TW202115767A - 電漿處理裝置 - Google Patents

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齊藤哲也
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

將在處理容器之側壁的上部設成環狀且在內周側形成有往處理容器之中心側開口的開口之排氣道使用在電漿處理裝置時，會抑制電漿處理量相較於晶圓中央而在晶圓外周部減少的情形。電漿處理裝置，係使用電漿處理基板，具有：處理容器，係構成為可減壓且收納基板；載置台，係設在該處理容器內且載置基板；氣體導入部，係在該處理容器之上部側設成與該載置台對向，且對該處理容器內導入處理氣體；以及排氣道，係在該處理容器之側壁的上部設成環狀，且在內周側形成有往該處理容器之中心側開口的開口；該載置台及該氣體導入部係連接於用以在該處理容器內生成處理氣體之電漿的高頻電源；該排氣道係接地；該電漿處理裝置進一步具有電漿分布調整構件，係設成覆蓋該排氣道之該開口且接地；該電漿分布調整構件係形成有多個貫通孔。

Description

電漿處理裝置
本揭露係關於電漿處理裝置。
專利文獻1揭示一種執行以薄膜沉積或蝕刻等為目的之電漿處理的電漿處理裝置。此電漿處理裝置具有處理容器、對處理容器內供給處理氣體的氣體供給部、設在處理容器內且載置晶圓的載置台、設在載置台上方的上部電極、藉由對上部電極及載置台之至少任一者供給高頻電力以在處理容器內生成處理氣體之電漿的電漿生成部。此外，在此電漿處理裝置中，係藉由處理容器之側壁與載置台之側面來形成排氣流道，在排氣流道底部係配設有形成排氣口的排氣管，且在排氣管係連接有排氣裝置。
專利文獻1：日本特開2016-115848號公報
本揭露相關技術，係將在處理容器之側壁的上部設成環狀且在內周側形成有往處理容器之中心側開口的開口之排氣道使用在電漿處理裝置時，會抑制電漿處理量相較於晶圓中央而在晶圓外周部減少的情形。
本揭露之一形態係一種電漿處理裝置，係使用電漿處理基板，具有：處理容器，係構成為可減壓且收納基板；載置台，係設在處理容器內且載置基板；氣體導入部，係在該處理容器之上部側設成與該載置台對向，且對該處理容器內導入處理氣體；以及排氣道，係在該處理容器之側壁的上部設成環 狀，且在內周側形成有往該處理容器之中心側開口的開口；該載置台及該氣體導入部係連接於用以在該處理容器內生成處理氣體之電漿的高頻電源；該排氣道係接地；該電漿處理裝置進一步具有電漿分布調整構件，係設成覆蓋該排氣道之該開口且接地；該電漿分布調整構件係形成有多個貫通孔。
根據本揭露，則將在處理容器之側壁的上部設成環狀且在內周側形成有往處理容器之中心側開口的開口之排氣道使用在電漿處理裝置時，便可抑制電漿處理量相較於晶圓中央而在晶圓外周部減少的情形。
1:電漿處理裝置
10:處理容器
20:載置台
30,34:高頻電源
42:噴淋頭
60:排氣管
60a:開口
70:電漿分布調整構件
71a:貫通孔
W:晶圓
圖1係以示意方式顯示作為本實施形態相關之電漿處理裝置的蝕刻裝置之構成的概略之說明圖。
圖2係電漿分布調整構件的貫通孔形成部分之放大側視圖。
圖3係具體說明設置電漿分布調整構件的效果之圖。
圖4係具體說明設置電漿分布調整構件的效果之圖。
圖5係顯示電漿分布調整構件的貫通孔之形狀的其他例之圖。
圖6係顯示噴淋板的其他例之側視圖。
圖7係顯示噴淋板的另一例之剖面圖。
