TW201943014A - 被處理體的載置裝置及處理裝置 - Google Patents

被處理體的載置裝置及處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201943014A
TW201943014A TW108105024A TW108105024A TW201943014A TW 201943014 A TW201943014 A TW 201943014A TW 108105024 A TW108105024 A TW 108105024A TW 108105024 A TW108105024 A TW 108105024A TW 201943014 A TW201943014 A TW 201943014A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
spring
edge ring
mounting table
mounting
processing
Prior art date
Application number
TW108105024A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI789492B (zh
Inventor
上田雄大
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW201943014A publication Critical patent/TW201943014A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI789492B publication Critical patent/TWI789492B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

本發明之課題，係以提供一種使邊緣環與載置台穩定聯繫的構造為目的。
其解決手段係提供一種被處理體的載置裝置，其具備：載置台，於處理容器之內部載置被處理體；邊緣環，配置於該載置台之周緣部；以及彈簧狀之導電性構件，具有第一彈簧狀構件與第二彈簧狀構件，該第一彈簧狀構件在形成於該邊緣環的第一凹部與該邊緣環接觸，該第二彈簧狀構件在形成於該載置台的第二凹部與該載置台接觸。

Description

被處理體的載置裝置及處理裝置
本發明，係有關於被處理體的載置裝置及處理裝置。
邊緣環，係在處理裝置內之載置台上配置於晶圓之周緣部，而在處理室內進行電漿處理之際，使電漿朝向晶圓W表面收攏。在電漿處理當中，邊緣環會曝露於電漿而損耗。
一旦邊緣環有所損耗，就會在邊緣環與晶圓的鞘層（sheath）產生高低差，而使離子之照射角度在晶圓的邊緣部變斜，有時會使蝕刻形狀產生傾斜（tilting）。再者，也會有晶圓之邊緣部的蝕刻速率變動，而使蝕刻速率之面內分佈變得不平均的情形。因此，在邊緣環損耗了既定程度以上時，就要更換成新品。然而，邊緣環之更換期間，就成為降低生産性的要因之一。
對此，已提案有以下技術：藉由對邊緣環施加由直流電源所輸出之直流電壓，以控制邊緣環之鞘層的厚度，而控制蝕刻速率的面內分佈（例如，參照專利文獻1）。
［習知技術文獻］
［專利文獻］
［專利文獻1］日本特開2009－239222號公報
［發明所欲解決的問題］
對邊緣環施加直流電壓之際，使邊緣環、與載置有邊緣環之基台穩定地聯繫，實為重要。藉此，可以使邊緣環與載置台成為同電位，而以良好的精度來控制邊緣環之鞘層的厚度。
針對上述課題，於一層面，本發明之目的係提供一種使邊緣環與載置台穩定聯繫的構造。
［解決問題之技術手段］
為了解決上述課題，藉由本發明之一態樣，提供一種被處理體的載置裝置，其具備：載置台，於處理容器之內部載置被處理體；邊緣環，配置於該載置台之周緣部；以及彈簧狀之導電性構件，具有第一彈簧狀構件與第二彈簧狀構件，該第一彈簧狀構件在形成於該邊緣環的第一凹部與該邊緣環接觸，該第二彈簧狀構件在形成於該載置台的第二凹部與該載置台接觸。
［發明之效果］
藉由本發明之一層面，可以提供一種使邊緣環與載置台穩定聯繫的構造。
以下，針對用以實施本發明之形態，參照圖式以進行說明。又，於本說明書及圖式，對於實質上相同的結構，會藉由標註相同符號，以省略重複說明。
［處理裝置］
