JP7345607B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
図1に、一実施形態による基板処理装置1の構成の一例を示す。この基板処理装置1は、容量結合型プラズマ処理装置として構成されており、たとえばアルミニウムまたはステンレス鋼等の金属製の円筒型の処理容器10を有している。処理容器10は接地されている。
次に、エッジリング36及びその周辺の構成について、図2を参照しながら説明する。図2は、静電チャック38の外周部の載置面におけるエッジリング36周りの構造を拡大して示す。ウェハWの周囲の静電チャック38の外周部は、一段低い位置になっており、第1のエッジリング361及び第2のエッジリング362の2分割された環状のエッジリング36が配置されている。第1のエッジリング361は、ウェハWの周囲に配置される、搬送可能な内側のエッジリングである。第2のエッジリング362は、第1のエッジリング361の周囲に固定された外側のエッジリングである。静電チャック38上に載置されるウェハWの上面と第1のエッジリング361の上面と第2のエッジリング362の上面とは略面一になるように配置されている。
以上のように、第1の電極44及び第2の電極45はそれぞれ制御部100によって独立して制御される。これにより、第1のエッジリング361を搬送する際、第2のエッジリング362の位置はずれることなく固定されたまま第1のエッジリング361を搬送することができる。
次に、伝熱ガス供給部を利用した変形例について、図5を参照して説明する。図5は、一実施形態の変形例に係るエッジリング36の周辺の構成を示す縦断面図である。本変形例では、第1のエッジリング361と静電チャック38の環状周辺部の載置面との間に熱媒体を供給する第1の貫通孔112aと、第2のエッジリング362と静電チャック38の載置面との間に熱媒体を供給する第2の貫通孔112bとを有する。
次に、図5に一例を示したエッジリング36の構成において、第1のエッジリング361の交換を判定する交換判定処理の一実施形態について、図6を参照して説明する。図6は、一実施形態に係る交換判定処理の一例を示すフローチャートである。本処理は、制御部100により実行される。
次に、図6のS18にて呼び出される一実施形態に係るエッジリング交換処理について、図7を参照して説明する。図7は、一実施形態に係るエッジリング交換処理の一例を示すフローチャートである。本処理は、制御部100により実行される。また、図7において第1のエッジリング361は、搬送される側のエッジリングである。
10 処理容器
12 載置台(下部電極)
12a 載置台本体(ベース)
12b RFプレート
24 排気装置
28 第2の高周波電源
30 第1の高周波電源
32 マッチングユニット
36 エッジリング
361 第1のエッジリング
362 第2のエッジリング
38 静電チャック
38a 電極
38b 誘電体
40 直流電源
44 第1の電極
45 第2の電極
56 シャワーヘッド
75 リフターピン
76 アクチュエータ
100 制御部
112a 第1の貫通孔
112b 第2の貫通孔
Claims (12)
- 処理容器と、
前記処理容器内に配置される載置台本体と、
前記載置台本体の上面に配置され、基板載置部及び基板を囲むリングを配置するリング載置部を備える静電チャックと、
前記リング載置部に配置される、搬送可能な第1のリングと、
前記第1のリングの周囲に固定されて配置される第2のリングと、
前記第1のリングの昇降機構と、
を備え、
前記第2のリングの外径は、前記処理容器の基板搬送口の幅より大きい、
基板処理装置。 - 前記第1のリングの外径は、前記処理容器の基板搬送口の幅より小さい、
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記静電チャック内において、前記第1のリングと対向する位置と前記第2のリングと対向する位置の少なくとも一方には、吸着電極を備える、
請求項1又は2に記載の基板処理装置。 - 前記静電チャックは、前記載置台本体の上面に配置され、前記基板載置部及び前記基板を囲む搬送可能な前記第1のリングと前記第1のリングの周囲に固定されて配置される前記第2のリングとを配置する前記リング載置部を備え、
更に、制御部を備え、
前記制御部は、
前記第1のリングが保持された搬送アームを前記処理容器内へ移動する第1の工程と、
前記搬送アームにより前記第1のリングを前記リング載置部の上方まで移動する第2の工程と、
前記第1のリングの昇降機構により前記第1のリングを前記リング載置部上に下降させる第3の工程と、
を含む処理を実行する、
請求項1~3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記静電チャック内において、前記第1のリングと対向する位置に配置される第1の吸着電極と、
前記静電チャック内において、前記第2のリングと対向する位置に配置される第2の吸着電極と、を備える、
請求項1~4のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 処理容器と、
前記処理容器内に配置される載置台本体と、
前記載置台本体の上面に配置され、基板載置部及び基板を囲むリングを配置するリング載置部を備える静電チャックと、
前記リング載置部に配置される、搬送可能な第1のリングと、
前記第1のリングの周囲に固定されて配置される第2のリングと、
前記第1のリングの昇降機構と、
を備え、
前記静電チャック内において、前記第1のリングと対向する位置に配置される第1の吸着電極と、
前記静電チャック内において、前記第2のリングと対向する位置に配置される第2の吸着電極と、を備える、基板処理装置。 - 処理容器と、
前記処理容器内に配置される載置台本体と、
前記載置台本体の上面に配置され、基板載置部及び基板を囲む搬送可能な第1のリングと前記第1のリングの周囲に固定されて配置される第2のリングとを配置するリング載置部を備える静電チャックと、
前記第1のリングの昇降機構と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記第1のリングが保持された搬送アームを前記処理容器内へ移動する第1の工程と、
前記搬送アームにより前記第1のリングを前記リング載置部の上方まで移動する第2の工程と、
前記第1のリングの昇降機構により前記第1のリングを前記リング載置部上に下降させる第3の工程と、
を含む処理を実行する、基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記第1のリングの昇降機構により前記第1のリングを前記リング載置部の上方に上昇させる第4の工程と、
前記搬送アームを前記処理容器内へ移動する第5の工程と、
前記搬送アームに前記第1のリングを保持させる第6の工程と、
前記搬送アームを前記処理容器外へ移動する第7の工程と、
を含む処理を実行する、
請求項7に記載の基板処理装置。 - 前記第1のリングの外径は、前記処理容器の基板搬送口の幅より小さい、
請求項7又は8に記載の基板処理装置。 - 前記第2のリングの外径は、前記処理容器の基板搬送口の幅より大きい、
請求項7~9のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記静電チャック内において、前記第1のリングと対向する位置に、吸着電極を備え、
前記制御部は、
前記第3の工程の後に、前記吸着電極に吸着電圧を印加する工程と、
を含む処理を実行する、
請求項7~10のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記静電チャック内において、前記第1のリングと対向する位置に、吸着電極を備え、
前記制御部は、
前記第4の工程の前に、前記吸着電極への吸着電圧の印加を停止する工程、
を含む処理を実行する、
請求項8に記載の基板処理装置。
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