TW202349553A - 基板處理裝置 - Google Patents

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TW202349553A
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佐佐木康晴
內田陽平
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

依本發明，可搬運邊緣環。本發明提供一種載置台，用以載置施行既定處理的基板，該載置台具有：靜電吸盤，將該基板加以靜電吸附；第1邊緣環，可搬運，且配置於該基板的周圍；第2邊緣環，固定於該第1邊緣環的周圍；升降銷，使該第1邊緣環升降；第1電極，用於該第1邊緣環的靜電吸附，且配置於該靜電吸盤之與該第1邊緣環對向的位置；及第2電極，用於該第2邊緣環的靜電吸附，且配置於該靜電吸盤之與該第2邊緣環對向的位置。

Description

基板處理裝置
本發明係關於載置台、基板處理裝置、邊緣環及邊緣環之搬運方法。
例如，專利文獻1的載置台具備：靜電吸盤及邊緣環。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2008-244274號公報
[發明欲解決之問題]
本發明提供可搬運邊緣環的技術。 [解決問題之方法]
依據本發明的一態樣，提供一種載置台，用以載置施行既定處理的基板，該載置台具有：靜電吸盤，將該基板加以靜電吸附；第1邊緣環，可搬運，且配置於該基板的周圍；第2邊緣環，固定於該第1邊緣環的周圍；升降銷，使該第1邊緣環升降；第1電極，用於該第1邊緣環的靜電吸附，且配置於該靜電吸盤之與該第1邊緣環對向的位置；及第2電極，用於該第2邊緣環的靜電吸附，且配置於該靜電吸盤之與該第2邊緣環對向的位置。 [發明效果]
依據一態樣，可搬運邊緣環。
以下，參照圖式說明用以實施本發明的形態。又，於本說明書及圖式中，對實質上相同的構成，藉由賦予同一符號而省略重複說明。
[基板處理裝置的整體構成] 圖1係顯示一實施形態的基板處理裝置1的構成的一例。此基板處理裝置1為電容耦合型電漿處理裝置，具有由例如鋁或不鏽鋼等金屬製的圓筒型處理容器10。處理容器10為接地。
於處理容器10內，水平配置著圓板狀的載置台12以作為下部電極，該載置台12載置作為基板的一例的晶圓W。此載置台12具有由例如鋁所成的本體或基台12a、及固接於此基台12a底面的導電性的RF(Radio Frequency；射頻)板12b，且由從處理容器10底部往垂直上方延伸的絕緣性筒狀支撐部14所支撐。沿著此筒狀支撐部14的外周，形成從處理容器10底部往垂直上方延伸的導電性筒狀支撐部16。於筒狀支撐部16與處理容器10的內壁之間，形成環狀排氣通道18，於此排氣通道18的底部設置排氣口20。於此排氣口20，透過排氣管22而連接著排氣裝置24。排氣裝置24具有渦輪分子泵等的真空泵，可將處理容器10內的處理空間減壓至期望的真空度。於處理容器10的側壁，設有用以將晶圓W等搬入及搬出之搬運口25、及用以使搬運口25開閉之閘閥26。
第1射頻電源30及第2射頻電源28，透過匹配單元32及供電棒34而電性連接於載置台12。第1射頻電源30，主要係輸出有助於產生電漿的既定頻率例如40MHz的射頻電力。第2射頻電源28，主要係輸出有助於將離子導入至載置台12上的晶圓W的既定頻率例如2MHz的射頻電力。於匹配單元32中，收容有第1匹配器及第2匹配器。第1匹配器使第1射頻電源30側的阻抗與負載(主要為電極、電漿、處理容器)側的阻抗之間得以匹配。第2匹配器使第2射頻電源28側的阻抗與負載(主要為電極、電漿、處理容器)側的阻抗之間得以匹配。
