JP5886821B2 - 基板処理装置及び方法 - Google Patents
基板処理装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5886821B2 JP5886821B2 JP2013267055A JP2013267055A JP5886821B2 JP 5886821 B2 JP5886821 B2 JP 5886821B2 JP 2013267055 A JP2013267055 A JP 2013267055A JP 2013267055 A JP2013267055 A JP 2013267055A JP 5886821 B2 JP5886821 B2 JP 5886821B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- load
- substrate
- ring
- wafer
- susceptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02046—Dry cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
- H01J37/32761—Continuous moving
- H01J37/32779—Continuous moving of batches of workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02076—Cleaning after the substrates have been singulated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6735—Closed carriers
- H01L21/67383—Closed carriers characterised by substrate supports
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
また、本発明の実施形態はマウンティングテープの変性を防止できる基板処理装置を提供する。
また、本発明の実施形態はマウンティングテープに付着されたウエハーを容易にハンドリングできる基板処理装置を提供する。
また、前記プラズマ処理ユニットは、内部に空間が形成された工程チャンバーと、前記工程チャンバーの内部に位置し、前記基板を支持するサセプタと、前記工程チャンバーの内部へプラズマを供給するプラズマ供給部と、前記マウンティングテープがプラズマに露出されないようにカバーするブロッキング部材と、を包含することができる。
また、前記ブロッキング部材は、前記ウエハーと前記フレームリングとの間をカバーし、前記マウンティングテープと非接触するブロッキングリングと、前記ブロッキングリングを昇降させる昇降部材と、を包含することができる。
また、前記ブロッキングリングは、リング形状を有し、前記マウンティングテープと対向するボディーと、前記ボディーの内側から下向傾くように延長され、その終端が前記ウエハーの縁領域と接触する内側部と、前記ボディーの外側から下向傾くように延長され、その終端が前記フレームリングと接触する外側部と、を包含することができる。
また、前記ブロッキングリングは、リング形状を有し、前記マウンティングテープと対向するボディーと、前記ボディーの内側から下向傾くように延長され、その終端が前記ウエハーの上面と所定間隔を維持する内側部と、前記ボディーの外側から下向傾くように延長され、その終端が前記フレームリングと接触する外側部と、を包含することができる。
また、前記フレームリングは、前記ウエハーの縁領域から前記フレームリングの外側縁領域をカバーできる幅を有することができる。
また、前記ブロッキングリングはセラミック材質で提供され得る。
また、前記昇降部材は、前記ブロッキングリングを支持する第1ロードと、前記第1ロードの下部で前記第1ロードを支持し、前記第1ロードが昇降可能である空間が内側に形成される第2ロードと、前記第2ロードの下部で前記第2ロードを支持し、前記第2ロードが昇降可能である空間が内側に形成された第3ロードと、前記第1ロードと前記第2ロードを個別的に昇降させる駆動部と、を含み、前記第2ロードには前記マウンティングリングを支持した状態で前記基板を前記サセプタに安着させる下敷き片が提供され、前記サセプタの縁領域には前記下敷き片が上下方向に移動できる収容空間が形成されることができる。
また、前記収容空間は、前記サセプタの外側面で内側で前記ウエハーのエッジが位置する地点まで提供され得る。
また、前記搬送ユニットは、やっとこ方式に前記フレームリングの一部領域を把持するハンド部を有し、前記基板を移送する搬送ロボットを包含することができる。
また、前記ハンド部は、前記フレームリングの一部領域が置かれる下部ハンドと、前記下部ハンドの上部に位置し、前記下部ハンドに置かれる前記フレームリングを抑えて固定する上部ハンドと、前記下部ハンドに対して前記上部ハンドが広がるか、或いは折られるように前記上部ハンドを移動させる駆動部と、を包含することができる。
また、前記下部ハンドの前端は、前記フレームリングと曲率が同一の弧形状を有することができる。
前記サセプタに置かれる前記基板領域の中で外部に露出された前記マウンティングテープをカバーするブロッキングリングと、前記ブロッキングリングを昇降させる昇降部材と、を含む。