首先，針對本發明一實施形態之處理裝置1之一例，參照圖1以進行說明。圖1係一實施形態之處理裝置1的剖面之一例的圖式。本實施形態之處理裝置1，具有例如鋁或不鏽鋼等金屬製的圓筒型之處理容器10，其內部係進行電漿蝕刻或電漿CVD（化學氣相沈積）等電漿處理的處理室。處理容器10區劃出處理空間，該處理空間係用以處理作為被處理體之一例的半導體晶圓W（以下稱為「晶圓W」）。處理容器10有接地。
在處理容器10內部，配置有載置晶圓W之圓板狀的載置台11。載置台11，係隔著氧化鋁（Al2 O3 ）所形成之保持構件12，而受到筒狀支持部13支持，該筒狀支持部13係由處理容器10的底部朝向垂直上方延伸。
載置台11，具有基台11a與靜電吸盤25。基台11a係由鋁形成。靜電吸盤25具有以下結構：在設於基台11a上的介電層25b中，埋設有由導電膜構成之吸附電極25a。直流電源26，係經由開關27而連接至吸附電極25a。靜電吸盤25，係以直流電源26對吸附電極25a所施加的直流電壓而產生庫侖力等的靜電力，再藉由該靜電力而吸附保持晶圓W。又，於處理裝置1，亦可不設置靜電吸盤。
在晶圓W的周緣部，載置有邊緣環30。邊緣環30，係由Si（矽）或SiC（碳化矽）所形成。載置台11及邊緣環30的外圍，係以絶緣環32包覆。
載置台11，係經由匹配器21a而連接著第1高頻電源21。第1高頻電源21，對載置台11施加產生電漿用的第1頻率（例如13MHz的頻率）之高頻電力。再者，載置台11，係經由匹配器22a而連接著第2高頻電源22。第2高頻電源22，對載置台11施加低於第1頻率之施加偏壓用的第2頻率（例如3.2MHz的頻率）之高頻電力。藉此，載置台11亦發揮下部電極的功能。
可變直流電源28係經由開關29而連接至供電線21b。可變直流電源28和供電線21b間的連接點、與第1高頻電源21之間，設有阻隔電容器23。阻隔電容器23，阻斷來自可變直流電源28的直流電壓，以使直流電壓不會流向第1高頻電源21。藉由可變直流電源28所施加之直流電壓，以對邊緣環30施加直流電壓。
於基台11a之內部，設有例如在圓周方向上延伸之環狀的冷媒室31。於冷媒室31，係由急冷器單元，經由配管33、34而循環供給既定溫度的冷媒，例如冷卻水，以冷卻靜電吸盤25及晶圓W。
再者，靜電吸盤25係經由氣體供給管線36，而連接著傳熱氣體供給部35。傳熱氣體供給部35，係經由氣體供給管線36，而對靜電吸盤25之頂面與晶圓W之背面之間的空間，供給傳熱氣體。作為傳熱氣體，係使用具有熱傳導性的氣體，例如較佳係使用氦氣等。
在處理容器10的側壁、與筒狀支持部13之間，形成了排氣路徑14。在排氣路徑14的入口，配設了環狀的擋板15，並且在底部設有排氣口16。排氣口16，係經由排氣管17而連接著排氣裝置18。排氣裝置18具有真空泵，將處理容器10內的處理空間，減壓至既定的真空度。再者，排氣管17具有係可變式蝶閥的自動壓力控制閥（automatic pressure control valve）（以下稱為「APC」），APC會自動進行處理容器10內的壓力控制。更進一步地，於處理容器10的側壁安裝有閘閥20，以使晶圓W的搬入搬出口19開閉。
於處理容器10的天花板部，配設有氣體簇射頭24。氣體簇射頭24，具有電極板37與電極支持體38，該電極支持體38以可裝卸的方式支持該電極板37。電極板37，具有許多的氣體通氣孔37a。於電極支持體38內部，設有緩衝室39；此緩衝室39的氣體導入口38a，經由氣體供給配管41而連接著處理氣體供給部40。再者，於處理容器10的周圍，配置有環狀或同心圓狀延伸的磁鐵42。
處理裝置1的各結構要件皆連接至控制部43，而受到控制部43控制。各結構要件可舉例如下：排氣裝置18、匹配器21a‧22a、第1高頻電源21、第2高頻電源22、開關27‧29、直流電源26、可變直流電源28、傳熱氣體供給部35及處理氣體供給部40等。
控制部43具備CPU43a及記憶體43b，藉由叫出儲存於記憶體43b之處理裝置1的控制程式及處理參數（recipe）並加以執行，而使處理裝置1執行蝕刻等的既定處理。
於處理裝置1，在例如蝕刻處理之際，首先會開啟閘閥20，再將晶圓W搬入處理容器10內，而載置於靜電吸盤25上。對吸附電極25a施加來自直流電源26的直流電壓，並使晶圓W吸附在靜電吸盤25上。再者，對基台11a施加來自可變直流電源28的直流電壓，藉此而對邊緣環30施加既定的直流電壓。
再者，對靜電吸盤25與晶圓W之間，供給傳熱氣體。然後，對處理容器10內導入來自處理氣體供給部40的處理氣體，並藉由排氣裝置18等而使處理容器10內減壓。更進一步地，從第1高頻電源21及第2高頻電源22，對載置台11供給第1高頻電力及第2高頻電力。
