KR101431083B1 - 웨이퍼 레벨 패키지용 기판을 처리하는 장치 및 방법 - Google Patents

웨이퍼 레벨 패키지용 기판을 처리하는 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101431083B1
KR101431083B1 KR1020130001197A KR20130001197A KR101431083B1 KR 101431083 B1 KR101431083 B1 KR 101431083B1 KR 1020130001197 A KR1020130001197 A KR 1020130001197A KR 20130001197 A KR20130001197 A KR 20130001197A KR 101431083 B1 KR101431083 B1 KR 101431083B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
substrate
level package
plasma
mounting tape
Prior art date
Application number
KR1020130001197A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140089218A (ko
Inventor
김태훈
이창원
임선웅
이한규
Original Assignee
피에스케이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 피에스케이 주식회사 filed Critical 피에스케이 주식회사
Priority to KR1020130001197A priority Critical patent/KR101431083B1/ko
Priority to JP2013267055A priority patent/JP5886821B2/ja
Priority to US14/146,314 priority patent/US9508541B2/en
Priority to TW103100283A priority patent/TWI559361B/zh
Publication of KR20140089218A publication Critical patent/KR20140089218A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101431083B1 publication Critical patent/KR101431083B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

웨이퍼 레벨 패키지(WLP)용 기판(substrate)을 처리하는 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 패키지용 기판을 처리하는 장치는 플라즈마를 생성하는 플라즈마 소스; 웨이퍼 레벨 패키지용 기판에 대한 공정 처리가 이루어지는 내부공간을 제공하는 공정챔버; 공정 챔버 내에 제공되고, 웨이퍼가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지용 기판이 안착되는 서셉터; 및 마운팅 테이프가 플라즈마에 노출되지 않도록 마운팅 테이프를 커버하는 블로킹 부재를 포함한다.

Description

웨이퍼 레벨 패키지용 기판을 처리하는 장치 및 방법{method and apparatus for processing substrate to wafer level package substrate}
본 발명은 반도체 웨이퍼 레벨 패키지(wafer level package) 공정에 있어서 백그라인딩(back grinding)된 웨이퍼(wafer)가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지(WLP)용 기판(substrate)을 플라즈마 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
웨이퍼 레벨 패키지(wafer level package) 공정에서는 패키지의 조립 사이즈를 줄이기 위하여 백그라인딩 공정을 진행하며, 이는 웨이퍼의 뒷면을 얇게 연삭하는 공정을 말한다. 이 공정을 진행하는 이유는 FEOL(Front end of line) 공정을 거친 웨이퍼 상태는 불필요하게 두껍기 때문에 얇게 연마를 함으로써 BEOL(back end of line) 공정에서 요구하는 경박단소화의 요구를 충족시켜 줄 수 있으며, 칩(chip)의 후면으로의 열전도율 역시 향상시킬 수 있기 때문이다.
그러나, 백그라인딩 공정을 거친 웨이퍼는 매우 얇기 때문에 핸들링을 위해 캐리어(carrier)가 웨이퍼 상면에 부착된다. 캐리어는 후속공정인 칩 접착(chip bonding), 언더필(underfill) 및 몰딩(Molding) 공정 후에 제거된다. 그리고, 캐리어가 제거된 후에는 한시적으로 캐리어 역할을 대신할 마운팅 테이프가 사용되며, 웨이퍼는 프레임 링에 고정된 마운팅 테이프에 부착된 상태에서 후속공정을 진행하게 된다.
그런데, 후속 공정에서 캐리어가 제거된 웨이퍼 상면에 남아있는 접착제로 인해 공정상의 문제가 발생된다.
