JP7061889B2 - 被処理体の載置装置及び処理装置 - Google Patents

被処理体の載置装置及び処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7061889B2
JP7061889B2 JP2018025241A JP2018025241A JP7061889B2 JP 7061889 B2 JP7061889 B2 JP 7061889B2 JP 2018025241 A JP2018025241 A JP 2018025241A JP 2018025241 A JP2018025241 A JP 2018025241A JP 7061889 B2 JP7061889 B2 JP 7061889B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
spring
edge ring
recess
mounting device
circular portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018025241A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019140357A (ja
Inventor
雄大 上田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2018025241A priority Critical patent/JP7061889B2/ja
Priority to US16/269,897 priority patent/US11201039B2/en
Priority to KR1020190017048A priority patent/KR102667942B1/ko
Priority to TW108105024A priority patent/TWI789492B/zh
Publication of JP2019140357A publication Critical patent/JP2019140357A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7061889B2 publication Critical patent/JP7061889B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

本発明は、被処理体の載置装置及び処理装置に関する。
エッジリングは、処理装置内の載置台上のウェハの周縁部に配置され、処理室にてプラズマ処理が行われる際にプラズマをウェハＷの表面に向けて収束させる。プラズマ処理中、エッジリングはプラズマに曝露され、消耗する。
エッジリングが消耗すると、エッジリングとウェハのシースに段差が生じ、ウェハのエッジ部においてイオンの照射角度が斜めになり、エッチング形状にチルティング（tilting）が生じることがある。また、ウェハのエッジ部のエッチングレートが変動し、エッチングレートの面内分布が不均一になることがある。そこで、エッジリングが所定以上消耗したときには新品のものに交換することが行われている。ところが、エッジリングの交換期間が生産性を低下させる要因の一つになっている。
これに対して、直流電源から出力される直流電圧をエッジリングに印加することで、エッジリングのシースの厚さをコントロールし、エッチングレートの面内分布を制御することが提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
特開２００９－２３９２２２号公報
直流電圧をエッジリングに印加する際、エッジリングと、エッジリングが載置される基台とを安定的にコンタクトすることが重要である。これにより、エッジリングと載置台とを同電位にすることができ、エッジリングのシースの厚さを精度よく制御することができる。
上記課題に対して、一側面では、本発明は、エッジリングと載置台とを安定的にコンタクトする構造を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、一の態様によれば、処理容器の内部にて被処理体を載置する載置台と、前記載置台の周縁部に配置されるエッジリングと、前記エッジリングに全周にわたって周方向に形成された第一の凹部において前記エッジリングに接する第一のバネ状部材と、前記周縁部に前記第一の凹部に対応して形成された第二の凹部において前記載置台に接する第二のバネ状部材と、を有し、前記エッジリングの全周にわたって周方向に環状に配置されるバネ状の導電性部材と、を有する被処理体の載置装置が提供される。