圖8係圖7之噴淋板的底面圖。
圖9係顯示噴淋板的再另一例之側視圖。
在半導體元件之製造工序中，會對半導體晶圓(以下，稱為「晶圓」)進行蝕刻處理或成膜處理等各種電漿處理。
進行上述電漿處理之電漿處理裝置，係具有例如處理容器、對處理容器內供給處理氣體的氣體供給部、設在處理容器內且載置晶圓的載置台、設在載置台上方的上部電極。此外，藉由對上部電極及載置台供給高頻電力，便會在處理容器內生成處理氣體之電漿。
另外，以往的電漿處理裝置中，係從處理容器之底壁側進行該處理容器內之排氣。例如，專利文獻1中，係藉由處理容器之側壁與載置台之側面來形成排氣流道，在排氣流道底部則配設有形成排氣口的排氣管。
然而，作為電漿處理裝置，近年來開發出了ALE(Atomic Layer Etching)處理用等之處理容器內的容量較小者。此種電漿處理裝置中，係使用與專例文獻1不同之排氣道，具體而言，會有使用在處理容器之側壁的上部設成環狀且在內周側形成有往處理容器之中心側開口的開口之排氣道的情形。但是，根據本申請發明人積極調查的結果，在使用上述排氣道時，於對上部電極供給60MHz等較高的高頻電力時等，會有蝕刻量等之電漿處理量相較於晶圓中央而在晶圓外周部減少，導致電漿處理在晶圓面內變得不均勻之情形。
因此，本揭露相關技術，係使用在處理容器之側壁的上部設成環狀且在內周側形成有往處理容器之中心側開口的開口之排氣道時，會抑制電漿處理量相較於晶圓中央而在晶圓外周部減少的情形。
以下，一邊參照圖式一邊說明本實施形態相關之電漿處理裝置。此外，本說明書及圖式中，針對實質上具有相同功能構成的要素會賦予相同符號以省略重複說明。
圖1係以示意方式顯示本實施形態相關的電漿處理裝置之構成的概略之說明圖。圖2係後述電漿分布調整構件的貫通孔形成部分之放大側視圖。
圖1之範例的電漿處理裝置1係例如構成為會進行去除自然氧化膜之蝕刻的蝕刻裝置。具體而言，電漿處理裝置1係構成為會藉由濺射蝕刻或ALE而進行自然氧化膜之蝕刻的蝕刻裝置。
電漿處理裝置1(以下，蝕刻裝置1)係具有構成為可減壓且收納作為基板之晶圓W的處理容器10。晶圓直徑例如為300mm。
處理容器10係具有形成為有底圓筒形狀的容器本體11。容器本體11係由導電性金屬，例如含鋁金屬之A5052構成。另外，容器本體11係接地。
在容器本體11側壁係設有晶圓W之搬出入口11a，在此搬出入口11a係設有開閉該搬出入口11a的閘閥12。另外，在容器本體11上係設有構成處理容器10側壁之一部分的後述排氣管60。
在處理容器10內係設有水平地載置晶圓W且俯視呈圓形的載置台20。此載置台20係構成下部電極。在載置台20上部係設有靜電吸盤21。在載置台20內部係設有用以加熱晶圓W的加熱器(未圖示)。
從設在處理容器10外部的高頻電源30會透過匹配器31對載置台20供給偏壓用高頻電力，例如13.56MHz之高頻電力。從設在處理容器10外部的直流電源32會對靜電吸盤21施加直流電壓。直流電壓之導通-斷開係藉由開關33進行。
在載置台20之下面中央部係連接有會通過形成在處理容器10底壁之開口13而貫通該底壁且往上下方向延伸之支撐構件22的上端部。支撐構件22的下端部係連接於升降機構23。藉由升降機構23之驅動，則載置台20可在一點鏈線所示之搬送位置、其上方之第1處理位置、再更上方之第2處理位置之間上下移動。搬送位置係在從處理容器10之搬出入口11a進入處理容器10內之晶圓W 的搬送機構(未圖示)與後述支撐銷26a之間收授晶圓W時，載置台20會待機的位置。另外，第1處理位置係會對晶圓W進行濺射蝕刻處理的位置，第2處理位置係會對晶圓W進行ALE處理的位置。
