JP2000340462A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 固体電解コンデンサにおいて、従来のＴＣＮ
Ｑ錯体やポリピロール等の導電性高分子の固体電解質は
放電電圧が低いため、誘電体酸化皮膜層の耐圧を高くし
ても定格電圧が３０Ｖ以上の高耐電圧を得ることができ
ないという課題を解決し、耐電圧が高くてインピーダン
ス特性に優れ、導電性高分子層の形成が容易な大容量の
固体電解コンデンサを得ることを目的とする。 【解決手段】 陽極体１の誘電体酸化皮膜層２上に（化
１）に表されるアニリン誘導体の高分子より形成された
第１の導電性高分子層３を有する構成とすることにより
高耐電圧でインピーダンス特性に優れた大容量の固体電
解コンデンサを得ることができる。 【化１】
Ｑ錯体やポリピロール等の導電性高分子の固体電解質は
放電電圧が低いため、誘電体酸化皮膜層の耐圧を高くし
ても定格電圧が３０Ｖ以上の高耐電圧を得ることができ
ないという課題を解決し、耐電圧が高くてインピーダン
ス特性に優れ、導電性高分子層の形成が容易な大容量の
固体電解コンデンサを得ることを目的とする。 【解決手段】 陽極体１の誘電体酸化皮膜層２上に（化
１）に表されるアニリン誘導体の高分子より形成された
第１の導電性高分子層３を有する構成とすることにより
高耐電圧でインピーダンス特性に優れた大容量の固体電
解コンデンサを得ることができる。 【化１】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は周波数特性、漏れ電
流特性等の信頼性に優れた導電性高分子層を有する固体
電解コンデンサに関するものである。
流特性等の信頼性に優れた導電性高分子層を有する固体
電解コンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器のデジタル化、高周波化
に伴って、電子部品である電解コンデンサについても従
来品より大容量で高周波領域でのインピーダンス特性が
優れているものが求められており、固体電解質を用いた
固体電解コンデンサの開発が盛んに行われている。
に伴って、電子部品である電解コンデンサについても従
来品より大容量で高周波領域でのインピーダンス特性が
優れているものが求められており、固体電解質を用いた
固体電解コンデンサの開発が盛んに行われている。
【０００３】従来は、７，７，８，８，テトラシアノキ
ノジメタン錯体（以下、ＴＣＮＱ錯体と略す）の有機半
導体を用いたアルミ固体電解コンデンサ（特開昭５８−
１９１４１４号公報）や、導電性を有する金属酸化物あ
るいは導電性高分子層を誘電体酸化皮膜上に形成後、電
解重合によりポリピロール等の導電性高分子層を設けた
アルミ固体電解コンデンサが提案されている（特開昭６
３−１５８８２９号公報、特開昭６３−１７３３１３号
公報、特開平１−２５３３２６号公報等参照）。
ノジメタン錯体（以下、ＴＣＮＱ錯体と略す）の有機半
導体を用いたアルミ固体電解コンデンサ（特開昭５８−
１９１４１４号公報）や、導電性を有する金属酸化物あ
るいは導電性高分子層を誘電体酸化皮膜上に形成後、電
解重合によりポリピロール等の導電性高分子層を設けた
アルミ固体電解コンデンサが提案されている（特開昭６
３−１５８８２９号公報、特開昭６３−１７３３１３号
公報、特開平１−２５３３２６号公報等参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＴＣＮＱ錯体やポリピロール等の導電性高分子の固体電
解質を用いた固体電解コンデンサは、誘電体酸化皮膜層
の耐圧を高くしても電解質の放電電圧が低いため、定格
電圧が３０Ｖ以上の高耐電圧を有するコンデンサを得る
ことができないという課題を抱えている。
ＴＣＮＱ錯体やポリピロール等の導電性高分子の固体電
解質を用いた固体電解コンデンサは、誘電体酸化皮膜層
の耐圧を高くしても電解質の放電電圧が低いため、定格
電圧が３０Ｖ以上の高耐電圧を有するコンデンサを得る
ことができないという課題を抱えている。
【０００５】さらに、従来の導電性高分子層の形成法で
ある化学酸化重合や電解重合過程は非常に複雑で誘電体
酸化皮膜層の細部まで皮膜形成することは困難であるた
め、等価直列抵抗が高くなりインピーダンス特性が悪く
なるという課題を抱えている。
ある化学酸化重合や電解重合過程は非常に複雑で誘電体
酸化皮膜層の細部まで皮膜形成することは困難であるた
め、等価直列抵抗が高くなりインピーダンス特性が悪く
なるという課題を抱えている。
【０００６】本発明は従来のこのような課題を解決し、
耐電圧が高く、固体電解質の形成が容易で、かつ大容量
でインピーダンス特性に優れた固体電解コンデンサを提
供することを目的とするものである。
耐電圧が高く、固体電解質の形成が容易で、かつ大容量
でインピーダンス特性に優れた固体電解コンデンサを提
供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の固体電解コンデンサは、陽極体の誘電体酸化
皮膜層上に（化２）に表されるアニリン誘導体の高分子
より形成された導電性高分子層を有する構成からなり、
あるいはセパレータを介して捲回した陽極箔と陰極箔と
の間に（化２）に表されるアニリン誘導体の高分子より
形成された導電性高分子層を有する構成からなるもので
ある。
に本発明の固体電解コンデンサは、陽極体の誘電体酸化
皮膜層上に（化２）に表されるアニリン誘導体の高分子
より形成された導電性高分子層を有する構成からなり、
あるいはセパレータを介して捲回した陽極箔と陰極箔と
の間に（化２）に表されるアニリン誘導体の高分子より
形成された導電性高分子層を有する構成からなるもので
ある。
【０００８】
【化２】