一の側面によれば、エッジリングと載置台とを安定的にコンタクトする構造を提供することができる。
一実施形態に係る処理装置の一例を示す図。 エッジリングの消耗によるエッチングレート及びチルティングの変動を説明するための図。 一実施形態に係るエッジリングと載置台とのコンタクト構造の一例を示す図。 一実施形態に係るバネ状の導電性部材の形状の一例を示す図。 一実施形態に係るバネ状の導電性部材の形状の一例を示す図。 一実施形態に係るバネ状の導電性部材の発熱評価の結果の一例を示す図。
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
［処理装置］
まず、本発明の一実施形態に係る処理装置１の一例について、図１を参照しながら説明する。図１は、一実施形態に係る処理装置１の断面の一例を示す図である。本実施形態に係る処理装置１は、金属製、例えば、アルミニウム又はステンレス鋼製の円筒型の処理容器１０を有し、その内部は、プラズマエッチングやプラズマＣＶＤ等のプラズマ処理が行われる処理室となっている。処理容器１０は、被処理体の一例である半導体ウェハＷ（以下、「ウェハＷ」という。）を処理するための処理空間を画成する。処理容器１０は接地されている。
処理容器１０の内部には、ウェハＷを載置する、円板状の載置台１１が配置されている。載置台１１は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）から形成された保持部材１２を介して処理容器１０の底から垂直上方に延びる筒状支持部１３に支持されている。
載置台１１は、基台１１ａと静電チャック２５とを有する。基台１１ａは、アルミニウムから形成されている。静電チャック２５は、基台１１ａ上に設けられた誘電層２５ｂに、導電膜の吸着電極２５ａが埋設された構成を有する。直流電源２６はスイッチ２７を介して吸着電極２５ａに接続されている。静電チャック２５は、直流電源２６から吸着電極２５ａに印加された直流電圧によりクーロン力等の静電力を発生させ、該静電力によりウェハＷを吸着保持する。なお、処理装置１には静電チャックが設けられなくてもよい。
ウェハＷの周縁部には、エッジリング３０が載置されている。エッジリング３０は、Ｓｉ又はＳｉＣから形成されている。載置台１１及びエッジリング３０の外周は、インシュレータリング３２により覆われている。
載置台１１には、第１高周波電源２１が整合器２１ａを介して接続されている。第１高周波電源２１は、プラズマ生成用の第１の周波数（例えば、１３ＭＨｚの周波数）の高周波電力を載置台１１に印加する。また、載置台１１には、第２高周波電源２２が整合器２２ａを介して接続されている。第２高周波電源２２は、第１の周波数よりも低いバイアス印加用の第２の周波数（例えば、３．２ＭＨｚの周波数）の高周波電力を載置台１１に印加する。これにより、載置台１１は下部電極としても機能する。
可変直流電源２８はスイッチ２９を介して給電ライン２１ｂに接続されている。可変直流電源２８と給電ライン２１ｂとの接続ポイントと第１高周波電源２１の間にはブロッキングコンデンサ２３が設けられている。ブロッキングコンデンサ２３は、可変直流電源２８からの直流電圧を遮断し、直流電圧が第１高周波電源２１へ流れないようにする。可変直流電源２８から印加された直流電圧によりエッジリング３０に直流電圧が印加される。
基台１１ａの内部には、例えば、周方向に延在する環状の冷媒室３１が設けられている。冷媒室３１には、チラーユニットから配管３３、３４を介して所定温度の冷媒、例えば、冷却水が循環供給され、静電チャック２５及びウェハＷを冷却する。
また、静電チャック２５には、ガス供給ライン３６を介して伝熱ガス供給部３５が接続されている。伝熱ガス供給部３５は、ガス供給ライン３６を介して伝熱ガスを静電チャック２５の上面とウェハＷの裏面の間の空間に供給する。伝熱ガスとしては、熱伝導性を有するガス、例えば、Ｈｅガス等が好適に用いられる。
処理容器１０の側壁と筒状支持部１３との間には排気路１４が形成されている。排気路１４の入口には環状のバッフル板１５が配設されると共に、底部に排気口１６が設けられている。排気口１６には、排気管１７を介して排気装置１８が接続されている。排気装置１８は、真空ポンプを有し、処理容器１０内の処理空間を所定の真空度まで減圧する。また、排気管１７は可変式バタフライバルブである自動圧力制御弁（automatic pressure control valve）（以下、「ＡＰＣ」という）を有し、ＡＰＣは自動的に処理容器１０内の圧力制御を行う。さらに、処理容器１０の側壁には、ウェハＷの搬入出口１９を開閉するゲートバルブ２０が取り付けられている。
