JP6319687B2 - プラズマ処理装置及び方法 - Google Patents

プラズマ処理装置及び方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6319687B2
JP6319687B2 JP2014108204A JP2014108204A JP6319687B2 JP 6319687 B2 JP6319687 B2 JP 6319687B2 JP 2014108204 A JP2014108204 A JP 2014108204A JP 2014108204 A JP2014108204 A JP 2014108204A JP 6319687 B2 JP6319687 B2 JP 6319687B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stage
substrate
carrier
plasma processing
transport carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014108204A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015225890A (ja
Inventor
功幸 松原
功幸 松原
篤史 針貝
篤史 針貝
満 廣島
満 廣島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority to JP2014108204A priority Critical patent/JP6319687B2/ja
Priority to US14/716,000 priority patent/US9653334B2/en
Priority to CN201510271217.0A priority patent/CN105140094B/zh
Publication of JP2015225890A publication Critical patent/JP2015225890A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6319687B2 publication Critical patent/JP6319687B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32651—Shields, e.g. dark space shields, Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32697—Electrostatic control
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks

Description

本発明は、プラズマ処理装置及び方法に関するものである。
従来、プラズマ処理装置として、特許文献１及び２に開示されたものが知られている。これらプラズマ処理装置では、環状フレームと保持シートからなる搬送キャリアに基板を保持した状態で、基板に対して、プラズマダイシングやプラズマアッシングなどのプラズマ処理を行う。そして、プラズマ処理する際、カバーで環状フレームを覆うことにより、環状フレーム及び保持シートがプラズマに晒されないようにしている。また、プラズマ処理する際、基板を保持した搬送キャリアは冷却したステージに静電吸着で密着されることにより冷却される。そして、プラズマ処理が終了すると、静電吸着を解除して除電処理を行う。除電処理では、静電吸着が解除された状態で、処理室内に除電用ガスを導入して放電させ、放電によって生成される電荷を基板及び搬送キャリア表面に照射する。これにより、プラズマ処理中に基板及び搬送キャリアに蓄積し、プラズマ処理後も基板及び搬送キャリアに残留する電荷を除去（除電）する。除電処理によって搬送キャリアのステージへの残留吸着が低減され、搬送キャリアのステージからの離間が容易となる。
特許第４８５８３９５号公報 米国出願公開第２０１２／０２３８０７３号公報
しかしながら、基板を保持した搬送キャリアに対して除電処理を行う場合、搬送キャリアが熱ダメージを受けるという課題がある。その詳細について以下で説明する。
まず、除電処理時、前述のように静電吸着は解除されているため、搬送キャリアは冷却されにくい状態にある。このような状態で除電放電を行うと、放電によって基板及び搬送キャリアが加熱されてしまう。
