JP5064985B2 - 半導体ウェハの処理方法 - Google Patents
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Description
また、特許文献2および3には、先ダイシング及びDAFのレーザー切断による方法が提案されている。特許文献2にはダイシングテープ側からレーザーを照射しDAFのみを分割する方法が記載されているが、レーザーがダイシングテープを透過し、DAFを完全に切断するためのレーザー強度の制御が困難であったり、ダイシングテープ材料選定において制限があった。また、DAFとダイシングテープ粘着剤層との界面においてレーザー照射によるデブリ等が発生し、DAF切断面の品質に問題を有していた。また、特許文献3は先ダイシングで分割後、ウェハ裏面にDAFを貼合しチップ分割ラインに合わせてDAFを切断するのは制御が非常に困難であった。
(1)次の各工程を有することを特徴とする半導体ウェハの処理方法であって、下記(e)工程において、チップに貼合された裏面保護テープの粘着力が、リングフレームにて支持固定している支持固定用テープの粘着力より低く、前記チップに貼合された裏面保護テープが放射線硬化型粘着剤層を有するものであり、前記リングフレームにて支持固定している支持固定用テープが非放射線硬化型粘着剤層を有するものであることを特徴とする半導体ウェハの処理方法。
(a)パターン面側に表面保護テープを貼合された状態で半導体ウェハの裏面を研削し、研削された裏面側に裏面保護テープを貼合し、半導体ウェハのストリートに沿って該裏面保護テープのみをレーザー光又はブレードにより切断し溝を入れる工程、
(b)溝を入れ個片化された裏面保護テープ側からプラズマ処理し、該溝においてむき出しにされた半導体ウェハをエッチングしてチップに個片化する工程、
(c)支持固定用テープをリングフレームにて支持固定した状態で、個片化された裏面保護テープ側に該支持固定用テープを貼合する工程、
(d)パターン面側の表面保護テープを剥離する工程、及び
(e)チップをピックアップし、ダイボンディング工程に移す工程。
(2)次の各工程を有することを特徴とする半導体ウェハの処理方法であって、下記(e)工程において、接着フィルムに貼合された裏面保護テープの粘着力が、リングフレームにて支持固定している支持固定用テープの粘着力より低く、前記接着フィルムに貼合された裏面保護テープが放射線硬化型粘着剤層を有するものであり、前記リングフレームにて支持固定している支持固定用テープが非放射線硬化型粘着剤層を有するものであることを特徴とする半導体ウェハの処理方法。
(a)パターン面側に表面保護テープを貼合された状態で半導体ウェハの裏面を研削し、研削された裏面側に接着フィルムを貼合し、該接着フィルムの上面から裏面保護テープを貼合し、半導体ウェハのストリートに沿って該裏面保護テープのみをレーザー光又はブレードにより切断し溝を入れる工程、
(b)溝を入れ個片化された裏面保護テープ側からプラズマ処理し、該溝においてむき出しにされた該接着フィルムと該半導体ウェハを一括してエッチングしてチップに個片化する工程、
(c)支持固定用テープをリングフレームにて支持固定した状態で、個片化された裏面保護テープ側に該支持固定用テープを貼合する工程、
(d)パターン面側の表面保護テープを剥離する工程、及び
(e)チップをピックアップし、ダイボンディング工程に移す工程。
(3)次の各工程を有することを特徴とする半導体ウェハの処理方法であって、下記(e)工程において、接着フィルムに貼合された裏面保護テープの粘着力が、リングフレームにて支持固定している支持固定用テープの粘着力より低く、前記接着フィルムに貼合された裏面保護テープが放射線硬化型粘着剤層を有するものであり、前記リングフレームにて支持固定している支持固定用テープが非放射線硬化型粘着剤層を有するものであることを特徴とする半導体ウェハの処理方法。
