DE102017208405B4 - Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Schutzfolie - Google Patents

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Abstract

Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers (W), der an einer Seite (1) einen Bauelementbereich (2) mit mehreren Bauelementen (7) aufweist, wobei das Verfahren umfasst:Bereitstellen einer Schutzfolie (4);Aufbringen der Schutzfolie (4) auf die eine Seite (1) des Wafers (W) zum Abdecken der Bauelemente (7) an dem Wafer (W), so dass eine vordere Oberfläche (4a) der Schutzfolie (4) mit der einen Seite (1) des Wafers (W) in unmittelbarem Kontakt steht, wobei zwischen der vorderen Oberfläche (4a) der Schutzfolie (4) und der einen Seite (1) des Wafers (W) kein Haftmittel vorliegt;Erwärmen der Schutzfolie (4) während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie (4) auf die eine Seite (1) des Wafers (W), so dass die Schutzfolie (4) an der einen Seite (1) des Wafers (W) angebracht wird; undBearbeiten der Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, wobeidie Schutzfolie (4) aus einem Polymer besteht, undeine Dämpferschicht (8) an einer hinteren Oberfläche (4b) der Schutzfolie (4), die deren vorderer Oberfläche (4a) gegenüberliegt, angebracht ist.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers, wie zum Beispiel eines Halbleiterwafers, der an einer Seite einen Bauelementbereich mit mehreren Bauelementen aufweist, und eine Schutzfolie zur Verwendung in einem solchen Verfahren.
  • Technischer Hintergrund
  • Bei einem Halbleiterbauelement-Herstellverfahren wird ein Wafer, der einen Bauelementbereich mit mehreren Bauelementen aufweist, die üblicherweise durch mehrere Trennlinien abgeteilt sind, in einzelne Chips geteilt. Dieses Herstellverfahren umfasst üblicherweise einen Schleifschritt zum Einstellen der Waferdicke und einen Schneidschritt zum Schneiden des Wafers entlang der Trennlinien, um die einzelnen Chips zu erhalten. Der Schleifschritt wird von einer Rückseite des Wafers aus durchgeführt, die einer Wafervorderseite, an welcher der Bauelementbereich ausgebildet ist, gegenüberliegt. Außerdem können auch andere Bearbeitungsschritte, wie zum Beispiel Polieren und/oder Ätzen, an der Rückseite des Wafers durchgeführt werden.
  • Um die an dem Wafer ausgebildeten Bauelemente während der Bearbeitung des Wafers zu schützen, zum Beispiel vor Bruch, Verformung und/oder Verunreinigung durch Schmutzpartikel, Schleifwasser oder Schneidwasser, kann eine Schutzfolie oder Schutzabdeckung vor der Bearbeitung auf die Vorderseite des Wafers aufgebracht werden.
  • Ein solcher Schutz der Bauelemente ist besonders wichtig, wenn der Bauelementbereich eine unebene Oberflächenstruktur aufweist. Zum Beispiel wird bei bekannten Halbleiterbauelement-Herstellverfahren, wie zum Beispiel einer Wafer-Level-Chip-Scale-Packung (WLCSP), der Bauelementbereich des Wafers mit mehreren Vorsprüngen, wie zum Beispiel Bumps, ausgebildet, die von einer ebenen Oberfläche des Wafers hervorstehen. Diese Vorsprünge werden zum Beispiel zum Herstellen eines elektrischen Kontakts mit den Bauelementen in den einzelnen Chips verwendet, zum Beispiel wenn die Chips in elektronische Geräte, wie zum Beispiel Mobiltelefone und PCs, aufgenommen werden.
  • Um eine Größenverringerung solcher elektronischer Geräte zu erreichen, muss die Größe der Halbleiterbauelemente verringert werden. Daher werden die Wafer, welche die daran ausgebildeten Bauelemente aufweisen, in dem oben genannten Schleifschritt auf Dicken im um-Bereich, zum Beispiel in dem Bereich von 20 bis 100 um, geschliffen.
  • Bei bekannten Halbleiterbauelement-Herstellverfahren können Probleme während der Bearbeitung, zum Beispiel in dem Schleifschritt, auftreten, falls Vorsprünge, wie zum Beispiel Bumps, in dem Bauelementbereich vorliegen. Insbesondere wird das Bruchrisiko des Wafers währen der Bearbeitung wegen des Vorhandenseins dieser Vorsprünge erheblich erhöht. Ferner können die Vorsprünge des Bauelementbereichs an der Vorderseite des Wafers eine Verformung der Waferrückseite bewirken, falls der Wafer auf eine geringe Dicke, wie zum Beispiel eine Dicke im um-Bereich, geschliffen wird, wodurch die Qualität der resultierenden Chips beeinträchtigt wird.
  • Deshalb ist die Verwendung einer Schutzfolie oder einer Schutzabdeckung von besonderer Wichtigkeit, wenn Wafer mit Bauelementbereichen, die solche unebenen Oberflächenstrukturen aufweisen, bearbeitet werden.
  • Jedoch besteht insbesondere für den Fall empfindlicher Bauelemente, wie zum Beispiel MEMS, ein Problem dahingehend, dass die Bauelementstruktur an dem Wafer durch die Haftkraft einer Haftmittelschicht, die an der Schutzfolie oder Schutzabdeckung ausgebildet ist, beschädigt werden kann oder durch Haftmittelrückstände an den Bauelementen verunreinigt werden kann, wenn die Folie oder Abdeckung von dem Wafer abgezogen wird.
  • Daher besteht weiterhin ein Bedarf nach einem zuverlässigen und effizienten Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers mit einem Bauelementbereich, das es ermöglicht, das Risiko einer Verunreinigung und einer Beschädigung des Wafers zu minimieren.
  • DE 10 2015 216 619A1 , JP 2005 - 191 296 A , JP 2010 - 27 685 A , JP 2013 - 243 224 A und WO 2017 / 036 512 A1 stellen weiteren Stand der Technik dar.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Dementsprechend ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein zuverlässiges und effizientes Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers mit einem Bauelementbereich, das es ermöglicht, das Risiko einer Verunreinigung und einer Beschädigung des Wafers zu minimieren, und eine Schutzfolie zur Verwendung in einem solchen Verfahren bereitzustellen. Dieses Ziel wird durch ein Waferbearbeitungsverfahren mit den technischen Merkmalen des Anspruchs 1, durch ein Waferbearbeitungsverfahren mit den technischen Merkmalen des Anspruchs 2, durch ein Waferbearbeitungsverfahren mit den technischen Merkmalen des Anspruchs 14, durch eine Schutzfolie mit den technischen Merkmalen des Anspruchs 19 und durch eine Schutzfolie mit den technischen Merkmalen des Anspruchs 20 erreicht. Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung folgen aus den abhängigen Ansprüchen.
  • Die Erfindung stellt ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers bereit, der an einer Seite einen Bauelementbereich mit mehreren Bauelementen aufweist. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen einer Schutzfolie oder Schutzschicht und ein Aufbringen der Schutzfolie oder Schutzschicht auf die eine Seite des Wafers zum Abdecken der Bauelemente an dem Wafer, so dass eine vordere Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht in unmittelbarem Kontakt mit der einen Seite des Wafers steht, wobei zwischen der vorderen Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht und der einen Seite des Wafers kein Haftmittel vorliegt. Ferner umfasst das Verfahren ein Erwärmen der Schutzfolie oder Schutzschicht während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie oder Schutzschicht auf die eine Seite des Wafers, so dass die Schutzfolie oder Schutzschicht an der einen Seite des Wafers angebracht wird, und ein Bearbeiten der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt. Die Schutzfolie oder Schutzschicht besteht aus einem Polymer. Eine Dämpferschicht ist an einer hinteren Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht, die deren vorderer Oberfläche gegenüberliegt, angebracht.
  • Die Erfindung stellt ferner ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers bereit, der an einer Seite einen Bauelementbereich mit mehreren Bauelementen aufweist. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen einer Schutzfolie oder Schutzschicht und ein Aufbringen der Schutzfolie oder Schutzschicht auf die eine Seite des Wafers zum Abdecken der Bauelemente an dem Wafer, so dass eine vordere Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht in unmittelbarem Kontakt mit der einen Seite des Wafers steht, wobei zwischen der vorderen Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht und der einen Seite des Wafers kein Haftmittel vorliegt. Ferner umfasst das Verfahren ein Erwärmen der Schutzfolie oder Schutzschicht während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie oder Schutzschicht auf die eine Seite des Wafers, so dass die Schutzfolie oder Schutzschicht an der einen Seite des Wafers angebracht wird, so dass eine hintere Oberfläche der an der einen Seite des Wafers angebrachten Schutzfolie oder Schutzschicht nach außen freiliegt, wobei die hintere Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht deren vorderer Oberfläche gegenüberliegt, und ein Bearbeiten der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt. Die Schutzfolie oder Schutzschicht besteht aus einem Polymer.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht wird auf die eine Seite des Wafers, das heißt auf die Wafervorderseite, so aufgebracht, dass die vordere Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht in unmittelbarem Kontakt mit der einen Seite des Wafers steht. Daher liegt zwischen der vorderen Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht und der einen Seite des Wafers kein Material, insbesondere kein Haftmittel, vor.
  • Deshalb kann eine mögliche Verunreinigung oder Beschädigung der in dem Bauelementbereich ausgebildeten Bauelemente, zum Beispiel durch eine Haftkraft einer Haftmittelschicht oder Haftmittelrückstände an den Bauelementen, verhindert werden.
  • Während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie oder Schutzschicht auf die eine Seite des Wafers wird die Schutzfolie oder Schutzschicht erwärmt, so dass die Schutzfolie oder Schutzschicht an der einen Seite des Wafers angebracht wird. Eine Anbringkraft zwischen Schutzfolie oder Schutzschicht und Wafer, welche die Schutzfolie oder Schutzschicht in ihrer Position an dem Wafer hält, wird somit durch den Erwärmvorgang erzeugt. Daher ist kein zusätzliches Haftmittelmaterial zum Anbringen der Schutzfolie oder Schutzschicht an der einen Seite des Wafers erforderlich.
  • Insbesondere kann durch Erwärmen der Schutzfolie oder Schutzschicht ein Formschluss, wie zum Beispiel eine formschlüssige Verbindung, und/oder ein Stoffschluss, wie zum Beispiel eine stoffschlüssige Verbindung, zwischen der Schutzfolie oder Schutzschicht und dem Wafer ausgebildet werden. Die Begriffe „Stoffschluss“ und „stoffschlüssige Verbindung“ definieren eine Anbringung oder Verbindung zwischen Schutzfolie oder Schutzschicht und Wafer aufgrund von atomaren und/oder molekularen Kräften, die zwischen diesen zwei Komponenten wirken.
  • Der Begriff „stoffschlüssige Verbindung“ betrifft das Vorliegen dieser atomaren und/oder molekularen Kräfte, die so wirken, dass sie die Schutzfolie oder Schutzschicht an dem Wafer anbringen oder anhaften, und impliziert nicht das Vorliegen eines zusätzlichen Haftmittels zwischen Schutzfolie oder Schutzschicht und Wafer. Vielmehr steht die vordere Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht in unmittelbarem Kontakt mit der einen Seite des Wafers, wie oben ausgeführt wurde.
  • Das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung ermöglicht somit eine zuverlässige und effiziente Bearbeitung eines Wafers mit einem Bauelementbereich, wobei das Risiko einer Verunreinigung und Beschädigung des Wafers, insbesondere der in dem Bauelementbereich ausgebildeten Bauelemente, minimiert wird.
  • Das Verfahren kann ferner umfassen, die Schutzfolie oder Schutzschicht nach dem Erwärmvorgang abkühlen zu lassen. Insbesondere kann der Schutzfolie oder Schutzschicht gestattet werden, auf ihre Anfangstemperatur, das heißt auf deren Temperatur vor dem Erwärmvorgang, abzukühlen. Es kann der Schutzfolie oder Schutzschicht vor dem Bearbeiten der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, das heißt der Waferrückseite, gestattet werden, abzukühlen, zum Beispiel auf deren Anfangstemperatur abzukühlen.
  • Wie oben ausgeführt wurde, wird durch den Erwärmvorgang eine Anbringkraft zwischen Schutzfolie oder Schutzschicht und Wafer erzeugt. Die Anbringung der Schutzfolie oder Schutzschicht an dem Wafer kann in dem Erwärmvorgang selbst und/oder in einem nachfolgenden Vorgang des Abkühlenlassens der Schutzfolie oder Schutzschicht bewirkt werden.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht kann durch den Erwärmvorgang erweicht werden, zum Beispiel so dass diese sich der Waferoberfläche an der einen Seite des Wafers anpasst, wobei zum Beispiel die Wafertopographie absorbiert wird. Beim Abkühlen, zum Beispiel auf die Anfangstemperatur, kann die Schutzfolie oder Schutzschicht sich wieder erhärten, zum Beispiel so dass ein Formschluss und/oder ein Stoffschluss mit dem Wafer erzeugt wird.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht kann bis zu einer Temperatur von 180 °C oder mehr, vorzugsweise bis zu einer Temperatur von 220 °C oder mehr und bevorzugter bis zu einer Temperatur von 250 °C oder mehr wärmebeständig sein.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht kann auf eine Temperatur in dem Bereich von 60 °C bis 150 °C, vorzugsweise 70 °C bis 140 °C, bevorzugter 80 °C bis 130 °C und noch bevorzugter 90 °C bis 120 °C erwärmt werden. Besonders bevorzugt wird die Schutzfolie oder Schutzschicht auf eine Temperatur von annähernd 100 °C erwärmt.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht kann über eine Zeitdauer in dem Bereich von 1 Min bis 10 Min, vorzugsweise 1 Min bis 8 Min, bevorzugter 1 Min bis 6 Min, noch bevorzugter 1 Min bis 4 Min und sogar noch bevorzugter 1 Min bis 3 Min während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie oder Schutzschicht auf die eine Seite des Wafers erwärmt werden.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht kann direkt und/oder indirekt erwärmt werden.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht kann erwärmt werden, indem Wärme direkt auf diese aufgebracht wird, zum Beispiel unter Verwendung eines Wärmeaufbringmittels, wie zum Beispiel einer erwärmten Walze, eines erwärmten Stempels oder dergleichen, oder eines Wärmeabstrahlmittels. Die Schutzfolie oder Schutzschicht und der Wafer können in einer Aufnahme oder Kammer, wie zum Beispiel einer Vakuumkammer, angeordnet werden und ein inneres Volumen der Aufnahme oder Kammer kann erwärmt werden, so dass die Schutzfolie oder Schutzschicht erwärmt wird. Die Aufnahme oder Kammer kann mit einem Wärmeabstrahlmittel versehen sein.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht kann indirekt erwärmt werden, zum Beispiel indem der Wafer vor und/oder während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie oder Schutzschicht auf die eine Seite des Wafers erwärmt wird. Zum Beispiel kann der Wafer durch Anordnen des Wafers an einer Auflage oder einem Träger, wie zum Beispiel einem Einspanntisch, und Erwärmen der Auflage oder des Trägers erwärmt werden.
  • Zum Beispiel kann die Auflage oder der Träger, wie zum Beispiel ein Einspanntisch, auf eine Temperatur in dem Bereich von 60 °C bis 150 °C, vorzugsweise 70 °C bis 140 °C, bevorzugter 80 °C bis 130 °C und noch bevorzugter 90 °C bis 120 °C erwärmt werden. Besonders bevorzugt kann die Auflage oder der Träger auf eine Temperatur von annähernd 100 °C erwärmt werden.
  • Diese Ansätze können auch kombiniert werden, zum Beispiel indem ein Wärmeaufbringmittel, wie zum Beispiel eine erwärmte Walze oder dergleichen, oder ein Wärmeabstrahlmittel zum direkten Erwärmen der Schutzfolie oder Schutzschicht verwendet werden und außerdem die Schutzfolie oder Schutzschicht indirekt durch den Wafer erwärmt wird.
  • Es wird bevorzugt, dass die Schutzfolie oder Schutzschicht biegsam, elastisch, flexibel, dehnbar, weich und/oder kompressibel ist, wenn diese sich in ihrem erwärmten Zustand befindet. Auf diese Weise kann besonders zuverlässig gewährleistet werden, dass die Schutzfolie oder Schutzschicht sich der Waferoberfläche an der einen Seite des Wafers anpasst, wobei zum Beispiel die Wafertopographie absorbiert wird. Dies ist besonders vorteilhaft, wenn der Bauelementbereich mit Vorsprüngen ausgebildet ist, die von einer ebenen Oberfläche des Wafers hervorstehen, wie nachfolgend weiter ausgeführt wird.
  • Vorzugsweise erhärtet oder versteift sich die Schutzfolie oder Schutzschicht zumindest bis zu einem gewissen Grad beim Abkühlen, so dass sie im abgekühlten Zustand steifer und/oder robuster wird. Auf diese Weise kann ein besonders zuverlässiger Schutz der Bauelemente während der nachfolgenden Bearbeitung des Wafers, wie zum Beispiel eines Schleifens und/oder Polierens, gewährleistet werden.
  • Das Verfahren kann ferner ein Entfernen der Schutzfolie oder Schutzschicht von dem Wafer nach der Bearbeitung von dessen Rückseite umfassen. Vor und/oder während dem Entfernen der Schutzfolie oder Schutzschicht von dem Wafer kann die Schutzfolie oder Schutzschicht erwärmt werden. Auf diese Weise kann der Entfernvorgang erleichtert werden.
  • Der Bauelementbereich kann ferner mehrere Trennlinien aufweisen, welche die mehreren Bauelemente abteilen.
  • Der Wafer kann ferner an dessen Vorderseite einen Umfangsrandbereich aufweisen, der keine Bauelemente aufweist und um den Bauelementbereich herum ausgebildet ist.
  • Der Wafer kann zum Beispiel ein Halbleiterwafer, ein Glaswafer, ein Saphirwafer, ein Keramikwafer, wie zum Beispiel ein Aluminiumoxid (Al2O3) -Keramikwafer, ein Quarzwafer, ein Zirkonoxidwafer, ein PZT (Bleizirkonattitanat)-Wafer, ein Polycarbonatwafer, ein Wafer aus Metall (zum Beispiel Kupfer, Eisen, Edelstahl, Aluminium oder dergleichen) oder einem metallisierten Material, ein Ferritwafer, ein Wafer aus einem optischen Kristallmaterial, ein Wafer, der mit einem Harz, wie zum Beispiel einem Epoxidharz, beschichtet oder aus diesem geformt ist, oder dergleichen sein.
  • Insbesondere kann der Wafer zum Beispiel ein Si-Wafer, ein GaAs-Wafer, ein GaN-Wafer, ein GaP-Wafer, ein InAs-Wafer, ein InP-Wafer, ein SiC-Wafer, ein SiN-Wafer, ein LT (Lithiumtantalat)-Wafer, ein LN (Lithiumniobat)-Wafer, oder dergleichen sein.
  • Der Wafer kann aus einem einzelnen Material oder aus einer Kombination unterschiedlicher Materialien, wie zum Beispiel zwei oder mehr der oben genannten Materialien, bestehen. Zum Beispiel kann der Wafer ein Si- und Glasverbundwafer sein, bei dem ein aus Si bestehendes Waferelement mit einem aus Glas bestehenden Waferelement verbunden ist.
  • Der Wafer kann eine beliebige Art von Form aufweisen. In einer Draufsicht darauf kann der Wafer zum Beispiel eine Kreisform, eine ovale Form, eine elliptische Form oder eine Polygonform, wie zum Beispiel eine rechteckige Form oder eine quadratische Form, aufweisen.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht kann eine beliebige Art von Form aufweisen. In einer Draufsicht darauf kann die Schutzfolie oder Schutzschicht zum Beispiel eine Kreisform, eine ovale Form, eine elliptische Form oder eine Polygonform, wie zum Beispiel eine rechteckige Form oder eine quadratische Form, aufweisen.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht kann im Wesentlichen die gleiche Form wie der Wafer oder die gleiche Form wie der Wafer aufweisen.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht kann im Wesentlichen die gleiche Form oder die gleiche Form wie der Bauelementbereich des Wafers aufweisen. Zum Beispiel kann die Schutzfolie oder Schutzschicht einen äußeren Durchmesser aufweisen, der im Wesentlichen der gleiche wie ein äußerer Durchmesser des Bauelementbereichs ist, und kann die Schutzfolie oder Schutzschicht im Wesentlichen die gleich Form oder die gleiche Form wie der Bauelementbereich des Wafers aufweisen.