在處理裝置1的處理容器10內，係藉由磁鐵42而形成朝向某一方向的水平磁場，並以施加至載置台11的高頻電力而形成垂直方向的RF（射頻）電場。藉此，使氣體簇射頭24所噴出之處理氣體電漿化，再以電漿中的自由基或離子，對晶圓W進行既定的電漿處理。
［邊緣環之損耗］
接著，參照圖2，針對邊緣環30之損耗所導致產生的鞘層之變化、以及蝕刻速率及傾斜之變動，進行說明。如圖2（a）所示，邊緣環30的厚度，係設計成在邊緣環30係新品的情況下，晶圓W的頂面與邊緣環30的頂面會是相同高度。此時，電漿處理當中之晶圓W的鞘層與邊緣環30的鞘層，係相同高度。在此狀態下，來自電漿的離子照射角度對於晶圓W及邊緣環30係成垂直；其結果，形成於晶圓W之孔洞等的蝕刻形狀會成垂直，蝕刻速率的面內分佈會平均。
然而，在電漿處理當中，邊緣環30會曝露於電漿而損耗。如此一來，如圖2（b）所示，邊緣環30的頂面，會低於晶圓W的頂面，而邊緣環30的鞘層之高度，會變得低於晶圓W的鞘層之高度。
在此鞘層之高度產生了高低差的晶圓W之邊緣部，離子的照射角度會變斜，蝕刻形狀會產生傾斜（tilting）。再者，晶圓W的邊緣部之蝕刻速率會變動，而使得蝕刻速率的面內分佈產生不平均。
相對於此，於本實施形態，從可變直流電源28所輸出的直流電壓，經由基台11a而施加於邊緣環30。藉此，控制鞘層的厚度，而可以使電漿處理當中之晶圓W的鞘層與邊緣環30的鞘層，成為相同高度。藉此，可以使蝕刻速率的面內分佈控制成平均，而抑制傾斜。
在對邊緣環30施加來自可變直流電源28的直流電壓之際，使邊緣環30與基台11a穩定地保持在同電位，實為重要。有鑑於此，於一實施形態之處理裝置1，係藉由彈簧狀之導電性構件50，而使邊緣環30相對於載置台11固定。以下將針對彈簧狀之導電性構件50所形成之聯繫構造之一例，參照圖3以進行說明。
［聯繫構造］
圖3係繪示邊緣環30、載置台11及彈簧狀之導電性構件50的徑向之剖面圖。於邊緣環30之底面，形成有第一凹部30a。第一凹部30a，係於邊緣環30之底面，在圓周方向上環繞整圈而形成的凹槽。在基台11a之頂面、並且與第一凹部30a相向的位置，形成有第二凹部11a1。第二凹部11a1，係於基台11a之頂面，在圓周方向上環繞整圈而形成的凹槽。
彈簧狀之導電性構件50具有：第一彈簧狀構件50a、第二彈簧狀構件50b、以及連接部50c。第一彈簧狀構件50a與第二彈簧狀構件50b，分別具有局部開口的圓形形狀，而各自之基座部皆連接至連接部50c。藉此，第一彈簧狀構件50a與第二彈簧狀構件50b係彼此垂直地連接。
第一彈簧狀構件50a，插入形成於邊緣環30的第一凹部30a，而與邊緣環30接觸。第二彈簧狀構件50b，插入形成於載置台11之基台11a的第二凹部11a1，而與基台11a接觸。
第一凹部30a之徑向的剖面，具有推拔形狀，第一凹部30a的開口較其底部窄。同樣地，第二凹部11a1之徑向的剖面，具有推拔形狀，第二凹部11a1的開口較其底部窄。
第一彈簧狀構件50a，係在插入第一凹部30a之內部的狀態下，而卡止於第一凹部30a。同樣地，第二彈簧狀構件50b，係在插入第二凹部11a1之內部的狀態下，而卡止於第二凹部11a1。
為了更穩定地使邊緣環30與載置台11聯繫，如上述結構而使第一凹部30a的開口及第二凹部11a1的開口，比各自之底部更窄為較佳。但是，第一凹部30a及第二凹部11a1的側面，亦可係垂直。
第一彈簧狀構件50a、第二彈簧狀構件50b及連接部50c，可由不鏽鋼、銅、金、及其他金屬所形成。再者，亦可於該金屬施作鋁鍍層。於本實施形態，第一彈簧狀構件50a、第二彈簧狀構件50b及連接部50c的材質，係於不鏽鋼施作了鋁鍍層者。
於本實施形態之彈簧狀之導電性構件，係使第一彈簧狀構件50a與第二彈簧狀構件50b發揮作為彈簧狀之聯繫構件的功能。藉此，可以使邊緣環30固定於載置台11之同時，又能使邊緣環30與載置台11之間DC（直流電）聯繫。亦即，藉由彈簧狀之導電性構件50，而從載置台11將來自可變直流電源28的直流電壓施加於邊緣環30之際，可以使邊緣環30與載置台11穩定地保持在同電位，而可以提高邊緣環30的鞘層之控制性。
再者，彈簧狀之導電性構件50，係配置於邊緣環30的底面與基台11a的頂面之間。藉此，彈簧狀之導電性構件50會形成：不會直接曝露於電漿、並且不易發生電漿從外圍繞入至邊緣環30與基台11a間的縫隙而進行侵蝕的構造。藉此，可以防止異常放電的發生。
［彈簧狀之導電性構件的形狀］
接著，針對一實施形態之彈簧狀之導電性構件50的形狀之一例，參照圖4及圖5以進行說明。圖4係繪示一實施形態之彈簧狀之導電性構件50的形狀1的圖式。圖5係繪示一實施形態之彈簧狀之導電性構件50的形狀2的圖式。
