KR101252681B1 - 알루미늄 고분자 커패시터 및 제조 방법 - Google Patents
알루미늄 고분자 커패시터 및 제조 방법Info
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Abstract
알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법은, 알루미늄 양극 원단 포일(Foil)과 음극 원단 포일 및 전도성 고분자를 포함한 커패시터 소자를 알루미늄 케이스에 삽입하기 전에 수분이 주입된 절연 패드를 알루미늄 케이스의 바닥에 삽입하는 단계; 및 커패시터 소자를 삽입한 후, 그 위에 밀봉 고무를 압착하여 밀봉하는 단계를 포함하며, 절연 패드에서 수분이 전도성 고분자에 확산되어 전도성 고분자를 산화시키는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 알루미늄 고분자 커패시터의 구성 단위 부품에 수분을 주입하여 알루미늄 고분자 커패시터의 누설 전류 및 내전압 특성을 향상시키는 알루미늄 고분자 커패시터 및 제조 방법에 관한 것이다.
고분자 캐패시터는 기본적으로 알루미늄 전극 상에 전기 화학적으로 형성된 유전체 산화피막(Al2O3) 자체가 결함을 가지고 있고 제조 공정 중에 물리적, 화학적 손상으로 인하여 취약한 부분을 가지고 있다.
이러한 결함 및 취약한 부분은 커패시터 제조 후 특성 측면에서 누설 전류 발생 및 누설 전류 증가로 인한 기능 저하 및 회로 단락 등의 불량의 직접적인 원인이 되며 커패시터의 정격 전압 저하로 인한 내전압(Withstanding Voltage) 저하 불량, 파괴 전압 저하 불량의 원인이 된다.
또한, 커패시터 제품의 제조시 누설 전류, 내전압 특성의 기준 미달로 인한 생산 수율 저하 등의 심각한 문제를 발생시킨다.
특히, 고분자 커패시터는 종래의 알루미늄 기재의 커패시터가 전해질로 액체 전해질을 사용하는데 비해 커패시터의 저항 특성을 향상시키기 위하여 전해질로 전기 전도도를 가지는 전도성 고분자를 고체 전해질로 적용한다.
이러한 특성은 커패시터의 등가직렬저항의 102~104 배 개선하였기 때문에 상대적으로 누설 전류, 내전압 특성이 더욱 취약하고 생산 수율이 현저히 낮은 문제점을 가지고 있다.
이러한 문제점을 개선하기 위해서 고분자 커패시터의 제조 공정 중에 재화성(Reformation) 공정을 적용하여 커패시터 소자를 염산 수용액 상에서 암모늄아디페이트를 전해질로 사용하여 전기 화학적으로 양극 산화하여 결함 및 손상된 Al2O3 유전체층을 수복하거나 커패시터 완성 후 100~150℃ 고온하에서 전압과 전류를 인가하여 고분자의 절연성을 증가시켜 누설 전류를 감소시키고, 내전압을 증가시키는 에이징(Aging) 방법을 사용하지만 효과가 완벽하지 못하여 여전히 특성을 저하시키며 생산 수율을 떨어뜨리는 문제점이 있었다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 알루미늄 고분자 커패시터의 구성 단위 부품에 수분을 주입하여 알루미늄 고분자 커패시터의 누설 전류 및 내전압 특성을 향상시키는 커패시터 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 알루미늄 고분자 커패시터의 구성 단위로 절연 패드에 수분을 주입하는 커패시터 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따른 알루미늄 케이스와 상기 알루미늄 케이스를 밀봉하는 밀봉 고무를 포함하는 알루미늄 고분자 커패시터는,
상기 알루미늄 케이스의 내경에 맞게 형성되어 상기 알루미늄 케이스의 바닥에 위치하고, 일정 시간과 일정 습도 범위 내에서 항온 항습조에 보관하거나 항온 항습 터널을 통과하는 방식으로 수분이 주입된 절연 패드; 및
상기 절연 패드의 상부에 위치하고 유전체를 형성한 알루미늄 양극 원단 포일(Foil)과 절연지, 알루미늄 음극 원단 포일 및 전도성 고분자를 형성하는 커패시터 소자를 포함한다.
