WO2023148861A1 - プラズマ処理装置のクリーニング方法 - Google Patents

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WO2023148861A1
WO2023148861A1 PCT/JP2022/004124 JP2022004124W WO2023148861A1 WO 2023148861 A1 WO2023148861 A1 WO 2023148861A1 JP 2022004124 W JP2022004124 W JP 2022004124W WO 2023148861 A1 WO2023148861 A1 WO 2023148861A1
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WO
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cleaning
plasma processing
dry cleaning
processing apparatus
wafer
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Application number
PCT/JP2022/004124
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English (en)
French (fr)
Inventor
康孝 濱
信明 新藤
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Application filed by 東京エレクトロン株式会社 filed Critical 東京エレクトロン株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching

Definitions

  • the present disclosure relates to a cleaning method for a plasma processing apparatus.
  • Patent Document 1 discloses a method for dry cleaning the inside of a vacuum processing chamber of a vacuum processing apparatus. This dry cleaning is performed in a vacuum processing chamber with a dummy wafer mounted on a sample table.
  • Patent Document 2 discloses a method for dry cleaning the inside of a plasma processing chamber of a plasma processing system. This dry cleaning is so-called waferless dry cleaning, which is performed without placing a dummy wafer on the susceptor inside the plasma processing chamber.
  • the technique according to the present disclosure appropriately dry-cleans the mounting table on which the substrate is mounted inside the chamber of the plasma processing apparatus.
  • One aspect of the present disclosure is a cleaning method for a plasma processing apparatus, comprising the steps of: placing a product substrate on a mounting table provided inside a chamber; performing plasma processing on the product substrate; placing a first dummy substrate having a diameter on the mounting table, generating plasma inside the chamber, and performing a first dry cleaning of cleaning the mounting table.
  • FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an outline of a configuration of a plasma processing apparatus according to this embodiment
  • FIG. FIG. 2 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of an electrostatic chuck and an edge ring according to this embodiment
  • FIG. 2 is a plan view showing the outline of the configuration of the electrostatic chuck and edge ring according to the embodiment
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing how dry cleaning is performed using a dummy wafer
  • FIG. 4 is a flowchart showing main steps of wafer processing according to the first embodiment
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing a series of wafer processing flows according to the first embodiment using a wafer
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing the position of a wafer in dry cleaning according to the first embodiment; It is an explanatory view of the 1st position in a 1st embodiment.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram of first to fourth positions in the first embodiment;
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing a series of wafer processing flows according to a modification of the first embodiment using a wafer;
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing a series of wafer processing flows according to a modification of the first embodiment using a wafer;
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing a series of wafer processing flows according to a modification of the first embodiment using a wafer;
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing a series of wafer processing flows according to a modification of the first embodiment using a wafer;
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing a series of wafer processing flows according to a modification of the first embodiment using a wafer;
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing the state of a first dummy wafer in a modified example of the first embodiment;
  • FIG. 10 is a vertical cross-sectional view showing the schematic configuration of a small-diameter dummy wafer, an electrostatic chuck, and an edge ring according to a second embodiment;
  • FIG. 10 is a plan view showing the schematic configuration of a small-diameter dummy wafer, an electrostatic chuck, and an edge ring according to a second embodiment;
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing a series of wafer processing flows according to the second embodiment using a wafer;
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing a series of wafer processing flows according to the second embodiment using a wafer;
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing a series of wafer processing flows according to a modification of the second embodiment using a wafer;
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing a series of wafer processing flows according to a modification of the second embodiment using a wafer;
  • wafers In the manufacturing process of semiconductor devices, plasma processing is performed on semiconductor wafers (hereinafter referred to as "wafers"). In plasma processing, plasma is generated by exciting a processing gas, and the wafer is processed with the plasma.
  • a plasma processing apparatus generally includes a chamber, a mounting table, and a radio frequency (RF) power supply.
  • the radio frequency power supply comprises a first radio frequency power supply and a second radio frequency power supply.
  • a first RF power supply provides first RF power to generate a plasma of the gas within the chamber.
  • a second high frequency power supply supplies second high frequency power for biasing to the lower electrode in order to attract ions to the wafer.
  • the chamber defines its interior space as a processing space in which plasma is generated.
  • a mounting table is provided in the chamber.
  • the mounting table has a lower electrode and an electrostatic chuck.
  • An electrostatic chuck is provided on the lower electrode.
  • An edge ring is arranged on the electrostatic chuck so as to surround the wafer placed on the electrostatic chuck. The edge ring is provided to control the sheath shape near the edge of the wafer and improve the uniformity of plasma processing on the wafer.
  • reaction products are generated.
  • the reaction product adheres to the inner wall of the chamber, the edge ring, etc., and accumulates as a deposit (hereinafter referred to as "depot”).
  • Depots are the cause of the generation of foreign matter (hereinafter referred to as “particles”), and can cause deterioration in product yield and reduction in equipment operating time.
  • dry cleaning using plasma is performed inside the chamber. That is, in dry cleaning, a dry cleaning gas is excited to generate plasma, and the plasma is used to remove deposits. Specifically, dry cleaning removes deposits by chemical reaction by radicals and physical reaction by ions (sputtering).
  • Dry cleaning may be performed with a dummy wafer mounted on a mounting table as disclosed in Patent Document 1. Further, dry cleaning may be performed without mounting a dummy wafer on a mounting table (waferless dry cleaning) as disclosed in Patent Document 2.
  • radicals and ions are shielded by the dummy wafer, and regions where it is difficult to supply these radicals and ions (regions where it is difficult for radicals and ions to enter) are generated.
  • the second high-frequency power bias power
  • the ions travel straight toward the dummy wafer, so the efficiency of ion sputtering in the region shielded by the dummy wafer is significantly reduced. For this reason, deposits (for example, deposits containing Si or metal) that are difficult to remove by chemical reaction using radicals cannot be sufficiently removed.
  • the technique according to the present disclosure appropriately dry-cleans the mounting table on which the substrate is mounted inside the chamber of the plasma processing apparatus.
  • a plasma processing apparatus and a dry cleaning method for the plasma processing apparatus according to the present embodiment will be described below with reference to the drawings.
  • elements having substantially the same functional configuration are denoted by the same reference numerals, thereby omitting redundant description.
  • FIG. 1 is a vertical sectional view showing the outline of the configuration of the plasma processing apparatus 1.
  • the plasma processing apparatus 1 is a capacitively coupled plasma processing apparatus. Further, in the plasma processing apparatus 1, plasma processing is performed on a product wafer W as a product substrate.
  • the product wafer W is a wafer to be subjected to desired plasma processing, and is a wafer having a pattern formed on its surface, for example.
  • the product wafer W is, for example, a silicon wafer with a diameter of 300 mm.
  • the plasma processing is not particularly limited, for example, etching processing, film forming processing, diffusion processing, etc. are performed.
  • the plasma processing apparatus 1 has a substantially cylindrical chamber 10 .
  • Chamber 10 defines a processing space S within which a plasma is generated.
  • the chamber 10 is made of aluminum, for example.
  • Chamber 10 is connected to ground potential.
  • An inner wall surface of the chamber 10, that is, a wall surface that defines the processing space S, is formed with a plasma-resistant film.
  • the membrane may be a membrane formed by an anodizing process, or a ceramic membrane such as a membrane formed from yttrium oxide.
  • a mounting table 11 on which the product wafer W is mounted is housed inside the chamber 10 .
  • the mounting table 11 has a lower electrode 12 , an electrostatic chuck 13 and an edge ring 14 .
  • the lower electrode 12 is made of a conductive metal such as aluminum, and has a substantially disk shape.
  • a coolant channel 15 a is formed inside the lower electrode 12 .
  • Refrigerant is supplied from a chiller unit (not shown) provided outside the chamber 10 to the refrigerant flow path 15a through a refrigerant inlet pipe 15b.
  • the refrigerant supplied to the refrigerant channel 15a returns to the chiller unit through the refrigerant outlet channel 15c.
  • the electrostatic chuck 13, the edge ring 14, and the product wafer W can be cooled to a desired temperature by circulating a coolant such as cooling water in the coolant channel 15a.
  • the electrostatic chuck 13 is provided on the lower electrode 12 .
  • the electrostatic chuck 13 is a member capable of attracting and holding both the product wafer W and the edge ring 14 by electrostatic force.
  • the electrostatic chuck 13 is formed such that the surface of the central portion is higher than the surface of the outer peripheral portion.
  • the surface of the central portion of the electrostatic chuck 13 serves as a wafer mounting surface on which the product wafer W is mounted, and the surface of the outer peripheral portion of the electrostatic chuck 13 serves as an edge ring mounting surface on which the edge ring 14 is mounted. Become. The details of the configuration of the electrostatic chuck 13 will be described later.
  • a first electrode 16 a for attracting and holding the product wafer W is provided in the central portion inside the electrostatic chuck 13 .
  • a second electrode 16 b for attracting and holding the edge ring 14 is provided inside the electrostatic chuck 13 on the outer peripheral portion.
  • the electrostatic chuck 13 has a configuration in which electrodes 16a and 16b are sandwiched between insulating materials made of an insulating material.
  • a DC voltage is applied to the first electrode 16a from a DC power supply (not shown).
  • the product wafer W is attracted and held on the surface of the central portion of the electrostatic chuck 13 by the electrostatic force generated thereby.
  • a DC voltage from a DC power supply (not shown) is applied to the second electrode 16b.
  • the edge ring 14 is attracted and held on the surface of the outer peripheral portion of the electrostatic chuck 13 by the electrostatic force generated thereby.
  • the edge ring 14 is an annular member arranged so as to surround the product wafer W placed on the surface of the central portion of the electrostatic chuck 13 .
  • Edge ring 14 is provided to improve the uniformity of plasma processing. Therefore, the edge ring 14 is made of a material appropriately selected according to the plasma processing, and can be made of quartz, Si, SiC, or the like, for example. The details of the configuration of the edge ring 14 will be described later.
  • the mounting table 11 configured as described above is fastened to a substantially cylindrical support member 17 provided at the bottom of the chamber 10 .
  • the support member 17 is made of an insulator such as ceramic or quartz.
  • the mounting table 11 may include a temperature control module configured to control at least one of the electrostatic chuck 13, the edge ring 14, and the product wafer W to a desired temperature.
  • the temperature control module may include heaters, channels, or a combination thereof.
  • a temperature control fluid such as a refrigerant or a heat transfer gas flows through the flow path.
  • a lifter 20 for raising and lowering the product wafer W with respect to the mounting table 11 is provided below the mounting table 11 and inside the support member 17 .
  • the lifter 20 has lifting pins 21 , support members 22 , and drive units 23 .
  • the lifting pin 21 is a columnar member that rises and falls so as to protrude from the surface of the central portion of the electrostatic chuck 13, and is made of ceramic, for example.
  • Three or more elevating pins 21 are provided at intervals in the circumferential direction of electrostatic chuck 13 , that is, along the circumferential direction of the surface.
  • the lifting pins 21 are provided, for example, at regular intervals along the circumferential direction.
  • the lifting pin 21 is provided so as to extend in the vertical direction.
  • the elevating pin 21 is inserted through a through hole 24 extending downward from the central surface of the electrostatic chuck 13 to the bottom surface of the lower electrode 12 . That is, the through hole 24 is formed so as to penetrate the central portion of the electrostatic chuck 13 and the lower electrode 12 .
  • the support member 22 supports a plurality of lifting pins 21.
  • the drive unit 23 generates a driving force for raising and lowering the support member 22 and raises and lowers the plurality of lifting pins 21 .
  • the drive unit 23 has a motor (not shown) that generates the driving force.
  • the plasma processing apparatus 1 further has a first RF (Radio Frequency) power supply 30 , a second RF power supply 31 , a first matching box 32 and a second matching box 33 .
  • a first high-frequency power supply 30 and a second high-frequency power supply 31 are connected to the lower electrode 12 via a first matching box 32 and a second matching box 33, respectively.
  • the first high-frequency power supply 30 is a power supply that generates high-frequency power for plasma generation.
  • the first high frequency power supply 30 supplies the lower electrode 12 with high frequency power HF, which may have a frequency of 27 MHz to 100 MHz, and in one example, 40 MHz.
  • the first matching device 32 has a circuit for matching the output impedance of the first high-frequency power supply 30 and the input impedance on the load side (lower electrode 12 side). Note that the first high-frequency power supply 30 may not be electrically connected to the lower electrode 12 and may be connected to the showerhead 40 as the upper electrode via the first matching box 32 .
  • the second high frequency power supply 31 generates high frequency power (bias power) LF for drawing ions into the product wafer W and supplies the high frequency power LF to the lower electrode 12 .
  • the frequency of the high frequency power LF may be in the range of 400 kHz to 13.56 MHz, and in one example is 400 kHz.
  • the second matching device 33 has a circuit for matching the output impedance of the second high-frequency power supply 31 and the input impedance on the load side (lower electrode 12 side).
  • a DC (Direct Current) pulse generator may be used instead of the second high-frequency power supply 31 .
  • a shower head 40 is provided above the mounting table 11 so as to face the mounting table 11 .
  • the shower head 40 has an electrode plate 41 arranged facing the processing space S and an electrode support 42 provided above the electrode plate 41 .
  • the electrode plate 41 functions as the lower electrode 12 and a pair of upper electrodes.
  • the showerhead 40 is connected to the ground potential.
  • the shower head 40 is supported on the top (ceiling surface) of the chamber 10 via an insulating shielding member 43 .
  • the electrode plate 41 is formed with a plurality of gas ejection ports 41a for supplying a processing gas sent from a gas diffusion chamber 42a, which will be described later, into the processing space S.
  • the electrode plate 41 is made of, for example, a conductor or semiconductor that generates little Joule heat and has low electrical resistivity.
  • the electrode support 42 detachably supports the electrode plate 41 .
  • the electrode support 42 has a structure in which a plasma-resistant film is formed on the surface of a conductive material such as aluminum.
  • the membrane may be a membrane formed by an anodizing process, or a ceramic membrane such as a membrane formed from yttrium oxide.
  • a gas diffusion chamber 42 a is formed inside the electrode support 42 .
  • a plurality of gas flow holes 42b are formed from the gas diffusion chamber 42a to communicate with the gas ejection port 41a.
  • a gas supply source group 50 for supplying a processing gas to the gas diffusion chamber 42a is connected to the electrode support 42 via a flow control device group 51, a valve group 52, a gas supply pipe 53, and a gas introduction hole 42c. ing.
  • the gas supply source group 50 has multiple types of gas supply sources necessary for plasma processing or dry cleaning.
  • the flow control device group 51 includes a plurality of flow controllers, and the valve group 52 includes a plurality of valves. Each of the plurality of flow controllers in the flow controller group 51 is a mass flow controller or a pressure-controlled flow controller.
  • the processing gas from one or more gas supply sources selected from the gas supply source group 50 is supplied through the flow control device group 51, the valve group 52, the gas supply pipe 53, and the gas introduction hole 42c. It is supplied to the gas diffusion chamber 42a. Then, the processing gas supplied to the gas diffusion chamber 42a is dispersed in the processing space S in the form of a shower through the gas flow hole 42b and the gas ejection port 41a.
  • a deposition shield 60 is detachably provided along the inner wall of the chamber 10 in the plasma processing apparatus 1 .