【０００９】これにより、耐電圧が高くてインピーダン
ス特性に優れ、導電性高分子層の形成が容易な大容量の
固体電解コンデンサを得ることができる。
ス特性に優れ、導電性高分子層の形成が容易な大容量の
固体電解コンデンサを得ることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、弁作用金属からなる少なくとも一つの陽極体と、こ
の陽極体の表面に形成された誘電体酸化皮膜層と、この
誘電体酸化皮膜層上に（化２）に表されるアニリン誘導
体の高分子より形成された導電性高分子層と、その導電
性高分子層上に形成された陰極引き出し層とからなる構
成としたもので、上記の導電性高分子層は放電電圧が高
いので定格電圧を３０Ｖ以上にすることができ、またア
ニリン誘導体は溶剤可溶型であるため誘電体酸化皮膜層
の細部まで皮膜形成でき等価直列抵抗の低い固体電解コ
ンデンサを得ることができるという作用を有するもので
ある。
は、弁作用金属からなる少なくとも一つの陽極体と、こ
の陽極体の表面に形成された誘電体酸化皮膜層と、この
誘電体酸化皮膜層上に（化２）に表されるアニリン誘導
体の高分子より形成された導電性高分子層と、その導電
性高分子層上に形成された陰極引き出し層とからなる構
成としたもので、上記の導電性高分子層は放電電圧が高
いので定格電圧を３０Ｖ以上にすることができ、またア
ニリン誘導体は溶剤可溶型であるため誘電体酸化皮膜層
の細部まで皮膜形成でき等価直列抵抗の低い固体電解コ
ンデンサを得ることができるという作用を有するもので
ある。
【００１１】請求項２に記載の発明は、弁作用金属から
なる少なくとも一つの陽極体と、この陽極体の表面に形
成された誘電体酸化皮膜層と、この誘電体酸化皮膜層上
に（化２）に表されるアニリン誘導体の高分子より形成
された第１の導電性高分子層と複素環式化合物のモノマ
ーより形成された第２の導電性高分子層と、この第２の
導電性高分子層上に形成された陰極引き出し層とからな
る構成としたもので、高周波領域での等価直列抵抗が小
さくできるため、リップル電流を流した際の発熱を抑え
リップル電流の許容値を大きくすることができるという
作用を有するものである。
なる少なくとも一つの陽極体と、この陽極体の表面に形
成された誘電体酸化皮膜層と、この誘電体酸化皮膜層上
に（化２）に表されるアニリン誘導体の高分子より形成
された第１の導電性高分子層と複素環式化合物のモノマ
ーより形成された第２の導電性高分子層と、この第２の
導電性高分子層上に形成された陰極引き出し層とからな
る構成としたもので、高周波領域での等価直列抵抗が小
さくできるため、リップル電流を流した際の発熱を抑え
リップル電流の許容値を大きくすることができるという
作用を有するものである。
【００１２】請求項３に記載の発明は、表面に誘電体酸
化皮膜層を形成した弁作用金属からなる陽極箔と陰極箔
とをその間にセパレータを介して捲回することにより構
成されたコンデンサ素子と、セパレータを介して前記陽
極箔と前記陰極箔との間に設けられた（化２）に表され
るアニリン誘導体の高分子より形成された導電性高分子
層と、前記コンデンサ素子を収納するケースと、このケ
ースの開口部を封口する封口部材とからなる構成とした
もので、低インピーダンスで大容量の固体電解コンデン
サを得ることができるという作用を有するものである。
化皮膜層を形成した弁作用金属からなる陽極箔と陰極箔
とをその間にセパレータを介して捲回することにより構
成されたコンデンサ素子と、セパレータを介して前記陽
極箔と前記陰極箔との間に設けられた（化２）に表され
るアニリン誘導体の高分子より形成された導電性高分子
層と、前記コンデンサ素子を収納するケースと、このケ
ースの開口部を封口する封口部材とからなる構成とした
もので、低インピーダンスで大容量の固体電解コンデン
サを得ることができるという作用を有するものである。
【００１３】請求項４に記載の発明は、請求項３に記載
の発明において、コンデンサ素子をケースに収納すると
きに電解液を充填した構成としたもので、誘電体酸化皮
膜層の修復性に優れ、定格電圧を３０Ｖ以上よりさらに
高くできるという作用を有するものである。
の発明において、コンデンサ素子をケースに収納すると
きに電解液を充填した構成としたもので、誘電体酸化皮
膜層の修復性に優れ、定格電圧を３０Ｖ以上よりさらに
高くできるという作用を有するものである。
【００１４】請求項５に記載の発明は、請求項１〜３の
いずれか一つに記載の発明において（化２）中のＲが水
素あるいは炭素数が１〜５のアルキル基、アルコキシ
基、水酸基あるいは、ニトロ基を示す構成としたもので
あり、水、有機溶剤および、含水有機溶媒という種々の
溶媒に対して溶解性が高いため導電性高分子層を形成し
やすいという作用を有するものである。
いずれか一つに記載の発明において（化２）中のＲが水
素あるいは炭素数が１〜５のアルキル基、アルコキシ
基、水酸基あるいは、ニトロ基を示す構成としたもので
あり、水、有機溶剤および、含水有機溶媒という種々の
溶媒に対して溶解性が高いため導電性高分子層を形成し
やすいという作用を有するものである。
【００１５】請求項６に記載の発明は、請求項１〜３の
いずれか一つに記載の発明において（化２）に示すアニ
リン誘導体を繰り返し単位として含む導電性高分子の重
量平均分子量が、ポリスチレン基準で５０００〜２００
００である構成としたものであり、伝導性および製膜性
に優れた導電性高分子層を作製することができるという
作用を有するものである。
いずれか一つに記載の発明において（化２）に示すアニ
リン誘導体を繰り返し単位として含む導電性高分子の重
量平均分子量が、ポリスチレン基準で５０００〜２００
００である構成としたものであり、伝導性および製膜性
