JP4947150B2 - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、各種電子機器に用いられる固体電解コンデンサの製造方法に関する。
電子機器の高速化、高周波化に伴って、CPUの電源ラインに使用される電解コンデンサは、低周波領域から1MHz〜1GHz付近までの高周波領域に至る広帯域のノイズ除去や過渡応答に優れることが求められ、大容量で低インピーダンスを有することが要望されている。
積層された複数の電極箔を備えたコンデンサよりも容易に大容量が得られる巻回形の固体電解コンデンサが製品化されてきている。巻回形の固体電解コンデンサは、セパレータを介して積層された陽極箔と陰極箔とを巻回して作製される。このような固体電解コンデンサは、寿命、温度特性に加え、特に優れた高周波特性を有するので、パーソナルコンピュータの電源回路に広く採用されている。
図4は特許文献1、2に記載されている従来の固体電解コンデンサ501の一部切り欠き斜視図である。アルミニウム箔よりなる陽極箔101はエッチング処理することにより粗面化された表面を有し、その表面には化成処理によって誘電体酸化皮膜層が形成されている。陰極箔102はアルミニウム箔からなる。絶縁性のセパレータ103を介して陽極箔101と陰極箔102を重ねて巻回することによってコンデンサ素子105が構成されている。
固体電解質層104はセパレータ103に含浸された導電性高分子からなる。陽極リード線106と陰極リード線107は陽極箔101と陰極箔102に夫々接合されて外部へ引き出されている。ケース108はコンデンサ素子105を収容している。ケース108はアルミニウムよりなり、底を有する円筒形状を有する。封口部材109は樹脂加硫ブチルゴムよりなり、陽極リード線106と陰極リード線107がそれぞれ挿通する孔109A、109Bを有し、ケース108の開口部を封止する。
固体電解コンデンサ501に電圧を印加すると漏れ電流が流れて発熱し、寿命が短くなる場合がある。
特開平10−340829号公報 特開2007−103499号公報
固体電解コンデンサは、陽極箔と、陽極箔の表面上に設けられた誘電体酸化皮膜層と、誘電体酸化皮膜層上に設けられたセパレータと、セパレータに含浸された導電性高分子からなる固体電解質層と、固体電解質層を介して誘電体酸化皮膜層に対向する陰極箔と、陽極箔の表面上に設けられたリン酸塩とを備え、リン酸塩は陽極箔の1cm2あたり0.5μg〜50μgだけ存在する。
本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、金属からなる陽極箔の表面を化成処理して誘電体酸化皮膜層を形成するステップと、金属からなる陰極箔が絶縁性のセパレータを介して前記誘電体酸化皮膜層と対向するように、陽極箔とセパレータと陰極箔とを積層するステップと、陽極箔と前記セパレータと陰極箔とを積層するステップの後で、陽極箔とセパレータと陰極箔とを巻回してコンデンサ素子を形成するステップと、リン酸塩を含有する化成液にコンデンサ素子を浸して誘電体酸化皮膜層を修復するステップと、誘電体酸化皮膜層を修復するステップの後で、陽極箔上にリン酸塩が残留するようにコンデンサ素子を洗浄せずに乾燥させ、セパレータに導電性高分子を含浸させて固体電解質層を形成し、リン酸塩を陽極箔の1cm あたり0.5μg〜50μgだけ存在させるものである。
この固体電解コンデンサでは漏れ電流を小さくすることができる。
本発明の実施の形態における固体電解コンデンサの一部切り欠き斜視図 実施の形態における固体電解コンデンサの断面図 実施の形態における固体電解コンデンサの評価結果を示す図 実施の形態における固体電解コンデンサの評価結果を示す図 従来の固体電解コンデンサの一部切り欠き斜視図