본 발명의 실시예들은 마운팅 테이프에 부착된 웨이퍼의 플라즈마 처리시 마운팅 테이프의 플라즈마 노출을 방지할 수 있는 웨이퍼 레벨 패키지용 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 플라즈마를 생성하는 플라즈마 소스; 웨이퍼 레벨 패키지용 기판에 대한 공정 처리가 이루어지는 내부공간을 제공하는 공정챔버; 상기 공정 챔버 내에 제공되고, 웨이퍼가 부착된 상기 웨이퍼 레벨 패키지용 기판이 안착되는 서셉터; 및 상기 마운팅 테이프가 플라즈마에 노출되지 않도록 상기 마운팅 테이프를 커버하는 블로킹 부재를 포함하는 웨이퍼 레벨 패키지용 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 블로킹 부재는 블로킹 링; 상기 블로킹 링을 지지하는 샤프트들; 및 상기 샤프트들을 승강시키는 승강 구동부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 샤프트는 상기 승강 구동부와 연결되는 샤프트 몸체; 상기 샤프트 몸체의 상단에 수직하게 설치되고 상기 프레임 링을 지지하는 지지핀; 및 사기 샤프트 몸체에 내측을 향해 수평하게 설치되고 상기 프레임 링을 상기 서셉터에 올려놓거나 들어올리기 위한 받침편을 포함할 수 있다.
또한, 상기 서셉터는 상기 받침편이 위치되도록 외측면에 수납홈이 제공될 수 있다.
또한, 상기 블로킹 링은 웨이퍼 외곽에 위치되는 상기 마운팅 테이프와 상기 프레임 링을 커버할 수 있다.
또한, 상기 블로킹 링은 상기 마운팅 테이프와의 접촉 방지를 위해 내측단과 외측단 사이의 연결부분은 그 높이를 달리할 수 있다.
또한, 상기 블로킹 링은 상기 웨이퍼 레벨 패키지용 기판에 부착된 웨이퍼의 가장자리와 접촉되는 내측단; 상기 프레임 링과 접촉되는 외측단; 그리고 상기 내측단과 외측단을 연결하는 연결부분을 포함할 수 있다.
또한, 상기 연결부분은 상기 마운팅 테이프로부터 이격되게 제공될 수 있다.
또한, 상기 블로킹 링은 세라믹 소재로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 프레임 링에 고정된 마운팅 테이프에 웨이퍼(wafer)가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지(WLP)용 기판(substrate)을 공정 챔버 내에 배치하고, 플라즈마 소스에서 생성된 플라즈마를 상기 공정 챔버에 제공하여 상기 웨이퍼 레벨 패키지용 기판에 부착된 웨이퍼 표면의 접착층을 제거하는 공정을 포함하는 웨이퍼 레벨 패키지용 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
또한, 상기 접착제를 제거하는 공정은 상기 마운팅 테이프가 상기 플라즈마에 노출되지 않도록 블로킹된 상태에서 진행될 수 있다.
또한, 상기 접착제를 제거하는 공정에서 상기 마운팅 테이프 및 상기 프레임 링은 블로킹 링에 의해 커버될 수 있다.
또한, 상기 공정은 산소(O2) 및 질소(N2)를 포함하는 반응가스를 사용하여 진행할 수 있다.
또한, 상기 공정은 접착층 제거 효율을 높이기 위해 상기 반응 가스에 불소계열의 가스가 첨가될 수 있다.
또한, 상기 플라즈마 소스는 반응 이온 플라즈마(Reactive Ion Etching Plasma, RIE)일 수 있다.
본 발명의 실시예들은 마운팅 테이프에 부착된 웨이퍼의 접착제를 플라즈마로 제거할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 접착제 제거를 위해 마운팅 테이프에 부착되어 있는 웨이퍼를 플라즈마 처리할 때, 블로킹 링에 의해 마운팅 테이프가 플라즈마에 노출되지 않음으로써 마운팅 테이프의 변형을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 패키지(WLP)용 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 2는 공정 챔버 내부를 보여주는 평면도이다.
도 3은 서셉터와 블로킹 부재 그리고 웨이퍼 레벨 패키지용 기판을 보여주는 도면이다.
도 4a는 레벨 패키지용 기판이 받침편에 지지된 상태를 보여주는 도면이다.
도 4b는 블로킹 링이 서셉터에 안착된 레벨 패키지용 기판을 블로킹한 상태를 보여주는 도면이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 플라즈마를 이용하여 웨이퍼 표면의 접착제를 제거할 수 있는 웨이퍼 레벨 패키지용 기판(substrate)을 처리하는 장치를 상세히 설명한다.