処理容器１０の天井部にはガスシャワーヘッド２４が配設されている。ガスシャワーヘッド２４は、電極板３７と、該電極板３７を着脱可能に支持する電極支持体３８とを有する。電極板３７は、多数のガス通気孔３７ａを有する。電極支持体３８の内部にはバッファ室３９が設けられ、このバッファ室３９のガス導入口３８ａには、ガス供給配管４１を介して処理ガス供給部４０が接続されている。また、処理容器１０の周囲には、環状又は同心状に延びる磁石４２が配置されている。
処理装置１の各構成要素は制御部４３に接続され、制御部４３より制御される。各構成要素としては、例えば、排気装置１８、整合器２１ａ，２２ａ、第１高周波電源２１、第２高周波電源２２、スイッチ２７、２９、直流電源２６、可変直流電源２８、伝熱ガス供給部３５および処理ガス供給部４０等が挙げられる。
制御部４３は、ＣＰＵ４３ａ及びメモリ４３ｂを備え、メモリ４３ｂに記憶された処理装置１の制御プログラム及び処理レシピを読み出して実行することで、処理装置１にエッチング等の所定の処理を実行させる。
処理装置１では、例えばエッチング処理の際、先ずゲートバルブ２０を開き、ウェハＷを処理容器１０内に搬入し、静電チャック２５上に載置する。直流電源２６からの直流電圧を吸着電極２５ａに印加し、ウェハＷを静電チャック２５に吸着させる。また、可変直流電源２８からの直流電圧を基台１１ａに印加し、これにより、エッジリング３０に所定の直流電圧が印加される。
また、伝熱ガスを静電チャック２５とウェハＷの間に供給する。そして、処理ガス供給部４０からの処理ガスを処理容器１０内に導入し、排気装置１８等により処理容器１０内を減圧する。さらに、第１高周波電源２１及び第２高周波電源２２から第１高周波電力及び第２高周波電力を載置台１１に供給する。
処理装置１の処理容器１０内では、磁石４２によって一方向に向かう水平磁界が形成され、載置台１１に印加された高周波電力によって垂直方向のＲＦ電界が形成される。これにより、ガスシャワーヘッド２４から吐出した処理ガスがプラズマ化し、プラズマ中のラジカルやイオンによってウェハＷに所定のプラズマ処理が行われる。
［エッジリングの消耗］
次に、図２を参照して、エッジリング３０の消耗によって生じるシースの変化と、エッチングレート及びチルティングの変動について説明する。図２（ａ）に示すように、エッジリング３０が新品の場合、ウェハＷの上面とエッジリング３０の上面とが同じ高さになるようにエッジリング３０の厚さが設計されている。このとき、プラズマ処理中のウェハＷのシースとエッジリング３０のシースとは同じ高さになる。この状態では、ウェハＷ及びエッジリング３０へのプラズマからのイオンの照射角度は垂直になり、この結果、ウェハＷに形成されるホール等のエッチング形状は垂直になり、エッチングレートの面内分布は均一なる。
ところが、プラズマ処理中、エッジリング３０はプラズマに曝露され、消耗する。そうすると、図２（ｂ）に示すように、エッジリング３０の上面は、ウェハＷの上面よりも低くなり、エッジリング３０のシースの高さはウェハＷのシースの高さよりも低くなる。
このシースの高さに段差が生じているウェハＷのエッジ部においてイオンの照射角度が斜めになり、エッチング形状のチルティング（tilting）が生じる。また、ウェハＷのエッジ部のエッチングレートが変動し、エッチングレートの面内分布に不均一が生じる。
これに対して、本実施形態では、可変直流電源２８から出力される直流電圧は、基台１１ａを介してエッジリング３０に印加される。これにより、シースの厚さを制御し、プラズマ処理中のウェハＷのシースとエッジリング３０のシースとが同じ高さになるようにすることができる。これにより、エッチングレートの面内分布を均一に制御したり、チルティングを抑制したりすることができる。
可変直流電源２８からの直流電圧をエッジリング３０に印加する際、エッジリング３０と基台１１ａとが安定的に同電位に保たれていることが重要である。そこで、一実施形態に係る処理装置１では、バネ状の導電性部材５０によりエッジリング３０を載置台１１に対して固定する。以下では、バネ状の導電性部材５０によるコンタクト構造の一例について図３を参照しながら説明する。
［コンタクト構造］
図３は、エッジリング３０、載置台１１及びバネ状の導電性部材５０の径方向の断面を示す図である。エッジリング３０の下面には第一の凹部３０ａが形成されている。第一の凹部３０ａは、エッジリング３０の下面にて全周にわたって周方向に形成された溝である。基台１１ａの上面であって第一の凹部３０ａに対向する位置には、第二の凹部１１ａ１が形成されている。第二の凹部１１ａ１は、基台１１ａの上面にて全周にわたって周方向に形成された溝である。