に優れた導電性高分子層を作製することができるという
作用を有するものである。
【００１６】請求項７に記載の発明は、請求項１〜３の
いずれか一つに記載の発明において複素環式化合物のモ
ノマーがピロール、アニリン、チエフェンまたはこれら
の誘導体を含む化合物である構成としたものであり、高
い導電性が得られ、高周波領域でのインピーダンス特性
の優れた固体電解コンデンサを得られるという作用を有
するものである。
いずれか一つに記載の発明において複素環式化合物のモ
ノマーがピロール、アニリン、チエフェンまたはこれら
の誘導体を含む化合物である構成としたものであり、高
い導電性が得られ、高周波領域でのインピーダンス特性
の優れた固体電解コンデンサを得られるという作用を有
するものである。
【００１７】請求項８に記載の発明は、請求項３に記載
の発明において表面に誘電体酸化皮膜層を形成した弁作
用金属からなる陽極箔と陰極箔とをその間にセパレータ
を捲回することにより構成されたコンデンサ素子の中心
部から底部までの長さが陰極箔の方がセパレータより長
く、かつ陰極箔の異なる２ヶ所以上を電気的に短絡させ
た構成としたもので、高周波領域でのインピーダンス特
性に優れ、かつ高周波領域での容量減少が極めて少ない
固体電解コンデンサが得られるという作用を有する。
の発明において表面に誘電体酸化皮膜層を形成した弁作
用金属からなる陽極箔と陰極箔とをその間にセパレータ
を捲回することにより構成されたコンデンサ素子の中心
部から底部までの長さが陰極箔の方がセパレータより長
く、かつ陰極箔の異なる２ヶ所以上を電気的に短絡させ
た構成としたもので、高周波領域でのインピーダンス特
性に優れ、かつ高周波領域での容量減少が極めて少ない
固体電解コンデンサが得られるという作用を有する。
【００１８】以下、本発明の実施の形態について、図面
を用いて説明する。
を用いて説明する。
【００１９】（実施の形態１）図１は本発明の第１の実
施の形態による固体電解コンデンサの構成を示す断面図
である。同図において、２はアルミニウム箔をエッチン
グ処理等により粗面化した陽極体１に形成された誘電体
酸化皮膜層、３はこの誘電体酸化皮膜層２上に（化２）
で表したアニリン誘導体の高分子より形成された第１の
導電性高分子層、５はこの第１の導電性高分子層３上に
形成された陰極引き出し層である。
施の形態による固体電解コンデンサの構成を示す断面図
である。同図において、２はアルミニウム箔をエッチン
グ処理等により粗面化した陽極体１に形成された誘電体
酸化皮膜層、３はこの誘電体酸化皮膜層２上に（化２）
で表したアニリン誘導体の高分子より形成された第１の
導電性高分子層、５はこの第１の導電性高分子層３上に
形成された陰極引き出し層である。
【００２０】次に、図１に示した固体電解コンデンサの
製造方法について説明する。まず、エッチングにより粗
面化した膜厚１００μｍのアルミニウム箔を１０ｗｔ％
アジピン酸アンモニウム水溶液中で７０℃、７０Ｖで化
成し、誘電体酸化皮膜層２を形成した。このアルミニウ
ム箔を面積１ｃｍ×１．５ｃｍ（有効面積１ｃｍ2）に
し、有効面積以外の部分に絶縁機能を有するテープを貼
り付け、続いて、誘電体酸化皮膜層２上に第１の導電性
高分子層３を形成した。第１の導電性高分子層３の形成
は、（化２）中のＲをエチル基で置換したモノマーから
得られるポリアニリンを１０ｗｔ％溶解した水溶液を含
浸し、１５０℃で１０分間乾燥して、その後水洗いを行
い、続いて含浸、乾燥を繰り返し１０回行い、化学酸化
重合にて第１の導電性高分子層３を形成した。この第１
の導電性高分子層３の表面に陰極引き出し層５としてコ
ロイダルカーボン懸濁液を塗布、乾燥することにより得
られるカーボン層および銀ペーストを塗布、乾燥するこ
とにより得られる銀ペースト層を設けて、陰極引き出し
層５を形成した後、エポキシ樹脂により外装して（図示
せず）固体電解コンデンサを完成させた。
製造方法について説明する。まず、エッチングにより粗
面化した膜厚１００μｍのアルミニウム箔を１０ｗｔ％
アジピン酸アンモニウム水溶液中で７０℃、７０Ｖで化
成し、誘電体酸化皮膜層２を形成した。このアルミニウ
ム箔を面積１ｃｍ×１．５ｃｍ（有効面積１ｃｍ2）に
し、有効面積以外の部分に絶縁機能を有するテープを貼
り付け、続いて、誘電体酸化皮膜層２上に第１の導電性
高分子層３を形成した。第１の導電性高分子層３の形成
は、（化２）中のＲをエチル基で置換したモノマーから
得られるポリアニリンを１０ｗｔ％溶解した水溶液を含
浸し、１５０℃で１０分間乾燥して、その後水洗いを行
い、続いて含浸、乾燥を繰り返し１０回行い、化学酸化
重合にて第１の導電性高分子層３を形成した。この第１
の導電性高分子層３の表面に陰極引き出し層５としてコ
ロイダルカーボン懸濁液を塗布、乾燥することにより得
られるカーボン層および銀ペーストを塗布、乾燥するこ
とにより得られる銀ペースト層を設けて、陰極引き出し
層５を形成した後、エポキシ樹脂により外装して（図示
せず）固体電解コンデンサを完成させた。
【００２１】（実施の形態２）本発明の第１の実施の形
態による第１の導電性高分子層３の形成を、（化２）中
のＲをメトキシ基で置換したモノマーから得られるポリ
アニリンを１０ｗｔ％溶解した水溶液を含浸し、その後
は第１の実施の形態と同様にして固体電解コンデンサを
完成させた。
態による第１の導電性高分子層３の形成を、（化２）中
のＲをメトキシ基で置換したモノマーから得られるポリ
アニリンを１０ｗｔ％溶解した水溶液を含浸し、その後
は第１の実施の形態と同様にして固体電解コンデンサを
完成させた。
【００２２】（実施の形態３）本発明の第１の実施の形
態による第１の導電性高分子層３の形成を、（化２）中
のＲをニトロ基で置換したモノマーから得られるポリア