  • the deposit shield 60 prevents deposits from adhering to the inner wall of the chamber 10, and is made of, for example, an aluminum material coated with ceramics such as yttrium oxide.
  • a deposit shield 61 is detachably provided on the outer peripheral surface of the support member 17 facing the deposit shield 60 .
  • a baffle plate 62 is provided at the bottom of the chamber 10 and between the inner wall of the chamber 10 and the support member 17 .
  • the baffle plate 62 is made of, for example, an aluminum material coated with ceramics such as yttrium oxide.
  • a plurality of through holes are formed in the baffle plate 62 .
  • the processing space S communicates with the exhaust port 63 through the baffle plate 62 .
  • An exhaust device 64 such as a vacuum pump is connected to the exhaust port 63, and the inside of the processing space S can be decompressed by the exhaust device 64. As shown in FIG.
  • a loading/unloading port 65 for the product wafer W is formed on the side wall of the chamber 10 , and the loading/unloading port 65 can be opened and closed by a gate valve 66 .
  • the dry cleaning section includes the lower electrode 12, the second high-frequency power source 31, the gas supply source group 50, and the like. to generate plasma.
  • a controller 70 is provided in the plasma processing apparatus 1 described above.
  • the control unit 70 is, for example, a computer having a CPU, memory, etc., and has a program storage unit (not shown).
  • a program for controlling plasma processing in the plasma processing apparatus 1 is stored in the program storage unit.
  • the program may be recorded in a computer-readable storage medium and installed in the control unit 70 from the storage medium.
  • the control unit 70 controls transportation of the substrate (including vertical movement of the substrate by the lifter 20 ), plasma processing of the substrate, and execution of dry cleaning in the chamber 10 .
  • the product wafer W is loaded into the chamber 10 and placed on the electrostatic chuck 13 .
  • the product wafer W is placed on the electrostatic chuck 13 so that the center of the product wafer W is at the same position as the center of the electrostatic chuck 13 in plan view.
  • the position of this product wafer W is the processing position in the present disclosure.
  • the product wafer W is electrostatically attracted to and held by the electrostatic chuck 13 by Coulomb force.
  • the inside of the chamber 10 is depressurized to a desired degree of vacuum by the exhaust device 64 .
  • the processing gas is supplied from the gas supply source group 50 to the processing space S through the shower head 40 .
  • the first high-frequency power supply 30 supplies high-frequency power HF for plasma generation to the lower electrode 12 to excite the processing gas and generate plasma.
  • the high-frequency power LF for attracting ions may be supplied from the second high-frequency power supply 31 .
  • the product wafer W is subjected to plasma processing by the action of the generated plasma.
  • the supply of the high frequency power HF from the first high frequency power supply 30 and the supply of the processing gas from the gas supply source group 50 are stopped. Moreover, when the high frequency power LF is being supplied during the plasma processing, the supply of the high frequency power LF is also stopped. Next, the supply of the heat transfer gas to the back surface of the product wafer W is stopped, and the electrostatic chuck 13 stops holding the product wafer W by suction.
  • the product wafer W is unloaded from the chamber 10, and a series of plasma processing for the product wafer W is completed.
  • plasma may be generated using only the high frequency power LF from the second high frequency power supply 31 without using the high frequency power HF from the first high frequency power supply 30 .
  • FIG. 2 is a vertical cross-sectional view showing the schematic configuration of the electrostatic chuck 13 and the edge ring 14.
  • FIG. 3 is a plain view showing the outline of the configuration of the electrostatic chuck 13 and the edge ring 14. As shown in FIG.
  • the electrostatic chuck 13 has a central portion 100 having a surface 100a on which the product wafer W is placed and an outer peripheral portion 101 having a surface 101a on which the edge ring 14 is placed. It is configured.
  • the central portion 100 is provided so as to protrude from the outer peripheral portion 101 , and the surface 100 a of the central portion 100 is higher than the surface 101 a of the outer peripheral portion 101 .
  • the central portion 100 of the electrostatic chuck 13 is formed to have a smaller diameter than the diameter of the product wafer W, for example, so that when the product wafer W is placed on the surface 100a, the peripheral edge portion of the product wafer W touches the electrostatic chuck 13. It projects from the central part 100 of the.
  • the electrostatic chuck 13 of the present embodiment has the central portion 100 and the outer peripheral portion 101 integrally formed, the central portion 100 and the outer peripheral portion 101 may be separate bodies. Further, the electrostatic chuck 13 of this embodiment has the central portion 100 and the outer peripheral portion 101, but the outer peripheral portion 101 may be omitted. In such a case, the edge ring 14 is not placed on the electrostatic chuck 13 but supported by another supporting member (not shown).
  • the edge ring 14 is provided so as to surround the product wafer W placed on the surface 100a.
  • the edge ring 14 is formed integrally with a first ring portion 110 having an annular shape and a second ring portion 111 having an annular shape.
  • the first ring portion 110 and the second ring portion 111 are provided on concentric circles, respectively, and the second ring portion 111 is provided radially outside the first ring portion 110 .
  • the surface 110a of the first ring portion 110 is lower than the surface 100a.
  • the surface 111a of the second ring portion 111 is higher than the surface 100a, for example, the same height as the surface Wa of the product wafer W placed on the surface 100a, or higher than the surface Wa of the product wafer W.
  • the inner peripheral portion of the surface 111a is inclined toward the surface 110a (inward in the radial direction).
  • the inner diameter of the first ring portion 110 is larger than the diameter of the central portion 100 and smaller than the diameter of the product wafer W.
  • the inner diameter of the second ring portion 111 is larger than the diameter of the product wafer W.
  • the first ring portion 110 is arranged so as to go under the peripheral portion of the product wafer W projecting from the central portion 100 of the electrostatic chuck 13 . That is, as shown in FIGS. 2 and 3, the surface 110a of the first ring portion 110 has a region overlapping the product wafer W and shadowed by the product wafer W in plan view. In the following description, the shadow area of the product wafer W will be referred to as a shadow area A. As shown in FIG.
  • Plasma processing produces reaction products as described above. Reaction products adhere to the edge ring 14 and the like and accumulate as deposits. In order to remove the deposits, dry cleaning using plasma is performed inside the chamber 10 . Dry cleaning removes deposits by chemical reaction by radicals and physical reaction by ions (sputtering). Radical chemical reactions can remove, for example, carbon-based depots. Moreover, the physical reaction by ions can remove, for example, deposits containing Si and metals.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing how dry cleaning is performed using the dummy wafer D. As shown in FIG. In FIG. 4, arrows indicate the flow of ions N. In FIG. Also, in order to facilitate understanding of the technology, the flow of radicals is omitted in FIG.
  • the dummy wafer D is a wafer having the same diameter as the product wafer W.
  • the dummy wafer D is a wafer on which no pattern is formed, and is a so-called bare silicon wafer.
  • ions N are supplied to the surfaces 110a and 111a of the edge ring 14 to remove deposits adhering to the surfaces 110a and 111a.
  • high-frequency power LF bias power
  • the ions N travel straight toward the dummy wafer D, so the efficiency of sputtering by the ions N in the shadow region A shielded by the dummy wafer D is significantly reduced.
  • deposits for example, deposits containing Si or metal
  • Radicals are also difficult to supply to the shaded area A, which is in the shadow of the dummy wafer D, so that the deposits cannot be sufficiently removed.
  • dummy cleaning of the shadow area A is performed by shifting the position of the dummy wafer D with respect to the mounting table 11 (edge ring 14). Further, in the dry cleaning method of the second embodiment, a dummy wafer having a diameter smaller than that of the product wafer W (hereinafter referred to as a "small-diameter dummy wafer") is used as the dummy wafer to perform dummy cleaning of the shaded area A.
  • FIG. 5 is a flowchart showing main steps of wafer processing according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is an explanatory diagram showing a series of wafer processing flows according to the first embodiment using a wafer.
  • FIG. 7 is an explanatory diagram showing the position of the wafer during dry cleaning according to the first embodiment.
  • dry cleaning is performed using four dummy wafers D1 to D4 as described later. These first to fourth dummy wafers D1 to D4 have the same diameter as the product wafer W. Also, in the first embodiment, the first to fourth dummy wafers D1 to D4 are different dummy wafers. However, the first to fourth dummy wafers D1 to D4 may be the same dummy wafer.
  • step S11 In step S11, one lot, for example, 25 product wafers W are continuously subjected to plasma processing.
  • the plasma processing method for each product wafer W is as described above.
  • step S12 the first dry cleaning is performed using the first dummy wafer D1.
  • the first dummy wafer D1 is loaded into the chamber 10 and placed above the electrostatic chuck 13 .
  • the first dummy wafer D1 is arranged such that the center C1 of the first dummy wafer D1 is displaced from the center C of the electrostatic chuck 13 in the positive Y-axis direction in a plan view. be done.
  • the position of this first dummy wafer D1 is the first position in the present disclosure. In this case, the first shadow area A1 on the Y-axis negative direction side of the shadow area A of the edge ring 14 is exposed without overlapping the first dummy wafer D1 in plan view.
  • one end D1a of the first dummy wafer D1 is positioned between the inner peripheral end of the edge ring 14 and the outer peripheral end of the central portion 100 of the electrostatic chuck 13.
  • the other end D1b of the first dummy wafer D1 is located radially outside the inner peripheral end of the edge ring 14 . Then, the shadow area A1 on the one end D1a side of the edge ring 14 is exposed without overlapping with the first dummy wafer D1.
  • the lifter 20 supporting the first dummy wafer D ⁇ b>1 is lowered and placed on the electrostatic chuck 13 . Thereafter, by applying a DC voltage to the first electrode 16a of the electrostatic chuck 13, the first dummy wafer D1 is electrostatically attracted to and held by the electrostatic chuck 13 by Coulomb force. Further, after loading the first dummy wafer D1, the inside of the chamber 10 is decompressed to a desired degree of vacuum by the exhaust device 64 .
  • dry cleaning gas is supplied to the processing space S from the gas supply source group 50 through the shower head 40 .
  • Dry cleaning gases are, for example, oxygen, oxygen-containing gases, HCl, F2 , Cl2 , hydrogen, nitrogen, argon, SF6 , C2F6 , NF3 , CF4 or mixtures of two or more of these gases.
  • high frequency power is supplied to the lower electrode 12 by the first high frequency power supply 30 and/or the second high frequency power supply 31 .
  • the dry cleaning gas is excited to generate plasma, and deposits inside the chamber 10 are removed by a chemical reaction of radicals and a physical reaction of ions (sputtering).
  • ions are also supplied to the first shadow area A1 exposed from the first dummy wafer D1, and deposits attached to the first shadow area A1 are also removed.
  • the first dry cleaning is performed.
  • the supply of high-frequency power from the first high-frequency power supply 30 and/or the second high-frequency power supply 31 and the supply of processing gas from the gas supply source group 50 are stopped.
  • the attraction and holding of the first dummy wafer D1 by the electrostatic chuck 13 is stopped.
  • the first dummy wafer D1 is unloaded from the chamber 10, and the first dry cleaning using the first dummy wafer D1 is completed.
  • step S13 In step S13, the next lot, for example, 25 product wafers W are continuously subjected to plasma processing.
  • This step S34 is the same as step S11.
  • step S14 second dry cleaning is performed using the second dummy wafer D2.
  • the second dummy wafer D2 is arranged above the electrostatic chuck 13 .
  • the second dummy wafer D2 is arranged so that the center C2 of the second dummy wafer D2 is displaced from the center C of the electrostatic chuck 13 in the positive direction of the X axis in plan view. be done.
  • the position of this second dummy wafer D2 is the second position in the present disclosure. In this case, the second shadow area A2 on the X-axis negative direction side of the shadow area A of the edge ring 14 is exposed without overlapping the second dummy wafer D2 in plan view.
  • the second dummy wafer D2 is placed on the electrostatic chuck 13 and held by the electrostatic chuck 13 by attraction.
  • the subsequent dry cleaning method is the same as the first dry cleaning in step S12. That is, deposits inside the chamber 10 are removed using plasma (including radicals and ions) excited by the dry cleaning gas. At this time, deposits adhering to the second shadow area A2 exposed from the second dummy wafer D2 are also removed. Thus, the second dry cleaning is performed.
  • step S15 In step S15, the next lot, for example, 25 product wafers W are continuously plasma-processed.
  • This step S34 is the same as step S11.
  • step S16 third dry cleaning is performed using the third dummy wafer D3.
  • a third dummy wafer D3 is arranged above the electrostatic chuck 13 .
  • the third dummy wafer D3 is arranged so that the center C3 of the third dummy wafer D3 is shifted from the center C of the electrostatic chuck 13 in the Y-axis negative direction in plan view. be done.
  • the position of this third dummy wafer D3 is the third position in the present disclosure.
  • the third shadow area A3 on the Y-axis positive direction side of the shadow area A of the edge ring 14 is exposed without overlapping the third dummy wafer D3 in plan view.
  • the third dummy wafer D3 is placed on the electrostatic chuck 13 and held by the electrostatic chuck 13 by suction.
  • the subsequent dry cleaning method is the same as the first dry cleaning in step S12. That is, deposits inside the chamber 10 are removed using plasma (including radicals and ions) excited by the dry cleaning gas. At this time, deposits adhering to the third shadow area A3 exposed from the third dummy wafer D3 are also removed. Thus, the third dry cleaning is performed.
  • step S17 In step S17, the next lot, for example, 25 product wafers W are continuously plasma-processed.
  • This step S34 is the same as step S11.
  • step S18 the fourth dry cleaning is performed using the fourth dummy wafer D4.
  • a fourth dummy wafer D4 is arranged above the electrostatic chuck 13 .
  • the fourth dummy wafer D4 is arranged so that the center C4 of the fourth dummy wafer D4 is shifted from the center C of the electrostatic chuck 13 in the negative direction of the X axis in plan view. be done.
  • the position of this fourth dummy wafer D4 is the fourth position in the present disclosure.
  • the fourth shadow area A4 on the X-axis positive direction side of the shadow area A of the edge ring 14 is exposed without overlapping the fourth dummy wafer D4 in plan view.
  • the fourth dummy wafer D4 is placed on the electrostatic chuck 13 and held by the electrostatic chuck 13 by suction.
  • the subsequent dry cleaning method is the same as the first dry cleaning in step S12. That is, deposits inside the chamber 10 are removed using plasma (including radicals and ions) excited by the dry cleaning gas. At this time, deposits adhering to the fourth shadow area A4 exposed from the fourth dummy wafer D4 are also removed. Thus, the fourth dry cleaning is performed.
  • step S18 for example, steps S11 to S18 are repeated.
  • deposits attached to the first to fourth shadow areas A1 to A4 can be removed by performing the first to fourth dry cleanings. Therefore, as shown in FIG. 4, the deposits can be properly removed even in the shaded area A where the deposits could not be removed because of the shadow of the dummy wafer D in the prior art.
  • portions other than the shadow region A are exposed on the surfaces 110a and 111a of the edge ring 14, and deposits adhering to these portions can also be properly removed. Therefore, deposits can be removed from the entire surfaces 110a and 111a of the edge ring 14, so that the generation of particles can be suppressed and the yield of products can be improved.
  • the operating time of the plasma processing apparatus 1 can be lengthened, and it is also possible to extend the mean time between cleanings (MTBC) of the plasma processing apparatus.