また、前記ブロッキングリングは、前記基板の領域の中で前記ウエハーと前記フレームリングとの間をカバーし、前記マウンティングテープと非接触することができる。
また、前記ブロッキングリングは、前記ウエハーの縁領域から前記フレームリングの外側縁領域をカバーできる幅を有することができる。
また、前記ブロッキングリングは、内側端が前記ウエハーの上面と接触し、外側端が前記フレームリングの上面と接触することができる。
また、前記ブロッキングリングは、内側端が前記ウエハーの上面と所定間隔を維持し、外側端が前記フレームリングの上面と接触することができる。
また、前記昇降部材は、前記ブロッキングリングが上端に結合する移動ロードと、前記移動ロードを昇降させる駆動部と、を含み、前記移動ロードには、前記マウンティングリングを支持し、前記移動ロードと共に下降して前記基板を前記サセプタに安着させる下敷き片が結合し、前記サセプタの縁領域には前記下敷き片がが昇降できる収容空間が形成され得る。
また、前記サセプタに置かれる基板は、前記マウンティングテープが前記プラズマに露出されないようにブロッキングリングによってカバーされ得る。
また、前記ブロッキングリングは、リング形状を有し、前記ウエハーと前記フレームリングとの間の領域をカバーすることができる。
また、前記ブロッキングリングは、前記ウエハーの縁領域から前記フレームリングの外側縁領域をカバーすることができる。
また、前記ブロッキングリングの内側端は、前記ウエハーと接触することができる。
また、前記ブロッキングリングの内側端は、前記ウエハーと所定距離に離隔され得る。
また、前記基板を前記サセプタに安着させる工程は、前記ブロッキングリングを昇降させる移動ロードと結合された下敷き片に前記フレームリングが置かれる状態で前記移動ロードの下降と共に前記下敷き片が下降することができる。
また、前記搬送ロボットはハンド部が前記フレームリングの一部領域をやっとこ方式に把持した状態で前記基板を移送することができる。
10・・・ロードポート
20・・・基板搬送ユニット
30・・・プラズマ処理ユニット
50・・・基板
71・・・フレームリング
72・・・マウンティングテープ
52c・・・ウエハー
100・・・キャリヤー
220・・・第1搬送ロボット
224・・・下部ハンド
225・・・上部ハンド
250・・・第2搬送ロボット
310・・・工程チャンバー
320・・・サセプタ
330・・・シャワーヘッド
340・・・プラズマ供給部
350・・・ブロッキング部材
351・・・ブロッキングリング
361・・・移動ロード
365・・・下敷き片
368・・・駆動部
Claims (24)
- 基板を処理する装置であって、前記装置は、
フレームリングに固定されたマウンティングテープにバックグラインディングが完了されたウエハーが付着された複数枚の基板が収納されたキャリヤーが置かれるロードポートと、
プラズマを供給して前記ウエハーの上面を処理するプラズマ処理ユニットと、
前記キャリヤーと前記プラズマ処理ユニットとの間に前記基板を移送する基板搬送ユニットと、を含み、
前記プラズマ処理ユニットは、
内部に空間が形成された工程チャンバーと、
前記工程チャンバーの内部に位置し、前記基板を支持するサセプタと、
前記工程チャンバーの内部へプラズマを供給するプラズマ供給部と、
前記マウンティングテープをプラズマに露出されないようにカバーするブロッキング部材と、を含み、
前記ブロッキング部材は、
前記ウエハーと前記フレームリングとの間をカバーし、前記マウンティングテープとは接触しないブロッキングリングと、
前記ブロッキングリングを昇降させる昇降部材と、を含み、
前記昇降部材は、
前記ブロッキングリングを支持する第1ロードと、
前記第1ロードの下部で前記第1ロードを支持し、前記第1ロードが昇降可能である空間が内側に形成される第2ロードと、
前記第2ロードの下部で前記第2ロードを支持し、前記第2ロードが昇降可能である空間が内側に形成された第3ロードと、
前記第1ロードと前記第2ロードとを個別的に昇降させる駆動部と、を含み、
前記第2ロードにはマウンティングリングを支持した状態で前記基板を前記サセプタに安着させる下敷き片が提供され、
前記サセプタの縁領域には前記下敷き片が上下方向に移動することができる収容空間が形成される、装置。 - 前記ブロッキングリングは、
リング形状を有し、前記マウンティングテープと対向するボディーと、
前記ボディーの内側から下向傾くように延長され、その終端が前記ウエハーの縁領域と接触する内側部と、
前記ボディーの外側から下向傾くように延長され、その終端が前記フレームリングと接触する外側部と、
を含む、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記ブロッキングリングは、
リング形状を有し、前記マウンティングテープと対向するボディーと、
前記ボディーの内側から下向傾くように延長され、その終端が前記ウエハーの上面と所定間隔を維持する内側部と、
前記ボディーの外側から下向傾くように延長され、その終端が前記フレームリングと接触する外側部と、
を含む、請求項1に記載の装置。 - 前記ブロッキングリングは、前記ウエハーの縁領域から前記フレームリングの外側縁領域をカバーすることができる幅を有する、請求項2又は請求項3に記載の装置。
- 前記ブロッキングリングはセラミック材質で提供される、請求項1に記載の装置。
- 前記収容空間は、前記サセプタの側面であり、前記サセプタの外周から前記ウエハーのエッジが位置する地点までの間に設けられる、請求項1に記載の装置。
- 前記搬送ユニットは、