一方、搬送キャリアを構成する保持シートは樹脂材料からなり熱により軟化しやすく、保持シートを環状フレームに固定する接着剤は熱により変質しやすい。
したがって、搬送キャリアが除電放電によって加熱されると、保持シートが延びたり（あるいは変形したり）、接着材料の接着性低下により保持シートが環状フレームから剥がれたりする等、搬送キャリアが熱ダメージを受けることがある。搬送キャリアが保持シートの延びや剥がれなどの熱ダメージを受けると、搬送エラーなどの不具合が発生する恐れがある。
本発明は、除電処理時に搬送キャリアが受ける熱ダメージを低減することを課題とする。
本発明の第１の態様は、
処理室と、
前記処理室内にプラズマを発生させるプラズマ源と、
基板を保持する保持シートと、前記基板を囲むように保持シートに取り付けられるフレームとを有する搬送キャリアと、
前記処理室内に設けられ、前記搬送キャリアが載置される載置領域にガス供給穴を有するステージと、
前記ステージ内に設けられ、前記搬送キャリアを静電吸着する静電吸着部と、
前記プラズマにより個別のチップに分割された前記基板を前記ステージから離脱させる際に、前記搬送キャリア及び前記基板の前記ステージと反対側の面が支持されない状態で前記ステージのガス供給穴を介してガスを供給することにより、前記搬送キャリアのステージからの離脱を補助するガス供給部と、
を備える。
この構成により、ガス供給穴を介して供給したガスにより搬送キャリアを迅速にステージから分離容易な状態とすることができる。したがって、保持シートが熱ダメージを受ける前に搬送キャリアを迅速に搬出することができる。
また、本発明の第２の態様は、
環状のフレームと保持シートからなる搬送キャリアに保持された基板に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
前記ステージに前記基板を保持した前記搬送キャリアを載置する第１の工程と、
前記ステージに載置された前記搬送キャリアを前記ステージに静電吸着させる第２の工程と、
前記基板に対してプラズマ処理を行い、前記基板を個別のチップに分割する第３の工程と
前記搬送キャリアの静電吸着を解除するとともに、前記搬送キャリアと前記ステージの残留吸着を低減するための除電処理を行う第４の工程からなり、
前記第４の工程中又は前記第４の工程終了後に、前記搬送キャリア及び前記基板の前記ステージと反対側の面が支持されない状態で、前記ステージに配置されたガス供給穴からガスを供給することにより、前記搬送キャリアの前記ステージからの分離を補助する。
本発明によれば、ガス供給穴を介して保持シートと載置面との間にガスを供給するようにしたので、搬送キャリアをステージからスムーズかつ迅速に分離させることができる。このため、プラズマ処理後、搬送キャリアを、熱ダメージを受ける前に搬出することができる。また、除電処理に必要な高周波電力を抑制したり、除電時間を短くしたりすることもできる。
本実施形態に係るプラズマ処理装置の概略説明図である。 本実施形態に係るプラズマ処理装置のステージ部分の概略説明図である。 図１に示すステージの載置面の概略平面図である。 本実施形態に係るプラズマ処理工程を示す説明図である。 本実施形態に係るプラズマ処理を示すフローチャートである。
以下、本発明に係る実施形態を添付図面に従って説明する。なお、以下の説明は、本質的に例示に過ぎず、本発明、その適用物、あるいは、その用途を制限することを意図するものではない。また、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは相違している。
図１Ａは本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置１を示し、図１Ｂはそのステージ部分を示す。このプラズマ処理装置１は、ウェハ２（基板）にプラズマ処理を施すためのもので、減圧可能な内部空間を有するチャンバ３を備える。このチャンバ３では、図示しない出入口を介して搬送キャリア４を内部空間である処理室５に搬入及び搬出することができるようになっている。
