KR20120076410A - 기판지지부재, 이를 갖는 기판처리장치 및 기판처리방법 - Google Patents

기판지지부재, 이를 갖는 기판처리장치 및 기판처리방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20120076410A
KR20120076410A KR1020100138068A KR20100138068A KR20120076410A KR 20120076410 A KR20120076410 A KR 20120076410A KR 1020100138068 A KR1020100138068 A KR 1020100138068A KR 20100138068 A KR20100138068 A KR 20100138068A KR 20120076410 A KR20120076410 A KR 20120076410A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
susceptor
groove
process gas
blocking member
Prior art date
Application number
KR1020100138068A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101455736B1 (ko
Inventor
정경화
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020100138068A priority Critical patent/KR101455736B1/ko
Publication of KR20120076410A publication Critical patent/KR20120076410A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101455736B1 publication Critical patent/KR101455736B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 상에 증착되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있는 기판지지부재를 제공한다. 상기 기판지지부재는 상면에 기판이 안착되는 안착홈을 구비한 서셉터 및 상기 기판이 상기 안착홈에 안착된 상태에서 상기 안착홈의 노출된 영역을 덮도록 제공된 몸체를 구비하는 차단부재를 포함한다. 이 차단부재는 기판의 플랫존으로 인해 형성된 안착홈의 노출된 영역을 덮도록 한다. 이로 인해 안착홈의 노출된 영역으로 공정가스가 유입되는 것을 방지할 수 있다.