ニリンを１０ｗｔ％溶解した水溶液を含浸し、その後は
第１の実施の形態と同様にして固体電解コンデンサを完
成させた。
態による第１の導電性高分子層３の形成を、（化２）中
のＲをニトロ基で置換したモノマーから得られるポリア
ニリンを１０ｗｔ％溶解した水溶液を含浸し、その後は
第１の実施の形態と同様にして固体電解コンデンサを完
成させた。
【００２３】（実施の形態４）図２は本発明の第４の実
施の形態による固体電解コンデンサの構成を示す断面図
である。
施の形態による固体電解コンデンサの構成を示す断面図
である。
【００２４】本発明の第１の実施の形態による第１の導
電性高分子層３の形成を、（化２）中のＲを水酸基で置
換したモノマーから得られるポリアニリンを１０ｗｔ％
溶解した水溶液を含浸し、１５０℃で１０分間乾燥し
て、その後水洗いを行い、続いて含浸し、乾燥を繰り返
し５回行い、化学酸化重合にて導電性高分子層３を形成
した。次に、この第１の導電性高分子層３上に形成する
第２の導電性高分子層４として、エチレンジオキシチオ
フェン１０ｗｔ％、ｐ−トルエンスルホン酸第２鉄２５
ｗｔ％を予め混合したブタノール溶液を塗布した後、こ
れを１０５℃で１０秒間乾燥した後１０分間放置し、そ
の後水洗いを行い、続いて塗布、乾燥、放置の工程を５
回繰り返して行い、化学酸化重合にて形成した。その後
は第１の実施の形態と同様にして固体電解コンデンサを
完成させた。
電性高分子層３の形成を、（化２）中のＲを水酸基で置
換したモノマーから得られるポリアニリンを１０ｗｔ％
溶解した水溶液を含浸し、１５０℃で１０分間乾燥し
て、その後水洗いを行い、続いて含浸し、乾燥を繰り返
し５回行い、化学酸化重合にて導電性高分子層３を形成
した。次に、この第１の導電性高分子層３上に形成する
第２の導電性高分子層４として、エチレンジオキシチオ
フェン１０ｗｔ％、ｐ−トルエンスルホン酸第２鉄２５
ｗｔ％を予め混合したブタノール溶液を塗布した後、こ
れを１０５℃で１０秒間乾燥した後１０分間放置し、そ
の後水洗いを行い、続いて塗布、乾燥、放置の工程を５
回繰り返して行い、化学酸化重合にて形成した。その後
は第１の実施の形態と同様にして固体電解コンデンサを
完成させた。
【００２５】（比較例１）本発明の第１の実施の形態の
導電性高分子層３を、従来品に用いられているピロール
モノマー溶液を含浸した後、酸化剤を含む溶液を含浸し
て、これを１０５℃で１０分間乾燥させ、さらに含浸、
乾燥の工程を２０回繰り返して行い、ポリピロールの導
電性高分子層を形成した。その後は第１の実施の形態と
同様にして固体電解コンデンサを完成させた。
導電性高分子層３を、従来品に用いられているピロール
モノマー溶液を含浸した後、酸化剤を含む溶液を含浸し
て、これを１０５℃で１０分間乾燥させ、さらに含浸、
乾燥の工程を２０回繰り返して行い、ポリピロールの導
電性高分子層を形成した。その後は第１の実施の形態と
同様にして固体電解コンデンサを完成させた。
【００２６】以上の本発明の実施の形態１〜４と比較例
１の固体電解コンデンサについて、インピーダンス特性
と初期耐圧及びエージング時のショート発生数について
比較した結果を（表１）に示す。なお、エージング処理
は８５℃で１時間、印加電圧４４Ｖで行った。また、試
験数は２０個であり、特性はその平均値で示した。
１の固体電解コンデンサについて、インピーダンス特性
と初期耐圧及びエージング時のショート発生数について
比較した結果を（表１）に示す。なお、エージング処理
は８５℃で１時間、印加電圧４４Ｖで行った。また、試
験数は２０個であり、特性はその平均値で示した。
【００２７】
【表１】
【００２８】（表１）から、実施の形態１〜４は比較例
１に比べて、インピーダンス特性がは低く、初期耐圧も
高いことから放電によるショート数も極端に少ないこと
がわかる。また、実施の形態４は導電性高分子層を２層
に形成させているため実施の形態１に比べてインピーダ
ンス特性を低くできてショート数も全くなかった。この
ことにより、リップル電流を流した際の発熱を抑えリッ
プル電流の許容値を大きくすることができる。
１に比べて、インピーダンス特性がは低く、初期耐圧も
高いことから放電によるショート数も極端に少ないこと
がわかる。また、実施の形態４は導電性高分子層を２層
に形成させているため実施の形態１に比べてインピーダ
ンス特性を低くできてショート数も全くなかった。この
ことにより、リップル電流を流した際の発熱を抑えリッ
プル電流の許容値を大きくすることができる。
【００２９】さらに、本発明の実施の形態１〜３は、導
電性高分子層を形成するのに比較例に比べて半分の工程
で形成できるので、工数を大幅に低減することができ
る。
電性高分子層を形成するのに比較例に比べて半分の工程
で形成できるので、工数を大幅に低減することができ
る。
【００３０】なお、本発明の実施の形態では弁作用金属
からなる陽極体は１つについて実施したが、弁作用金属
からなる陽極体を２つ以上積層しても、容量が高くな
り、等価直列抵抗も小さくなることから本発明の範囲に
含まれることは言うまでもない。
からなる陽極体は１つについて実施したが、弁作用金属
からなる陽極体を２つ以上積層しても、容量が高くな
り、等価直列抵抗も小さくなることから本発明の範囲に
含まれることは言うまでもない。
【００３１】（実施の形態５）図３（ａ），（ｂ）は本
発明の第５の実施の形態による固体電解コンデンサの素
子の構成を示した正面図と製品の分解斜視図である。同
図（ａ）において、６はアルミニウム箔をエッチング処
理により表面を粗面化した後、陽極酸化することにより
誘電体酸化皮膜層を形成した陽極箔、７はアルミニウム
箔をエッチング処理のみを行った陰極箔である。
発明の第５の実施の形態による固体電解コンデンサの素
