JP6192147B2 - 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents
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Description
基板に対して成膜ガスを供給し、前記基板上に第1の元素および炭素を含むベース膜を形成する工程と、
前記基板に対して酸化ガスを供給し、前記ベース膜を酸化させて、前記ベース膜を前記第1の元素を含む炭素非含有の酸化膜に改質する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
以下、本発明の一実施形態について、主に図1〜図3を用いて説明する。
図1に示すように、処理炉202は加熱手段(加熱機構)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース(図示せず)に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、後述するようにガスを熱で励起(活性化)させる励起部(活性化機構)としても機能する。
上述の基板処理装置を用い、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、基板上に膜を形成するシーケンス例について、図4を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
基板としてのウエハ200に対して成膜ガスとしてHCDSガス、TEAガスおよびO2ガスを供給し、ウエハ200上に、SiおよびCを含むベース膜として、シリコン酸炭窒化膜(SiOCN膜)、又は、シリコン酸炭化膜(SiOC膜)を形成するステップと、
ウエハ200に対して酸化ガスとしてO2ガスおよびH2ガスを供給し、ベース膜を酸化させて、ベース膜をSiを含むC非含有の酸化膜、すなわち、シリコン酸化膜(SiO膜)に改質するステップと、を行う。
処理室201内のウエハ200に対してHCDSガスを供給するステップと、
処理室201内のウエハ200に対してTEAガスを供給するステップと、
処理室201内のウエハ200に対してO2ガスを供給するステップと、
を非同時に、すなわち、同期させることなく行うサイクルを所定回数(1回以上)行う。
ベース膜が形成されたウエハ200を収容した加熱された大気圧未満の圧力下にある処理室201内へO2ガスとH2ガスとを供給し、これらを反応させることで生成した原子状酸素(O)を含む酸化種を、ウエハ200、すなわち、SiおよびCを含むベース膜に対して供給する。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)される。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220を介して反応管203の下端をシールした状態となる。
処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される。真空ポンプ246は、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。また、処理室201内のウエハ200が所望の温度となるようにヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される。ヒータ207による処理室201内の加熱は、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。また、回転機構267によるボート217およびウエハ200の回転を開始する。回転機構267によるボート217およびウエハ200の回転は、少なくとも、ウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
その後、次の3つのステップ、すなわち、ステップ1〜3を順次実行する。
(HCDSガス供給)
このステップでは、処理室201内のウエハ200に対し、HCDSガスを供給する。
第1の層が形成された後、バルブ243aを閉じ、HCDSガスの供給を停止する。このとき、APCバルブ244は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくは第1の層の形成に寄与した後のHCDSガスを処理室201内から排除する。このとき、バルブ243e〜243gは開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留するガスを処理室201内から排除する効果を高めることができる。
(TEAガス供給)
ステップ1が終了した後、処理室201内のウエハ200に対し、熱で活性化させたTEAガスを供給する。
第2の層が形成された後、バルブ243bを閉じ、TEAガスの供給を停止する。そして、ステップ1と同様の処理手順により、処理室201内に残留する未反応もしくは第2の層の形成に寄与した後のTEAガスや反応副生成物を処理室201内から排除する。このとき、処理室201内に残留するガス等を完全に排除しなくてもよい点は、ステップ1と同様である。
(O2ガス供給)
ステップ2が終了した後、処理室201内のウエハ200に対し、熱で活性化させたO2ガスを供給する。
ベース層が形成された後、バルブ243bを閉じ、O2ガスの供給を停止する。そして、ステップ1と同様の処理手順により、処理室201内に残留する未反応もしくはベース層の形成に寄与した後のO2ガスや反応副生成物を処理室201内から排除する。このとき、処理室201内に残留するガス等を完全に排除しなくてもよい点は、ステップ1と同様である。