  • Der Bauelementbereich kann mit mehreren Vorsprüngen oder Erhebungen, die von einer ebenen Oberfläche des Wafers hervorstehen, ausgebildet sein. Die von der ebenen Oberfläche des Wafers hervorstehenden Vorsprünge oder Erhebungen können in der Schutzfolie oder Schutzschicht eingebettet werden.
  • Die Vorsprünge oder Erhebungen, wie zum Beispiel Bumps, können von einer ebenen Oberfläche des Wafers, die eine im Wesentlichen glatte Oberfläche ist, hervorstehen, sich von dieser erstecken oder von dieser vorspringen. Die Vorsprünge oder Erhebungen können eine Oberflächenstruktur oder Topographie der einen Seite des Wafers, das heißt dessen Vorderseite, definieren, wodurch diese eine Seite uneben wird.
  • Diese Vorsprünge oder Erhebungen können zum Beispiel zum Herstellen eines elektrischen Kontakts mit den Bauelementen in einzelnen Bausteinen oder Chips nachdem der Wafer geteilt wurde verwendet werden, zum Beispiel wenn die Bausteine oder Chips in elektronische Geräte, wie zum Beispiel Mobiltelefone und PCs, aufgenommen werden.
  • Die Vorsprünge können unregelmäßig oder in einem gleichmäßigen Muster angeordnet sein. Nur einige der Vorsprünge können in einem gleichmäßigen Muster angeordnet sein.
  • Die Vorsprünge können eine beliebige Art von Form aufweisen. Zum Beispiel können einige oder alle der Vorsprünge die Form von Kugeln, Halbkugeln, Pfeilern oder Säulen, zum Beispiel Pfeilern oder Säulen mit einem kreisförmigen, elliptischen oder polygonalen, wie zum Beispiel dreieckigen, quadratischen etc., Querschnitt oder mit einer kreisförmigen, elliptischen oder polygonalen, wie zum Beispiel dreieckigen, quadratischen etc., Grundfläche, Kegeln, Kegelstümpfen oder Stufen aufweisen.
  • Wenigstens einige der Vorsprünge können aus Elementen entstehen, die an der ebenen Oberfläche des Wafers ausgebildet sind. Wenigstens einige der Vorsprünge können aus Elementen entstehen, die den Wafer in dessen Dickenrichtung teilweise oder vollständig durchdringen, zum Beispiel für den Fall einer Silizium-Durchkontaktierung (TSV). Diese letzteren Elemente können sich entlang eines Teils der Waferdicke oder entlang der gesamten Waferdicke erstrecken.
  • Die Vorsprünge können eine Höhe in der Dickenrichtung des Wafers in dem Bereich von 20 bis 500 um, vorzugsweise 30 bis 400 um, bevorzugter 40 bis 250 um, noch bevorzugter 50 bis 200 um und sogar noch bevorzugter 70 bis 150 um aufweisen.
  • Alle Vorsprünge können im Wesentlichen die gleiche Form und/oder Größe aufweisen. Alternativ können sich wenigstens einige der Vorsprünge hinsichtlich der Form und/oder der Größe voneinander unterscheiden.
  • Bei dem Waferbearbeitungsverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung können die Vorsprünge oder Erhebungen, die von der ebenen Oberfläche des Wafers hervorstehen, in der Schutzfolie oder Schutzschicht eingebettet werden. Daher kann ein negativer Einfluss der Oberflächenunebenheit, die aus dem Vorliegen der Vorsprünge in dem Bauelementbereich entsteht, auf nachfolgende Waferbearbeitungsschritte verringert oder sogar beseitigt werden.
  • Insbesondere können die Vorsprünge durch Einbetten der Vorsprünge in der Schutzfolie oder Schutzschicht vor einer Beschädigung während der Waferbearbeitung, zum Beispiel in nachfolgenden Schleif- und/oder Schneidschritten, geschützt werden.
  • Ferner können die Vorsprünge des Bauelementbereichs an der Vorderseite des Wafers wegen der verringerten Dicke des Wafers und des in dem Schleifvorgang auf diesen ausgeübten Drucks eine Verformung der Waferrückseite bewirken, falls der Wafer auf eine geringe Dicke, zum Beispiel eine Dicke im um-Bereich, geschliffen wird. Dieser letztere Effekt wird als „Musterübertragung“ bezeichnet, da das Muster der Vorsprünge an der Wafervorderseite auf die Waferrückseite übertragen wird, und führt zu einer unerwünschten Unebenheit der Rückseitenoberfläche des Wafers, wodurch die Qualität der resultierenden Bausteine oder Chips beeinträchtigt wird.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht wirkt als ein Dämpfer oder Puffer zwischen der Wafervorderseite und zum Beispiel einer Auflage oder einem Träger, an der oder dem die Wafervorderseite während der Bearbeitung, zum Beispiel des Schleifens und/oder Polierens, der Waferrückseite aufliegt, wodurch dazu beigetragen wird, eine gleichmäßige und einheitliche Verteilung des Drucks während der Bearbeitung zu erreichen. Daher kann eine Musterübertragung oder ein Brechen des Wafers während des Bearbeitens von dessen Rückseite verhindert werden.
  • Das Verfahren kann ferner umfassen, während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie oder Schutzschicht auf die eine Seite des Wafers Druck auf eine hintere Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht, die deren vorderer Oberfläche gegenüberliegt, aufzubringen. Auf diese Weise wird die vordere Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht gegen die eine Seite des Wafers gedrückt. Daher kann besonders effizient gewährleistet werden, dass die Schutzfolie oder Schutzschicht zuverlässig an dem Wafer angebracht wird.
  • Der Druck kann auf die hintere Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht vor und/oder während und/oder nach dem Erwärmen der Schutzfolie oder Schutzschicht aufgebracht werden. Der Druck kann vor dem Bearbeiten der Rückseite des Wafers auf die hintere Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht aufgebracht werden.
  • Der Druck kann durch ein Druckaufbringmittel, wie zum Beispiel eine Walze, einen Stempel, eine Membran oder dergleichen, auf die hintere Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht aufgebracht werden.
  • Besonders bevorzugt kann ein kombiniertes Wärme-und-DruckAufbringmittel, wie zum Beispiel eine erwärmte Walze oder ein erwärmter Stempel, verwendet werden. In diesem Fall kann ein Druck auf die hintere Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht aufgebracht werden, während gleichzeitig die Schutzfolie oder Schutzschicht erwärmt wird.
  • Der Druck kann in einer Vakuumkammer auf die hintere Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht aufgebracht werden, wie nachfolgend näher ausgeführt wird.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht kann in einer Atmosphäre mit verringertem Druck, insbesondere unter einem Vakuum, auf die Vorderseite des Wafers aufgebracht und/oder an dieser angebracht werden. Auf diese Weise kann zuverlässig gewährleistet werden, dass keine Hohlräume und/oder Luftblasen zwischen der Schutzfolie oder Schutzschicht und dem Wafer vorliegen. Daher wird eine Spannung oder Belastung an dem Wafer während der Bearbeitung von dessen Rückseite, zum Beispiel aufgrund dessen, dass solche Luftblasen sich in dem Erwärmvorgang aufweiten, vermieden.
  • Zum Beispiel kann oder können der Schritt oder die Schritte des Aufbringens und/oder Anbringens der Schutzfolie oder Schutzschicht an der einen Seite des Wafers in einer Vakuumkammer durchgeführt werden. Insbesondere kann die Schutzfolie oder Schutzschicht durch Verwendung einer Vakuumlaminiereinrichtung an die eine Seite des Wafers aufgebracht und/oder angebracht werden. Bei einer solchen Vakuumlaminiereinrichtung wird der Wafer auf einem Einspanntisch in einer Vakuumkammer in einem Zustand angeordnet, in dem die Waferrückseite mit einer oberen Oberfläche des Einspanntischs in Kontakt steht und die Wafervorderseite nach oben gerichtet ist. Der Einspanntisch kann zum Beispiel ein erwärmter Einspanntisch sein.
  • Die auf die Wafervorderseite aufzubringende Schutzfolie oder Schutzschicht wird an deren Umfangsabschnitt durch einen ringförmigen Rahmen gehalten und oberhalb der Wafervorderseite in der Vakuumkammer angeordnet. Ein oberer Teil der Vakuumkammer, der oberhalb des Einspanntischs und des ringförmigen Rahmens angeordnet ist, ist mit einer Lufteinlassöffnung versehen, die durch eine aufweitbare Gummimembran geschlossen ist.
  • Nachdem der Wafer und die Schutzfolie in die Vakuumkammer geladen wurden, wird die Kammer ausgepumpt und der Gummimembran durch die Lufteinlassöffnung Luft zugeführt, wodurch bewirkt wird, dass sich die Gummimembran in die ausgepumpte Kammer aufweitet. Auf diese Weise wird die Gummimembran nach unten in die Vakuumkammer bewegt, so dass sie die Schutzfolie oder Schutzschicht gegen die Wafervorderseite drückt, den umfänglichen Waferabschnitt mit der Schutzfolie oder Schutzschicht abdichtet und die Folie oder Schicht gegen den Bauelementbereich an der Wafervorderseite drück. Daher kann die Schutzfolie dicht auf die Wafervorderseite aufgebracht werden, so dass sie dem Profil des Bauelementbereichs, zum Beispiel dem Profil von darin vorliegenden Vorsprüngen oder Erhebungen, folgt.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht kann während und/oder nach deren Aufbringen auf die eine Seite des Wafers erwärmt werden, zum Beispiel durch Erwärmen des Einspanntischs.
  • Nachfolgend wird das Vakuum in der Vakuumkammer gelöst und die Schutzfolie oder Schutzschicht durch die Anbringkraft, die durch den Erwärmvorgang und den Überdruck in der Vakuumkammer erzeugt wird, in ihrer Position an der Wafervorderseite gehalten.
  • Alternativ kann die Gummimembran durch einen weichen Stempel oder eine weiche Walze, wie zum Beispiel einen erwärmten weichen Stempel oder eine erwärmte weiche Walze, ersetzt werden.
  • Das Bearbeiten der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, das heißt der Waferrückseite, kann ein Schleifen und/oder Polieren und/oder Ätzen der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, umfassen oder aus diesem bestehen.
  • Insbesondere kann das Bearbeiten der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, ein Schleifen der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, zum Einstellen der Waferdicke umfassen oder aus diesem bestehen. In diesem Fall kann das Verfahren gemäß der Erfindung in einer besonders vorteilhaften Weise verwendet werden.
  • Speziell wird in dem Schleifvorgang ein erheblicher Druck auf die Rückseite des Wafers ausgeübt. Dieser Druck kann eine Beschädigung des Wafers bewirken, wie zum Beispiel ein Brechen und/oder eine Verformung desselben, insbesondere wenn der Wafer auf eine geringe Dicke, wie zum Beispiel eine Dicke im um-Bereich, geschliffen wird. Zum Beispiel kann ein Muster von an der Wafervorderseite ausgebildeten Vorsprüngen oder Erhebungen auf die Waferrückseite übertragen werden, wie oben ausgeführt wurde.
  • Bei dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung wirkt die Schutzfolie oder Schutzschicht als ein Dämpfer oder Puffer zwischen der Wafervorderseite und zum Beispiel einer Auflage oder einem Träger, wie zum Beispiel einem Einspanntisch, an der oder dem die Wafervorderseite während des Schleifens der Waferrückseite aufliegt. Daher kann eine gleichmäßigere und einheitlichere Verteilung des Drucks während des Schleifens erreicht werden, wodurch das Risiko einer Musterübertragung oder eines Brechens des Wafers während des Schleifens verringert oder sogar beseitigt werden kann.
  • Das Verfahren kann ferner ein Schneiden des Wafers, zum Beispiel entlang von Trennlinien, welche die mehreren Bauelemente abteilen, umfassen.
  • Der Wafer kann von dessen Vorderseite oder Rückseite aus geschnitten werden. Das Schneiden des Wafers kann einen Teil des Bearbeitens der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, bilden oder dieses Bearbeiten darstellen.
  • Das Schneiden kann durch mechanisches Schneiden, zum Beispiel durch Klingenzerteilen oder Sägen, und/oder durch Laserschneiden und/oder durch Plasmaschneiden durchgeführt werden. Der Wafer kann in einem einzelnen mechanischen Schneidschritt, einem einzelnen Laserschneidschritt oder einem einzelnen Plasmaschneidschritt geschnitten werden. Alternativ kann der Wafer durch eine Abfolge von mechanischen Schneidschritten und/oder Laserschneidschritten und/oder Plasmaschneidschritten geschnitten werden.
  • Ein Laserschneiden kann zum Beispiel durch Ablationslaserschneiden und/oder durch Stealthlaserschneiden, das heißt durch Ausbilden modifizierter Abschnitte innerhalb des Wafers durch das Aufbringen eines Laserstrahls, und/oder durch Ausbilden mehrerer Öffnungsbereiche in dem Wafer durch das Aufbringen eines Laserstrahls durchgeführt werden. Jeder dieser Öffnungsbereiche kann aus einem modifizierten Bereich und einem Raum in dem modifizierten Bereich, der zu einer Oberfläche des Wafers offen ist, bestehen.
  • Das Schneiden des Wafers kann in einem Zustand durchgeführt werden, in dem die Schutzfolie oder Schutzschicht an dem Wafer angebracht ist. Auf diese Weise kann gewährleistet werden, dass der während des Schneidschritts aufgebrachte Druck während des Schneidens gleichmäßiger und einheitlicher über den Wafer verteilt wird, wodurch das Risiko einer Beschädigung des Wafers, zum Beispiel einer Rissbildung an den Seitenwänden der resultierenden Bausteine oder Chips, in dem Schneidschritt verringert oder sogar beseitigt wird. In diesem Fall wird besonders bevorzugt, dass der Wafer von dessen Rückseite aus geschnitten wird.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht kann einen äußeren Durchmesser aufweisen, der größer als ein äußerer Durchmesser des Wafers ist. Auf diese Weise kann die Bearbeitung, die Handhabung und/oder der Transport des Wafers erleichtert werden. Insbesondere kann ein äußerer Umfangsabschnitt der Schutzfolie oder Schutzschicht an einem ringförmigen Rahmen angebracht werden, wie nachfolgend ausgeführt wird.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht kann einen äußeren Durchmesser aufweisen, der kleiner als der äußere Durchmesser des Wafers ist.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht kann einen äußeren Durchmesser aufweisen, der im Wesentlichen der gleiche wie der äußere Durchmesser des Wafers ist.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht kann einen äußeren Durchmesser aufweisen, der im Wesentlichen der gleiche wie ein äußerer Durchmesser des Bauelementbereichs ist. Auf diese Weise wird eine besonders effiziente Verwendung der Ressourcen gewährleistet, während die in dem Bauelementbereich ausgebildeten Bauelemente zuverlässig geschützt werden.
  • Das Verfahren kann ferner ein Schneiden der Schutzfolie oder Schutzschicht umfassen. Die Schutzfolie oder Schutzschicht kann so geschnitten werden, dass sie einen äußeren Durchmesser aufweist, der größer als der äußere Durchmesser des Wafers oder kleiner als der äußere Durchmesser des Wafers oder im Wesentlichen der gleiche wie der äußere Durchmesser des Wafers oder im Wesentlichen der gleiche wie der äußerer Durchmesser des Bauelementbereichs ist.
  • Der Schritt des Schneidens der Schutzfolie oder Schutzschicht kann vor oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie oder Schutzschicht auf den Wafer durchgeführt werden.
  • Der Schritt des Schneidens der Schutzfolie oder Schutzschicht kann vor oder nach dem Anbringen der Schutzfolie oder Schutzschicht an dem Wafer durchgeführt werden.
  • Das Verfahren kann ferner ein Anbringen eines äußeren Umfangsabschnitts der Schutzfolie oder Schutzschicht an einem ringförmigen Rahmen umfassen.
  • Insbesondere kann der äußere Umfangsabschnitt der Schutzfolie oder Schutzschicht so an dem ringförmigen Rahmen angebracht werden, dass die Schutzfolie oder Schutzschicht eine mittlere Öffnung des ringförmigen Rahmens, das heißt den Bereich innerhalb des inneren Durchmessers des ringförmigen Rahmens, schließt. Auf diese Weise wird der Wafer, der an der Schutzfolie oder Schutzschicht, insbesondere an einem mittleren Abschnitt derselben, angebracht ist, durch die Schutzfolie oder Schutzschicht von dem ringförmigen Rahmen gehalten. Daher wird eine Wafereinheit ausgebildet, die den Wafer, die Schutzfolie oder Schutzschicht und den ringförmigen Rahmen umfasst, wodurch die Bearbeitung, die Handhabung und/oder der Transport des Wafers erleichtert wird.
  • Der Schritt des Anbringens des äußeren Umfangsabschnitts der Schutzfolie oder Schutzschicht an dem ringförmigen Rahmen kann vor oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie oder Schutzschicht auf den Wafer durchgeführt werden.
  • Der Schritt des Anbringens des äußeren Umfangsabschnitts der Schutzfolie oder Schutzschicht an dem ringförmigen Rahmen kann vor oder nach dem Anbringen der Schutzfolie oder Schutzschicht an dem Wafer durchgeführt werden.
  • Der Schritt zum Anbringen des äußeren Umfangsabschnitts der Schutzfolie oder Schutzschicht an dem ringförmigen Rahmen kann vor oder nach dem Bearbeiten der Rückseite des Wafers durchgeführt werden.
  • Der ringförmige Rahmen kann ein ringförmiger Rahmen mit Halbleitergröße sein. Hierin bezeichnet der Begriff „ringförmiger Rahmen mit Halbleitergröße“ einen ringförmigen Rahmen mit den Abmessungen (standardisierten Abmessungen), insbesondere dem inneren Durchmesser (standardisierten inneren Durchmesser), eines ringförmigen Rahmens zum Halten eines Halbleiterwafers.
  • Die Abmessungen, insbesondere die inneren Durchmesser, ringförmiger Rahmen zum Halten von Halbleiterwafern sind in den SEMI-Standards definiert. Zum Beispiel sind die Abmessungen von Bandrahmen für 300-mm-Wafer im SEMI-Standard SEMI G74 und die Abmessungen von Kunststoffbandrahmen für 300-mm-Wafer im SEMI-Standard SEMI G87 definiert. Die ringförmigen Rahmen können Rahmengrößen zum Halten von Wafern mit Halbleitergröße mit Größen von zum Beispiel 3 Inch, 4 Inch, 5 Inch, 6 Inch, 8 Inch, 12 Inch oder 18 Inch aufweisen.
  • Der äußere Umfangsabschnitt der Schutzfolie oder Schutzschicht kann durch eine im Wesentlichen ringförmige oder ringförmige Haftmittelschicht an dem ringförmigen Rahmen angebracht werden. Hierin definiert der Begriff „im Wesentlichen ringförmig“, dass die Form der Haftmittelschicht von einem perfekten Ring abweichen kann, zum Beispiel aufgrund des Vorhandenseins einer oder mehrerer ebener oder gerader Abschnitte, Kerben und/oder Nuten. Die im Wesentlichen ringförmige oder ringförmige Haftmittelschicht kann zwischen der Schutzfolie oder Schutzschicht und dem ringförmigen Rahmen angeordnet sein.
  • Die im Wesentlichen ringförmige oder ringförmige Haftmittelschicht kann auf einen äußeren Umfangsabschnitt der vorderen Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht aufgebracht werden. Die Haftmittelschicht kann nur in dem äußeren Umfangsabschnitt der vorderen Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht vorgesehen werden.
  • Die im Wesentlichen ringförmige oder ringförmige Haftmittelschicht kann auf eine Oberfläche des ringförmigen Rahmens aufgebracht werden, die an dem äußeren Umfangsabschnitt der Schutzfolie oder Schutzschicht anzubringen ist.