やっとこ方式に前記フレームリングの一部領域を把持するハンド部を有し、前記基板を移送する搬送ロボットを含む、請求項1に記載の装置。 - 前記ハンド部は、
前記フレームリングの一部領域が置かれる下部ハンドと、
前記下部ハンドの上部に位置し、前記下部ハンドに置かれる前記フレームリングを抑えて固定する上部ハンドと、
前記下部ハンドに対して前記上部ハンドが広がるか、或いは折られるように前記上部ハンドを移動させる駆動部と、
を含む、請求項7に記載の装置。 - 前記下部ハンドの前端は前記フレームリングと曲率が同一の弧形状を有する、請求項8に記載の装置。
- 基板を処理する装置であって、前記装置は、
内部に空間が形成された工程チャンバーと、
前記工程チャンバーの内部に位置し、フレームリングに固定されたマウンティングテープにバックグラインディングが完了されたウエハーが付着された基板が置かれるサセプタと、
前記工程チャンバーの内部へプラズマガスを供給するプラズマ供給部と、
前記サセプタに置かれる前記基板領域の中で外部に露出された前記マウンティングテープをカバーするブロッキングリングと、
前記ブロッキングリングを昇降させる昇降部材と、を含み、
前記昇降部材は、
前記ブロッキングリングが上端に結合する移動ロードであって、前記移動ロードは、前記ブロッキングリングを支持する第1ロードと、前記第1ロードの下部で前記第1ロードを支持し、前記第1ロードが昇降可能である空間が内側に形成される第2ロードと、前記第2ロードの下部で前記第2ロードを支持し、前記第2ロードが昇降可能である空間が内側に形成された第3ロードと、から成る、移動ロードと、
前記第1ロードと前記第2ロードとを個別的に昇降させることによって、前記移動ロードを昇降させる駆動部と、を含み、
前記移動ロードの第2ロードには、マウンティングリングが支持され、前記移動ロードと共に下降して前記基板を前記サセプタに安着させる下敷き片が結合し、
前記サセプタの縁領域には、前記下敷き片が昇降することができる収容空間が形成される、装置。 - 前記ブロッキングリングは、前記基板の領域の中で前記ウエハーと前記フレームリングとの間をカバーし、前記マウンティングテープとは接触しない、請求項10に記載の装置。
- 前記ブロッキングリングは、前記ウエハーの縁領域から前記フレームリングの外側縁領域をカバーすることができる幅を有する、請求項11に記載の装置。
- 前記ブロッキングリングの内側端は前記ウエハーの上面と接触し、前記ブロッキングリングの外側端は前記フレームリングの上面と接触する、請求項11に記載の装置。
- 前記ブロッキングリングの内側端は前記ウエハーの上面と所定間隔を維持し、前記ブロッキングリングの外側端は前記フレームリングの上面と接触する、請求項11に記載の装置。
- 基板を処理する方法であって、前記方法は、
搬送ロボットによって、フレームリングに固定されたマウンティングテープにバックグラインディングが完了されたウエハーが付着された基板を工程チャンバーの内部へ搬送する工程と、
前記工程チャンバー内に提供されたサセプタに前記基板を安着させる工程と、
前記工程チャンバーの内部へプラズマを供給して前記ウエハーの上面を処理する工程と、
ブロッキング部材によって、前記マウンティングテープをプラズマに露出されないようにカバーする工程と、
前記マウンティングテープとは接触しないブロッキングリングによって、前記ウエハーと前記フレームリングとの間をカバーする工程と、
昇降部材によって、前記ブロッキングリングを昇降させる工程であって、前記昇降部材は、前記ブロッキングリングを支持する第1ロードと、前記第1ロードの下部で前記第1ロードを支持し、前記第1ロードが昇降可能である空間が内側に形成される第2ロードと、前記第2ロードの下部で前記第2ロードを支持し、前記第2ロードが昇降可能である空間が内側に形成された第3ロードと、前記第1ロードと前記第2ロードとを個別的に昇降させる駆動部と、を含む、工程と、
前記第2ロードに、マウンティングリングを支持した状態で前記基板を前記サセプタに安着させる下敷き片を提供する工程と、
前記サセプタの縁領域に、前記下敷き片が上下方向に移動することができる収容空間を形成する工程と、
を含む、方法。 - 前記サセプタに置かれる基板は、前記マウンティングテープが前記プラズマに露出されないようにブロッキングリングによってカバーされる、請求項15に記載の方法。
- 前記ブロッキングリングはリング形状を有し、前記ウエハーと前記フレームリングとの間の領域をカバーする、請求項16に記載の方法。
- 前記ブロッキングリングは、前記ウエハーの縁領域から前記フレームリングの外側縁領域をカバーする、請求項17に記載の方法。
- 前記ブロッキングリングの内側端は前記ウエハーと接触する、請求項16に記載の方法。
- 前記ブロッキングリングの内側端は前記ウエハーと所定距離に離隔される、請求項16に記載の基板処理方法。
- 前記基板を前記サセプタに安着させる工程は、
前記ブロッキングリングを昇降させる移動ロードと結合された下敷き片に前記フレームリングが置かれる状態で、前記移動ロードの下降と共に前記下敷き片を下降させる工程を含む、請求項15に記載の方法。 - 前記搬送ロボットはハンド部が前記フレームリングの一部領域をやっとこ方式に把持した状態で前記基板を移送する工程をさらに含む、請求項15に記載の方法。
- フレームリングに固定されたマウンティングテープにバックグラインディングが完了されたウエハーが付着された基板を処理する装置であって、前記装置は、
前記フレームリングの一部領域をやっとこ方式に把持するハンド部を有し、前記基板を搬送する搬送ロボットと、