バネ状の導電性部材５０は、第一のバネ状部材５０ａと、第二のバネ状部材５０ｂと、接続部５０ｃとを有する。第一のバネ状部材５０ａと第二のバネ状部材５０ｂのそれぞれは、一部が開口する円形形状を有し、それぞれの基端部が接続部５０ｃに接続される。これにより、第一のバネ状部材５０ａと第二のバネ状部材５０ｂとは互いに垂直に接続されている。
第一のバネ状部材５０ａは、エッジリング３０に形成された第一の凹部３０ａに挿入され、エッジリング３０に接する。第二のバネ状部材５０ｂは、載置台１１の基台１１ａに形成された第二の凹部１１ａ１に挿入され、基台１１ａに接する。
第一の凹部３０ａの径方向の断面は、テーパー形状を有し、第一の凹部３０ａの開口はその底部よりも狭くなっている。同様に、第二の凹部１１ａ１の径方向の断面は、テーパー形状を有し、第二の凹部１１ａ１の開口はその底部よりも狭くなっている。
第一のバネ状部材５０ａは、第一の凹部３０ａの内部に挿入された状態で第一の凹部３０ａにて係止する。同様に、第二のバネ状部材５０ｂは、第二の凹部１１ａ１の内部に挿入された状態で第二の凹部１１ａ１にて係止する。
より安定的にエッジリング３０と載置台１１とをコンタクトするために、かかる構成のように第一の凹部３０ａの開口及び第二の凹部１１ａ１の開口は、それぞれの底部よりも狭まっている方が好ましい。ただし、第一の凹部３０ａ及び第二の凹部１１ａ１の側面は垂直であってもよい。
第一のバネ状部材５０ａ、第二のバネ状部材５０ｂ及び接続部５０ｃは、ステンレス、銅、金、及びその他の金属により形成されてもよい。また、かかる金属にアルミニウムのコーティングがなされてもよい。本実施形態では、第一のバネ状部材５０ａ、第二のバネ状部材５０ｂ及び接続部５０ｃの材質は、ステンレスにアルミニウムのコーティングを施したものである。
本実施形態に係るバネ状の導電性部材では、第一のバネ状部材５０ａと第二のバネ状部材５０ｂとをバネ状のコンタクト部材として機能させる。これにより、エッジリング３０を載置台１１に固定しながら、エッジリング３０と載置台１１との間をＤＣ的にコンタクトすることができる。すなわち、バネ状の導電性部材５０により、可変直流電源２８からの直流電圧を載置台１１からエッジリング３０に印加する際、エッジリング３０と載置台１１とを安定的に同電位に保つことができ、エッジリング３０のシースの制御性を高めることができる。
また、バネ状の導電性部材５０は、エッジリング３０の下面と基台１１ａの上面との間に配置される。これにより、バネ状の導電性部材５０は、プラズマに直接曝露されず、かつ、プラズマがエッジリング３０と基台１１ａとの隙間に外周側から回り込んで耐食され難い構造となる。これにより、異常放電の発生を防止することができる。
［バネ状の導電性部材の形状］
次に、一実施形態に係るバネ状の導電性部材５０の形状の一例について、図４及び図５を参照しながら説明する。図４は、一実施形態に係るバネ状の導電性部材５０の形状１を示す図である。図５は、一実施形態に係るバネ状の導電性部材５０の形状２を示す図である。
（形状１）
図４に示すように、一実施形態に係るバネ状の導電性部材５０の形状１の例では、第一のバネ状部材５０ａは、所定幅の円形部分が周方向に所定の間隔で全周にわたって配置される構造を有する。また、図４のＡ－Ａ断面に示すように、第一のバネ状部材５０ａの円形部分の一部には開口５０ａ１が設けられている。
同様にして、第二のバネ状部材５０ｂは、所定幅の円形部分が周方向に所定の間隔で全周にわたって配置される構造を有する。また、図４のＡ－Ａ断面に示すように、第二のバネ状部材５０ｂの円形部分の一部には開口５０ｂ１が設けられている。
第一のバネ状部材５０ａの円形部分及び第二のバネ状部材５０ｂの円形部分は、同じ大きさ、同じ幅であり、環状に形成された接続部５０ｃに垂直に接続される。第一のバネ状部材５０ａのすべての円形部分の開口５０ａ１は、同一方向に同じ大きさで開口する。第二のバネ状部材５０ｂのすべての円形部分の開口５０ｂ１も同様に、同一方向に同じ大きさで開口する。
（形状２）
図５に示すように、一実施形態に係るバネ状の導電性部材５０の形状２の例では、第一のバネ状部材５０ａは、所定幅の円形部分が周方向に所定の間隔で全周にわたって配置される構造を有する。また、図５のＢ－Ｂ断面及びＣ－Ｃ断面に示すように、第一のバネ状部材５０ａの円形部分の一部には開口５０ａ１が設けられている。第一のバネ状部材５０ａの円形部分は、半円よりも大きい円弧形状であり、開口５０ａ１により第一の凹部３０ａの内部において柔軟に変形することができる。