子の構成を示した正面図と製品の分解斜視図である。同
図（ａ）において、６はアルミニウム箔をエッチング処
理により表面を粗面化した後、陽極酸化することにより
誘電体酸化皮膜層を形成した陽極箔、７はアルミニウム
箔をエッチング処理のみを行った陰極箔である。
【００３２】また、同図（ｂ）において、９は外部接続
用リード線１０ａ，１０ｂを接続した陽極箔６と陰極箔
７とをセパレータ８を介して捲回したコンデンサ素子、
１１は上記コンデンサ素子９を収納する有底筒状の金属
ケース、１２は上記コンデンサ素子９から引き出された
外部接続用リード線１０ａ，１０ｂが挿通するリード線
貫通孔を備えて上記金属ケース１１の開口部を封止する
封口板である。
用リード線１０ａ，１０ｂを接続した陽極箔６と陰極箔
７とをセパレータ８を介して捲回したコンデンサ素子、
１１は上記コンデンサ素子９を収納する有底筒状の金属
ケース、１２は上記コンデンサ素子９から引き出された
外部接続用リード線１０ａ，１０ｂが挿通するリード線
貫通孔を備えて上記金属ケース１１の開口部を封止する
封口板である。
【００３３】この固体電解コンデンサの製造方法は、ま
ずコンデンサ素子９を高温炭化処理することにより、セ
パレータ８を炭化させる。
ずコンデンサ素子９を高温炭化処理することにより、セ
パレータ８を炭化させる。
【００３４】次に、セパレータ８を炭化処理したコンデ
ンサ素子９に導電性高分子層を形成するために、（化
２）中のＲをエトキシ基で置換したモノマーから得られ
るポリアニリンを１０ｗｔ％溶解した水溶液を含浸し、
１５０℃で１０分間乾燥して、その後水洗いを行い、続
いて含浸、乾燥を繰り返し５回行い、化学酸化重合にて
導電性高分子層を形成した。このようにして得られたコ
ンデンサ素子９を金属ケース１１内に収納すると共に、
金属ケース１１の開口部を陽極箔６と陰極箔７のそれぞ
れから導出したリード線を封口板１２から貫通するよう
にして封止して固体電解コンデンサを完成させた（サイ
ズ：φ１０ｍｍ×Ｌ１０．２ｍｍ）。
ンサ素子９に導電性高分子層を形成するために、（化
２）中のＲをエトキシ基で置換したモノマーから得られ
るポリアニリンを１０ｗｔ％溶解した水溶液を含浸し、
１５０℃で１０分間乾燥して、その後水洗いを行い、続
いて含浸、乾燥を繰り返し５回行い、化学酸化重合にて
導電性高分子層を形成した。このようにして得られたコ
ンデンサ素子９を金属ケース１１内に収納すると共に、
金属ケース１１の開口部を陽極箔６と陰極箔７のそれぞ
れから導出したリード線を封口板１２から貫通するよう
にして封止して固体電解コンデンサを完成させた（サイ
ズ：φ１０ｍｍ×Ｌ１０．２ｍｍ）。
【００３５】（実施の形態６）本発明の第５の実施の形
態による導電性高分子層の形成を、（化２）中のＲをエ
チル基で置換したモノマーから得られるポリアニリンを
１０ｗｔ％溶解した水溶液を含浸し、１５０℃で１０分
間乾燥して、その後水洗いを行い、続いて含浸し、乾燥
を繰り返し５回行い、化学酸化重合にて導電性高分子層
を形成した。
態による導電性高分子層の形成を、（化２）中のＲをエ
チル基で置換したモノマーから得られるポリアニリンを
１０ｗｔ％溶解した水溶液を含浸し、１５０℃で１０分
間乾燥して、その後水洗いを行い、続いて含浸し、乾燥
を繰り返し５回行い、化学酸化重合にて導電性高分子層
を形成した。
【００３６】このようにして得られたコンデンサ素子９
を、γ−ブチロラクトン１００部、フタル酸モノ１，
２，３，４，−テトラメチルイミダゾリニウム３０部を
混合、溶解することにより得られる電解液に含浸させた
後に金属ケース１１内に収納すると共に、金属ケース１
１の開放部を陽極箔６と陰極箔７のそれぞれから導出し
たリード線を封口板１２を貫通するように封止して固体
電解コンデンサを完成させた（サイズ：φ１０ｍｍ×Ｌ
１０．２ｍｍ）。
を、γ−ブチロラクトン１００部、フタル酸モノ１，
２，３，４，−テトラメチルイミダゾリニウム３０部を
混合、溶解することにより得られる電解液に含浸させた
後に金属ケース１１内に収納すると共に、金属ケース１
１の開放部を陽極箔６と陰極箔７のそれぞれから導出し
たリード線を封口板１２を貫通するように封止して固体
電解コンデンサを完成させた（サイズ：φ１０ｍｍ×Ｌ
１０．２ｍｍ）。
【００３７】（実施の形態７）本発明の第３の実施の形
態と同様に陽極箔６、陰極箔７、およびセパレータ８を
用い、コンデンサ素子９の中心部から底部までの長さが
陰極箔７の方がセパレータ８より長くなるように、陽極
箔６と陰極箔７とをその間にセパレータ８を介して捲回
する。その後、セパレータ８の炭化処理、導電性高分子
層の形成を第５の実施の形態と同様に行ったコンデンサ
素子９を第６の実施の形態で用いた電解液に含浸する。
その後、陰極箔７の異なる２個所以上を電気的に短絡さ
せたコンデンサ素子９を金属ケース１１内に収納すると
共に、金属ケースの開口部を陽極箔６と陰極箔７のそれ
ぞれから導出したリード線を封口板１２を貫通するよう
に封止して固体電解コンデンサを完成させた（サイズ：
φ１０ｍｍ×Ｌ１０．２ｍｍ）。
態と同様に陽極箔６、陰極箔７、およびセパレータ８を
用い、コンデンサ素子９の中心部から底部までの長さが
陰極箔７の方がセパレータ８より長くなるように、陽極
箔６と陰極箔７とをその間にセパレータ８を介して捲回
する。その後、セパレータ８の炭化処理、導電性高分子
層の形成を第５の実施の形態と同様に行ったコンデンサ
素子９を第６の実施の形態で用いた電解液に含浸する。
その後、陰極箔７の異なる２個所以上を電気的に短絡さ
せたコンデンサ素子９を金属ケース１１内に収納すると
共に、金属ケースの開口部を陽極箔６と陰極箔７のそれ
ぞれから導出したリード線を封口板１２を貫通するよう
に封止して固体電解コンデンサを完成させた（サイズ：