  • the dummy wafer when dry cleaning is performed using a dummy wafer, the dummy wafer is placed at an accurate position with respect to the electrostatic chuck 13, that is, at a position where the center of the dummy wafer coincides with the center of the electrostatic chuck 13 in plan view. was sought. Therefore, intentionally displacing the dummy wafers D1 to D4 with respect to the electrostatic chuck 13, as in the first embodiment, is extremely novel and not in the conventional technical concept.
  • FIG. 9 is an explanatory diagram showing the first to fourth positions.
  • a first line segment L1 is a line segment connecting the center C of the electrostatic chuck 13 and the center C1 of the first dummy wafer D1.
  • a second line segment L2 is a line segment connecting the center C of the electrostatic chuck 13 and the center C2 of the second dummy wafer D2.
  • a third line segment L3 is a line segment connecting the center C of the electrostatic chuck 13 and the center C3 of the third dummy wafer D3.
  • a fourth line segment L4 is a line segment connecting the center C of the electrostatic chuck 13 and the center C4 of the fourth dummy wafer D4.
  • the first angle ⁇ 1 is the angle formed by the first line segment L1 and the second line segment L2.
  • the second angle ⁇ 2 is the angle formed by the second line segment L2 and the third line segment L3.
  • a third angle ⁇ 3 is an angle formed by the third line segment L3 and the fourth line segment L4.
  • a fourth angle ⁇ 4 is an angle formed by the fourth line segment L4 and the first line segment L1.
  • the first to fourth angles ⁇ 1 to ⁇ 4 are equal and 90 degrees.
  • the centers C1 to C4 of the first to fourth dummy wafers D1 to D4 are arranged on the same circumference at regular intervals.
  • the areas of the first to fourth shaded areas A1 to A4 can be made uniform. As a result of intensive studies by the inventors, it was found that the entire shaded area A can be covered by the first to fourth shaded areas A1 to A4. In other words, when the first to fourth dry cleanings are performed, the shaded area A is entirely exposed, and the deposit adhering to the shaded area A can be removed.
  • the first to fourth dry cleanings may be continuously performed after plasma processing is performed on product wafers W of one lot.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing a series of wafer processing flows according to this modification using a wafer.
  • Step S21 In step S21, one lot, for example, 25 product wafers W are continuously subjected to plasma processing. This step S21 is the same as step S11.
  • Step S22 the first dry cleaning is performed using the first dummy wafer D1.
  • step S23 the second dry cleaning is performed using the second dummy wafer D2.
  • step S24 third dry cleaning is performed using the third dummy wafer D3.
  • step S25 the fourth dry cleaning is performed using the fourth dummy wafer D4.
  • step S21 for example, steps S21 to S25 are repeated. Further, as shown in FIG. 11, step S21 may be performed a plurality of times, that is, steps S22 to S25 may be performed after plasma processing is performed on product wafers W of a plurality of lots.
  • the same effects as in the first embodiment can be enjoyed. That is, by performing the first to fourth dry cleanings respectively, the deposits adhering to the first to fourth shaded areas A1 to A4 can be removed.
  • FIG. 12 is an explanatory diagram showing a series of wafer processing flows according to this modification using a wafer.
  • Step S30 In step S30, one lot, for example, 25 product wafers W are continuously subjected to plasma processing. This step S30 is the same as step S11.
  • step S31 fifth dry cleaning is performed using the fifth dummy wafer D5.
  • a fifth dummy wafer D5 is arranged above the electrostatic chuck 13 .
  • the fifth dummy wafer D5 is arranged so that the center of the fifth dummy wafer D5 is at the same position as the center of the electrostatic chuck 13 in plan view.
  • the position of this fifth dummy wafer D5 is the fifth position in the present disclosure.
  • the fifth dummy wafer D5 is placed on the electrostatic chuck 13 and held by the electrostatic chuck 13 by suction.
  • the subsequent dry cleaning method is the same as the first dry cleaning in step S12. That is, deposits inside the chamber 10 are removed using plasma (including radicals and ions) excited by the dry cleaning gas. Thus, the fifth dry cleaning is performed.
  • Step S32 In step S32, one lot, for example, 25 product wafers W are continuously subjected to plasma processing. This step S32 is the same as step S11.
  • Step S33 the first dry cleaning is performed using the first dummy wafer D1. This step S33 is the same as step S12.
  • Step S34 In step S34, one lot, for example, 25 product wafers W are continuously subjected to plasma processing. This step S34 is the same as step S11.
  • Step S35 the second dry cleaning is performed using the second dummy wafer D2. This step S35 is the same as step S14.
  • Step S36 In step S36, one lot, for example, 25 product wafers W are continuously subjected to plasma processing. This step S36 is the same as step S11.
  • step S37 In step S37, third dry cleaning is performed using the third dummy wafer D3. This step S37 is the same as step S16.
  • Step S38 In step S38, one lot, for example, 25 product wafers W are continuously subjected to plasma processing. This step S38 is the same as step S11.
  • step S39 the fourth dry cleaning is performed using the fourth dummy wafer D4. This step S39 is the same as step S18.
  • step S39 for example, steps S30 to S39 are repeated.
  • the same effects as in the first embodiment can be enjoyed. That is, by performing the first to fourth dry cleanings, respectively, the deposits adhering to the first to fourth shaded areas A1 to A4 can be removed.
  • the fifth dry cleaning is performed using the fifth dummy wafer D5 in step S31 of this modified example, so-called waferless dry cleaning may be performed instead.
  • FIG. 13 is an explanatory diagram showing a series of wafer processing flows according to this modification using a wafer.
  • Step S41 In step S41, one lot, for example, 25 product wafers W are continuously subjected to plasma processing. This step S41 is the same as step S11.
  • step S42 fifth dry cleaning is performed using the fifth dummy wafer D5. This step S42 is the same as step S31.
  • Step S43 In step S43, one lot, for example, 25 product wafers W are continuously subjected to plasma processing. This step S43 is the same as step S11.
  • Step S44 the first dry cleaning is performed using the first dummy wafer D1.
  • step S45 the second dry cleaning is performed using the second dummy wafer D2.
  • step S46 third dry cleaning is performed using the third dummy wafer D3.
  • step S47 the fourth dry cleaning is performed using the fourth dummy wafer D4.
  • step S47 for example, steps S41 to S47 are repeated.
  • the same effects as in the first embodiment can be enjoyed. That is, by performing the first to fourth dry cleanings respectively, the deposits adhering to the first to fourth shaded areas A1 to A4 can be removed.
  • Steps S42 and S43 may be performed a plurality of times, that is, steps S44 to S47 may be performed after plasma processing is performed on product wafers W in a plurality of lots. In such a case, if steps S42 and S43 are performed a plurality of times, deposits in the shaded area A that cannot be removed in step S42 will accumulate. Therefore, by performing the first to fourth dry cleanings in steps S43 to S47, the deposits in the shaded area A can be removed.
  • step S42 of this modified example the fifth dry cleaning is performed using the fifth dummy wafer D5, but instead of this, so-called waferless dry cleaning may be performed.
  • the first to fourth dry cleanings are performed with the first to fourth dummy wafers D1 to D4 placed on the electrostatic chuck 13, respectively. , may be performed in a state separated from the electrostatic chuck 13 .
  • the first dry cleaning using the first dummy wafer D1 will be described below, the other second to fourth dry cleanings are the same.
  • the first ring portion 110 may be radially small.
  • the distance F1 between the one end D1b and the outer peripheral end of the central portion 100 of the electrostatic chuck 13 is sufficiently secured.
  • One end D1a is located above the edge ring 14. As shown in FIG. That is, the shaded area A1 on the one end D1a side of the edge ring 14 overlaps the first dummy wafer D1 in plan view and is not completely exposed.
  • the first dry cleaning may be performed while the first dummy wafer D1 is supported by the lifter 20 and separated from the electrostatic chuck 13 as shown in FIG. 14(b).
  • the distance F2 (margin) between the one end D1b of the first dummy wafer D1 and the outer peripheral end of the central portion 100 of the electrostatic chuck 13 can be sufficiently ensured, and the one end D1a is separated from the inner peripheral end of the edge ring 14. It is positioned between the outer peripheral ends of the central portion 100 of the electrostatic chuck 13 .
  • the shaded area A1 on the one end D1a side of the edge ring 14 is exposed without overlapping the first dummy wafer D1, and deposits adhering to the shaded area A1 can be removed in the first dry cleaning.
  • the inner peripheral portion of the surface 111a of the first ring portion 110 in the edge ring 14 is inclined toward the surface 110a.
  • the distance H between the back surface D1c of the first dummy wafer D1 shown in FIG. 14(b) and the surface of the electrostatic chuck 13 is preferably 2 mm or less. That is, when the distance H is 2 mm or less, the state of the plasma does not change in the first dry cleaning, and the same cleaning effect as when the first dummy wafer D1 is placed on the electrostatic chuck 13 can be obtained. .
  • the second to fourth dry cleanings are performed while the second to fourth dummy wafers D2 to D4 are supported by the lifter 20 and spaced apart from the electrostatic chuck 13, respectively.
  • the shaded areas A2 to A4 are exposed, and deposits adhering to the shaded areas A2 to A4 can be removed in the second to fourth dry cleanings, respectively.
  • the same effects as in the first embodiment can be enjoyed. That is, by performing the first to fourth dry cleanings respectively, the deposits adhering to the first to fourth shaded areas A1 to A4 can be removed.
  • the first to fourth dry cleanings are performed to expose the shadow areas A1 to A4 and remove the deposits, but the number of dry cleanings is limited to this. not.
  • the number of times of dry cleaning should be at least two or more. For example, when dry cleaning is performed twice, the above-described first dry cleaning and third dry cleaning may be performed.
  • the number of product wafers W to be plasma-processed in one lot was 25, but the number is not limited to this.
  • one lot may consist of two or more sheets, or may consist of one sheet.
  • ⁇ Dry cleaning method of the second embodiment> A dry cleaning method according to the second embodiment will be described.
  • plasma processing for product wafers W and dry cleaning using small-diameter dummy wafers Ds will be described.
  • the small-diameter dummy wafer Ds used in the dry cleaning of the second embodiment is a wafer having a smaller diameter than the product wafer W.
  • FIG. 15 is a vertical cross-sectional view showing the schematic configuration of the small-diameter dummy wafer Ds, the electrostatic chuck 13 and the edge ring 14.
  • FIG. 16 is a plain view showing the outline of the configuration of the small-diameter dummy wafer Ds, the electrostatic chuck 13 and the edge ring 14. As shown in FIG.
  • the diameter of the small-diameter dummy wafer Ds is the same as the inner diameter of the edge ring 14. In such a case, the shaded area A is exposed without overlapping the small-diameter dummy wafer Ds in plan view. Note that the diameter of the small-diameter dummy wafer Ds is not limited to the illustrated example.
  • FIG. 17 is an explanatory diagram showing a series of wafer processing flows according to the second embodiment using a wafer.
  • step T11 In step T11, one lot, for example, 25 product wafers W are continuously subjected to plasma processing. This step T11 is the same as step S11.
  • step T12 dry cleaning is performed using the small-diameter dummy wafer Ds.
  • a small-diameter dummy wafer Ds is arranged above the electrostatic chuck 13 .
  • the small-diameter dummy wafer Ds is arranged so that the center of the small-diameter dummy wafer Ds is at the same position as the center of the electrostatic chuck 13 in plan view.
  • the position of this small-diameter dummy wafer Ds is the cleaning position in the present disclosure. In this case, the shaded area A of the edge ring 14 is exposed without overlapping the small-diameter dummy wafer Ds in plan view.
  • the small-diameter dummy wafer Ds is placed on the electrostatic chuck 13 and held by the electrostatic chuck 13 by suction. After that, a backside gas is supplied to the back surface of the small-diameter dummy wafer Ds to perform dry cleaning.
  • the dry cleaning method is the same as the first dry cleaning in step S12. That is, deposits inside the chamber 10 are removed using plasma (including radicals and ions) excited by the dry cleaning gas. At this time, deposits adhering to the shadow area A exposed from the small-diameter dummy wafer Ds are also removed. Thus, dry cleaning is performed.
  • step T11 for example, steps T11 and T12 are repeated. Further, as shown in FIG. 18, step T11 may be performed a plurality of times, that is, step T12 may be performed after plasma processing is performed on product wafers W of a plurality of lots.
  • deposits adhering to the shadow area A can be removed by performing dry cleaning using the small-diameter dummy wafer Ds. That is, as shown in FIG. 4, the deposits can be properly removed even in the shaded area A where the deposits could not be removed because of the shadow of the dummy wafer D in the prior art.
  • portions other than the shadow region A are exposed on the surfaces 110a and 111a of the edge ring 14, and the deposits adhering to these portions can also be properly removed. Therefore, deposits can be removed from the entire surfaces 110a and 111a of the edge ring 14, so that the generation of particles can be suppressed, the yield of products can be improved, and the operating time of the plasma processing apparatus 1 can be extended. It becomes possible.
  • the small-diameter dummy wafer Ds has an inner portion (flat portion) with flat upper and lower surfaces, and an outer portion (bevel portion) formed on the outer peripheral side of the inner portion and having chamfered upper and lower surfaces. Also, in the small-diameter dummy wafer Ds, the annular range of 0.4 mm in the radial direction coincides with the bevel portion (chamfered portion). Therefore, it can be inferred that the cleaning effect can be obtained even under the small-diameter dummy wafer Ds as long as it is under the bevel portion.
  • the upper limit of the diameter ⁇ A of the small-diameter dummy wafer Ds may be smaller than the diameter of the product wafer W. That is, the diameter ⁇ A of the small-diameter dummy wafer Ds is preferably within the range of the following formula (1).
  • the first high-frequency power may be lower than the first high-frequency power in placement cleaning.
  • the second high-frequency power may be lower during lift-up cleaning than during placement cleaning (or the second high-frequency power may not be supplied).
  • the pressure inside the chamber 10 may be higher than in the mounting cleaning.
  • Lift-up cleaning and placement cleaning may be used together. That is, the lift-up cleaning may be performed before (or after) the placement cleaning. As a result, deposits that cannot be completely removed by dry cleaning performed while the small-diameter dummy wafer Ds is placed on the electrostatic chuck 13 (for example, deposits adhering to the gap between the electrostatic chuck 13 and the edge ring 14, and electrostatic Depot attached to the outer peripheral mounting surface of the chuck 13 can be removed.
  • lift-up cleaning and placement cleaning are performed under different conditions (that is, when lift-up cleaning is performed with low power)
  • lift-up cleaning is preferably performed after placement cleaning.
  • the backside gas is supplied to the back surface of the small-diameter dummy wafer Ds for dry cleaning, but the backside gas does not have to be supplied.
  • the small-diameter dummy wafer Ds is heated by plasma, and deposits removed by dry cleaning can be prevented from adhering to the small-diameter dummy wafer Ds.
  • the frequency of cleaning the small-diameter dummy wafers Ds can be reduced.
  • the backside gas may be supplied during or after dry cleaning to cool the small-diameter dummy wafer Ds.
  • the small-diameter dummy wafer Ds may be cooled in order to unload the small-diameter dummy wafer Ds. That is, after the lift-up cleaning, the small-diameter dummy wafer Ds is placed on the electrostatic chuck 13, and after being attracted and held by the electrostatic chuck 13, a backside gas is supplied to the back surface of the small-diameter dummy wafer Ds to cool the small-diameter dummy wafer Ds.