搬送キャリア４は、ウェハ２を着脱可能に保持する保持シート６を備える。保持シート６としては、例えば、弾性的に伸展可能であって粘着力によりウェハ２を保持するが、紫外線の照射によって化学的特性が変化して粘着力が大幅に減少するいわゆるＵＶテープを使用できる。保持シート６は、一方の面が粘着性を有する面（粘着面）で構成され、他方が粘着性を有しない面（非粘着面）で構成されている。また保持シート６は柔軟でそれ自身では容易に撓んで一定形状を維持できない。このため、保持シート６の外周縁付近の粘着面には、概ねリング状で厚みの薄いフレーム７（環状フレーム）が貼着されている。フレーム７は、例えば金属製で、その形状を保持できるような剛性を有する。
搬送キャリア４の保持シート６には、粘着面に裏面を貼着することでウェハ２が保持されている。保持シート６の粘着面のうちフレーム７で囲まれた円形領域の中央にウェハ２が配置されている。具体的には、円形領域の中心とウェハ２の中心とが概ね一致するように、保持シート６に対するウェハ２の位置が設定されている。ウェハ２を円形領域の中央に配置したことにより、保持シート６のウェハ２とフレーム７との間には一定幅で幅広の環状領域が形成される。
プラズマ処理装置１のチャンバ３（真空容器）の頂部を閉鎖する誘電体壁８の上方には、上部電極としてのアンテナ９（プラズマ源）が配置されている。アンテナ９は第１の高周波（RF: Radio Frequency）電源部１０Ａに電気的に接続されている。一方、チャンバ３内の底部側には、前述のようにウェハ２を保持した搬送キャリア４が載置されるステージ１１が配置されている。チャンバ３のガス導入口３ａにはプロセスガス源１２、及び、アッシングガス源１３がそれぞれ接続されている。一方、排気口３ｂにはチャンバ３内を真空排気するための真空ポンプ及びチャンバ３内の圧力を調整するための圧力調整弁を含む減圧機構１４が接続されている。
ステージ１１は、電極部１５と、その下方側に配置される基台部１６と、これらの外周を取り囲む外装部１７とを備える。
電極部１５は、静電チャック１５ｂ、及び、その下方側に配置される電極部本体１５ｃからなる。
静電チャック１５ｂは、セラミックス等の誘電材料で構成されている。静電チャック１５ｂには、双極型である静電吸着用電極２２ａ（ESC: Electric Static Chuck）が上方側に内蔵され、高周波電極２２ｂが下方側に内蔵されている。静電吸着用電極２２ａには直流電源２３が電気的に接続されている。静電吸着用電極２２ａは、搬送キャリア４が載置される領域の全体に亘って配置されている。これにより、搬送キャリア４を静電吸着することができる。高周波電極２２ｂには第２の高周波電源部１０Ｂが電気的に接続されている。高周波電極２２ｂの外周縁部は、平面視で、搬送キャリア４上に載置したウェハ２よりも外側に位置している。これにより、発生させたプラズマでウェハ２の全体をエッチングすることができる。
静電チャック１５ｂの上面には複数のガス供給穴２９が形成されている。ここでは、ガス供給穴２９は４箇所に形成されている。詳しくは、図２（ａ）に示すように、載置される搬送キャリア４に保持したウェハ２の外周部であって、周方向に均等に、かつ、プラズマダイシングを行わない領域Ａにそれぞれ形成されている。各ガス供給穴２９は、１箇所のガス導入孔３０に連通しており、脱着用ガス供給源３１から脱着用ガス（Ａｒ、Ｈｅ等の希ガス、Ｎ２、Ｏ２等）が供給されるようになっている。
ガス供給穴２９からの脱着用ガスの供給は、後述するように、プラズマ処理後の除電処理後に行われる。これにより、静電吸着用電極２２による静電吸着が解除された状態で、載置面１８から搬送キャリア４を容易に分離させることができる。この結果、後述する突出ピン１９による搬送キャリア４の持上動作を、保持シート６がカバー２４からの輻射熱等の影響を受けて熱ダメージを受ける前に、スムーズかつ迅速に行うことができる。
ガス供給穴２９は、これら図２（ａ）に示す領域Ａのほか、次の位置に形成することができる。
図２（ｂ）では、ガス供給穴２９は、ステージに載置された搬送キャリア４の保持シート６のうち、ウェハ２及びフレーム７以外の露出領域Ｂに、周方向に４箇所等分で形成されている。
図２（ｃ）では、ガス供給穴２９は、前記ステージに載置された搬送キャリア４の保持シート６のうち、フレーム７対応する領域Ｃに、周方向に４箇所等分で形成されている。
図２（ｄ）では、ガス供給穴２９は、ステージに載置された搬送キャリア４の保持シート６のうち、基板の非素子化領域に対応する領域Ｄ（テストパターン）に、周方向に４箇所等分で形成されている。非素子化領域には、テストパターンのほか、図２（ａ）に示す基板の外周領域Ａも含まれる。