載置台12具有大於晶圓W的直徑。將載置台12的頂面，分割成與晶圓W為大致相同形狀(圓形)且大致相同尺寸的中心區亦即晶圓載置部、及往此晶圓載置部的外側延伸的環狀周邊部，並將作為處理對象的晶圓W載置於晶圓載置部之上。又，於晶圓W的周圍且於環狀周邊部之上，裝設具有內徑僅稍大於晶圓W口徑的邊緣環36。邊緣環36亦稱為對焦環。邊緣環36依照晶圓W的被蝕刻材料，由例如Si、SiC、C、SiO 2等材質所成。邊緣環36具有：第1邊緣環，係成環狀地設於晶圓W周圍之內周側的邊緣環；及第2邊緣環，係成環狀地設於第1邊緣環周圍之外周側的邊緣環。
載置台12頂面的晶圓載置部及環狀周邊部，成為用以將晶圓加以靜電吸附的靜電吸盤38的中央部的載置面及外周部的載置面。靜電吸盤38，係於膜狀或板狀的介電體38b中具有薄片狀或網格狀的電極38a。靜電吸盤38，係一體形成或一體固接於載置台12的基台12a上。配置於處理容器10外的直流電源40，透過配線及開關42而電性連接於電極38a，利用直流電源40所施加的直流電壓，以庫侖力使晶圓W吸附保持於靜電吸盤38上。
靜電吸盤38的外周部的頂面，與邊緣環36的底面直接接觸。於環狀周邊部之中，設有薄片狀或網格狀的導電體的第1電極44及第2電極45。第1電極44係配置於靜電吸盤38之與第1邊緣環361對向的位置；第2電極45係配置於靜電吸盤38之與第2邊緣環362對向的位置。
第1電極44及第2電極45，電性連接於直流電源40。從直流電源40將直流電壓供給至第1電極44及第2電極45。直流電壓對第1電極44及第2電極45的供給及停止供給，可對各自的電極分別獨立進行。
藉此，於對第1電極44施加直流電壓的期間，可藉由庫侖力將第1邊緣環361吸附保持於靜電吸盤38的環狀周邊部。又，於對第2電極45施加直流電壓的期間，可藉由庫侖力將第2邊緣環362吸附保持於靜電吸盤38的環狀周邊部。
於載置台12的內部，設置例如於圓周方向延伸的環狀的冷媒室46。從急冷器單元(未圖示)經由配管48、50將既定溫度的冷媒例如冷卻水循環供給至此冷媒室46，藉由此冷媒的溫度可控制靜電吸盤38上的晶圓W及邊緣環36的溫度。
將熱媒體供給至晶圓W與靜電吸盤38的中央部的載置面之間的貫通孔54，與氣體供給管52連接。藉由此構成，來自導熱氣體供給部(未圖示)的導熱氣體例如He氣體，通過氣體供給管52，經由載置台12內部的貫通孔54的通路而供給至靜電吸盤38與晶圓W之間。He氣體等導熱氣體，為熱媒體的一例。
於處理容器10的頂棚，與載置台12平行相向地設置接地電位的噴淋頭56。噴淋頭56具有與載置台12相向的電極板58、及可拆裝地從背後(上)支撐此電極板58的電極支撐體60，亦用作為上部電極。電極板58由例如Si或SiC所構成，電極支撐體60由例如經氧皮鋁處理的鋁所構成。
於電極支撐體60的內部，設有氣體室62，從該氣體室62貫穿至載置台12側的多個氣體噴出孔61，形成於電極支撐體60及電極板58。藉由此構成，使電極板58與載置台12間的空間成為電漿產生或處理空間。處理氣體供給部64，透過氣體供給管66而連接於設在氣體室62上部的氣體導入口62a。
電漿處理裝置內各部的動作及裝置整體的動作，藉由例如由微電腦所構成的控制部100所控制。電漿處理裝置內各部的一例，具有排氣裝置24、第1射頻電源30、第2射頻電源28、直流電源40的開關42、急冷器單元(未圖示)及處理氣體供給部64等。
控制部100具有未圖示之唯讀記憶體(ROM：Read Only Memory)、隨機存取記憶體(RAM：Random Access Memory)，微電腦依記錄於RAM等的配方所設定的順序，控制蝕刻等處理。