図1と図2はそれぞれ本発明の実施の形態における固体電解コンデンサ1001の一部切り欠き斜視図と断面図である。アルミニウム等の金属よりなる陽極箔1は、エッチング処理により粗面化された表面1Aを有する。表面1Aを化成処理することで、表面1A上に誘電体酸化皮膜層1Bが設けられている。誘電体酸化皮膜層1B上に絶縁性のセパレータ3が設けられており、セパレータ3上にはアルミニウム等の金属からなる陰極箔2が設けられている。すなわち、陰極箔2はセパレータ3を介して誘電体酸化皮膜層1Bと対向している。このように積層された陽極箔1と誘電体酸化皮膜層1Bとセパレータ3と陰極箔2は巻回されてコンデンサ素子5を構成している。セパレータ3に含浸された導電性高分子4Aは固体電解質層4を構成している。すなわち、陰極箔2は固体電解質層4を介して誘電体酸化皮膜層1Bと対向している。誘電体酸化皮膜層1B上にはリン酸塩の電解質1Cが設けられている。陽極リード線6と陰極リード線7は陽極箔1と陰極箔2に夫々接合されている。アルミニウムよりなるケース8は底8Aを有し、開口部8Bを有する円筒形状を有する。ケース8は開口部8Bからリード線6、7が出るようにコンデンサ素子5を収容している。樹脂加硫ブチルゴムよりなる封口部材9はリード線6、7がそれぞれ挿通する孔9A、9Bを有して、ケース8の開口部8Bを封止する。
固体電解コンデンサ1001の製造方法を以下に説明する。
まず、陽極箔1の表面1Aを化成処理することにより表面1Aに誘電体酸化皮膜層1Bを形成する。陽極箔1に陽極リード線6を接合する。陰極箔2に陰極リード線7を接合する。次いでセパレータ3を介して誘電体酸化皮膜層1Bが陰極箔2と対向するように陽極箔1とセパレータ3と陰極箔2を積層し、巻き取り機によって巻回してコンデンサ素子5を作製する。積層された陽極箔1とセパレータ3と陰極箔2とを巻回する際に、誘電体酸化皮膜層1Bに亀裂や損傷が発生する場合がある。
次に、コンデンサ素子5を化成液に浸して電圧をリード線6、7間に印加して、陽極箔1の端面に誘電体酸化皮膜層を形成し、誘電体酸化皮膜層1Bに亀裂や損傷が発生して露出した表面1Aの部分を化成処理して誘電体酸化皮膜を形成して誘電体酸化皮膜層1Bを修復する。化成液はリン酸塩を電解質として含有し、本実施の形態では、リン酸二水素アンモニウムを電解質として含有する。その後、コンデンサ素子5を加熱して乾燥させる。
その後、コンデンサ素子5を重合液に含浸して、セパレータ3に導電性高分子4Aを含浸させて固体電解質層4を形成する。
その後、コンデンサ素子5をケース8に収容し、封口部材9を開口部8Bに収容して開口部8Bを絞り加工して封止し、固体電解コンデンサ1001を完成させる。
従来の固体電解コンデンサの製造方法では、コンデンサ素子5を化成液に浸して誘電体酸化皮膜層1Bの亀裂や損傷を修復した後で、水や洗浄液で洗浄して化成液をコンデンサ素子5から取り除いた後にコンデンサ素子5を乾燥させる。実施の形態による固体電解コンデンサ1001の製造方法では、コンデンサ素子5を化成液に浸して誘電体酸化皮膜層1Bの亀裂や損傷を修復した後では、コンデンサ素子5を洗浄せずに乾燥させる。これにより、誘電体酸化皮膜層1B上に化成液の電解質1C(リン酸塩)を残留させる。
これにより、固体電解コンデンサ1001コンデンサ素子5を洗浄する工程を削減することができる。また、固体電解質層4を形成した後でもコンデンサ素子5に物理的なストレスが加わり、誘電体酸化皮膜層1Bに亀裂や損傷が発生する可能性がある。固体電解コンデンサ1001が完成した後でリード線6、7に電圧を印加することで陽極箔1の表面1A上に残留した電解質でありリン酸塩は、誘電体酸化皮膜層1Bに発生した亀裂や損傷から露出する陽極箔1の表面1Aの部分を化成処理して誘電体酸化皮膜を形成し、誘電体酸化皮膜層1Bに発生した亀裂や損傷を修復する。したがって、誘電体酸化皮膜層1Bに発生した亀裂や損傷に起因する漏れ電流を抑制することができ、固体電解コンデンサの信頼性を向上させることができる。