  • FIG. 19 is an explanatory diagram showing a series of wafer processing flows according to this modification using a wafer.
  • Step T21 In step T21, one lot, for example, 25 product wafers W are continuously subjected to plasma processing. This step T21 is the same as step S11.
  • step T22 fifth dry cleaning (ordinary dry cleaning) is performed using the fifth dummy wafer D5. This step T22 is the same as step S31.
  • step T23 In step T23, one lot, for example, 25 product wafers W are continuously subjected to plasma processing. This step T23 is the same as step S11.
  • step T24 dry cleaning is performed using the small-diameter dummy wafer Ds. This step T24 is similar to step T12.
  • step T24 for example, steps T23 and T24 are repeated.
  • steps T22 and T23 may be performed multiple times, that is, step T24 may be performed after plasma processing is performed on product wafers W in multiple lots. In such a case, if steps T22 and T23 are performed multiple times, deposits in the shaded area A that cannot be removed in step T22 will accumulate. Therefore, by performing dry cleaning using the small-diameter dummy wafer Ds in step T24, the deposits in the shadow area A can be removed.
  • step T22 of this modified example the fifth dry cleaning is performed using the fifth dummy wafer D5, but instead of this, so-called waferless dry cleaning may be performed.
  • a cleaning method for a plasma processing apparatus comprising: placing the first dummy substrate at a first position with respect to the mounting table inside the chamber, and performing a first dry cleaning inside the chamber; placing a second dummy substrate at a second position with respect to the mounting table inside the chamber, and performing a second dry cleaning inside the chamber;
  • the center of the first position and the center of the second position are positions different from the center of the mounting table in plan view,
  • the cleaning method for a plasma processing apparatus wherein the first position and the second position are different positions in plan view.
  • the mounting table is an electrostatic chuck that holds the first dummy substrate or the second dummy substrate; an edge ring provided to surround the first dummy substrate or the second dummy substrate placed on the electrostatic chuck; In at least the first dry cleaning or the second dry cleaning, one end of the first dummy substrate or the second dummy substrate extends from the inner peripheral end of the edge ring to the outer periphery of the electrostatic chuck in plan view. 5.
  • the method for cleaning a plasma processing apparatus according to any one of additional items 1 to 4, wherein the edge ring is positioned between the ends, and the other end is positioned outside the inner peripheral end of the edge ring.
  • Appendix 7 6.
  • Appendix 8 Between the first dry cleaning and the second dry cleaning, plasma processing is performed on the product substrate, 8.
  • the plasma treatment is performed with the product substrate mounted on the mounting table such that the center of the product substrate and the center of the mounting table are at the same position in a plan view.
  • Appendix 9 9.
  • the cleaning method for a plasma processing apparatus according to any one of additional items 1 to 11, wherein the third position is a position different from the first position and the second position in plan view.
  • Appendix 13 placing a fourth dummy substrate at a fourth position with respect to the mounting table inside the chamber, and performing a fourth dry cleaning inside the chamber;
  • the center of the fourth position is a position different from the center of the mounting table in plan view, 13.
  • [Appendix 14] A first line segment connecting the center of the mounting table and the center of the first position, and a second line segment connecting the center of the mounting table and the center of the second position.
  • a plasma processing apparatus a chamber; a mounting table provided inside the chamber for mounting the first dummy substrate or the second dummy substrate; a dry cleaning unit that dry-cleans the interior of the chamber; A control unit that controls the dry cleaning unit, The control unit placing a first dummy substrate at a first position with respect to the mounting table inside the chamber, and performing a first dry cleaning inside the chamber; placing a second dummy substrate at a second position with respect to the mounting table inside the chamber, and performing a second dry cleaning on the inside of the chamber.
  • the center of the first position and the center of the second position are positions different from the center of the mounting table in plan view
  • the plasma processing apparatus wherein the first position and the second position are different positions in plan view.
  • a cleaning method for a plasma processing apparatus comprising: placing the product substrate at a processing position on the mounting table inside the chamber, and subjecting the product substrate to plasma processing; placing a dummy substrate having a smaller diameter than the product substrate inside the chamber at a cleaning position with respect to the mounting table, and performing dry cleaning inside the chamber; The cleaning method of the plasma processing apparatus, wherein the center of the processing position and the center of the cleaning position are the same positions as the center of the mounting table in plan view.
  • the plasma processing apparatus 1 of the above embodiment is a capacitively coupled plasma processing apparatus
  • the plasma processing apparatus to which the present disclosure is applied is not limited to this.
  • the plasma processing apparatus may be an inductively coupled plasma processing apparatus.

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Abstract

プラズマ処理装置のクリーニング方法であって、チャンバの内部に設けられた載置台に製品基板を載置し、前記製品基板にプラズマ処理を行う工程と、前記製品基板より小さい径を有する第１のダミー基板を前記載置台に載置し、前記チャンバの内部でプラズマを生成し前記載置台をクリーニングする第１のドライクリーニングを行う工程と、を含む、プラズマ処理装置のクリーニング方法。

Description

プラズマ処理装置のクリーニング方法
　本開示は、プラズマ処理装置のクリーニング方法に関する。
　特許文献１には、真空処理装置の真空処理室の内部をドライクリーニングする方法が開示されている。このドライクリーニングは、真空処理室の内部において試料台にダミーウェハを載置した状態で行われる。
　特許文献２には、プラズマ処理システムのプラズマ処理チャンバの内部をドライクリーニングする方法が開示されている。このドライクリーニングは、いわゆるウェハレスドライクリーニングであって、プラズマ処理チャンバの内部においてサセプタにダミーウェハを載置せずに行われる。
特開平５－７４７３９号公報 特表２０１９－５１１８４３号公報
　本開示にかかる技術は、プラズマ処理装置のチャンバの内部において、基板を載置する載置台を適切にドライクリーニングする。
　本開示の一態様は、プラズマ処理装置のクリーニング方法であって、チャンバの内部に設けられた載置台に製品基板を載置し、前記製品基板にプラズマ処理を行う工程と、前記製品基板より小さい径を有する第１のダミー基板を前記載置台に載置し、前記チャンバの内部でプラズマを生成し前記載置台をクリーニングする第１のドライクリーニングを行う工程と、を含む。
　本開示によれば、プラズマ処理装置のチャンバの内部において、基板を載置する載置台を適切にドライクリーニングすることができる。
本実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。 本実施形態にかかる静電チャック及びエッジリングの構成の概略を示す縦断面図である。 本実施形態にかかる静電チャック及びエッジリングの構成の概略を示す平明図である。 ダミーウェハを用いてドライクリーニングを行う様子を示す説明図である。 第１の実施形態にかかるウェハ処理の主な工程を示すフロー図である。 第１の実施形態にかかるウェハ処理の一連の流れをウェハを用いて示す説明図である。 第１の実施形態にかかるドライクリーニングにおけるウェハの位置を示す説明図である。 第１の実施形態における第１の位置の説明図である。 第１の実施形態における第１～第４の位置の説明図である。 第１の実施形態の変形例にかかるウェハ処理の一連の流れをウェハを用いて示す説明図である。 第１の実施形態の変形例にかかるウェハ処理の一連の流れをウェハを用いて示す説明図である。 第１の実施形態の変形例にかかるウェハ処理の一連の流れをウェハを用いて示す説明図である。 第１の実施形態の変形例にかかるウェハ処理の一連の流れをウェハを用いて示す説明図である。 第１の実施形態の変形例において第１のダミーウェハの状態を示す説明図である。 第２の実施形態にかかる小径ダミーウェハ、静電チャック及びエッジリングの構成の概略を示す縦断面図である。 第２の実施形態にかかる小径ダミーウェハ、静電チャック及びエッジリングの構成の概略を示す平面図である。 第２の実施形態にかかるウェハ処理の一連の流れをウェハを用いて示す説明図である。 第２の実施形態の変形例にかかるウェハ処理の一連の流れをウェハを用いて示す説明図である。 第２の実施形態の変形例にかかるウェハ処理の一連の流れをウェハを用いて示す説明図である。
　半導体デバイスの製造工程では、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）にプラズマ処理が行われる。プラズマ処理では、処理ガスを励起させることによりプラズマを生成し、当該プラズマによってウェハを処理する。