前記基板が収納されたキャリヤーが置かれるロードポートと、
プラズマを供給して前記ウエハーの上面を処理するプラズマ処理ユニットと、
前記キャリヤーと前記プラズマ処理ユニットとの間に前記基板を移送する基板搬送ユニットと、を含み、
前記プラズマ処理ユニットは、
内部に空間が形成された工程チャンバーと、
前記工程チャンバーの内部に位置し、前記基板を支持するサセプタと、
前記工程チャンバーの内部へプラズマを供給するプラズマ供給部と、
前記マウンティングテープをプラズマに露出されないようにカバーするブロッキング部材と、を含み、
前記ブロッキング部材は、
前記ウエハーと前記フレームリングとの間をカバーし、前記マウンティングテープとは接触しないブロッキングリングと、
前記ブロッキングリングを昇降させる昇降部材と、を含み、
前記昇降部材は、
前記ブロッキングリングを支持する第1ロードと、
前記第1ロードの下部で前記第1ロードを支持し、前記第1ロードが昇降可能である空間が内側に形成される第2ロードと、
前記第2ロードの下部で前記第2ロードを支持し、前記第2ロードが昇降可能である空間が内側に形成された第3ロードと、
前記第1ロードと前記第2ロードとを個別的に昇降させる駆動部と、を含み、
前記第2ロードにはマウンティングリングを支持した状態で前記基板を前記サセプタに安着させる下敷き片が提供され、
前記サセプタの縁領域には前記下敷き片が上下方向に移動することができる収容空間が形成される、
を含む、装置。 - フレームリングに固定されたマウンティングテープにバックグラインディングが完了されたウエハーが付着された基板を処理する方法であって、前記方法は、
搬送ロボットのハンド部によって、前記基板が積載されたキャリヤーから前記基板をピックアップする工程と、
前記ハンド部によって、前記フレームリングの一部領域をやっとこ方式に把持して前記基板をピックアップする工程と、
ブロッキング部材によって、前記マウンティングテープをプラズマに露出されないようにカバーする工程と、
前記マウンティングテープとは接触しないブロッキングリングによって、前記ウエハーと前記フレームリングとの間をカバーする工程と、
昇降部材によって、前記ブロッキングリングを昇降させる工程であって、前記昇降部材は、前記ブロッキングリングを支持する第1ロードと、前記第1ロードの下部で前記第1ロードを支持し、前記第1ロードが昇降可能である空間が内側に形成される第2ロードと、前記第2ロードの下部で前記第2ロードを支持し、前記第2ロードが昇降可能である空間が内側に形成された第3ロードと、前記第1ロードと前記第2ロードとを個別的に昇降させる駆動部と、を含む、工程と、
工程チャンバーの内部に位置するサセプタによって、前記基板を支持する工程と、
前記第2ロードに、マウンティングリングを支持した状態で前記基板を前記サセプタに安着させる下敷き片を提供する工程と、
前記サセプタの縁領域に、前記下敷き片が上下方向に移動することができる収容空間を形成する工程と、
を含む、方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2013-0001197 | 2013-01-04 | ||
KR1020130001197A KR101431083B1 (ko) | 2013-01-04 | 2013-01-04 | 웨이퍼 레벨 패키지용 기판을 처리하는 장치 및 방법 |
KR1020130069078A KR101461060B1 (ko) | 2013-06-17 | 2013-06-17 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR10-2013-0069078 | 2013-06-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014132656A JP2014132656A (ja) | 2014-07-17 |
JP5886821B2 true JP5886821B2 (ja) | 2016-03-16 |
Family
ID=51060040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013267055A Expired - Fee Related JP5886821B2 (ja) | 2013-01-04 | 2013-12-25 | 基板処理装置及び方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9508541B2 (ja) |
JP (1) | JP5886821B2 (ja) |
TW (1) | TWI559361B (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9105705B2 (en) * | 2011-03-14 | 2015-08-11 | Plasma-Therm Llc | Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer |
GB201309583D0 (en) * | 2013-05-29 | 2013-07-10 | Spts Technologies Ltd | Apparatus for processing a semiconductor workpiece |