（形狀1）
如圖4所示，於一實施形態之彈簧狀之導電性構件50的形狀1之例子，第一彈簧狀構件50a具有以下構造：在圓周方向上環繞整圈地以既定間隔，配置既定寬度的圓形部分。再者，如圖4之A－A剖面所示，於第一彈簧狀構件50a的圓形部分之局部，設有開口50a1。
同樣地，第二彈簧狀構件50b具有以下構造：在圓周方向上環繞整圈地以既定間隔，配置既定寬度的圓形部分。再者，如圖4之A－A剖面所示，於第二彈簧狀構件50b的圓形部分之局部，設有開口50b1。
第一彈簧狀構件50a的圓形部分及第二彈簧狀構件50b的圓形部分，係相同大小、相同寬度，並垂直地連接至形成為環狀的連接部50c。第一彈簧狀構件50a之所有的圓形部分的開口50a1，係朝同一方向而以相同大小開口。第二彈簧狀構件50b之所有的圓形部分的開口50b1亦同樣地，係朝同一方向而以相同大小開口。
（形狀2）
如圖5所示，於一實施形態之彈簧狀之導電性構件50的形狀2之例子，第一彈簧狀構件50a具有以下構造：在圓周方向上環繞整圈地以既定間隔，配置既定寬度的圓形部分。再者，如圖5之B－B剖面及C－C剖面所示，於第一彈簧狀構件50a的圓形部分之局部，設有開口50a1。第一彈簧狀構件50a的圓形部分，呈大於半圓之圓弧形，並藉由開口50a1而可以在第一凹部30a之內部彈性地變形。
同樣地，第二彈簧狀構件50b具有以下構造：在圓周方向上環繞整圈地以既定間隔，配置既定寬度的圓形部分。再者，如圖5之B－B剖面及C－C剖面所示，於第二彈簧狀構件50b的圓形部分之局部，設有開口50b1。第二彈簧狀構件50b的圓形部分，呈大於半圓之圓弧形，並藉由開口50b1而可以在第二凹部11a1之內部彈性地變形。
第一彈簧狀構件50a的圓形部分及第二彈簧狀構件50b的圓形部分，係相同大小、相同寬度，並垂直地連接至形成為環狀的連接部50c。垂直地連接之第一彈簧狀構件50a的圓形部分之開口50a1、與第二彈簧狀構件50b的圓形部分之開口50b1，係朝相反方向而以相同大小開口。
再者，如圖5所示，配置於圓周方向之第一彈簧狀構件50a的圓形部分的開口50a1，係每隔一個就朝同一方向開口，而鄰接之圓形部分的開口50a1會朝相反方向開口。同樣地，配置於圓周方向之第二彈簧狀構件50b的圓形部分的開口50b1，係每隔一個就朝同一方向開口，而鄰接之圓形部分的開口50b1會朝相反方向開口。藉此，第一彈簧狀構件50a的圓形部分及第二彈簧狀構件50b的圓形部分之開口，會交替地朝向相反方向開口。
於本實施形態之彈簧狀之導電性構件50的形狀1、2，在形成於邊緣環30的第一凹部30a之內部，第一彈簧狀構件50a會在圓形部分的開口50a1變形之同時，以圓形部分之側面與邊緣環30之第一凹部30a接觸。
再者，在形成於載置台11之基台11a的第二凹部11a1之內部，第二彈簧狀構件50b會在圓形部分的開口50b1變形之同時，以圓形部分之側面與基台11a之第二凹部11a1接觸。藉此，可以使邊緣環30與基台11a穩定地聯繫。
尤其在彈簧狀之導電性構件50的形狀2，第一彈簧狀構件50a之鄰接之開口50a1與第二彈簧狀構件50b之鄰接之開口50b1的方向，係彼此互異，而第一彈簧狀構件50a的圓形部分及第二彈簧狀構件50b的圓形部分更為易於變形，並容易恢復至原本的狀態。
例如，在將第一彈簧狀構件50a的圓形部分及第二彈簧狀構件50b的圓形部分，分別嵌入第一凹部30a及第二凹部11a1之際，第一彈簧狀構件50a及第二彈簧狀構件50b的開口50a1及開口50b1會變形。並且，在嵌入第一彈簧狀構件50a及第二彈簧狀構件50b後，開口50a1及開口50b1會恢復至原本的狀態。藉此，第一彈簧狀構件50a及第二彈簧狀構件50b的圓形部分之側面，會確實地與邊緣環30及基台11a之凹部接觸。藉此，可以使邊緣環30與載置台11成為同電位，而能以良好的精度控制邊緣環30之鞘層的厚度。
再者，由於上述結構之形狀2的彈簧狀之導電性構件50，變形的自由度高，所以即使在更換邊緣環30後仍可重複使用，藉由循環使用而可以降低成本。
又，形狀1的彈簧狀之導電性構件50，如圖4所示，第一彈簧狀構件50a之複數的圓形部分及第二彈簧狀構件50b之複數的圓形部分，係由連接至連接部50c之一片板塊P所形成。
再者，在形狀2的彈簧狀之導電性構件50，如圖5所示，其中一片板塊P1的第一彈簧狀構件50a的圓形部分、與另一片板塊P2的第一彈簧狀構件50a的圓形部分，係交互地以既定間隔而配置。同樣地，其中一片板塊P1的第二彈簧狀構件50b的圓形部分、與另一片板塊P2的第二彈簧狀構件50b的圓形部分，係交互地以既定間隔而配置。