  • Die im Wesentlichen ringförmige oder ringförmige Haftmittelschicht kann eine durchgehende Haftmittelschicht sein. Alternativ kann die im Wesentlichen ringförmige oder ringförmige Haftmittelschicht eine nicht durchgehende Haftmittelschicht sein. Insbesondere kann bei der im Wesentlichen ringförmigen oder ringförmigen Haftmittelschicht das Haftmittel in einer nicht durchgehenden Form, wie zum Beispiel einer punktierten Form, einer Streifenform, zum Beispiel mit geraden und/oder gekrümmten Streifen, oder dergleichen, vorgesehen werden.
  • Die im Wesentlichen ringförmige oder ringförmige Haftmittelschicht kann bis zu einer Temperatur von 180 °C oder mehr, vorzugsweise bis zu einer Temperatur von 220 °C oder mehr und bevorzugter bis zu einer Temperatur von 250 °C oder mehr wärmebeständig sein.
  • Ein innerer Durchmesser der im Wesentlichen ringförmigen oder ringförmigen Haftmittelschicht kann im Wesentlichen gleich groß wie oder größer als ein innerer Durchmesser eines ringförmigen Rahmens mit Halbleitergröße zum Halten eines Wafers mit Halbleitergröße sein.
  • Hierin bezeichnet der Begriff „Wafer mit Halbleitergröße“ einen Wafer mit den Abmessungen (standardisierten Abmessungen), insbesondere dem Durchmesser (standardisierten Durchmesser), das heißt äußeren Durchmesser, eines Halbleiterwafers. Die Abmessungen, insbesondere die Durchmesser, das heißt die äußeren Durchmesser, von Halbleiterwafern sind in den SEMI-Standards definiert. Zum Beispiel kann der Wafer mit Halbleitergröße ein Si-Wafer sein. Die Abmessungen eines polierten Einkristall-Si-Wafers sind in den SEMI-Standards M1 und M76 definiert. Der Wafer mit Halbleitergröße kann ein 3-Inch-, 4-Inch-, 5-Inch-, 6-Inch-, 8-Inch-, 12-Inch- oder 18-Inch-Wafer sein.
  • Der innere Durchmesser der im Wesentlichen ringförmigen oder ringförmigen Haftmittelschicht ist größer als der äußere Durchmesser des Wafers.
  • Ein äußerer Durchmesser der im Wesentlichen ringförmigen oder ringförmigen Haftmittelschicht kann größer als der innere Durchmesser eines ringförmigen Rahmens mit Halbleitergröße zum Halten eines Wafers mit Halbleitergröße sein.
  • Das Verfahren kann ferner ein Anbringen einer Dämpferschicht an einer hinteren Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht, die deren vorderer Oberfläche gegenüberliegt, umfassen.
  • Der Bauelementbereich kann mit mehreren Vorsprüngen oder Erhebungen, wie zum Beispiel Bumps, die von einer ebenen Oberfläche des Wafers hervorstehen, ausgebildet sein, wie oben ausgeführt wurde. Die Vorsprünge oder Erhebungen, die von der ebenen Oberfläche des Wafers hervorstehen, können in der Dämpferschicht eingebettet werden.
  • Durch Einbetten der Vorsprünge oder Erhebungen in der Dämpferschicht werden die Vorsprünge oder Erhebungen besonders zuverlässig vor einer Beschädigung während der Waferbearbeitung, zum Beispiel in nachfolgenden Schleif- und/oder Schneidschritten, geschützt.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht deckt die in dem Bauelementbereich des Wafers ausgebildeten Bauelemente ab, wodurch die Bauelemente vor Beschädigung und Verunreinigung geschützt werden. Außerdem erleichtert die Schutzfolie oder Schutzschicht das Entfernen der Dämpferschicht von dem Wafer nach der Bearbeitung. Insbesondere können, da die vordere Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht mit der Vorderseite des Wafers in unmittelbarem Kontakt steht, das heißt kein Haftmittel zwischen der vorderen Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht und der Wafervorderseite vorliegt, die Schutzfolie oder Schutzschicht und die Dämpferschicht in einer besonders einfachen und effizienten Weise von dem Wafer entfernt werden.
  • Die Dämpferschicht kann aus einer beliebigen Art von Material ausgebildet werden, die ermöglicht, dass die von der ebenen Oberfläche des Wafers hervorstehenden Vorsprünge oder Erhebungen darin eingebettet werden. Zum Beispiel kann die Dämpferschicht aus einem Harz, einem Haftmittel, einem Gel oder dergleichen ausgebildet werden.
  • Die Dämpferschicht kann bis zu einer Temperatur von 180 °C oder mehr, vorzugsweise bis zu einer Temperatur von 220 °C oder mehr und bevorzugter bis zu einer Temperatur von 250 °C oder mehr wärmebeständig sein.
  • Die Dämpferschicht kann eine Dicke in dem Bereich von 20 bis 300 um, vorzugsweise 50 bis 250 um und bevorzugter 80 bis 200 um aufweisen.
  • Ein Anbringen der Dämpferschicht an der hinteren Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht ist besonders vorteilhaft bei Wafern, die an deren Vorderseite ein relativ hohes Maß an Oberflächenrauigkeit oder -unebenheit aufweisen, zum Beispiel aufgrund des Vorliegens von Vorsprüngen oder Erhebungen, wie zum Beispiel Bumps. In diesem Fall kann es sein, dass die Vorsprünge oder Erhebungen nicht vollständig in der Schutzfolie oder Schutzschicht eingebettet werden, so dass zumindest ein bestimmtes Maß an Oberflächenunebenheit an der hinteren Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht vorliegt. Diese Oberflächenunebenheit kann durch die Dämpferschicht absorbiert werden, welche die Vorsprünge oder Erhebungen weiter einbettet. Daher können die Vorsprünge oder Erhebungen in einer besonders zuverlässigen Weise geschützt werden. Außerdem kann die Verteilung von Spannung oder Belastung über den Wafer während dessen Bearbeitung weiter verbessert werden, wie nachfolgend ausgeführt wird.
  • Eine vordere Oberfläche der Dämpferschicht kann mit der hinteren Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht in Kontakt stehen. Eine hintere Oberfläche der Dämpferschicht, die deren vorderer Oberfläche gegenüberliegt, kann im Wesentlichen parallel zu der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, sein.
  • In diesem Fall kann, wenn die Rückseite des Wafers bearbeitet, wie zum Beispiel geschliffen, poliert und/oder geschnitten, wird, ein geeigneter Gegendruck auf die hintere Oberfläche der Dämpferschicht ausgeübt werden, zum Beispiel indem diese hintere Oberfläche auf einer Auflage oder einem Träger, wie zum Beispiel einem Einspanntisch, angeordnet wird.
  • Da die ebene hintere Oberfläche der Dämpferschicht im Wesentlichen parallel zu der Rückseite des Wafers ist, wird der Druck, der während der Bearbeitung, wie zum Beispiel eines Schleifens, zum Beispiel durch eine Schleifscheibe einer Schleifvorrichtung, auf den Wafer ausgeübt wird, gleichmäßig und einheitlich über den Wafer verteilt, wodurch das Risiko einer Musterübertragung, das heißt einer Übertragung eines durch Vorsprünge oder Erhebungen in dem Bauelementbereich definierten Musters auf die bearbeitete, zum Beispiel geschliffene, Waferrückseite, und eines Brechens des Wafers minimiert wird. Ferner ermöglicht die im Wesentlichen parallele Ausrichtung der ebenen, gleichmäßigen hinteren Oberfläche der Dämpferschicht und der Rückseite des Wafers, den Bearbeitungsschritt mit einem hohen Maß an Genauigkeit durchzuführen, wodurch zum Beispiel eine besonders gleichmäßige und einheitliche Waferdicke nach dem Schleifen erreicht wird.
  • Außerdem wirkt die Schutzfolie oder Schutzschicht als ein weiterer Dämpfer oder Puffer zwischen der Wafervorderseite und der Dämpferschicht, wodurch weiter zu der gleichmäßigen und einheitlichen Verteilung des Drucks während der Bearbeitung, wie zum Beispiel des Schleifens, beigetragen wird. Daher kann eine Musterübertragung oder ein Brechen des Wafers während des Bearbeitens besonders zuverlässig verhindert werden.
  • Die hintere Oberfläche der Dämpferschicht kann im Wesentlichen parallel zu der Rückseite des Wafers ausgerichtet werden, indem ein Druck auf die hintere Oberfläche der Dämpferschicht aufgebracht wird. Der Druck kann direkt auf die hintere Oberfläche der Dämpferschicht aufgebracht werden, das heißt so, dass kein zusätzliches Element oder keine zusätzliche Komponente zwischen einem Druckmittel zum Aufbringen des Drucks und der hinteren Oberfläche der Dämpferschicht vorliegt.
  • Zum Beispiel können der Wafer und die Dämpferschicht zusammengedrückt werden, wobei die Schutzfolie oder Schutzschicht dazwischen angeordnet ist, indem, zum Beispiel in einer Anbringkammer, wie zum Beispiel einer Vakuumkammer, eine parallele Druckkraft auf die Waferrückseite und die hintere Oberfläche der Dämpferschicht aufgebracht wird. Der Druck kann zum Beispiel durch zwei parallele Druckplatten aufgebracht werden. Die Druckplatten können erwärmte Druckplatten sein, wodurch ermöglicht wird, die Schutzfolie oder Schutzschicht während des Druckvorgangs zu erwärmen.
  • Die Dämpferschicht kann durch einen äußeren Impuls, wie zum Beispiel UV-Strahlung, Wärme, ein elektrisches Feld und/oder eine chemische Substanz, härtbar sein. In diesem Fall härtet die Dämpferschicht beim Aufbringen des äußeren Impulses darauf zumindest bis zu einem gewissen Grad aus. Zum Beispiel kann die Dämpferschicht aus einem härtbaren Harz, einem härtbaren Haftmittel, einem härtbaren Gel oder dergleichen ausgebildet sein.
  • Die Dämpferschicht kann so ausgelegt sein, dass sie nach deren Aushärten ein gewisses Maß an Kompressibilität, Elastizität und/oder Biegsamkeit aufweist, das heißt nach dem Aushärten kompressibel, elastisch und/oder biegsam ist. Zum Beispiel kann die Dämpferschicht so beschaffen sein, dass sie durch Aushärten in einen gummiartigen Zustand gebracht wird. Alternativ kann die Dämpferschicht so ausgelegt sein, dass sie nach dem Aushärten einen steifen, harten Zustand erreicht.
  • Bevorzugte Beispiele UV-härtender Harze zur Verwendung als Dämpferschicht in dem Bearbeitungsverfahren gemäß der Erfindung sind ResiFlat von DISCO Corporation und TEMPLOC von DENKA.
  • Das Verfahren gemäß der Erfindung kann ferner ein Aufbringen des äußeren Impulses auf die Dämpferschicht, um so die Dämpferschicht auszuhärten, nachdem die Schutzfolie oder Schutzschicht auf die eine Seite des Wafers aufgebracht wurde, umfassen. Der äußere Impuls kann auf die Dämpferschicht aufgebracht werden, nachdem die Schutzfolie oder Schutzschicht an der einen Seite des Wafers angebracht wurde.
  • Der äußere Impuls kann vor dem Bearbeiten, zum Beispiel dem Schleifen, der Waferrückseite auf die Dämpferschicht aufgebracht werden. Auf diese Weise können der Schutz des Wafers während des Bearbeitens und die Bearbeitungsgenauigkeit weiter verbessert werden.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht erleichtert ein Entfernen der daran angebrachten härtbaren oder ausgehärteten Dämpferschicht von dem Wafer. Insbesondere kann aufgrund des Vorliegens der Schutzfolie oder Schutzschicht die Dämpferschicht in einer zuverlässigen und einfachen Weise von dem Wafer entfernt werden, wobei Rückstände, wie zum Beispiel Harz-, Haftmittel- oder Gelrückstände, in dem Bauelementbereich vermieden werden, wodurch eine Verunreinigung der Bauelemente verhindert wird, und das Risiko einer Beschädigung der Vorsprünge oder Erhebungen in dem Entfernvorgang minimiert wird.
  • Die ausgehärtete Dämpferschicht kann nach dem Aushärten in einer besonders zuverlässigen und effizienten Weise entfernt werden, wenn die härtbare Dämpferschicht nach dem Aushärten ein gewisses Maß an Kompressibilität, Elastizität und/oder Biegsamkeit aufweist, das heißt kompressibel, elastisch und/oder biegsam, wie zum Beispiel gummiähnlich, ist.
  • Wenn die Dämpferschicht so ausgelegt ist, dass sie beim Aushärten einen steifen, harten Zustand erreicht, kann das Entfernen der Dämpferschicht von dem Wafer erleichtert werden, indem ein äußerer Impuls auf die ausgehärtete Dämpferschicht aufgebracht wird, der die Dämpferschicht zumindest bis zu einem gewissen Grad erweicht oder entfernt. Zum Beispiel können einige Dämpferschichten, wie zum Beispiel solche, die aus dem UV-härtenden Harz TEMPLOC von DENKA ausgebildet sind, behandelt werden, indem nach dem Aushärten heißes Wasser auf diese aufgebracht wird, um die ausgehärtete Dämpferschicht zu erweichen und ein besonders einfaches Entfernen der Dämpferschicht von dem Wafer zu ermöglichen.
  • Die Dämpferschicht kann an der hinteren Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht angebracht werden bevor die Schutzfolie oder Schutzschicht auf die eine Seite des Wafers aufgebracht wird.
  • In diesem Fall können die Schutzfolie oder Schutzschicht und die Dämpferschicht zuerst geschichtet werden, wodurch eine Schutzabdeckung ausgebildet wird, welche die Dämpferschicht und die an der Dämpferschicht angebrachte Schutzfolie oder Schutzschicht umfasst. Die in dieser Weise ausgebildete Schutzabdeckung kann nachfolgend auf die eine Seite des Wafers aufgebracht werden, zum Beispiel so, dass Vorsprünge oder Erhebungen, die von der ebenen Oberfläche des Wafers hervorstehen, durch die Schutzfolie oder Schutzschicht abgedeckt und in die Schutzfolie oder Schutzschicht und die Dämpferschicht eingebettet werden, und die hintere Oberfläche der Dämpferschicht im Wesentlichen parallel zu der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, das heißt der Waferrückseite, ist. Die vordere Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht wird auf die eine Seite des Wafers aufgebracht, wenn die Schutzabdeckung auf die eine Seite des Wafers aufgebracht wird.
  • Auf diese Weise kann das Waferbearbeitungsverfahren in einer besonders einfachen und effizienten Weise durchgeführt werden. Zum Beispiel kann die Schutzabdeckung im Voraus vorbereitet, zur späteren Verwendung gelagert und, wenn erforderlich, zur Waferbearbeitung verwendet werden. Die Schutzabdeckung kann daher in großen Mengen hergestellt werden, wodurch deren Herstellung hinsichtlich sowohl der Zeit als auch der Kosten besonders effizient wird.
  • Die Dämpferschicht kann an die hintere Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht angebracht werden, nachdem die Schutzfolie oder Schutzschicht auf die eine Seite des Wafers aufgebracht wurde.
  • In diesem Fall wird die Schutzfolie oder Schutzschicht zuerst auf die eine Seite des Wafers aufgebracht und nachfolgend die eine Seite des Wafers, welche die darauf aufgebrachte Schutzfolie aufweist, an der vorderen Oberfläche der Dämpferschicht angebracht, zum Beispiel so, dass Vorsprünge oder Erhebungen, die von der ebenen Oberfläche des Wafers hervorstehen, in der Schutzfolie oder Schutzschicht und der Dämpferschicht eingebettet werden und die hintere Oberfläche der Dämpferschicht im Wesentlichen parallel zu der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, ist. Dieser Ansatz ermöglicht es, die Schutzfolie oder Schutzschicht mit einem besonders hohen Maß an Genauigkeit an der einen Seite des Wafers anzubringen, insbesondere mit Bezug auf Vorsprünge oder Erhebungen, die von der ebenen Oberfläche des Wafers hervorstehen.
  • Die Dämpferschicht kann an der hinteren Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht angebracht werden bevor und/oder während und/oder nachdem die Schutzfolie oder Schutzschicht an der einen Seite des Wafers angebracht wird.
  • Das Verfahren gemäß der Erfindung kann ferner ein Entfernen der Schutzfolie oder Schutzschicht und der Dämpferschicht von dem Wafer umfassen. Die Schutzfolie oder Schutzschicht und die Dämpferschicht können von dem Wafer nach der Bearbeitung, wie zum Beispiel einem Schleifen, entfernt werden. Zum Beispiel können die Schutzfolie oder Schutzschicht und die Dämpferschicht nach dem Schleifen aber vor dem Schneiden oder nach dem Schleifen und Schneiden von dem Wafer entfernt werden. Auf diese Weise können in dem Schneidvorgang erhaltene einzelne Bausteine oder Chips in einer einfachen und zuverlässigen Weise getrennt und aufgenommen werden. Zum Beispiel kann, wenn die Schutzfolie und die Dämpferschicht in Form der oben ausgeführten Schutzabdeckung vorgesehen werden, die Schutzabdeckung nach dem Schleifen oder nach dem Schleifen und Schneiden von dem Wafer entfernt werden.
  • Die Dämpferschicht und die Schutzfolie oder Schutzschicht können einzeln, das heißt eine nach der anderen, entfernt werden. Zum Beispiel kann zuerst die Dämpferschicht entfernt werden, gefolgt von dem Entfernen der Schutzfolie oder Schutzschicht.
  • Das Schneiden des Wafers kann vor dem Entfernen der Schutzfolie oder Schutzschicht und der Dämpferschicht von dem Wafer durchgeführt werden. In diesem Fall wird der Wafer in dem Schneidvorgang durch die Schutzfolie und die Dämpferschicht sicher geschützt. Daher kann eine Beschädigung des Wafers während des Schneidens besonders zuverlässig vermieden werden.
  • Alternativ kann das Schneiden des Wafers nach dem Entfernen der Schutzfolie oder Schutzschicht und der Dämpferschicht von dem Wafer durchgeführt werden. Dieser Ansatz ermöglicht es, die einzelnen Bausteine oder Chips unmittelbar nach dem Schneidschritt zu trennen und aufzunehmen. In diesem Fall wird besonders bevorzugt, den Schneidschritt von der Vorderseite des Wafers aus durchzuführen.
  • Das Verfahren kann ferner ein Anbringen einer Basisschicht an einer hinteren Oberfläche der Dämpferschicht, so dass eine vordere Oberfläche der Basisschicht mit der hinteren Oberfläche der Dämpferschicht in unmittelbarem Kontakt steht, umfassen.
  • Das Material der Basisschicht ist nicht besonders eingeschränkt.
  • Die Basisschicht kann aus einem weichen oder biegsamen Material, wie zum Beispiel einem Polymermaterial, zum Beispiel Polyvinylchlorid (PVC) oder Ethylenvinylacetat (EVA), bestehen.
  • Alternativ kann die Basisschicht aus einem steifen oder harten Material, wie zum Beispiel Polyethylenterephthalat (PET) und/oder Silizium und/oder Glas und/oder Edelstahl (SUS), bestehen.
  • Zum Beispiel kann, wenn die Basisschicht aus Polyethylenterephthalat (PET) oder Glas besteht und die Dämpferschicht durch einen äußeren Impuls härtbar ist, die Dämpferschicht mit Strahlung ausgehärtet werden, die durch Polyethylenterephthalat (PET) oder Glas transmittiert werden kann, wie zum Beispiel UV-Strahlung. Wenn die Basisschicht aus Silizium oder Edelstahl (SUS) besteht, wird eine kosteneffiziente Basisschicht bereitgestellt.
  • Die Basisschicht kann auch aus einer Kombination der oben aufgezählten Materialien ausgebildet sein.
  • Die Basisschicht kann bis zu einer Temperatur von 180 °C oder mehr, vorzugsweise bis zu einer Temperatur von 220 °C oder mehr und bevorzugter bis zu einer Temperatur von 250 °C oder mehr wärmebeständig sein.