(a)パターン面側に表面保護テープを貼合された状態で半導体ウェハの裏面を研削し、研削された裏面側に接着フィルムを貼合し、該接着フィルムの上面から裏面保護テープを貼合し、半導体ウェハのストリートに沿って該裏面保護テープおよび該接着フィルムのみをブレードにより切断し溝を入れる工程、
(b)溝を入れ個片化された裏面保護テープ側からプラズマ処理し、該溝においてむき出しにされた半導体ウェハをエッチングしてチップに個片化する工程、
(c)支持固定用テープをリングフレームにて支持固定した状態で、個片化された裏面保護テープ側に該支持固定用テープを貼合する工程、
(d)パターン面側の表面保護テープを剥離する工程、及び
(e)チップをピックアップし、ダイボンディング工程に移す工程。
(4)前記裏面保護テープの基材がポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルイミド及びポリイミドからなる群から選ばれる少なくとも1種を含有する樹脂組成物からなる(1)〜(3)のいずれか1項に記載の半導体ウェハの処理方法。
以下に示される工程に用いられる装置及び材料は、特に断りのない限り、従来、半導体ウェハ加工に用いられているものを使用することができ、装置の使用条件は常法により適切な条件を設定することができる。
図1−1(a)は、半導体ウェハ1のパターン面2側に表面保護テープ3を貼合された状態で半導体ウェハ1の裏面を研削し、研削された裏面側に裏面保護テープ4が貼合された半導体ウェハ1の概略断面図である。なお、図中、5は表面保護テープ3の粘着剤層を、6は裏面保護テープ4の粘着剤層をそれぞれ示すものである。また、図示はしないが、パターン面2には複数のストリートが平面図において格子状に形成されている。
プラズマ10による処理は、例えば、プラズマ発生ガス供給手段11の下面の噴出部からプラズマ発生ガスを噴出させると共に、プラズマ発生ガス供給手段11と表面保護テープ3の粘着剤層5とは反対側の面が載置された高周波側電極(図示せず)との間に高周波電圧を印加してプラズマ発生ガスをプラズマ化させ、溝9に供給する。そうすると、プラズマのエッチング効果により、ダイシングテープ4が被覆されていない部分、すなわち、溝9によりむき出しされた半導体ウェハ1がエッチングされ、個々のデバイスに分割される。
まず、図1−2(f)で示されるように、ダイシングされ個片化された裏面保護テープ4側に支持固定用テープ13を矢印方向に貼合する。なお、図中、14は支持固定用テープ13の粘着剤層を示すものである。
次に、個片化された裏面保護テープ4側に貼合された支持固定用テープ13をリングフレーム(図示しない)にて支持固定し、図1−2(g)に示すように、パターン面2側の表面保護テープ3を矢印方向に剥離する。図1−2(h)は、表面保護テープ3の剥離が完了した状態を示すものである。
次に、図1−2(i)に示すようにピン15によりチップを突き上げコレット16により吸着してチップをピックアップし、ダイボンディング工程に移す。
この態様の半導体ウェハの処理方法では、半導体ウェハをプラズマでエッチングするため、チップ切断面のチッピングを低減することができる。
図2−1(a)は、半導体ウェハ1のパターン面2側に表面保護テープ3を貼合された状態を示す概略断面図である。この状態で、図の上方から半導体ウェハ1の裏面を研削する。図中、5は表面保護テープ3の粘着剤層を示す。また、図示はしないが、パターン面2には複数のストリートが平面図において格子状に形成されている。
次いで、図2−1(b)に示すように、研削された半導体ウェハ1の裏面側に、接着フィルム(DAF)12を貼合し、さらに接着フィルム12の上面から裏面保護テープ4を貼合する。図中、6は裏面保護テープ4の粘着剤層を示す。
次いで、図2−1(c)に示すように、半導体ウェハ1のストリートに沿って、裏面保護テープ4のみを切断し溝を入れる。溝を入れる方法は、ブレードダイシング、レーザーダイシングが挙げられる。
図2−2(f)は、図2−2(e)に示す状態から上下逆にした状態を示す。その後、上記第1の実施態様と同様にパターン面2側の表面保護テープ3を剥離する。