본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 패키지(WLP)용 기판 처리 장치의 단면도이고, 도 2는 공정 챔버 내부를 보여주는 평면도이며, 도 3은 서셉터와 블로킹 부재 그리고 웨이퍼 레벨 패키지용 기판을 보여주는 도면이다.
본 실시 예에서는 웨이퍼 레벨 패키지용 기판에 부착된 반도체 소자 제조용 웨이퍼(이하 웨이퍼라고 함) 패턴면의 접착제를 제거하는 플라즈마 처리 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 마운팅 테이프에 부착되어 있는 웨이퍼를 처리할 때 마운팅 테이프가 플라즈마에 노출되지 않은 상태에서 웨이퍼 표면만을 처리하는 플라즈마 처리 장치에도 적용될 수 있다.
또한, 본 실시 예에서는 플라즈마를 생성시키기 위한 에너지원으로 마이크로파를 예로 들어 설명하지만, 이외에도 고주파 전원 등 다양한 에너지원이 사용될 수 있다.
참고로, TSV공정에서는 반도체 웨이퍼를 얇게 연마를 하는 공정이 필수적이며, 연마된 얇은 반도체 웨이퍼로는 핸들링이 어렵다. 따라서, 반도체 웨이퍼는 핸들링을 위한 목적으로 글라스 캐리어(glass carrier)을 웨이퍼 상면에 접착시킨 후 연마 공정과, 연마후 클리닝 공정, 3차원 실리콘 관통전극(3D-TSV;3Dimension-Through Silicon Via) 공정을 진행한다. 글라스 캐리어는 공정을 마친 반도체 웨이퍼로부터 제거되며, 반도체 웨이퍼는 후속 공정을 위해 한시적으로 캐리어 역할을 하는 레벨 패키지용 기판에 부착되어 후속 공정(일 예로, 3D stacking)을 진행하게 된다. 본 발명의 웨이퍼 레벨 패키지(WLP)용 기판 처리 장치는 후속 공정을 진행하기 전, 반도체 웨이퍼 표면의 접착제를 제거하기 위한 처리 장치이다.
본 명세서에 사용되는 레벨 패키지(WLP)용 기판은 링 형상의 프레임에 고정된 접착 테이프(이하, 마운팅 테이프라 함)에 박형의 반도체 웨이퍼가 부착되는 기판으로 정의할 수 있다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 장치(100)는 리모트 플라즈마 소스부(170)에서 생성되는 플라즈마를 이용하여 레벨 패키지용 기판(S)에 부착되어 있는 웨이퍼(W) 패턴면의 접착제를 제거하며, 플라즈마 소스부(170)는 반응성 이온 에칭(RIE: reactive ion etching) 방식의 바이어스 파워를 사용할 수 있다.
플라즈마 소스부(170)는 도파관(Wave Guide : 172)을 통해 마그네트론(Magnetron : 174)이 연결되며, 마그네트론(174)은 플라즈마 생성을 위한 마이크로파를 발생시킨다. 그리고 플라즈마 소스부(170)의 일측에는 플라즈마 반응 가스를 공급하는 가스 유입구(176)가 설치된다. 반응가스는 산소(O2) 및 질소(N2)를 포함할 수 있으며, 접착층 제거 효율을 높이기 위해 불소계열의 가스가 첨가될 수 있다. 가스 유입구(176)를 통해 공급되는 반응 가스와 마그네트론(174)에서 발생된 마이크로파를 이용하여 플라즈마 소스부(170)의 내부에 플라즈마가 생성된다. 플라즈마 소스부(170)에서 생성된 플라즈마는 레벨 패키지용 기판(S)에 부착되어 있는 웨이퍼의 접착제를 제거하는 애싱 공정이 진행되는 공정 챔버(110)로 전달된다.
플라즈마 소스부(170)로부터 활성화된 반응가스는 상부 챔버(130)의 연결포트(132)를 통해 유입되고, 이 가스는 가스 분배 플레이트의 분사공(142)들을 통해 균일하게 공정 챔버(110)로 공급된다.