본 발명의 특징에 따른 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법은,
알루미늄 양극 원단 포일(Foil)과 음극 원단 포일 및 전도성 고분자를 포함한 커패시터 소자를 알루미늄 케이스에 삽입하기 전에 수분이 주입된 절연 패드―상기 절연 패드는 상기 알루미늄 케이스의 내경에 맞게 형성되어 일정 시간과 일정 습도 범위 내에서 항온 항습조에 보관하거나 항온 항습 터널을 통과함―를 상기 알루미늄 케이스의 바닥에 삽입하는 단계; 및
상기 커패시터 소자를 삽입한 후, 그 위에 밀봉 고무를 압착하여 밀봉하는 단계를 포함하며,
상기 절연 패드에서 수분이 상기 전도성 고분자에 확산되어 상기 전도성 고분자를 산화시키는 것을 특징으로 한다.
특히, 절연 패드에 수분을 주입하는 방법은, 절연 패드를 20-30℃ 상온의 조건에서 항온 항습조의 경우, 상대습도 20-80% 범위 내에서 일정 시간 보관하거나, 항온 항습 터널의 경우 상대습도 60-80% 범위 내에서 일정 시간 통과시킨다.
본 발명의 특징에 따른 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법은,
알루미늄 양극 원단 포일(Foil)과 음극 원단 포일 및 전도성 고분자를 포함한 커패시터 소자를 알루미늄 케이스에 삽입하는 단계; 및
상기 커패시터 소자의 구성 단위 부품 중 하나의 구성 단위 부품―상기 하나의 구성 단위 부품은 상기 전도성 고분자의 층임―에 수분을 주입하며, 상기 커패시터 소자의 위에 밀봉 고무를 압착하여 밀봉하는 단계를 포함하며,
상기 커패시터 소자의 구성 단위 부품을 외부 기구에 의하여 수분을 주입하거나 항온 항습의 수분 주입 공간을 통과시켜 커패시터 소자의 구성 단위 부품 중 상기 하나의 구성 단위 부품에 수분을 주입하는 단계를 포함한다.
상기 커패시터 소자의 구성 단위 부품 중 하나의 구성 단위 부품―상기 하나의 구성 단위 부품은 상기 전도성 고분자의 층임―에 수분을 주입하며, 상기 커패시터 소자의 위에 밀봉 고무를 압착하여 밀봉하는 단계를 포함하며,
상기 커패시터 소자의 구성 단위 부품을 외부 기구에 의하여 수분을 주입하거나 항온 항습의 수분 주입 공간을 통과시켜 커패시터 소자의 구성 단위 부품 중 상기 하나의 구성 단위 부품에 수분을 주입하는 단계를 포함한다.
삭제
전술한 구성에 의하여, 본 발명은 알루미늄 고분자 커패시터의 구성 단위 부품에 수분을 주입하여 알루미늄 고분자 커패시터의 누설 전류 및 내전압 특성을 향상시키는 효과가 있다.
본 발명은 알루미늄 고분자 커패시터의 구성 단위로 절연 패드를 항온 항습의 수분 주입 공간을 통과시켜 수분을 주입하여 별도의 고가 초정밀 설비, 제조 공간 및 시간을 필요로 하지 않고 제품의 원가 상승 요인을 배제하면서 성능 및 효율을 향상한다.
본 발명은 정량의 미량 수분을 주입하는 구성 단위로 절연 패드를 이용하여 기존 설비로 작업이 가능하고 합성 수지 재질의 절연 패드를 이용하므로 과량의 수분 흡습이 일어나지 않아 극미량의 필요 수분을 정밀하게 주입하는 효과가 있다.
본 발명은 커패시터 소자에 직접적으로 수분을 주입하지 않고 과량의 수분이 커패시터 소자에 흡습되는 것을 방지하는 효과가 있다.
도 1은 알루미늄 고분자 커패시터의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 알루미늄 고분자 캐패시터의 구조의 구성을 나타낸 개념도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 절연 패드에 수분 처리하는 방법을 나타낸 도면이다.