同様に、第二のバネ状部材５０ｂは、所定幅の円形部分が周方向に所定の間隔で全周にわたって配置される構造を有する。また、図５のＢ－Ｂ断面及びＣ－Ｃ断面に示すように、第二のバネ状部材５０ｂの円形部分の一部には開口５０ｂ１が設けられている。第二のバネ状部材５０ｂの円形部分は、半円よりも大きい円弧形状であり、開口５０ｂ１により第二の凹部１１ａ１の内部において柔軟に変形することができる。
第一のバネ状部材５０ａの円形部分及び第二のバネ状部材５０ｂの円形部分は、同じ大きさ、同じ幅であり、環状に形成された接続部５０ｃに垂直に接続される。垂直に接続された第一のバネ状部材５０ａの円形部分の開口５０ａ１及び第二のバネ状部材５０ｂの円形部分の開口５０ｂ１は、反対方向に同じ大きさで開口する。
また、図５に示すように、周方向に配置された、第一のバネ状部材５０ａの円形部分の開口５０ａ１は、一つおきに同一方向に開口し、隣接する円形部分の開口５０ａ１は反対方向に開口する。同様に、周方向に配置された、第二のバネ状部材５０ｂの円形部分の開口５０ｂ１は、一つおきに同一方向に開口し、隣接する円形部分の開口５０ｂ１は反対方向に開口する。これにより、第一のバネ状部材５０ａの円形部分及び第二のバネ状部材５０ｂの円形部分の開口は互い違いに反対方向に開口する。
本実施形態に係るバネ状の導電性部材５０の形状１、２では、エッジリング３０に形成された第一の凹部３０ａの内部において第一のバネ状部材５０ａの円形部分の開口５０ａ１が変形しながら円形部分の側面がエッジリング３０の第一の凹部３０ａに接する。
また、載置台１１の基台１１ａに形成された第二の凹部１１ａ１の内部において第二のバネ状部材５０ｂの円形部分の開口５０ｂ１が変形しながら円形部分の側面が基台１１ａの第二の凹部１１ａ１に接する。これにより、エッジリング３０と基台１１ａとを安定してコンタクトすることができる。
特に、バネ状の導電性部材５０の形状２では、第一のバネ状部材５０ａの隣接する開口５０ａ１及び第二のバネ状部材５０ｂの隣接する開口５０ｂ１の方向が互いに異なっており、第一のバネ状部材５０ａの円形部分及び第二のバネ状部材５０ｂの円形部分がより変形し易く、かつ元の状態に戻り易くなっている。
例えば、第一の凹部３０ａ及び第二の凹部１１ａ１に第一のバネ状部材５０ａの円形部分及び第二のバネ状部材５０ｂの円形部分をそれぞれを嵌め込む際、第一のバネ状部材５０ａ及び第二のバネ状部材５０ｂの開口５０ａ１及び開口５０ｂ１が変形する。かつ、第一のバネ状部材５０ａ及び第二のバネ状部材５０ｂを嵌め込んだ後、開口５０ａ１及び開口５０ｂ１は元の状態に戻る。これにより、第一のバネ状部材５０ａ及び第二のバネ状部材５０ｂの円形部分の側面がエッジリング３０及び基台１１ａの凹部に確実に接する。これにより、エッジリング３０と載置台１１とを同電位にすることができ、エッジリング３０のシースの厚さを精度よく制御することができる。
また、かかる構成の形状２のバネ状の導電性部材５０は変形の自由度が高いため、エッジリング３０を交換した後にも繰り返し使用が可能であり、再利用によってコストを下げることができる。
なお、形状１のバネ状の導電性部材５０は、図４に示すように、第一のバネ状部材５０ａの複数の円形部分及び第二のバネ状部材５０ｂの複数の円形部分が接続部５０ｃに接続された一枚のプレートＰから形成されている。
また、形状２のバネ状の導電性部材５０では、図５に示すように、一方のプレートＰ１の第一のバネ状部材５０ａの円形部分と他方のプレートＰ２の第一のバネ状部材５０ａの円形部分とが交互に所定の間隔で配置される。同様に、一方のプレートＰ１の第二のバネ状部材５０ｂの円形部分と他方のプレートＰ２の第二のバネ状部材５０ｂの円形部分とが交互に所定の間隔で配置される。
図５の二枚のプレートＰ１，Ｐ２は接続部５０ｃにて溶接等により接合され、一体化される。ただし、形状２のバネ状の導電性部材５０を、一枚のプレートから形成し、接合部を設けなくてもよい。プレートＰ１，Ｐ２の一方の第一のバネ状部材５０ａの円形部分が配置されている下方には、他方の第二のバネ状部材５０ｂの円形部分が配置されている。
［バネ状の導電性部材の配置と発熱評価結果］
次に、一実施形態に係るバネ状の導電性部材５０の配置と発熱評価の実験結果の一例について、図６を参照しながら説明する。図６は、本実施形態に係るバネ状の導電性部材５０の配置と比較例の配置においてエッジリング３０の発熱状態を実験した結果を示す。図６のバネ状の導電性部材の配置に示すように、本実施形態では、バネ状の導電性部材５０がエッジリング３０の下面の第一の凹部３０ａに全周にわたって配置される。一方、比較例では、１０ｍｍのバネ状の導電性部材５０ｐがエッジリング３０の下面の第一の凹部３０ａに等間隔に４カ所配置される。