また、ガス供給穴２９の数は４箇所に限らず、３箇所あるいは５箇所以上であっても構わない。さらに、図２（ａ）〜（ｄ）に示すガス供給穴２９の形成パターンは任意に組み合わせて使用することもできる。
電極部本体１５ｃは、金属（例えば、アルミニウム合金）で構成されている。電極部本体１５ｃには冷媒流路１５ａが形成されている。
電極部１５の上面と外装部１７の上面は、ウェハ２を保持した搬送キャリア４が載置される一つの水平面である載置面１８を構成する。電極部１５には、下面を連通する複数の第１貫通孔が周方向に均等に形成されている。各第１貫通孔には突出ピン１９がそれぞれ昇降可能に配置されている。突出ピン１９は、下方位置においては、その上端面が載置面１８と面一となって搬送キャリア４が載置され、上方位置においては上方に突出することにより載置面１８から搬送キャリア４を離間させる。
外装部１７はアースシールド材（導電性及び耐エッチング性を有する金属）からなり、そこには上下面を連通する複数の第２貫通孔が周方向に均等に形成されている。各第２貫通孔には駆動ロッド２６がそれぞれ昇降可能に配置されている。外装部１７により、電極部１５及び基台部１６がプラズマから保護される。
搬送キャリア４は、保持シート６のウェハ２を保持している面（粘着面６ａ）が上向きの姿勢でステージ１１に載置され、保持シート６の非粘着面６ｂがステージ１１の載置面１８上に載置される。搬送キャリア４は、図示しない搬送機構によってステージ１１の載置面１８に対して予め定められた位置及び姿勢（保持シート６の円形領域の中心６ｃの回りの回転角度位置を含む）で載置される。以下、この予め定められた位置及び姿勢を正規位置と記載する。
プラズマ処理装置１は、ステージ１１を冷却するための冷却装置２０を備える。この冷却装置２０は、電極部１５内に形成された冷媒流路１５ａと、温調された冷媒を冷媒流路中で循環させる冷媒循環装置２１とを備える。
チャンバ３内にはステージ１１の載置面１８の上方に昇降可能なカバー２４を備える。カバー２４は外形輪郭が円形であって一定の薄い厚みを有し、中央部には窓部２５が形成されている。そして、カバー２４は、プラズマ処理中に搬送キャリア４の保持シート６とフレーム７を覆ってプラズマから保護する。このため、カバー２４は搬送キャリア４の外形輪郭よりも十分に大きく形成されている。
カバー２４は、その下面が駆動ロッド２６の上端面に載置されている。駆動ロッド２６は図１Ａにのみ概念的に示す駆動機構２７により昇降駆動される。駆動ロッド２６の昇降によりカバー２４が昇降する。具体的には、カバー２４は、ステージ１１の載置面１８に載置される降下位置と、上方の第１上昇位置と、さらに上方の第２上昇位置（最上位）とに位置決め可能となっている。降下位置のカバー２４は、ステージ１１の載置面１８に載置される搬送キャリア４の保持シート６に対して、保持シート６とフレーム７をプラズマ処理中にプラズマから保護するが、接触はしない距離に位置している。降下位置においてカバー２４と保持シート６を接触させないことにより、プラズマ処理によって加熱したカバー２４の熱が、直接、保持シート６に伝わるのを防ぐと共に、保持シート６の粘着面がカバー２４に接触してカバー２４に張り付くことを防ぐことができる。
図１Ａにのみ模式的に示す制御装置２８は、第１及び第２の高周波電源部１０Ａ，１０Ｂ、プロセスガス源１２、アッシングガス源１３、減圧機構１４、冷却装置２０、直流電源２３、及び駆動機構２７を含むプラズマ処理装置１を構成する要素の動作を制御する。
次に、本実施形態に係るプラズマ処理装置１の動作を、図３及び図４を参照しつつ説明する。
図３（ａ）に示すように、カバー２４を第２上昇位置まで上昇させ（ステップＳ１）、図３（ｂ）に示すように、保持シート６の円形領域６ｃの中央にウェハ２を貼着した搬送キャリア４を図示しない搬送機構によってチャンバ３内に搬入し、ステージ１１の載置面１８上の正規位置に配置する（ステップＳ２：搬入処理（第１の工程））。
図３（ｃ）に示すように、駆動機構２７により駆動ロッド２６を駆動し、カバー２４を第２上昇位置から降下位置に降下させる（ステップＳ３）。カバー２４が降下位置となると、搬送キャリア４の保持シート６とフレーム７はカバー２４で覆われ、その窓部２５からウェハ２が露出する。但し、降下位置において、カバー２４は、保持シート６及びフレーム７とは接触しない。