도 2는 알루미늄 고분자 캐패시터의 구조의 구성을 나타낸 개념도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 절연 패드에 수분 처리하는 방법을 나타낸 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도 1은 알루미늄 고분자 커패시터의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 2는 알루미늄 고분자 캐패시터의 구조의 구성을 나타낸 개념도이다.
도 2는 도 1의 알루미늄 고분자 커패시터의 구조를 개념적으로 나타낸 것일 뿐, 커패시터의 단면과 일치하지 않을 수도 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 알루미늄 고분자 커패시터는 양극 전류 콜렉터인 알루미늄 양극 원단 포일(Foil)(110)과 알루미늄 양극 원단 포일(110)상에 형성되는 Al2O3 유전체(112)와, 절연지(120), 전도성 고분자(122) 및 음극 전류 콜렉터인 알루미늄 음극 원단 포일(130)을 포함한 커패시터 소자(100) 및 절연 패드(300)를 포함한다. 이외에 알루미늄 양극 원단 포일(110), 음극 원단 포일(130)상에 외부 인출용 리드(Lead)(140, 150)를 포함한다.
커패시터 소자(100)는 알루미늄 양극 원단 포일(110)과 Al2O3 유전체(112)와, 절연지(120), 전도성 고분자(122) 및 알루미늄 음극 원단 포일(130)을 한꺼번에 접착 테이프(132)로 감아서 완성한다.
절연 패드(300)는 수분을 주입하고 알루미늄 케이스(200)의 바닥에 위치시키고, 절연 패드(300) 위에 커패시터 소자(100)를 위치시키며, 그 위에 밀봉 고무(400)를 압착하여 밀봉한다.
절연 패드(300)에 수분을 주입하는 방법은 이하의 도 3 또는 도 4를 참조하여 상세하게 설명한다.
이와 같은 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 공정은 다음과 같다.
알루미늄 고분자 커패시터의 제조 공정은 재단(Slitting)->권취(Winding)->용접(Welding)->탄화(Carbonization)->재화성(Reformation)->중합(Polymerization)->조립(Assembling)->에이징(Aging)->마킹(Marking)->검사(Inspection)의 순서로 진행한다.
재단 공정은 Al2O3 유전체(112)가 설계치에 따라 두께 80~110㎛의 알루미늄 양극 원단 포일(Foil)(110)과, 카본(Carbon) 또는 TiO2가 코팅된 30-80㎛ 두께의 알루미늄 음극 원단 포일(130)을 설계된 커패시터 소자(100)의 사이즈에 따라 2-10mm 폭으로 재단한다.
권취 공정은 재단된 알루미늄 양극 원단 포일(110), 음극 원단 포일(130)상에 외부 인출용 리드(Lead)(140, 150)를 점철하여 연결하고 양극과 음극의 물리적 접촉으로 인한 단락을 방지하기 위하여 절연지(Separator)(120)를 사이에 두고 설계된 치수에 맞게 커패시터 소자(100)를 감는 공정이다.
용접 공정은 권취가 완성된 커패시터 소자(100)가 대량 생산할 수 있도록 철 재질의 막대기에 20-40개의 단위소자를 저항 용접하여 고정시키는 공정이다.
탄화 공정은 용접 공정이 완료된 소자를 200-300℃로 유지되는 오븐속에서 1-3시간 방치하여 절연지(120)의 섬유 조직을 태워 고분자 용액이 절연지(120)에 집중되는 현상을 방지하는 공정이다.
재화성 공정은 탄화가 완료된 소자를 산성 수용액 상에서 전기 화학적으로 재양극 산화하여 손상된 Al2O3 유전체층을 수복하는 공정이다.
알루미늄 양극 원단 포일(110)은 전기 화학적으로 양극 산화 반응에 의하여 알루미늄 표면에 유전체(112)인 Al2O3을 생성한다.
Al2O3는 커패시터 소자(100)의 핵심 기능인 유전체(112)로서의 역할을 수행하는 동시에 절연체로서의 성질도 가지고 있다.