공정 챔버(process chamber, 110)는 레벨 패키지용 기판(S)에 대한 처리가 이루어지는 반응공간을 제공한다. 공정 챔버(110)는 상부에 개구가 형성되며, 지면과 대체로 나란한 바닥벽(112a)과 바닥벽(112a)으로부터 대체로 수직하게 연장된 측벽(112b)을 포함하는 몸체를 포함한다. 이러한 공정 챔버(110)의 반응공간에는 게이트 슬롯(114)의 개방에 따라 로봇에 의해 투입 위치되는 레벨 패키지용 기판(S)이 놓여지는 서셉터(120)가 구비된다. 게이트 슬롯(114)은 게이트 밸브(미도시됨)에 의해 개폐된다.
도시하지는 않았지만, 서셉터(120)는 레벨 패키지용 기판(S)을 고정하도록 구성되는 정전기척을 포함할 수 있다. 또한, 서셉터(120)는 접착제 박리 프로세스 도중 기판(w)의 온도 상승을 억제하도록 구성되는 쿨링 구성요소와 같은 냉각기를 포함하는 것이 바람직하다. 서셉터(120)에는 제거율(ashing rate)을 일정 수준 이상으로 유지하기 위해 알에프 바이어스 파워부(180)로부터 바이어스 파워가 인가될 수 있다. 서셉터(120)는 바이어스 파워에 의한 쉬즈를 형성하고, 그 영역에서 고밀도의 플라즈마를 형성하여 공정 능력을 향상시킬 수 있다.
한편, 공정 챔버(110)의 바닥에는 기판 지지부(120)의 둘레를 따라 진공펌프(152)와 연결되는 진공흡입포트(vacuum suction port, 116)가 제공된다. 진공 배기부(150)는 공정 챔버(110)의 내부를 진공 상태로 형성하고, 접착제 박리 프로세스가 수행되는 동안 발생하는 반응 부산물 등을 배출시키기 위한 것으로, 펌프(152)와, 진공흡입포트(116)에 연결되는 진공라인(154)을 포함할 수 있다. 공정 챔버(110)와 펌프(152)를 연결하는 진공라인(154)에는 각종 밸브(도시되지 않음)가 설치되어 진공라인(154)을 개폐하고 개폐 정도를 조절함으로써 진공 정도를 조절한다.
기판 처리 장치(100)는, 공정 챔버(110)의 상부에 리모트 플라즈마 소스부(170)와 연결되는 상부 챔버(130)를 갖는다. 이 상부 챔버(130)는 좁은 상단과 넓은 하단을 갖는 방사형으로, 상부에는 리모트 플라즈마 소스부(170)로부터 활성화된 반응가스(플라즈마)가 유입되는 유입포트(132)를 갖으며, 하단에는 가스 분배 플레이트(Gas Distribution Plate, GDP;140)가 설치된다.
가스 분배 플레이트(140)는 알루미늄 재질에 표면을 산화시켜 형성하며, 균일한 라디칼 공급을 위해 동심원주에 일정 간격으로 형성되는 다수의 분사공(142)들을 갖는다. 가스 분배 플레이트(140)는 가장자리인 플랜지부(144)에 볼트와 같은 다수의 체결부재들에 의해 상부 챔버(130)에 고정될 수 있다.
플라즈마는 가스 분배 플레이트(140)에 형성된 분사공(142)들을 통과하여 서셉터 상에 놓여진 놓여진 레벨 패키지용 기판(S)으로 향한다. 이 때 전자 또는 이온 등과 같은 하전 입자는 금속 재질로 마련된 가스 분배 플레이트(140)에 의해 갇히게 되고, 산소 라디칼 등과 같은 전하를 띠지 않는 중성의 입자들만 서셉터(120) 상의 레벨 패키지용 기판(S)에 부착된 웨이퍼(W)에 도달되어 접착제를 제거하게 된다.
기판 처리 장치(100)는 마운팅 테이프가 플라즈마에 노출되지 않도록 마운팅 테이프를 커버하는 블로킹 부재(200)를 포함한다.
블로킹 부재(200)는 블로킹 링(210)과 블로킹 링(210)을 지지하는 샤프트(220)들 그리고 샤프트(220)들을 승강시키는 승강 구동부(230)를 포함할 수 있다.