上述したステップ1〜3を非同時に行うサイクルを1回以上(所定回数)行うことにより、ウエハ200上に、SiおよびCを含むベース膜として、所定組成および所定膜厚のSiOCN膜(O、C、Nを含むSi膜)、或いは、SiOC膜(O、Cを含むSi膜)を形成することができる。上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。すなわち、1サイクルあたりに形成されるベース層の厚さを所望の膜厚よりも小さくし、上述のサイクルを所望の膜厚になるまで複数回繰り返すのが好ましい。
ベース膜の形成が終了した後、加熱された大気圧未満の圧力下にある処理室201内にO2ガスとH2ガスとを供給し、これらのガスを反応させることにより生成した原子状酸素(O)を含む酸化種をウエハ200に対して供給する。
ベース膜の改質処理が完了した後、バルブ243b,243cを閉じ、O2ガスおよびH2ガスの供給をそれぞれ停止する。このとき、APCバルブ244は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはベース膜の改質に寄与した後のガスを処理室201内から排除する。このとき、バルブ243e〜243gを開いたままとし、ガス供給管232e〜232gのそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内がパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物が処理室201内から除去される(パージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降され、反応管203の下端が開口される。そして、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態で、反応管203の下端から反応管203の外部に搬出される(ボートアンロード)。処理済のウエハ200は、ボート217より取出される(ウエハディスチャージ)。
本実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果を得ることができる。
本実施形態における成膜シーケンスは、図4に示す態様に限定されず、以下に示す変形例のように変更することができる。
例えば、以下に示す成膜シーケンス(順に、変形例1〜5)により、ウエハ200上に、SiO膜を形成するようにしてもよい。これらの変形例によっても、図4に示す成膜シーケンスと同様の効果を得ることができる。
また例えば、原料ガスとして、上述した各種シラン原料ガスの他、1,1,2,2−テトラクロロ−1,2−ジメチルジシラン((CH3)2Si2Cl4、略称:TCDMDS)ガス等のアルキルハロシラン原料ガス、ビス(トリクロロシリル)メタン((SiCl3)2CH2、略称:BTCSM)ガス等のアルキレンハロシラン原料ガス、1,4−ジシラブタン(Si2C2H10、略称:DSB)等のアルキレンシラン原料ガス等の有機シラン原料ガス等を用いてもよい。すなわち、原料ガスとして、その化学構造式中(1分子中)にSi−C結合を有し、Cソースとしても作用するシラン原料ガスを用いてもよい。以下、原料ガスとして、TCDMDSガス、DSBガス、BTCSMガスを用いた場合の成膜シーケンスをいくつか示す(順に、変形例6〜10)。これらの変形例によっても、図4に示す成膜シーケンスと同様の効果を得ることができる。
図4に示す成膜シーケンスでは、ベース層を形成するステップ(ステップ1〜3)を複数サイクル行うことでベース膜を形成する例について説明した。しかしながら、本実施形態はこのような態様に限定されない。例えば、ベース層を形成するステップを1サイクル行うことでベース膜を形成するようにしてもよい。以下、本変形例の成膜シーケンスをいくつか示す(順に変形例11〜21)。これらの変形例では、ベース層を形成するステップを1サイクル行う毎にベース層を改質するステップを行うようにしている。すなわち、これらの変形例では、ベース層を形成するステップを1サイクル行うことでベース膜を形成するステップと、ベース膜を改質するステップと、を交互に繰り返すようにしている。なお、図5は、変形例11の成膜シーケンスを示す図である。これらの変形例によっても、図4に示す成膜シーケンスと同様の効果を得ることができる。また、これらの変形例によれば、ベース膜の厚さが薄い状態で改質ステップを行うため、改質ステップを行うことによる上述の効果を、ベース膜の全域に行き渡らせることが容易となる。
図4に示す成膜シーケンスでは、ベース層を形成するステップ(ステップ1〜3)を複数サイクル行うことでベース膜を形成する例について説明した。しかしながら、本実施形態はこのような態様に限定されない。例えば、ベース層を形成するステップを数サイクル(m回)行うことでベース膜を形成するようにしてもよい。以下、本変形例の成膜シーケンスをいくつか示す(順に変形例22〜33)。これらの変形例では、ベース層を形成するステップを数サイクル行う毎にベース層を改質するステップを行うようにしている。すなわち、これらの変形例では、ベース層を形成するステップを数サイクル行うことでベース膜を形成するステップと、ベース膜を改質するステップと、を交互に繰り返すようにしている。なお、図6は、変形例22の成膜シーケンスを示す図である。図6は、ステップ1〜3を2サイクル行う例(m=2の例)、すなわち、ステップ1〜3を2サイクル行う毎に改質ステップを行う例を示している。これらの変形例によっても、図4に示す成膜シーケンスと同様の効果を得ることができる。また、これらの変形例によれば、ベース膜の厚さが薄い状態で改質ステップを行うため、改質ステップを行うことによる上述の効果を、ベース膜の全域に行き渡らせることが容易となる。