Description

기판지지부재, 이를 갖는 기판처리장치 및 기판처리방법{Substrate supporting member, apparatus and method for treating substrate with it}
본 발명은 반도체 제조장치 및 방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 반도체 기판을 지지하는 기판지지부재, 이를 구비하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 금속 유기 화합물과 수소 화합물의 가스 열분해 반응을 이용하여 기판 상에 박막을 증착하는 금속 유기물 화학 기상 증착(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)방법이 사용되고 있다. 일반적으로 박막 증착 공정에 사용되는 기판은, 예를 들어 LED의 제조 공정 중 에피(Epi) 웨이퍼의 제조에 사용되는 사파이어(Sapphire, Al2O3) 및 실리콘카바이드(SiC) 기판, 또는 반도체 집적 회로(IC)의 제조에 사용되는 실리콘 웨이퍼 등일 수 있다. 이 금속 유기물 화학 기상 증착 방법은 기판이 놓이는 홈들을 구비한 서셉터를 회전 및 가열하고, 공정가스를 공급하여 기판 상에 박막을 형성한다.
도1은 종래에 기판(W)이 안착된 서셉터(120)를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도1을 참조하면, 서셉터(120)에는 기판(W)이 안착되는 홈(123)이 형성된다. 통상적으로 기판(W, 200mm 이하의 지름)에는 그 가장자리 일부에 플랫존(F)을 가진다. 따라서 기판(W)이 홈(123)에 놓인 상태에서 홈(123)의 일부 영역(A)은 외부로 노출되고, 공정가스는 그 노출된 영역(A)을 통해 홈(123)으로 유입된다.
이 노출된 영역(A)을 통해 홈(123)으로 유입된 공정가스는 홈(123)의 내부에 증착된다. 이로 인해 기판(W)은 홈(123)의 내에 기울어진 상태로 놓인다. 따라서 기판(W)은 영역에 따라 불균일하게 가열되고, 이로 인해 기판(W) 상으로 증착되는 박막의 균일도는 저하된다.
본 발명은 기판 상에 증착되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있는 기판지지부재, 이를 갖는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 홈의 노출영역으로 공정가스가 유입되는 것을 최소화할 수 있는 기판지지부재, 이를 갖는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 기판이 서셉터의 홈에 기울어진 상태로 안착되는 것을 방지할 수 있는 기판지지부재, 이를 갖는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 기판의 전체 영역을 균일하게 가열할 수 있는 기판지지부재, 이를 갖는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 기판지지부재, 기판처리장치, 그리고 기판처리방법을 제공한다. 일 예에 있어서 기판처리장치는 챔버와; 상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 기판지지부재와; 그리고 상기 기판으로 공정가스를 공급하는 가스공급부재를 포함하되; 상기 기판지지부재는, 상면에 상기 기판이 안착되는 원형의 안착홈을 가진 서셉터와; 그리고 상기 기판이 상기 안착홈에 안착된 상태에서 상기 안착홈의 노출된 영역을 덮도록 제공된 몸체를 구비하는 차단부재를 포함한다.
상기 안착홈은 상기 서셉터의 중심을 감싸도록 복수 개가 제공되고, 상기 안착홈들 전체에서 상기 노출된 영역들은 하나의 상기 차단부재에 의해 덮혀질 수 있다. 상기 노출된 영역은 원형의 기판 가장자리에 플랫존이 형성됨에 따라 상기 원형에서 제거된 영역과 대응될 수 있다. 하부에서 바라볼 때 상기 몸체는 다각형으로 제공되고, 상기 다각형을 이루는 각각의 변은 상기 서셉터의 중심과 상기 안착홈의 중심을 연결하는 선에 수직으로 제공되며, 상기 안착홈들 간에는 서로 동일한 간격으로 이격되게 위치할 수 있다. 상기 몸체는 다각뿔의 형상으로 제공될 수 있다. 상기 노출된 영역은 원형으로 제공되는 상기 기판의 가장자리에 노치가 형성됨에 따라 상기 원형에서 제거된 영역과 대응될 수 있다. 상기 서셉터에는 상면 중앙부에 고정홈이 제공되고, 상기 차단부재는, 상기 몸체로부터 아래로 돌출되며, 상기 고정홈에 삽입되는 삽입체를 더 포함할 수 있다. 상기 차단부재는 상기 고정홈에 탈착 가능하도록 제공될 수 있다. 상기 서셉터의 하부 또는 상기 서셉터의 내부에 배치되어 상기 서셉터를 가열하는 히터를 더 포함할 수 있다.