샤프트(220)는 서셉터(120) 외곽에 복수개가 제공된다. 본 실시예에서는 4개의 샤프트(220)가 제공되어 있는 것으로 설명하였으나, 그 개수는 달라질 수 있다. 샤프트(220)는 샤프트 몸체(222), 지지핀(224) 및 받침편(226)을 포함한다. 샤프트 몸체(222)는 승강 구동부(230)와 연결되어 업다운 된다. 지지핀(224)은 샤프트 몸체(222)의 상단으로부터 수직하게 설치된다. 지지핀(224)은 블로킹 링(210)을 지지한다.
도 4a는 레벨 패키지용 기판이 받침편에 지지된 상태를 보여주는 도면이고, 도 4b는 블로킹 링이 서셉터에 안착된 레벨 패키지용 기판을 블로킹한 상태를 보여주는 도면이다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 받침편(226)은 샤프트 몸체(222)에 내측을 향해 수평하게 설치된다. 받침편(226)은 레벨 패키지용 기판(S)을 서셉터(120)에 올려놓거나 들어올리기 위해 제공된다. 받침편(226)은 블로킹 링(210) 아래에 위치된다. 레벨 패키지용 기판(S)의 프레임 링(FR)이 받침편(226)에 지지된 상태에서 샤프트(220)가 다운 이동되면, 레벨 패키지용 기판(S)이 서셉터(120)에 로딩되고, 곧바로 블로킹 링이 레벨 패키지용 기판을 블로킹한다.
한편, 서셉터(120)는 레벨 패키지용 기판(S)이 로딩되었을 때 받침편(226)이 위치되도록 외측면에 수납홈(124)이 제공된다.
블로킹 링(210)은 웨이퍼(W) 외곽에 위치되는 마운팅 테이프(MT)와 프레임 링(FR)을 커버할 수 있도록 형상 지어진다. 블로킹 링(210)은 세라믹 소재로 이루어진다.
블로킹 링(210)은 내측단(212)과 외측단(214) 그리고 내측단(212)과 외측단(214) 사이의 연결부분(216)을 포함한다. 내측단(212)과 외측단(214)은 레벨 패키지용 기판(S)을 향해 절곡된 형상으로 제공된다. 연결부분(216)은 마운팅 테이프(MT)와의 접촉 방지를 위해 내측단(212) 및 외측단(214)보다 높게 형성된다. 내측단(212)은 웨이퍼 레벨 패키지용 기판(S)에 부착된 웨이퍼(W)의 가장자리와 접촉된다. 그리고 외측단(214)은 프레임 링(FR)과 접촉된다.
레벨 패키지용 기판(S)의 마운팅 테이프(MT)는 블로킹 링(210)에 의해 외부로 노출되지 않음으로써, 접착제 박리 프로세스 중에 플라즈마에 의한 마운팅 테이프(MT)의 변형 및 손상을 방지할 수 있다.
상술한 구성을 갖는 웨이퍼 레벨 패키지용 기판 처리 장치에서의 접착제 박리 공정을 설명하면 다음과 같다.
웨이퍼(wafer)가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지용 기판(S)은 공정 챔버(110)로 반입되어 샤프트(220)의 받침편(226)에 지지된다. 샤프트(220)의 다운 동작에 의해 레벨 패키지용 기판(S)은 서셉터(120)에 로딩되고, 곧이어 블로킹 링(210)은 웨이퍼(W) 외곽에 위치되는 마운팅 테이프(MT)와 프레임 링(FR)을 블로킹한다.