ベース膜を形成するステップでは、原料ガスや反応ガスに触媒を添加し、例えば室温〜100℃の低温領域でSiおよびCを含むベース膜を形成してもよい。触媒は、例えば、ガス供給管232cから供給することができる。以下、原料ガスとしてBTCSMガスを、酸化ガスとしてH2Oガスを、触媒として環状アミン系ガスであるピリジン(C5H5N)ガスを用いた場合の成膜シーケンスをいくつか示す(順に変形例34〜36)。なお、図7は、変形例34の成膜シーケンスを示す図である。これらの変形例によっても、図4に示す成膜シーケンスと同様の効果を得ることができる。また、これらの変形例で形成したベース膜中には、H2O、C、N、Cl、H等の不純物が多量に含まれることになるため、ベース膜を改質させることによる上述の効果が、特に効果的に得られることとなる。
ベース膜を改質するステップでは、酸化ガスとして、O3ガスのような強力な酸化力を有するO含有ガスを用いるようにしてもよい。また、酸化ガスとして、O2ガス等のO含有ガスをプラズマで活性化して(プラズマ状態に励起して)用いるようにしてもよい。O含有ガスをプラズマで活性化して用いる場合には、ガス供給管232b、ノズル249b、バッファ室237を介して処理室201内にO含有ガスを供給する際に、棒状電極269,270間に高周波電力を供給すればよい。これらの変形例によっても、図4に示す成膜シーケンスと同様の効果を得ることができる。なお、上述のように、処理室201内の温度を400℃以上とした場合、O2ガスにH2ガスを添加して行う酸化処理の方が、400℃以上の温度で行うO3酸化処理による酸化力よりも大きな酸化力を有することとなる。また、処理室201内の温度を450℃以上とした場合、O2ガスにH2ガスを添加して行う酸化処理の方が、450℃以上の温度で行うO2プラズマ酸化処理による酸化力よりも大きな酸化力を有することとなる。すなわち、これらの温度条件下では、O2ガスにH2ガスを添加して行う酸化処理の方が、O3酸化処理やO2プラズマ酸化処理による酸化力よりも大きな酸化力を有することとなる。
ベース膜を改質するステップでは、酸化ガスの流量を低下させたり、処理室201内の温度や圧力を低下させたりすることで酸化力を適正に抑制し、最終的に形成される膜中にCやN等を残留させるようにしてもよい。すなわち、ベース膜中に含まれるCやNのうちの一部を除去し、一部を残留させるようにしてもよい。そして、ウエハ200上に、CやN等の所定元素を含むSiO膜を形成するようにしてもよい。この場合、酸化ガスとして、O2ガス、N2Oガス、NOガス、NO2ガス、COガス、CO2ガス、H2O等の酸化力の比較的弱いO含有ガスを用いることで、最終的に形成される膜中にCやN等を残留させることが容易となる。また、図4に示す成膜シーケンスや変形例1〜10、22〜33においては、ベース層を形成するステップの繰り返し回数を増やして改質対象のベース膜の厚さを厚くすることでも、最終的に形成される膜中にCやN等を残留させることが容易となる。但し、SiO膜中にCを残留させると、エッチング耐性は向上するものの誘電率が増加し、リーク耐性が劣化することがある。また、SiO膜中にNを残留させると、熱リン酸耐性が劣化することがある。従って、CやN等を含むSiO膜を形成する場合は、これらの特性がそれほど要求されない工程に適用するのが好ましい。
図4に示す成膜シーケンスや上述の変形例では、ウエハ200に対して複数種の成膜ガスを間欠供給してベース層を形成するステップを所定サイクル行うことで、ベース膜をサイクリックに形成する例について説明した。しかしながら、本実施形態はこのような態様に限定されない。すなわち、ベース膜を形成するステップでは、ウエハ200に対して複数種の成膜ガスを同時に供給するようにしてもよい。また、複数種の成膜ガスのうち、いずれか複数の成膜ガスをウエハ200に対して同時に供給するようにしてもよい。以下、本変形例の成膜シーケンスをいくつか示す(順に変形例39,40)これらの変形例によっても、図4に示す成膜シーケンスと同様の効果を得ることができる。
上述の変形例において、ウエハ200に対してNH3ガスを供給するステップでは、MFC241bで制御するNH3ガスの供給流量を、例えば100〜10000sccmの範囲内の流量とする。その他の処理条件は、例えば、図4に示す成膜シーケンスのステップ3と同様の処理条件とする。N含有ガスとしては、NH3ガスの他、例えば、N2H2ガス、N2H4ガス、N3H8ガス等の窒化水素系ガスや、これらの化合物を含むガス等を用いることができる。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
基板に対して成膜ガスを供給し、前記基板上に第1の元素および炭素を含むベース膜を形成する工程と、
前記基板に対して酸化ガスを供給し、前記ベース膜を酸化させて、前記ベース膜を前記第1の元素を含む炭素非含有の酸化膜に改質する工程と、
を有する半導体装置の製造方法、および、基板処理方法が提供される。
付記1に記載の方法であって、好ましくは、
前記ベース膜は、さらに、前記第1の元素とは異なる第2の元素を含む。
付記2に記載の方法であって、好ましくは、
前記第1の元素は半導体元素および金属元素からなる群より選択される少なくとも1つを含み、前記第2の元素は窒素、酸素、および硼素からなる群より選択される少なくとも1つを含む。
付記3に記載の方法であって、好ましくは、
前記酸化膜は、さらに、窒素および硼素非含有である。
すなわち、前記酸化膜は、炭素、窒素および硼素非含有である。
付記1乃至4のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記ベース膜は、SiC膜、SiCN膜、SiOCN膜、SiOC膜、およびSiBCN膜からなる群より選択される少なくとも1つを含み、前記酸化膜は、SiO膜を含む。