另外，在支撐構件22之處理容器10外側係設有凸緣24。此外，此凸緣24與在處理容器10底壁之支撐構件22的貫通部之間係設有伸縮管25以包圍支撐構件22外周部。藉此，便能保持處理容器10的氣密。
在處理容器10內之載置台20下方則配置有晶圓升降構件26，係具有多個，例如3根(僅圖示2根)支撐銷26a。在晶圓升降構件26下面側係設有支撐柱27，支撐柱27會貫穿處理容器10底壁而連接於設在處理容器10外側的升降機構28。是以，晶圓升降構件26會藉由升降機構28之驅動而上下移動自如，且藉由上下移動使支撐銷26a透過形成在載置台20之貫通孔20a而從載置台20上面突出沒入。
在升降機構28與在處理容器10底壁之支撐柱27的貫通部之間係設有伸縮管29以包圍支撐柱27外周。藉此，便能保持處理容器10的氣密。
在處理容器10之排氣管60上側係設有圓環狀的絕緣支撐構件40。在絕緣支撐構件40的下面側則設有由石英構成之噴淋頭支撐構件41以作為絕緣構件。在噴淋頭支撐構件41係支撐有會對處理容器10內導入處理氣體的氣體導入部且會構成上部電極之噴淋頭42。噴淋頭支撐構件41所致之噴淋頭42的支撐，具體而言係以噴淋頭42位於處理容器10上部側且與載置台20對向之方式來加以進行。
另外，噴淋頭42係具有圓板狀的頭本體部43、連接於頭本體部43之噴淋板44，在頭本體部43與噴淋板44之間則會形成有氣體擴散空間S。頭本體部43與噴 淋板44為金屬製。另外，噴淋板44之直徑係與晶圓W大致相同。在頭本體部43形成有連通於氣體擴散空間S的2個氣體導入孔43a，在噴淋板44形成有由氣體擴散空間S連通的多個氣體噴出孔44a。
在氣體導入孔43a係設有將處理氣體供給至處理容器10的氣體供給機構50。雖然省略圖示，但在氣體供給機構50係設有各處理氣體的供給源、暫時儲藏來自該供給源的處理氣體之儲藏槽、流量控制閥。
另外，針對噴淋頭42會從設在處理容器10外部之高頻電源34透過匹配器35來供給電漿生成用高頻電力，例如60MHz或13.56MHz之高頻電力。
再者，在處理容器10側壁之上部係以相對於載置台20成為同心之方式而設有形成為環狀來作為排氣道的排氣管60。排氣管60係以遍布內周全周之方式形成有開口於處理容器10中心側之開口60a，而構成為例如使形成為剖面觀看為U字狀的構件彎曲成圓環狀。此外，排氣管60中構成上述U字狀的槽之深度為例如為45mm左右，從開口60a至噴淋頭42的最短距離為例如50mm左右。
在排氣管60外周壁之一部分係形成有排氣口60b。在排氣口60b係連接有排氣管61之一端部。排氣管61之另一端部則連接有例如由真空泵與開關閥等構成的排氣裝置62。另外，排氣管60係由導電性金屬，例如含鋁金屬之A5052所構成，而與容器本體11為相同電位。亦即，排氣管60也是接地。
再者，處理容器10內係以沿著其側壁而覆蓋排氣管60之開口60a的方式設有電漿分布調整構件(以下，電漿調整構件)70。電漿調整構件70係由導電性金屬，例如含鋁金屬之A5052所構成。另外，電漿調整構件70係接地。再者，電漿調整構件70表面係藉由陶瓷熔射或陽極氧化處理而被施予耐電漿塗布。作為陶瓷熔射的材料係例如使用氧化釔。