為了於此構成的基板處理裝置1中對晶圓W施加蝕刻等既定處理，首先，使閘閥26成為開啟狀態，於將處理對象的晶圓W保持於未圖示的搬運臂上的狀態下，從搬運口25進入至處理容器10內。晶圓W藉由未圖示的頂推銷而保持於靜電吸盤38的晶圓載置部的上方，並利用頂推銷下降而載置於靜電吸盤38的晶圓載置部上。於搬運臂退出後使閘閥26關閉。藉由排氣裝置24將處理容器10內的壓力減壓至設定值。
又，藉由對靜電吸盤38的電極38a、第1電極44及第2電極45施加來自直流電源40的直流電壓，而使晶圓W、第1邊緣環361及第2邊緣環362靜電吸附於靜電吸盤38上。
從處理氣體供給部64所輸出的處理氣體，從噴淋頭56成噴淋狀地導入至處理容器10內。再者，將第1射頻電源30及第2射頻電源28設為開啟，使輸出各自的射頻電力，經由供電棒34而施加於載置台12。所導入的處理氣體，藉由射頻電力而電漿化，再藉由利用此電漿所產生的自由基或離子，而對晶圓W的主面施加蝕刻等既定處理。於電漿處理後，使晶圓W保持於搬運臂上，並從搬運口25搬出至處理容器10的外部。藉由重複進行此處理，而對晶圓W進行處理。
[邊緣環及其周邊的構成] 其次，參考圖2，說明邊緣環36及其周邊的構成。圖2係靜電吸盤38的外周部的載置面中之邊緣環36周圍構造的放大圖。晶圓W周圍的靜電吸盤38的外周部，位於明顯較低的位置，並配置二分為第1邊緣環361及第2邊緣環362之環狀邊緣環36。第1邊緣環361配置於晶圓W的周圍，係可搬運的內側邊緣環。第2邊緣環362係固定於第1邊緣環361周圍的外側邊緣環。載置於靜電吸盤38上的晶圓W的頂面、第1邊緣環361的頂面及第2邊緣環362的頂面，以成大致齊平的方式配置。
第1邊緣環361藉由使第1邊緣環361升降的升降銷75，可相對於載置台12往上方分離，且能使該高度位置為可變調整。於第1邊緣環361的正下方，在載置台12於鉛直方向形成貫通孔72。升降銷75可擦動地通過貫通孔72。貫通孔72，係於內部設置升降銷75的第1貫通孔的一例。
升降銷75的前端，抵接於第1邊緣環361的底面。升降銷75的基端部，由配置於處理容器10外的致動器76所支撐。致動器76使升降銷75上下移動，可任意調整第1邊緣環361的高度位置。於貫通孔72，設有如O型環等的密封構件78。又，貫通孔72、升降銷75及致動器76，以於圓周方向隔著既定間隔而設於複數處(例如3處)為佳。
於搬運第1邊緣環361之際，藉由致動器76使升降銷75上下移動而任意調整第1邊緣環361的高度位置。使閘閥26成開啟狀態，使搬運臂從搬運口25進入至處理容器10內。藉由升降銷75下降，使第1邊緣環361載置於搬運臂上。
圖3係第1邊緣環361及第2邊緣環362的俯視概略圖。第1邊緣環361的外徑(外周直徑φ)，形成為較形成於處理容器10之基板的搬運口25的橫寬D為小。藉此，第1邊緣環361能於由搬運臂保持的狀態下，從搬運口25搬運至處理容器10的內部及外部。如圖2所示，更換對象的第1邊緣環361藉由致動器76使升降銷75上下移動，而從升降銷75被傳遞至搬運臂，並從搬運口25被搬出至處理容器10的外部。接著，將新的第1邊緣環361保持於搬運臂並從搬運口25搬入至處理容器10的內部，而配置於靜電吸盤38上的環狀周邊部且配置於第2邊緣環362的內周側。
晶圓W的直徑係300mm，為了從搬運口25將晶圓W搬入及搬出，使搬運口25開口成橫寬D略大於300mm。而為了從搬運口25將較晶圓W大的邊緣環36搬入及搬出，必須使邊緣環36的外徑小於搬運口25的橫寬D。
另一方面，邊緣環36的外徑係對晶圓W進行既定處理時的製程條件之一，必須為既定以上(例如320mm～370mm左右)的大小。因此，若未將邊緣環36加以分割，則無法利用搬運口25來搬運邊緣環36。