直流電源２３から静電吸着用電極２２ａに直流電圧を印加し、搬送キャリア４をステージ１１の載置面１８（電極部１５の上端面）に静電吸着により保持する（ステップＳ４：第２の工程）。この状態では、ステージ１１は１５〜２０℃に温調され、搬送キャリア４はステージ１１の載置面１８に密着しているため２０℃前後に維持される。
図３（ｄ）に示すように、以下のプラズマ処理（ステップＳ５：プラズマダイシング処理及びプラズマアッシング処理（第３の工程））を実行する。
プラズマダイシング処理では、プロセスガス源１２からチャンバ３内にプロセスガス（例えば、ＳＦ６）を導入しつつ、減圧機構１４により排気し、処理室５を所定圧力（例えば、１０Ｐａ）に維持する。その後、アンテナ９に対して高周波電源部１０Ａから高周波電力（例えば、２０００Ｗ）を供給してチャンバ３内にプラズマＰを発生させ、カバー２４の窓部２５から露出しているウェハ２に照射する。このとき、ステージ１１の電極部１５には高周波電源部１０Ｂからバイアス電圧（例えば、５０Ｗ）を印加する。また、冷却装置２０によりステージ１１を冷却する（例えば、２０℃）。ウェハ２の表面には、チップ領域を規定するレジストマスクが前工程において既に形成されている。レジストマスクが形成されたウェハ２に対して、プラズマ処理を行うと、ウェハ２の表面の、レジストマスクで保護されていない部分（ストリート）では、プラズマＰ中のラジカルとイオンの物理化学的作用によって、ウェハ２がエッチングされる。そして、ウェハ２の裏面に到達するまでエッチングを続けることにより、ウェハ２は個別のチップに分割される。
プラズマアッシング処理では、アッシングガス源１３からチャンバ３内にアッシング用のプロセスガス（例えば、酸素ガス）を導入しつつ、減圧機構１４により排気し、処理室５を所定圧力（例えば、１０Ｐａ）に維持する。その後、アンテナ９に対して高周波電源部１０Ａから高周波電力（例えば、２０００Ｗ）を供給し、チャンバ３内に酸素プラズマＰを発生させてカバー２４の窓部２５から露出しているウェハ２に照射する。酸素プラズマＰの照射によりウェハ２の表面からレジストマスクが完全に除去される。
前記プラズマ処理では、搬送キャリア４は静電吸着によりステージ１１の載置面１８に吸着されているため、ステージ１１に設けた冷却装置２０により効果的に冷却される。この状態では、カバー２４が２３０℃前後まで温度上昇するのに対し、搬送キャリア４は前述のようにステージ１１に静電吸着された状態を維持しているので３０〜４０℃に温調される。
プラズマ処理が終了すれば、図２（ｅ）に示すように、駆動機構２７により駆動ロッド２６を駆動してカバー２４を降下位置から第１上昇位置へ移動させる（ステップＳ６）。これにより、プラズマ処理等で加熱されたカバー２４から搬送キャリア４の保持シート６への輻射熱が緩和される。
次に、直流電源２３から静電吸着用電極２２ａへの直流電圧の印加を停止し、静電吸着を解除する（ステップＳ７）。この状態では、プラズマ処理中に帯電したウェハ２に残留する電荷による残留吸着により、ウェハ２に電荷が残留しており、突出ピン１９を上動させただけでは搬送キャリア４をうまく持ち上げられない恐れがある。
そこで、図３（ｆ）に示すように、プロセスガス源１２からチャンバ３内に除電用ガスを導入して除電処理を実行する（ステップＳ８：除電処理（第４の工程））。除電用ガスには、Ｈｅ，Ａｒ等の不活性ガスを使用することができ、アンテナ９に対して高周波電源部１０Ａから高周波電力（ここでは、１００Ｗ程度）を供給して放電させる。このとき、減圧機構１４により排気し、処理室５を所定圧力に維持する。導入された除電用ガスによりウェハ２及び搬送キャリア４の残留電荷が除去される。
前記除電処理の終了後、ガス供給穴２９から載置面１８と保持シート６の間に脱着用ガスを供給する（ステップＳ９）。この場合、例えば、流量５０ｓｃｃｍ程度のアルゴンガスをガス供給穴２９から供給すればよい。これにより、載置面１８への保持シート６の接触状態を強制的に緩和させる。
その後、ガス供給穴２９からの脱着用ガスの供給を停止させ、図３（ｇ）に示すように、突出ピン１９を下方位置から上方位置に移動させて搬送キャリア４を押し上げる。搬送キャリア４は既に除電されており、脱着用ガスによって載置面１８と保持シート６の間の接触状態が緩和されているため、その押し上げをスムーズかつ迅速に行うことができる。押し上げられた搬送キャリア４は、図示しない搬送機構によってチャンバ３から搬出する（ステップＳ１０：搬出処理）。