此電漿調整構件70係具有形成為圓筒狀的主體部71，而設置成相對於載置台20呈同心。主體部71係形成為覆蓋處理容器10側壁的內周面整體，另外，在主體部71之至少與排氣管60對向的部分則形成有多個貫通孔71a。主體部71之厚度為例如7mm。
各貫通孔71a從貫通方向觀看的形狀，例如圖2所示，係上下方向長度較排氣管60的開口60a要長的橢圓狀(具體而言為四角帶圓的長方形狀)。
另外，多個貫通孔71a係形成為全部具有相同形狀且分布相同。
再者，貫通孔71a係形成為主體部71在覆蓋排氣道60之開口60a部分的開口率為50%以上，80%以下。此外，以下說明中，「電漿調整構件70之開口率」便是指此開口率。例如，針對直徑300mm之晶圓W的電漿調整構件70之主體部71的直徑為460m時，能設置60個面積為872mm2的長孔，而使電漿調整構件70之有效區域面積為上下方向長度50mm時則開口率為73%。
另外，電漿調整構件70之下端部係形成為往處理容器10中心側延伸，且接合於該處理容器10的底壁。具體而言，電漿調整構件70係具有形成為從主體部71下端往處理容器10中心側延伸的固定部72。此外，藉由螺合等將固定部72與處理容器10的底壁加以接合，而將電漿調整構件70固定在處理容器10內。
以上述方式加以構成之蝕刻裝置1係設有控制部100。控制部100係由具備例如CPU與記憶體等的電腦所構成，且具有程式收納部(未圖示)。在程式收納部係收納有用以實現在蝕刻裝置1之後述晶圓處理的程式等。此外，上述程式可為記錄在電腦可讀取記憶媒體並由該記憶媒體安裝到控制部100。另外，程式之一部分或全部也能以專用硬體(電路基板)來實現。
接著，說明使用蝕刻裝置1來進行之晶圓處理。
在此晶圓處理中，首先，藉由濺射蝕刻處理來進行自然氧化膜的異向性蝕刻，接著，藉由ALE處理來進行自然氧化膜的等向性蝕刻。
在濺射蝕刻處理中，首先，係開啟閘閥12，從與處理容器10相鄰之真空環境氛圍的搬送室(未圖示)透過搬出入口11a將已保持晶圓W的搬送機構(未圖示)插入至處理容器10內。接著，晶圓W會被搬送至位於前述搬送位置之載置台20的上方。此時，處理容器10內係透過排氣管60而被排氣，並被調整成所期望的壓力。接著，晶圓W會被收授至已上升的支撐銷26a上，之後，上述搬送機構會從處理容器10被移出，並關閉閘閥12。與此同時，會進行支撐銷26的下降、載置台20的上升，而使晶圓W被載置在載置台20上。接著，載置台20會往前述第1處理位置移動。第1處理位置係例如從載置台20上面至噴淋板44下面之距離成為40mm之位置。
接著，從氣體供給機構50對處理容器10供給Ar氣體以作為處理氣體。另外，從高頻電源34對噴淋頭42供給60MHz之高頻電力，從高頻電源30對載置台20供給13.56MHz之高頻電力。
藉此，在處理容器10內生成Ar氣體的電漿，且該電漿內的Ar離子衝撞至晶圓W表面，而使形成在該晶圓W表面的自然氧化膜被異向性蝕刻。
在也進行ALE處理的蝕刻裝置1中，於使用Ar氣體的電漿來進行濺射蝕刻時，相對於從噴淋頭42至載置台20的距離，從噴淋頭42至接地的排氣管60的距離會較近。因此，與本實施形態不同而未設置電漿調整構件70以覆蓋排氣管60之開口60a的情形，Ar氣體的電漿會通過開口60a而擴散至排氣管60內。其結果，晶圓W外周部上空之電漿密度會變低，因此晶圓W外周部之蝕刻量相較 於中央部會減少。相對於此，如本實施形態般，係藉由設置接地的電漿調整構件70，便可削減擴散至排氣管60內之Ar氣體的電漿量，因此可防止電漿密度在晶圓W外周部上空降低。因此，可抑制晶圓W外周部之蝕刻量相較於中央部會減少的情形。另外，由於在電漿調整構件70形成有貫通孔71a，因此即使設置電漿調整構件70以塞住排氣管60之開口60a，排氣特性也不會受損。