또한 본 발명의 기판지지부재에 있어서, 기판지지부재는 상면에 기판이 안착되는 안착홈이 형성되는 서셉터와; 상부에서 바라볼 때 상기 기판이 상기 안착홈에 안착된 상태에서 상기 안착홈의 노출된 영역과 중첩되는 부분을 가지도록 제공되는 몸체를 구비하는 차단부재를 포함한다.
상기 안착홈은 복수 개로 제공되어 상기 서셉터의 중심축을 둘러싸고, 상기 안착홈들 간에 서로 동일한 간격으로 이격되도록 제공되고, 상기 차단부재는 상기 서셉터의 중앙에 위치되고, 상기 노출된 영역들의 전체를 덮을 수 있다. 하부에서 바라볼 때 상기 몸체는 다각형으로 제공되고, 상기 다각형을 이루는 각각의 변은 상기 서셉터의 중심 및 상기 안착홈의 중을 연결하는 선에 수직으로 제공될 수 있다.
또한 본 발명의 기판처리방법에 있어서, 기판처리방법은 서셉터의 상면에 형성된 원형의 안착홈에 기판을 위치시키고, 상기 기판으로 가스를 공급하여 공정을 수행하되, 상부에서 바라볼 때 상기 기판이 삽입된 상기 안착홈의 영역 중 상부로 노출된 영역을 차단부재로 덮은 상태에서 상기 공정을 수행한다.
상기 안착홈은 상기 서셉터의 중심을 감싸도록 복수 개가 제공되고, 상기 안착홈들 전체에서 상기 노출된 영역들은 하나의 상기 차단부재에 의해 덮혀질 수 있다. 상기 기판은 상기 기판의 가장자리에 형성된 플랫존이 상기 서셉터의 중심축을 향하도록 상기 안착홈에 위치되며, 상기 노출된 영역은 원형의 기판에서 상기 플랫존을 형성함에 따라 상기 원형으로부터 제거된 영역과 대응될 수 있다.
본 발명은 기판 상에 증착되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있다
본 발명은 홈의 노출영역으로 공정가스가 유입되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에 의해 기판은 홈으로부터 안정적으로 안착될 수 있다.
본 발명은 기판의 전체 영역을 균일하게 가열할 수 있다.
도1은 종래에 기판이 안착된 서셉터를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도2는 본 발명의 기판처리장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도3은 도2의 서셉터를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도4는 도3의 서셉터에 기판이 안착된 상태를 보여주는 평면도이다.
도5는 도4의 서셉터에 차단부재가 삽입된 상태를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도6은 서셉터 및 차단부재의 다른 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도7은 도2의 서셉터에 노치를 가지는 기판이 안착된 상태에서 차단부재가 삽입된 상태를 보여주는 평면도이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
도2는 본 발명의 기판처리장치(1000)를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도2를 참조하면, 기판처리장치(1000)는 챔버(10), 기판지지부재(100), 가스공급부재(200), 배기부재(300), 그리고 히터(400)를 포함한다.
챔버(10)는 금속 유기물 화학 기상 증착(MOCVD) 공정이 진행되는 공간을 제공한다. 챔버(10)는 원형의 상부벽, 이 상부벽의 가장자리로부터 아래로 연장된 측벽, 그리고 상부벽과 마주보도록 배치되고, 측벽으로부터 연장된 하부벽을 포함한다. 하부벽의 중앙부에는 홀이 형성된다. 이 홀에는 후술할 회전축(130)이 삽입된다.
기판지지부재(100)는 서셉터(120), 회전축(130), 그리고 차단부재(160)를 포함한다.