このように、除電処理後に保持シート６と載置面１８の間に脱着用ガスを供給し、保持シート６と載置面１８の接触状態を強制的に緩和させている。前述のように、除電処理の際には、静電吸着用電極２２による静電吸着が解除されているため、ステージ１１による搬送キャリア４の冷却は不十分な状態にある。したがって、除電放電によってウェハ２及び搬送キャリア４が加熱され、搬送キャリアが熱ダメージを受ける恐れがある。しかしながら、本発明では、除電処理に加えて、脱着用ガスを供給して搬送キャリア４のステージ１１からの離間を補助することにより、除電処理時の除電放電で供給する高周波電力を小さくしたり、除電放電の処理時間を短くしたり（あるいはその両方）することができる。これにより、除電放電によって搬送キャリアが受ける熱ダメージを低減できる。例えば、脱着用ガスの供給を行わずに除電処理のみで搬送キャリアを離間させる場合、除電処理の条件として、アンテナ９に高周波電力２００Wを供給し、放電時間６０秒程度の放電が必要である。この結果、搬送キャリアの温度は１００℃を超える温度まで上昇し、搬送キャリアに対する熱ダメージが発生する。これに対し、脱着用ガスの供給を行った場合、除電処理が、高周波電力１００W、放電時間１０秒程度の低パワーかつ短時間の条件で行われたとしても、搬送キャリアの脱着が可能である。したがって、搬送キャリアの温度は１００℃以下に抑えられ、熱ダメージも発生しない。
なお、本発明は、前記実施形態に記載された構成に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。
例えば、前記実施形態では、脱着用ガスの供給を停止させた後で突出ピン１９を上動させるようにしたが、脱着用ガスの供給を続けたまま、突出ピン１９を上動させてもよい。
また、前記実施形態では、除電処理の終了後、保持シート６と載置面１８の間に脱着用ガスを供給するようにしたが、脱着用ガスは除電処理中に供給するようにしてもよい。この場合、突出ピン１９による搬送キャリア４の持ち上げ時まで、脱着用ガスの供給を続けてもよい。
また、前記実施形態では、除電処理の終了後、突出ピン１９により搬送キャリア４を持ち上げるようにしたが、除電処理中に持ち上げるようにしてもよい。この場合も、前記同様、突出ピン１９による搬送キャリア４の持ち上げ時まで、脱着用ガスの供給を続けてもよい。
また、前記実施形態では、突出ピン１９を下方位置と上方位置との間で昇降させるようにしたが、下方位置と上方位置の間の微小突出位置に停止可能としてもよい。この場合、除電処理を時系列で３段階（除電１、２、３）に分け、突出ピン１９の位置を、時間と共に、下方位置（除電１）、微小突出位置（除電２）、上方位置（除電３）と変化させるようにしてもよい。この場合、除電１から除電３のいずれかの段階で脱着用ガスの供給を開始するようにしてもよい。
また、前記実施形態では、カバー２４を除電処理前に上昇位置に移動させるようにしたが、除電処理後に上昇位置に移動させるようにしてもよい。
また、前記実施形態では、ガス供給穴２９から吐出させる脱着用ガスは全て同一圧で噴出させるようにしたが、場所によって噴出圧を変更することも可能である。例えば、ガス供給穴２９をフレーム７に対応する領域Ｃのほかに、少なくとも他の領域Ａ，Ｂ又はＤのいずれか１つに形成し、領域Ｃでの噴出圧を他の領域Ａ，Ｂ又はＤよりも大きくなるように設定するのが好ましい。
また、静電吸着用電極は実施形態のような双極型に限定されず、単極型であってもよい。
さらに、プラズマ処理装置１で実行されるのはプラズマダイシング処理とプラズマアッシング処理に限定されず、例えば通常のドライエッチングであってもよい。また、プラズマ処理装置１は実施形態のようなＩＣＰ型に限定されず平行平板型であってもよい。さらに、本発明はプラズマＣＶＤ装置等の他のプラズマ処理装置にも適用できる。
１…プラズマ処理装置
２…ウェハ（基板）
３…チャンバ
４…搬送キャリア
５…処理室
６…保持シート
７…フレーム
８…誘電体壁
９…アンテナ
１０Ａ，１０Ｂ…高周波電源部
１１…ステージ
１２…プロセスガス源
１３…アッシングガス源
１４…減圧機構
１５…電極部
１５ａ…冷媒流路
１５ｂ…静電チャック
１５ｃ…電極部本体
１７…外装部
１８…載置面
１９…突出ピン
２０…冷却装置
２１…冷媒循環装置
２２ａ…静電吸着用電極
２２ｂ…高周波電極
２３…直流電源
２４…カバー
２５…窓部
２６…駆動ロッド
２７…駆動機構
２８…制御装置
２９…ガス供給穴
３０…ガス導入孔
３１…ガス供給源（ガス供給部）