　プラズマ処理は、プラズマ処理装置で行われる。プラズマ処理装置は、一般的に、チャンバ、載置台、高周波（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ：ＲＦ）電源を備える。一例では、高周波電源は、第１の高周波電源と第２の高周波電源を備える。第１の高周波電源は、チャンバ内のガスのプラズマを生成するために、第１の高周波電力を供給する。第２の高周波電源は、ウェハにイオンを引き組むために、バイアス用の第２の高周波電力を下部電極に供給する。チャンバはその内部空間を、プラズマが生成される処理空間として画成する。載置台は、チャンバ内に設けられている。載置台は、下部電極及び静電チャックを有する。静電チャックは下部電極上に設けられている。静電チャック上には、当該静電チャック上に載置されたウェハを囲むようにエッジリングが配置される。エッジリングは、ウェハの端部付近のシース形状を制御し、ウェハに対するプラズマ処理の均一性を向上させるために設けられる。
　プラズマ処理では、反応生成物が生成される。反応生成物は、チャンバの内壁やエッジリング等に付着し、堆積物（以下、「デポ」という。）として堆積する。デポは異物（以下、「パーティクル」という。）発生の原因であり、製品の歩留まりの悪化や装置稼働時間低下を引き起こし得る。そこでデポを除去するため、チャンバの内部では、プラズマを用いたドライクリーニングが行われる。すなわち、ドライクリーニングでは、ドライクリーニングガスを励起させてプラズマを生成し、当該プラズマを用いてデポを除去する。具体的にドライクリーニングは、ラジカルによる化学的反応及びイオンによる物理的反応（スパッタ）によりデポを除去する。
　ドライクリーニングは、特許文献１に開示されたように載置台にダミーウェハを載置した状態で行われる場合がある。また、ドライクリーニングは、特許文献２に開示されたように載置台にダミーウェハを載置しない状態で行われる場合（ウェハレスドライクリーニング）もある。
　ダミーウェハを用いたドライクリーニングにおいては、ラジカル及びイオンがダミーウェハに遮蔽されて、当該ラジカル及びイオンを供給し難い領域（ラジカル及びイオンが入射し難い領域）が生じる。特に、載置台の下部電極に第２の高周波電力（バイアス電力）を供給する場合、イオンはダミーウェハに向かって直進するため、ダミーウェハに遮蔽された領域においてイオンによるスパッタの効率は著しく低下する。このため、ラジカルによる化学的反応では除去し難いデポ（例えば、Ｓｉや金属を含む堆積物）を十分に除去することができない。
　また、ダミーウェハを用いないウェハレスドライクリーニングにおいては、ダミーウェハが載置台（静電チャック）に載置されていないため、イオンが載置台表面に直接入射することになる。したがって、バイアス電力を高くすると、載置台が損傷してしまう。このため、バイアス電力を低くする必要があり、イオンによるスパッタの効率は低下する。そして、ラジカルによる化学的反応では除去し難いデポ（例えば、Ｓｉや金属を含む堆積物）を十分に除去することができない。
　本開示にかかる技術は、プラズマ処理装置のチャンバの内部において、基板を載置する載置台を適切にドライクリーニングする。以下、本実施形態にかかるプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置のドライクリーニング方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
＜プラズマ処理装置＞
　先ず、本実施形態にかかるプラズマ処理装置について説明する。図１は、プラズマ処理装置１の構成の概略を示す縦断面図である。プラズマ処理装置１は、容量結合型のプラズマ処理装置である。またプラズマ処理装置１では、製品基板としての製品ウェハＷに対してプラズマ処理を行う。製品ウェハＷは、所望のプラズマ処理が行われるウェハであって、例えば表面にパターンが形成されているウェハである。製品ウェハＷは、例えば直径３００ｍｍのシリコンウェハである。なお、プラズマ処理は特に限定されるものではないが、例えばエッチング処理、成膜処理、拡散処理等が行われる。
　図１に示すようにプラズマ処理装置１は、略円筒形状のチャンバ１０を有している。チャンバ１０は、その内部においてプラズマが生成される処理空間Ｓを画成する。チャンバ１０は、例えばアルミニウムから構成されている。チャンバ１０は接地電位に接続されている。チャンバ１０の内壁面、すなわち、処理空間Ｓを画成する壁面には、耐プラズマ性を有する膜が形成されている。この膜は、陽極酸化処理によって形成された膜、又は、酸化イットリウムから形成された膜といったセラミック製の膜であり得る。
　チャンバ１０の内部には、製品ウェハＷを載置する載置台１１が収容されている。載置台１１は、下部電極１２、静電チャック１３、及びエッジリング１４を有している。なお、下部電極１２の裏面側には、例えばアルミニウムから構成される電極プレート（図示せず）が設けられていてもよい。
　下部電極１２は、導電性の金属、例えばアルミニウム等で構成されており、略円板形状を有している。
　下部電極１２の内部には、冷媒流路１５ａが形成されている。冷媒流路１５ａには、チャンバ１０の外部に設けられたチラーユニット（図示せず）から冷媒入口配管１５ｂを介して冷媒が供給される。冷媒流路１５ａに供給された冷媒は、冷媒出口流路１５ｃを介してチラーユニットに戻るようになっている。冷媒流路１５ａの中に冷媒、例えば冷却水等を循環させることにより、静電チャック１３、エッジリング１４、及び製品ウェハＷを所望の温度に冷却することができる。
　静電チャック１３は、下部電極１２上に設けられている。静電チャック１３は、製品ウェハＷとエッジリング１４の両方を静電力により吸着保持可能に構成された部材である。静電チャック１３は、外周部の表面に比べて中央部の表面が高く形成されている。静電チャック１３の中央部の表面は、製品ウェハＷが載置されるウェハ載置面となり、静電チャック１３の外周部の表面は、エッジリング１４が載置されるエッジリング載置面となる。なお、静電チャック１３の構成の詳細については後述する。
　静電チャック１３の内部において中央部には、製品ウェハＷを吸着保持するための第１の電極１６ａが設けられている。静電チャック１３の内部において外周部には、エッジリング１４を吸着保持するための第２の電極１６ｂが設けられている。静電チャック１３は、絶縁材料からなる絶縁材の間に電極１６ａ、１６ｂを挟んだ構成を有する。
　第１の電極１６ａには、直流電源（図示せず）からの直流電圧が印加される。これにより生じる静電力により、静電チャック１３の中央部の表面に製品ウェハＷが吸着保持される。同様に、第２の電極１６ｂには、直流電源（図示せず）からの直流電圧が印加される。これにより生じる静電力により、静電チャック１３の外周部の表面にエッジリング１４が吸着保持される。
　エッジリング１４は、静電チャック１３の中央部の表面に載置された製品ウェハＷを囲むように配置される、環状部材である。エッジリング１４は、プラズマ処理の均一性を向上させるために設けられる。このため、エッジリング１４は、プラズマ処理に応じて適宜選択される材料から構成されており、例えば石英やＳｉ、ＳｉＣ等から構成され得る。なお、このエッジリング１４の構成の詳細については後述する。
　以上のように構成された載置台１１は、チャンバ１０の底部に設けられた略円筒形状の支持部材１７に締結される。支持部材１７は、例えばセラミックや石英等の絶縁体により構成される。
　なお、図示は省略するが、載置台１１は、静電チャック１３、エッジリング１４、及び製品ウェハＷのうち少なくとも１つを所望の温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、流路、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路には、冷媒、伝熱ガスのような温調流体が流れる。
　載置台１１の下方であって支持部材１７の内側には、載置台１１に対して製品ウェハＷを昇降させるリフター２０が設けられている。リフター２０は、昇降ピン２１、支持部材２２、及び駆動部２３を有している。
　昇降ピン２１は、静電チャック１３の中央部の表面から突没するように昇降する、柱状の部材であり、例えばセラミックから形成される。昇降ピン２１は、静電チャック１３の周方向、すなわち、表面の周方向に沿って、互いに間隔を空けて３本以上設けられている。昇降ピン２１は、例えば、上記周方向に沿って等間隔で設けられている。昇降ピン２１は、上下方向に延びるように設けられる。
　昇降ピン２１は、静電チャック１３の中央部の表面から下方に延び下部電極１２の底面まで至る貫通孔２４に挿通される。すなわち、貫通孔２４は、静電チャック１３の中央部及び下部電極１２を貫通するように形成されている。
　支持部材２２は、複数の昇降ピン２１を支持する。駆動部２３は、支持部材２２を昇降させる駆動力を発生させ、複数の昇降ピン２１を昇降させる。駆動部２３は、上記駆動力を発生するモータ（図示せず）を有する。
　プラズマ処理装置１は、第１の高周波（ＲＦ：Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電源３０、第２の高周波電源３１、第１の整合器３２、及び第２の整合器３３を更に有している。第１の高周波電源３０と第２の高周波電源３１はそれぞれ、第１の整合器３２及び第２の整合器３３を介して、下部電極１２に接続されている。
　第１の高周波電源３０は、プラズマ発生用の高周波電力を発生する電源である。第１の高周波電源３０からは２７ＭＨｚ～１００ＭＨｚの周波数であってよく、一例においては４０ＭＨｚの高周波電力ＨＦが下部電極１２に供給される。第１の整合器３２は、第１の高周波電源３０の出力インピーダンスと負荷側（下部電極１２側）の入力インピーダンスを整合させるための回路を有している。なお、第１の高周波電源３０は、下部電極１２に電気的に接続されていなくてもよく、第１の整合器３２を介して上部電極であるシャワーヘッド４０に接続されていてもよい。
　第２の高周波電源３１は、製品ウェハＷにイオンを引き込むための高周波電力（バイアス電力）ＬＦを発生して、当該高周波電力ＬＦを下部電極１２に供給する。高周波電力ＬＦの周波数は、４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数であってよく、一例においては４００ｋＨｚである。第２の整合器３３は、第２の高周波電源３１の出力インピーダンスと負荷側（下部電極１２側）の入力インピーダンスを整合させるための回路を有している。なお、第２の高周波電源３１に代えて、ＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ　Ｃｕｒｒｅｎｔ）パルス生成部を用いてもよい。
　載置台１１の上方には、載置台１１と対向するように、シャワーヘッド４０が設けられている。シャワーヘッド４０は、処理空間Ｓに面して配置される電極板４１、及び電極板４１の上方に設けられる電極支持体４２を有している。電極板４１は、下部電極１２と一対の上部電極として機能する。後述するように第１の高周波電源３０が下部電極１２に電気的に接続されている場合には、シャワーヘッド４０は、接地電位に接続される。なお、シャワーヘッド４０は、絶縁性遮蔽部材４３を介して、チャンバ１０の上部（天井面）に支持されている。
　電極板４１には、後述のガス拡散室４２ａから送られる処理ガスを処理空間Ｓに供給するための複数のガス噴出口４１ａが形成されている。電極板４１は、例えば、発生するジュール熱の少ない低い電気抵抗率を有する導電体又は半導体から構成される。
　電極支持体４２は、電極板４１を着脱自在に支持するものである。電極支持体４２は、例えばアルミニウム等の導電性材料の表面に耐プラズマ性を有する膜が形成された構成を有している。この膜は、陽極酸化処理によって形成された膜、又は、酸化イットリウムから形成された膜といったセラミック製の膜であり得る。電極支持体４２の内部には、ガス拡散室４２ａが形成されている。ガス拡散室４２ａからは、ガス噴出口４１ａに連通する複数のガス流通孔４２ｂが形成されている。また、ガス拡散室４２ａには、後述するガス供給管５３に接続されるガス導入孔４２ｃが形成されている。
　また、電極支持体４２には、ガス拡散室４２ａに処理ガスを供給するガス供給源群５０が、流量制御機器群５１、バルブ群５２、ガス供給管５３、ガス導入孔４２ｃを介して接続されている。
　ガス供給源群５０は、プラズマ処理又はドライクリーニングに必要な複数種のガス供給源を有している。流量制御機器群５１は複数の流量制御器を含み、バルブ群５２は複数のバルブを含んでいる。流量制御機器群５１の複数の流量制御器の各々は、マスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器である。プラズマ処理装置１においては、ガス供給源群５０から選択された一以上のガス供給源からの処理ガスが、流量制御機器群５１、バルブ群５２、ガス供給管５３、ガス導入孔４２ｃを介してガス拡散室４２ａに供給される。そして、ガス拡散室４２ａに供給された処理ガスは、ガス流通孔４２ｂ、ガス噴出口４１ａを介して、処理空間Ｓ内にシャワー状に分散されて供給される。
　プラズマ処理装置１には、チャンバ１０の内壁に沿ってデポシールド６０が着脱自在に設けられている。デポシールド６０は、チャンバ１０の内壁にデポが付着することを抑制するものであり、例えばアルミニウム材に酸化イットリウム等のセラミックスを被覆することにより構成される。また同様に、デポシールド６０に対向する面であって、支持部材１７の外周面には、デポシールド６１が、着脱自在に設けられている。
　チャンバ１０の底部であって、チャンバ１０の内壁と支持部材１７との間には、バッフルプレート６２が設けられている。バッフルプレート６２は、例えばアルミニウム材に酸化イットリウム等のセラミックスを被覆することにより構成される。バッフルプレート６２には、複数の貫通孔が形成されている。処理空間Ｓは当該バッフルプレート６２を介して排気口６３に連通されている。排気口６３には例えば真空ポンプ等の排気装置６４が接続され、当該排気装置６４により処理空間Ｓ内を減圧可能に構成されている。
　また、チャンバ１０の側壁には製品ウェハＷの搬入出口６５が形成され、当該搬入出口６５はゲートバルブ６６により開閉可能となっている。
　なお、本実施形態においてドライクリーニング部は、下部電極１２、第２の高周波電源３１、ガス供給源群５０等を含み、後述するようにチャンバ１０の内部をドライクリーニングするため、ドライクリーニングガスを励起させてプラズマを生成する。
　以上のプラズマ処理装置１には、制御部７０が設けられている。制御部７０は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、プラズマ処理装置１におけるプラズマ処理を制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部７０にインストールされたものであってもよい。制御部７０は、基板の搬送（リフター２０による基板の上下動を含む）、基板に対するプラズマ処理およびチャンバ１０内のドライクリーニングの実行を制御する。
＜プラズマ処理方法＞
　次に、以上のように構成されたプラズマ処理装置１を用いて行われるプラズマ処理について説明する。
　先ず、チャンバ１０の内部に製品ウェハＷを搬入し、静電チャック１３上に製品ウェハＷを載置する。この際、平面視において製品ウェハＷの中心が静電チャック１３の中心と同じ位置になるように、製品ウェハＷが静電チャック１３上に載置される。この製品ウェハＷの位置が、本開示における処理位置である。その後、静電チャック１３の第１の電極１６ａに直流電圧を印加することにより、製品ウェハＷはクーロン力によって静電チャック１３に静電吸着され、保持される。また、製品ウェハＷの搬入後、排気装置６４によってチャンバ１０の内部を所望の真空度まで減圧する。
　次に、ガス供給源群５０からシャワーヘッド４０を介して処理空間Ｓに処理ガスを供給する。また、第１の高周波電源３０によりプラズマ生成用の高周波電力ＨＦを下部電極１２に供給し、処理ガスを励起させて、プラズマを生成する。この際、第２の高周波電源３１によりイオン引き込み用の高周波電力ＬＦを供給してもよい。そして、生成されたプラズマの作用によって、製品ウェハＷにプラズマ処理が施される。
　プラズマ処理を終了する際には、先ず、第１の高周波電源３０からの高周波電力ＨＦの供給及びガス供給源群５０による処理ガスの供給を停止する。また、プラズマ処理中に高周波電力ＬＦを供給していた場合には、当該高周波電力ＬＦの供給も停止する。次いで、製品ウェハＷの裏面への伝熱ガスの供給を停止し、静電チャック１３による製品ウェハＷの吸着保持を停止する。
　その後、チャンバ１０から製品ウェハＷを搬出して、製品ウェハＷに対する一連のプラズマ処理が終了する。
　なお、プラズマ処理においては、第１の高周波電源３０からの高周波電力ＨＦを使用せず、第２の高周波電源３１からの高周波電力ＬＦのみを用いて、プラズマを生成する場合もある。
＜静電チャック及びエッジリング＞
　次に、上述した静電チャック１３及びエッジリング１４の主たる構成について説明する。図２は、静電チャック１３及びエッジリング１４の構成の概略を示す縦断面図である。図３は、静電チャック１３及びエッジリング１４の構成の概略を示す平明図である。
　図２に示すように静電チャック１３は、製品ウェハＷを載置する表面１００ａを備えた中央部１００と、エッジリング１４を載置する表面１０１ａを備えた外周部１０１とが一体になって構成されている。中央部１００は外周部１０１から突起するように設けられ、中央部１００の表面１００ａは外周部１０１の表面１０１ａより高い。