有鑑於以上考量，將本實施形態的邊緣環36，分割成內側的被搬運側的第1邊緣環361與外側的非被搬運側的第2邊緣環362。藉此，第1邊緣環361具有較搬運口25的橫寬D為小的直徑φ，可從搬運口25進行搬運。另一方面，第2邊緣環362具有較搬運口25的橫寬D為大的直徑，非設為從搬運口25自動搬運的對象而固定於靜電吸盤38。藉此，不需打開處理容器10的蓋子，可使第1邊緣環361與晶圓W同樣地從搬運口25搬入及搬出。
又，藉由上述構成，可分別控制施加於第1電極44和第2電極45的直流電壓。例如，於搬運第1邊緣環361時，可於停止對第1電極44供給直流電壓之同時，對非被搬運側的第2邊緣環362的第2電極45持續供給直流電壓。因此，於搬運第1邊緣環361之際，可於保持非被搬運側的第2邊緣環362的靜電吸附之下，解除被搬運側的第1邊緣環361的吸附。
[電極圖案] 如上所述，第1電極44及第2電極45分別由控制部100獨立控制。藉此，於搬運第1邊緣環361之際，可於第2邊緣環362的位置不偏離並保持固定的狀態下，搬運第1邊緣環361。
第1電極44及第2電極45為單極的情形時，於對靜電吸盤38的電極供給正電荷時，必須使負電荷聚集於第1邊緣環361及第2邊緣環362聚集，以產生庫侖力。因此，第1邊緣環361及第2邊緣環362，必須有連接至接地的路徑。例如，於處理空間中，若為電漿產生期間，可藉由電漿製造出至接地(有接地的處理容器10)的路徑。因此，即使第1電極44及第2電極45為單極，亦能將第1邊緣環361及第2邊緣環362加以靜電吸附。
然而，於搬運第1邊緣環361時，並未產生電漿。如此一來，將第1邊緣環361及第2邊緣環362連接至接地的路徑並不存在，而無法將第1邊緣環361及第2邊緣環362加以靜電吸附。
是故，本實施形態的第1電極44及第2電極45，各自分割成複數之圖案(以下，亦稱「電極圖案」)，對於針對第1電極44及第2電極45各自分割而成的複數之電極圖案，各自施加不同的電壓。如此，於第1電極44及第2電極45中，分別藉由於各自分割的圖案設有電位差，而成為雙極的電極，而能使第1邊緣環361及第2的邊緣環362獨立地靜電吸附。
圖4的上半段，顯示第1電極44及第2電極45的頂面的電極圖案的一例。圖4的下半段，顯示第1電極44及第2電極45的剖面的一例。圖4(a)，係將第1電極44及第2電極45於圓周方向分割而成的雙極電極圖案。圖4(b)，係將第1電極44及第2電極45分割成同心圓而成的雙極電極圖案。
於圖4(a)的電極圖案中，於圓周方向將第1電極44分割為6份，以每次3片對於交互配置而成的部分電極44A及44B施加不同的直流電壓，以設成電位差。又，於圓周方向將第2電極45分割成6份，以每次3片對交互配置而成的部分電極45A及45B施加不同的直流電壓，以設成電位差。於圖4(a)的電極圖案中，係於圓周方向將各電極分割成6份，但分割數目不限於此。
於圖4(b)的電極圖案中，對於將第1電極44成同心圓狀地分割為2份而成之部分電極44A及44B，施加不同的直流電壓，以設成電位差。又，對於將第2電極45成同心圓狀地分割成2份而成之部分電極45A及45B，施加不同的直流電壓，以設成電位差。又，針對圖4(a)及(b)之任一電極圖案，亦可對部分電極44A及部分電極44B施加極性不同的直流電壓，亦可施加極性相同但能產生電位差之大小不同的直流電壓。又，對於部分電極45A及部分電極45B，可施加極性不同的直流電壓，亦可施加極性相同但能產生電位差之大小不同的直流電壓。
又，針對圖4(a)及(b)之任一電極圖案，部分電極44A及部分電極44B的面積形成為大致相同，部分電極45A及部分電極45B的面積形成為大致相同。藉此，可於雙極的電極圖案中，使產生與靜電吸盤38的靜電吸附力。藉此，藉由於第1電極44及第2電極45的各電極內部使其分極，可於靜電吸盤38與第1邊緣環361之間及靜電吸盤38與第2邊緣環362之間，各自獨立產生靜電吸附力。