実施の形態では、コンデンサ素子5は、巻回された陽極箔1と陰極箔2とセパレータ3とを有する。実施の形態による固体電解コンデンサは、セパレータ3を介して陽極箔1と陰極箔2が対向し、巻回されていない陽極箔1と陰極箔2とセパレータ3とを有するコンデンサ素子を備えてもよい。
固体電解コンデンサ1001の陽極箔1と陰極箔2は共にアルミニウムよりなる。実施の形態によるコンデンサ素子5の陰極箔2は、ニッケル、チタン、カーボン等の導体よりなっていてもよく、同様の効果が得られる。
実施の形態における化成液の電解質はリン酸塩であり、特にリン酸二水素アンモニウムである。この化成液は高い耐水性を有し、陽極箔1の表面1Aに酸化皮膜層1Bを形成する際にも用いられるので、完成後の固体電解コンデンサ1001において固体電解質層4に悪影響を与えない。
コンデンサ素子5において、リン酸塩は陽極箔1の1cmあたり0.5μg〜50μgだけ残留して存在することが好ましい。残留するリン酸塩が0.5μgより少ないと、陽極箔1の表面1Aを十分化成処理することができずに誘電体酸化皮膜層1Bを十分修復できない。残留するリン酸塩が50μgより多いと、固体電解質層4の導電性高分子4Aの重合を妨げ、良好な固体電解質層4を形成することが困難な場合がある。
化成液の電解質のリン酸塩がリン酸二水素アンモニウムである場合に、以下の方法でコンデンサ素子5に残留するリン酸塩の量を測定する。まず、あらかじめ化成液の水溶液の濃度と導電率の関係を測定して、水溶液の導電率と水溶液中の化成液の濃度との関係を示す検量線を作成する。乾燥させた後のコンデンサ素子5を分解して陽極箔1を所定の量の水に入れて、陽極箔1に付着している化成液を水に溶解させて抽出液を作製する。
次に、その抽出液の導電率を測定し、検量線から抽出液の化成液の濃度を求める。さらに、化成液中のリン酸塩の濃度と抽出液の体積から化成液中のリン酸塩の量を計算する。
次いで、計算したリン酸塩の量と陽極箔1の面積から、陽極箔1の単位面積あたりのリン酸塩の量を算出する。
実施の形態による固体電解コンデンサである実施例1の試料を作製した。まず、陽極箔1の表面1Aに化成電圧12Vで化成処理を施して誘電体酸化皮膜層1Bを形成した。その後、上記の方法でコンデンサ素子1を作製した。次に、コンデンサ素子1内の誘電体酸化皮膜層1Bの亀裂や損傷を修復するために、液温70℃で1.0重量%のリン酸二水素アンモニウム水溶液にコンデンサ素子1を浸し、リード線6、7に誘電体酸化皮膜層1Bを形成した化成電圧(12V)を超えない範囲の電圧(例えば11V)を印加して誘電体酸化皮膜を形成した。その後、コンデンサ素子1をリン酸二水素アンモニウム水溶液から取り出して100〜180℃の温度で30分程度加熱し乾燥させた。続いて、コンデンサ素子1にエチレンジオキシチオフェン(EDOT)またはEDOT溶液を含浸させた。次いで、パラトルエンスルホン酸第二鉄のブタノール溶液を含浸させた。その後、コンデンサ素子1をブタノール溶液から取り出して、20〜180℃の温度で30分以上加熱して、セパレータ3に導電性高分子を形成した。次に、コンデンサ素子1をケース8に収容し、ケースの開口部8Bに封口部材9を入れた。その後、ケース8の開口部8Bをカーリング処理により封止した。その後、リード線6、7に直流電圧6.3Vを雰囲気温度105℃で1時間連続的に印加することによりコンデンサ素子1にエージングを施し、直径10mm×高さ10mmサイズの固体電解コンデンサ1の実施例1の試料を作製した。実施例1の試料の定格電圧は6.3Vである。