도3은 도2의 서셉터(120)를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도4은 도3의 서셉터(120)에 기판(W)이 안착된 상태를 보여주는 평면도이다. 도3 및 도4를 참조하면, 서셉터(120)는 원판의 형상으로 제공된다. 서셉터(120)의 중앙부에는 고정홈(122)이 형성된다. 고정홈(122)의 중앙부에는 상부로 돌출된 돌기(121)가 형성된다. 돌기(121)의 상단은 서셉터(120)의 상면보다 높지 않게 제공된다. 고정홈(122)에는 후술할 차단부재(160)가 삽입된다. 또한 서셉터(120)에는 복수의 안착홈(123)들이 제공된다. 일 예에 의하면, 안착홈(123)은 3 개가 제공될 수 있다. 안착홈(123)들은 고정홈(122)의 주위를 둘러싸는 배열로 제공된다. 또한 안착홈(123)들 은 서로 동일한 간격으로 이격되게 배치되어 있다. 이 각각의 안착홈(123)에는 기판(W)이 안착되고, 이 안착홈(123)의 지름은 기판(W)의 지름과 동일하거나 이보다 약각 크게 제공된다. 기판(W)은 플랫존(F)을 가지는 웨이퍼일 수 있다. 이로 인해 기판(W)이 안착홈(123)에 안착된 상태에서 안착홈(123)의 일부 영역(A)은 외부로 노출된다. 이 노출된 영역(A)은 원형의 기판에서 플랫존(F)에 의해 제거된 영역과 대응된다.
본 발명의 일 예에서는 서셉터(120)에 형성된 안착홈(123)을 3개로 개시하였으나, 이 안착홈(123)의 개수는 이에 한정되지 않고, 안착홈(123)은 한 개, 두 개 또는 네 개 이상일 수 있다.
도5는 도4의 서셉터(120)에 차단부재(160)가 삽입된 상태를 보여주는 평면도이다. 도5를 참조하면, 차단부재(160)는 기판(W)이 안착홈(123)에 안착 시 안착홈(123)의 노출되는 영역(A)으로 공정가스가 유입되는 것을 방지한다. 차단부재(160)는 몸체(163)와 삽입부(167)를 포함한다.
몸체(163)는 상부에서 하부로 갈수록 그 폭이 커지는 삼각뿔의 형상으로 제공된다. 몸체(163)는 저면에서 바라볼 때 정삼각형의 형상으로 제공된다. 이 삼각형을 이루는 3개의 변 각각은 서셉터(120)의 중심 및 각각의 안착홈(123)의 중심을 연결하는 선과 수직을 이룬다. 기판(W)은 플랫존(F)이 서셉터(120)의 중심축을 향하도록 안착홈(123)에 놓인다. 몸체(163)의 각각의 변은 상부에서 바라볼 때 플랫존(F)과 평행하도록 위치되고, 플랫존(F)과 노출된 영역(A)에 대응되는 변은 서로 밀착된다. 플랫존(F)과 밀착되는 변은 안착홈(123) 내에 위치되어 기판(W)의 플랫존(F) 측벽과 접촉될 수 있다. 이로 인해 기판(W)은 안착홈(123)과 이격된 틈이 제거되고 안착홈(123) 내에서 고정된다. 또한 상술한 바와 달리, 몸체(163)의 각각의 변은 안착홈(123)의 외부에 위치될 수 있다.
도6은 서셉터(120) 및 차단부재(160')의 다른 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도6을 참조하면, 몸체(163')는 저면에서 바라볼 때 다각형의 형상으로 제공된다. 이 다각형을 이루는 변의 일부(이하, 가린변)는 서셉터(120)의 중심과 안착홈(123)의 중심을 연결하는 선과 수직을 이루고, 이와 다른 변들은 상기 가린변들을 연결한다.
상술한 예와 달리 서셉터(120)에 형성된 안착홈(123)이 하나로 제공될 경우, 이 안착홈(123)은 서셉터(120)의 중앙부에 형성될 수 있고, 차단부재(160)는 안착홈(123)의 가장자리와 인접하게 배치될 수 있다. 이로 인해 차단부재(160)는 안착홈(123)의 노출된 영역(A)을 덮어 공정가스의 유입을 최소화할 수 있다.
다시 도2를 참조하면, 회전축(130)은 길이방향이 상하로 제공된 원통 형상으로 제공된다. 회전축(130)은 서셉터(120)에 회전력을 제공한다. 회전축(130)의 일단은 서셉터(120)의 저면 중앙에 고정 결합되고, 타단은 구동기(미도시)에 연결된다. 구동기(미도시)는 회전축(130)이 회전되도록 동력을 제공한다. 구동기(미도시)에 의해 회전축(130)이 회전되면, 이와 결합된 서셉터(120)도 함께 회전된다. 예컨대 구동기(미도시)는 모터일 수 있다.
차단부재(160)는 삽입부(167)를 통해 서셉터(120)와 탈착이 가능하도록 제공된다. 삽입부(167)는 몸체(163)의 저면 중앙부로부터 아래방향으로 돌출된다. 삽입부(167)는 그 저면에 홈이 형성되고, 이 홈은 고정홈(122)으로부터 돌출된 돌기(121)와 대응되는 형상을 가진다. 이로 인해 삽입부(167)는 고정홈(122)에 삽입되고, 고정홈(122)에 형성된 돌기(121)는 삽입부(167)의 홈에 삽입된다.
가스공급부재(200)는 샤워노즐(210), 가스공급라인(220), 그리고 가스공급부(미도시)를 포함한다.
샤워노즐(210)은 챔버(10) 내에서 서셉터(120)의 상면과 대응되는 위치에 배치된다. 샤워노즐(210)은 서셉터(120)에 안착된 기판(W) 상으로 공정가스를 공급한다. 샤워노즐(210)은 그 저면에 공정가스가 토출되는 토출구(211)를 복수 개로 구비하여 기판(W) 상으로 공정가스를 균일하게 공급할 수 있다.
