JP5886366B2 - 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラムおよび記録媒体 - Google Patents
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Description
基板に対して、第1の元素と炭素との化学結合を有する原料が熱分解すると共に、前記原料に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の少なくとも一部が切断されることなく保持される条件下で、前記原料を供給することで、1原子層を超え数原子層以下の厚さを有し前記第1の元素と炭素との化学結合を含む第1の固体層を形成する工程と、
前記基板に対して、プラズマ励起させた第2の元素を含むリアクタントを供給するか、もしくは、プラズマ励起させた不活性ガスおよびプラズマ励起させていない第2の元素を含むリアクタントを供給することで、前記第1の固体層を改質して、第2の固体層を形成する工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素および炭素を含む膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。
基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板に対して第1の元素と炭素との化学結合を有する原料を供給する原料供給系と、
前記処理室内の基板に対して第2の元素を含むリアクタントを供給するリアクタント供給系と、
前記処理室内の基板に対して不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、
前記処理室内の基板を加熱するヒータと、
ガスをプラズマ励起させる励起部と、
前記処理室内の基板に対して、前記原料が熱分解すると共に、前記原料に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の少なくとも一部が切断されることなく保持される条件下で、前記原料を供給することで、1原子層を超え数原子層以下の厚さを有し前記第1の元素と炭素との化学結合を含む第1の固体層を形成する処理と、前記処理室内の前記基板に対して、プラズマ励起させた前記リアクタントを供給するか、もしくは、プラズマ励起させた不活性ガスおよびプラズマ励起させていない前記リアクタントを供給することで、前記第1の固体層を改質して、第2の固体層を形成する処理と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素および炭素を含む膜を形成する処理を行わせるように、前記原料供給系、前記リアクタント供給系、前記不活性ガス供給系および前記ヒータを制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
処理室内の基板に対して、第1の元素と炭素との化学結合を有する原料が熱分解すると共に、前記原料に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の少なくとも一部が切断されることなく保持される条件下で、前記原料を供給することで、1原子層を超え数原子層以下の厚さを有し前記第1の元素と炭素との化学結合を含む第1の固体層を形成する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して、プラズマ励起させた第2の元素を含むリアクタントを供給するか、もしくは、プラズマ励起させた不活性ガスおよびプラズマ励起させていない第2の元素を含むリアクタントを供給することで、前記第1の固体層を改質して、第2の固体層を形成する手順と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素および炭素を含む膜を形成する手順をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
以下、本発明の一実施形態について、図1〜図3を用いて説明する。
図1に示すように、処理炉202は加熱手段(加熱機構)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース(図示せず)に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、後述するようにガスを熱で励起(活性化)させる励起部(活性化機構)としても機能する。
上述の基板処理装置を用い、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、基板上に膜を形成するシーケンス例について、図4を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
基板としてのウエハ200に対して、Si−C結合を有するBTCSMガスが熱分解すると共に、BTCSMガスに含まれるSi−C結合の少なくとも一部が切断されることなく保持される条件下で、原料としてBTCSMガスを供給することで、1原子層を超え数原子層以下の厚さを有しSi−C結合を含む第1の固体層を形成する工程と、
ウエハ200に対して、プラズマ励起させたNを含むリアクタントとしてプラズマ励起させたNH3ガスを供給することで、第1の固体層を改質して、第2の固体層を形成する工程と、
を非同時に、すなわち、同期させることなく行うサイクルを所定回数(n回)行うことで、ウエハ200上に、Si、CおよびNを含む膜として、シリコン炭窒化膜(SiCN膜)を形成する。