圖5的兩片板塊P1、P2，係於連接部50c以焊接等而接合並一體化。但是，亦可使形狀2的彈簧狀之導電性構件50，以一片板塊形成，而不設置接合部。在配置有板塊P1、P2中之任一方的第一彈簧狀構件50a的圓形部分之下方，配置有另一方的第二彈簧狀構件50b的圓形部分。
［彈簧狀之導電性構件之配置與發熱評估結果］
接著，針對一實施形態之彈簧狀之導電性構件50之配置、與發熱評估之實驗結果之一例，參照圖6以進行說明。圖6繪示在本實施形態之彈簧狀之導電性構件50之配置、與比較例之配置下，進行了邊緣環30之發熱狀態實驗的結果。如圖6之彈簧狀之導電性構件之配置所示，於本實施形態，彈簧狀之導電性構件50係在邊緣環30之底面的第一凹部30a，環繞整圈地配置。另一方面，於比較例，係在邊緣環30之底面的第一凹部30a，等間隔地於4處，配置10mm的彈簧狀之導電性構件50p。
針對上述結構之本實施形態與比較例，將發熱評估結果之一例繪示成曲線圖。本實驗係於以下條件下進行：使用本實施形態之處理裝置1，而以第2高頻電源22，對載置台11施加頻率為3.2MHz、且係1kW的高頻電力（以下稱為「RF施加」。）。曲線圖之橫軸代表RF施加後的經過時間（RF施加時間），縱軸代表邊緣環（FR）30的最高溫度。
藉此而得知：藉由本實施形態之彈簧狀之導電性構件50的配置，導電性構件50係於整圈皆與邊緣環30接觸。因此，導電性構件50與邊緣環30的接觸面積大，RF施加後的邊緣環30之溫度上昇和緩，RF施加時間即使經過了200秒後，溫度上昇也很少。
另一方面，於比較例之彈簧狀之導電性構件50p，由於係以4點而與邊緣環30接觸，因此與邊緣環30的接觸面積小，RF施加後的邊緣環30之溫度上昇較急遽。又，於比較例，由於在RF施加時間約100秒左右，就為了避免發生邊緣環30之破損而停止RF施加，所以在比較例中，邊緣環30的溫度在中途就驟降。
其結果，在本實施形態之彈簧狀之導電性構件50的配置之情況下，RF施加當中的邊緣環30之底面的面內溫差，係5.4℃。相對於此，在比較例之彈簧狀之導電性構件50p的配置之情況下，RF施加當中的邊緣環30之底面的面內溫差，係36.9℃。
藉由本實驗結果，得知由於若在邊緣環30之底面整圈皆配置本實施形態之彈簧狀之導電性構件50，則邊緣環30之溫度上昇會變得和緩，邊緣環30破損的危險性會降低，所以較佳。但是，只要配置成使彈簧狀之導電性構件50，以溫度不會急遽上升之面積而接觸邊緣環30之底面，則未必要配置整圈。
如上所述，若藉由一實施形態之彈簧狀之導電性構件50、及使用了彈簧狀之導電性構件50的處理裝置1，則可以使第一彈簧狀構件50a與第二彈簧狀構件50b，在形成於邊緣環30及載置台11之基台11a的凹部內，彈性地變形。藉此，可以使邊緣環30與基台11a穩定地聯繫。其結果，可以使邊緣環30與基台11a成為同電位，而能以良好的精度控制邊緣環30之鞘層的厚度。
其結果，從可變直流電源28輸出的直流電壓，可經由基台11a而確實地施加於邊緣環30。藉此，能以良好的精度控制電漿處理當中的邊緣環30之鞘層，而能一方面抑制傾斜，一方面提高蝕刻速率之面內分佈的平均性。其結果，即使邊緣環30有某種程度的損耗，也能藉由直流電壓之控制而延遲更換時期，而可以提升生産性。
再者，本實施形態之彈簧狀之導電性構件50係配置於整圈。藉此，可以使第一彈簧狀構件50a與第二彈簧狀構件50b，平均地與邊緣環30及基台11a接觸，而可以使邊緣環30之溫度上昇和緩。
再者，本實施形態之彈簧狀之導電性構件50，形成了設於邊緣環30之底面的第一凹部30a與基台11a之頂面的第二凹部11a1之間、而不易曝露於電漿的聯繫構造。藉此，可以防止異常放電之發生。藉此，可不需在邊緣環30或載置台11設置曲徑（labyrinth）構造。
以上係藉由上述實施形態，而說明了被處理體的載置裝置及處理裝置。例如，被處理體的載置裝置，具有：載置台11，於處理容器10之內部載置被處理體；邊緣環30，配置於載置台11之周緣部；以及彈簧狀之導電性構件50，具有第一彈簧狀構件50a與第二彈簧狀構件50b，該第一彈簧狀構件50a在形成於邊緣環30的第一凹部與邊緣環30接觸，該第二彈簧狀構件50b在形成於載置台11的第二凹部與載置台11接觸。
但是，本發明之該被處理體的載置裝置及處理裝置並不限定於上述實施形態，而可在本發明之範圍內進行各種變形及改良。記載於上述複數之實施形態的事項，可在不相矛盾之範圍內進行組合。