Claims (7)

  1. 処理室と、
    前記処理室内にプラズマを発生させるプラズマ源と、
    基板を保持する保持シートと、前記基板を囲むように保持シートに取り付けられるフレームとを有する搬送キャリアと、
    前記処理室内に設けられ、前記搬送キャリアが載置される載置領域にガス供給穴を有するステージと、
    前記ステージ内に設けられ、前記搬送キャリアを静電吸着する静電吸着部と、
    前記プラズマにより個別のチップに分割された前記基板を前記ステージから離脱させる際に、前記搬送キャリア及び前記基板の前記ステージと反対側の面が支持されない状態で前記ステージのガス供給穴を介してガスを供給することにより、前記搬送キャリアのステージからの離脱を補助するガス供給部と、
    を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
  2. 前記ガス供給穴は、前記ステージに載置された搬送キャリアの保持シートのうち、前記基板及び前記フレーム以外の露出領域に対応する位置に形成したことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
  3. 前記ガス供給穴は、前記ステージに載置された搬送キャリアの保持シートのうち、前記フレームに対応する位置に形成したことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
  4. 前記ガス供給穴は、前記ステージに載置された搬送キャリアの保持シートのうち、前記基板の非素子化領域に対応する位置に形成したことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
  5. 前記基板の非素子化領域は、基板の外周部であることを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理装置。
  6. 前記基板の非素子化領域は、基板に形成したテストパターンであることを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理装置。
  7. 環状のフレームと保持シートからなる搬送キャリアに保持された基板に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
    前記ステージに前記基板を保持した前記搬送キャリアを載置する第１の工程と、
    前記ステージに載置された前記搬送キャリアを前記ステージに静電吸着させる第２の工程と、
    前記基板に対してプラズマ処理を行い、前記基板を個別のチップに分割する第３の工程と
    前記搬送キャリアの静電吸着を解除するとともに、前記搬送キャリアと前記ステージの残留吸着を低減するための除電処理を行う第４の工程からなり、
    前記第４の工程中又は前記第４の工程終了後に、前記搬送キャリア及び前記基板の前記ステージと反対側の面が支持されない状態で、前記ステージに配置されたガス供給穴からガスを供給することにより、前記搬送キャリアの前記ステージからの分離を補助することを特徴とするプラズマ処理方法。
JP2014108204A 2014-05-26 2014-05-26 プラズマ処理装置及び方法 Active JP6319687B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014108204A JP6319687B2 (ja) 2014-05-26 2014-05-26 プラズマ処理装置及び方法
US14/716,000 US9653334B2 (en) 2014-05-26 2015-05-19 Plasma processing apparatus and method
CN201510271217.0A CN105140094B (zh) 2014-05-26 2015-05-25 等离子处理装置及方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014108204A JP6319687B2 (ja) 2014-05-26 2014-05-26 プラズマ処理装置及び方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015225890A JP2015225890A (ja) 2015-12-14
JP6319687B2 true JP6319687B2 (ja) 2018-05-09