複数のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)される。その後、図1に示すように、複数のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220を介して反応管203の下端をシールした状態となる。
処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される。真空ポンプ246は、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。また、処理室201内のウエハ200が所望の温度となるようにヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される。ヒータ207による処理室201内の加熱は、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。また、回転機構267によるボート217およびウエハ200の回転を開始する。回転機構267によるボート217およびウエハ200の回転は、少なくとも、ウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
その後、次の2つのステップ、すなわち、ステップ1,2を順次実行する。
(BTCSMガス供給)
APCバルブ244を所定の開度に開いた状態で、バルブ243aを開き、ガス供給管232a内にBTCSMガスを流す。BTCSMガスは、MFC241aにより流量調整され、ガス供給孔250aから処理室201内へ供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してBTCSMガスが供給されることとなる。このとき同時にバルブ243eを開き、ガス供給管232e内にN2ガスを流す。N2ガスは、MFC241eにより流量調整され、BTCSMガスと一緒に処理室201内へ供給され、排気管231から排気される。
第1の固体層が形成された後、バルブ243aを閉じ、BTCSMガスの供給を停止する。このとき、APCバルブ244は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくは第1の固体層の形成に寄与した後のBTCSMガスを処理室201内から排除する。このとき、バルブ243e〜243gは開いたままとして、処理室201内へのN2ガスの供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留する未反応もしくは第1の固体層の形成に寄与した後のBTCSMガスを処理室201内から排除する効果を高めることができる。
(NH3ガス供給)
ステップ1が終了した後、処理室201内のウエハ200に対して、プラズマ励起させたNH3ガスを供給する。
第2の固体層が形成された後、バルブ243bを閉じ、NH3ガスの供給を停止する。また、棒状電極269,270間への高周波電力の印加を停止する。そして、ステップ1と同様の処理手順により、処理室201内に残留する未反応もしくは第2の固体層の形成に寄与した後のNH3ガスや反応副生成物を処理室201内から排除する。このとき、処理室201内に残留するガス等を完全に排除しなくてもよい点は、ステップ1と同様である。
上述したステップ1,2を非同時に行うサイクルを1回以上(所定回数)行うことにより、すなわち、ステップ1,2を交互に1回以上行うことにより、ウエハ200上に、所定組成および所定膜厚のSiCN膜を形成することができる。上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。すなわち、1サイクルあたりに形成されるSiCN層の厚さを所望の膜厚よりも小さくし、上述のサイクルを所望の膜厚になるまで複数回繰り返すのが好ましい。
バルブ243e〜243gを開き、ガス供給管232e〜232gのそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。N2ガスはパージガスとして作用する。これにより、処理室201内がパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物が処理室201内から除去される(パージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降され、反応管203の下端が開口される。そして、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態で、反応管203の下端から反応管203の外部に搬出される(ボートアンロード)。処理済のウエハ200は、ボート217より取出される(ウエハディスチャージ)。
本実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果を得ることができる。
本実施形態における成膜シーケンスは、図4に示す態様に限定されず、以下に示す変形例のように変更することができる。
図5に示すように、ウエハ200に対してBTCSMガスを供給するステップと、ウエハ200に対してプラズマ励起させたNH3ガスを供給するステップと、ウエハ200に対してプラズマ励起させたO2ガスを供給するステップと、を非同時に行うサイクルを所定回数行うようにしてもよい。O2ガスは、ガス供給管232bから供給することができる。O2ガスの供給流量は、例えば100〜10000sccmの範囲内の流量とすることができる。その他の処理手順、処理条件は、例えば、図4を用いて説明した上述の成膜シーケンスと同様な処理手順、処理条件とすることができる。本変形例によれば、ウエハ200上に、Si、O、CおよびNを含む膜として、シリコン酸炭窒化膜(SiOCN膜)を形成することができる。本変形例においても、上述の実施形態と同様の効果を得ることができる。