又，於本實施形態中，係以將邊緣環36分割成第1邊緣環361及第2邊緣環362之2份為例加以說明，但不限於此，亦可將邊緣環36分割成3份或4份以上。於此情形時，使具有較搬運口25的橫寬D為小的直徑之分割後的1個或複數個邊緣環成為搬運的對象，而將具有較搬運口25的橫寬D為大的直徑之分割後的1個或複數個邊緣環固定於靜電吸盤38。
又，於固定於靜電吸盤38之側的邊緣環(本實施形態中之第2邊緣環362)耗損時，打開處理容器10的蓋子以手動方式更換該邊緣環。
但是，被搬運側的邊緣環(本實施形態中之第1邊緣環361)，因設於晶圓W的周圍，故相較於非被搬運側的邊緣環更易因電漿處理而耗損。又，於相同程度的耗損的情形時，設於晶圓W周圍的被搬運側的邊緣環，會對晶圓W的邊緣部的製程特性造成較大影響。因此，對製程特性的影響大的被搬運側的邊緣環的更換次數，較對製程特性的影響小的非被搬運側的邊緣環的更換次數為多。是故，於本實施形態中，從搬運口25自動搬運被搬運側的邊緣環。藉此，可使製程良好，且縮短邊緣環的更換或維修所需時間而提升生產性。
[利用導熱氣體供給部的變形例] 其次，參考圖5，說明利用導熱氣體供給部的變形例。圖5係一實施形態的變形例之邊緣環36的周邊構成的縱剖面圖。於本變形例中，具有：第1貫通孔112a，將熱媒體供應至第1邊緣環361與靜電吸盤38的環狀周邊部的載置面之間；及第2貫通孔112b，將熱媒體供給至第2邊緣環362與靜電吸盤38的載置面之間。
藉此，來自導熱氣體供給部(未圖示)的導熱氣體例如He氣體，通過氣體供給管52，經由載置台12內部的第1貫通孔112a及第2貫通孔112b的通路而供給至靜電吸盤38與晶圓W和邊緣環36之間。He氣體等導熱氣體，係熱媒體的一例。
本變形例中，導熱氣體通過的第1貫通孔112a，係於內部設有升降銷75的第1貫通孔的一例。藉此，可於使升降銷75升降的同時，經由第1貫通孔112a將導熱氣體供給至第1邊緣環361與靜電吸盤38之間。
又，雖未圖示，但導熱氣體對第1貫通孔112a的供給及停止供給、和導熱氣體對第2貫通孔112b的供給及停止供給，可分別控制。藉由此構成，藉由透過第1貫通孔112a及第2貫通孔112b將導熱氣體供給至靜電吸盤38的載置面與邊緣環36的背面之間，可控制邊緣環36的熱傳導率。又，可於提高邊緣環的溫度控制的精確度之同時，搬運第1邊緣環361。
[更換判定處理] 接著，於圖5所示例的邊緣環36的構成中，參考圖6，說明判定第1邊緣環361的更換之更換判定處理的一實施形態。圖6係一實施形態的更換判定處理的一例的流程圖。本處理由控制部100所執行。
當本處理開始進行，於步驟S10中，將未處理晶圓搬入至處理容器10內，並載置於載置台12。其次，於步驟S12中，對晶圓施加蝕刻、成膜等既定處理。其次，於步驟S14中，將已施加既定處理之已處理晶圓搬出至處理容器10的外部。
其次，於步驟S16中，判定基板處理裝置1的使用時間(晶圓的處理時間)是否為事先所設定之閾值以上。於使用時間為閾值以上的情形時，於步驟S18中，於進行第1邊緣環361的更換處理之後，前往步驟S19。於使用時間為未滿閾值的情形時，不進行第1邊緣環361的更換處理，而直接前往步驟S19。
其次，於步驟S19中，判定是否有應處理之下一晶圓。若判定有下一晶圓，則返回步驟S10並進行步驟S10以後的處理，若判定無下一晶圓，則結束本處理。
又，於步驟S16中，基板處理裝置1的使用時間亦可為RF的施加時間。又，亦可測量第1邊緣環361的耗損量來取代使用時間，因應測量結果，來判斷第1邊緣環361的更換。
[邊緣環更換處理] 其次，參考圖7，說明於圖6的S18所叫出之一實施形態的邊緣環更換處理。圖7係一實施形態的邊緣環更換處理的一例的流程圖。本處理由控制部100所執行。又，圖7中，第1邊緣環361係被搬運側的邊緣環。