  • Die Basisschicht kann eine Dicke in dem Bereich von 30 bis 1500 um, vorzugsweise 40 bis 1200 um und bevorzugter 50 bis 1000 um aufweisen. Besonders bevorzugt weist die Basisschicht eine Dicke in dem Bereich von 30 bis 250 um auf. Eine Dicke der Basisschicht von 50 um ist besonders bevorzugt. Zum Beispiel kann die Basisschicht eine Polyethylenterephthalat (PET)-Folie mit einer Dicke von 50 um sein.
  • Die Dämpferschicht und die Basisschicht können vor oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie oder Schutzschicht auf die Vorderseite des Wafers an der hinteren Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht angebracht werden. Insbesondere können die Schutzfolie oder Schutzschicht, die Dämpferschicht und die Basisschicht zuerst geschichtet werden, wodurch eine Schutzabdeckung ausgebildet wird, welche die Basisschicht, die Dämpferschicht und die an der Dämpferschicht angebrachte Schutzfolie oder Schutzschicht umfasst. Die in dieser Weise ausgebildete Schutzabdeckung kann nachfolgend auf die Vorderseite des Wafers aufgebracht werden, so dass die vordere Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht mit der Wafervorderseite in unmittelbarem Kontakt steht.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht besteht aus einem Polymer. Besonders bevorzugt besteht die Schutzfolie oder Schutzschicht aus einem Polyolefin. Zum Beispiel kann die Schutzfolie oder Schutzschicht aus Polyethylen (PE) oder Polypropylen (PP) bestehen.
  • Polyolefinfolien weisen Materialeigenschaften auf, die für die Verwendung in dem Waferbearbeitungsverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung besonders vorteilhaft sind. Insbesondere sind solche Folien biegsam, dehnbar und weich, wenn sie sich in einem erwärmten Zustand befinden, zum Beispiel wenn sie auf eine Temperatur in dem Bereich von 60 °C bis 150 °C erwärmt werden. Daher kann besonders zuverlässig gewährleistet werden, dass sich die Schutzfolie oder Schutzschicht an die Waferoberfläche an der einen Seite des Wafers anpasst, wodurch zum Beispiel die Wafertopographie absorbiert wird. Dies ist besonders vorteilhaft, wenn der Bauelementbereich mit Vorsprüngen oder Erhebungen ausgebildet ist, die von einer ebenen Oberfläche des Wafers hervorstehen.
  • Ferner erhärten und versteifen sich Polyolefinfolien beim Abkühlen, so dass sie in dem abgekühlten Zustand steifer und robuster werden. Daher kann ein besonders zuverlässiger Schutz der Bauelemente während der nachfolgenden Bearbeitung des Wafers, wie zum Beispiel einem Schleifen und/oder Polieren, gewährleistet werden.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht kann eine Dicke in dem Bereich von 5 bis 200 um, vorzugsweise 8 bis 100 um, bevorzugter 10 bis 80 um und noch bevorzugter 12 bis 50 um aufweisen. Besonders bevorzugt weist die Schutzfolie oder Schutzschicht eine Dicke in dem Bereich von 80 bis 150 um auf. Auf diese Weise kann gewährleistet werden, dass die Schutzfolie oder Schutzschicht nachgiebig und biegsam genug ist, um sich ausreichend an das Profil des Bauelementbereichs anzupassen, und gleichzeitig eine ausreichende Dicke aufweist, um die in dem Bauelementbereich ausgebildeten Bauelemente zuverlässig und effizient zu schützen.
  • Die Erfindung stellt ferner ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers bereit, der an einer Seite einen Bauelementbereich mit mehreren Bauelementen aufweist, wobei das Verfahren ein Bereitstellen einer Schutzfolie oder Schutzschicht, ein Bereitstellen eines flüssigen Haftmittels und ein Aufbringen des flüssigen Haftmittels auf die Schutzfolie oder Schutzschicht und/oder auf den Wafer umfasst. Ferner umfasst das Verfahren ein Aufbringen der Schutzfolie oder Schutzschicht auf die eine Seite des Wafers, das heißt die Wafervorderseite, zum Abdecken der Bauelemente an dem Wafer und ein Bearbeiten der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, das heißt der Waferrückseite. Das flüssige Haftmittel wird nur auf einen Umfangsabschnitt der Schutzfolie oder Schutzschicht und/oder nur auf einen Umfangsabschnitt des Wafers aufgebracht. Die Schutzfolie oder Schutzschicht wird an der einen Seite des Wafers angebracht, bevor das flüssige Haftmittel aufgebracht wird, wobei die Schutzfolie oder Schutzschicht durch Erwärmen der Schutzfolie oder Schutzschicht während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie oder Schutzschicht auf die eine Seite des Wafers an der einen Seite des Wafers angebracht wird.
  • Der Wafer kann die Eigenschaften, Charakteristiken und Merkmale, die oben im Einzelnen beschrieben wurden, aufweisen.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht kann die Eigenschaften, Charakteristiken und Merkmale aufweisen, die oben im Einzelnen beschrieben wurden. Insbesondere kann die Schutzfolie oder Schutzschicht in Kombination mit einer Dämpferschicht oder einer Dämpferschicht und einer Basisschicht verwendet werden, wie oben im Einzelnen beschrieben wurde.
  • Eine Dämpferschicht kann an einer hinteren Oberfläche der Schutzfolie im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben ausgeführt angebracht werden.
  • Eine Basisschicht kann an einer hinteren Oberfläche der Dämpferschicht im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben ausgeführt angebracht werden.
  • Der Schritt zum Bearbeiten der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, kann in der im Einzelnen oben beschriebenen Weise durchgeführt werden.
  • Gemäß dem Verfahren wird das flüssige Haftmittel nur auf den Umfangsabschnitt der Schutzfolie oder Schutzschicht und/oder nur auf den Umfangsabschnitt des Wafers aufgebracht.
  • Daher wird eine Haftkraft zwischen der Schutzfolie oder Schutzschicht und dem Wafer, die durch das Haftmittel erzeugt wird, zum Beispiel verglichen mit dem Fall, in dem ein Haftmittel auf die gesamte Vorderseite des Wafers aufgebracht wird, erheblich verringert. Deshalb kann eine Beschädigung der in dem Bauelementbereich ausgebildeten Bauelemente, zum Beispiel aufgrund einer Haftkraft des Haftmittels, erheblich verringert oder sogar vollständig verhindert werden.
  • Ferner kann auf diese Weise eine mögliche Verunreinigung der in dem Bauelementbereich ausgebildeten Bauelemente, zum Beispiel aufgrund von Haftmittelrückständen an den Bauelementen, erheblich verringert oder sogar vollständig vermieden werden.
  • Das Aufbringen des Haftmittels in flüssiger Form auf den Umfangsabschnitt der Schutzfolie oder Schutzschicht und/oder auf den Umfangsabschnitt des Wafers ermöglicht es, das Haftmittel in einer genauen und effizienten Weise aufzubringen. Insbesondere kann das Haftmittel genau dosiert werden, so dass eine Verunreinigung der in dem Bauelementbereich ausgebildeten Bauelemente zuverlässig vermieden wird.
  • Das Verfahren ermöglicht somit eine zuverlässige und effiziente Bearbeitung eines Wafers mit einem Bauelementbereich, wobei das Risiko einer Verunreinigung und einer Beschädigung des Wafers, insbesondere der in dem Bauelementbereich ausgebildeten Bauelemente, minimiert wird.
  • Der Wafer kann eine beliebige Art von Form aufweisen. In einer Draufsicht darauf kann der Wafer zum Beispiel eine Kreisform, eine ovale Form, eine elliptische Form oder eine Polygonform, wie zum Beispiel eine rechteckige Form oder eine quadratische Form, aufweisen.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht kann eine beliebige Art von Form aufweisen. In einer Draufsicht darauf kann die Schutzfolie oder Schutzschicht zum Beispiel eine Kreisform, eine ovale Form, eine elliptische Form oder eine Polygonform, wie zum Beispiel eine rechteckige Form oder eine quadratische Form, aufweisen.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht kann im Wesentlichen die gleiche Form oder die gleiche Form wie der Wafer aufweisen. Die Schutzfolie oder Schutzschicht kann im Wesentlichen die gleiche Form oder die gleiche Form wie der Bauelementbereich des Wafers aufweisen.
  • Das flüssige Haftmittel kann nur auf den Umfangsabschnitt der Schutzfolie oder Schutzschicht und/oder nur auf den Umfangsabschnitt des Wafers so aufgebracht werden, dass eine Haftmittelschicht ausgebildet wird, die eine im Wesentlichen ringförmige oder ringförmige Form aufweist.
  • Das flüssige Haftmittel kann so aufgebracht werden, dass eine durchgehende Haftmittelschicht ausgebildet wird. Alternativ kann das flüssige Haftmittel so aufgebracht werden, dass eine nicht durchgehende Haftmittelschicht ausgebildet wird. Insbesondere kann das Haftmittel in der durch das flüssige Haftmittel ausgebildeten Haftmittelschicht in einer nicht durchgehenden Form, wie zum Beispiel einer punktierten Form, einer Streifenform, zum Beispiel mit geraden und/oder gekrümmten Streifen, oder dergleichen, vorgesehen werden.
  • Das Haftmittel kann bis zu einer Temperatur von 180 °C oder mehr, vorzugsweise bis zu einer Temperatur von 220 °C oder mehr und bevorzugter bis zu einer Temperatur von 250 °C oder mehr wärmebeständig sein.
  • Das flüssige Haftmittel kann zum Beispiel ein von Brewer Science hergestelltes flüssiges Haftmittel, wie zum Beispiel das BrewerBOND® 220 Material (siehe http://www.brewerscience.com/product-categories/wafer-levelpackaging/), sein.
  • Das flüssige Haftmittel kann durch einen Dispenser aufgebracht werden. Der Dispenser kann zum Beispiel ein mechanischer Dispenser oder ein Luftpulsdispenser sein.
  • Der Dispenser kann zum Beispiel ein von Musashi Engineering hergestellter Dispenser, wie zum Beispiel der Dispenser ML-5000XII (siehe http://www.musashi-engineering.co.jp.e.cn.hp.transer.com/products/), sein.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht kann durch das auf den Umfangsabschnitt der Schutzfolie oder Schutzschicht und/oder auf den Umfangsabschnitt des Wafers aufgebrachte Haftmittel an der einen Seite des Wafers angebracht werden.
  • Insbesondere kann das flüssige Haftmittel auf den Umfangsabschnitt der Schutzfolie oder Schutzschicht und/oder auf den Umfangsabschnitt des Wafers aufgebracht werden und die Schutzfolie oder Schutzschicht auf die eine Seite des Wafers aufgebracht werden, so dass der Umfangsabschnitt der Schutzfolie oder Schutzschicht durch das Haftmittel an dem Umfangsabschnitt des Wafers angebracht wird.
  • Bei einigen Ausführungsformen wird das flüssige Haftmittel nur auf den Umfangsabschnitt der Schutzfolie oder Schutzschicht aber nicht auf den Wafer aufgebracht. Bei anderen Ausführungsformen wird das flüssige Haftmittel nur auf den Umfangsabschnitt des Wafers aber nicht auf die Schutzfolie oder Schutzschicht aufgebracht. Ferner kann das flüssige Haftmittel auf den Umfangsabschnitt der Schutzfolie oder Schutzschicht und auf den Umfangsabschnitt des Wafers aufgebracht werden.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht wird an der einen Seite des Wafers angebracht, bevor das flüssige Haftmittel aufgebracht wird.
  • Insbesondere wird die Schutzfolie oder Schutzschicht durch Erwärmen der Schutzfolie oder Schutzschicht während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie oder Schutzschicht auf die eine Seite des Wafers an der einen Seite des Wafers angebracht. Die Schutzfolie oder Schutzschicht kann durch Verwendung des oben im Einzelnen erläuterten Ansatzes an der einen Seite des Wafers angebracht werden.
  • Nachfolgend, nachdem die Schutzfolie oder Schutzschicht an der einen Seite des Wafers angebracht wurde, wird das flüssige Haftmittel aufgebracht. Das flüssige Haftmittel kann so aufgebracht werden, dass es Lücken, die zwischen Schutzfolie oder Schutzschicht und Wafer an deren Umfangsabschnitten vorliegen können, abdichtet oder abdeckt. Durch Aufbringen des Haftmittels in flüssiger Form kann besonders zuverlässig gewährleistet werden, dass solche Lücken effizient abgedichtet oder abgedeckt werden.
  • Das flüssige Haftmittel wird auf die Schutzfolie oder Schutzschicht und/oder auf den Wafer aufgebracht, nachdem die Schutzfolie oder Schutzschicht auf die eine Seite des Wafers aufgebracht wird.
  • Das flüssige Haftmittel wird auf die Schutzfolie oder Schutzschicht und/oder auf den Wafer aufgebracht, nachdem die Schutzfolie oder Schutzschicht auf die eine Seite des Wafers aufgebracht wurde, und die Schutzfolie oder Schutzschicht kann durch das so aufgebrachte Haftmittel an der einen Seite des Wafers angebracht werden. Auch in diesem Fall ermöglicht das Aufbringen des Haftmittels in flüssiger Form ein besonders genaues und effizientes Aufbringen des Haftmittels.
  • Das flüssige Haftmittel kann so auf die Schutzfolie oder Schutzschicht und/oder auf den Wafer aufgebracht werden, dass nach dem Aufbringen der Schutzfolie oder Schutzschicht auf die eine Seite des Wafers kein Haftmittel in dem Bauelementbereich des Wafers vorliegt. Insbesondere kann das Haftmittel nur in einem Umfangsrandbereich an der Vorderseite des Wafers vorliegen, wobei der Umfangsrandbereich keine Bauelemente aufweist und um den Bauelementbereich herum ausgebildet ist. Nach dem Aufbringen der Schutzfolie oder Schutzschicht auf die eine Seite des Wafers kann der Bereich der Schutzfolie oder Schutzschicht, in dem kein Haftmittel vorliegt, im Wesentlichen die gleiche Form und/oder Größe wie der Bauelementbereich des Wafers aufweisen.
  • Das flüssige Haftmittel kann auf einen Umfangsabschnitt einer vorderen Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht, das heißt einer Oberfläche der Schutzfolie oder Schutzschicht, die auf den Wafer aufzubringen ist, und/oder auf einen Umfangsseitenrand der Schutzfolie oder Schutzschicht aufgebracht werden.
  • Das flüssige Haftmittel kann auf einen Umfangsabschnitt der Vorderseite des Wafers und/oder auf einen Umfangsseitenrand des Wafers aufgebracht werden.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht kann einen äußeren Durchmesser aufweisen, der größer als ein äußerer Durchmesser des Wafers ist.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht kann einen äußeren Durchmesser aufweisen, der kleiner als der äußere Durchmesser des Wafers ist.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht kann einen äußeren Durchmesser aufweisen, der im Wesentlichen der gleiche wie der äußere Durchmesser des Wafers ist.
  • Die Schutzfolie oder Schutzschicht kann einen äußeren Durchmesser aufweisen, der im Wesentlichen der gleiche wie ein äußerer Durchmesser des Bauelementbereichs ist.
  • Die Erfindung stellt ferner eine Schutzfolie bereit, die dafür eingerichtet ist, in einem Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers verwendet zu werden, wobei der Wafer an einer Seite einen Bauelementbereich mit mehreren Bauelementen aufweist. Die Schutzfolie ist dafür eingerichtet, auf die eine Seite des Wafers so aufgebracht zu werden, dass eine vordere Oberfläche der Schutzfolie mit der einen Seite des Wafers in unmittelbarem Kontakt steht, wobei zwischen der vorderen Oberfläche der Schutzfolie und der einen Seite des Wafers kein Haftmittel vorliegt. Die Schutzfolie ist so eingerichtet, dass eine Anbringkraft zwischen der Schutzfolie und dem Wafer, durch welche die Schutzfolie an der einen Seite des Wafers angebracht wird, durch Erwärmen der Schutzfolie erzeugt wird. Die Schutzfolie besteht aus einem Polymer. Eine Dämpferschicht ist an einer hinteren Oberfläche der Schutzfolie, die deren vorderer Oberfläche gegenüberliegt, angebracht.
  • Die Erfindung stellt ferner eine Schutzfolie bereit, die dafür eingerichtet ist, in einem Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers verwendet zu werden, wobei der Wafer an einer Seite einen Bauelementbereich mit mehreren Bauelementen aufweist. Die Schutzfolie ist dafür eingerichtet, auf die eine Seite des Wafers so aufgebracht zu werden, dass eine vordere Oberfläche der Schutzfolie mit der einen Seite des Wafers in unmittelbarem Kontakt steht, wobei zwischen der vorderen Oberfläche der Schutzfolie und der einen Seite des Wafers kein Haftmittel vorliegt. Die Schutzfolie ist so eingerichtet, dass eine Anbringkraft zwischen der Schutzfolie und dem Wafer, durch welche die Schutzfolie an der einen Seite des Wafers so angebracht wird, dass eine hintere Oberfläche der Schutzfolie nach außen freiliegt, wobei die hintere Oberfläche der Schutzfolie deren vorderer Oberfläche gegenüberliegt, durch Erwärmen der Schutzfolie erzeugt wird. Die Schutzfolie besteht aus einem Polymer. Die Schutzfolie weist in einer Draufsicht darauf eine Kreisform, eine ovale Form oder eine elliptische Form auf.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Nachfolgend werden nicht beschränkende Beispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erörtert, wobei:
    • 1 eine Querschnittsdarstellung ist, die einen durch das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zu bearbeitenden Wafer zeigt;
    • 2 eine Querschnittsdarstellung ist, die einen Schritt des Aufbringens einer Schutzfolie auf den Wafer gemäß einer ersten Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
    • 3 eine perspektivische Ansicht ist, die den Schritt des Aufbringens der Schutzfolie auf den Wafer gemäß der ersten Ausführungsform veranschaulicht;
    • 4 eine Querschnittsdarstellung ist, die Schritte des Aufbringens von Wärme und Druck auf die Schutzfolie gemäß der ersten Ausführungsform veranschaulicht;
    • 5 eine Querschnittsdarstellung ist, die Schritte des Aufbringens von Wärme und Druck auf die Schutzfolie gemäß einer Abwandlung der ersten Ausführungsform veranschaulicht;
    • 6 eine Querschnittsdarstellung ist, die eine Schutzfolie und einen ringförmigen Rahmen zeigt, die bei einer zweiten Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung verwendet werden;
    • 7 eine Querschnittsdarstellung ist, die Schritte des Aufbringens von Wärme und Druck auf die Schutzfolie gemäß der zweiten Ausführungsform veranschaulicht;
    • 8 eine Querschnittsdarstellung ist, die das Ergebnis der in 7 veranschaulichten Schritte des Aufbringens von Wärme und Druck auf die Schutzfolie zeigt;
    • 9 eine Querschnittsdarstellung ist, die Schritte des Aufbringens von Wärme und Druck auf die Schutzfolie gemäß einer dritten Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
    • 10 eine Querschnittsdarstellung ist, die das Ergebnis der Schritte des Aufbringens von Wärme und Druck auf die Schutzfolie gemäß einer vierten Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung zeigt;
    • 11 eine Querschnittsdarstellung ist, die einen Schritt des Abschneidens eines Abschnitts der Schutzfolie gemäß der vierten Ausführungsform veranschaulicht;
    • 12 eine Querschnittsdarstellung ist, die das Ergebnis des in 11 veranschaulichten Schritts des Abschneidens eines Abschnitts der Schutzfolie zeigt;
    • 13 eine Querschnittsdarstellung ist, die das Ergebnis eines Schritts des Schleifens der Waferrückseite gemäß der vierten Ausführungsform zeigt;
    • 14 eine Querschnittsdarstellung ist, die das Ergebnis eines Schritts des Schleifens der Waferrückseite gemäß einer fünften Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung zeigt;
    • 15 eine Querschnittsdarstellung ist, die einen Schritt des Abschneidens eines Abschnitts der Schutzfolie gemäß der fünften Ausführungsform veranschaulicht;
    • 16 eine Querschnittsdarstellung ist, die das Ergebnis des in 15 veranschaulichten Schritts des Abschneidens eines Abschnitts der Schutzfolie zeigt;
    • 17 eine Querschnittsdarstellung ist, die eine Schutzfolie und eine Dämpferschicht zeigt, die bei einer sechsten Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung verwendet werden;
    • 18 eine Querschnittsdarstellung ist, die das Ergebnis von Schritten des Aufbringens von Wärme und Druck auf die Schutzfolie gemäß der sechsten Ausführungsform zeigt;
    • 19 eine Querschnittsdarstellung ist, die das Ergebnis von Schritten des Aufbringens von Wärme und Druck auf die Schutzfolie gemäß einer siebten Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung zeigt;
    • 20 eine Querschnittsdarstellung ist, die das Ergebnis von Schritten des Aufbringens von Wärme und Druck auf die Schutzfolie gemäß einer Abwandlung der siebten Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung zeigt;
    • 21 eine Querschnittsdarstellung ist, die das Ergebnis eines Schritts des Schleifens der Waferrückseite gemäß der Abwandlung der siebten Ausführungsform zeigt;
    • 22 eine Querschnittsdarstellung ist, die eine Schutzfolie, eine Dämpferschicht und einen ringförmigen Rahmen zeigt, die bei einer achten Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung verwendet werden;
    • 23 eine Querschnittsdarstellung ist, die Schritte des Aufbringens von Wärme und Druck auf die Schutzfolie gemäß der achten Ausführungsform veranschaulicht;
    • 24 eine Querschnittsdarstellung ist, die das Ergebnis von Schritten des Aufbringens eines Haftmittels und des Aufbringens einer Schutzfolie auf den Wafer gemäß einer neunten Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung zeigt;
    • 25 eine Querschnittsdarstellung ist, die das Ergebnis von Schritten des Aufbringens eines Haftmittels und des Aufbringens einer Schutzfolie auf den Wafer gemäß einer zehnten Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung zeigt;
    • 26 eine Querschnittsdarstellung ist, die das Ergebnis von Schritten des Aufbringens eines Haftmittels und des Aufbringens einer Schutzfolie auf den Wafer gemäß einer elften Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung zeigt;
    • 27 eine Querschnittsdarstellung ist, die das Ergebnis von Schritten des Aufbringens eines Haftmittels und des Aufbringens einer Schutzfolie auf den Wafer gemäß einer zwölften Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung zeigt;
    • 28 eine Querschnittsdarstellung ist, die das Ergebnis von Schritten des Aufbringens eines Haftmittels und des Aufbringens einer Schutzfolie auf den Wafer gemäß einer dreizehnten Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung zeigt; und
    • 29 eine Querschnittsdarstellung ist, die das Ergebnis von Schritten des Aufbringens eines Haftmittels und des Aufbringens einer Schutzfolie auf den Wafer gemäß einer vierzehnten Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • Ausführliche Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen
  • Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Die bevorzugten Ausführungsformen betreffen Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers W.