次に、図2−2(9)に示すようにピン15によりチップを突き上げコレット16により吸着してDAF12の付着したチップをピックアップし、ダイボンディング工程に移す。
この態様の半導体ウェハの処理方法では、接着フィルムが介在する場合でも、プラズマエッチングを問題なく、行なうことができる。
図3(a)は、半導体ウェハ1のパターン面2側に表面保護テープ3を貼合された状態で半導体ウェハ1の裏面を研削し、研削された裏面側に接着フィルム12を貼合し、該接着フィルム12の上面から裏面保護テープ4が貼合された半導体ウェハ1の概略断面図である。なお、図中、5は表面保護テープ3の粘着剤層を、6は裏面保護テープ4の粘着剤層をそれぞれ示すものである。また上記の態様では、接着フィルム12を貼合し、該接着フィルム12の上面から裏面保護テープ4を貼合しているが、ダイボンディング用の接着フィルムと裏面保護テープが積層された一体型のものを半導体ウェハ1の裏面に貼合しても良い。
接着フィルムが厚い等の理由により、接着フィルムを同時にプラズマエッチングすることが困難な場合には、予め接着フィルムもレーザダイシング又はブレードダイシングで切断しておけば、特に問題なくプラズマ処理を行なうことができる。
半導体ウェハ1のチップまたは接着フィルム12に貼合された裏面保護テープ4の粘着力を、リングフレームにて支持固定している支持固定用テープ13の粘着力より低くする方法は、放射線硬化型粘着剤層と非放射線硬化型粘着剤層を用いる。例えば、チップまたは接着フィルム12に貼合された裏面保護テープ4の粘着剤層6として紫外線硬化型粘着剤層を有するUV硬化型のテープを用い、リングフレームにて支持固定している支持固定用テープ13の粘着剤層14として非紫外線硬化型粘着剤層を有する非UV硬化型のテープを用い、常法により紫外線処理することで行うことができる。
図4−1(a)は、半導体ウェハ1のパターン面2側に表面保護テープ3を貼合された状態を示す概略断面図である。この状態で、図の上方から半導体ウェハ1の裏面を研削する。図中、5は表面保護テープ3の粘着剤層を示す。また、図示はしないが、パターン面2には複数のストリートが平面図において格子状に形成されている。
次いで、図4−1(b)に示すように、研削された半導体ウェハ1の裏面側に、接着フィルム(DAF)12を貼合し、さらに接着フィルム12の上面から裏面保護シート17を貼合する。
次いで、図4−1(c)に示すように、半導体ウェハ1のストリートに沿って、裏面保護シート17および接着フィルム12のみを切断し溝を入れる。溝を入れる方法は特に限定されるものではないが、例えば、ブレードダイシング、レーザーダイシングが挙げられる。
この態様の半導体ウェハの処理方法では、裏面保護シートに粘着層が無いため個片化された裏面保護シートからの接着フィルム付きチップを容易にピックアップすることができる。
図5−1(a)は、半導体ウェハ1のパターン面2側に表面保護テープ3を貼合された状態を示す概略断面図である。この状態で、図の上方から半導体ウェハ1の裏面を研削する。図中、5は表面保護テープ3の粘着剤層を示す。また、図示はしないが、パターン面2には複数のストリートが平面図において格子状に形成されている。
次いで、図5−1(b)に示すように、研削された半導体ウェハ1の裏面側に、セパレータ18ごと接着フィルム(DAF)12を貼合する。
次いで、図5−1(c)に示すように、半導体ウェハ1のストリートに沿って、セパレータ18および接着フィルム12のみを切断し溝を入れる。溝を入れる方法は特に限定されるものではないが、例えば、ブレードダイシング、レーザーダイシングが挙げられる。
この態様の半導体ウェハの処理方法では、セパレータを裏面保護フィルムの代わりに用いているため、裏面保護フィルムまたは裏面保護テープを貼合する工程がなく所要時間を短縮することができる。
支持固定用テープを用いず、表面保護テープ3側からピンで突き上げピックアップすることで支持固定用テープを貼合する工程および表面保護テープを剥離する工程が無くなるため、所要時間を短縮することができる。