재화성 공정은 재단 공정 중에 절단면의 유전체(112)가 파괴되어 알루미늄이 노출되거나 제조 과정 중에 유전체(112)가 손상으로 인하여 커패시터의 중요한 특징인 누설 전류가 기준치보다 높거나 또는 누설 전류의 증가로 인하여 제조 공정 중에 단락, 전자기기에 장착된 후 전기적 불량 문제를 방지하기 위한 공정이다.
중합 공정은 전도성 고분자(122)를 고체 전해질로 사용할 수 있도록 커패시터 소자(100) 내부에 전도성 고분자(122)를 주입하여 전해질 층을 형성하는 공정이다.
재화성 공정이 완성된 소자를 건조한 후 산화제와 단량체로 구성되는 액상의 고분자 용액을 커패시터 소자(100)에 주입하여 이를 상온-200℃ 사이의 온도에서 경화시켜 중합하여 고체화한다.
조립 공정은 중합 공정이 완성된 소자의 외장 공정으로 커패시터 소자(100)를 알루미늄 케이스(200)에 삽입하고 커패시터 소자(100)의 리드에 1.5-3mm 두께의 밀봉 고무(400)를 삽입하여 끼운채 알루미늄 케이스(200)의 입구 부분을 압착, 밀봉하여 커패시터 외관을 완성한다.
에이징 공정은 조립이 완성된 소자가 100-250℃의 온도에서 1-3시간 동안 적정전류와 전압을 인가하여 전기적으로 고분자층을 에이징시켜 유전체(112) 부위와 전도성 고분자(122) 부위에서 국부적으로 주울(Joule)열을 발생시켜 해당 부위의 고분자 저항을 급속히 증가시키고 해당 유전체(112)의 전기적 연결 패스를 차단하여 누설 전류를 감소시키고 억제하여 제품을 완성하는 공정이다.
다음, 도 3 또는 도 4를 참조하여 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법을 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법을 나타낸 도면이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 절연 패드에 수분 처리하는 방법을 나타낸 도면이다.
본 발명의 실시예에 따른 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법은 전술한 알루미늄 고분자 커패시터의 조립 공정에 절연 패드(300) 삽입 공정을 추가하고 나머지 공정은 전술한 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 공정과 동일하므로 상세한 설명을 생략한다.
본 발명의 실시예에 따른 조립 공정은 커패시터 소자(100)를 알루미늄 케이스(200)에 삽입하기 전에 수분 처리가 완료된 절연 패드(300)를 알루미늄 케이스(200) 바닥에 삽입하도록 위치시킨다.
도 4를 참조하면, 수분을 주입하는 방법은 절연 패드 원단을 20-30℃ 상온의 조건에서 상대습도 20-80 % 범위 내의 항온 항습기에서 1분-5시간 범위 내에 보관하고 적정 사이즈로 펀칭(Punching)한 후 알루미늄 케이스(200)의 바닥면에 삽입한다(S100).
수분을 주입하는 다른 실시예는 절연 패드 원단을 20-30℃ 상온의 조건에서 상대습도 60-80 % 범위 내의 항온 항습 터널을 통과시키면서 적정 사이즈로 펀칭한 후 알루미늄 케이스(200)의 바닥면에 삽입한다(S100).
수분 처리가 완료된 절연 패드(300)의 상부로 커패시터 소자(100)를 삽입한 후, 밀봉 고무(400)를 삽입하여 끼운채 알루미늄 케이스(200)의 입구 부분을 압착, 밀봉하여 커패시터 외관을 완성한다(S102, 104).
이와 같이 절연 패드(300)를 조립 공정에 투입하기 전에 일정 습도와 온도가 유지되는 항온 합습조에 일정 시간 보관하거나 항온 항습 터널을 통과하면, 절연 패드(300)의 미세 다공 및 섬유 조직 내부에 수분이 침투, 흡습되도록 한다.
고분자 커패시터의 제조 공정 중에서 누설 전류를 억제하기 위해서는 재화성 공정에서 손상된 유전체(112) 부위를 수복하나 완벽한 수복이 불가능하다.
따라서, 최종 공정인 에이징(Aging) 공정에서 고온에서 진기적으로 전도성 고분자(122)를 안정화시키는 과정을 거친다(S106).