係る構成の本実施形態と比較例について、発熱評価結果の一例をグラフに示す。本実験は、本実施形態に係る処理装置１を用いて、第２高周波電源２２から３．２ＭＨｚの周波数であって１ｋＷの高周波電力を載置台１１に印加（以下、「ＲＦ印加」という。）する条件下で行われた。グラフの横軸はＲＦ印加後の経過時間（ＲＦ印加時間）を示し、縦軸はエッジリング（ＦＲ）３０の最高温度を示す。
これによれば、本実施形態に係るバネ状の導電性部材５０の配置では、全周にて導電性部材５０がエッジリング３０に接する。このため、導電性部材５０とエッジリング３０との接触面積が大きく、ＲＦ印加後のエッジリング３０の温度上昇は緩やかであり、ＲＦ印加時間が２００秒経過後も温度上昇は少ないことがわかる。
一方、比較例に係るバネ状の導電性部材５０ｐでは、４点でエッジリング３０に接するため、エッジリング３０との接触面積が小さく、ＲＦ印加後のエッジリング３０の温度上昇が急激であることがわかる。なお、比較例では、ＲＦ印加時間が１００秒程度でエッジリング３０の破損が発生しないようにＦＲ印加を停止したため、比較例では途中でエッジリング３０の温度が急激に低下している。
その結果、本実施形態に係るバネ状の導電性部材５０の配置の場合、ＲＦ印加中のエッジリング３０の下面の面内の温度差は、５．４℃であった。これに対して、比較例に係るバネ状の導電性部材５０ｐの配置の場合、ＲＦ印加中のエッジリング３０の下面の面内の温度差は、３６．９℃であった。
本実験結果によれば、本実施形態に係るバネ状の導電性部材５０をエッジリング３０の下面において全周に配置すると、エッジリング３０の温度上昇が緩やかになり、エッジリング３０の破損の危険性が低下するため、好ましいことがわかった。ただし、バネ状の導電性部材５０は、急激に温度上昇しない面積でエッジリング３０の下面に接触するように配置されていれば、必ずしも全周に配置しなくてもよい。
以上、一実施形態に係るバネ状の導電性部材５０及びバネ状の導電性部材５０を使用した処理装置１によれば、第一のバネ状部材５０ａと第二のバネ状部材５０ｂとをエッジリング３０と載置台１１の基台１１ａとに形成された凹部において柔軟に変形させることができる。これにより、エッジリング３０と基台１１ａとを安定的にコンタクトすることができる。この結果、エッジリング３０と基台１１ａとを同電位にすることができ、エッジリング３０のシースの厚さを精度よく制御することができる。
この結果、可変直流電源２８から出力される直流電圧を、基台１１ａを介してエッジリング３０へ確実に印加できる。これにより、プラズマ処理中のエッジリング３０のシースを精度よく制御でき、チルティングを抑制しつつ、エッチングレートの面内分布の均一性を高めることができる。この結果、エッジリング３０がある程度消耗しても直流電圧の制御により交換時期を遅らせることができ、生産性を向上させることができる。
また、本実施形態に係るバネ状の導電性部材５０は、全周に配置される。これにより、第一のバネ状部材５０ａと第二のバネ状部材５０ｂとを、ムラなくエッジリング３０と基台１１ａと接触させることができ、エッジリング３０の温度上昇を緩やかにすることができる。
また、本実施形態に係るバネ状の導電性部材５０は、エッジリング３０の下面の第一の凹部３０ａと基台１１ａの上面の第二の凹部１１ａ１との間に設けられ、プラズマに曝露され難いコンタクト構造となっている。これにより、異常放電の発生を防止することができる。これにより、エッジリング３０や載置台１１にラビリンス(迷路)構造を設けることを不要とすることができる。
以上、被処理体の載置装置及び処理装置を上記実施形態により説明した。例えば、被処理体の載置装置は、処理容器１０の内部にて被処理体を載置する載置台１１と、載置台１１の周縁部に配置されるエッジリング３０と、エッジリング３０に形成された第一の凹部においてエッジリング３０に接する第一のバネ状部材５０ａと、載置台１１に形成された第二の凹部において載置台１１に接する第二のバネ状部材５０ｂとを有するバネ状の導電性部材５０とを有する。
ただし、本発明にかかる被処理体の載置装置及び処理装置は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