これに対しては、裏面保護テープ4、裏面保護シート17、セパレータ18の基材に、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルイミド及びポリイミド等の耐熱性の高い樹脂を用いることによって、より高いエッチング効率を得ることができる。
図6(a)に示すパターン面2側に表面保護テープ3を貼合された状態で半導体ウェハ1の裏面を研削する。図中、5は表面保護テープ3の粘着剤層である。図6(b)に示す研削された半導体ウェハ1の裏面側に、図6(c)に示すように、基材フィルム41と放射線硬化型粘着剤層42から構成された裏面保護テープを貼合する。次いで図6(d)に示すように裏面保護テープの基材フィルム41のみを剥離し、図6(e)に示すように粘着剤層42をむき出しにする。
図6(f)は、図6(e)の状態の粘着剤層42側から見た半導体ウェハ1の平面図である。むき出しにされた未硬化の粘着剤層42aのうち、半導体ウェハ1のストリート17以外の部分に放射線を照射し、図6(g)に示すように、ストリート17以外の部分を硬化した粘着剤層42bとする。
その後、粘着剤層42側から上記の第1の実施態様と同様にプラズマ処理し、ストリート17部に相当する粘着剤層42の放射線の照射されていない部分、及び半導体ウェハ1のストリート17部をエッチングしてチップに個片化する。
その後、上記の第1の実施態様と同様に、支持固定用テープをリングフレームにて支持固定した状態で、個片化された裏面保護テープの粘着剤層42側に該支持固定用テープを貼合し、パターン面側の表面保護テープを剥離し、チップをピックアップし、ダイボンディング工程に移す。
この状態で、高周波電源部30を駆動して高周波側電極22に高周波電圧を印加することにより、ガス供給電極23と高周波側電極22との間にはフッ素系ガスのプラズマが発生し、これにより半導体ウェハ24のストリート部分のみをプラズマエッチングによって除去するプラズマダイシングが行われる。このプラズマダイシング過程においては、冷却ユニット31を駆動して冷媒を高周波電極22内に循環させ、プラズマの熱によって半導体ウェハ24が昇温するのを防止するものである。
更に、市販の非UV硬化型ダイシングテープを分割されたUV硬化型ダイシングテープ側に貼合しリングフレームにて支持固定し、更にパターン面側のUV硬化型表面保護テープにUVを照射した後、剥離させた。その後、ダイシングテープ側からUVを照射しDAFに直接貼合されているUV硬化型ダイシングテープの粘着力を低減させ、ピックアップ工程にて、裏面側にDAFが貼合された状態のチップをピックアップした。
上記処理においては、ダイシングにおいて、チッピングは観測されず、また良好にピックアップすることができた。
2 パターン面
3 表面保護テープ
4 裏面保護テープ
5 表面保護テープの粘着剤層
6 裏面保護テープの粘着剤層
7 レーザー光照射手段
8 レーザー光
9 溝
10 プラズマ
11 エッチングガス供給手段
12 接着フィルム(DAF)
13 支持固定用テープ
14 支持固定用テープの粘着剤層
15 ピン
16 コレット
17 裏面保護シート
18 セパレータ
21 真空チャンバ
22 高周波電極
23 ガス供給電極
24 半導体ウェハ
25 絶縁リング
26 ガス供給孔
27 制御バブル
28 プラズマ発生用ガス供給部
29 多孔質プレート
30 高周波電源部
31 冷却ユニット
41 裏面保護テープの基材フィルム
42 放射線硬化型粘着剤層
42a 放射線照射前の放射線硬化型粘着剤層
42b 放射線照射後の放射線硬化型粘着剤層
Claims (4)
- 次の各工程を有することを特徴とする半導体ウェハの処理方法であって、下記(e)工程において、チップに貼合された裏面保護テープの粘着力が、リングフレームにて支持固定している支持固定用テープの粘着力より低く、前記チップに貼合された裏面保護テープが放射線硬化型粘着剤層を有するものであり、前記リングフレームにて支持固定している支持固定用テープが非放射線硬化型粘着剤層を有するものであることを特徴とする半導体ウェハの処理方法。