在蝕刻後，停止對噴淋頭42之高頻電力供給及對載置台20之高頻電力供給。但是，仍會持續供給Ar氣體，來使處理容器10內被Ar氣體吹淨。吹淨完成後則濺射蝕刻處理結束。
ALE處理係藉由夾著吹淨工序，交互反覆例如Cl2氣體所致之電漿處理工序與Ar氣體所致之電漿處理工序來進行。在此ALE處理時，載置台20會往前述第2處理位置移動。第2處理位置係例如從載置台20上面至噴淋板44下面之距離成為10~40mm之位置。
ALE處理中的Cl2氣體所致之電漿處理工序中，會從氣體供給機構50對處理容器10供給Cl2氣體。
在此工序中，在處理容器10內，Cl2會吸附於晶圓表面之自然氧化膜。
在此工序後，處理容器10內會被Ar氣體吹淨。
接續之Ar氣體所致之電漿處理工序中，Ar氣體會被供給至處理容器10。另外，會從高頻電源34對噴淋頭42供給60MHz之高頻電力，並從設在處理容器10外部之高頻電源30對載置台20透過匹配器31供給偏壓用高頻電力之13.56MHz之高頻電力。
藉此，在處理容器10內會生成Ar氣體之電漿，藉由該電漿內之Ar離子，來 去除該晶圓W表面之自然氧化膜中吸附有Cl離子等的部分。
在此工序後，處理容器10內會被Ar氣體吹淨。
在ALE處理中，藉由反覆上述各工序，便能對晶圓W上之縱橫比高的底部分有效率地供給蝕刻氣體，而能蝕刻自然氧化膜。
在ALE處理後，以和濺射蝕刻處理時晶圓W之搬入相反的順序將晶圓W從處理容器10搬出。
如上述，本實施形態中，蝕刻裝置1係具有：處理容器10，係構成為可減壓且收納晶圓W；載置台20，係設在處理容器10內且載置晶圓W；噴淋頭42，係在處理容器10之上部側設成與載置台20對向，且對該處理容器10內導入處理氣體；以及排氣管60，係在處理容器10之側壁的上部設成環狀，且具有往處理容器10之中心側開口的開口。另外，載置台20及噴淋頭42係連接於用以在處理容器10內生成處理氣體之電漿的高頻電源30,34；排氣管60係接地。此外，該蝕刻裝置1進一步設有電漿調整構件70，係覆蓋排氣管60之開口60a且接地。因此，可削減擴散至排氣管60內之電漿量，因此可抑制晶圓W外周部之濺射蝕刻量相較於晶圓中央部會減少的情形。另外，由於在電漿調整構件70係形成有多個貫通孔71a，因此排氣特性不會因該電漿調整構件70而受損。
圖3及圖4係具體說明設置電漿調整構件70的效果之圖。圖3係顯示使用未設置電漿調整構件70之蝕刻裝置來進行上述濺射蝕刻處理時的蝕刻量之分布的圖。此處使用之蝕刻裝置只有在未設置電漿調整構件70這點是與上述蝕刻裝置1不同。圖4係顯示使用設有電漿調整構件70之蝕刻裝置1來進行上述濺射蝕刻處理時的蝕刻量之分布的圖。所使用之電漿調整構件70具有圖2之形狀的貫通孔71a，其開口率為77%。圖3及圖4中，橫軸係表示距離晶圓W中心的位置， 縱軸係表示Ar氣體的蝕刻速度(=蝕刻量/處理時間)。此外，得到圖3及圖4之結果時的濺射蝕刻處理條件如下述。
處理容器10內的壓力：5mTorr
對噴淋頭42的供給電力：50W
對載置台20的供給電力：900W
從噴淋板44下面至載置台20上面之距離：40mm
Ar氣體的流量：30sccm
載置台20的溫度：30℃
處理時間：20秒