付記1乃至5のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記ベース膜を形成する工程と、前記ベース膜を酸化させる工程と、を交互に繰り返す。
付記1乃至6のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記ベース膜を形成する工程では、前記基板に対して前記成膜ガスを間欠供給してベース層を形成する工程を所定サイクル行うことで、前記ベース膜を(サイクリックに)形成する。
付記7に記載の方法であって、好ましくは、
前記ベース膜を形成する工程では、前記ベース層を形成する工程を1サイクル行う。
付記7に記載の方法であって、好ましくは、
前記ベース膜を形成する工程では、前記ベース層を形成する工程を数サイクル行う。
付記7に記載の方法であって、好ましくは、
前記ベース膜を形成する工程では、前記ベース層を形成する工程を複数サイクル行う。
付記1乃至10のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記ベース膜を酸化させる工程では、大気圧未満の圧力雰囲気下にある加熱された前記基板に対して前記酸化ガスとして、酸素含有ガスおよび水素含有ガスを供給する。
付記1乃至11のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記ベース膜を酸化させる工程では、前記基板に対して前記酸化ガスをノンプラズマの雰囲気下(条件下)で供給する。
付記1乃至12のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記ベース膜を酸化させる工程では、前記ベース膜と前記酸化ガスとを反応させることで、前記ベース膜中の炭素を前記ベース膜中から引き抜く。
付記1乃至13のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記ベース膜を酸化させる工程では、前記ベース膜と前記酸化ガスとを反応させることで、前記ベース膜中の炭素と、窒素および硼素のうち少なくともいずれかの元素と、を前記ベース膜中から引き抜く。例えば、ベース膜中に炭素と窒素とが含まれている場合は、ベース膜中から炭素と窒素とを引き抜く。また例えば、ベース膜中に炭素と窒素と硼素とが含まれている場合は、ベース膜中から炭素と窒素と硼素とを引き抜く。また例えば、ベース膜中に炭素と窒素と酸素とが含まれている場合は、ベース膜中から炭素と窒素とを引き抜く。
本発明の他の態様によれば、
基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板に対して成膜ガスを供給する成膜ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して酸化ガスを供給する酸化ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記成膜ガスを供給し、前記基板上に第1の元素および炭素を含むベース膜を形成する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記酸化ガスを供給し、前記ベース膜を酸化させて、前記ベース膜を前記第1の元素を含む炭素非含有の酸化膜に改質する処理と、を行わせるように、前記成膜ガス供給系および前記酸化ガス供給系を制御する制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
処理室内の基板に対して成膜ガスを供給し、前記基板上に第1の元素および炭素を含むベース膜を形成する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して酸化ガスを供給し、前記ベース膜を酸化させて、前記ベース膜を前記第1の元素を含む炭素非含有の酸化膜に改質する手順と、
をコンピュータに実行させるプログラム、および、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板を収容する第1の処理室と、
前記第1の処理室内の基板に対して成膜ガスを供給する成膜ガス供給系と、
前記第1の処理室内の基板に対して前記成膜ガスを供給し、前記基板上に第1の元素および炭素を含むベース膜を形成する処理を行わせるように、前記成膜ガス供給系を制御する第1の制御部と、
基板を収容する第2の処理室と、
前記第2の処理室内の基板に対して酸化ガスを供給する酸化ガス供給系と、
前記第2の処理室内の前記基板に対して前記酸化ガスを供給し、前記ベース膜を酸化させて、前記ベース膜を前記第1の元素を含む炭素非含有の酸化膜に改質する処理を行わせるように、前記酸化ガス供給系を制御する第2の制御部と、
を有する基板処理システムが提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
第1の処理室内の基板に対して成膜ガスを供給し、前記基板上に第1の元素および炭素を含むベース膜を形成する手順と、
第2の処理室内の前記基板に対して酸化ガスを供給し、前記ベース膜を酸化させて、前記ベース膜を前記第1の元素を含む炭素非含有の酸化膜に改質する手順と、
をコンピュータに実行させるプログラム、および、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
200 ウエハ
201 処理室
202 処理炉
203 反応管
207 ヒータ
231 排気管
232a〜232g ガス供給管
Claims (15)