例えば、本発明は、図１の平行平板型２周波印加装置だけでなく、その他のプラズマ処理装置及びノンプラズマ処理装置に適用可能である。その他のプラズマ処理装置としては、容量結合型プラズマ（ＣＣＰ:Capacitively Coupled Plasma)装置、誘導結合型プラズマ(ＩＣＰ:Inductively Coupled Plasma)処理装置、ラジアルラインスロットアンテナを用いた処理装置、ヘリコン波励起型プラズマ（ＨＷＰ：Helicon Wave Plasma）装置、電子サイクロトロン共鳴プラズマ（ＥＣＲ：Electron Cyclotron Ｒesonance Plasma）装置、表面波処理装置等が挙げられる。その他のノンプラズマ処理装置としては、熱処理によりウェハを加工する処理装置等が挙げられる。
本明細書では、被処理体として半導体ウェハＷについて説明したが、これに限らず、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）、ＦＰＤ（Flat Panel Display）等に用いられる各種基板や、フォトマスク、ＣＤ基板、プリント基板等であっても良い。
１ ：処理装置
１０ ：処理容器
１１ ：載置台
１１ａ：基台
１１ａ１：第二の凹部
１５ ：バッフル板
１８ ：排気装置
２１ ：第１高周波電源
２２ ：第２高周波電源
２３ ：ブロッキングコンデンサ
２４ ：ガスシャワーヘッド
２５ ：静電チャック
２５ａ：吸着電極
２５ｂ：誘電層
２６ ：直流電源
２８ ：可変直流電源
３０ ：エッジリング
３０ａ：第一の凹部
３１ ：冷媒室
３５ ：伝熱ガス供給部
４０ ：処理ガス供給部
４３ ：制御部
５０ ：バネ状の導電性部材
５０ａ：第一のバネ状部材
５０ａ１：開口
５０ｂ：第二のバネ状部材
５０ｂ１；開口
５０ｃ：接続部

Claims (11)

  1. 処理容器の内部にて被処理体を載置する載置台と、
    前記載置台の周縁部に配置されるエッジリングと、
    前記エッジリングに全周にわたって周方向に形成された第一の凹部において前記エッジリングに接する第一のバネ状部材と、前記周縁部に前記第一の凹部に対応して形成された第二の凹部において前記載置台に接する第二のバネ状部材と、を有し、前記エッジリングの全周にわたって周方向に環状に配置されるバネ状の導電性部材と、
    を有する被処理体の載置装置。
  2. 前記バネ状の導電性部材は、
    前記第一のバネ状部材と前記第二のバネ状部材とを接続する接続部を有する、
    請求項１に記載の載置装置。
  3. 前記接続部は、前記第一のバネ状部材と前記第二のバネ状部材とを垂直に接続する、
    請求項２に記載の載置装置。
  4. 前記第一の凹部の径方向の断面は、テーパー形状を有し、前記第一の凹部の開口は底部よりも狭い
    前記第二の凹部の径方向の断面は、テーパー形状を有し、前記第二の凹部の開口は底部よりも狭い、
    請求項１から３の何れか一項に記載の載置装置。
  5. 前記第一のバネ状部材と前記第二のバネ状部材とは、一部が開口する所定幅の円形部分を有し、周方向に所定の間隔で配置される、
    請求項４に記載の載置装置。
  6. 垂直に接続された前記第一のバネ状部材の円形部分と前記第二のバネ状部材の円形部分とは、同一方向に開口する、
    請求項５に記載の載置装置。
  7. 垂直に接続された前記第一のバネ状部材の円形部分と前記第二のバネ状部材の円形部分とは、反対方向に開口する、
    請求項５に記載の載置装置。
  8. 前記第一のバネ状部材の隣接する円形部分及び前記第二のバネ状部材の隣接する円形部分は、反対方向に開口する、
    請求項７に記載の載置装置。
  9. 前記第一の凹部は前記エッジリングの下面に形成され、
    前記第二の凹部は前記載置台の上面であって前記第一の凹部に対応する位置に形成され、
    前記第一のバネ状部材は前記第一の凹部にて係止し、前記第二のバネ状部材は前記第二の凹部にて係止する、
    請求項１から８の何れか一項に記載の載置装置。
  10. 前記載置台は基台と前記基台の上に設けられた静電チャックを有し、
    前記エッジリングの内周部が前記静電チャック上に位置する、
    請求項１から９の何れか一項に記載の載置装置。
  11. 被処理体を処理するための処理空間を画成する処理容器と、
    請求項１から１０の何れか一項に記載の載置装置と、
    を有する処理装置。
JP2018025241A 2018-02-15 2018-02-15 被処理体の載置装置及び処理装置 Active JP7061889B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018025241A JP7061889B2 (ja) 2018-02-15 2018-02-15 被処理体の載置装置及び処理装置