例如，本發明不僅可適用於圖1之平行板型雙頻施加裝置，亦可適用於其他電漿處理裝置及非電漿處理裝置。作為其他電漿處理裝置，可列舉：電容耦合型電漿（CCP：Capacitively Coupled Plasma）裝置、感應耦合型電漿（ICP：Inductively Coupled Plasma）處理裝置、使用了放射狀線槽孔天線的處理裝置、螺旋微波激發型電漿（HWP：Helicon Wave Plasma）裝置、電子迴旋共振電漿（ECR：Electron Cyclotron Resonance Plasma）裝置、表面波處理裝置等。作為其他的非電漿處理裝置，可列舉以熱處理來加工晶圓的處理裝置等。
於本說明書，係針對半導體晶圓W以作為被處理體而進行說明，但並不限定於此，亦可係使用於LCD（液晶顯示器）、FPD（平面顯示器）等的各種基板，或是光罩、CD基板、印刷基板等。
1‧‧‧處理裝置
10‧‧‧處理容器
11‧‧‧載置台
11a‧‧‧基台
11a1‧‧‧第二凹部
12‧‧‧保持構件
13‧‧‧筒狀支持部
14‧‧‧排氣路徑
15‧‧‧擋板
16‧‧‧排氣口
17‧‧‧排氣管
18‧‧‧排氣裝置
19‧‧‧搬入搬出口
20‧‧‧閘閥
21‧‧‧第1高頻電源
21a‧‧‧匹配器
21b‧‧‧供電線
22‧‧‧第2高頻電源
22a‧‧‧匹配器
23‧‧‧阻隔電容器
24‧‧‧氣體簇射頭
25‧‧‧靜電吸盤
25a‧‧‧吸附電極
25b‧‧‧介電層
26‧‧‧直流電源
27‧‧‧開關
28‧‧‧可變直流電源
29‧‧‧開關
30‧‧‧邊緣環
30a‧‧‧第一凹部
31‧‧‧冷媒室
32‧‧‧絶緣環
33、34‧‧‧配管
35‧‧‧傳熱氣體供給部
36‧‧‧氣體供給管線
37‧‧‧電極板
37a‧‧‧氣體通氣孔
38‧‧‧電極支持體
38a‧‧‧氣體導入口
39‧‧‧緩衝室
40‧‧‧處理氣體供給部
41‧‧‧氣體供給配管
42‧‧‧磁鐵
43‧‧‧控制部
43a‧‧‧CPU
43b‧‧‧記憶體
50‧‧‧彈簧狀之導電性構件
50a‧‧‧第一彈簧狀構件
50a1‧‧‧開口
50b‧‧‧第二彈簧狀構件
50b1‧‧‧開口
50c‧‧‧連接部
50p‧‧‧導電性構件
P、P1、P2‧‧‧板塊
W‧‧‧晶圓
【圖1】繪示一實施形態之處理裝置之一例。
【圖2】（a）、（b）用以說明邊緣環之損耗所造成的蝕刻速率及傾斜之變動的圖式。
【圖3】繪示一實施形態之邊緣環與載置台之聯繫構造之一例的圖式。
【圖4】繪示一實施形態之彈簧狀導電性構件的形狀之一例的圖式。
【圖5】繪示一實施形態之彈簧狀導電性構件的形狀之一例的圖式。
【圖6】繪示一實施形態之彈簧狀導電性構件之發熱評估之結果之一例的圖式。

Claims (11)

  1. 一種被處理體的載置裝置，包括： 載置台，於處理容器之內部載置被處理體； 邊緣環，配置於該載置台之周緣部；以及 彈簧狀之導電性構件，具有第一彈簧狀構件與第二彈簧狀構件，該第一彈簧狀構件在形成於該邊緣環的第一凹部與該邊緣環接觸，該第二彈簧狀構件在形成於該載置台的第二凹部與該載置台接觸。
  2. 如申請專利範圍第1項之被處理體的載置裝置，其中， 該彈簧狀之導電性構件，具有連接部，以連接該第一彈簧狀構件與該第二彈簧狀構件。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之被處理體的載置裝置，其中， 該彈簧狀之導電性構件係形成為環狀。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之被處理體的載置裝置，其中， 該第一凹部之徑向的剖面，具有推拔形狀，該第一凹部的開口較底部窄； 該第二凹部之徑向的剖面，具有推拔形狀，該第二凹部的開口較底部窄。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之被處理體的載置裝置，其中， 該連接部，垂直地連接該第一彈簧狀構件與該第二彈簧狀構件。
  6. 如申請專利範圍第5項之被處理體的載置裝置，其中， 該第一彈簧狀構件與該第二彈簧狀構件，具有局部開口之既定寬度的圓形部分，並在圓周方向上以既定間隔配置。
  7. 如申請專利範圍第6項之被處理體的載置裝置，其中， 垂直連接之該第一彈簧狀構件的圓形部分與該第二彈簧狀構件的圓形部分，係朝同一方向開口。
  8. 如申請專利範圍第6項之被處理體的載置裝置，其中， 垂直連接之該第一彈簧狀構件的圓形部分與該第二彈簧狀構件的圓形部分，係朝相反方向開口。
