JP6704147B2 - プラズマ処理方法、電子部品の製造方法およびプラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
(第1実施形態)
まず、図1を参照しながら、本発明に用いられるプラズマ処理装置の一実施形態を詳細に説明する。図1は、プラズマ処理装置の断面を示す概念図である。図1に示すプラズマ処理装置は、カバーを昇降させることにより、カバーとステージとの距離を変動させる。
フレーム2は、基板1の全体と同じかそれ以上の面積の開口を有した枠体であり、所定の幅および略一定の薄い厚みを有している。フレーム2は、保持シート3および基板1を保持した状態で搬送できる程度の剛性を有している。
保持シート3は、例えば、粘着剤を有する面(粘着面3a)と粘着剤を有しない面(非粘着面3b)とを備えている。粘着面3aの外周縁は、フレーム2の一方の面に貼着しており、フレーム2の開口を覆っている。また、粘着面3aのフレーム2の開口から露出した部分には、基板1が貼着される。
基板1は、プラズマ処理の対象物である。基板1は、例えば、本体部の一方の表面に、半導体回路、電子部品素子、MEMSなどの回路層を形成した後、本体部の回路層とは反対側の表面を研削し、厚みを薄くすることにより作製される。基板1を個片化することにより、上記回路層を有する電子部品(図示せず)が得られる。
本実施形態では、プラズマ処理装置100Aに替えて、図6に例示されるプラズマ処理装置100Bを用いる。プラズマ処理装置100Bは、カバー124を真空チャンバ103に連結させる点、ステージ111に昇降ロッド131の端部を連結させる点、および、ステージ111の下面と真空チャンバ103の底面の間にベローズ(伸縮管)132を配置した点以外、プラズマ処理装置100Aと同様の構成である。なお、図6は、プラズマ処理装置100Bの断面を示す概念図である。
Claims (8)
- 保持シートと前記保持シートの外周部に配置されたフレームとを備える搬送キャリアに保持された基板を、反応室の内部に設けられたステージに載置し、前記基板をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、
前記基板を保持する前記搬送キャリアを、前記ステージに載置する載置工程と、
前記ステージに載置された前記搬送キャリアの前記フレームが、前記ステージの上方に配置され、かつ、前記基板を露出させるための窓部を備えるカバーで覆われた状態で、第1プラズマを発生させて、前記基板に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理工程と、
前記ステージ上に前記基板が無く、かつ、前記カバーと前記ステージとの距離が前記プラズマ処理工程における前記カバーと前記ステージとの距離よりも大きい状態で、第2プラズマを発生させて、前記カバーに付着した付着物を除去する除去工程と、を含む、プラズマ処理方法。 - 前記除去工程における前記カバーと前記ステージとの距離が、2mm以上である、請求項1に記載のプラズマ処理方法。
- 前記除去工程において、前記カバーと前記ステージとの距離を変化させる、請求項1または2に記載のプラズマ処理方法。
- 前記プラズマ処理工程において、前記カバーが冷却される、請求項1〜3のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記除去工程において、前記カバーが冷却されない、請求項1〜4のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記ステージの内部に冷却部が設けられており、
前記カバーの一部を前記ステージに接触させることにより、前記カバーが冷却される、請求項1〜5のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。 - 保持シートと前記保持シートの外周部に配置されたフレームとを備える搬送キャリアに保持された基板を、反応室の内部に設けられたステージに載置し、前記基板をプラズマ処理する電子部品の製造方法であって、
前記搬送キャリアに保持された基板を準備する工程と、
前記基板を保持する前記搬送キャリアを、前記ステージに載置する載置工程と、
前記ステージに載置された前記搬送キャリアの前記フレームが、前記ステージの上方に配置され、かつ、前記基板を露出させるための窓部を備えるカバーで覆われた状態で、第1プラズマを発生させて、前記基板を個片化するダイシング工程と、
前記ステージ上に前記基板が無く、かつ、前記カバーと前記ステージとの距離が、前記ダイシング工程における前記カバーと前記ステージとの距離より大きい状態で、第2プラズマを発生させて、前記カバーに付着した付着物を除去する除去工程と、を含む、電子部品の製造方法。 - 反応室と、
前記反応室の内部に設けられ、保持シートと前記保持シートの外周部に配置されたフレームとを備える搬送キャリアに保持された基板が載置されるステージと、
前記ステージの上方に配置され、前記ステージに載置された前記基板を露出させるための窓部を備えるカバーと、
前記反応室の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、
前記プラズマ発生部を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記ステージに前記搬送キャリアおよび前記基板が載置されており、かつ、前記カバーが前記フレームを覆っているとき、前記基板をプラズマ処理する第1プラズマを発生するように前記プラズマ発生部を制御し、
前記ステージに前記搬送キャリアおよび前記基板が載置されておらず、かつ、前記カバーと前記ステージとの距離が、前記プラズマ処理が行われているときの前記カバーと前記ステージとの距離より大きいとき、前記カバーに付着した付着物を除去する第2プラズマを発生するように前記プラズマ発生部を制御する、プラズマ処理装置。
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