φ１０ｍｍ×Ｌ１０．２ｍｍ）。
【００３８】（比較例２）アルミニウム箔をエッチング
処理により表面を粗面化した後、陽極酸化することによ
り誘電体酸化皮膜層を形成した陽極箔６と、アルミニウ
ム箔をエッチング処理のみを行った陰極箔７とをセパレ
ータ８を介して捲回し、コンデンサ素子９を得る。その
後第６の実施の形態で用いた電解液に含浸し、得られた
コンデンサ素子９を金属ケース１１に収納すると共に、
金属ケースの開口部を陽極箔６と陰極箔７のそれぞれか
ら導出したリード線を封口板１２を貫通するように封止
して固体電解コンデンサを完成させた（サイズ：φ１０
ｍｍ×Ｌ１０．２ｍｍ）。
処理により表面を粗面化した後、陽極酸化することによ
り誘電体酸化皮膜層を形成した陽極箔６と、アルミニウ
ム箔をエッチング処理のみを行った陰極箔７とをセパレ
ータ８を介して捲回し、コンデンサ素子９を得る。その
後第６の実施の形態で用いた電解液に含浸し、得られた
コンデンサ素子９を金属ケース１１に収納すると共に、
金属ケースの開口部を陽極箔６と陰極箔７のそれぞれか
ら導出したリード線を封口板１２を貫通するように封止
して固体電解コンデンサを完成させた（サイズ：φ１０
ｍｍ×Ｌ１０．２ｍｍ）。
【００３９】（比較例３）比較例２の電解液の代わり
に、溶融状態のＴＣＮＱ錯体中に浸漬し、減圧含浸した
後に冷却し、コンデンサ素子９を得て、その後、比較例
２と同様にして固体電解コンデンサを完成させた（サイ
ズ：φ１０ｍｍ×Ｌ１０．２ｍｍ）。
に、溶融状態のＴＣＮＱ錯体中に浸漬し、減圧含浸した
後に冷却し、コンデンサ素子９を得て、その後、比較例
２と同様にして固体電解コンデンサを完成させた（サイ
ズ：φ１０ｍｍ×Ｌ１０．２ｍｍ）。
【００４０】以上の本発明の実施の形態５〜７と比較例
２〜３の固体電解コンデンサについて、インピーダンス
と、１２０Ｈｚでの静電容量に対する１００ｋＨｚでの
静電容量変化率、及びエージング時のショート発生数を
比較したものを（表２）に示す。なお、エージング処理
は８５℃で１時間、印加電圧４４Ｖで行った。いずれも
試験数は２０個であり、表に示した特性は（ショート数
を除いた）その平均値で示した。
２〜３の固体電解コンデンサについて、インピーダンス
と、１２０Ｈｚでの静電容量に対する１００ｋＨｚでの
静電容量変化率、及びエージング時のショート発生数を
比較したものを（表２）に示す。なお、エージング処理
は８５℃で１時間、印加電圧４４Ｖで行った。いずれも
試験数は２０個であり、表に示した特性は（ショート数
を除いた）その平均値で示した。
【００４１】
【表２】
【００４２】（表２）から、実施の形態５〜７は比較例
２と比較して著しくインピーダンス特性を低くすること
ができ、１２０Ｈｚでの静電容量に対する１００ｋＨｚ
での静電容量変化率を極めて小さくすることができる。
すなわち、これは高周波領域での静電容量が引き出され
ているためである。
２と比較して著しくインピーダンス特性を低くすること
ができ、１２０Ｈｚでの静電容量に対する１００ｋＨｚ
での静電容量変化率を極めて小さくすることができる。
すなわち、これは高周波領域での静電容量が引き出され
ているためである。
【００４３】また、本発明の実施の形態５では、誘電体
酸化皮膜層の修復性が十分確保できなかったため、比較
例３のＴＣＮＱ錯体を用いた固体電解コンデンサと比較
するとかなり少ないもののエージング処理中にわずかで
はあるがショートが発生しているが、実施の形態６では
殆どショートの発生はない。これは電解液を含浸させた
ためエージング中に誘電体酸化皮膜層が修復されたため
である。
酸化皮膜層の修復性が十分確保できなかったため、比較
例３のＴＣＮＱ錯体を用いた固体電解コンデンサと比較
するとかなり少ないもののエージング処理中にわずかで
はあるがショートが発生しているが、実施の形態６では
殆どショートの発生はない。これは電解液を含浸させた
ためエージング中に誘電体酸化皮膜層が修復されたため
である。
【００４４】さらに、実施の形態７では周波数１００ｋ
Ｈｚでのインピーダンス特性が実施の形態５または６よ
りも小さくなっていることから、１２０Ｈｚでの静電容
量に対する１００ｋＨｚでの静電容量変化率も極めて少
ない固体電解コンデンサを得ることができる。
Ｈｚでのインピーダンス特性が実施の形態５または６よ
りも小さくなっていることから、１２０Ｈｚでの静電容
量に対する１００ｋＨｚでの静電容量変化率も極めて少
ない固体電解コンデンサを得ることができる。
【００４５】なお、導電性高分子層の形成で用いる（化
２）に表されるアニリン誘導体の高分子のＲは、本発明
の実施の形態ではアルキル基であるエチル基、プロピル
基あるいはアルコキシ基であるメトキシ基、エトキシ
基、水酸基、ニトロ基で、重量平均分子量はポリスチレ
ン基準で１００００〜１５０００のものを用いたが、ア
ルキル基、アルコキシ基、アルケニル基で炭素が１〜５
のもので重量平均分子量が５０００〜２００００のもの
であれば本発明に用いることができる。
２）に表されるアニリン誘導体の高分子のＲは、本発明
の実施の形態ではアルキル基であるエチル基、プロピル
基あるいはアルコキシ基であるメトキシ基、エトキシ
基、水酸基、ニトロ基で、重量平均分子量はポリスチレ
ン基準で１００００〜１５０００のものを用いたが、ア
ルキル基、アルコキシ基、アルケニル基で炭素が１〜５
のもので重量平均分子量が５０００〜２００００のもの
であれば本発明に用いることができる。
【００４６】
【発明の効果】以上のように本発明による固体電解コン
デンサは、陽極体の誘電体酸化皮膜層上に（化２）に表
されるアニリン誘導体の高分子より形成された導電性高
分子層を有する構成とすることで、耐電圧が高くてイン
ピーダンス特性に優れ、導電性高分子層の形成が容易な