  9. 如申請專利範圍第8項之被處理體的載置裝置，其中， 該第一彈簧狀構件的鄰接之圓形部分及該第二彈簧狀構件的鄰接之圓形部分，係朝相反方向開口。
  10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之被處理體的載置裝置，其中， 該第一凹部係形成於該邊緣環之底面； 該第二凹部係形成於該載置台之頂面並位在對應於該第一凹部的位置； 該第一彈簧狀構件係卡止於該第一凹部，該第二彈簧狀構件係卡止於該第二凹部。
  11. 一種處理裝置，包括： 處理容器，區劃出用以處理被處理體的處理空間； 載置台，於該處理容器之內部載置被處理體； 邊緣環，配置於該載置台之周緣部；以及 彈簧狀之導電性構件，具有第一彈簧狀構件與第二彈簧狀構件，該第一彈簧狀構件在形成於該邊緣環的第一凹部與該邊緣環接觸，該第二彈簧狀構件在形成於該載置台的第二凹部與該載置台接觸。
TW108105024A 2018-02-15 2019-02-15 被處理體的載置裝置及處理裝置 TWI789492B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-025241 2018-02-15
JP2018025241A JP7061889B2 (ja) 2018-02-15 2018-02-15 被処理体の載置装置及び処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201943014A true TW201943014A (zh) 2019-11-01
TWI789492B TWI789492B (zh) 2023-01-11

Family

ID=67540231

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108105024A TWI789492B (zh) 2018-02-15 2019-02-15 被處理體的載置裝置及處理裝置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11201039B2 (zh)
JP (1) JP7061889B2 (zh)
KR (1) KR102667942B1 (zh)
TW (1) TWI789492B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7516198B2 (ja) * 2020-05-01 2024-07-16 東京エレクトロン株式会社 エッチング装置及びエッチング方法
TW202234461A (zh) * 2020-05-01 2022-09-01 日商東京威力科創股份有限公司 蝕刻裝置及蝕刻方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW275132B (en) * 1994-08-31 1996-05-01 Tokyo Electron Co Ltd Treatment apparatus
US6159055A (en) * 1998-07-31 2000-12-12 Applied Materials, Inc. RF electrode contact assembly for a detachable electrostatic chuck
JP4152802B2 (ja) * 2003-05-09 2008-09-17 日本エー・エス・エム株式会社 薄膜形成装置
JP2006049747A (ja) * 2004-08-09 2006-02-16 Seiko Epson Corp 半導体基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP5281309B2 (ja) 2008-03-28 2013-09-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP5650935B2 (ja) * 2009-08-07 2015-01-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び位置決め方法並びにフォーカスリング配置方法
US9299539B2 (en) * 2009-08-21 2016-03-29 Lam Research Corporation Method and apparatus for measuring wafer bias potential