如圖3所示，未設置電漿調整構件70時，蝕刻量相較於晶圓W中央部會在晶圓W外周部減少。另外，未設置電漿調整構件70時，蝕刻量的晶圓面內不均勻性NU係8.8%。此外，蝕刻量的晶圓面內不均勻性NU係以下式表示者。
NU=((蝕刻量之標準偏差)/(蝕刻量之平均值))×100
另一方面，如圖4所示，設有電漿調整構件70時，晶圓W外周部之蝕刻量係與晶圓W中央部相同。另外，設有上述範例的電漿調整構件70時，蝕刻量的晶圓面內不均勻性NU係8.7%，與未設置電漿調整構件70時相較係提升。
再者，根據本實施形態，藉由改變電漿調整構件70之開口率，便可調節排氣管60佔有開口60a的接地電位之比例，因此可調整電漿分布，並控制晶圓W外周部之濺射蝕刻量。
較佳地，係設電漿調整構件70之開口率為77%以上，亦即開口60a被作為接地電位之構件所覆蓋之比例為23%以下。其原因在於，根據本申請發明人積極調查的結果，上述開口率未達77%，而開口60a被作為接地電位之構件 所覆蓋之比例超過23%時，由於晶圓W外周部之蝕刻量會增加，因此面內不均勻性相較於未設置電漿調整構件70之情形會更為惡化。
另外，較佳地，係設電漿調整構件70之開口率為80%以下。其原因在於，上述開口率超過80%時，電漿調整構件70之加工會變困難，且該構件70之強度會降低。
再者，本實施形態中，電漿調整構件70之多個貫通孔71a係形成為全部具有相同形狀且分布相同。因此，能使晶圓W之蝕刻量在周方向的分布變均勻。
再者，本實施形態中，電漿調整構件70係藉由陶瓷熔射或陽極氧化處理而被施予耐電漿塗布。因此，在進行濺射蝕刻處理或ALE處理時，可防止電漿調整構件70因電漿而受損。
圖5係顯示電漿調整構件70的貫通孔71a之形狀的其他例之圖。
貫通孔71a從貫通方向觀看的形狀並不限於圖2的橢圓狀。例如，貫通孔71a從貫通方向觀看的形狀，如圖5所示，可為具有未達排氣管60之開口60a的上下方向長度之圓形狀。此情形，較佳地亦為以電漿調整構件70之開口率成為77%以上之方式來形成貫通孔71a。
以上說明中，在噴淋板44之與載置台20上的晶圓W對向之部分係形成為平坦。但噴淋板44之形狀並不限於此。
圖6係顯示噴淋板的其他例之側視圖。
圖中之噴淋板200具有形成為圓板狀之圓板部201、與從圓板部201之中央部分往下側突出之凸部202。此外，此噴淋板200也與圖1所示者相同形成有氣體噴出孔(未圖示)。
藉由使用此噴淋板200而使中心之電漿密度改變，便能使蝕刻量改變。
因此，能在不改變晶圓W外周部之蝕刻量的狀況下，而使晶圓W中央部之蝕刻量減少。因此，在只設置電漿調整構件70而晶圓W中央部之蝕刻量仍比其他部分多的時候等情況，藉由併用此噴淋板200，便能使濺射蝕刻量之晶圓面內不均勻性UN提升。
此外，圓板部201之厚度T為例如9mm。
另外，凸部202之徑方向的寬度K較佳為例如晶圓W的半徑以下之150mm以下。其原因在於，若該寬度K過大，則會和僅使噴淋板44變厚時的情況相同。
凸部202之高度H較佳為例如3mm以下。其原因在於，根據本申請發明人積極調查的結果，作為晶圓W中央部與外周部之間的部分之中間部分的濺射蝕刻量雖然會因為設置凸部202而減少，但上述高度H超過3mm時，其減少寬度會變大，反而會妨礙濺射蝕刻量之晶圓面內不均勻性UN的提升。
圖7係顯示噴淋板的另一例之剖面圖，圖8係圖7之噴淋板的底面圖。