  • Der Wafer W kann zum Beispiel ein MEMS-Wafer sein, der MEMS-Bauelemente aufweist, die an der Oberfläche einer Vorderseite 1 desselben ausgebildet sind (siehe 1). Jedoch ist der Wafer W nicht auf einen MEMS-Wafer beschränkt, sondern kann dieser auch ein CMOS-Wafer, der CMOS-Bauelemente, vorzugsweise als Festkörper-Abbildeeinrichtungen, aufweist, die an dessen Vorderseite 1 ausgebildet sind, oder ein Wafer mit anderen Arten von Bauelementen an der Vorderseite 1 sein.
  • Der Wafer W kann aus einem Halbleiter, wie zum Beispiel Silizium, bestehen. Ein solcher Siliziumwafer W kann Bauelemente, wie zum Beispiel ICs (integrierte Schaltungen) und LSIs (hohe Integrationsgrade), auf einem Siliziumsubstrat beinhalten. Alternativ kann der Wafer ein Optikbauelementwafer sein, der durch Ausbilden optischer Bauelemente, wie zum Beispiel LEDs (Leuchtioden), auf einem Substrat aus anorganischem Material, wie zum Beispiel Keramik, Glas oder Saphir, aufgebaut ist. Der Wafer W ist nicht hierauf beschränkt und kann in einer beliebigen anderen Weise ausgebildet sein. Ferner ist auch eine Kombination der oben beschriebenen beispielhaften Waferausgestaltungen möglich.
  • Der Wafer W kann vor dem Schleifen eine Dicke im um-Bereich, vorzugsweise im Bereich von 625 bis 925 um, aufweisen.
  • Der Wafer W weist vorzugsweise eine Kreisform auf. Jedoch ist die Form des Wafers W nicht besonders beschränkt. Bei anderen Ausführungsformen kann der Wafer W zum Beispiel eine ovale Form, eine elliptische Form oder eine Polygonform, wie zum Beispiel eine rechteckige Form oder eine quadratische Form, aufweisen.
  • Der Wafer W ist mit mehreren sich kreuzenden, als Straßen bezeichneten Trennlinien 11 (siehe 3) versehen, die an dessen Vorderseite 1 ausgebildet sind, wodurch der Wafer W in mehrere rechteckige Bereiche abgeteilt wird, in denen jeweils Bauelemente 7, wie zum Beispiel die zuvor beschriebenen, ausgebildet sind. Diese Bauelemente 7 sind in einem Bauelementbereich 2 des Wafers W ausgebildet. In dem Fall eines kreisförmigen Wafers W ist dieser Bauelementbereich 2 vorzugsweise kreisförmig und konzentrisch zu dem äußeren Umfang des Wafers W angeordnet.
  • Der Bauelementbereich 2 ist von einem ringförmigen Umfangsrandbereich 3 umgeben, wie in 1 bis 3 schematisch gezeigt ist. In diesem Umfangsrandbereich 3 sind keine Bauelemente ausgebildet. Der Umfangsrandbereich 3 ist vorzugsweise konzentrisch zu dem Bauelementbereich 2 und/oder dem äußeren Umfang des Wafers W angeordnet. Die radiale Erstreckung des Umfangsrandbereichs 3 kann im mm-Bereich liegen und reicht vorzugsweise von 1 bis 3 mm.
  • Der Bauelementbereich 2 ist mit mehreren Vorsprüngen 14 ausgebildet, die von einer ebenen Oberfläche des Wafers W hervorstehen, wie zum Beispiel in 1 und 2 schematisch gezeigt ist. Die Vorsprünge 14 können zum Beispiel Bumps zum Herstellen eines elektrischen Kontakts mit den Bauelementen 7 des Bauelementbereichs 2 in den getrennten Bausteinen oder Chips sein. Die Höhe der Vorsprünge 14 in der Dickenrichtung des Wafers W kann in dem Bereich von 20 bis 500 um liegen.
  • Nachfolgend wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers W gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 1 bis 5 beschrieben.
  • 1 zeigt eine Querschnittsdarstellung des durch das Verfahren gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zu bearbeitenden Wafers W. 2 und 3 veranschaulichen einen Schritt des Aufbringens einer Schutzfolie 4 auf den Wafer W gemäß dieser ersten Ausführungsform. In diesem Schritt wird die Schutzfolie 4 zum Abdecken der Bauelemente 7 an dem Wafer W auf die Vorderseite 1 des Wafers W aufgebracht, wie in 2 durch einen Pfeil angezeigt ist.
  • Die Schutzfolie 4 weist vorzugsweise die gleiche Form wie der Wafer W, das heißt bei der vorliegenden Ausführungsform eine Kreisform, auf und wird vorzugsweise konzentrisch an diesen angebracht. Der Durchmesser der Schutzfolie 4 ist annähernd der gleiche wie der des Wafers W, wie in 2 bis 4 schematisch gezeigt ist.
  • Die Schutzfolie 4 deckt die in dem Bauelementbereich 2 ausgebildeten Bauelemente 7 einschließlich der Vorsprünge 14 ab, wodurch die Bauelemente 7 vor Beschädigung oder Verunreinigung geschützt werden. Ferner wirkt die Schutzfolie 4 als ein Dämpfer beim nachfolgenden Bearbeiten des Wafers W, zum Beispiel in einem nachfolgenden Schleifschritt, wie nachfolgend ausgeführt wird.
  • Die Schutzfolie 4 weist eine vordere Oberfläche 4a und eine hintere Oberfläche 4b auf, wie in 2 gezeigt ist. Die Schutzfolie 4 wird so auf die Vorderseite 1 des Wafers W aufgebracht, dass die vordere Oberfläche 4a der Schutzfolie 4 mit der Wafervorderseite 1 in unmittelbarem Kontakt steht. Daher liegt kein Material, insbesondere kein Haftmittel, zwischen der vorderen Oberfläche 4a der Schutzfolie 4 und der Vorderseite 1 des Wafers W vor (siehe 2 bis 4).
  • Die Schutzfolie 4 besteht aus einem Polyolefin. Zum Beispiel kann die Schutzfolie 4 aus Polyethylen (PE) oder Polypropylen (PP) bestehen.
  • Die Schutzfolie 4 kann eine Dicke in dem Bereich von 5 bis 200 um, vorzugsweise 80 bis 150 um, aufweisen. Zum Beispiel kann die Schutzfolie 4 eine Dicke von 80 um aufweisen.
  • Nach dem Aufbringen der Schutzfolie 4 auf die Vorderseite 1 des Wafers W wird die Schutzfolie 4 erwärmt, so dass die Schutzfolie 4 an der Wafervorderseite 1 angebracht wird.
  • Insbesondere kann der Wafer W mit der darauf aufgebrachten Schutzfolie 4 an einem Einspanntisch 20 (siehe 4) angeordnet werden und der Einspanntisch 20, zum Beispiel auf eine Temperatur in dem Bereich von 60 °C bis 150 °C, erwärmt werden. Besonders bevorzugt wird der Einspanntisch 20 auf eine Temperatur von annährend 100 °C erwärmt. Der Einspanntisch 20 kann zum Beispiel über eine Zeitdauer in dem Bereich von 1 Min bis 10 Min erwärmt werden.
  • Ferner wird durch eine Walze 30 ein Druck auf die hintere Oberfläche 4b der Schutzfolie 4 aufgebracht, wie in 4 gezeigt ist. Die Walze 30 wird entlang der hinteren Oberfläche 4b der Schutzfolie 4 bewegt, wie in 4 durch einen Pfeil angezeigt ist, wodurch die Schutzfolie 4 gegen die Vorderseite 1 des Wafers W gedrückt wird.
  • Die Walze 30 kann eine erwärmte Walze sein. Zusätzlich zu dem Erwärmen der Schutzfolie 4 durch den erwärmten Einspanntisch 30 oder als eine Alternative hierzu kann durch die erwärmte Walze 30 Wärme auf die Schutzfolie 4 aufgebracht werden.
  • Durch Erwärmen der Schutzfolie 4 unter Verwendung des erwärmten Einspanntischs 20 und/oder der erwärmten Walze 30 wird die Schutzfolie 4 an der Vorderseite 1 des Wafers W angebracht.
  • Speziell wird eine Anbringkraft zwischen Schutzfolie 4 und Wafer W, welche die Schutzfolie 4 in ihrer Position an dem Wafer W hält, durch den Erwärmvorgang erzeugt. Insbesondere wird durch Erwärmen der Schutzfolie 4 ein Formschluss und/oder ein Stoffschluss zwischen Schutzfolie 4 und Wafer W ausgebildet.
  • Durch Aufbringen von Druck auf die hintere Oberfläche 4b der Schutzfolie 4 wird die vordere Oberfläche 4a der Schutzfolie 4 gegen die Vorderseite 1 des Wafers W gedrückt. Daher kann besonders effizient gewährleistet werden, dass die Schutzfolie 4 zuverlässig an dem Wafer W angebracht wird.
  • In dem angebrachten Zustand der Schutzfolie 4 sind die Vorsprünge 14, die von der ebenen Oberfläche des Wafers W hervorstehen, vollständig in der Schutzfolie 4 eingebettet, wie in 4 schematisch gezeigt ist.
  • Nach dem Anbringen der Schutzfolie 4 an der Vorderseite 1 des Wafers W wird eine Rückseite 6 des Wafers W (siehe 1 bis 3), die dessen Vorderseite 1 gegenüberliegt, bearbeitet. Die Rückseite 6 des Wafers W kann durch Schleifen und/oder Polieren und/oder Ätzen und/oder Schneiden bearbeitet werden. Besonders bevorzugt wird die Rückseite 6 des Wafers W durch Schleifen bearbeitet.
  • Insbesondere kann der Wafer W, der die daran angebrachte Schutzfolie 4 aufweist, von dem Einspanntisch 20 abgenommen und umgedreht werden, so dass die Waferrückseite 6 nach oben gerichtet ist. Nachfolgend kann eine Bearbeitung der Waferrückseite 6, zum Beispiel durch Schleifen, durchgeführt werden. Ein solcher Schleifschritt wird nachfolgend für die vierte Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 13 ausgeführt.
  • Während des Bearbeitens, wie zum Beispiel des Schleifens, der Rückseite 6 des Wafers W kann der Wafer W an einer Auflage (nicht gezeigt), wie zum Beispiel einem Einspanntisch, so angeordnet werden, dass die hintere Oberfläche 4b der Schutzfolie 4 mit einer oberen Oberfläche der Auflage in Kontakt steht. Die Schutzfolie 4 schützt den Wafer W, insbesondere die Bauelemente 7 und die Vorsprünge 14, zuverlässig vor Beschädigung während der Waferbearbeitung.
  • Nachdem die Rückseite 6 des Wafers W geschliffen wurde, kann der Wafer W entlang der Trennlinien 11 geschnitten werden, um so einzelne Bausteine oder Chips zu erhalten (nicht gezeigt).
  • Zum Beispiel kann die Schutzfolie 4 von dem Wafer W nach dem Schleifen von dessen Rückseite 6 entfernt, zum Beispiel abgezogen, werden. Dieser Entfernvorgang kann zum Beispiel durch Erwärmen der Schutzfolie 4 vor und/oder während deren Entfernung von dem Wafer W erleichtert werden.
  • Nachfolgend kann der Wafer W von dessen Vorderseite 1 aus entlang der Trennlinien 11 geschnitten werden. Auf diese Weise werden Bausteine oder Chips erhalten, die vollständig voneinander getrennt sind. Das Schneiden des Wafers W kann durch mechanisches Schneiden, zum Beispiel unter Verwendung einer Klinge oder einer Säge, und/oder Schneiden durch Laser und/oder Schneiden durch Plasma durchgeführt werden.
  • Nachdem die Bausteine oder Chips in dem Schneidschritt vollständig voneinander getrennt wurden, können diese zum Beispiel durch Verwendung einer Aufnehmeinrichtung (nicht gezeigt) aufgenommen werden. Der Abstand zwischen den einzelnen Bausteinen oder Chips kann vor dem Aufnehmvorgang vergrößert werden, um den Aufnehmvorgang zu erleichtern.
  • 5 veranschaulicht Schritte des Aufbringens von Wärme und Druck auf die Schutzfolie 4 gemäß einer Abwandlung der ersten Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung. Diese Abwandlung unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform nur dahingehend, dass der Durchmesser der Schutzfolie 4 kleiner als der äußere Durchmesser des Wafers W ist. Insbesondere kann der Durchmesser der Schutzfolie 4 im Wesentlichen der gleiche wie ein äußerer Durchmesser des Bauelementbereichs 2 sein.
  • Nachfolgend wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers W gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 6 bis 8 beschrieben.
  • Das Verfahren gemäß der zweiten Ausführungsform unterscheidet sich von dem Verfahren gemäß der ersten Ausführungsform dahingehend, dass der Durchmesser der Schutzfolie 4 größer als der äußere Durchmesser des Wafers W ist und ein äußerer Umfangsabschnitt der Schutzfolie 4 an einem ringförmigen Rahmen 40 (siehe 6 bis 8) angebracht wird. Bei der Beschreibung der zweiten Ausführungsform werden die Elemente, die im Wesentlichen identisch zu denen der ersten Ausführungsform sind, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet und wird eine wiederholte ausführliche Beschreibung derselben unterlassen.
  • 6 zeigt die Schutzfolie 4 und den ringförmigen Rahmen 40 vor dem Anbringen der Schutzfolie 4 an dem ringförmigen Rahmen 40. Der angebrachte Zustand der Schutzfolie 4 und des ringförmigen Rahmens 40 ist in 7 und 8 veranschaulicht.
  • Insbesondere wird der äußere Umfangsabschnitt der Schutzfolie 4 so an dem ringförmigen Rahmen 40 angebracht, dass die Schutzfolie 4 eine mittlere Öffnung des ringförmigen Rahmens 40 schließt. Auf diese Weise wird der Wafer W, der an der Schutzfolie 4, insbesondere an einem mittleren Abschnitt derselben, angebracht ist, durch die Schutzfolie 4 von dem ringförmigen Rahmen 40 gehalten. Daher wird eine Wafereinheit ausgebildet, die den Wafer W, die Schutzfolie 4 und den ringförmigen Rahmen 40 umfasst, wodurch die Bearbeitung, die Handhabung und/oder der Transport des Wafers W erleichtert wird (siehe 7 und 8).
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform wird der Schritt des Anbringens des äußeren Umfangsabschnitts der Schutzfolie 4 an dem ringförmigen Rahmen 40 vorzugsweise vor dem Aufbringen der Schutzfolie 4 auf den Wafer W durchgeführt. Auf diese Weise kann der Schritt des Aufbringens der Schutzfolie 4 auf den Wafer W weiter erleichtert werden, zum Beispiel durch Verwendung des ringförmigen Rahmens 40 zum Handhaben und Transportieren des Wafers W.
  • Wie in 6 bis 8 gezeigt ist, wird der äußere Umfangsabschnitt der Schutzfolie 4 durch eine ringförmige Haftmittelschicht 42 an dem ringförmigen Rahmen 40 angebracht. Die Haftmittelschicht 42 ist zwischen der Schutzfolie 4 und dem ringförmigen Rahmen 40 angeordnet.
  • Nachdem die Schutzfolie 4 auf den Wafer W aufgebracht wurde, werden Wärme und Druck in der gleichen Weise wie oben für die erste Ausführungsform unter Bezugnahme auf 4 ausgeführt auf die Schutzfolie 4 aufgebracht, wodurch die Schutzfolie 4 an dem Wafer W angebracht wird (siehe 7).
  • 8 zeigt das Ergebnis der in 7 veranschaulichten Schritte des Aufbringens von Wärme und Druck auf die Schutzfolie 4. Wie in 8 angezeigt ist, wird die von den Vorsprüngen 14 herrührende Wafertopographie durch die Schutzfolie 4 nicht vollständig absorbiert. Daher wird an der hinteren Oberfläche 4b der Schutzfolie 4 eine Oberflächenunebenheit erzeugt. Eine solche Oberflächenunebenheit kann für den Fall von Vorsprüngen 14 mit relativ großen Höhen auftreten. In diesem Fall kann, wenn es erwünscht ist, die Wafertopographie vollständig zu absorbieren, eine Dämpferschicht an der hinteren Oberfläche 4b der Schutzfolie 4 vorgesehen werden, wie nachfolgend für die vierten bis achten Ausführungsformen des Verfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung ausgeführt wird.
  • Nachdem die Schutzfolie 4 an dem Wafer W angebracht wurde, kann der Wafer W im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die erste Ausführungsform ausgeführt bearbeitet werden.
  • Nachfolgend wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers W gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 9 beschrieben.
  • Das Verfahren gemäß der dritten Ausführungsform unterscheidet sich von dem Verfahren gemäß der ersten Ausführungsform hinsichtlich des Vorgangs des Aufbringens der Schutzfolie 4 auf den Wafer W und des Vorgangs des Aufbringens von Druck auf die hintere Oberfläche 4b der Schutzfolie 4. Bei der Beschreibung der dritten Ausführungsform werden die Elemente, die im Wesentlichen identisch zu denen der vorherigen Ausführungsformen sind, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet und wird eine wiederholte ausführliche Beschreibung derselben unterlassen.
  • Insbesondere wird die Schutzfolie 4 auf die Vorderseite 1 des Wafers W durch Verwendung einer Vakuumlaminiereinrichtung aufgebracht, wie in 9 veranschaulicht ist. Bei dieser Vakuumlaminiereinrichtung wird der Wafer W an einem Einspanntisch 20 in einer Vakuumkammer (nicht gezeigt) in einem Zustand angeordnet, in dem die Waferrückseite 6 mit einer oberen Oberfläche des Einspanntischs 20 in Kontakt steht und die Wafervorderseite 1 nach oben gerichtet ist. Der Einspanntisch 20 ist ein erwärmter Einspanntisch.