JP5563347B2 (ja) * 2010-03-30 2014-07-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法
US10598241B2 (en) 2014-02-26 2020-03-24 Bal Seal Engineering, Inc. Multi deflection canted coil springs and related methods
US10117366B2 (en) * 2015-12-14 2018-10-30 Bal Seal Engineering, Inc. Spring energized seals and related methods
JP3210105U (ja) * 2016-03-04 2017-04-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ユニバーサルプロセスキット
US11050190B2 (en) * 2016-06-02 2021-06-29 Bal Seal Engineering, Llc Electrical connectors with linear springs and related methods

Also Published As

Publication number Publication date
US11201039B2 (en) 2021-12-14
US20190252159A1 (en) 2019-08-15
JP7061889B2 (ja) 2022-05-02
KR102667942B1 (ko) 2024-05-21
JP2019140357A (ja) 2019-08-22
KR20190098918A (ko) 2019-08-23
TWI789492B (zh) 2023-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20180204757A1 (en) Plasma processing apparatus
TWI553729B (zh) Plasma processing method
JP5231038B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法、ならびに記憶媒体
KR102614244B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
JP6552346B2 (ja) 基板処理装置
JP2016506592A (ja) 均一なプラズマ密度を有する容量結合プラズマ装置
US10867777B2 (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
TWI794428B (zh) 被處理體的載置裝置及處理裝置
JP2019176030A (ja) プラズマ処理装置
JP2016522539A (ja) 均一なプラズマ密度を有する容量結合プラズマ装置
WO2019244631A1 (ja) 載置台及び基板処理装置
JP7531641B2 (ja) 載置台及び基板処理装置
JP7142551B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
TWI789492B (zh) 被處理體的載置裝置及處理裝置
TWI809007B (zh) 半導體製造裝置用之對焦環及半導體製造裝置
JP2011040461A (ja) バッフル板及びプラズマ処理装置
TWI698928B (zh) 電漿處理方法
JP7246451B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
TW202032715A (zh) 載置台及基板處理裝置
JP5302813B2 (ja) 堆積物対策用カバー及びプラズマ処理装置
JP7204564B2 (ja) プラズマ処理装置
JP7361588B2 (ja) エッジリング及び基板処理装置
JP7398909B2 (ja) 静電吸着方法及びプラズマ処理装置
TW202129827A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP7365912B2 (ja) エッジリング及び基板処理装置