圖7及圖8之噴淋板210係在其下面具有與該噴淋板210同心的環狀槽211。藉由使用此噴淋板210，便能使與環狀槽211對向而作為晶圓W中央部與外周部之間的部分之中間部分的濺射蝕刻量相較於使用下面平坦的噴淋板44之情形要為增加。因此，在只設置電漿調整構件70而晶圓W之上述中間部之蝕刻量仍比其他部分少的時候等情況，藉由併用此噴淋板210，便能使濺射蝕刻量之晶圓面內不均勻性UN提升。
此外，此噴淋板210也與圖1所示者相同形成有氣體噴出孔(未圖示)。
圖9係顯示噴淋板的再另一例之側視圖。
圖6之噴淋板200的凸部202係只有在板下面中央部形成為圓錐梯形，但圖9之噴淋板220的凸部221則是在板下面整體形成圓錐梯形。
此噴淋板220也一樣，係藉由與電漿調整構件70併用，便能使濺射蝕刻量之晶圓面內不均勻性UN提升。
此外，此噴淋板220也與圖1所示者相同形成有氣體噴出孔(未圖示)。
以上雖然係以蝕刻裝置為例進行說明，但於成膜處理等使用電漿進行其他處理的裝置也可以適用本實施形態之電漿處理裝置。
本說明書揭露的實施形態應認為在所有方面皆為例示而並非用來加以限制。上述實施形態在不脫離申請專利範圍及其主旨的情況下，能以各種形態加以省略、置換、變更。
此外，以下構成也屬於本揭露的技術範圍。
(1)一種電漿處理裝置，係使用電漿處理基板，具有：
處理容器，係構成為可減壓且收納基板；
載置台，係設在該處理容器內且載置基板；
氣體導入部，係在該處理容器之上部側設成與該載置台對向，且對該處理容器內導入處理氣體；以及
排氣道，係在該處理容器之側壁的上部設成環狀，且在內周側形成有往該處理容器之中心側開口的開口；
該載置台及該氣體導入部係連接於用以在該處理容器內生成處理氣體之電漿的高頻電源；
該排氣道係接地；
該電漿處理裝置進一步具有電漿分布調整構件，係設成覆蓋該排氣道之該開口且接地；
該電漿分布調整構件係形成有多個貫通孔。
根據上述(1)，便可抑制電漿處理量相較於基板中央而在基板外周部減少的情形。
(2)如上述(1)之電漿處理裝置，其中該電漿分布調整構件在覆蓋該排氣道之該開口部分的開口率係50%以上，80%以下。
根據上述(2)，便能使電漿處理量之基板面內均勻性提升。
(3)如上述(1)或(2)之電漿處理裝置，其中該貫通孔從貫通方向觀看的形狀係具有未達該排氣道之該開口的上下方向長度之直徑的圓形狀。
(4)如上述(1)或(2)之電漿處理裝置，其中該貫通孔從貫通方向觀看的形狀係上下方向長度會較該排氣道之該開口要長的橢圓狀。
(5)如上述(1)~(4)任一者之電漿處理裝置，其中該多個貫通孔係形成為全部具有相同形狀且分布相同。
根據上述(5)，便能使電漿處理量在周方向之分布均勻。
(6)如上述(1)~(5)任一者之電漿處理裝置，其中該電漿分布調整構件之表面係藉由陶瓷熔射或陽極氧化處理而被施予耐電漿塗布。
根據上述(6)，在進行電漿處理時，便可防止電漿分布調整構件受損。
(7)如上述(1)~(6)任一者之電漿處理裝置，其中該電漿分布調整構件之下端部係形成為往該處理容器之中心側延伸，且接合於該處理容器之底壁。
(8)如上述(1)~(7)任一者之電漿處理裝置，其中該氣體導入部係具有下面中央會往下方突出的凸部。
根據上述(8)，便能使電漿處理量之基板面內均勻性進一步提升。
(9)如上述(8)之電漿處理裝置，其中該氣體導入部之凸部係圓錐梯形。
(10)如上述(1)~(9)任一者之電漿處理裝置，其中在該氣體導入部之下面設有與該氣體導入部為同心的環狀槽。
根據上述(10)，便能使電漿處理量之基板面內均勻性進一步提升。
1:電漿處理裝置
10:處理容器
11:容器本體
11a:搬出入口
12:閘閥