US11195756B2 (en) * | 2014-09-19 | 2021-12-07 | Applied Materials, Inc. | Proximity contact cover ring for plasma dicing |
CN105742203B (zh) * | 2014-12-10 | 2019-08-13 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种改变气体流动模式的装置及晶圆处理方法和设备 |
US10825705B2 (en) | 2015-05-15 | 2020-11-03 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Apparatus, system, and method for handling aligned wafer pairs |
US11183401B2 (en) | 2015-05-15 | 2021-11-23 | Suss Microtec Lithography Gmbh | System and related techniques for handling aligned substrate pairs |
JP6999350B2 (ja) * | 2017-10-05 | 2022-01-18 | 株式会社ディスコ | パッケージ基板の加工方法 |
CN108044355B (zh) * | 2017-12-22 | 2024-01-23 | 沈阳芯嘉科技有限公司 | 一种激光砂轮划片机及复合材料切割方法 |
KR102139934B1 (ko) * | 2018-02-21 | 2020-08-03 | 피에스케이홀딩스 (주) | 기판 처리 장치, 및 이를 이용하는 기판 처리 방법 |
KR20200102612A (ko) * | 2019-02-21 | 2020-09-01 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US20210305024A1 (en) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | Texas Instruments Incorporated | Plasma cleaning for packaging electronic devices |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001308077A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-11-02 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
JP2002289665A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-04 | Denso Corp | ウェハハンドリング装置 |
JP4186536B2 (ja) | 2002-07-18 | 2008-11-26 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2005332982A (ja) | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007281095A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ワーク搬送装置 |
JP5064985B2 (ja) | 2006-12-05 | 2012-10-31 | 古河電気工業株式会社 | 半導体ウェハの処理方法 |
JP4777317B2 (ja) | 2007-08-30 | 2011-09-21 | 株式会社ディスコ | ウエーハ搬送方法 |
JP4858395B2 (ja) * | 2007-10-12 | 2012-01-18 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5291392B2 (ja) * | 2008-06-18 | 2013-09-18 | 東京応化工業株式会社 | 支持板剥離装置 |
KR20100053250A (ko) | 2008-11-12 | 2010-05-20 | 세메스 주식회사 | 플라즈마 화학기상증착 장치용 섀도우프레임 |
JP2010258288A (ja) | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 固定治具およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
KR101096133B1 (ko) | 2009-04-30 | 2011-12-20 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리방법 |
KR101101710B1 (ko) | 2009-12-02 | 2012-01-05 | 주식회사 테스 | 쉐도우 프레임 및 이를 갖는 공정 챔버 |
JP5687862B2 (ja) | 2010-08-06 | 2015-03-25 | 東京応化工業株式会社 | 洗浄装置、洗浄方法及び組成物 |
KR101455736B1 (ko) | 2010-12-29 | 2014-11-04 | 세메스 주식회사 | 기판지지부재 및 이를 갖는 기판처리장치 |