図6に示すように、ウエハ200に対してBTCSMガスを供給するステップと、ウエハ200に対してプラズマ励起させたNH3ガスを供給するステップと、ウエハ200に対して熱励起させたO2ガスを供給するステップと、を非同時に行うサイクルを所定回数行うようにしてもよい。O2ガスは、ガス供給管232cから供給することができる。処理手順、処理条件は、例えば、図4を用いて説明した上述の成膜シーケンスや変形例1と同様な処理手順、処理条件とすることができる。本変形例によれば、ウエハ200上に、SiOCN膜を形成することができる。本変形例においても、上述の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、O2ガスを熱励起させて供給することで、第2の固体層からのCの脱離を抑制することができ、O2ガスをプラズマ励起させて供給する変形例1よりも、最終的に形成されるSiOCN膜をC濃度の高い膜とすることができる。
図7に示すように、ウエハ200に対してBTCSMガスを供給するステップと、ウエハ200に対して熱励起させたNH3ガスを供給するステップと、ウエハ200に対してプラズマ励起させたO2ガスを供給するステップと、を非同時に行うサイクルを所定回数行うようにしてもよい。NH3ガスは、ガス供給管232cから供給することができる。処理手順、処理条件は、例えば、図4を用いて説明した上述の成膜シーケンスや変形例1と同様な処理手順、処理条件とすることができる。本変形例によれば、ウエハ200上に、SiOCN膜を形成することができる。本変形例においても、上述の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、NH3ガスを熱励起させて供給することで、第1の固体層からのCの脱離を抑制することができ、NH3ガスをプラズマ励起させて供給する変形例1よりも、最終的に形成されるSiOCN膜をC濃度の高い膜とすることができる。
ウエハ200に対してBTCSMガスを供給するステップと、ウエハ200に対してプラズマ励起させたO2ガスを供給するステップと、を非同時に行うサイクルを所定回数行うようにしてもよい。処理手順、処理条件は、例えば、図4を用いて説明した上述の成膜シーケンスや変形例1と同様な処理手順、処理条件とすることができる。本変形例によれば、ウエハ200上に、Si、OおよびCを含む膜としてシリコン酸炭化膜(SiOC膜)を形成することができる。本変形例においても、上述の実施形態と同様の効果を得ることができる。
ウエハ200に対してBTCSMガスを供給するステップと、ウエハ200に対してプラズマ励起させたBCl3ガスを供給するステップと、ウエハ200に対してプラズマ励起させたNH3ガスを供給するステップと、を非同時に行うサイクルを所定回数行うようにしてもよい。BCl3ガスは、ガス供給管232bから供給することができる。BCl3ガスの供給流量は、例えば100〜10000sccmの範囲内の流量とすることができる。その他の処理手順、処理条件は、例えば、図4を用いて説明した上述の成膜シーケンスと同様な処理手順、処理条件とすることができる。本変形例によれば、ウエハ200上に、Si、B、CおよびNを含む膜として、シリコン硼炭窒化膜(SiBCN膜)を形成することができる。本変形例においても、上述の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、最終的に形成する膜中にBを含有させることで、この膜を、HF耐性の高い膜とすることができる。
ウエハ200に対してBTCSMガスを供給するステップと、ウエハ200に対して熱励起させたBCl3ガスを供給するステップと、ウエハ200に対してプラズマ励起させたNH3ガスを供給するステップと、を非同時に行うサイクルを所定回数行うようにしてもよい。BCl3ガスは、ガス供給管232cから供給することができる。処理手順、処理条件は、例えば、図4を用いて説明した上述の成膜シーケンスや変形例5と同様な処理手順、処理条件とすることができる。本変形例によれば、ウエハ200上に、SiBCN膜を形成することができる。本変形例においても、上述の実施形態や変形例5と同様の効果を得ることができる。また、BCl3ガスを熱励起させて供給することで、第1の固体層からのCの脱離を抑制することができ、BCl3ガスをプラズマ励起させて供給する変形例5よりも、最終的に形成されるSiBCN膜をC濃度の高い膜とすることができる。
ウエハ200に対してBTCSMガスを供給するステップと、ウエハ200に対してプラズマ励起させたBCl3ガスを供給するステップと、ウエハ200に対して熱励起させたNH3ガスを供給するステップと、を非同時に行うサイクルを所定回数行うようにしてもよい。NH3ガスは、ガス供給管232cから供給することができる。処理手順、処理条件は、例えば、図4を用いて説明した上述の成膜シーケンスや変形例5と同様な処理手順、処理条件とすることができる。本変形例によれば、ウエハ200上に、SiBCN膜を形成することができる。本変形例においても、上述の実施形態や変形例5,6と同様の効果を得ることができる。また、NH3ガスを熱励起させて供給することで、BCl3ガスが供給されることで改質された第1の固体層、すなわち、Si、BおよびCを含む固体の層からのCの脱離を抑制することができ、NH3ガスをプラズマ励起させて供給する変形例5よりも、最終的に形成されるSiBCN膜をC濃度の高い膜とすることができる。