  • Die Schutzfolie 4 wird an deren Umfangsabschnitt durch einen ringförmigen Abstandshalter 60 gehalten, der zwischen der Wafervorderseite 1 und der Schutzfolie 4 angeordnet ist. Auf diese Weise wird die Schutzfolie 4 in der Vakuumkammer oberhalb der Wafervorderseite 1 angeordnet (siehe 9). Ein oberer Teil der Vakuumkammer, der oberhalb des Einspanntischs 20 und der Schutzfolie 4 liegt, ist mit einer Lufteinlassöffnung 50 versehen, die durch eine aufweitbare Gummimembran 52 geschlossen ist.
  • Nachdem der Wafer W und die Schutzfolie 4 in die Vakuumkammer geladen wurden, wird die Kammer ausgepumpt und der Gummimembran 52 durch die Lufteinlassöffnung 50 Luft zugeführt, wodurch bewirkt wird, dass sich die Gummimembran 52 in die ausgepumpte Kammer aufweitet. Auf diese Weise wird die Gummimembran 52 nach unten in die Vakuumkammer bewegt, wie in 9 durch einen Pfeil angezeigt ist, so dass sie die Schutzfolie 4 gegen die Wafervorderseite 1 drückt, wodurch die Schutzfolie 4 gegen den Bauelementbereich 7 an der Wafervorderseite 1 gedrückt wird. Daher kann die Schutzfolie 4 dicht auf die Wafervorderseite 1 aufgebracht werden, so dass sie dem Profil des Bauelementbereichs 7, insbesondere dem Profil der darin vorliegenden Vorsprünge 14, folgt.
  • Die Schutzfolie 4 wird während und/oder nach deren Aufbringen auf die Wafervorderseite 1 durch Erwärmen des Einspanntischs 20 erwärmt.
  • Die Gummimembran 52 wird ferner verwendet, um auf die hintere Oberfläche 4b der Schutzfolie 4 nach deren Aufbringen auf den Wafer W Druck auszuüben. Auf diese Weise kann besonders effizient gewährleistet werden, dass die Schutzfolie 4 zuverlässig an dem Wafer W angebracht wird.
  • Nachfolgend wird das Vakuum in der Vakuumkammer gelöst und die Schutzfolie 4 an der Wafervorderseite 1 durch die Anbringkraft, die durch den Erwärmvorgang und den Überdruck in der Vakuumkammer erzeugt wird, in Position gehalten.
  • Alternativ kann die Gummimembran 52 durch einen weichen Stempel oder eine weiche Walze, wie zum Beispiel einen erwärmten weichen Stempel oder eine erwärmte weiche Walze, ersetzt werden.
  • Nach dem Anbringen der Schutzfolie 4 an dem Wafer W kann der Wafer W im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die erste Ausführungsform ausgeführt bearbeitet werden.
  • Nachfolgend wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers W gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 10 bis 13 beschrieben.
  • Das Verfahren gemäß der vierten Ausführungsform unterscheidet sich von dem Verfahren gemäß der zweiten Ausführungsform dahingehend, dass eine Dämpferschicht 8 und eine Basisschicht 9 an der hinteren Oberfläche 4b der Schutzfolie 4 vorgesehen werden (siehe zum Beispiel 10). Bei der Beschreibung der vierten Ausführungsform werden die Elemente, die im Wesentlichen identisch zu denen der vorherigen Ausführungsformen sind, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet und wird eine wiederholte ausführliche Beschreibung derselben unterlassen.
  • Insbesondere wird die Dämpferschicht 8 an der hinteren Oberfläche 4b der Schutzfolie 4 angebracht, so dass eine vordere Oberfläche der Dämpferschicht 8 mit der hinteren Oberfläche 4b der Schutzfolie 4 in unmittelbarem Kontakt steht.
  • Wie in 10 gezeigt ist, werden die Vorsprünge 14 in der Schutzfolie 4 und der Dämpferschicht 8 eingebettet. Daher wird die Wafertopographie vollständig absorbiert.
  • Die Dämpferschicht 8 kann aus einem Harz, einem Haftmittel, einem Gel oder dergleichen ausgebildet sein. Die Dämpferschicht 8 kann eine Dicke in dem Bereich von 20 bis 300 um aufweisen.
  • Die Basisschicht 9 wird an einer hinteren Oberfläche der Dämpferschicht 8 angebracht, so dass eine vordere Oberfläche der Basisschicht 9 mit der hinteren Oberfläche der Dämpferschicht 8 in unmittelbarem Kontakt steht.
  • Das Material der Basisschicht 9 ist nicht besonders eingeschränkt.
  • Die Basisschicht 9 kann aus einem weichen oder biegsamen Material, wie zum Beispiel einem Polymermaterial, zum Beispiel Polyvinylchlorid (PVC) oder Ethylenvinylacetat (EVA), bestehen.
  • Alternativ kann die Basisschicht 9 aus einem steifen oder harten Material, wie zum Beispiel Polyethylenterephthalat (PET) und/oder Silizium und/oder Glas und/oder Edelstahl (SUS), bestehen.
  • Zum Beispiel kann, wenn die Basisschicht 9 aus Polyethylenterephthalat (PET) oder Glas besteht und die Dämpferschicht 8 durch einen äußeren Impuls härtbar ist, die Dämpferschicht 8 mit Strahlung ausgehärtet werden, die durch Polyethylenterephthalat (PET) oder Glas transmittiert werden kann, wie zum Beispiel UV-Strahlung. Wenn die Basisschicht 9 aus Silizium oder Edelstahl (SUS) besteht, wird eine kosteneffiziente Basisschicht 9 bereitgestellt.
  • Die Basisschicht 9 kann auch aus einer Kombination der oben aufgezählten Materialien ausgebildet sein.
  • Die Basisschicht 9 kann eine Dicke in dem Bereich von 30 bis 1500 um, vorzugsweise 40 bis 1200 um und bevorzugter 50 bis 1000 um aufweisen. Besonders bevorzugt weist die Basisschicht 9 eine Dicke in dem Bereich von 30 bis 250 um auf. Eine Dicke der Basisschicht 9 von 50 um wird besonders bevorzugt. Zum Beispiel kann die Basisschicht 9 eine Polyethylenterephthalat (PET)-Folie mit einer Dicke von 50 um sein.
  • Die Basisschicht 9 und die Dämpferschicht 8 weisen jeweils eine im Wesentlichen kreisförmige Form auf. Die Durchmesser der Basisschicht 9 und der Dämpferschicht 8 sind im Wesentlichen miteinander identisch und größer als der Durchmesser des Wafers W. Die Durchmesser der Basisschicht 9 und der Dämpferschicht 8 sind kleiner als der Durchmesser der Schutzfolie 4.
  • Die Dämpferschicht 8 und die Basisschicht 9 können vor oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie 4 auf die Vorderseite 1 des Wafers W an der hinteren Oberfläche 4b der Schutzfolie 4 angebracht werden. Insbesondere können die Schutzfolie 4, die Dämpferschicht 8 und die Basisschicht 9 zuerst geschichtet werden, wodurch eine Schutzabdeckung ausgebildet wird, welche die Basisschicht 9, die Dämpferschicht 8 und die an der Dämpferschicht 8 angebrachte Schutzfolie 4 umfasst. Die in dieser Weise ausgebildete Schutzabdeckung kann nachfolgend auf die Vorderseite 1 des Wafers W aufgebracht werden, so dass die vordere Oberfläche 4a der Schutzfolie 4 mit der Wafervorderseite 1 in unmittelbarem Kontakt steht.
  • Nachfolgend wird die Schutzfolie 4 erwärmt, so dass die Schutzabdeckung an der Vorderseite 1 des Wafers W angebracht wird. Die Schutzfolie 4 kann im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die erste Ausführungsform ausgeführt, zum Beispiel durch den erwärmten Einspanntisch 20 (siehe 10), erwärmt werden.
  • Ferner wird durch Verwendung zweier paralleler Druckplatten Druck auf eine hintere Oberfläche 9b der Basisschicht 9 aufgebracht. In dem Druckaufbringvorgang drückt eine Platte gegen die hintere Oberfläche 9b der Basisschicht 9 und die andere Platte gegen die Rückseite 6 des Wafers W. Auf diese Weise kann gewährleistet werden, dass die hintere Oberfläche 9b der Basisschicht 9 im Wesentlichen parallel zu der Waferrückseite 6 ist, wie in 10 durch gestrichelte Pfeile angezeigt ist.
  • Die Druckplatten können erwärmte Druckplatten sein, wodurch ermöglicht wird, die Schutzfolie 4 während des Druckvorgangs durch den Wafer W und/oder durch die Basisschicht 9 und die Dämpferschicht 8 zu erwärmen. Dieser Erwärmvorgang kann zusätzlich zu oder als eine Alternative zu dem Erwärmen der Schutzfolie 4 durch den erwärmten Einspanntisch 20 durchgeführt werden.
  • Die Dämpferschicht 8 kann durch einen äußeren Impuls, wie zum Beispiel UV-Strahlung, Wärme, ein elektrisches Feld und/oder eine chemische Substanz, härtbar sein. In diesem Fall härtet die Dämpferschicht 8 beim Aufbringen des äußeren Impulses darauf zumindest bis zu einem gewissen Grad aus. Zum Beispiel kann die Dämpferschicht 8 aus einem härtbaren Harz, einem härtbaren Haftmittel, einem härtbaren Gel oder dergleichen ausgebildet sein.
  • Bevorzugte Beispiele UV-härtender Harze zur Verwendung als die Dämpferschicht 8 bei der vorliegenden Ausführungsform sind ResiFlat von DISCO Corporation und TEMPLOC von DENKA.
  • Das Verfahren der vorliegenden Ausführungsform kann ferner ein Aufbringen des äußeren Impulses auf die Dämpferschicht 8, um so die Dämpferschicht 8 auszuhärten, nach dem Aufbringen der Schutzfolie 4 auf die Vorderseite 1 des Wafers W umfassen. Der äußere Impuls kann nach dem Anbringen der Schutzfolie 4 an der Wafervorderseite 1 auf die Dämpferschicht 8 aufgebracht werden.
  • Der äußere Impuls kann vor dem Bearbeiten, wie zum Beispiel dem Schleifen, der Waferrückseite 6 auf die Dämpferschicht 8 aufgebracht werden. Auf diese Weise können der Schutz des Wafers W während der Bearbeitung und die Bearbeitungsgenauigkeit weiter verbessert werden.
  • 11 veranschaulicht einen nachfolgenden Schritt des Abschneidens von Abschnitten der Schutzfolie 4, der Dämpferschicht 8 und der Basisschicht 9, die sich seitlich über den Umfang des Wafers W hinaus erstrecken, wie in 11 durch gestrichelte Linien und Pfeile angezeigt ist. Diese Abschnitte können zum Beispiel durch mechanisches Schneiden, zum Beispiel unter Verwendung einer Klinge oder einer Säge, Laserschneiden oder Plasmaschneiden abgeschnitten werden. Das Abschneiden dieser Abschnitte erleichtert die Handhabung der Wafereinheit in nachfolgenden Bearbeitungsschritten.
  • 12 zeigt das Ergebnis des in 11 veranschaulichten Schneidschritts.
  • Nach diesem Schneidschritt wird die Rückseite 6 des Wafers W bearbeitet, das heißt einem Schleifvorgang unterzogen, wie nachfolgend ausgeführt wird.
  • Die hintere Oberfläche 9b der Basisschicht 9, die eine ebene, glatte Oberfläche ist, wird an der oberen Oberfläche eines Einspanntischs (nicht gezeigt), der mit dem Einspanntisch 20 in 10 identisch sein kann, angeordnet. Nachfolgend wird die Rückseite 6 des Wafers W zum Einstellen der Waferdicke, zum Beispiel auf einen Wert in dem Bereich von annähernd 20 bis 100 um, geschliffen. Die Dicke kann die Enddicke der Bausteine oder Chips sein. 13 zeigt das Ergebnis dieses Schleifschritts.
  • Das Schleifen der Rückseite 6 des Wafers W kann unter Verwendung einer Schleifvorrichtung (nicht gezeigt) durchgeführt werden. Die Schleifvorrichtung kann ein Spindelgehäuse, eine drehbar in dem Spindelgehäuse aufgenommene Spindel und eine an dem unteren Ende der Spindel angebrachte Schleifscheibe umfassen. Mehrere Schleifelemente können an der unteren Oberfläche der Schleifscheibe befestigt sein, wobei jedes Schleifelement aus einem Diamantschleifelement ausgebildet sein kann, das durch Befestigen von Diamantschleifkörnern mit einer Verbindung, wie zum Beispiel einer Metallverbindung oder einer Harzverbindung, aufgebaut ist. Die Schleifscheibe mit den Schleifelementen wird durch Antreiben der Spindel, zum Beispiel unter Verwendung eines Motors, mit hohen Geschwindigkeiten gedreht.
  • In dem Schleifschritt werden der Einspanntisch, der die Wafereinheit hält, und die Schleifscheibe der Schleifvorrichtung gedreht und wird die Schleifscheibe abgesenkt, um so die Schleifelemente der Schleifscheibe mit der Rückseite 6 des Wafers W in Kontakt zu bringen, wodurch die Rückseite 6 geschliffen wird.
  • Da die ebene hintere Oberfläche 9b des Basisschicht 9, die an der oberen Oberfläche des Einspanntischs der Schleifvorrichtung angeordnet ist, im Wesentlichen parallel zu der Rückseite 6 des Wafers W ist (siehe 10), wird der während des Schleifvorgangs durch die Schleifscheibe auf den Wafer W ausgeübte Druck gleichmäßig und einheitlich über den Wafer W verteilt. Daher kann das Risiko einer Musterübertragung oder eines Brechens des Wafers W minimiert werden. Ferner ermöglicht die im Wesentlichen parallele Ausrichtung der glatten, ebenen hinteren Oberfläche 9b der Basisschicht 9 und der Rückseite 6 des Wafers W, den Schleifschritt mit einem hohen Maß an Genauigkeit durchzuführen, wodurch eine besonders gleichmäßige und einheitliche Waferdicke nach dem Schleifen erreicht wird.
  • Die weitere Bearbeitung des Wafers W, das heißt das Schneiden desselben und das Aufnehmen der getrennten Bausteine oder Chips, kann im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die erste Ausführungsform ausgeführt durchgeführt werden.
  • Nachfolgend wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers W gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 14 bis 16 beschrieben.
  • Das Verfahren gemäß der fünften Ausführungsform unterscheidet sich von dem Verfahren gemäß der vierten Ausführungsform hinsichtlich der Reihenfolge der Schritte des Schneidens der Schutzfolie 4 und des Schleifens der Waferrückseite 6. Bei der Beschreibung der fünften Ausführungsform werden die Elemente, die im Wesentlichen identisch mit denen der vorherigen Ausführungsformen sind, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet und wird eine wiederholte ausführliche Beschreibung derselben unterlassen.
  • Insbesondere wird bei dem Verfahren der fünften Ausführungsform die Rückseite 6 des Wafers W zuerst geschliffen, während die Schutzfolie 4 noch an dem ringförmigen Rahmen 40 angebracht ist. Das Ergebnis dieses Schleifschritts ist in 14 gezeigt. Die Waferrückseite 6 wird im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben unter Bezugnahme auf 13 für die vierte Ausführungsform ausgeführt geschliffen.
  • Nachfolgend werden Abschnitte der Schutzfolie 4, der Dämpferschicht 8 und der Basisschicht 9, die sich seitlich über den Umfang des Wafers W hinaus erstrecken, abgeschnitten, wie in 15 durch gestrichelte Linien und Pfeile angezeigt ist. Dieser Schneidschritt wird im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben unter Bezugnahme auf 11 für die vierte Ausführungsform ausgeführt durchgeführt. 16 zeigt das Ergebnis des in 15 veranschaulichten Schneidschritts.
  • Die weitere Bearbeitung des Wafers W, das heißt das Schneiden desselben und das Aufnehmen der getrennten Bausteine oder Chips, kann im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die erste Ausführungsform ausgeführt durchgeführt werden.
  • Nachfolgend wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers W gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 17 und 18 beschrieben.
  • Das Verfahren gemäß der sechsten Ausführungsform unterscheidet sich von dem Verfahren gemäß der ersten Ausführungsform dahingehend, dass eine Dämpferschicht 8 an der hinteren Oberfläche 4b der Schutzfolie 4 vorgesehen wird (siehe 17 und 18). Außerdem unterscheidet sich das Verfahren gemäß der sechsten Ausführungsform von den Verfahren gemäß der vierten und der fünften Ausführungsform unter anderem dahingehend, dass keine Basisschicht an einer hinteren Oberfläche 8b der Dämpferschicht 8 vorgesehen wird. Bei der Beschreibung der sechsten Ausführungsform werden die Elemente, die im Wesentlichen identisch mit denen der vorherigen Ausführungsformen sind, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet und wird eine wiederholte ausführliche Beschreibung derselben unterlassen.
  • Bei dem Verfahren der sechsten Ausführungsform wird eine Schutzabdeckung 10 durch Anbringen der Dämpferschicht 8 an der hinteren Oberfläche 4b der Schutzfolie 4 ausgebildet, wie in 17 gezeigt ist. Die Schutzabdeckung 10 umfasst somit die Schutzfolie 4 und die daran angebrachte Dämpferschicht 8. Die Dämpferschicht 8 kann die gleichen Eigenschaften und Charakteristiken wie oben für die vierte Ausführungsform ausgeführt aufweisen.
  • Die Durchmesser der Schutzfolie 4 und der Dämpferschicht 8 sind im Wesentlichen miteinander und mit dem Durchmesser des Wafers W identisch (siehe 18).
  • Die Schutzabdeckung 10 wird so auf die Vorderseite 1 des Wafers W aufgebracht, dass die vordere Oberfläche 4a der Schutzfolie 4 mit der Wafervorderseite 1 in unmittelbarem Kontakt steht. Nachfolgend wird die Schutzfolie 4 erwärmt, um so die Schutzabdeckung 10 an der Vorderseite 1 des Wafers W anzubringen. Die Schutzfolie 4 kann im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die erste Ausführungsform ausgeführt, das heißt durch den erwärmten Einspanntisch 20 (siehe 18), erwärmt werden.
  • Ferner wird durch Verwendung zweier paralleler Druckplatten Druck auf die hintere Oberfläche 8b der Dämpferschicht 8 aufgebracht. Bei dem Druckaufbringvorgang drückt eine Platte gegen die hintere Oberfläche 8b der Dämpferschicht 8 und die andere Platte gegen die Rückseite 6 des Wafers W. Auf diese Weise kann gewährleistet werden, dass die hintere Oberfläche 8b der Dämpferschicht 8 im Wesentlichen parallel zu der Waferrückseite 6 ist.
  • Die Druckplatten können erwärmte Druckplatten sein, wodurch ermöglich wird, die Schutzfolie 4 während des Druckvorgangs durch den Wafer W und/oder durch die Dämpferschicht 8 zu erwärmen. Dieser Erwärmvorgang kann zusätzlich zu oder als eine Alternative zu dem Erwärmen der Schutzfolie 4 durch den erwärmten Einspanntisch 20 durchgeführt werden.
  • Das Ergebnis der Schritte des Aufbringens von Wärme und Druck auf die Schutzfolie 4 ist in 18 gezeigt. Wie in dieser Figur angezeigt ist, wird die von den Vorsprüngen 14 herrührende Wafertopographie vollständig durch die Schutzfolie 4 und die Dämpferschicht 8 absorbiert.
  • Die Dämpferschicht 8 kann aus einem härtbaren Material bestehen und im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die vierte Ausführungsform ausgeführt ausgehärtet werden.
  • Nachfolgend wird die Rückseite 6 des Wafers W im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die vierte Ausführungsform ausgeführt geschliffen.
  • Die weitere Bearbeitung des Wafers W, das heißt das Schneiden desselben und das Aufnehmen der getrennten Bausteine oder Chips, kann im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die erste Ausführungsform ausgeführt durchgeführt werden.