當叫出本處理時，於步驟S20中，停止將導熱氣體從第1貫通孔112a供給至第1邊緣環361側。其次，於步驟S22中，停止將直流電壓供給至配置於第1邊緣環361的對向位置的第1電極44。
其次，於步驟S24中，使升降銷75往上，使第1邊緣環361於升降銷75上抬高至既定位置。其次，於步驟S26中，開啟閘閥26使搬運臂從搬運口25進入，而使升降銷75上的第1邊緣環361保持於搬運臂。
其次，於步驟S28中，使升降銷75往下，而於步驟S30中，使保持第1邊緣環361的狀態的搬運臂從搬運口25退出。其次，於步驟S32中，使保持著更換用(新品)的第1邊緣環361的搬運臂從搬運口25進入。其次，於步驟S34中，使升降銷75往上，升降銷75從搬運臂接收更換用的第1邊緣環361。
其次，於步驟S36中，使升降銷75往下。接著，於步驟S38中，對第1邊緣環361側的第1電極44供給直流電壓。其次，於步驟S40中，從第1貫通孔112a對第1邊緣環361供給導熱氣體，而結束本處理，並返回圖6。
如上所述，依據本實施形態的搬運方法，將邊緣環36分割成2份，可從搬運口25自動搬運內側的第1邊緣環361。又，可判定最佳更換時期，並快速地自動搬運第1邊緣環361。藉此，可使製程良好，且縮短邊緣環的更換或維修所需時間而提升生產性。
又，圖2所示例的邊緣環36的構成中，於進行圖6的更換判定處理並從圖6的步驟S18叫出的圖7的邊緣環更換處理中，跳過步驟S20、S40而執行處理。
以上所揭示的一實施形態的載置台、基板處理裝置、邊緣環及邊緣環之搬運方法，應視為於所有的點上皆為例示而非限制。上述實施形態於不脫離附加之申請專利範圍及其主旨之情形下，能以各種形態進行變形及改良。上述複數實施形態所記載之事項，於不相矛盾的範圍內亦可有其他構成，又，可於不相矛盾的範圍內加以組合。
本發明的基板處理裝置，於電容耦合型電漿(CCP：Capacitively Coupled Plasma)、電感耦合型電漿(ICP：Inductively Coupled Plasma)、放射狀線槽孔天線(RLSA：Radial Line Slot Antenna)、電子迴旋共振電漿(ECR：Electron Cyclotron Resonance Plasma)、螺旋波激發型電漿(HWP：Helicon Wave Plasma)之任一種類型皆可適用。
本說明書中，以晶圓W作為基板的一例加以說明。然而，基板不限於此，亦可為用於平板顯示器(FPD：Flat Panel Display)的各種基板、印刷基板等。
1:基板處理裝置 10:處理容器 12:載置台(下部電極) 12a:載置台本體(基台) 12b:RF(Radio Frequency;射頻)板 14:筒狀支撐部 16:筒狀支撐部 18:排氣通道 20:排氣口 22:排氣管 24:排氣裝置 25:搬運口 26:閘閥 28:第2射頻電源 30:第1射頻電源 32:匹配單元 34:供電棒 36:邊緣環 361:第1邊緣環 362:第2邊緣環 38:靜電吸盤 38a:電極 38b:介電體 40:直流電源 42:開關 44:第1電極 44A,44B:部分電極 45:第2電極 45A,45B:部分電極 46:冷媒室 48:配管 50:配管 52:氣體供給管 54:貫通孔 56:噴淋頭 58:電極板 60:電極支撐體 61:氣體噴出孔 62:氣體室 62a:氣體導入口 64:處理氣體供給部 66:氣體供給管 72:貫通孔 75:升降銷 76:致動器 78:密封構件 100:控制部 112a:第1貫通孔 112b:第2貫通孔 D:橫寬 He:氦 W:晶圓