ウエハ200に対してBTCSMガスを供給するステップと、ウエハ200に対してプラズマ励起させたTMBガスを供給するステップと、を非同時に行うサイクルを所定回数行うようにしてもよい。TMBガスは、ガス供給管232bから供給することができる。TMBガスの供給流量は、例えば1〜1000sccmの範囲内の流量とすることができる。その他の処理手順、処理条件は、例えば、図4を用いて説明した上述の成膜シーケンスと同様な処理手順、処理条件とすることができる。本変形例によれば、ウエハ200上に、ボラジン環骨格を含むSiBCN膜を形成することができる。本変形例においても、上述の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、SiBCN膜中にボラジン環骨格を含有させることにより、この膜を、誘電率が低く、HF耐性の高い膜とすることができる。
ウエハ200に対してBTCSMガスを供給するステップと、ウエハ200に対してプラズマ励起させたTMBガスを供給するステップと、ウエハ200に対してプラズマ励起させたNH3ガスを供給するステップと、を非同時に行うサイクルを所定回数行うようにしてもよい。処理手順、処理条件は、例えば、図4を用いて説明した上述の成膜シーケンスや変形例8と同様な処理手順、処理条件とすることができる。本変形例によれば、ウエハ200上に、ボラジン環骨格を含むSiBCN膜を形成することができる。本変形例においても、上述の実施形態や変形例8と同様の効果を得ることができる。また、プラズマ励起させたNH3ガスを供給するステップを行うことで、変形例8よりも、最終的に形成されるSiBCN膜をN濃度の高い膜とすることができる。
ウエハ200に対してBTCSMガスを供給するステップと、ウエハ200に対して熱励起させたTMBガスを供給するステップと、ウエハ200に対してプラズマ励起させたNH3ガスを供給するステップと、を非同時に行うサイクルを所定回数行うようにしてもよい。TMBガスは、ガス供給管232cから供給することができる。処理手順、処理条件は、例えば、図4を用いて説明した上述の成膜シーケンスや変形例8と同様な処理手順、処理条件とすることができる。本変形例によれば、ウエハ200上に、ボラジン環骨格を含むSiBCN膜を形成することができる。本変形例においても、上述の実施形態や変形例8,9と同様の効果を得ることができる。また、TMBガスを熱励起させて供給することで、第1の固体層からのCの脱離を抑制することができ、TMBガスをプラズマ励起させて供給する変形例9よりも、最終的に形成されるSiBCN膜をC濃度の高い膜とすることができる。
ウエハ200に対してBTCSMガスを供給するステップと、ウエハ200に対してプラズマ励起させたTMBガスを供給するステップと、ウエハ200に対して熱励起させたNH3ガスを供給するステップと、を非同時に行うサイクルを所定回数行うようにしてもよい。NH3ガスは、ガス供給管232cから供給することができる。処理手順、処理条件は、例えば、図4を用いて説明した上述の成膜シーケンスや変形例8と同様な処理手順、処理条件とすることができる。本変形例によれば、ウエハ200上に、ボラジン環骨格を含むSiBCN膜を形成することができる。本変形例においても、上述の実施形態や変形例8〜10と同様の効果を得ることができる。また、NH3ガスを熱励起させて供給することで、TMBガスが供給されることで改質された第1の固体層、すなわち、ボラジン環骨格を有しSi、B、CおよびNを含む固体の層からのCの脱離を抑制することができ、NH3ガスをプラズマ励起させて供給する変形例9よりも、最終的に形成されるSiBCN膜をC濃度の高い膜とすることができる。
上述の実施形態や変形例による成膜処理を交互に行うことで、ウエハ200上に、複数種の膜が交互に積層されてなる積層膜を形成するようにしてもよい。
ウエハ200に対してBTCSMガスを供給するステップと、ウエハ200に対してプラズマ励起させたNH3ガスを供給するステップと、を非同時に行うセットを所定回数(m1回)行うことで、第1の膜としてSiCN膜を形成するステップと、
ウエハ200に対してBTCSMガスを供給するステップと、ウエハ200に対してプラズマ励起させたNH3ガスを供給するステップと、ウエハ200に対してプラズマ励起させたO2ガスを供給するステップと、を非同時に行うセットを所定回数(m2)行うことで、第2の膜としてSiOCN膜を形成するステップと、
を非同時に行うサイクルを所定回数(n回)行うことで、ウエハ200上に第1の膜と第2の膜とがナノレベルで交互に積層されてなる積層膜(SiOCN膜)を形成するようにしてもよい(変形例12)。なお、図8は、各セットの実施回数(m1回、m2回)をそれぞれ2回とする例を示している。
ウエハ200に対してBTCSMガスを供給するステップと、ウエハ200に対してプラズマ励起させたO2ガスを供給するステップと、を非同時に行うセットを所定回数(m2)行うことで、第2の膜としてSiOC膜を形成するステップと、
を非同時に行うサイクルを所定回数(n回)行うことで、ウエハ200上に第1の膜と第2の膜とがナノレベルで交互に積層されてなる積層膜(SiOCN膜)を形成するようにしてもよい(変形例13)。
ウエハ200に対してBTCSMガスを供給するステップと、ウエハ200に対してプラズマ励起させたO2ガスを供給するステップと、を非同時に行うセットを所定回数(m2)行うことで、第2の膜としてSiOC膜を形成するステップと、
を非同時に行うサイクルを所定回数(n回)行うことで、ウエハ200上に第1の膜と第2の膜とがナノレベルで交互に積層されてなる積層膜(SiOCN膜)を形成するようにしてもよい(変形例14)。
ウエハ200に対してBTCSMガスを供給するステップと、ウエハ200に対してプラズマ励起させたBCl3ガスを供給するステップと、ウエハ200に対してプラズマ励起させたNH3ガスを供給するステップと、を非同時に行うセットを所定回数(m2)行うことで、第2の膜としてSiBCN膜を形成するステップと、
を非同時に行うサイクルを所定回数(n回)行うことで、ウエハ200上に第1の膜と第2の膜とがナノレベルで交互に積層されてなる積層膜(SiBCN膜)を形成するようにしてもよい(変形例15)。