大容量の固体電解コンデンサを得ることができる。
デンサは、陽極体の誘電体酸化皮膜層上に（化２）に表
されるアニリン誘導体の高分子より形成された導電性高
分子層を有する構成とすることで、耐電圧が高くてイン
ピーダンス特性に優れ、導電性高分子層の形成が容易な
大容量の固体電解コンデンサを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による固体電解コン
デンサ素子の断面図
デンサ素子の断面図
【図２】本発明の第４の実施の形態による固体電解コン
デンサ素子の断面図
デンサ素子の断面図
【図３】（ａ）本発明の第５の実施の形態による固体電
解コンデンサ素子の構成を示す正面図 （ｂ）同固体電解コンデンサの構成を示す分解斜視図
解コンデンサ素子の構成を示す正面図 （ｂ）同固体電解コンデンサの構成を示す分解斜視図
１ 陽極体 ２ 誘電体酸化皮膜層 ３ 第１の導電性高分子層 ４ 第２の導電性高分子層 ５ 陰極引き出し層 ６ 陽極箔 ７ 陰極箔 ８ セパレータ ９ コンデンサ素子 １０ａ，１０ｂ 外部接続用リード線 １１ 金属ケース １２ 封口板
Claims (8)
- 【請求項１】 弁作用金属からなる少なくとも一つの陽
極体と、この陽極体の表面に形成された誘電体酸化皮膜
層と、この誘電体酸化皮膜層上に（化１）に表されるア
ニリン誘導体の高分子より形成された導電性高分子層
と、この導電性高分子層上に形成された陰極引き出し層
とからなる固体電解コンデンサ。 【化１】 - 【請求項２】 弁作用金属からなる少なくとも一つの陽
極体と、この陽極体の表面に形成された誘電体酸化皮膜
層と、この誘電体酸化皮膜層上に（化１）に表されるア
ニリン誘導体の高分子より形成された第１の導電性高分
子層と複素環式化合物のモノマーより形成された第２の
導電性高分子層と、この導電性高分子層上に形成された
陰極引き出し層とからなる固体電解コンデンサ。 - 【請求項３】 表面に誘電体酸化皮膜層を形成した弁作
用金属からなる陽極箔と陰極箔とをその間にセパレータ
を介して捲回することにより構成されたコンデンサ素子
と、セパレータを介して前記陽極箔と前記陰極箔との間
に設けられた（化１）に表されるアニリン誘導体の高分
子より形成された導電性高分子層と、前記コンデンサ素
子を収納するケースと、このケースの開口部を封口する
封口部材とからなる固体電解コンデンサ。 - 【請求項４】 コンデンサ素子をケースに収納するとき
に電解液を充填した請求項３に記載の固体電解コンデン
サ。 - 【請求項５】 （化１）中のＲが水素あるいは炭素数が
１〜５のアルキル基、アルコキシ基、水酸基あるいは、
ニトロ基を示す請求項１〜３のいずれか一つに記載の固
体電解コンデンサ。 - 【請求項６】 （化１）に示すアニリン誘導体を繰り返
し単位として含む導電性高分子の重量平均分子量が、ポ
リスチレン基準で５０００〜２００００である請求項１
〜３のいずれか一つに記載の固体電解コンデンサ。 - 【請求項７】 複素環式化合物のモノマーがピロール、
アニリン、チオフェンまたはこれらの誘導体を含む化合
物である請求項１〜３のいずれか一つに記載の固体電解
コンデンサ。 - 【請求項８】 表面に誘電体酸化皮膜層を形成した弁作
用金属からなる陽極箔と陰極箔とをその間にセパレータ
を捲回することにより構成されたコンデンサ素子の中心
部から底部までの長さが陰極箔の方がセパレータより長
く、かつ陰極箔の異なる２ヶ所以上を電気的に短絡させ
た請求項３に記載の固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP11149899A JP2000340462A (ja) | 1999-05-28 | 1999-05-28 | 固体電解コンデンサ |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11149899A JP2000340462A (ja) | 1999-05-28 | 1999-05-28 | 固体電解コンデンサ |
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|---|---|
| JP2000340462A true JP2000340462A (ja) | 2000-12-08 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11149899A Pending JP2000340462A (ja) | 1999-05-28 | 1999-05-28 | 固体電解コンデンサ |
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|---|---|
| JP (1) | JP2000340462A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006186292A (ja) * | 2004-12-01 | 2006-07-13 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | コンデンサ及びその製造方法 |
| US7842196B2 (en) | 2004-10-08 | 2010-11-30 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Conductive composition and production method thereof, antistatic coating material, antistatic coating, antistatic film, optical filter, and optical information recording medium, and capacitors and production method thereof |