- 基板に対して塩素を含む成膜ガスを供給して、前記基板上に第1の元素、炭素および塩素を含む層を形成する工程と、前記基板に対して第1の酸化ガスを供給して、前記第1の元素、炭素および塩素を含む層を酸化する工程と、を1サイクルとして所定回数行うことにより、前記基板上に前記第1の元素、炭素および酸素を含むベース膜を形成する工程と、
大気圧未満の圧力雰囲気下にある加熱された前記基板に対して、前記第1の酸化ガスとは異なる第2の酸化ガスとして酸素含有ガスおよび水素含有ガスを供給し、前記ベース膜を酸化させて、前記ベース膜を前記第1の元素を含む炭素非含有の酸化膜に改質する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記第1の元素、炭素および塩素を含む層を形成する工程では、前記基板に対して前記第1の元素および塩素を含むガスを供給する工程と、前記基板に対して炭素を含むガスを供給する工程と、を1サイクルとして所定回数行う請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ベース膜は、さらに、前記第1の元素とは異なる第2の元素を含む請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の元素は半導体元素および金属元素からなる群より選択される少なくとも1つを含み、前記第2の元素は窒素である請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸化膜は、さらに、窒素非含有である請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ベース膜は、SiOCN膜およびSiOC膜からなる群より選択される少なくとも1つを含み、前記酸化膜は、SiO膜を含む請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ベース膜を形成する工程と、前記ベース膜を酸化させる工程と、を交互に繰り返す請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ベース膜を形成する工程では、前記第1の元素、炭素および塩素を含む層を形成する工程と、前記第1の元素、炭素および塩素を含む層を酸化する工程と、を1サイクル行う請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ベース膜を形成する工程では、前記第1の元素、炭素および塩素を含む層を形成する工程と、前記第1の元素、炭素および塩素を含む層を酸化する工程と、を複数サイクル行う請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の元素、炭素および塩素を含む層を酸化する工程では、前記第1の元素、炭素および塩素を含む層から少なくとも一部の塩素を引き抜く請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ベース膜を酸化させる工程では、前記基板に対して前記第2の酸化ガスをノンプラズマの雰囲気下で供給する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ベース膜を酸化させる工程では、前記ベース膜と前記第2の酸化ガスとを反応させることで、前記ベース膜中の炭素を前記ベース膜中から引き抜く請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ベース膜を酸化させる工程では、前記ベース膜と前記第2の酸化ガスとを反応させることで、前記ベース膜中の炭素と窒素を前記ベース膜中から引き抜く請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板に対して塩素を含む成膜ガスを供給する成膜ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して酸化ガスを供給する酸化ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記成膜ガスを供給して、前記基板上に第1の元素、炭素および塩素を含む層を形成する処理と、前記基板に対して第1の酸化ガスを供給して、前記第1の元素、炭素および塩素を含む層を酸化する処理と、を1サイクルとして所定回数行うことにより、前記基板上に前記第1の元素、炭素および酸素を含むベース膜を形成する処理と、大気圧未満の圧力雰囲気下にある加熱された前記基板に対して、前記第1の酸化ガスとは異なる第2の酸化ガスとして酸素含有ガスおよび水素含有ガスを供給し、前記ベース膜を酸化させて、前記ベース膜を前記第1の元素を含む炭素非含有の酸化膜に改質する処理と、を行わせるように、前記成膜ガス供給系および前記酸化ガス供給系を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板処理装置の処理室内の基板に対して塩素を含む成膜ガスを供給して、前記基板上に第1の元素、炭素および塩素を含む層を形成する手順と、前記基板に対して第1の酸化ガスを供給して、前記第1の元素、炭素および塩素を含む層を酸化する手順と、を1サイクルとして所定回数行うことにより、前記基板上に前記第1の元素、炭素および酸素を含むベース膜を形成する手順と、
大気圧未満の圧力雰囲気下にある加熱された前記基板に対して、前記第1の酸化ガスとは異なる第2の酸化ガスとして酸素含有ガスおよび水素含有ガスを供給し、前記ベース膜を酸化させて、前記ベース膜を前記第1の元素を含む炭素非含有の酸化膜に改質する手順と、
をコンピュータにより前記基板処理装置に実行させるプログラム。
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