【圖1】一實施形態的基板處理裝置的構成的縱剖面圖。 【圖2】一實施形態的邊緣環周邊的構成的縱剖面圖。 【圖3】一實施形態的邊緣環與搬運口的關係說明圖。 【圖4】一實施形態的邊緣環的電極圖案的一例圖。 【圖5】一實施形態的變形例的邊緣環周邊的構成的縱剖面圖。 【圖6】一實施形態的更換判定處理的一例的流程圖。 【圖7】一實施形態的邊緣環更換處理的一例的流程圖。
12:載置台(下部電極)
12a:載置台本體(基台)
12b:RF(Radio Frequency；射頻)板
28:第2射頻電源
30:第1射頻電源
36:邊緣環
361:第1邊緣環
362:第2邊緣環
38:靜電吸盤
38a:電極
38b:介電體
44:第1電極
45:第2電極
72:貫通孔
75:升降銷
76:致動器
78:密封構件
W:晶圓

Claims (11)

  1. 一種基板處理裝置，包含：  處理容器；  載置台本體，配置於該處理容器內；  靜電吸盤，配置於該載置台本體的頂面，且具有邊緣環載置部，該邊緣環載置部係用以配置包圍基板載置部和基板之邊緣環；  可搬運之第1邊緣環，配置於該邊緣環載置部；  第2邊緣環，配置於該第1邊緣環的周圍；及  該第1邊緣環的升降機構。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，  該第1邊緣環的外徑，較該處理容器的基板搬運口的寬度為小。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，  該第2邊緣環的外徑，較該處理容器的基板搬運口的寬度為大。
  4. 如請求項1～3中任一項之基板處理裝置，其中，  於該靜電吸盤內之與該第1邊緣環對向的位置和與該第2邊緣環對向的位置中之至少一者，具有吸附電極。
  5. 如請求項1～4中任一項之基板處理裝置，更包含：  第1吸附電極，配置於該靜電吸盤內之與該第1邊緣環對向的位置；及  第2吸附電極，配置於該靜電吸盤內之與該第2邊緣環對向的位置。
  6. 一種基板處理裝置，包含：  處理容器；  載置台本體，配置於該處理容器內；  靜電吸盤，配置於該載置台本體的頂面，且具有邊緣環載置部，該邊緣環載置部係用以配置：包圍基板載置部和基板且可搬運之第1邊緣環、及配置於該第1邊緣環的周圍之第2邊緣；  該第1邊緣環的升降機構；及  控制部；  該控制部執行包含下述步驟之處理：  第1步驟，使保持第1邊緣環的搬運臂往該處理容器內移動；  第2步驟，藉由該搬運臂，使該第1邊緣環移動至該邊緣環載置部的上方；及  第3步驟，藉由該第1邊緣環的升降機構，使該第1邊緣環下降至該邊緣環載置部上。
  7. 如請求項6之基板處理裝置，其中，  該控制部執行包含下述步驟之處理：  第4步驟，藉由該第1邊緣環的升降機構，使該第1邊緣環上升至該邊緣環載置部的上方；  第5步驟，使該搬運臂往該處理容器內移動；  第6步驟，使該第1邊緣環保持於該搬運臂；及  第7步驟，使該搬運臂往該處理容器外移動。
  8. 如請求項6或7之基板處理裝置，其中，  該第1邊緣環的外徑，較該處理容器的基板搬運口的寬度為小。
  9. 如請求項6～8中任一項之基板處理裝置，其中，  該第2邊緣環的外徑，較該處理容器的基板搬運口的寬度為大。
  10. 如請求項6～9中任一項之基板處理裝置，其中，  於該靜電吸盤內之與該第1邊緣環對向的位置，具有吸附電極；  該控制部執行包含下述步驟之處理：  於該第3步驟之後，對該吸附電極施加吸附電壓。
  11. 如請求項7～10中任一項之基板處理裝置，其中，  於該靜電吸盤內之與該第1邊緣環對向的位置，具有吸附電極；  該控制部執行包含下述步驟之處理：  於該第4步驟之前，停止對該吸附電極施加吸附電壓。
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