| WO2019194092A1 (ja) * | 2018-04-02 | 2019-10-10 | 日本ケミコン株式会社 | 電解コンデンサ |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05304055A (ja) * | 1992-04-25 | 1993-11-16 | Nichicon Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JPH07283086A (ja) * | 1994-04-14 | 1995-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH08288182A (ja) * | 1995-04-18 | 1996-11-01 | Nichicon Corp | アルミニウム電解コンデンサ |
| JPH0922833A (ja) * | 1995-07-04 | 1997-01-21 | Nitto Chem Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
-
1999
- 1999-05-28 JP JP11149899A patent/JP2000340462A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05304055A (ja) * | 1992-04-25 | 1993-11-16 | Nichicon Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JPH07283086A (ja) * | 1994-04-14 | 1995-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH08288182A (ja) * | 1995-04-18 | 1996-11-01 | Nichicon Corp | アルミニウム電解コンデンサ |
| JPH0922833A (ja) * | 1995-07-04 | 1997-01-21 | Nitto Chem Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7842196B2 (en) | 2004-10-08 | 2010-11-30 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Conductive composition and production method thereof, antistatic coating material, antistatic coating, antistatic film, optical filter, and optical information recording medium, and capacitors and production method thereof |
| US8021579B2 (en) | 2004-10-08 | 2011-09-20 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Conductive composition and production method thereof, antistatic coating material, antistatic coating, antistatic film, optical filter, and optical information recording medium, and capacitors and production method thereof |
| US8035952B2 (en) | 2004-10-08 | 2011-10-11 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Conductive composition and production method thereof, antistatic coating material, antistatic coating, antistatic film, optical filter, and optical information recording medium, and capacitors and production method thereof |
| JP2006186292A (ja) * | 2004-12-01 | 2006-07-13 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | コンデンサ及びその製造方法 |
| JP4602128B2 (ja) * | 2004-12-01 | 2010-12-22 | 信越ポリマー株式会社 | コンデンサ及びその製造方法 |
| WO2019194092A1 (ja) * | 2018-04-02 | 2019-10-10 | 日本ケミコン株式会社 | 電解コンデンサ |
| CN111868863A (zh) * | 2018-04-02 | 2020-10-30 | 日本贵弥功株式会社 | 电解电容器 |
| JPWO2019194092A1 (ja) * | 2018-04-02 | 2021-04-08 | 日本ケミコン株式会社 | 電解コンデンサ |
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