리모트 플라즈마 소스부(170)에서 생성된 플라즈마는 가스 분배 플레이트(140)에 형성된 분사공(142)들을 통과하여 서셉터(120) 상에 놓여진 레벨 패키지용 기판(S)으로 제공되며, 플라즈마에 의해 웨이퍼(W)의 접착제가 제거된다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
110 : 공정 챔버 120 : 서셉터
170 : 플라즈마 소스부 200 : 블로킹 부재
210 : 블로킹 링 220 : 샤프트
230 : 승강 구동부

Claims (15)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 프레임 링에 고정된 마운팅 테이프에 웨이퍼(wafer)가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지(WLP)용 기판(substrate)을 처리하는 장치에 있어서:
    플라즈마를 생성하는 플라즈마 소스;
    상기 웨이퍼 레벨 패키지용 기판에 대한 공정 처리가 이루어지는 내부공간을 제공하는 공정챔버;
    상기 공정 챔버 내에 제공되고, 웨이퍼가 부착된 상기 웨이퍼 레벨 패키지용 기판이 안착되는 서셉터; 및
    상기 마운팅 테이프가 플라즈마에 노출되지 않도록 상기 마운팅 테이프를 커버하는 블로킹 부재를 포함하되,
    상기 블로킹 부재는
    블로킹 링;
    상기 블로킹 링을 지지하는 샤프트들; 및
    상기 샤프트들을 승강시키는 승강 구동부;를 포함하고,
    상기 샤프트는
    상기 승강 구동부와 연결되는 샤프트 몸체;
    상기 샤프트 몸체의 상단에 수직하게 설치되고 상기 프레임 링을 지지하는 지지핀; 및
    상기 샤프트 몸체에 내측을 향해 수평하게 설치되고 상기 프레임 링을 상기 서셉터에 올려놓거나 들어올리기 위한 받침편을 포함하는 웨이퍼 레벨 패키지용 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 서셉터는
    상기 받침편이 위치되도록 외측면에 수납홈이 제공되는 웨이퍼 레벨 패키지용 기판 처리 장치.
  5. 삭제
  6. 프레임 링에 고정된 마운팅 테이프에 웨이퍼(wafer)가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지(WLP)용 기판(substrate)을 처리하는 장치에 있어서:
    플라즈마를 생성하는 플라즈마 소스;
    상기 웨이퍼 레벨 패키지용 기판에 대한 공정 처리가 이루어지는 내부공간을 제공하는 공정챔버;
    상기 공정 챔버 내에 제공되고, 웨이퍼가 부착된 상기 웨이퍼 레벨 패키지용 기판이 안착되는 서셉터; 및
    상기 마운팅 테이프가 플라즈마에 노출되지 않도록 상기 마운팅 테이프를 커버하는 블로킹 부재를 포함하되,
    상기 블로킹 부재는
    블로킹 링;
    상기 블로킹 링을 지지하는 샤프트들; 및
    상기 샤프트들을 승강시키는 승강 구동부;를 포함하고,
    상기 블로킹 링은
    상기 마운팅 테이프와의 접촉 방지를 위해 내측단과 외측단 사이의 연결부분은 그 높이를 달리하는 웨이퍼 레벨 패키지용 기판 처리 장치.
  7. 프레임 링에 고정된 마운팅 테이프에 웨이퍼(wafer)가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지(WLP)용 기판(substrate)을 처리하는 장치에 있어서:
    플라즈마를 생성하는 플라즈마 소스;
    상기 웨이퍼 레벨 패키지용 기판에 대한 공정 처리가 이루어지는 내부공간을 제공하는 공정챔버;
    상기 공정 챔버 내에 제공되고, 웨이퍼가 부착된 상기 웨이퍼 레벨 패키지용 기판이 안착되는 서셉터; 및
    상기 마운팅 테이프가 플라즈마에 노출되지 않도록 상기 마운팅 테이프를 커버하는 블로킹 부재를 포함하되,
    상기 블로킹 부재는
    블로킹 링;
    상기 블로킹 링을 지지하는 샤프트들; 및
    상기 샤프트들을 승강시키는 승강 구동부;를 포함하고,
    상기 블로킹 링은
    상기 웨이퍼 레벨 패키지용 기판에 부착된 웨이퍼의 가장자리와 접촉되는 내측단; 상기 프레임 링과 접촉되는 외측단; 그리고 상기 내측단과 외측단을 연결하는 연결부분을 포함하는 웨이퍼 레벨 패키지용 기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 연결부분은
    상기 마운팅 테이프로부터 이격되게 제공되는 웨이퍼 처리 장치.