上記と同様の方法で固体電解コンデンサ1の定格電圧25Vの実施例2の試料を作製した。実施例2の試料では、誘電体酸化皮膜層1Bを形成する化成電圧を50Vに設定した。また、コンデンサ素子1を作製した後で誘電体酸化皮膜層1Bを修復する電圧は48Vに設定した。また、ケース8を封止した後でのエージングの電圧を25Vに設定した。
また、誘電体酸化皮膜層を修復した後でコンデンサ素子を水で10分間だけ洗浄してリン酸二水素アンモニウム水溶液を取り除いて、定格電圧6.3V、25Vをそれぞれ有する比較例1、2の試料を作製した。また、誘電体酸化皮膜層を修復しない定格電圧6.3V、25Vをそれぞれ有する比較例3、4の試料を作製した。
実施例1、2と比較例1〜4の試料に直流電圧6.3Vを印加して2分後の漏れ電流を測定した。さらにこれらの試料の直列等価抵抗(ESR)を100kHzで測定した。また、上記の方法で実施例1、2の試料に残留しているリン酸二水素アンモニウムの量を測定した。実施例1、2の漏れ電流とESRのリン酸二水素アンモニウムの量の測定結果を図3Aと図3Bに示す。図3Bは図3Aの横軸を拡大して測定結果を示す。図3Aに示すように、リン酸二水素アンモニウムの量が陽極箔1の表面1Aの1cmあたり50μgより多くなると、漏れ電流とESRは大きくなる。また、図3Bに示すように、リン酸二水素アンモニウムの量が陽極箔1の表面1Aの1cmあたり0.5μgより少なくても、漏れ電流が大きくなる。したがって、リン酸塩は陽極箔1の表面1Aの1cmあたり0.5μg〜50μgだけ残留して存在することが好ましい。
また、実施の形態において、固体電解質層4を形成する導電性高分子はチオフェンおよびその誘導体を遷移金属塩からなる酸化剤で重合させて形成することで、漏れ電流を効果的に抑制することができる。
なお、固体電解コンデンサ1001はコンデンサ素子5を収容するアルミニウムよりなるケース8を備えるが、ケース8の代わりに、コンデンサ素子5を覆う外装樹脂を備えてもよい。
本発明による固体電解コンデンサは漏れ電流を小さくすることができるので、高い信頼性を有し、各種電子機器に有用である。
1 陽極箔
1A 表面
1B 誘電体酸化皮膜層
1C 電解質
2 陰極箔
3 セパレータ
4 固体電解質層
4A 導電性高分子

Claims (3)

  1. 金属からなる陽極箔の表面を化成処理して誘電体酸化皮膜層を形成するステップと、
    金属からなる陰極箔が絶縁性のセパレータを介して前記誘電体酸化皮膜層と対向するように、前記陽極箔と前記セパレータと前記陰極箔とを積層するステップと、
    前記陽極箔と前記セパレータと前記陰極箔とを積層するステップの後で、前記陽極箔と前記セパレータと前記陰極箔とを巻回してコンデンサ素子を形成するステップと、
    リン酸塩を含有する化成液に前記コンデンサ素子を浸して前記誘電体酸化皮膜層を修復するステップと、
    前記誘電体酸化皮膜層を修復するステップの後で、前記陽極箔上に前記リン酸塩が残留するように前記コンデンサ素子を洗浄せずに乾燥させ、前記セパレータに導電性高分子を含浸させて固体電解質層を形成し、前記リン酸塩を前記陽極箔の1cm 2 あたり0.5μg〜50μgだけ存在させる、固体電解コンデンサの製造方法。
  2. 前記リン酸塩はリン酸二水素アンモニウムである、請求項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
  3. 前記固体電解質層を形成するステップは、チオフェンおよびその誘導体を遷移金属塩からなる酸化剤で重合させた導電性高分子を前記セパレータに含浸させるステップを含む、請求項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
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