손상되어 취약한 구조를 가진 유전체(112)는 접촉되어 있는 전도성 고분자(122)의 층으로 전달되어온 전하가 충전의 범위를 넘어 지속적으로 양극/음극의 패스를 통하여 흐르게 되어 누설 전류 패스를 형성하게 된다.
이러한 누설 전류 패스는 전체 전극의 면적에 비하여 작은 국부적인 부분에 해당된다.
따라서, 정상적인 충전이 완료되면, 외부에서 인가되는 전류가 누설 전류 부분에 집중적으로 몰려 흐르게 되고 이 부분에 주울열이 발생하여 수백도에 달하게 된다. 이렇게 되면 해당 부위의 전도성 고분자(122)는 열에 의하여 급격히 열화되어 전도도가 현저히 떨어지게 되고 더 이상 전류를 전달하는 통로로서의 기능을 상실하게 된다.
이러하 누설 전류 억제 메카니즘을 작동하기 위하여 고분자 커패시터에 수분을 주입하게 된다.
절연 패드(300)에 흡습된 수분은 커패시터 소자(100)의 전도성 고분자(122)의 다공 구조에 서서히 확산 흡습된다.
후공정으로 이어지는 에이징 공정은 100-150℃의 고온에서 1-5시간 일정한 전압과 전류에서 고분자 에이징 처리를 실시하게 된다.
이때 흡습된 수분은 고온 조건에서 전도성 고분자(122) 내부로 균일하게 확산되고 점차 증발하여 전도성 고분자(122) 조직에 침투된다.
이러한 주입된 수분은 에이징 공정에서의 주울열에 의해 열분해되어 전도성 고분자(122)를 산화시키는 화학적 반응을 수반하기 때문에 누설 전류가 억제된다.
다시 말해, 에이징 공정에서 전압과 전류가 인가되면서 유전체(112)가 손상된 부위에서 순간적인 누설 전류 급증으로 주울열이 발생하게 되고 침투된 수분은 순간적인 전기 화학 반응으로 해당 부위 전도성 고분자(122)의 전도도를 순간적으로 저하시켜 누설 전류의 통로를 차단하게 되어 전체적인 커패시터의 누설 전류를 감소시키며 내전압을 증대시켜 커패시터의 특성과 생산 수율을 향상시킨다.
전술한 도 4는 절연 패드(300)에 수분 처리하는 방법을 나타낸 것이다. 이와 다른 실시예로서, 알루미늄 고분자 커패시터에 수분을 주입하는 방법을 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법은 알루미늄 양극 원단 포일(Foil)(110)과 음극 원단 포일(130) 및 전도성 고분자(122)를 포함한 커패시터 소자(100)를 알루미늄 케이스(200)에 삽입한다.
커패시터 소자(100)의 구성 단위 부품 중 하나의 구성 단위 부품에 수분을 주입하며, 커패시터 소자(100)의 위에 밀봉 고무(400)를 압착하여 밀봉하게 된다. 여기서, 하나의 구성 단위 부품에 수분 주입 과정은 전도성 고분자(122)의 층이 생성된 후, 수행되는 과정이다.
커패시터 소자(100)의 구성 단위 부품은 알루미늄 양극 원단 포일(Foil)(110)과 음극 원단 포일(130), 절연지(120), 전도성 고분자(122), 유전체(112)를 포함한다.
수분을 주입하는 커패시터 소자(100)의 구성 단위 부품은 전도성 고분자(122)의 층에 하는 것이 바람직하다.
전술한 커패시터 소자(100)의 구성 단위 부품의 수분 주입은 외부 기구에 의하여 수분을 주입하거나 항온 항습의 수분 주입 공간을 통과시켜 커패시터 소자(100)의 구성 단위 부품 중 하나의 구성 단위 부품에 수분을 주입한다.