　静電チャック１３の中央部１００は、例えば製品ウェハＷの直径よりも小径に形成されており、製品ウェハＷが表面１００ａに載置されたときに、製品ウェハＷの周縁部が静電チャック１３の中央部１００から張り出すようになっている。
　なお、本実施形態の静電チャック１３は中央部１００と外周部１０１が一体に構成されているが、これら中央部１００と外周部１０１は別体であってもよい。また、本実施形態の静電チャック１３は、中央部１００と外周部１０１を有しているが、外周部１０１を省略してもよい。かかる場合、エッジリング１４は静電チャック１３に載置されず、他の支持部材（図示せず）によって支持される。
　エッジリング１４は、表面１００ａに載置された製品ウェハＷを囲むように設けられている。エッジリング１４は、環状形状を備えた第１のリング部１１０と、環状形状を備えた第２のリング部１１１とが一体に構成されている。第１のリング部１１０と第２のリング部１１１はそれぞれ同心円上に設けられ、第２のリング部１１１が第１のリング部１１０の径方向外側に設けられている。
　第１のリング部１１０の表面１１０ａは、表面１００ａよりも低い。第２のリング部１１１の表面１１１ａは、表面１００ａよりも高く、例えば表面１００ａに載置された製品ウェハＷの表面Ｗａと同じ高さであるか、或いは製品ウェハＷの表面Ｗａよりも高い。また、表面１１１ａの内周部は、表面１１０ａ（径方向内側）に向けて傾斜している。
　第１のリング部１１０の内径は、中央部１００の径より大きく、且つ製品ウェハＷの径より小さい。第２のリング部１１１の内径は、製品ウェハＷの径より大きい。そして、第１のリング部１１０は、静電チャック１３の中央部１００から張り出した製品ウェハＷの周縁部の下方側にもぐり込むように配置される。すなわち、図２及び図３に示すように、第１のリング部１１０の表面１１０ａには、平面視において、製品ウェハＷとオーバーラップし、製品ウェハＷの影となる領域が形成される。以下の説明では、この製品ウェハＷの影となる領域を、陰影領域Ａという。
＜ダミーウェハを用いたドライクリーニングの特徴＞
　プラズマ処理では、上述したように反応生成物が生成される。反応生成物はエッジリング１４等に付着し、デポとして堆積する。そこでデポを除去するため、チャンバ１０の内部では、プラズマを用いたドライクリーニングが行われる。ドライクリーニングは、ラジカルによる化学的反応及びイオンによる物理的反応（スパッタ）によりデポを除去する。ラジカルによる化学的反応では、例えば炭素系のデポを除去することができる。また、イオンによる物理的反応では、例えばＳｉや金属を含むデポを除去することができる。
　本実施形態では、ダミーウェハを用いてドライクリーニングを行う。しかしながら、かかる場合、ラジカル及びイオンがダミーウェハに遮蔽されて、当該ラジカル及びイオンを供給し難い領域（ラジカル及びイオンが入射し難い領域）が生じる。以下、このドライクリーニングを行い難い領域について、図４を用いて説明する。図４は、ダミーウェハＤを用いてドライクリーニングを行う様子を示す説明図である。図４において、矢印はイオンＮの流れを示している。また、技術の理解を容易にするため、図４ではラジカルの流れを省略している。なお、ダミーウェハＤは、製品ウェハＷと同じ径を有するウェハである。また、ダミーウェハＤは、パターンが形成されていないウェハであって、いわゆるベアシリコンウェハである。
　図４に示すようにドライクリーニングを行う際、イオンＮはエッジリング１４の表面１１０ａ、１１１ａに供給され、当該表面１１０ａ、１１１ａに付着したデポが除去される。しかしながら、平面視においてダミーウェハＤの影となる陰影領域Ａには、イオンＮが供給され難い。下部電極１２に高周波電力ＬＦ（バイアス電力）を供給する場合、イオンＮはダミーウェハＤに向かって直進するため、ダミーウェハＤに遮蔽された陰影領域ＡにおいてイオンＮによるスパッタの効率は著しく低下する。このため、ラジカルによる化学的反応では除去し難いデポ（例えば、Ｓｉや金属を含む堆積物）を十分に除去することができない。また、ラジカルについても、ダミーウェハＤの影となる陰影領域Ａには供給され難く、デポを十分に除去することができない。
　そこで、第１の実施形態のドライクリーニング方法では、載置台１１（エッジリング１４）に対するダミーウェハＤの位置をずらして、陰影領域Ａのダミークリーニングを行う。また、第２の実施形態のドライクリーニング方法では、ダミーウェハとして、製品ウェハＷより小さい径を有するウェハ（以下、「小径ダミーウェハ」という。）を用いて、陰影領域Ａのダミークリーニングを行う。
＜第１の実施形態のドライクリーニング方法＞
　第１の実施形態にかかるドライクリーニング方法について説明する。第１の実施形態では、製品ウェハＷに対するプラズマ処理とダミーウェハＤを用いたドライクリーニングについて説明する。以下の説明では、これらプラズマ処理とドライクリーニングを合わせて、ウェハ処理という。図５は、第１の実施形態にかかるウェハ処理の主な工程を示すフロー図である。図６は、第１の実施形態にかかるウェハ処理の一連の流れをウェハを用いて示す説明図である。図７は、第１の実施形態にかかるドライクリーニングにおけるウェハの位置を示す説明図である。
　なお、第１の実施形態では、後述するように４つのダミーウェハＤ１～Ｄ４を用いてドライクリーニングを行うが、これら第１～第４のダミーウェハＤ１～Ｄ４は、製品ウェハＷと同じ径を有する。また、第１の実施形態において、第１～第４のダミーウェハＤ１～Ｄ４はそれぞれ、異なるダミーウェハである。但し、第１～第４のダミーウェハＤ１～Ｄ４はそれぞれ、同じダミーウェハであってもよい。
（ステップＳ１１）
　ステップＳ１１では、１ロット、例えば２５枚の製品ウェハＷに対して連続してプラズマ処理を行う。各製品ウェハＷに対するプラズマ処理方法は、上述したとおりである。
（ステップＳ１２）
　ステップＳ１２では、第１のダミーウェハＤ１を用いて第１のドライクリーニングを行う。具体的には先ず、チャンバ１０の内部に第１のダミーウェハＤ１を搬入し、静電チャック１３の上方に第１のダミーウェハＤ１を配置する。この際、図７（ａ）に示すように、平面視において第１のダミーウェハＤ１の中心Ｃ１が静電チャック１３の中心ＣよりＹ軸正方向側にずれるように、第１のダミーウェハＤ１は配置される。この第１のダミーウェハＤ１の位置が、本開示における第１の位置である。かかる場合、エッジリング１４の陰影領域Ａのうち、Ｙ軸負方向側の第１の陰影領域Ａ１が、平面視において第１のダミーウェハＤ１とオーバーラップせず露出する。
　第１のダミーウェハＤ１が配置される第１の位置について、より詳細に説明する。図８に示すように、第１のダミーウェハＤ１の一端Ｄ１ａは、エッジリング１４の内周端から静電チャック１３の中央部１００の外周端の間に位置する。また、第１のダミーウェハＤ１の他の一端Ｄ１ｂは、エッジリング１４の内周端より径方向外側に位置する。そうすると、エッジリング１４において一端Ｄ１ａ側の陰影領域Ａ１が第１のダミーウェハＤ１とオーバーラップせず露出する。
　次に、第１のダミーウェハＤ１を支持したリフター２０を下降させ、静電チャック１３に載置する。その後、静電チャック１３の第１の電極１６ａに直流電圧を印加することにより、第１のダミーウェハＤ１はクーロン力によって静電チャック１３に静電吸着され、保持される。また、第１のダミーウェハＤ１の搬入後、排気装置６４によってチャンバ１０の内部を所望の真空度まで減圧する。
　次に、ガス供給源群５０からシャワーヘッド４０を介して処理空間Ｓにドライクリーニングガスを供給する。ドライクリーニングガスは、例えば、酸素、酸素含有ガス、ＨＣｌ、Ｆ２、Ｃｌ２、水素、窒素、アルゴン、ＳＦ６、Ｃ２Ｆ６、ＮＦ３、ＣＦ４又はこれらのガスの２種以上の混合物を含むことができる。また、第１の高周波電源３０および／または第２の高周波電源３１により高周波電力を下部電極１２に供給する。そして、ドライクリーニングガスを励起させてプラズマを生成し、ラジカルによる化学的反応及びイオンによる物理的反応（スパッタ）により、チャンバ１０の内部のデポを除去する。この際、第１のダミーウェハＤ１から露出した第１の陰影領域Ａ１に対してもイオンが供給され、当該第１の陰影領域Ａ１に付着したデポも除去される。こうして、第１のドライクリーニングが行われる。
　第１のドライクリーニングを終了する際には、先ず、第１の高周波電源３０および／または第２の高周波電源３１からの高周波電力の供給及びガス供給源群５０による処理ガスの供給を停止する。次いで、静電チャック１３による第１のダミーウェハＤ１の吸着保持を停止する。
　その後、チャンバ１０から第１のダミーウェハＤ１を搬出して、第１のダミーウェハＤ１を用いた第１のドライクリーニングが終了する。
（ステップＳ１３）
　ステップＳ１３では、次の１ロット、例えば２５枚の製品ウェハＷに対して連続してプラズマ処理を行う。このステップＳ３４は、ステップＳ１１と同様である。
（ステップＳ１４）
　ステップＳ１４では、第２のダミーウェハＤ２を用いて第２のドライクリーニングを行う。具体的には先ず、静電チャック１３の上方に第２のダミーウェハＤ２を配置する。この際、図７（ｂ）に示すように、平面視において第２のダミーウェハＤ２の中心Ｃ２が静電チャック１３の中心ＣよりＸ軸正方向側にずれるように、第２のダミーウェハＤ２は配置される。この第２のダミーウェハＤ２の位置が、本開示における第２の位置である。かかる場合、エッジリング１４の陰影領域Ａのうち、Ｘ軸負方向側の第２の陰影領域Ａ２が、平面視において第２のダミーウェハＤ２とオーバーラップせず露出する。
　次に、第２のダミーウェハＤ２を静電チャック１３に載置し、更に静電チャック１３で吸着保持する。その後のドライクリーニング方法は、ステップＳ１２の第１のライクリーニングと同じである。すなわち、ドライクリーニングガスを励起させたプラズマ（ラジカル及びイオンを含む）を用いてチャンバ１０の内部のデポを除去する。この際、第２のダミーウェハＤ２から露出した第２の陰影領域Ａ２に付着したデポも除去される。こうして、第２のドライクリーニングが行われる。
（ステップＳ１５）
　ステップＳ１５では、次の１ロット、例えば２５枚の製品ウェハＷに対して連続してプラズマ処理を行う。このステップＳ３４は、ステップＳ１１と同様である。
（ステップＳ１６）
　ステップＳ１６では、第３のダミーウェハＤ３を用いて第３のドライクリーニングを行う。具体的には先ず、静電チャック１３の上方に第３のダミーウェハＤ３を配置する。この際、図７（ｃ）に示すように、平面視において第３のダミーウェハＤ３の中心Ｃ３が静電チャック１３の中心ＣよりＹ軸負方向側にずれるように、第３のダミーウェハＤ３は配置される。この第３のダミーウェハＤ３の位置が、本開示における第３の位置である。かかる場合、エッジリング１４の陰影領域Ａのうち、Ｙ軸正方向側の第３の陰影領域Ａ３が、平面視において第３のダミーウェハＤ３とオーバーラップせず露出する。
　次に、第３のダミーウェハＤ３を静電チャック１３に載置し、更に静電チャック１３で吸着保持する。その後のドライクリーニング方法は、ステップＳ１２の第１のライクリーニングと同じである。すなわち、ドライクリーニングガスを励起させたプラズマ（ラジカル及びイオンを含む）を用いてチャンバ１０の内部のデポを除去する。この際、第３のダミーウェハＤ３から露出した第３の陰影領域Ａ３に付着したデポも除去される。こうして、第３のドライクリーニングが行われる。
（ステップＳ１７）
　ステップＳ１７では、次の１ロット、例えば２５枚の製品ウェハＷに対して連続してプラズマ処理を行う。このステップＳ３４は、ステップＳ１１と同様である。
（ステップＳ１８）
　ステップＳ１８では、第４のダミーウェハＤ４を用いて第４のドライクリーニングを行う。具体的には先ず、静電チャック１３の上方に第４のダミーウェハＤ４を配置する。この際、図７（ｄ）に示すように、平面視において第４のダミーウェハＤ４の中心Ｃ４が静電チャック１３の中心ＣよりＸ軸負方向側にずれるように、第４のダミーウェハＤ４は配置される。この第４のダミーウェハＤ４の位置が、本開示における第４の位置である。かかる場合、エッジリング１４の陰影領域Ａのうち、Ｘ軸正方向側の第４の陰影領域Ａ４が、平面視において第４のダミーウェハＤ４とオーバーラップせず露出する。
　次に、第４のダミーウェハＤ４を静電チャック１３に載置し、更に静電チャック１３で吸着保持する。その後のドライクリーニング方法は、ステップＳ１２の第１のライクリーニングと同じである。すなわち、ドライクリーニングガスを励起させたプラズマ（ラジカル及びイオンを含む）を用いてチャンバ１０の内部のデポを除去する。この際、第４のダミーウェハＤ４から露出した第４の陰影領域Ａ４に付着したデポも除去される。こうして、第４のドライクリーニングが行われる。
　なお、ステップＳ１８の後は、例えばステップＳ１１～Ｓ１８が繰り返し行われる。
　以上のように第１の実施形態では、第１～第４のドライクリーニングをそれぞれ行うことによって、第１～第４の陰影領域Ａ１～Ａ４に付着したデポを除去することができる。したがって、図４に示したように従来、ダミーウェハＤの陰になってデポを除去できなかった陰影領域Ａにおいても、デポを適切に除去することができる。なお、第１の実施形態では、エッジリング１４の表面１１０ａ、１１１ａにおいて、陰影領域Ａ以外の部分は露出しており、この部分に付着したデポも適切に除去することができる。したがって、エッジリング１４の表面１１０ａ、１１１ａの全面においてデポを除去できるので、パーティクルの発生を抑制して、製品の歩留まりを向上させることができる。また、プラズマ処理装置１の稼働時間も長くすることができ、更にプラズマ処理装置に関するクリーニング間平均時間（ＭＴＢＣ：Ｍｅａｎ　Ｔｉｍｅ　Ｂｅｔｗｅｅｎ　Ｃｌｅａｎｉｎｇ）を延長することも可能となる。
　従来、ダミーウェハを用いてドライクリーニングを行う際には、静電チャック１３に対して正確な位置、すなわち、平面視においてダミーウェハの中心と静電チャック１３の中心が一致する位置にダミーウェハを配置することが求められていた。したがって、第１の実施形態のように、静電チャック１３に対して敢えて位置をずらしてダミーウェハＤ１～Ｄ４を配置することは、従来の技術思想にはない極めて斬新なものである。
　上述したように第１の実施形態では、第１～第４のドライクリーニングはそれぞれ、第１～第４のダミーウェハＤ１～Ｄ４が第１～第４の位置に配置された状態で行われる。図９は、第１～第４の位置を示す説明図である。図９において、第１の線分Ｌ１は、静電チャック１３の中心Ｃと第１のダミーウェハＤ１の中心Ｃ１とを結ぶ線分である。第２の線分Ｌ２は、静電チャック１３の中心Ｃと第２のダミーウェハＤ２の中心Ｃ２とを結ぶ線分である。第３の線分Ｌ３は、静電チャック１３の中心Ｃと第３のダミーウェハＤ３の中心Ｃ３とを結ぶ線分である。第４の線分Ｌ４は、静電チャック１３の中心Ｃと第４のダミーウェハＤ４の中心Ｃ４とを結ぶ線分である。第１の角度θ１は、第１の線分Ｌ１と第２の線分Ｌ２とが成す角度である。第２の角度θ２は、第２の線分Ｌ２と第３の線分Ｌ３とが成す角度である。第３の角度θ３は、第３の線分Ｌ３と第４の線分Ｌ４とが成す角度である。第４の角度θ４は、第４の線分Ｌ４と第１の線分Ｌ１とが成す角度である。そして、第１～第４の角度θ１～θ４はそれぞれ等しく、９０度である。換言すれば、第１～第４のダミーウェハＤ１～Ｄ４の中心Ｃ１～４はそれぞれ、同一円周上に等間隔に配置されている。
　かかる場合、第１～第４の陰影領域Ａ１～Ａ４の領域を均一にすることができる。そして発明者らが鋭意検討したところ、これら第１～第４の陰影領域Ａ１～Ａ４が陰影領域Ａの全体をカバーできることが分かった。換言すれば、第１～第４のドライクリーニングを行うと、陰影領域Ａの全体が露出して、当該陰影領域Ａに付着したデポを除去することができる。
（第１の実施形態の変形例）
　以上の第１の実施形態において、１ロットの製品ウェハＷに対するプラズマ処理を行った後、第１～第４のドライクリーニングを連続して行ってもよい。図１０は、本変形例にかかるウェハ処理の一連の流れをウェハを用いて示す説明図である。
（ステップＳ２１）
　ステップＳ２１では、１ロット、例えば２５枚の製品ウェハＷに対して連続してプラズマ処理を行う。このステップＳ２１は、ステップＳ１１と同様である。
（ステップＳ２２～Ｓ２５）
　ステップＳ２２では、第１のダミーウェハＤ１を用いて第１のドライクリーニングを行う。ステップＳ２３では、第２のダミーウェハＤ２を用いて第２のドライクリーニングを行う。ステップＳ２４では、第３のダミーウェハＤ３を用いて第３のドライクリーニングを行う。ステップＳ２５では、第４のダミーウェハＤ４を用いて第４のドライクリーニングを行う。これらステップＳ２２～Ｓ２５は連続して行われ、それぞれステップＳ１２、Ｓ１４、Ｓ１６、Ｓ１８と同様である。
　なお、ステップＳ２５の後は、例えばステップＳ２１～Ｓ２５が繰り返し行われる。また、図１１に示すようにステップＳ２１を複数回行い、すなわち複数ロットの製品ウェハＷに対してプラズマ処理を行った後、ステップＳ２２～Ｓ２５を行ってもよい。
　本変形例においても、上記第１の実施形態と同様の効果を享受できる。すなわち、第１～第４のドライクリーニングをそれぞれ行うことによって、第１～第４の陰影領域Ａ１～Ａ４に付着したデポを除去することができる。
（第１の実施形態の変形例）
　以上の第１の実施形態において、第１～第４のドライクリーニングとは異なる第５のドライクリーニングを行った後、第１～第４のドライクリーニングをそれぞれ、１ロットの製品ウェハＷに対するプラズマ処理を行う間に行ってもよい。図１２は、本変形例にかかるウェハ処理の一連の流れをウェハを用いて示す説明図である。