ウエハ200に対してBTCSMガスを供給するステップと、ウエハ200に対してプラズマ励起させたTMBガスを供給するステップと、を非同時に行うセットを所定回数(m2)行うことで、第2の膜としてボラジン環骨格を含むSiBCN膜を形成するステップと、
を非同時に行うサイクルを所定回数(n回)行うことで、ウエハ200上に第1の膜と第2の膜とがナノレベルで交互に積層されてなる積層膜(ボラジン環骨格を含むSiBCN膜)を形成するようにしてもよい(変形例16)。
上述の実施形態や各変形例では、NH3ガスの代わりに、TEAガスのようなNおよびCを含むガスを用いるようにしてもよい。TEAガスの供給流量は、例えば100〜10000sccmの範囲内の流量とすることができる。その他の処理手順、処理条件は、例えば、図4を用いて説明した上述の成膜シーケンスや各変形例と同様な処理手順、処理条件とすることができる。本変形例においても、上述の実施形態や各変形例と同様の効果が得られる。また、1サイクル中に2種類のCソース(ダブルカーボンソース)を用いて成膜を行うことで、最終的に形成する膜を、図4に示す成膜シーケンスや各変形例で形成される膜よりも、C濃度のさらに高い膜とすることが可能となる。すなわち、組成比制御のウインドウを広げることが可能となる。
リアクタントを供給する際は、プラズマ励起させたリアクタントを供給する代わりに、プラズマ励起させた不活性ガスおよびプラズマ励起させていないリアクタントを供給するようにしてもよい。
図9に示すように、プラズマ励起させたリアクタントを供給する際に、リアクタントを間欠的にプラズマ励起させるようにしてもよい。例えば、図4に示す成膜シーケンスのステップ2において、棒状電極269,270間への高周波電力の供給を連続的に行うのではなく、間欠的に所定回数行うことで、NH3ガスをプラズマ励起させるようにしてもよい。なお、図9は、NH3を供給するステップ2において、棒状電極269,270間への高周波電力の供給を間欠的に3回行う例を示している。
変形例18,19を組み合わせてもよい。すなわち、プラズマ励起させた不活性ガスおよびプラズマ励起させていないリアクタントを供給する際に、不活性ガスを間欠的にプラズマ励起させるようにしてもよい。例えば、図4に示す成膜シーケンスのステップ2において、ガス供給管232cからNH3ガスを供給し、この際、ガス供給管232fからN2ガスを供給すると共に、棒状電極269,270間への高周波電力の供給を間欠的に所定回数行うことで、NH3ガスを間接的、かつ、間欠的に励起させるようにしてもよい。
図4に示す成膜シーケンスや上述の各変形例では、リアクタントとしてのC3H6ガスを、BTCSMガス等の原料や、NH3ガス、O2ガス、TEAガス、BCl3ガス、TMBガス等のリアクタントと同時に供給するようにしてもよい。すなわち、C3H6ガスを供給するステップを、原料を供給するステップ、および、C3H6ガス以外のリアクタントを供給するステップのうち少なくともいずれかのステップと同時に行うようにしてもよい。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
基板に対して、第1の元素と炭素との化学結合を有する原料が熱分解すると共に、前記原料に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の少なくとも一部が切断されることなく保持される条件下で、前記原料を供給することで、1原子層を超え数原子層以下の厚さを有し前記第1の元素と炭素との化学結合を含む第1の固体層を形成する工程と、
前記基板に対して、プラズマ励起させた第2の元素を含むリアクタントを供給するか、もしくは、プラズマ励起させた不活性ガスおよびプラズマ励起させていない第2の元素を含むリアクタントを供給することで、前記第1の固体層を改質して、第2の固体層を形成する工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素および炭素を含む膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法、および、基板処理方法が提供される。
付記1に記載の方法であって、好ましくは、
前記第1の固体層を形成する工程では、前記原料に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の少なくとも一部を切断することなく保持したまま前記第1の固体層中に取り込ませる。
付記1または2に記載の方法であって、好ましくは、
前記第1の固体層を形成する工程では、前記第1の固体層中に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の数が、前記原料の化学吸着を生じさせた場合に形成される前記原料の化学吸着層に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の数よりも多くなるように、前記第1の固体層を形成する。
付記1乃至3のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第1の固体層を形成する工程では、前記第1の固体層中に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の数が、前記原料の化学吸着を生じさせた場合に前記原料の化学吸着が飽和する(前記原料の化学吸着にセルフリミットがかかる)ことで形成される前記原料の化学吸着層に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の数よりも多くなるように、前記第1の固体層を形成する。
付記1乃至4のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第1の固体層を形成する工程では、前記原料の化学吸着を生じさせた場合に前記原料の化学吸着が飽和することで形成される前記原料の化学吸着層よりも厚くなるように、前記第1の固体層を形成する。
付記1乃至5のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第1の固体層は、数原子層の厚さを有する。
付記1乃至6のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第1の固体層は、前記第1の元素および炭素が堆積されてなる堆積層である。
付記1乃至7のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第1の固体層を形成する工程は、気相反応(CVD反応)が生じる条件下で行われる。
付記1乃至8のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第1の固体層を形成する工程では、前記原料を前記基板が存在する空間(処理室)内へ供給しつつ前記空間内から排気し、その際、前記原料の前記空間内からの排気レートを前記原料の前記空間内への供給レートよりも小さくした状態を維持する。
付記1乃至9のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第2の固体層を形成する工程では、前記第1の固体層中に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の少なくとも一部が切断されることなく保持される条件下で、前記基板に対して、前記リアクタントを供給する。
付記1乃至10のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第2の固体層を形成する工程では、前記第1の固体層中に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の少なくとも一部を切断することなく保持したまま前記改質を行う。
付記1乃至11のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第2の固体層を形成する工程では、プラズマ励起させた前記リアクタントを供給する際に、前記リアクタントを間欠的にプラズマ励起させる。
付記1乃至11のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第2の固体層を形成する工程では、プラズマ励起させた不活性ガスおよびプラズマ励起させていない前記リアクタントを供給する際に、不活性ガスを間欠的にプラズマ励起させる。
付記1乃至13のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記サイクルは、さらに、前記基板に対して、第3の元素を含むリアクタントを供給する工程を含み、
前記サイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素、前記第3の元素および炭素を含む膜を形成する。
付記1乃至14のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記サイクルは、さらに、前記基板に対して、第3の元素を含むリアクタントを供給し、前記第2の固体層を改質して、第3の固体層を形成する工程を、上記各工程と非同時に行うことを含み、
前記サイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素、前記第3の元素および炭素を含む膜を形成する。
付記1乃至15のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記原料は、前記第1の元素、炭素およびハロゲン元素を含む。
付記1乃至16のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記原料は、1分子中(その化学構造式中)に前記第1の元素と炭素との化学結合を少なくとも2つ有する。
付記1乃至17のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記リアクタントは、窒素含有ガス(窒化ガス、窒化水素系ガス)、炭素含有ガス(炭化水素系ガス)、窒素および炭素を含むガス(アミン系ガス、有機ヒドラジン系ガス)、酸素含有ガス(酸化ガス)、硼素含有ガス(ボラン系ガス)、および、硼素、窒素および炭素を含むガス(ボラジン系ガス)からなる群より選択される少なくとも1つを含む。
本発明の他の態様によれば、
基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板に対して第1の元素と炭素との化学結合を有する原料を供給する原料供給系と、
前記処理室内の基板に対して第2の元素を含むリアクタントを供給するリアクタント供給系と、
前記処理室内の基板に対して不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、
前記処理室内の基板を加熱するヒータと、
ガスをプラズマ励起させる励起部と、
前記処理室内の基板に対して、前記原料が熱分解すると共に、前記原料に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の少なくとも一部が切断されることなく保持される条件下で、前記原料を供給することで、1原子層を超え数原子層以下の厚さを有し前記第1の元素と炭素との化学結合を含む第1の固体層を形成する処理と、前記処理室内の前記基板に対して、プラズマ励起させた前記リアクタントを供給するか、もしくは、プラズマ励起させた不活性ガスおよびプラズマ励起させていない前記リアクタントを供給することで、前記第1の固体層を改質して、第2の固体層を形成する処理と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素および炭素を含む膜を形成する処理を行わせるように、前記原料供給系、前記リアクタント供給系、前記不活性ガス供給系および前記ヒータを制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
処理室内の基板に対して、第1の元素と炭素との化学結合を有する原料が熱分解すると共に、前記原料に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の少なくとも一部が切断されることなく保持される条件下で、前記原料を供給することで、1原子層を超え数原子層以下の厚さを有し前記第1の元素と炭素との化学結合を含む第1の固体層を形成する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して、プラズマ励起させた第2の元素を含むリアクタントを供給するか、もしくは、プラズマ励起させた不活性ガスおよびプラズマ励起させていない第2の元素を含むリアクタントを供給することで、前記第1の固体層を改質して、第2の固体層を形成する手順と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素および炭素を含む膜を形成する手順をコンピュータに実行させるプログラム、および、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
200 ウエハ
201 処理室
202 処理炉
203 反応管
207 ヒータ
231 排気管
232a〜232f ガス供給管
Claims (16)
- 基板に対して、第1の元素と炭素との化学結合を有しハロゲン元素を含む原料が熱分解すると共に、前記原料に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の少なくとも一部が切断されることなく保持される条件下で、前記原料を供給することで、1原子層を超え数原子層以下の厚さを有し前記第1の元素と炭素との化学結合を含む第1の固体層を形成する工程と、
前記基板に対して、プラズマ励起させた第2の元素を含むリアクタントを供給するか、もしくは、プラズマ励起させた不活性ガスおよびプラズマ励起させていない第2の元素を含むリアクタントを供給することで、前記第1の固体層を改質して、第2の固体層を形成する工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素および炭素を含む膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 基板に対して、第1の元素と炭素との化学結合を有する原料が熱分解すると共に、前記原料に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の少なくとも一部が切断されることなく保持される条件下で、前記原料を供給することで、1原子層を超え数原子層以下の厚さを有し前記第1の元素と炭素との化学結合を含む第1の固体層を形成する工程と、
前記基板に対して、プラズマ励起させた不活性ガスおよびプラズマ励起させていない第2の元素を含むリアクタントを供給することで、前記第1の固体層を改質して、第2の固体層を形成する工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素および炭素を含む膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 前記第1の固体層を形成する工程では、前記原料に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の少なくとも一部を切断することなく保持したまま前記第1の固体層中に取り込ませる請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の固体層を形成する工程では、前記第1の固体層中に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の数が、前記原料の化学吸着を生じさせた場合に前記原料の化学吸着が飽和することで形成される前記原料の化学吸着層に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の数よりも多くなるように、前記第1の固体層を形成する請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の固体層を形成する工程では、前記原料の化学吸着を生じさせた場合に前記原料の化学吸着が飽和することで形成される前記原料の化学吸着層よりも厚くなるように、前記第1の固体層を形成する請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の固体層を形成する工程では、前記原料を前記基板が存在する空間内へ供給しつつ前記空間内から排気し、その際、前記原料の前記空間内からの排気レートを前記原料の前記空間内への供給レートよりも小さくした状態を維持する請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の固体層を形成する工程では、前記第1の固体層中に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の少なくとも一部が切断されることなく保持される条件下で、前記基板に対して、前記リアクタントを供給する請求項1乃至6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の固体層を形成する工程では、プラズマ励起させた前記リアクタントを供給する際に、前記リアクタントを間欠的にプラズマ励起させる請求項1乃至7のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の固体層を形成する工程では、プラズマ励起させた不活性ガスおよびプラズマ励起させていない前記リアクタントを供給する際に、不活性ガスを間欠的にプラズマ励起させる請求項1乃至8のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記サイクルは、さらに、前記基板に対して、第3の元素を含むリアクタントを供給する工程を含み、
前記サイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素、前記第3の元素および炭素を含む膜を形成する請求項1乃至9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記サイクルは、さらに、前記基板に対して、第3の元素を含むリアクタントを供給し、前記第2の固体層を改質して、第3の固体層を形成する工程を、上記各工程と非同時に行うことを含み、
前記サイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素、前記第3の元素および炭素を含む膜を形成する請求項1乃至10のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記原料は、1分子中に前記第1の元素と炭素との化学結合を少なくとも2つ有する請求項1乃至11のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記リアクタントは、窒素含有ガス、炭素含有ガス、窒素および炭素を含むガス、酸素含有ガス、硼素含有ガス、および、硼素、窒素および炭素を含むガスからなる群より選択される少なくとも1つを含む請求項1乃至12のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板に対して第1の元素と炭素との化学結合を有しハロゲン元素を含む原料を供給する原料供給系と、
前記処理室内の基板に対して第2の元素を含むリアクタントを供給するリアクタント供給系と、
前記処理室内の基板に対して不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、
前記処理室内の基板を加熱するヒータと、
ガスをプラズマ励起させる励起部と、
前記処理室内の基板に対して、前記原料が熱分解すると共に、前記原料に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の少なくとも一部が切断されることなく保持される条件下で、前記原料を供給することで、1原子層を超え数原子層以下の厚さを有し前記第1の元素と炭素との化学結合を含む第1の固体層を形成する処理と、前記処理室内の前記基板に対して、プラズマ励起させた前記リアクタントを供給するか、もしくは、プラズマ励起させた不活性ガスおよびプラズマ励起させていない前記リアクタントを供給することで、前記第1の固体層を改質して、第2の固体層を形成する処理と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素および炭素を含む膜を形成する処理を行わせるように、前記原料供給系、前記リアクタント供給系、前記不活性ガス供給系および前記ヒータを制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板に対して、第1の元素と炭素との化学結合を有しハロゲン元素を含む原料が熱分解すると共に、前記原料に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の少なくとも一部が切断されることなく保持される条件下で、前記原料を供給することで、1原子層を超え数原子層以下の厚さを有し前記第1の元素と炭素との化学結合を含む第1の固体層を形成する手順と、
前記基板に対して、プラズマ励起させた第2の元素を含むリアクタントを供給するか、もしくは、プラズマ励起させた不活性ガスおよびプラズマ励起させていない第2の元素を含むリアクタントを供給することで、前記第1の固体層を改質して、第2の固体層を形成する手順と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素および炭素を含む膜を形成する手順をコンピュータに実行させるプログラム。 - 基板に対して、第1の元素と炭素との化学結合を有しハロゲン元素を含む原料が熱分解すると共に、前記原料に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の少なくとも一部が切断されることなく保持される条件下で、前記原料を供給することで、1原子層を超え数原子層以下の厚さを有し前記第1の元素と炭素との化学結合を含む第1の固体層を形成する手順と、
前記基板に対して、プラズマ励起させた第2の元素を含むリアクタントを供給するか、もしくは、プラズマ励起させた不活性ガスおよびプラズマ励起させていない第2の元素を含むリアクタントを供給することで、前記第1の固体層を改質して、第2の固体層を形成する手順と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素および炭素を含む膜を形成する手順をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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