이상에서 설명한 본 발명의 실시예는 장치 및/또는 방법을 통해서만 구현이 되는 것은 아니며, 본 발명의 실시예의 구성에 대응하는 기능을 실현하기 위한 프로그램, 그 프로그램이 기록된 기록 매체 등을 통해 구현될 수도 있으며, 이러한 구현은 앞서 설명한 실시예의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야의 전문가라면 쉽게 구현할 수 있는 것이다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
100: 커패시터 소자
110: 알루미늄 양극 원단 포일
112: 유전체
120: 절연지
122: 전도성 고분자
130: 알루미늄 음극 원단 포일
132: 접착 테이프
140: + 리드
150: - 리드
200: 알루미늄 케이스
300: 절연 패드
400: 밀봉 고무
110: 알루미늄 양극 원단 포일
112: 유전체
120: 절연지
122: 전도성 고분자
130: 알루미늄 음극 원단 포일
132: 접착 테이프
140: + 리드
150: - 리드
200: 알루미늄 케이스
300: 절연 패드
400: 밀봉 고무
Claims (9)
- 알루미늄 케이스와 상기 알루미늄 케이스를 밀봉하는 밀봉 고무를 포함하는 알루미늄 고분자 커패시터에 있어서,
상기 알루미늄 케이스의 내경에 맞게 형성되어 상기 알루미늄 케이스의 바닥에 위치하고, 일정 시간과 일정 습도 범위 내에서 항온 항습조에 보관하거나 항온 항습 터널을 통과하는 방식으로 수분이 주입된 절연 패드; 및
상기 절연 패드의 상부에 위치하고 유전체를 형성한 알루미늄 양극 원단 포일(Foil)과 절연지, 알루미늄 음극 원단 포일 및 전도성 고분자를 형성하는 커패시터 소자
를 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 고분자 캐패시터. - 알루미늄 양극 원단 포일(Foil)과 음극 원단 포일 및 전도성 고분자를 포함한 커패시터 소자를 알루미늄 케이스에 삽입하기 전에 수분이 주입된 절연 패드―상기 절연 패드는 상기 알루미늄 케이스의 내경에 맞게 형성되어 일정 시간과 일정 습도 범위 내에서 항온 항습조에 보관하거나 항온 항습 터널을 통과함―를 상기 알루미늄 케이스의 바닥에 삽입하는 단계; 및
상기 커패시터 소자를 삽입한 후, 그 위에 밀봉 고무를 압착하여 밀봉하는 단계를 포함하며,
상기 절연 패드에서 수분이 상기 전도성 고분자에 확산되어 상기 전도성 고분자를 산화시키는 것을 특징으로 하는 알루미늄 고분자 캐패시터의 제조 방법. - 삭제
- 제2항에 있어서,
상기 알루미늄 케이스의 바닥에 삽입하는 단계는,
상기 절연 패드를 20-30℃ 상온의 조건에서 항온 항습조의 경우, 상대습도 20-80% 범위 내에서 일정 시간 보관하거나, 항온 항습 터널의 경우 상대습도 60-80% 범위 내에서 일정 시간 통과시키는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법. - 제2항에 있어서,
상기 밀봉 고무를 압착하여 밀봉하는 단계 이후에,
100-150℃의 온도에서 1-5시간 범위에서 전류와 전압을 인가하는 에이징 공정을 통하여 상기 수분과 상기 전도성 고분자 간의 전기 화학적 반응을 일으키는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법. - 알루미늄을 기재로 하는 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법에 있어서,
알루미늄 양극 원단 포일(Foil)과 음극 원단 포일 및 전도성 고분자를 포함한 커패시터 소자를 알루미늄 케이스에 삽입하는 단계; 및
상기 커패시터 소자의 구성 단위 부품 중 하나의 구성 단위 부품―상기 하나의 구성 단위 부품은 상기 전도성 고분자의 층임―에 수분을 주입하며, 상기 커패시터 소자의 위에 밀봉 고무를 압착하여 밀봉하는 단계를 포함하며,
상기 커패시터 소자의 구성 단위 부품을 외부 기구에 의하여 수분을 주입하거나 항온 항습의 수분 주입 공간을 통과시켜 커패시터 소자의 구성 단위 부품 중 상기 하나의 구성 단위 부품에 수분을 주입하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법. - 제6항에 있어서,
상기 밀봉 고무를 압착하여 밀봉하는 단계는,
상기 전도성 고분자의 층이 생성된 후, 상기 하나의 구성 단위 부품에 수분을 주입하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 고분자 캐패시터의 제조 방법. - 삭제
- 삭제
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