JP7365912B2 - エッジリング及び基板処理装置 - Google Patents
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Description
<基板処理装置の構成>
図1は、実施例1の基板処理装置の構成例を示す図である。
図2は、実施例1のエッジリング及びウエハの一例を示す図である。
図3は、実施例1のエッジリングの構成例を示す図である。図3に示すエッジリングER1は、図1及び図2に示すエッジリングERに相当する。
<エッジリングの構成>
図4は、実施例2のエッジリングの構成例を示す図である。図4に示すエッジリングER2は、図1及び図2に示すエッジリングERに相当する。
<エッジリングの構成>
図5は、実施例3のエッジリングの構成例を示す図である。図5に示すエッジリングER3は、図1及び図2に示すエッジリングERに相当する。
ER エッジリング
S11,S21,S31 第一上面
S12,S22,S32 第二上面
11 サセプタ
25 静電チャック
Claims (20)
- 被処理基板の周囲に配置されるエッジリングであって、
シリコンカーバイド、タングステンカーバイド、酸化マグネシウム、または、イットリアから形成される第一上面と、
前記第一上面より低い位置に形成され、前記被処理基板の周縁部の下面と対向し、かつ、シリコンから形成される第二上面と、
前記第一上面及び前記第二上面と対向し、かつ、シリコンカーバイド、タングステンカーバイド、酸化マグネシウム、または、イットリアから形成される下面と、
を有するエッジリング。 - 被処理基板の周囲に配置されるエッジリングであって、
シリコンカーバイド、タングステンカーバイド、酸化マグネシウム、または、イットリアから形成される第一上面と、
前記第一上面より低い位置に形成され、前記被処理基板の周縁部の下面と対向し、かつ、シリコンから形成される第二上面と、
前記第一上面及び前記第二上面と対向し、かつ、シリコンから形成される下面と、
を有するエッジリング。 - 被処理基板の周囲に配置されるエッジリングであって、
シリコンカーバイド、タングステンカーバイド、酸化マグネシウム、または、イットリアから形成される第一上面と、
前記第一上面より低い位置に形成され、前記被処理基板の周縁部の下面と対向し、かつ、シリコンから形成される第二上面と、
を有し、
前記第一上面を有する第一部材と、前記第二上面を有する第二部材とを接合して形成されるエッジリング。 - 前記第一部材と前記第二部材とは、接着層を介して接合される、
請求項3に記載のエッジリング。 - 前記接着層は、シリコーン系接着剤を含む、
請求項4に記載のエッジリング。 - 前記接着層は、導電性フィラーをさらに含む、
請求項5に記載のエッジリング。 - 前記第一上面を含む外周部と、前記外周部よりも厚さが薄い内周部とを有する第一部材と、
前記内周部の上に配置され、前記第二上面を含む第二部材と、
を具備する請求項1から6のいずれか一項に記載のエッジリング。 - 前記第一上面を含む外周部と、前記外周部よりも厚さが薄い内周部とを有する第一部材と、
前記内周部の上に配置され、前記第二上面を含む第二部材と、
を具備し、
前記第一部材は、シリコンカーバイド、タングステンカーバイド、酸化マグネシウム、または、イットリアから形成され、
前記第二部材は、シリコンから形成される、
請求項1に記載のエッジリング。 - 被処理基板の周囲に配置されるエッジリングであって、
シリコンカーバイド、タングステンカーバイド、酸化マグネシウム、または、イットリアから形成される第一上面と、
前記第一上面より低い位置に形成され、前記被処理基板の周縁部の下面と対向し、かつ、シリコンから形成される第二上面と、
を有し、
前記第一上面を含む外周部と、前記外周部よりも厚さが薄い内周部とを有する第一部材と、
前記内周部の上に配置され、前記第二上面を含む第二部材と、
を具備し、
前記第一部材と前記第二部材とが接着層を介して接合される、エッジリング。 - 前記第一部材は、シリコンカーバイド、タングステンカーバイド、酸化マグネシウム、または、イットリアから形成され、
前記第二部材は、シリコンから形成される、
請求項9に記載のエッジリング。 - 前記接着層は、シリコーン系接着剤を含む、
請求項9または10に記載のエッジリング。 - 前記接着層は、導電性フィラーをさらに含む、
請求項9から11のいずれか一項に記載のエッジリング。 - 被処理基板の周囲に配置されるエッジリングであって、
シリコンカーバイド、タングステンカーバイド、酸化マグネシウム、または、イットリアから形成される第一上面と、
前記第一上面より低い位置に形成され、前記被処理基板の周縁部の下面と対向し、かつ、シリコンから形成される第二上面と、
を有し、
前記第一上面を含む第一部材と、
前記第一部材の下に配置され、前記第二上面を含む第二部材と、
を具備するエッジリング。 - 前記第一部材は、シリコンカーバイド、タングステンカーバイド、酸化マグネシウム、または、イットリアから形成され、
前記第二部材は、シリコンから形成される、
請求項13に記載のエッジリング。 - 前記第一部材と前記第二部材とが接着層を介して接合される、
請求項13または14に記載のエッジリング。 - 前記接着層は、シリコーン系接着剤を含む、
請求項15に記載のエッジリング。 - 前記接着層は、導電性フィラーをさらに含む、
請求項16に記載のエッジリング。 - 処理空間を提供する処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、かつ、被処理基板が載置される載置台と、
前記被処理基板の周囲を囲むように配置されるエッジリングと、を具備し、
前記載置台は、平面視で前記エッジリングと少なくとも一部重複する領域に前記エッジリングを静電吸着する電極を有し、
前記エッジリングは、
シリコンカーバイド、タングステンカーバイド、酸化マグネシウム、または、イットリアから形成される第一上面と、
前記第一上面より低い位置に形成され、前記被処理基板の周縁部の下面と対向し、かつ、シリコンから形成される第二上面と、を有し、
前記第一上面及び前記第二上面と対向し、かつ、シリコンカーバイド、タングステンカーバイド、酸化マグネシウム、または、イットリアから形成される下面と、
を有する、
基板処理装置。 - 処理空間を提供する処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、かつ、被処理基板が載置される載置台と、
前記被処理基板の周囲を囲むように配置されるエッジリングと、を具備し、
前記載置台は、平面視で前記エッジリングと少なくとも一部重複する領域に前記エッジリングを静電吸着する電極を有し、
前記エッジリングは、
シリコンカーバイド、タングステンカーバイド、酸化マグネシウム、または、イットリアから形成される第一上面と、
前記第一上面より低い位置に形成され、前記被処理基板の周縁部の下面と対向し、かつ、シリコンから形成される第二上面と、を有し、
前記第一上面及び前記第二上面と対向し、かつ、シリコンから形成される下面と、
を有する、
基板処理装置。 - 処理空間を提供する処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、かつ、被処理基板が載置される載置台と、
前記被処理基板の周囲を囲むように配置されるエッジリングと、を具備し、
前記載置台は、平面視で前記エッジリングと少なくとも一部重複する領域に前記エッジリングを静電吸着する電極を有し、
前記エッジリングは、
シリコンカーバイド、タングステンカーバイド、酸化マグネシウム、または、イットリアから形成される第一上面と、
前記第一上面より低い位置に形成され、前記被処理基板の周縁部の下面と対向し、かつ、シリコンから形成される第二上面と、を有し、
前記第一上面を有する第一部材と、前記第二上面を有する第二部材とを接合して形成される、
基板処理装置。
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