13:開口
20:載置台
20a:貫通孔
21:靜電吸盤
22:支撐構件
23:升降機構
24:凸緣
25:伸縮管
26:晶圓升降構件
26a:支撐銷
27:支撐柱
28:升降機構
29:伸縮管
30,34:高頻電源
31:匹配器
32:直流電源
33:開關
35:匹配器
40:絕緣支撐構件
41:噴淋頭支撐構件
42:噴淋頭
43:頭本體部
43a:氣體導入孔
44:噴淋板
44a:氣體噴出孔
50:氣體供給機構
60:排氣管
60a:開口
60b:排氣管
61:排氣管
62:排氣裝置
70:電漿分布調整構件
71:主體部
71a:貫通孔
72:固定部
100:控制部
S:氣體擴散空間
W:晶圓

Claims (10)

  1. 一種電漿處理裝置，係使用電漿處理基板，具有：
    處理容器，係構成為可減壓且收納基板；
    載置台，係設在該處理容器內且載置基板；
    氣體導入部，係在該處理容器之上部側設成與該載置台對向，且對該處理容器內導入處理氣體；以及
    排氣道，係在該處理容器之側壁的上部設成環狀，且在內周側形成有往該處理容器之中心側開口的開口；
    該載置台及該氣體導入部係連接於用以在該處理容器內生成處理氣體之電漿的高頻電源；
    該排氣道係接地；
    該電漿處理裝置進一步具有電漿分布調整構件，係設成覆蓋該排氣道之該開口且接地；
    該電漿分布調整構件係形成有多個貫通孔。
  2. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中該電漿分布調整構件在覆蓋該排氣道之該開口部分的開口率係50%以上，80%以下。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中該貫通孔從貫通方向觀看的形狀係具有未達該排氣道之該開口的上下方向長度之直徑的圓形狀。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中該貫通孔從貫通方向觀看的形狀係上下方向長度會較該排氣道之該開口要長的橢圓狀。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之電漿處理裝置，其中該多個貫通孔係形成為全部具有相同形狀且分布相同。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之電漿處理裝置，其中該電漿分布調整構件之表面係藉由陶瓷熔射或陽極氧化處理而被施予耐電漿塗布。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之電漿處理裝置，其中該電漿分布調整構件之下端部係形成為往該處理容器之中心側延伸，且接合於該處理容器之底壁。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之電漿處理裝置，其中該氣體導入部係具有下面中央會往下方突出的凸部。
  9. 如申請專利範圍第8項之電漿處理裝置，其中該氣體導入部之凸部係圓錐梯形。
  10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之電漿處理裝置，其中在該氣體導入部之下面設有與該氣體導入部為同心的環狀槽。
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