  • Nachfolgend wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers W gemäß einer siebten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 19 bis 21 beschrieben.
  • Das Verfahren gemäß der siebten Ausführungsform unterscheidet sich von dem Verfahren gemäß der sechsten Ausführungsform dahingehend, dass die Basisschicht 9 an der hinteren Oberfläche 8b der Dämpferschicht 8 angebracht wird. Bei der Beschreibung der siebten Ausführungsform werden die Elemente, die im Wesentlichen identisch mit denen der vorherigen Ausführungsformen sind, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet und wird eine wiederholte ausführliche Beschreibung derselben unterlassen.
  • Die Basisschicht 9 wird so an der hinteren Oberfläche 8b der Dämpferschicht 8 angebracht, dass die vordere Oberfläche der Basisschicht 9 mit der hinteren Oberfläche 8b der Dämpferschicht 8 in unmittelbarem Kontakt steht (siehe 19). Die Basisschicht 9 kann die gleichen Eigenschaften und Charakteristiken wie oben für die vierte Ausführungsform ausgeführt aufweisen.
  • Die Durchmesser der Schutzfolie 4, der Dämpferschicht 8 und der Basisschicht 9 sind im Wesentlichen identisch miteinander und identisch mit dem Durchmesser des Wafers W (siehe 19) .
  • Die Schutzfolie 4, die Dämpferschicht 8 und die Basisschicht 9 können im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die vierte Ausführungsform ausgeführt an der Wafervorderseite 1 angebracht werden.
  • Das Ergebnis dieses Anbringvorgangs ist in 19 gezeigt. Die hintere Oberfläche 9b der Basisschicht 9 ist im Wesentlichen parallel zu der Rückseite 6 des Wafers W, wie in 19 durch gestrichelte Pfeile angezeigt ist.
  • Nachfolgend wird die Rückseite 6 des Wafers W im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die vierte Ausführungsform ausgeführt geschliffen.
  • Die weitere Bearbeitung des Wafers W, das heißt das Schneiden desselben und das Aufnehmen der getrennten Bausteine oder Chips, kann im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die erste Ausführungsform ausgeführt durchgeführt werden.
  • 20 und 21 zeigen eine Abwandlung der siebten Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung. Diese Abwandlung unterscheidet sich von der siebten Ausführungsform hauptsächlich dahingehend, dass die Schutzfolie 4 einen kleineren Durchmesser als die Dämpferschicht 8 aufweist und die Dämpferschicht 8 über die Schutzfolie 4 reicht.
  • Speziell weist die Schutzfolie 4 einen Durchmesser auf, der im Wesentlichen der gleiche wie der Durchmesser des Bauelementbereichs 2 des Wafers W ist (siehe 20 und 21) .
  • Die Schutzfolie 4, die Dämpferschicht 8 und die Basisschicht 9 können im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die vierte Ausführungsform ausgeführt an der Wafervorderseite 1 angebracht werden. Das Ergebnis dieses Anbringvorgangs ist in 20 gezeigt.
  • Wie in dieser Figur veranschaulicht ist, umgibt die Dämpferschicht 8 einen äußeren Umfang der Schutzfolie 4 und steht diese mit der Wafervorderseite 1 in unmittelbarem Kontakt. Diese Anordnung bietet eine besonders stabile und robuste Anbringung der Schutzabdeckung, insbesondere der Schutzfolie 4, an der Wafervorderseite 1. Die Festigkeit dieser Anbringung kann durch Aushärten der Dämpferschicht 8 weiter erhöht werden.
  • Nachfolgend wird die Rückseite 6 des Wafers W im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die vierte Ausführungsform ausgeführt geschliffen. Das Ergebnis dieses Schleifvorgangs ist in 21 gezeigt.
  • Die weitere Bearbeitung des Wafers W, das heißt das Schneiden desselben und das Aufnehmen der getrennten Bausteine oder Chips, kann im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die erste Ausführungsform ausgeführt durchgeführt werden.
  • Nachfolgend wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers W gemäß einer achten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 22 und 23 beschrieben.
  • Das Verfahren gemäß der achten Ausführungsform unterscheidet sich von dem Verfahren gemäß der zweiten Ausführungsform dahingehend, dass die Dämpferschicht 8 an der hinteren Oberfläche 4b der Schutzfolie 4 vorgesehen wird (siehe zum Beispiel 22). Bei der Beschreibung der achten Ausführungsform werden die Elemente, die im Wesentlichen identisch mit denen der vorherigen Ausführungsformen sind, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet und wird eine wiederholte ausführliche Beschreibung derselben unterlassen.
  • Die Dämpferschicht 8 kann im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die vierte Ausführungsform ausgeführt an der hinteren Oberfläche 4b der Schutzfolie 4 angebracht werden.
  • Die Durchmesser der Schutzfolie 4 und der Dämpferschicht 8 sind im Wesentlichen identisch miteinander und größer als der Durchmesser des Wafers W (siehe 23).
  • Die Schutzabdeckung, welche die Schutzfolie 4 und die Dämpferschicht 8 umfasst, wird im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die Schutzfolie 4 der zweiten Ausführungsform ausgeführt an der Wafervorderseite 1 angebracht. Insbesondere wird nach dem Aufbringen der Schutzabdeckung auf die Wafervorderseite 1 die Schutzfolie 4 durch den erwärmten Einspanntisch 20 und/oder die erwärmte Walze 30 erwärmt (siehe 23).
  • Ferner wird durch die Walze 30 Druck auf die hintere Oberfläche 8b der Dämpferschicht 8 aufgebracht.
  • Nach dem Anbringen der Schutzabdeckung an der Vorderseite 1 des Wafers W wird die Rückseite 6 des Wafers W im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die vierte Ausführungsform ausgeführt geschliffen.
  • Die weitere Bearbeitung des Wafers W, das heißt das Schneiden desselben und das Aufnehmen der getrennten Bausteine oder Chips, kann im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die erste Ausführungsform ausgeführt durchgeführt werden.
  • Nachfolgend wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers W gemäß einer neunten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 24 beschrieben.
  • Das Verfahren gemäß der neunten Ausführungsform unterscheidet sich von dem Verfahren gemäß der ersten Ausführungsform unter anderem dahingehend, dass eine Haftmittelschicht 12 an den Umfangsabschnitten der Schutzfolie 4 und des Wafers W vorgesehen wird. Bei der Beschreibung der neunten Ausführungsform werden die Elemente, die im Wesentlichen identisch mit denen der vorherigen Ausführungsformen sind, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet und wird eine wiederholte ausführliche Beschreibung derselben unterlassen.
  • Obwohl Vorsprünge oder Erhebungen, die von der ebenen Oberfläche des Wafers W hervorstehen, wie zum Beispiel die oben ausgeführten Vorsprünge 14, in 24 weggelassen sind, können solche Vorsprünge oder Erhebungen in dem Bauelementbereich 7 des Wafers W vorliegen.
  • Bei dem Verfahren der neunten Ausführungsform wird, vor dem Aufbringen der Schutzfolie 4 zum Abdecken der Bauelemente 7 an dem Wafer W auf die Vorderseite 1 des Wafers W, ein flüssiges Haftmittel auf die Schutzfolie 4 und/oder auf den Wafer W, zum Beispiel durch einen Dispenser (nicht gezeigt), aufgebracht. Auf diese Weise wird eine Haftmittelschicht 12 ausgebildet, wie in 24 gezeigt ist. Das flüssige Haftmittel wird nur auf den Umfangsabschnitt der Schutzfolie 4 und/oder nur auf den Umfangsabschnitt des Wafers W aufgebracht. Die Haftmittelschicht 12 weist eine Ringform auf. Die Haftmittelschicht 12 ist so angeordnet, dass kein Haftmittel in dem Bauelementbereich 2 des Wafers W vorliegt.
  • Das flüssige Haftmittel kann zum Beispiel ein von Brewer Science hergestelltes flüssiges Haftmittel, wie zum Beispiel das BrewerBOND® 220 Material, sein.
  • Der Dispenser kann zum Beispiel ein von Musashi Engineering hergestellter Dispenser, wie zum Beispiel der Dispenser ML-5000XII, sein.
  • Die Haftmittelschicht 12 kann eine durchgehende Haftmittelschicht sein. Alternativ kann die Haftmittelschicht 12 eine nicht durchgehende Haftmittelschicht sein. Insbesondere kann bei der Haftmittelschicht 12 das Haftmittel in einer nicht durchgehenden Form, wie zum Beispiel einer punktierten Form, einer Streifenform, zum Beispiel mit geraden und/oder gekrümmten Streifen, oder dergleichen, vorgesehen werden.
  • Das flüssige Haftmittel kann nur auf den Umfangsabschnitt der Schutzfolie 4 aber nicht auf den Wafer W aufgebracht werden. Alternativ kann das flüssige Haftmittel nur auf den Umfangsabschnitt des Wafers W aber nicht auf die Schutzfolie 4 aufgebracht werden. Ferner kann das flüssige Haftmittel auf den Umfangsabschnitt der Schutzfolie 4 und auf den Umfangsabschnitt des Wafers W aufgebracht werden.
  • Das flüssige Haftmittel wird so aufgebracht, dass die Haftmittelschicht 12 ausgebildet wird, die mit einem Umfangsabschnitt der vorderen Oberfläche der Schutzfolie 4 und mit einem Umfangsabschnitt der Vorderseite 1 des Wafers W in unmittelbarem Kontakt steht.
  • Die Schutzfolie 4 weist einen Durchmesser auf, der im Wesentlichen der gleiche wie der Durchmesser des Wafers W ist (siehe 24).
  • Nach dem Aufbringen des flüssigen Haftmittels in der oben ausgeführten Weise wird die Schutzfolie 4 auf die Vorderseite 1 des Wafers W aufgebracht. Die Schutzfolie 4 wird an der Vorderseite 1 des Wafers W durch die Haftmittelschicht 12 angebracht.
  • Nach dem Anbringen der Schutzfolie 4 an der Wafervorderseite 1 wird die Rückseite 6 des Wafers W im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die vierte Ausführungsform ausgeführt geschliffen.
  • Die weitere Bearbeitung des Wafers W, das heißt das Schneiden desselben und das Aufnehmen der getrennten Bausteine oder Chips, kann im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die erste Ausführungsform ausgeführt durchgeführt werden.
  • Nachfolgend wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers W gemäß einer zehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 25 beschrieben.
  • Das Verfahren gemäß der zehnten Ausführungsform unterscheidet sich von dem Verfahren gemäß der neunten Ausführungsform hinsichtlich des Durchmessers der Schutzfolie 4 und der Anordnung der Haftmittelschicht 12. Bei der Beschreibung der zehnten Ausführungsform werden die Elemente, die im Wesentlichen identisch mit denen der vorherigen Ausführungsformen sind, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet und wird eine wiederholte ausführliche Beschreibung derselben unterlassen.
  • Obwohl Vorsprünge oder Erhebungen, die von der ebenen Oberfläche des Wafers W hervorstehen, wie zum Beispiel die oben ausgeführten Vorsprünge 14, in 25 weggelassen sind, können solche Vorsprünge oder Erhebungen in dem Bauelementbereich 7 des Wafers W vorliegen.
  • Wie in 25 veranschaulicht ist, weist die Schutzfolie 4 einen Durchmesser auf, der größer als der Durchmesser des Wafers W ist. Das flüssige Haftmittel wird so aufgebracht, dass die Haftmittelschicht 12 ausgebildet wird, die mit einem Umfangsabschnitt der vorderen Oberfläche der Schutzfolie 4 und mit einem Umfangsabschnitt der Vorderseite 1 des Wafers W und einem Abschnitt eines Umfangsseitenrands des Wafers W in unmittelbarem Kontakt steht. Die Haftmittelschicht 12 weist eine Ringform auf. Die Haftmittelschicht 12 ist so angeordnet, dass in dem Bauelementbereich 2 des Wafers W kein Haftmittel vorliegt.
  • Die Schutzfolie 4 wird durch die Haftmittelschicht 12 an der Vorderseite 1 des Wafers W angebracht.
  • Nach dem Anbringen der Schutzfolie 4 an der Wafervorderseite 1 wird die Rückseite 6 des Wafers W im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die vierte Ausführungsform ausgeführt geschliffen.
  • Die weitere Bearbeitung des Wafers W, das heißt das Schneiden desselben und das Aufnehmen der getrennten Bausteine oder Chips, kann im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die erste Ausführungsform ausgeführt durchgeführt werden.
  • Nachfolgend wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers W gemäß einer elften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 26 beschrieben.
  • Das Verfahren gemäß der elften Ausführungsform unterscheidet sich von dem Verfahren gemäß der zehnten Ausführungsform hinsichtlich der Anordnung der Schutzfolie 4 und der Haftmittelschicht 12. Bei der Beschreibung der elften Ausführungsform werden die Elemente, die im Wesentlichen identisch mit denen der vorherigen Ausführungsformen sind, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet und wird eine wiederholte ausführliche Beschreibung derselben unterlassen.
  • Obwohl Vorsprünge oder Erhebungen, die von der ebenen Oberfläche des Wafers W hervorstehen, wie zum Beispiel die oben ausgeführten Vorsprünge 14, in 26 weggelassen sind, können solche Vorsprünge oder Erhebungen in dem Bauelementbereich 7 des Wafers W vorliegen.
  • Die Schutzfolie 4 weist einen Durchmesser auf, der größer als der Durchmesser des Wafers W ist. Ferner wird ein Umfangsabschnitt der Schutzfolie 4 nach unten gebogen, so dass ein Umfangsabschnitt der vorderen Oberfläche der Schutzfolie 4 mit einem Abschnitt des Umfangsseitenrands des Wafers W in unmittelbarem Kontakt steht, wie in 26 veranschaulicht ist.
  • Das flüssige Haftmittel wird so aufgebracht, dass die Haftmittelschicht 12 ausgebildet wird, die mit einem Umfangsseitenrand der Schutzfolie 4 und mit einem Abschnitt eines Umfangsseitenrands des Wafers W in unmittelbarem Kontakt steht. Die Haftmittelschicht 12 weist eine Ringform auf. Die Haftmittelschicht 12 ist so angeordnet, dass in dem Bauelementbereich 2 des Wafers W kein Haftmittel vorliegt.
  • Das flüssige Haftmittel kann vor dem Aufbringen der Schutzfolie 4 auf den Wafer W auf die Schutzfolie 4 und/oder auf den Wafer W aufgebracht werden. Alternativ kann das flüssige Haftmittel nach dem Aufbringen der Schutzfolie 4 auf den Wafer W auf die Schutzfolie 4 und/oder auf den Wafer W aufgebracht werden.
  • Die Schutzfolie 4 wird durch die Haftmittelschicht 12 an der Vorderseite 1 des Wafers W angebracht. Zusätzlich dazu kann die Schutzfolie 4 durch Erwärmen der Schutzfolie 4 während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie 4 auf die Wafervorderseite 1 an der Wafervorderseite 1 angebracht werden. Insbesondere kann die Schutzfolie 4 durch Verwendung des oben für die erste Ausführungsform ausgeführten Ansatzes an dem Wafer W angebracht werden.
  • Zum Beispiel kann die Schutzfolie 4 zuerst durch Erwärmen der Schutzfolie 4 in der oben ausgeführten Weise an dem Wafer W angebracht werden. Nachfolgend, nachdem die Schutzfolie 4 an dem Wafer W angebracht wurde, kann das flüssige Haftmittel aufgebracht werden. Das flüssige Haftmittel kann so aufgebracht werden, dass Lücken, die zwischen Schutzfolie 4 und Wafer W an deren Umfangsabschnitten vorliegen können, abgedichtet oder abgedeckt werden (siehe 26).
  • Nach dem Anbringen der Schutzfolie 4 an der Wafervorderseite 1 wird die Rückseite 6 des Wafers W im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die vierte Ausführungsform ausgeführt geschliffen.
  • Die weitere Bearbeitung des Wafers W, das heißt das Schneiden desselben und das Aufnehmen der getrennten Bausteine oder Chips, kann im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die erste Ausführungsform ausgeführt durchgeführt werden.
  • Nachfolgend wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers W gemäß einer zwölften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 27 beschrieben.
  • Das Verfahren gemäß der zwölften Ausführungsform unterscheidet sich von dem Verfahren gemäß der neunten Ausführungsform hinsichtlich der Anordnung der Haftmittelschicht 12. Bei der Beschreibung der zwölften Ausführungsform werden die Elemente, die im Wesentlichen identisch mit denen der vorherigen Ausführungsformen sind, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet und wird eine wiederholte ausführliche Beschreibung derselben unterlassen.
  • Obwohl Vorsprünge oder Erhebungen, die von der ebenen Oberfläche des Wafers W hervorstehen, wie zum Beispiel die oben ausgeführten Vorsprünge 14, in 27 weggelassen sind, können solche Vorsprünge oder Erhebungen in dem Bauelementbereich 7 des Wafers W vorliegen.
  • Die Schutzfolie 4 weist einen Durchmesser auf, der im Wesentlichen der gleiche wie der des Wafers W ist (siehe 27) .
  • Das flüssige Haftmittel wird so aufgebracht, dass die Haftmittelschicht 12 ausgebildet wird, die mit einem Abschnitt des Umfangsseitenrands und einem Abschnitt der vorderen Oberfläche der Schutzfolie 4 und mit einem Abschnitt des Umfangsseitenrands und einem Abschnitt der Vorderseite 1 des Wafers W in unmittelbarem Kontakt steht. Die Haftmittelschicht 12 weist eine Ringform auf. Die Haftmittelschicht 12 ist so angeordnet, dass in dem Bauelementbereich 2 des Wafers W kein Haftmittel vorliegt.
  • Das flüssige Haftmittel kann vor dem Aufbringen der Schutzfolie 4 auf den Wafer W auf die Schutzfolie 4 und/oder auf den Wafer W aufgebracht werden. Alternativ kann das flüssige Haftmittel nach dem Aufbringen der Schutzfolie 4 auf den Wafer W auf die Schutzfolie 4 und auf den Wafer W aufgebracht werden.
  • Die Schutzfolie 4 wird durch die Haftmittelschicht 12 an der Vorderseite 1 des Wafers W angebracht. Zusätzlich dazu kann die Schutzfolie 4 durch Erwärmen der Schutzfolie 4 während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie 4 auf die Wafervorderseite 1 an der Wafervorderseite 1 angebracht werden. Insbesondere kann die Schutzfolie 4 durch Verwendung des oben für die erste Ausführungsform ausgeführten Ansatzes an dem Wafer W angebracht werden.
  • Zum Beispiel kann die Schutzfolie 4 zuerst durch Erwärmen der Schutzfolie 4 in der oben ausgeführten Weise an dem Wafer W angebracht werden. Nachfolgend, nachdem die Schutzfolie 4 an dem Wafer W angebracht wurde, kann das flüssige Haftmittel aufgebracht werden. Das flüssige Haftmittel kann so aufgebracht werden, dass Lücken, die zwischen Schutzfolie 4 und Wafer W an deren Umfangsabschnitten vorliegen können, abgedichtet oder abgedeckt werden (siehe 27).
  • Nach dem Anbringen der Schutzfolie 4 an der Wafervorderseite 1 wird die Rückseite 6 des Wafers W im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die vierte Ausführungsform ausgeführt geschliffen.
  • Die weitere Bearbeitung des Wafers W, das heißt das Schneiden desselben und das Aufnehmen der getrennten Bausteine oder Chips, kann im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die erste Ausführungsform ausgeführt durchgeführt werden.
  • Nachfolgend wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers W gemäß einer dreizehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 28 beschrieben.
  • Das Verfahren gemäß der dreizehnten Ausführungsform unterscheidet sich von dem Verfahren gemäß der neunten Ausführungsform hinsichtlich des Durchmessers der Schutzfolie 4 und der Anordnung der Haftmittelschicht 12. Bei der Beschreibung der dreizehnten Ausführungsform werden die Elemente, die im Wesentlichen identisch mit denen der vorherigen Ausführungsformen sind, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet und wird eine wiederholte ausführliche Beschreibung derselben unterlassen.