Family

ID=54556569

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014108204A Active JP6319687B2 (ja) 2014-05-26 2014-05-26 プラズマ処理装置及び方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9653334B2 (ja)
JP (1) JP6319687B2 (ja)
CN (1) CN105140094B (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10388493B2 (en) * 2011-09-16 2019-08-20 Lam Research Corporation Component of a substrate support assembly producing localized magnetic fields
US10449641B2 (en) * 2016-02-18 2019-10-22 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. System for manufacturing assembly board and method for installing undersupporting device of the system
JP6519802B2 (ja) * 2016-03-18 2019-05-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
JP6697768B2 (ja) * 2016-06-29 2020-05-27 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 歩行支援ロボット及び歩行支援方法
JP6650593B2 (ja) * 2017-02-17 2020-02-19 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
GB201709446D0 (en) * 2017-06-14 2017-07-26 Semblant Ltd Plasma processing apparatus
TWI754065B (zh) * 2017-06-23 2022-02-01 日商三井化學東賽璐股份有限公司 零件製造裝置及零件製造方法
JP7045635B2 (ja) * 2017-08-30 2022-04-01 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理装置及び方法
JP7209247B2 (ja) * 2018-09-25 2023-01-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 素子チップの製造方法
JP7361306B2 (ja) 2019-12-27 2023-10-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ処理方法ならびに素子チップの製造方法
JP2022024265A (ja) * 2020-07-13 2022-02-09 東京エレクトロン株式会社 基板離脱方法及びプラズマ処理装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002313902A (ja) * 2001-04-18 2002-10-25 Canon Inc 静電チャック、該静電チャックから基板を離脱する方法
JP3901128B2 (ja) * 2001-08-27 2007-04-04 松下電器産業株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2003174077A (ja) * 2001-12-04 2003-06-20 Lintec Corp 吸着保持装置
JP2003282691A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Nec Kyushu Ltd ウェハ保持用静電チャックおよびウェハの剥離方法
JP4090416B2 (ja) * 2003-09-30 2008-05-28 日東電工株式会社 粘着テープ付ワークの離脱方法及び離脱装置
JP2008028021A (ja) * 2006-07-19 2008-02-07 Disco Abrasive Syst Ltd プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法
KR101312292B1 (ko) * 2006-12-11 2013-09-27 엘아이지에이디피 주식회사 플라즈마 처리장치의 기판 파손 방지장치 및 그 방법
KR101295776B1 (ko) * 2007-08-02 2013-08-12 삼성전자주식회사 직류 및 교류 전압들을 교대로 사용하는 웨이퍼의 디척킹방법 및 이를 채택하는 반도체 소자의 제조 장치
JP4858395B2 (ja) 2007-10-12 2012-01-18 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置
US8802545B2 (en) * 2011-03-14 2014-08-12 Plasma-Therm Llc Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer
KR101252681B1 (ko) * 2011-06-14 2013-04-08 주식회사 에너솔 알루미늄 고분자 커패시터 및 제조 방법
JP5849232B2 (ja) * 2012-09-20 2016-01-27 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR101372805B1 (ko) * 2012-11-30 2014-03-19 로체 시스템즈(주) 웨이퍼 식각 시스템 및 이를 이용한 웨이퍼 식각 공정

Also Published As

Publication number Publication date
CN105140094A (zh) 2015-12-09
CN105140094B (zh) 2020-05-05
US9653334B2 (en) 2017-05-16
US20150340203A1 (en) 2015-11-26
JP2015225890A (ja) 2015-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6319687B2 (ja) プラズマ処理装置及び方法
US20220262603A1 (en) Plasma processing apparatus and method therefor
US10217617B2 (en) Plasma processing apparatus and method therefor
JP6094813B2 (ja) プラズマ処理装置
JP6650593B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP6399435B2 (ja) プラズマ処理方法及び装置
JP2016051876A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP6555656B2 (ja) プラズマ処理装置および電子部品の製造方法
JP6807558B2 (ja) プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
KR101399904B1 (ko) 기판 세정장치
JP6485702B2 (ja) プラズマ処理方法および電子部品の製造方法
CN107154369A (zh) 等离子体处理方法
JP6340655B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP7045635B2 (ja) プラズマ処理装置及び方法
JP6083529B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP6551814B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP6704147B2 (ja) プラズマ処理方法、電子部品の製造方法およびプラズマ処理装置
JP6226117B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP6558567B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP5962922B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP6226118B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2017054853A (ja) プラズマ処理方法および電子部品の製造方法
KR20090044868A (ko) 플라즈마 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170127

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20171124

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171212

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180209

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180306

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180323

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6319687

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151