（ステップＳ３０）
　ステップＳ３０では、１ロット、例えば２５枚の製品ウェハＷに対して連続してプラズマ処理を行う。このステップＳ３０は、ステップＳ１１と同様である。
（ステップＳ３１）
　ステップＳ３１では、第５のダミーウェハＤ５を用いて第５のドライクリーニングを行う。具体的には先ず、静電チャック１３の上方に第５のダミーウェハＤ５を配置する。この際、平面視において第５のダミーウェハＤ５の中心が静電チャック１３の中心と同じ位置になるように、第５のダミーウェハＤ５は配置される。この第５のダミーウェハＤ５の位置が、本開示における第５の位置である。
　次に、第５のダミーウェハＤ５を静電チャック１３に載置し、更に静電チャック１３で吸着保持する。その後のドライクリーニング方法は、ステップＳ１２の第１のライクリーニングと同じである。すなわち、ドライクリーニングガスを励起させたプラズマ（ラジカル及びイオンを含む）を用いてチャンバ１０の内部のデポを除去する。こうして、第５のドライクリーニングが行われる。
（ステップＳ３２）
　ステップＳ３２では、１ロット、例えば２５枚の製品ウェハＷに対して連続してプラズマ処理を行う。このステップＳ３２は、ステップＳ１１と同様である。
（ステップＳ３３）
　ステップＳ３３では、第１のダミーウェハＤ１を用いて第１のドライクリーニングを行う。このステップＳ３３は、ステップＳ１２と同様である。
（ステップＳ３４）
　ステップＳ３４では、１ロット、例えば２５枚の製品ウェハＷに対して連続してプラズマ処理を行う。このステップＳ３４は、ステップＳ１１と同様である。
（ステップＳ３５）
　ステップＳ３５では、第２のダミーウェハＤ２を用いて第２のドライクリーニングを行う。このステップＳ３５は、ステップＳ１４と同様である。
（ステップＳ３６）
　ステップＳ３６では、１ロット、例えば２５枚の製品ウェハＷに対して連続してプラズマ処理を行う。このステップＳ３６は、ステップＳ１１と同様である。
（ステップＳ３７）
　ステップＳ３７では、第３のダミーウェハＤ３を用いて第３のドライクリーニングを行う。このステップＳ３７は、ステップＳ１６と同様である。
（ステップＳ３８）
　ステップＳ３８では、１ロット、例えば２５枚の製品ウェハＷに対して連続してプラズマ処理を行う。このステップＳ３８は、ステップＳ１１と同様である。
（ステップＳ３９）
　ステップＳ３９では、第４のダミーウェハＤ４を用いて第４のドライクリーニングを行う。このステップＳ３９は、ステップＳ１８と同様である。
　なお、ステップＳ３９の後は、例えばステップＳ３０～Ｓ３９が繰り返し行われる。
　本変形例においても、上記第１の実施形態と同様の効果を享受できる。すなわち、第１～第４のドライクリーニングをそれぞれ行うことによって、第１～第４の陰影領域Ａ１～Ａ４に付着したデポを除去することができる。
　なお、本変形例のステップＳ３１では、第５のダミーウェハＤ５を用いて第５のドライクリーニングを行ったが、これに代えて、いわゆるウェハレスドライクリーニングを行ってもよい。
（第１の実施形態の変形例）
　以上の第１の実施形態において、第１～第４のドライクリーニングとは異なる第５のドライクリーニングを行い、更に１ロットの製品ウェハＷに対するプラズマ処理を行った後、第１～第４のドライクリーニングを連続して行ってもよい。図１３は、本変形例にかかるウェハ処理の一連の流れをウェハを用いて示す説明図である。
（ステップＳ４１）
　ステップＳ４１では、１ロット、例えば２５枚の製品ウェハＷに対して連続してプラズマ処理を行う。このステップＳ４１は、ステップＳ１１と同様である。
（ステップＳ４２）
　ステップＳ４２では、第５のダミーウェハＤ５を用いて第５のドライクリーニングを行う。このステップＳ４２は、ステップＳ３１と同様である。
（ステップＳ４３）
　ステップＳ４３では、１ロット、例えば２５枚の製品ウェハＷに対して連続してプラズマ処理を行う。このステップＳ４３は、ステップＳ１１と同様である。
（ステップＳ４４～Ｓ４７）
　ステップＳ４４では、第１のダミーウェハＤ１を用いて第１のドライクリーニングを行う。ステップＳ４５では、第２のダミーウェハＤ２を用いて第２のドライクリーニングを行う。ステップＳ４６では、第３のダミーウェハＤ３を用いて第３のドライクリーニングを行う。ステップＳ４７では、第４のダミーウェハＤ４を用いて第４のドライクリーニングを行う。これらステップＳ４４～Ｓ４７は連続して行われ、それぞれステップＳ１２、Ｓ１４、Ｓ１６、Ｓ１８と同様である。
　なお、ステップＳ４７の後は、例えばステップＳ４１～Ｓ４７が繰り返し行われる。
　本変形例においても、上記第１の実施形態と同様の効果を享受できる。すなわち、第１～第４のドライクリーニングをそれぞれ行うことによって、第１～第４の陰影領域Ａ１～Ａ４に付着したデポを除去することができる。
　なお、ステップＳ４２及びＳ４３を複数回行い、すなわち複数ロットの製品ウェハＷに対してプラズマ処理を行った後、ステップＳ４４～Ｓ４７を行ってもよい。かかる場合、ステップＳ４２及びＳ４３を複数回行うと、ステップＳ４２では除去できない陰影領域Ａのデポが堆積する。そこで、ステップＳ４３～Ｓ４７において第１～第４のドライクリーニングを行うことで、陰影領域Ａのデポを除去することができる。
　また、本変形例のステップＳ４２では、第５のダミーウェハＤ５を用いて第５のドライクリーニングを行ったが、これに代えて、いわゆるウェハレスドライクリーニングを行ってもよい。
（第１の実施形態の変形例）
　以上の第１の実施形態及びその変形例において、第１～第４のドライクリーニングはそれぞれ、第１～第４のダミーウェハＤ１～Ｄ４が静電チャック１３に載置された状態で行われたが、静電チャック１３から離間した状態で行われてもよい。以下では、第１のダミーウェハＤ１を用いた第１のドライクリーニングについて説明するが、他の第２～第４のドライクリーニングも同様である。
　例えば、図１４（ａ）に示すようにエッジリング１４において第１のリング部１１０が径方向に小さい場合がある。かかる場合、第１のドライクリーニングを行うために第１のダミーウェハＤ１を第１の位置に配置したとしても、一端Ｄ１ｂと静電チャック１３の中央部１００の外周端との距離Ｆ１を十分に確保することができず、一端Ｄ１ａがエッジリング１４の上方に位置する。すなわち、エッジリング１４において一端Ｄ１ａ側の陰影領域Ａ１が、平面視において第１のダミーウェハＤ１とオーバーラップし、完全に露出しない。
　そこで、図１４（ｂ）に示すように第１のダミーウェハＤ１がリフター２０に支持され、静電チャック１３から離間した状態で、第１のドライクリーニングを行ってもよい。かかる場合、第１のダミーウェハＤ１の一端Ｄ１ｂと静電チャック１３の中央部１００の外周端との距離Ｆ２（マージン）を十分に確保することができ、一端Ｄ１ａはエッジリング１４の内周端から静電チャック１３の中央部１００の外周端の間に位置する。そうすると、エッジリング１４において一端Ｄ１ａ側の陰影領域Ａ１が第１のダミーウェハＤ１とオーバーラップせず露出し、第１のドライクリーニングにおいて陰影領域Ａ１に付着したデポを除去することができる。なお、本変形例では、上述したようにエッジリング１４における第１のリング部１１０の表面１１１ａの内周部は、表面１１０ａに向けて傾斜している。
　発明者らが鋭意検討したところ、図１４（ｂ）に示した第１のダミーウェハＤ１の裏面Ｄ１ｃと静電チャック１３の表面との距離Ｈは２ｍｍ以下が好ましいことが分かった。すなわち、この距離Ｈが２ｍｍ以下であると、第１のドライクリーニングにおいてプラズマの状態が変わらず、第１のダミーウェハＤ１を静電チャック１３に載置した状態と同様のクリーニング効果を得ることができる。
　また、第２～第４のドライクリーニングも同様に、それぞれ第２～第４のダミーウェハＤ２～Ｄ４がリフター２０に支持され、静電チャック１３から離間した状態で行う。そうすると、陰影領域Ａ２～Ａ４が露出し、第２～第４のドライクリーニングのそれぞれにおいて陰影領域Ａ２～Ａ４に付着したデポを除去することができる。
　本変形例においても、上記第１の実施形態と同様の効果を享受できる。すなわち、第１～第４のドライクリーニングをそれぞれ行うことによって、第１～第４の陰影領域Ａ１～Ａ４に付着したデポを除去することができる。
　なお、以上の第１の実施形態及びその変形例では、第１～第４のドライクリーニングを行って、陰影領域Ａ１～Ａ４を露出させてデポを除去したが、ドライクリーニングの回数はこれに限定されない。ドライクリーニングの回数は少なくとも２回以上であればよい。例えば２回のドライクリーニングを行う場合は、上述した第１のドライクリーニングと第３のドライクリーニングを行えばよい。
　また、以上の第１の実施形態及びその変形例において、プラズマ処理を施す製品ウェハＷの１ロットの数は２５枚であったが、これに限定されない。例えば、１ロットは２枚以上の複数枚であってもよいし、１枚であってもよい。
＜第２の実施形態のドライクリーニング方法＞
　第２の実施形態にかかるドライクリーニング方法について説明する。第２の実施形態では、製品ウェハＷに対するプラズマ処理と小径ダミーウェハＤｓを用いたドライクリーニングについて説明する。
　なお、上述したように、第２の実施形態のドライクリーニングで用いられる小径ダミーウェハＤｓは、製品ウェハＷより小さい径を有するウェハである。図１５は、小径ダミーウェハＤｓ、静電チャック１３及びエッジリング１４の構成の概略を示す縦断面図である。図１６は、小径ダミーウェハＤｓ、静電チャック１３及びエッジリング１４の構成の概略を示す平明図である。
　図１５及び図１６に示すように、小径ダミーウェハＤｓの径は、エッジリング１４の内径と同じである。かかる場合、陰影領域Ａが、平面視において小径ダミーウェハＤｓとオーバーラップせず露出する。なお、小径ダミーウェハＤｓの径は図示の例に限定されない。
　図１７は、第２の実施形態にかかるウェハ処理の一連の流れをウェハを用いて示す説明図である。
（ステップＴ１１）
　ステップＴ１１では、１ロット、例えば２５枚の製品ウェハＷに対して連続してプラズマ処理を行う。このステップＴ１１は、ステップＳ１１と同様である。
（ステップＴ１２）
　ステップＴ１２では、小径ダミーウェハＤｓを用いてドライクリーニングを行う。具体的には先ず、静電チャック１３の上方に小径ダミーウェハＤｓを配置する。この際、平面視において小径ダミーウェハＤｓの中心が静電チャック１３の中心と同じ位置になるように、小径ダミーウェハＤｓは配置される。この小径ダミーウェハＤｓの位置が、本開示におけるクリーニング位置である。かかる場合、エッジリング１４の陰影領域Ａが、平面視において小径ダミーウェハＤｓとオーバーラップせず露出する。
　次に、小径ダミーウェハＤｓを静電チャック１３に載置し、更に静電チャック１３で吸着保持する。その後、小径ダミーウェハＤｓの裏面にバックサイドガスを供給し、ドライクリーニングを実行する。ドライクリーニング方法は、ステップＳ１２の第１のドライクリーニングと同じである。すなわち、ドライクリーニングガスを励起させたプラズマ（ラジカル及びイオンを含む）を用いてチャンバ１０の内部のデポを除去する。この際、小径ダミーウェハＤｓから露出した陰影領域Ａに付着したデポも除去される。こうして、ドライクリーニングが行われる。
　なお、ステップＴ１１の後は、例えばステップＴ１１及びＴ１２が繰り返し行われる。また、図１８に示すようにステップＴ１１を複数回行い、すなわち複数ロットの製品ウェハＷに対してプラズマ処理を行った後、ステップＴ１２を行ってもよい。
　以上のように第２の実施形態では、小径ダミーウェハＤｓを用いてドライクリーニングを行うことによって、陰影領域Ａに付着したデポを除去することができる。すなわち、図４に示したように従来、ダミーウェハＤの陰になってデポを除去できなかった陰影領域Ａにおいても、デポを適切に除去することができる。なお、第２の実施形態では、エッジリング１４の表面１１０ａ、１１１ａにおいて、陰影領域Ａ以外の部分は露出しており、この部分に付着したデポも適切に除去することができる。したがって、エッジリング１４の表面１１０ａ、１１１ａの全面においてデポを除去できるので、パーティクルの発生を抑制して、製品の歩留まりを向上させることができ、またプラズマ処理装置１の稼働時間も長くすることが可能となる。
　本発明者らが鋭意検討したところ、小径ダミーウェハＤｓの径φＡに対し、半径が（φＡ／２－０．４）ｍｍより外周側においてデポを適切に除去することができ、ドライクリーニングの効果を得られることが確認された。ここで、小径ダミーウェハＤｓは、上面および下面が平坦な内側部（平坦部）と、内側部の外周側に形成され上面および下面が面取りされた外側部（ベベル部）を有する。また、小径ダミーウェハＤｓにおいて、径方向０．４ｍｍの環状範囲はベベル部（面取り部）と一致する。したがって、小径ダミーウェハＤｓの下方であっても、ベベル部の下方であれば、クリーニング効果が得られると推測できる。
　小径ダミーウェハＤｓの径φＡの下限は、静電チャック１３の中央部１００に対してラジカル及びイオンの入射の影響が及ばない範囲、すなわち、｛（静電チャック１３の中央部１００の外径）／２｝≦（φＡ／２－ベベル長）＝平坦部の径φＢ／２であることが好ましい。また、小径ダミーウェハＤｓの径φＡの上限は、製品ウェハＷの直径より小さければよい。すなわち小径ダミーウェハＤｓの径φＡは、下記式（１）の範囲内であることが好ましい。
｛（静電チャック１３の中央部１００の外径）／２｝≦｛（小径ダミーウェハＤｓの径φＡ）／２－（ベベル長）｝＝平坦部の径φＢ／２＜｛（製品ウェハＷの径）／２｝　・・・（１）
　また、本発明者らが鋭意検討したところ、図１４（ｂ）に示したように小径ダミーウェハＤｓがリフター２０に支持され、静電チャック１３から離間した状態でドライクリーニングを行った場合、ベベル部よりさらに内周側にもドライクリーニング効果を得られることが確認された。すなわち、かかる場合、半径が（φＡ／２－Ｘ）ｍｍより外周側においてドライクリーニング効果が得られる（但し、Ｘはベベル長０．４ｍｍより長い）。このように、小径ダミーウェハＤｓをリフトアップしない場合に比べてドライクリーニング効果が得られる範囲が増加する要因は、小径ダミーウェハＤｓをリフトアップすると、ラジカル及びイオンが入射可能な範囲が増加するためであると推察される。したがって、小径ダミーウェハＤｓをリフトアップした状態でドライクリーニング（以下「リフトアップクリーニング」という。）を行ってもよい。この場合、静電チャック１３へのダメージを低減させるため、小径ダミーウェハＤｓを静電チャック１３に載置した状態でドライクリーニング（以下「載置クリーニング」という。）を行うときの条件とは異なる条件で行ってもよい。具体的には、リフトアップクリーニングでは、第１の高周波電力を、載置クリーニングにおける第１の高周波電力より低くしてもよい。第２の高周波電力も同様に、リフトアップクリーニングでは載置クリーニングよりも低くしてもよい（または第２の高周波電力を供給しなくてもよい）。また、リフトアップクリーニングでは、載置クリーニングよりもチャンバ１０内の圧力を高くしてもよい。
　リフトアップクリーニングと、載置クリーニングを併用してもよい。すなわち、載置クリーニングを行う前（または行った後）に、リフトアップクリーニングを行ってもよい。これにより、小径ダミーウェハＤｓを静電チャック１３に載置した状態で行うドライクリーニングでは除去しきれないデポ（例えば、静電チャック１３とエッジリング１４との間の隙間に付着したデポや、静電チャック１３の外周側載置面に付着したデポ）を、除去することができる。リフトアップクリーニングと載置クリーニングとを異なる条件で行う場合（すなわち、リフトアップクリーニングを低パワーで行う場合）は、載置クリーニングを行った後にリフトアップクリーニングを行うことが好ましい。
　また、ステップＴ１２では、小径ダミーウェハＤｓの裏面にバックサイドガスを供給してドライクリーニングを行ったが、バックサイドガスは供給しなくてもよい。バックサイドガスを供給しないことにより、小径ダミーウェハＤｓがプラズマにより加熱され、ドライクリーニングにより除去された堆積物が小径ダミーウェハＤｓに付着することを抑制することができる。これにより、小径ダミーウェハＤｓを洗浄する頻度を低減させることができる。この場合、小径ダミーウェハＤｓの搬出のために、ドライクリーニングの途中または終了後にバックサイドガスを供給し、小径ダミーウェハＤｓの冷却を行ってもよい。
　なお、リフトアップクリーニングを行う場合は、小径ダミーウェハＤｓと静電チャック１３とが離間するため、バックサイドガスの供給は停止する。この場合においても、小径ダミーウェハＤｓの搬出のために、小径ダミーウェハＤｓの冷却を行ってもよい。すなわち、リフトアップクリーニング後に小径ダミーウェハＤｓを静電チャック１３に載置し、更に静電チャック１３で吸着保持した後に、小径ダミーウェハＤｓの裏面にバックサイドガスを供給して小径ダミーウェハＤｓの冷却を行ってもよい。
（第２の実施形態の変形例）
　以上の第２の実施形態において、通常のドライクリーニングを行い、更に１ロットの製品ウェハＷに対するプラズマ処理を行った後、小径ダミーウェハＤｓを用いたドライクリーニングを行ってもよい。図１９は、本変形例にかかるウェハ処理の一連の流れをウェハを用いて示す説明図である。
（ステップＴ２１）
　ステップＴ２１では、１ロット、例えば２５枚の製品ウェハＷに対して連続してプラズマ処理を行う。このステップＴ２１は、ステップＳ１１と同様である。