가스공급라인(220)은 이의 일단이 샤워노즐(210)에 연결되고, 이의 타단이 외부에 배치된 가스공급부(미도시)와 연결된다. 가스공급라인(220)은 가스공급부(미도시)로부터 공정가스를 공급받아 샤워노즐(210)로 공정가스를 공급한다.
상술한 일 예의 샤워노즐(210)과 달리 기판(W) 상으로 공급되는 공정가스는 챔버(10)의 측벽 또는 상부벽에 형성된 분사홀을 통해 토출될 수 있다. 챔버(10)의 상부벽 또는 측벽의 내부에는 상기 분사홀로 공정가스를 공급하는 통로가 제공되어 상기 분사홀로 공정가스를 공급할 수 있다. 또한 상기 분사홀과 달리 공정가스는 노즐을 통해 공급될 수 있다.
배기부재(300)는 배기링(310) 및 배기관(320)을 포함한다.
배기링(310)은 링 형상으로 제공된다. 배기링(310)은 챔버(10)의 측벽과 서셉터(120)의 측부 사이에 배치된다. 배기링(310)의 높이는 서셉터(120)의 높이와 동일하거나 이보다 낮게 제공된다. 배기링(310)의 상단에는 복수 개의 배기홀(311)이 나란하게 배열되도록 형성된다. 챔버(10) 내에 잔류된 공정가스는 배기홀(311)을 통해 배기링(310)으로 흡기한다.
배기관(320)은 배기링(310)의 하단에 연결된다. 배기관(320)은 중공을 가진 원통 형상으로 제공된다. 배기관(320)은 외부의 펌프(미도시)와 연결되어 챔버(10) 내의 압력을 조절하고, 이 압력을 통해 흡기된 공정가스를 외부로 배출한다.
히터(400)는 서셉터(120)의 하부에 설치된다. 히터(400)는 상부에서 바라볼 때 나선형 형상으로 배치된다. 히터(400)는 서셉터(120)를 가열할 수 있다. 히터(400)가 기설정된 온도로 서셉터(120)를 가열하면, 이 온도는 서셉터(120)를 통해 기판(W)으로 전도된다. 상술한 바와 달리 히터(400)는 서셉터(120)의 내부에 배치되어 서셉터(120)를 가열할 수 있다.
도7은 도2의 서셉터(120)에 노치(N)를 가지는 기판(W)이 안착된 상태에서 차단부재(160'')가 삽입된 상태를 보여주는 평면도이다. 도7을 참조하면, 기판(W)은 그 가장자리에 노치(N)를 가진다. 기판(W)은 노치(N)가 서셉터(120)의 중심축을 향하도록 안착홈(123)에 놓인다. 이 노치(N)가 형성됨에 따라 기판(W)이 안착된 안착홈(123)에는 노출된 영역(A')이 발생된다. 이 노출된 영역(A')은 기판(W)의 원형에서 제거된 노치(N)의 형상과 대응된다. 차단부재(160'')의 몸체(163'')는 저면에서 바라볼 때 원 형상으로 제공되고, 이 원의 가장자리 일부에는 상기 노치(N)의 형상과 대응되는 돌출부(165)가 제공된다. 이 돌출부(165)는 안착홈(123)의 개수와 동일하게 제공된다. 이로 인해 돌출부(165)는 상부에서 바라볼 때 안착홈(123)의 노출된 영역과 중첩되며, 이 돌출부(165)는 안착홈(123)의 노출된 영역(A')으로 공정가스가 유입되는 것을 최소화한다. 또한 이 돌출부(165)는 기판(W)이 안착홈(123)의 내부에서 이동되지 않도록 고정시킨다.
다음은 상술한 본 발명의 일 예에서 개시한 기판처리장치(1000)를 이용하여 기판(W)을 처리하는 방법이다. 기판(W)은 플랫존(F)의 방향이 서셉터(120)의 중심축을 향하도록 안착홈(123)에 안착된다. 고정홈(122)에는 차단부재(160)를 삽입하여 안착홈(123)들의 영역 중 상부로 노출된 영역(A)들을 모두 덮도록 한다. 이후 챔버(10)의 내부는 밀폐되고, 배기부재(300)를 통해 챔버(10)의 내부를 진공상태로 유지한다. 히터(400)는 서셉터(120)를 가열하여 안착된 기판(W)을 기설정 온도까지 가열한다. 서셉터(120)는 회전축(130)에 의해 회전된다. 회전 중인 서셉터(120) 상에는 공정가스가 샤워노즐(210)을 통해 공급된다. 이후, 서셉터(120) 상에 잔류된 공정가스는 그 측부에 배치된 배기부재(300)를 통해 배기된다.
이상으로, 본 발명은 금속 유기물 화학 기상 증착 공정을 통해 기판(W)에 증착 공정을 수행하는 기판지지부재, 이를 갖는 기판처리장치 및 기판처리방법을 설명하였다. 그러나 이는 일 예를 들어 설명한 것에 불과하며, 기판(W)에 박막을 증착하는 공정이라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다. 또한 기판(W)이 홈에 안착되는 구성이라면 증착 공정 외에서도 사용 가능하다.
100: 기판지지부재 120: 서셉터
123: 안착홈 122: 고정홈
160: 차단부재 163: 몸체
167: 삽입부 200: 가스공급부재
300: 배기부재 400: 히터

