die aufweist: einen halbleitergroßen Wafer (W), der auf einer Seite (1) einen Bauelementbereich (2) mit einer Vielzahl von Bauelementen (7) aufweist; und die Schutzabdeckung (10, 110, 210, 310, 410) nach einem der Ansprüche 1 bis 5 und einen der Ansprüche 7 bis 10 in Abhängigkeit von einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Schutzabdeckung (10, 110, 210, 310, 410) an der einen Seite (1) des halbleitergroßen Wafers (W) angebracht ist, sodass der halbleitergroße Wafer (W) in dem mittigen Bereich der Schutzabdeckung (10, 110, 210, 310, 410) angeordnet ist, und eine vordere Fläche (4a) der Schutzfolie (4), die deren hinteren Fläche (4b) gegenüberliegt, mit der einen Seite (1) des halbleitergroßen Wafers (W) in direktem Kontakt ist.
Kombination, die aufweist: einen Wafer (W), der auf einer Seite (1) einen Bauelementbereich (2) mit einer Vielzahl von Bauelementen (7) aufweist; und die Schutzabdeckung (10, 310, 410) nach Anspruch 6 oder einem der Ansprüche 7 bis 10 in Abhängigkeit von Anspruch 6, wobei die Schutzabdeckung (10, 310, 410) an der einen Seite (1) des Wafers (w) angebracht ist, sodass eine vordere Fläche (4a) der Schutzfolie (4), die deren hinteren Fläche (4b) gegenüberliegt, mit der einen Seite (1) des Wafers (W) in direktem Kontakt ist.