  9. 삭제
  10. 프레임 링에 고정된 마운팅 테이프에 웨이퍼(wafer)가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지(WLP)용 기판(substrate)을 공정 챔버 내에 배치하고, 플라즈마 소스에서 생성된 플라즈마를 상기 공정 챔버에 제공하여 상기 웨이퍼 레벨 패키지용 기판에 부착된 웨이퍼 표면의 접착제를 제거하는 공정을 포함하는 웨이퍼 레벨 패키지용 기판 처리 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 접착제를 제거하는 공정은
    상기 마운팅 테이프가 상기 플라즈마에 노출되지 않도록 블로킹된 상태에서 진행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 패키지용 기판 처리 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 접착제를 제거하는 공정에서
    상기 마운팅 테이프 및 상기 프레임 링은 블로킹 링에 의해 커버되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 패키지용 기판 처리 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 공정은 산소(O2) 및 질소(N2)를 포함하는 반응가스를 사용하여 진행하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 패키지용 기판 처리 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 공정은 상기 접착제 제거 효율을 높이기 위해 상기 반응 가스에 불소계열의 가스가 첨가되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 패키지용 기판 처리 방법.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 플라즈마 소스는 반응 이온 플라즈마(Reactive Ion Etching Plasma, RIE)인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 패키지용 기판 처리 방법.
KR1020130001197A 2013-01-04 2013-01-04 웨이퍼 레벨 패키지용 기판을 처리하는 장치 및 방법 KR101431083B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130001197A KR101431083B1 (ko) 2013-01-04 2013-01-04 웨이퍼 레벨 패키지용 기판을 처리하는 장치 및 방법
JP2013267055A JP5886821B2 (ja) 2013-01-04 2013-12-25 基板処理装置及び方法
US14/146,314 US9508541B2 (en) 2013-01-04 2014-01-02 Apparatus and method for treating substrate
TW103100283A TWI559361B (zh) 2013-01-04 2014-01-03 基板處理裝置及其方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130001197A KR101431083B1 (ko) 2013-01-04 2013-01-04 웨이퍼 레벨 패키지용 기판을 처리하는 장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140089218A KR20140089218A (ko) 2014-07-14
KR101431083B1 true KR101431083B1 (ko) 2014-08-21

Family

ID=51737471

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130001197A KR101431083B1 (ko) 2013-01-04 2013-01-04 웨이퍼 레벨 패키지용 기판을 처리하는 장치 및 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101431083B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100072059A (ko) * 2007-10-12 2010-06-29 파나소닉 주식회사 플라즈마 처리 장치
KR20100119208A (ko) * 2009-04-30 2010-11-09 피에스케이 주식회사 기판 처리방법
KR20120076410A (ko) * 2010-12-29 2012-07-09 세메스 주식회사 기판지지부재, 이를 갖는 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2012248741A (ja) * 2011-05-30 2012-12-13 Panasonic Corp プラズマ処理装置、搬送キャリア、及びプラズマ処理方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100072059A (ko) * 2007-10-12 2010-06-29 파나소닉 주식회사 플라즈마 처리 장치
KR20100119208A (ko) * 2009-04-30 2010-11-09 피에스케이 주식회사 기판 처리방법
KR20120076410A (ko) * 2010-12-29 2012-07-09 세메스 주식회사 기판지지부재, 이를 갖는 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2012248741A (ja) * 2011-05-30 2012-12-13 Panasonic Corp プラズマ処理装置、搬送キャリア、及びプラズマ処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140089218A (ko) 2014-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI559361B (zh) 基板處理裝置及其方法
TWI764803B (zh) 用於電漿處理系統中的載體板
JP6319687B2 (ja) プラズマ処理装置及び方法
US20140017900A1 (en) Plasma etching apparatus and plasma etching method
JP6094813B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2014220410A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP6399435B2 (ja) プラズマ処理方法及び装置
KR101594928B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101399904B1 (ko) 기판 세정장치
US10964597B2 (en) Element chip manufacturing method
KR101431083B1 (ko) 웨이퍼 레벨 패키지용 기판을 처리하는 장치 및 방법
CN107154369A (zh) 等离子体处理方法
KR101552663B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP7045635B2 (ja) プラズマ処理装置及び方法
JP6340655B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
TWI555075B (zh) 基板處理設備及基板處理方法
KR20230122016A (ko) 에지 클램핑을 통한 얇은 기판 처리를 위한 증착 링
JP6083529B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
TW202115767A (zh) 電漿處理裝置
KR101461060B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101390785B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101635451B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP6226117B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR20230092688A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2019083339A (ja) プラズマ処理方法、電子部品の製造方法およびプラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
LAPS Lapse due to unpaid annual fee