Claims (2)

  1. 챔버와;
    상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 기판지지부재와; 그리고
    상기 기판으로 공정가스를 공급하는 가스공급부재를 포함하되;
    상기 기판지지부재는,
    상면에 상기 기판이 안착되는 원형의 안착홈을 가진 서셉터와; 그리고
    상기 기판이 상기 안착홈에 안착된 상태에서 상기 안착홈의 노출된 영역을 덮도록 제공된 몸체를 구비하는 차단부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 안착홈은 상기 서셉터의 중심을 감싸도록 복수 개가 제공되고, 상기 안착홈들 전체에서 상기 노출된 영역들은 하나의 상기 차단부재에 의해 덮혀지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
KR1020100138068A 2010-12-29 2010-12-29 기판지지부재 및 이를 갖는 기판처리장치 KR101455736B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100138068A KR101455736B1 (ko) 2010-12-29 2010-12-29 기판지지부재 및 이를 갖는 기판처리장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100138068A KR101455736B1 (ko) 2010-12-29 2010-12-29 기판지지부재 및 이를 갖는 기판처리장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120076410A true KR20120076410A (ko) 2012-07-09
KR101455736B1 KR101455736B1 (ko) 2014-11-04

Family

ID=46710052

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100138068A KR101455736B1 (ko) 2010-12-29 2010-12-29 기판지지부재 및 이를 갖는 기판처리장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101455736B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140004488A (ko) * 2012-07-03 2014-01-13 주성엔지니어링(주) 기판처리장치 및 이를 이용한 기판의 로딩 및 언로딩 방법
KR101431083B1 (ko) * 2013-01-04 2014-08-21 피에스케이 주식회사 웨이퍼 레벨 패키지용 기판을 처리하는 장치 및 방법
US9508541B2 (en) 2013-01-04 2016-11-29 Psk Inc. Apparatus and method for treating substrate

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006173560A (ja) * 2004-11-16 2006-06-29 Sumitomo Electric Ind Ltd ウエハガイド、有機金属気相成長装置および窒化物系半導体を堆積する方法
KR101296157B1 (ko) * 2006-09-11 2013-08-19 주성엔지니어링(주) 기판 가장자리의 증착을 방지하는 기판처리장치 및 이를이용한 기판처리방법
DE102007023970A1 (de) * 2007-05-23 2008-12-04 Aixtron Ag Vorrichtung zum Beschichten einer Vielzahl in dichtester Packung auf einem Suszeptor angeordneter Substrate

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140004488A (ko) * 2012-07-03 2014-01-13 주성엔지니어링(주) 기판처리장치 및 이를 이용한 기판의 로딩 및 언로딩 방법
KR101431083B1 (ko) * 2013-01-04 2014-08-21 피에스케이 주식회사 웨이퍼 레벨 패키지용 기판을 처리하는 장치 및 방법
US9508541B2 (en) 2013-01-04 2016-11-29 Psk Inc. Apparatus and method for treating substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR101455736B1 (ko) 2014-11-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5544669B2 (ja) ガス噴射ユニット及びこれを利用する薄膜蒸着装置及び方法
TWI500811B (zh) 基板基座及含它之沈積設備
KR101395243B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR20110136583A (ko) 서셉터 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치
KR101292626B1 (ko) 기판 안치 수단 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
TWI697364B (zh) 一體的噴嘴組件、下襯裡，及包括此之用於基板處理的設備
KR20060126166A (ko) 증착 장치
KR101455736B1 (ko) 기판지지부재 및 이를 갖는 기판처리장치
KR20130007149A (ko) 기판처리장치
KR101716355B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR20110117417A (ko) 화학기상증착장치용 서셉터 및 이를 구비하는 화학기상증착장치
KR20130069310A (ko) 기판 지지 유닛 및 이를 이용한 기판 처리 장치
KR101299705B1 (ko) 분사유닛 및 이를 가지는 기판처리장치
KR20100030081A (ko) 서셉터
KR101282157B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20110027312A (ko) 기판안치수단을 포함한 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법
KR101455737B1 (ko) 기판처리장치
KR101395240B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR101502857B1 (ko) 기판지지부재, 이를 갖는 기판처리장치 및 기판처리방법
KR101238842B1 (ko) 반도체 제조용 서셉터 및 이를 포함한 에피택셜 성장 장치
KR101329318B1 (ko) 노즐유닛, 이를 포함하는 기판처리장치 및 이를 이용하는 기판처리방법
KR20110114416A (ko) 박막 증착 장치 및 방법
KR20150049180A (ko) 기판 처리 장치
KR20150055889A (ko) 기판 처리 장치
KR20140007611A (ko) 기판처리장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171020

Year of fee payment: 4