(a)パターン面側に表面保護テープを貼合された状態で半導体ウェハの裏面を研削し、研削された裏面側に裏面保護テープを貼合し、半導体ウェハのストリートに沿って該裏面保護テープのみをレーザー光又はブレードにより切断し溝を入れる工程、
(b)溝を入れ個片化された裏面保護テープ側からプラズマ処理し、該溝においてむき出しにされた半導体ウェハをエッチングしてチップに個片化する工程、
(c)支持固定用テープをリングフレームにて支持固定した状態で、個片化された裏面保護テープ側に該支持固定用テープを貼合する工程、
(d)パターン面側の表面保護テープを剥離する工程、及び
(e)チップをピックアップし、ダイボンディング工程に移す工程。 - 次の各工程を有することを特徴とする半導体ウェハの処理方法であって、下記(e)工程において、接着フィルムに貼合された裏面保護テープの粘着力が、リングフレームにて支持固定している支持固定用テープの粘着力より低く、前記接着フィルムに貼合された裏面保護テープが放射線硬化型粘着剤層を有するものであり、前記リングフレームにて支持固定している支持固定用テープが非放射線硬化型粘着剤層を有するものであることを特徴とする半導体ウェハの処理方法。
(a)パターン面側に表面保護テープを貼合された状態で半導体ウェハの裏面を研削し、研削された裏面側に接着フィルムを貼合し、該接着フィルムの上面から裏面保護テープを貼合し、半導体ウェハのストリートに沿って該裏面保護テープのみをレーザー光又はブレードにより切断し溝を入れる工程、
(b)溝を入れ個片化された裏面保護テープ側からプラズマ処理し、該溝においてむき出しにされた該接着フィルムと該半導体ウェハを一括してエッチングしてチップに個片化する工程、
(c)支持固定用テープをリングフレームにて支持固定した状態で、個片化された裏面保護テープ側に該支持固定用テープを貼合する工程、
(d)パターン面側の表面保護テープを剥離する工程、及び
(e)チップをピックアップし、ダイボンディング工程に移す工程。 - 次の各工程を有することを特徴とする半導体ウェハの処理方法であって、下記(e)工程において、接着フィルムに貼合された裏面保護テープの粘着力が、リングフレームにて支持固定している支持固定用テープの粘着力より低く、前記接着フィルムに貼合された裏面保護テープが放射線硬化型粘着剤層を有するものであり、前記リングフレームにて支持固定している支持固定用テープが非放射線硬化型粘着剤層を有するものであることを特徴とする半導体ウェハの処理方法。
(a)パターン面側に表面保護テープを貼合された状態で半導体ウェハの裏面を研削し、研削された裏面側に接着フィルムを貼合し、該接着フィルムの上面から裏面保護テープを貼合し、半導体ウェハのストリートに沿って該裏面保護テープおよび該接着フィルムのみをブレードにより切断し溝を入れる工程、
(b)溝を入れ個片化された裏面保護テープ側からプラズマ処理し、該溝においてむき出しにされた半導体ウェハをエッチングしてチップに個片化する工程、
(c)支持固定用テープをリングフレームにて支持固定した状態で、個片化された裏面保護テープ側に該支持固定用テープを貼合する工程、
(d)パターン面側の表面保護テープを剥離する工程、及び
(e)チップをピックアップし、ダイボンディング工程に移す工程。 - 前記裏面保護テープの基材がポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルイミド及びポリイミドからなる群から選ばれる少なくとも1種を含有する樹脂組成物からなる請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体ウェハの処理方法。
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