（ステップＴ２２）
　ステップＴ２２では、第５のダミーウェハＤ５を用いて第５のドライクリーニング（通常のドライクリーニング）を行う。このステップＴ２２は、ステップＳ３１と同様である。
（ステップＴ２３）
　ステップＴ２３では、１ロット、例えば２５枚の製品ウェハＷに対して連続してプラズマ処理を行う。このステップＴ２３は、ステップＳ１１と同様である。
（ステップＴ２４）
　ステップＴ２４では、小径ダミーウェハＤｓを用いてドライクリーニングを行う。このステップＴ２４は、ステップＴ１２と同様である。
　なお、ステップＴ２４の後は、例えばステップＴ２３及びＴ２４が繰り返し行われる。
　本変形例においても、上記第２の実施形態と同様の効果を享受できる。すなわち、小径ダミーウェハＤｓを用いてドライクリーニングを行うことによって、陰影領域Ａに付着したデポを除去することができる。
　なお、ステップＴ２２及びＴ２３を複数回行い、すなわち複数ロットの製品ウェハＷに対してプラズマ処理を行った後、ステップＴ２４を行ってもよい。かかる場合、ステップＴ２２及びＴ２３を複数回行うと、ステップＴ２２では除去できない陰影領域Ａのデポが堆積する。そこで、ステップＴ２４において小径ダミーウェハＤｓを用いてドライクリーニングを行うことで、陰影領域Ａのデポを除去することができる。
　また、本変形例のステップＴ２２では、第５のダミーウェハＤ５を用いて第５のドライクリーニングを行ったが、これに代えて、いわゆるウェハレスドライクリーニングを行ってもよい。
＜付記項＞
［付記項１］
プラズマ処理装置のクリーニング方法であって、
チャンバの内部において第１のダミー基板を載置台に対する第１の位置に配置し、当該チャンバの内部に第１のドライクリーニングを行う工程と、
前記チャンバの内部において第２のダミー基板を前記載置台に対する第２の位置に配置し、当該チャンバの内部に第２のドライクリーニングを行う工程と、を含み、
前記第１の位置の中心と第２の位置の中心はそれぞれ、平面視において前記載置台の中心と異なる位置であり、
前記第１の位置と前記第２の位置は、平面視において異なる位置である、プラズマ処理装置のクリーニング方法。
［付記項２］
少なくとも前記第１のドライクリーニング又は前記第２のドライクリーニングは、前記第１のダミー基板又は前記第２のダミー基板が前記載置台に載置された状態で行われる、付記項１に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
［付記項３］
少なくとも前記第１のドライクリーニング又は前記第２のドライクリーニングは、前記第１のダミー基板又は前記第２のダミー基板がリフターによって支持され、前記載置台から離間した状態で行われる、付記項１に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
［付記項４］
少なくとも前記第１のドライクリーニング又は前記第２のドライクリーニングにおいて、前記第１のダミー基板の裏面又は前記第２のダミー基板の裏面と、前記載置台の表面との距離は２ｍｍ以下である、付記項３に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
［付記項５］
前記載置台は、
前記第１のダミー基板又は前記第２のダミー基板を保持する静電チャックと、
前記静電チャックに載置された前記第１のダミー基板又は前記第２のダミー基板を囲むように設けられるエッジリングと、を備え、
少なくとも前記第１のドライクリーニング又は前記第２のドライクリーニングにおいて、前記第１のダミー基板又は前記第２のダミー基板は、平面視において一端が前記エッジリングの内周端から前記静電チャックの外周端の間に位置し、他端が前記エッジリングの内周端より外側に位置する、付記項１～４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
［付記項６］
前記第１のダミー基板と前記第２のダミー基板は同一のダミー基板である、付記項１～５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
［付記項７］
前記第１のダミー基板と前記第２のダミー基板は異なるダミー基板である、付記項１～５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
［付記項８］
前記第１のドライクリーニングと前記第２のドライクリーニングとの間において、製品基板に対するプラズマ処理を行い、
前記プラズマ処理は、前記製品基板の中心と前記載置台の中心が平面視において同じ位置となるように、前記製品基板が前記載置台に載置された状態で行われる、付記項１～７のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
［付記項９］
前記第１のドライクリーニングと前記第２のドライクリーニングとの間において、前記プラズマ処理は複数回行われる、付記項８に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
［付記項１０］
前記第１のドライクリーニングと前記第２のドライクリーニングは連続して行われる、付記項１～７のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
［付記項１１］
少なくとも前記第１のドライクリーニング又は前記第２のドライクリーニングは、前記載置台に高周波電力を供給した状態で行われる、付記項１～１０のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
［付記項１２］
前記チャンバの内部において第３のダミー基板を前記載置台に対する第３の位置に配置し、当該チャンバの内部に第３のドライクリーニングを行う工程を更に含み、
前記第３の位置の中心は、平面視において前記載置台の中心と異なる位置であり、
前記第３の位置は、平面視において前記第１の位置及び前記第２の位置と異なる位置である、付記項１～１１のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
［付記項１３］
前記チャンバの内部において第４のダミー基板を前記載置台に対する第４の位置に配置し、当該チャンバの内部に第４のドライクリーニングを行う工程を更に含み、
前記第４の位置の中心は、平面視において前記載置台の中心と異なる位置であり、
前記第４の位置は、平面視において前記第１の位置、前記第２の位置及び前記第３の位置と異なる位置である、付記項１２に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
［付記項１４］
前記載置台の中心と前記第１の位置の中心とを結ぶ第１の線分と、前記載置台の中心と前記第２の位置の中心とを結ぶ第２の線分とが成す第１の角度と、
前記第２の線分と、前記載置台の中心と前記第３の位置の中心とを結ぶ第３の線分とが成す第２の角度と、
前記第３の線分と、前記載置台の中心と前記第４の位置の中心とを結ぶ第４の線分とが成す第３の角度と、
前記第４の線分と、前記第１の線分とが成す第４の角度と、がそれぞれ等しい、付記項１３に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
［付記項１５］
前記チャンバの内部において第５のダミー基板を前記載置台に対する第５の位置に配置し、当該チャンバの内部に第５のドライクリーニングを行う工程と、
前記第５のドライクリーニングを行った後、製品基板に対してプラズマ処理を行う工程と、を更に含み、
前記第５の位置の中心は、平面視において前記載置台の中心と同じ位置であり、
前記プラズマ処理は、前記製品基板の中心と前記載置台の中心が平面視において同じ位置となるように、前記製品基板が前記載置台に載置された状態で行われ、
前記第１のドライクリーニング、前記第２のドライクリーニング、前記第３のドライクリーニング及び前記第４のドライクリーニングはそれぞれ、前記プラズマ処理を行った後に行われる、付記項１３又は１４に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
［付記項１６］
前記チャンバの内部において第５のダミー基板を前記載置台に対する第５の位置に配置し、当該チャンバの内部に第５のドライクリーニングを行う工程と、
前記第５のドライクリーニングを行った後、製品基板に対してプラズマ処理を行う工程と、を更に含み、
前記第５の位置の中心は、平面視において前記載置台の中心と同じ位置であり、
前記プラズマ処理は、前記製品基板の中心と前記載置台の中心が平面視において同じ位置となるように、前記製品基板が前記載置台に載置された状態で行われ、
前記プラズマ処理を行った後、前記第１のドライクリーニング、前記第２のドライクリーニング、前記第３のドライクリーニング及び前記第４のドライクリーニングが連続して行われる、付記項１３又は１４に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
［付記項１７］
プラズマ処理装置であって、
チャンバと、
前記チャンバの内部に設けられ、第１のダミー基板又は第２のダミー基板を載置する載置台と、
前記チャンバの内部をドライクリーニングするドライクリーニング部と、
前記ドライクリーニング部を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記チャンバの内部において第１のダミー基板を前記載置台に対する第１の位置に配置し、当該チャンバの内部に第１のドライクリーニングを行う工程と、
前記チャンバの内部において第２のダミー基板を前記載置台に対する第２の位置に配置し、当該チャンバの内部に第２のドライクリーニングを行う工程と、を実行するように前記ドライクリーニング部を制御し、
前記第１の位置の中心と第２の位置の中心はそれぞれ、平面視において前記載置台の中心と異なる位置であり、
前記第１の位置と前記第２の位置は、平面視において異なる位置である、プラズマ処理装置。
［付記項１８］
プラズマ処理装置のクリーニング方法であって、
チャンバの内部において製品基板を載置台に対する処理位置に載置し、当該製品基板にプラズマ処理を行う工程と、
前記チャンバの内部において、前記製品基板より小さい径を有するダミー基板を、前記載置台に対するクリーニング位置に配置し、当該チャンバの内部にドライクリーニングを行う工程と、を含み、
前記処理位置の中心と前記クリーニング位置の中心はそれぞれ、平面視において前記載置台の中心と同じ位置である、プラズマ処理装置のクリーニング方法。
　以上の実施形態のプラズマ処理装置１は容量結合型のプラズマ処理装置であったが、本開示が適用されるプラズマ処理装置はこれに限定されない。例えばプラズマ処理装置は、誘導結合型のプラズマ処理装置であってもよい。
　今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
　　１　　　　プラズマ処理装置
　　１０　　　チャンバ
　　１１　　　載置台
　　１２　　　下部電極
　　３１　　　第２の高周波電源
　　５０　　　ガス供給源群
　　７０　　　制御部
　　Ｄ１　　　第１のダミーウェハ
　　Ｄ２　　　第２のダミーウェハ

Claims (16)

  1. プラズマ処理装置のクリーニング方法であって、
    （ａ）チャンバの内部に設けられた載置台に製品基板を載置し、前記製品基板にプラズマ処理を行う工程と、
    （ｂ）前記製品基板より小さい径を有する第１のダミー基板を前記載置台に載置し、前記チャンバの内部でプラズマを生成し前記載置台をクリーニングする第１のドライクリーニングを行う工程と、を含む、プラズマ処理装置のクリーニング方法。
  2. 前記（ａ）工程を複数回行った後、前記（ｂ）工程を行う、請求項１に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
  3. （ｃ）前記製品基板の径と等しい径を有する第２のダミー基板を前記載置台に載置し、前記チャンバの内部でプラズマを生成し前記載置台をクリーニングする第２のドライクリーニングを行う工程を更に含む、請求項１に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
  4. 前記（ａ）工程を複数回行った後、前記（ｃ）工程を行う第１のシーケンスと、
    前記（ａ）工程を複数回行った後、前記（ｂ）工程を行う第２のシーケンスと、を含み、
    前記第１のシーケンスを複数回行った後、前記第２のシーケンスを行う、請求項３に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
  5. （ｄ）前記載置台にダミー基板を載置せずに、前記チャンバの内部でプラズマを生成し第２のドライクリーニングを行う工程を更に含む、請求項１に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
  6. 前記（ａ）工程を複数回行った後、前記（ｄ）工程を行う第１のシーケンスと、
    前記（ａ）工程を複数回行った後、前記（ｂ）工程を行う第２のシーケンスと、を含み、
    前記第１のシーケンスを複数回行った後、前記第２のシーケンスを行う、請求項５に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
  7. （ｅ）前記第１のダミー基板を前記載置台から離間した状態で、前記チャンバの内部でプラズマを生成し前記載置台をクリーニングする第３のドライクリーニングを行う工程を更に含む、請求項１～６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
  8. 前記（ｂ）工程を行った後に、前記（ｅ）工程を行う請求項７に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
  9. 前記プラズマ処理装置は、プラズマを生成する第１の電源を有し、
    前記第３のドライクリーニングにおいて前記第１の電源から供給される電力は、前記第１のドライクリーニングにおいて前記第１の電源から供給される電力よりも低い、請求項７に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
  10. 前記プラズマ処理装置は、前記載置台にバイアス電力を供給する第２の電源を有し、
    前記第３のドライクリーニングにおいて前記第２の電源から供給される電力は、前記第１のドライクリーニングにおいて前記第２の電源から供給される電力よりも低い、請求項７に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
  11. 前記プラズマ処理装置は、前記載置台にバイアス電力を供給する第２の電源を有し、
    前記第１のドライクリーニングにおいて前記第２の電源から前記バイアス電力を供給し、前記第３のドライクリーニングにおいて前記第２の電源から前記バイアス電力を供給しない、請求項７に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
  12. 前記載置台は、前記製品基板を保持する静電チャックを備え、
    前記第１のダミー基板の径は、前記静電チャックにおいて前記製品基板を載置して保持する部分の径以上であって、前記製品基板の径より小さい、請求項１～６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
  13. 前記第１のダミー基板は、上面および下面が平坦な内側部と、前記内側部の外周側に形成され上面および下面が面取りされた外側部とを有し、
    前記内側部の径が、前記静電チャックにおいて前記製品基板を載置して保持する前記部分の径以上であって、前記製品基板の径より小さい、請求項１２に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
  14. 前記内側部の径が、前記静電チャックにおいて前記製品基板を載置して保持する前記部分の径と等しい、請求項１３に記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
  15. プラズマ処理装置のクリーニング方法であって、
    （ａ）チャンバの内部に設けられた載置台に製品基板を載置し、前記製品基板にプラズマ処理を行う工程と、
    （ｂ）前記製品基板より小さい径を有する第１のダミー基板を前記載置台から離間した状態で、前記チャンバの内部でプラズマを生成し前記載置台をクリーニングする第１のドライクリーニングを行う工程を含む、プラズマ処理装置のクリーニング方法。
  16. プラズマ処理装置のクリーニング方法であって、
    チャンバの内部において第１のダミー基板を載置台に対する第１の位置に配置し、当該チャンバの内部に第１のドライクリーニングを行う工程と、
    前記チャンバの内部において第２のダミー基板を前記載置台に対する第２の位置に配置し、当該チャンバの内部に第２のドライクリーニングを行う工程と、を含み、
    前記第１の位置の中心と第２の位置の中心はそれぞれ、平面視において前記載置台の中心と異なる位置であり、
    前記第１の位置と前記第２の位置は、平面視において異なる位置である、プラズマ処理装置のクリーニング方法。
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