JP5528394B2 (ja) | 2011-05-30 | 2014-06-25 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置、搬送キャリア、及びプラズマ処理方法 |
JP5926501B2 (ja) | 2011-06-15 | 2016-05-25 | 東京応化工業株式会社 | 保持装置および保持方法 |
-
2013
- 2013-12-25 JP JP2013267055A patent/JP5886821B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-01-02 US US14/146,314 patent/US9508541B2/en active Active
- 2014-01-03 TW TW103100283A patent/TWI559361B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014132656A (ja) | 2014-07-17 |
US9508541B2 (en) | 2016-11-29 |
TWI559361B (zh) | 2016-11-21 |
TW201428814A (zh) | 2014-07-16 |
US20140190513A1 (en) | 2014-07-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5886821B2 (ja) | 基板処理装置及び方法 | |
US10978334B2 (en) | Sealing structure for workpiece to substrate bonding in a processing chamber | |
KR20160137989A (ko) | 기판의 양면 처리를 위한 시스템 및 방법 | |
KR20200102612A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2005101505A (ja) | 可動可搬型静電式基板保持器 | |
US8500182B2 (en) | Vacuum wafer carriers for strengthening thin wafers | |
KR101736854B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
TW201327712A (zh) | 以電漿處理太陽能電池晶圓之系統架構 | |
JP2009545891A (ja) | ベルヌーイワンド | |
KR20180056788A (ko) | 기판의 능동적/수동적 본딩 및 디-본딩을 위한 기판 캐리어 | |
TWI462212B (zh) | Processing system and processing methods | |
TW201611154A (zh) | 晶圓負載及卸載 | |
TW201334213A (zh) | 處理太陽能電池晶圓的靜電吸盤 | |
KR102444876B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
TWI555075B (zh) | 基板處理設備及基板處理方法 | |
KR101594928B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR101461060B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR101882397B1 (ko) | 반송 로봇 및 이를 가지는 기판 처리 장치 | |
TWI794668B (zh) | 對準裝置以及包括該對準裝置的基板處理裝置 | |
KR101552663B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
JP2002208625A (ja) | 半導体ウェハの薄化処理方法 | |
JP2019195055A (ja) | 半導体プロセス用の基板搬送機構及び成膜装置 | |
US20230411196A1 (en) | Component carrier for semiconductor manufacturing and component transport system using same | |
JP7134804B2 (ja) | コレットチャック、半導体製造装置、および半導体装置の製造方法 | |
KR20180090412A (ko) | 기판 처리 장치 및 핸드 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140930 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150519 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150811 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160112 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160212 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5886821 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |