JP5886381B2 - 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラムおよび記録媒体 - Google Patents
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Description
基板に対して第1の元素同士の化学結合を有する第1の原料を供給する工程と、
前記基板に対して前記第1の元素同士の化学結合を有さず前記第1の元素と炭素との化学結合を有する第2の原料を供給する工程と、
前記基板に対して第2の元素を含むリアクタントを供給する工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素および炭素を含む膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。
以下、本発明の一実施形態について、主に図1〜図3を用いて説明する。
図1に示すように、処理炉202は加熱手段(加熱機構)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース(図示せず)に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、後述するようにガスを熱で励起(活性化)させる励起部(活性化機構)としても機能する。
上述の基板処理装置を用い、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、基板上に膜を形成するシーケンス例について、図4を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
基板としてのウエハ200に対してSi−Si結合を有する第1の原料としてHCDSガスを供給するステップと、
ウエハ200に対してSi−Si結合を有さずSi−C結合を有する第2の原料としてBTCSMガスを供給するステップと、
ウエハ200に対してリアクタントとしてNH3ガスを供給するステップと、
を非同時に、すなわち、同期させることなく行うサイクルを所定回数(1回以上)行うことで、ウエハ200上に、Si、CおよびNを含む膜として、Cを含むシリコン窒化膜(SiN膜)を形成する。Cを含むSiN膜を、Cが添加(ドープ)されたSiN膜、C−doped SiN膜、C含有SiN膜、或いは、単にSiCN膜ともいう。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)される。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220を介して反応管203の下端をシールした状態となる。
処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される。真空ポンプ246は、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。また、処理室201内のウエハ200が所望の温度となるようにヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される。ヒータ207による処理室201内の加熱は、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。また、回転機構267によるボート217およびウエハ200の回転を開始する。回転機構267によるボート217およびウエハ200の回転は、少なくとも、ウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
その後、次の3つのステップ、すなわち、ステップ1〜3を順次実行する。
(HCDSガス供給)
このステップでは、処理室201内のウエハ200に対し、HCDSガスを供給する。
シード層が形成された後、バルブ243aを閉じ、HCDSガスの供給を停止する。このとき、APCバルブ244は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはシード層の形成に寄与した後のHCDSガスを処理室201内から排除する。このとき、バルブ243e〜243gは開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留するガスを処理室201内から排除する効果を高めることができる。
(BTCSMガス供給)
ステップ1が終了した後、処理室201内のウエハ200に対し、BTCSMガスを供給する。
第1の層が形成された後、バルブ243bを閉じ、BTCSMガスの供給を停止する。そして、ステップ1と同様の処理手順により、処理室201内に残留する未反応もしくは第1の層の形成に寄与した後のBTCSMガスや反応副生成物を処理室201内から排除する。このとき、処理室201内に残留するガス等を完全に排除しなくてもよい点は、ステップ1と同様である。
(NH3ガス供給)
ステップ2が終了した後、処理室201内のウエハ200に対し、熱で活性化させたNH3ガスを供給する。
第2の層が形成された後、バルブ243cを閉じ、NH3ガスの供給を停止する。そして、ステップ1と同様の処理手順により、処理室201内に残留する未反応もしくは第2の層の形成に寄与した後のNH3ガスや反応副生成物を処理室201内から排除する。このとき、処理室201内に残留するガス等を完全に排除しなくてもよい点は、ステップ1と同様である。
上述したステップ1〜3を非同時に行うサイクルを1回以上(所定回数)行うことにより、ウエハ200上に、所定組成および所定膜厚のSiCN膜を形成することができる。上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。すなわち、1サイクルあたりに形成されるSiCN層の厚さを所望の膜厚よりも小さくし、上述のサイクルを所望の膜厚になるまで複数回繰り返すのが好ましい。
バルブ243e〜243gを開き、ガス供給管232e〜232gのそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。N2ガスはパージガスとして作用する。これにより、処理室201内がパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物が処理室201内から除去される(パージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降され、反応管203の下端が開口される。そして、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態で、反応管203の下端から反応管203の外部に搬出される(ボートアンロード)。処理済のウエハ200は、ボート217より取出される(ウエハディスチャージ)。
本実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果を得ることができる。
本実施形態における成膜シーケンスは、図4に示す態様に限定されず、以下に示す変形例のように変更することができる。
例えば、以下に示す成膜シーケンスにより、ウエハ200上に、Si、CおよびNを含む膜として、シリコン炭窒化膜(SiCN膜)、すなわち、C含有SiN膜を形成するようにしてもよい。本変形例によっても、図4に示す成膜シーケンスと同様の効果を得ることができる。
また例えば、以下に示す成膜シーケンスにより、ウエハ200上に、Si、O、CおよびNを含む膜としてシリコン酸炭窒化膜(SiOCN膜)、すなわち、C含有SiON膜を形成するようにしてもよい。本変形例によっても、図4に示す成膜シーケンスと同様の効果を得ることができる。図6は、変形例2におけるガス供給のタイミングを示す図である。
また例えば、以下に示す成膜シーケンスにより、ウエハ200上に、SiOCN膜を形成するようにしてもよく、また、Si、OおよびCを含む膜としてシリコン酸炭化膜(SiOC膜)を形成するようにしてもよい。すなわち、ウエハ200上に、C含有SiON膜、または、C含有SiO膜を形成するようにしてもよい。本変形例によっても、図4に示す成膜シーケンスと同様の効果を得ることができる。
また例えば、以下に示す成膜シーケンスにより、ウエハ200上に、SiOC膜、すなわち、C含有SiO膜を形成するようにしてもよい。本変形例によっても、図4に示す成膜シーケンスと同様の効果を得ることができる。
また例えば、以下に示す成膜シーケンスにより、ウエハ200上に、Si、B、CおよびNを含む膜として、シリコン硼炭窒化膜(SiBCN膜)、すなわち、C含有SiBN膜を形成するようにしてもよい。これらの変形例によっても、図4に示す成膜シーケンスと同様の効果を得ることができる。図7は、変形例5におけるガス供給のタイミングを示す図である。
また例えば、以下に示す成膜シーケンスにより、ウエハ200上に、ボラジン環骨格を含むSiBCN膜、すなわち、ボラジン環骨格を含むC含有SiBN膜を形成するようにしてもよい。これらの変形例によっても、図4に示す成膜シーケンスと同様の効果を得ることができる。
また例えば、以下に示す成膜シーケンスにより、ウエハ200上に、第1の膜と第2の膜とがナノレベルで交互に積層されてなる積層膜、すなわち、ナノラミネート膜を形成するようにしてもよい。以下、第1の膜と第2の膜との積層膜を、「第1の膜/第2の膜」と表記する。これらの変形例によっても、図4に示す成膜シーケンスと同様の効果を得ることができる。図8は、変形例9におけるガス供給のタイミングを示す図である。
図4に示す成膜シーケンスや上述の各変形例では、C3H6ガス等のC含有ガスを、HCDSガス、BTCSMガス等の原料や、NH3ガス、O2ガス、TEAガス、BCl3ガス、TMBガス等のリアクタントと同時に供給するようにしてもよい。すなわち、C3H6ガスを供給するステップを、原料を供給するステップ、および、C3H6ガス以外のリアクタントを供給するステップのうち少なくともいずれかのステップと同時に行うようにしてもよい。図9は、図4に示す成膜シーケンスにおいて、C3H6ガスを供給するステップを、NH3ガスを供給するステップと同時に行う例を示している。
図4に示す成膜シーケンスや上述の各変形例では、NH3ガスやO2ガス等のリアクタントを、プラズマにより活性化して供給するようにしてもよい。この場合、ガス供給管232c、ノズル249c、バッファ室237を介して処理室201内にリアクタントを供給する際に、棒状電極269,270間に高周波電力を供給すればよい。上述したように、第1の層をCの脱離確率が小さい層とすることで、プラズマ励起させたリアクタントを用いる場合であっても、層中からのCの脱離を抑制することができ、図4に示す成膜シーケンスと同様の効果が得られる。図10は、変形例15におけるガス供給およびプラズマパワー供給のタイミングを示す図である。
上述の変形例において、ウエハ200に対してTEAガスを供給するステップでは、MFC241bで制御するTEAガスの供給流量を、例えば100〜10000sccmの範囲内の流量とする。その他の処理条件は、例えば、図4に示す成膜シーケンスのステップ3と同様の処理条件とする。NおよびCを含むガスとしては、TEAガスの他、例えば、ジエチルアミン((C2H5)2NH、略称:DEA)ガス、モノエチルアミン(C2H5NH2、略称:MEA)ガス等のエチルアミン系ガスや、トリメチルアミン((CH3)3N、略称:TMA)ガス、ジメチルアミン((CH3)2NH、略称:DMA)ガス、モノメチルアミン(CH3NH2、略称:MMA)ガス等のメチルアミン系ガス等を用いることができる。また、NおよびCを含むガスとしては、アミン系ガスの他、例えば、有機ヒドラジン系ガスを用いることができる。有機ヒドラジン系ガスとしては、例えば、モノメチルヒドラジン((CH3)HN2H2、略称:MMH)ガス、ジメチルヒドラジン((CH3)2N2H2、略称:DMH)ガス、トリメチルヒドラジン((CH3)2N2(CH3)H、略称:TMH)ガス等のメチルヒドラジン系ガスや、エチルヒドラジン((C2H5)HN2H2、略称:EH)ガス等のエチルヒドラジン系ガスを用いることができる。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
基板に対して第1の元素同士の化学結合を有する第1の原料を供給する工程と、
前記基板に対して前記第1の元素同士の化学結合を有さず前記第1の元素と炭素との化学結合を有する第2の原料を供給する工程と、
前記基板に対して第2の元素を含むリアクタントを供給する工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素および炭素を含む膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法、および、基板処理方法が提供される。
付記1に記載の方法であって、好ましくは、
前記第1の原料を供給する工程では、前記第1の元素を含むシード層を形成する。
付記2に記載の方法であって、好ましくは、
前記第2の原料を供給する工程では、前記シード層の上に前記第1の元素と炭素とを含む第1の層を形成する。
付記3に記載の方法であって、好ましくは、
前記リアクタントを供給する工程では、前記シード層および前記第1の層を改質して、前記第1の元素、前記第2の元素および炭素を含む第2の層を形成する。
付記1乃至4のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記サイクルは、前記第2の原料に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の少なくとも一部が保持される条件下で、所定回数行われる。
付記3に記載の方法であって、好ましくは、
前記第2の原料を供給する工程は、前記第2の原料に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の少なくとも一部が切断されることなく保持される条件下で行われる。すなわち、前記第2の原料を供給する工程では、前記第2の原料に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の少なくとも一部を切断することなく保持したまま前記第1の層中に取り込ませる。
付記4に記載の方法であって、好ましくは、
前記リアクタントを供給する工程は、前記第1の層中に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の少なくとも一部が切断されることなく保持される条件下で行われる。すなわち、前記リアクタントを供給する工程では、前記第1の層中に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の少なくとも一部を切断することなく保持したまま前記改質を行う。
付記1乃至7のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記サイクルは、前記第2の原料が熱分解すると共に前記第2の原料に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の少なくとも一部が保持される条件下で、所定回数行われる。
付記1乃至8のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第1の原料を供給する工程と、前記第2の原料を供給する工程と、の間に、前記基板が存在する空間(処理室)内をパージする工程を行う。すなわち、前記第1の原料と前記第2の原料とを前記基板が存在する空間内において非混合とする。
付記1乃至9のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第1の原料の供給量を、前記第2の原料の供給量よりも多くする。
付記1乃至10のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第1の原料の供給流量を、前記第2の原料の供給流量よりも多くする。
付記1乃至11のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第1の原料の供給時間を、前記第2の原料の供給時間よりも長くする。
付記1乃至12のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記サイクルは、さらに、前記基板に対して第3の元素を含むリアクタントを供給する工程を含み、
前記サイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素、前記第3の元素および炭素を含む膜を形成する。
付記1乃至13のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第1の原料は、前記第1の元素同士の化学結合と、前記第1の元素と炭素との化学結合と、を有する。この場合、前記第1の原料を供給する工程では、前記第1の元素および炭素を含むシード層を形成する。
付記1乃至14のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第1の原料は、前記第1の元素、炭素およびハロゲン元素を含む。
付記1乃至15のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第2の原料は、前記第1の元素、炭素およびハロゲン元素を含む。
付記1乃至16のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第2の原料は、1分子中(その化学構造式中)に前記第1の元素と炭素との化学結合を少なくとも2つ有する。
付記1乃至17のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記リアクタントは、窒素含有ガス(窒化ガス、窒化水素系ガス)、炭素含有ガス(炭化水素系ガス)、窒素および炭素を含むガス(アミン系ガス、有機ヒドラジン系ガス)、酸素含有ガス(酸化ガス)、硼素含有ガス(ボラン系ガス)、および、硼素、窒素および炭素を含むガス(ボラジン系ガス)からなる群より選択される少なくとも1つを含む。
本発明の他の態様によれば、
基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板に対して第1の元素同士の化学結合を有する第1の原料を供給する第1原料供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記第1の元素同士の化学結合を有さず前記第1の元素と炭素との化学結合を有する第2の原料を供給する第2原料供給系と、
前記処理室内の基板に対して第2の元素を含むリアクタントを供給するリアクタント供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記第1の原料を供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記第2の原料を供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記リアクタントを供給する処理と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素および炭素を含む膜を形成する処理を行わせるように、前記第1原料供給系、前記第2原料供給系、および前記リアクタント供給系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
処理室内の基板に対して第1の元素同士の化学結合を有する第1の原料を供給する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して前記第1の元素同士の化学結合を有さず前記第1の元素と炭素との化学結合を有する第2の原料を供給する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して第2の元素を含むリアクタントを供給する手順と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素および炭素を含む膜を形成する手順をコンピュータに実行させるプログラム、および、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
200 ウエハ
201 処理室
202 処理炉
203 反応管
207 ヒータ
231 排気管
232a〜232g ガス供給管
Claims (17)
- 基板に対して第1の元素同士の化学結合を有する第1の原料を供給する工程と、
前記基板に対して前記第1の元素同士の化学結合を有さず前記第1の元素と炭素との化学結合を有し、前記第1の原料よりも吸着性の低い第2の原料を供給する工程と、
前記基板に対して第2の元素を含むリアクタントを供給する工程と、
をこの順に非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素および炭素を含む膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 基板に対して第1の元素同士の化学結合と、前記第1の元素と炭素との化学結合と、を有する第1の原料を供給する工程と、
前記基板に対して前記第1の元素同士の化学結合を有さず前記第1の元素と炭素との化学結合を有する第2の原料を供給する工程と、
前記基板に対して第2の元素を含むリアクタントを供給する工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素および炭素を含む膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 前記第1の原料を供給する工程では、前記第1の元素を含むシード層を形成する請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の原料を供給する工程では、前記シード層の上に前記第1の元素と炭素とを含む第1の層を形成する請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記リアクタントを供給する工程では、前記シード層および前記第1の層を改質して、前記第1の元素、前記第2の元素および炭素を含む第2の層を形成する請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の原料を供給する工程は、前記第2の原料に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の少なくとも一部が切断されることなく保持される条件下で行われる請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記リアクタントを供給する工程は、前記第1の層中に含まれる前記第1の元素と炭素との化学結合の少なくとも一部が切断されることなく保持される条件下で行われる請求項4または5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の原料を供給する工程と、前記第2の原料を供給する工程と、の間に、前記基板が存在する空間をパージする工程を行う請求項1乃至7のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の原料の供給量を、前記第2の原料の供給量よりも多くする請求項1乃至8のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記サイクルは、さらに、前記基板に対して第3の元素を含むリアクタントを供給する工程を含み、
前記サイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素、前記第3の元素および炭素を含む膜を形成する請求項1乃至9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記リアクタントは、窒素含有ガス、炭素含有ガス、窒素および炭素を含むガス、酸素含有ガス、硼素含有ガス、および、硼素、窒素および炭素を含むガスからなる群より選択される少なくとも1つを含む請求項1乃至10のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板に対して第1の元素同士の化学結合を有する第1の原料を供給する第1原料供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記第1の元素同士の化学結合を有さず前記第1の元素と炭素との化学結合を有し、前記第1の原料よりも吸着性の低い第2の原料を供給する第2原料供給系と、
前記処理室内の基板に対して第2の元素を含むリアクタントを供給するリアクタント供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記第1の原料を供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記第2の原料を供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記リアクタントを供給する処理と、をこの順に非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素および炭素を含む膜を形成する処理を行わせるように、前記第1原料供給系、前記第2原料供給系、および前記リアクタント供給系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板に対して第1の元素同士の化学結合と、前記第1の元素と炭素との化学結合と、を有する第1の原料を供給する第1原料供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記第1の元素同士の化学結合を有さず前記第1の元素と炭素との化学結合を有する第2の原料を供給する第2原料供給系と、
前記処理室内の基板に対して第2の元素を含むリアクタントを供給するリアクタント供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記第1の原料を供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記第2の原料を供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記リアクタントを供給する処理と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素および炭素を含む膜を形成する処理を行わせるように、前記第1原料供給系、前記第2原料供給系、および前記リアクタント供給系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板に対して第1の元素同士の化学結合を有する第1の原料を供給する手順と、
前記基板に対して前記第1の元素同士の化学結合を有さず前記第1の元素と炭素との化学結合を有し、前記第1の原料よりも吸着性の低い第2の原料を供給する手順と、
前記基板に対して第2の元素を含むリアクタントを供給する手順と、
をこの順に非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素および炭素を含む膜を形成する手順をコンピュータに実行させるプログラム。 - 基板に対して第1の元素同士の化学結合と、前記第1の元素と炭素との化学結合と、を有する第1の原料を供給する手順と、
前記基板に対して前記第1の元素同士の化学結合を有さず前記第1の元素と炭素との化学結合を有する第2の原料を供給する手順と、
前記基板に対して第2の元素を含むリアクタントを供給する手順と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素および炭素を含む膜を形成する手順をコンピュータに実行させるプログラム。 - 基板に対して第1の元素同士の化学結合を有する第1の原料を供給する手順と、
前記基板に対して前記第1の元素同士の化学結合を有さず前記第1の元素と炭素との化学結合を有し、前記第1の原料よりも吸着性の低い第2の原料を供給する手順と、
前記基板に対して第2の元素を含むリアクタントを供給する手順と、
をこの順に非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素および炭素を含む膜を形成する手順をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。 - 基板に対して第1の元素同士の化学結合と、前記第1の元素と炭素との化学結合と、を有する第1の原料を供給する手順と、
前記基板に対して前記第1の元素同士の化学結合を有さず前記第1の元素と炭素との化学結合を有する第2の原料を供給する手順と、
前記基板に対して第2の元素を含むリアクタントを供給する手順と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の元素、前記第2の元素および炭素を含む膜を形成する手順をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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