  • Obwohl Vorsprünge oder Erhebungen, die von der ebenen Oberfläche des Wafers W hervorstehen, wie zum Beispiel die oben ausgeführten Vorsprünge 14, in 28 weggelassen sind, können solche Vorsprünge oder Erhebungen in dem Bauelementbereich 7 des Wafers W vorliegen.
  • Die Schutzfolie 4 weist einen Durchmesser auf, der kleiner als der Durchmesser des Wafers W ist. Der Durchmesser der Schutzfolie 4 ist im Wesentlichen gleich groß wie der des Bauelementbereichs 2 des Wafers W (siehe 28).
  • Das flüssige Haftmittel wird so aufgebracht, dass die Haftmittelschicht 12 ausgebildet wird, die mit dem Umfangsseitenrand der Schutzfolie 4 und mit einem Abschnitt der Vorderseite 1 des Wafers W in unmittelbarem Kontakt steht. Die Haftmittelschicht 12 weist eine Ringform auf. Die Haftmittelschicht 12 ist so angeordnet, dass in dem Bauelementbereich 2 des Wafers W kein Haftmittel vorliegt.
  • Das flüssige Haftmittel kann vor dem Aufbringen der Schutzfolie 4 auf den Wafer W auf die Schutzfolie 4 und/oder auf den Wafer W aufgebracht werden. Alternativ kann das flüssige Haftmittel nach dem Aufbringen der Schutzfolie 4 auf den Wafer W auf die Schutzfolie 4 und auf den Wafer W aufgebracht werden.
  • Die Schutzfolie 4 wird durch die Haftmittelschicht 12 an der Vorderseite 1 des Wafers W angebracht. Zusätzlich dazu kann die Schutzfolie 4 durch Erwärmen der Schutzfolie 4 während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie 4 auf die Wafervorderseite 1 an der Wafervorderseite 1 angebracht werden. Insbesondere kann die Schutzfolie 4 durch Verwendung des oben für die erste Ausführungsform ausgeführten Ansatzes an dem Wafer W angebracht werden.
  • Zum Beispiel kann die Schutzfolie 4 zuerst durch Erwärmen der Schutzfolie 4 in der oben ausgeführten Weise an dem Wafer W angebracht werden. Nachfolgend, nachdem die Schutzfolie 4 an dem Wafer W angebracht wurde, kann das flüssige Haftmittel aufgebracht werden. Das flüssige Haftmittel kann so aufgebracht werden, dass Lücken, die zwischen Schutzfolie 4 und Wafer W an deren Umfangsabschnitten vorliegen können, abgedichtet oder abgedeckt werden (siehe 28).
  • Nach dem Anbringen der Schutzfolie 4 an der Wafervorderseite 1 wird die Rückseite 6 des Wafers W im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die vierte Ausführungsform ausgeführt geschliffen.
  • Die weitere Bearbeitung des Wafers W, das heißt das Schneiden desselben und das Aufnehmen der getrennten Bausteine oder Chips, kann im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die erste Ausführungsform ausgeführt durchgeführt werden.
  • Nachfolgend wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers W gemäß einer vierzehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 29 beschrieben.
  • Das Verfahren gemäß der vierzehnten Ausführungsform unterscheidet sich von dem Verfahren gemäß der neunten Ausführungsform hinsichtlich des Durchmessers der Schutzfolie 4 und der Anordnung der Haftmittelschicht 12. Bei der Beschreibung der vierzehnten Ausführungsform werden die Elemente, die im Wesentlichen identisch mit denen der vorherigen Ausführungsformen sind, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet und wird eine wiederholte ausführliche Beschreibung derselben unterlassen.
  • Obwohl Vorsprünge oder Erhebungen, die von der ebenen Oberfläche des Wafers W hervorstehen, wie zum Beispiel die oben ausgeführten Vorsprünge 14, in 29 weggelassen sind, können solche Vorsprünge oder Erhebungen in dem Bauelementbereich 7 des Wafers W vorliegen.
  • Die Schutzfolie 4 weist einen Durchmesser auf, der größer als der Durchmesser des Wafers W ist (siehe 29).
  • Das flüssige Haftmittel wird so aufgebracht, dass die Haftmittelschicht 12 ausgebildet wird, die mit einem Umfangsabschnitt der vorderen Oberfläche der Schutzfolie 4 und mit einem Abschnitt des Umfangsseitenrands und einem Abschnitt der Vorderseite 1 des Wafers W in unmittelbarem Kontakt steht.
  • Die Haftmittelschicht 12 weist eine Ringform auf. Die Haftmittelschicht 12 ist so angeordnet, dass in dem Bauelementbereich 2 des Wafers W kein Haftmittel vorliegt.
  • Die Anordnung der Haftmittelschicht 12 gemäß der vierzehnten Ausführungsform unterscheidet sich ferner dahingehend von der gemäß der neunten Ausführungsform, dass ein ringförmiger Abschnitt der Vorderseite 1 des Wafers W, der zwischen dem im Wesentlichen kreisförmigen Bauelementbereich 2 und dem inneren Umfang der ringförmigen Haftmittelschicht 12 angeordnet ist, frei von einem Haftmittel ist (siehe 29). Im Gegensatz dazu wird bei der Anordnung der neunten Ausführungsform die Haftmittelschicht 12 so vorgesehen, dass deren innerer Umfang unmittelbar neben dem Bauelementbereich 2 angeordnet ist (siehe 24).
  • Das flüssige Haftmittel kann vor dem Aufbringen der Schutzfolie 4 auf den Wafer W auf die Schutzfolie 4 und/oder auf den Wafer W aufgebracht werden. Alternativ kann das flüssige Haftmittel nach dem Aufbringen der Schutzfolie 4 auf den Wafer W auf die Schutzfolie 4 und auf den Wafer W aufgebracht werden.
  • Die Schutzfolie 4 wird durch die Haftmittelschicht 12 an der Vorderseite 1 des Wafers W angebracht. Zusätzlich dazu kann die Schutzfolie 4 durch Erwärmen der Schutzfolie 4 während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie 4 auf die Wafervorderseite 1 an der Wafervorderseite 1 angebracht werden. Insbesondere kann die Schutzfolie 4 durch Verwendung des oben für die erste Ausführungsform ausgeführten Ansatzes an dem Wafer W angebracht werden.
  • Zum Beispiel kann die Schutzfolie 4 zuerst durch Erwärmen der Schutzfolie 4 in der oben ausgeführten Weise an dem Wafer W angebracht werden. Nachfolgend, nachdem die Schutzfolie 4 an dem Wafer W angebracht wurde, kann das flüssige Haftmittel aufgebracht werden. Das flüssige Haftmittel kann so aufgebracht werden, dass Lücken, die zwischen Schutzfolie 4 und Wafer W an deren Umfangsabschnitten vorliegen können, abgedichtet oder abgedeckt werden (siehe 29).
  • Nach dem Anbringen der Schutzfolie 4 an der Wafervorderseite 1 wird die Rückseite 6 des Wafers W im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die vierte Ausführungsform ausgeführt geschliffen.
  • Die weitere Bearbeitung des Wafers W, das heißt das Schneiden desselben und das Aufnehmen der getrennten Bausteine oder Chips, kann im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben für die erste Ausführungsform ausgeführt durchgeführt werden.
  • Die Schutzfolie 4 der neunten bis vierzehnten Ausführungsformen kann in Kombination mit der Dämpferschicht 8 oder in Kombination mit der Dämpferschicht 8 und der Basisschicht 9 der vorherigen Ausführungsformen im Wesentlichen in der gleichen Weise wie oben ausgeführt verwendet werden.

Claims (29)

  1. Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers (W), der an einer Seite (1) einen Bauelementbereich (2) mit mehreren Bauelementen (7) aufweist, wobei das Verfahren umfasst: Bereitstellen einer Schutzfolie (4); Aufbringen der Schutzfolie (4) auf die eine Seite (1) des Wafers (W) zum Abdecken der Bauelemente (7) an dem Wafer (W), so dass eine vordere Oberfläche (4a) der Schutzfolie (4) mit der einen Seite (1) des Wafers (W) in unmittelbarem Kontakt steht, wobei zwischen der vorderen Oberfläche (4a) der Schutzfolie (4) und der einen Seite (1) des Wafers (W) kein Haftmittel vorliegt; Erwärmen der Schutzfolie (4) während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie (4) auf die eine Seite (1) des Wafers (W), so dass die Schutzfolie (4) an der einen Seite (1) des Wafers (W) angebracht wird; und Bearbeiten der Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, wobei die Schutzfolie (4) aus einem Polymer besteht, und eine Dämpferschicht (8) an einer hinteren Oberfläche (4b) der Schutzfolie (4), die deren vorderer Oberfläche (4a) gegenüberliegt, angebracht ist.
  2. Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers (W), der an einer Seite (1) einen Bauelementbereich (2) mit mehreren Bauelementen (7) aufweist, wobei das Verfahren umfasst: Bereitstellen einer Schutzfolie (4); Aufbringen der Schutzfolie (4) auf die eine Seite (1) des Wafers (W) zum Abdecken der Bauelemente (7) an dem Wafer (W), so dass eine vordere Oberfläche (4a) der Schutzfolie (4) mit der einen Seite (1) des Wafers (W) in unmittelbarem Kontakt steht, wobei zwischen der vorderen Oberfläche (4a) der Schutzfolie (4) und der einen Seite (1) des Wafers (W) kein Haftmittel vorliegt; Erwärmen der Schutzfolie (4) während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie (4) auf die eine Seite (1) des Wafers (W), so dass die Schutzfolie (4) an der einen Seite (1) des Wafers (W) angebracht wird, so dass eine hintere Oberfläche (4b) der an der einen Seite (1) des Wafers (W) angebrachten Schutzfolie (4) nach außen freiliegt, wobei die hintere Oberfläche (4b) der Schutzfolie (4) deren vorderer Oberfläche (4a) gegenüberliegt; und Bearbeiten der Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, wobei die Schutzfolie (4) aus einem Polymer besteht.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem der Bauelementbereich (2) mit mehreren Vorsprüngen (14), die von einer ebenen Oberfläche des Wafers (W) hervorstehen, ausgebildet ist, und die Vorsprünge (14), die von der ebenen Oberfläche des Wafers (W) hervorstehen, in die Schutzfolie (4) eingebettet werden.
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das ferner umfasst, während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie (4) auf die eine Seite (1) des Wafers (W) Druck auf die hintere Oberfläche (4b) der Schutzfolie (4), die deren vorderer Oberfläche (4a) gegenüberliegt, aufzubringen.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Bearbeiten der Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, ein Schleifen der Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, zum Einstellen der Waferdicke umfasst.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Schutzfolie (4) einen äußeren Durchmesser aufweist, der größer als ein äußerer Durchmesser des Wafers (W) oder kleiner als ein äußerer Durchmesser des Wafers (W) oder im Wesentlichen der gleiche wie ein äußerer Durchmesser des Wafers (W) oder im Wesentlichen der gleiche wie ein äußerer Durchmesser des Bauelementbereichs (2) ist.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das ferner ein Anbringen eines äußeren Umfangsabschnitts der Schutzfolie (4) an einem ringförmigen Rahmen (40) umfasst.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem der äußere Umfangsabschnitt der Schutzfolie (4) durch eine im Wesentlichen ringförmige Haftmittelschicht (42) an dem ringförmigen Rahmen (40) angebracht wird.
  9. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem der Ansprüche 3 bis 8 wie abhängig von Anspruch 1, bei dem der Bauelementbereich (2) mit mehreren Vorsprüngen (14), die von einer ebenen Oberfläche des Wafers (W) hervorstehen, ausgebildet ist, und die Vorsprünge (14), die von der ebenen Oberfläche des Wafers (W) hervorstehen, in die Dämpferschicht (8) eingebettet werden.
  10. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem der Ansprüche 3 bis 9 wie abhängig von Anspruch 1, bei dem eine vordere Oberfläche der Dämpferschicht (8) mit der hinteren Oberfläche (4b) der Schutzfolie (4) in Kontakt steht, und eine hintere Oberfläche (8b) der Dämpferschicht (8), die deren vorderer Oberfläche gegenüberliegt, im Wesentlichen parallel zu der Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, ist.
  11. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem der Ansprüche 3 bis 10 wie abhängig von Anspruch 1, bei dem die Dämpferschicht (8) durch einen äußeren Impuls, wie zum Beispiel UV-Strahlung, Wärme, ein elektrisches Feld und/oder eine chemische Substanz, härtbar ist.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, das ferner ein Aufbringen des äußeren Impulses auf die Dämpferschicht (8), um so die Dämpferschicht (8) auszuhärten, nach dem Aufbringen der Schutzfolie (4) auf die eine Seite (1) des Wafers (W) umfasst.
  13. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem der Ansprüche 3 bis 12 wie abhängig von Anspruch 1, bei dem die Dämpferschicht (8) vor dem Aufbringen der Schutzfolie (4) auf die eine Seite (1) des Wafers (W) an der hinteren Oberfläche (4b) der Schutzfolie (4) angebracht wird, oder die Dämpferschicht (8) nach dem Aufbringen der Schutzfolie (4) auf die eine Seite (1) des Wafers (W) an der hinteren Oberfläche (4b) der Schutzfolie (4) angebracht wird.
  14. Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers (W), der an einer Seite (1) einen Bauelementbereich (2) mit mehreren Bauelementen (7) aufweist, wobei das Verfahren umfasst: Bereitstellen einer Schutzfolie (4); Bereitstellen eines flüssigen Haftmittels; Aufbringen des flüssigen Haftmittels auf die Schutzfolie (4) und/oder auf den Wafer (W); Aufbringen der Schutzfolie (4) auf die eine Seite (1) des Wafers (W) zum Abdecken der Bauelemente an dem Wafer (W); und Bearbeiten der Seite (6) des Wafers (W), die der einen Seite (1) gegenüberliegt, wobei das flüssige Haftmittel nur auf einen Umfangsabschnitt der Schutzfolie (4) und/oder nur auf einen Umfangsabschnitt des Wafers (W) aufgebracht wird, und wobei die Schutzfolie (4) an der einen Seite (1) des Wafers (W) angebracht wird, bevor das flüssige Haftmittel aufgebracht wird, wobei die Schutzfolie (4) durch Erwärmen der Schutzfolie (4) während und/oder nach dem Aufbringen der Schutzfolie (4) auf die eine Seite (1) des Wafers (W) an der einen Seite (1) des Wafers (W) angebracht wird.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, bei dem das flüssige Haftmittel so auf die Schutzfolie (4) und/oder auf den Wafer (W) aufgebracht wird, dass nach dem Aufbringen der Schutzfolie (4) auf die eine Seite (1) des Wafers (W) in dem Bauelementbereich (2) des Wafers (W) kein Haftmittel vorliegt.
  16. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, bei dem eine Dämpferschicht (8) an einer hinteren Oberfläche (4b) der Schutzfolie (4) angebracht wird.
  17. Verfahren nach Anspruch 1 oder 16 oder einem der Ansprüche 3 bis 13 wie abhängig von Anspruch 1, bei dem eine Basisschicht (9) an einer hinteren Oberfläche (8b) der Dämpferschicht (8) angebracht wird.
  18. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Schutzfolie (4) aus einem Polyolefin besteht.
  19. Schutzfolie (4), die dafür eingerichtet ist, in einem Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers (W) verwendet zu werden, wobei der Wafer (W) an einer Seite (1) einen Bauelementbereich (2) mit mehreren Bauelementen (7) aufweist und wobei: die Schutzfolie (4) dafür eingerichtet ist, auf die eine Seite (1) des Wafers (W) so aufgebracht zu werden, dass eine vordere Oberfläche (4a) der Schutzfolie (4) mit der einen Seite (1) des Wafers (W) in unmittelbarem Kontakt steht, wobei zwischen der vorderen Oberfläche (4a) der Schutzfolie (4) und der einen Seite (1) des Wafers (W) kein Haftmittel vorliegt; und die Schutzfolie (4) so eingerichtet ist, dass eine Anbringkraft zwischen der Schutzfolie (4) und dem Wafer (W), durch welche die Schutzfolie (4) an der einen Seite (1) des Wafers (W) angebracht wird, durch Erwärmen der Schutzfolie (4) erzeugt wird, wobei die Schutzfolie (4) aus einem Polymer besteht, eine Dämpferschicht (8) an einer hinteren Oberfläche (4b) der Schutzfolie (4), die deren vorderer Oberfläche (4a) gegenüberliegt, angebracht ist.
  20. Schutzfolie (4), die dafür eingerichtet ist, in einem Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers (W) verwendet zu werden, wobei der Wafer (W) an einer Seite (1) einen Bauelementbereich (2) mit mehreren Bauelementen (7) aufweist und wobei: die Schutzfolie (4) dafür eingerichtet ist, auf die eine Seite (1) des Wafers (W) so aufgebracht zu werden, dass eine vordere Oberfläche (4a) der Schutzfolie (4) mit der einen Seite (1) des Wafers (W) in unmittelbarem Kontakt steht, wobei zwischen der vorderen Oberfläche (4a) der Schutzfolie (4) und der einen Seite (1) des Wafers (W) kein Haftmittel vorliegt; und die Schutzfolie (4) so eingerichtet ist, dass eine Anbringkraft zwischen der Schutzfolie (4) und dem Wafer (W), durch welche die Schutzfolie (4) an der einen Seite (1) des Wafers (W) so angebracht wird, dass eine hintere Oberfläche (4b) der Schutzfolie (4) nach außen freiliegt, wobei die hintere Oberfläche (4b) der Schutzfolie (4) deren vorderer Oberfläche (4a) gegenüberliegt, durch Erwärmen der Schutzfolie (4) erzeugt wird, wobei die Schutzfolie (4) aus einem Polymer besteht, und die Schutzfolie (4) in einer Draufsicht darauf eine Kreisform, eine ovale Form oder eine elliptische Form aufweist.
  21. Schutzfolie (4) nach Anspruch 19 oder 20, wobei die Schutzfolie (4) dafür eingerichtet ist, durch Erwärmen der Schutzfolie (4) erweicht zu werden.
  22. Schutzfolie (4) nach Anspruch 21, wobei die Schutzfolie (4) dafür eingerichtet ist, sich beim Abkühlen wieder zu erhärten.
  23. Schutzfolie (4) nach einem der Ansprüche 19 bis 22, wobei die Schutzfolie (4) so eingerichtet ist, dass durch Erwärmen der Schutzfolie (4) ein Formschluss und/oder ein Stoffschluss zwischen der Schutzfolie (4) und dem Wafer (W) ausgebildet wird.
  24. Schutzfolie (4) nach einem der Ansprüche 19 bis 23, wobei die Schutzfolie (4) bis zu einer Temperatur von 180 °C oder mehr wärmebeständig ist.
  25. Schutzfolie (4) nach einem der Ansprüche 19 bis 24, wobei die Schutzfolie (4) so eingerichtet ist, dass die Anbringkraft zwischen der Schutzfolie (4) und dem Wafer (W), durch welche die Schutzfolie (4) an der einen Seite (1) des Wafers (W) angebracht wird, durch Erwärmen der Schutzfolie (4) auf eine Temperatur in dem Bereich von 60 °C bis 150 °C erzeugt wird.
  26. Schutzfolie (4) nach einem der Ansprüche 19 bis 25, wobei die Schutzfolie (4) so eingerichtet ist, dass die Anbringkraft zwischen der Schutzfolie (4) und dem Wafer (W), durch welche die Schutzfolie (4) an der einen Seite (1) des Wafers (W) angebracht wird, durch Erwärmen der Schutzfolie (4) über eine Zeitdauer in dem Bereich von 1 Min bis 10 Min erzeugt wird.
  27. Schutzfolie (4) nach einem der Ansprüche 19 bis 26, wobei die Schutzfolie (4) dafür eingerichtet ist, biegsam, elastisch, flexibel, dehnbar, weich und/oder kompressibel zu sein, wenn diese sich in ihrem erwärmten Zustand befindet.
  28. Schutzfolie (4) nach einem der Ansprüche 19 bis 27, wobei die Schutzfolie (4) eine Dicke in dem Bereich von 5 bis 200 pm aufweist.
  29. Schutzfolie (4) nach einem der Ansprüche 19 bis 28, wobei die Schutzfolie (4) aus einem Polyolefin besteht.
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