US16/269,897 US11201039B2 (en) 2018-02-15 2019-02-07 Mounting apparatus for object to be processed and processing apparatus
KR1020190017048A KR102667942B1 (ko) 2018-02-15 2019-02-14 피처리체의 탑재 장치 및 처리 장치
TW108105024A TWI789492B (zh) 2018-02-15 2019-02-15 被處理體的載置裝置及處理裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018025241A JP7061889B2 (ja) 2018-02-15 2018-02-15 被処理体の載置装置及び処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019140357A JP2019140357A (ja) 2019-08-22
JP7061889B2 true JP7061889B2 (ja) 2022-05-02

Family

ID=67540231

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018025241A Active JP7061889B2 (ja) 2018-02-15 2018-02-15 被処理体の載置装置及び処理装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11201039B2 (ja)
JP (1) JP7061889B2 (ja)
KR (1) KR102667942B1 (ja)
TW (1) TWI789492B (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202234461A (zh) * 2020-05-01 2022-09-01 日商東京威力科創股份有限公司 蝕刻裝置及蝕刻方法
JP7516198B2 (ja) * 2020-05-01 2024-07-16 東京エレクトロン株式会社 エッチング装置及びエッチング方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040221808A1 (en) 2003-05-09 2004-11-11 Asm Japan K.K. Thin-film deposition apparatus
JP2006049747A (ja) 2004-08-09 2006-02-16 Seiko Epson Corp 半導体基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2011054933A (ja) 2009-08-07 2011-03-17 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び位置決め方法並びにフォーカスリング配置方法
JP2017157828A (ja) 2016-03-04 2017-09-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ユニバーサルプロセスキット

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100280772B1 (ko) * 1994-08-31 2001-02-01 히가시 데쓰로 처리장치
US6159055A (en) * 1998-07-31 2000-12-12 Applied Materials, Inc. RF electrode contact assembly for a detachable electrostatic chuck
JP5281309B2 (ja) 2008-03-28 2013-09-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
US9299539B2 (en) * 2009-08-21 2016-03-29 Lam Research Corporation Method and apparatus for measuring wafer bias potential
JP5563347B2 (ja) * 2010-03-30 2014-07-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法
US10598241B2 (en) * 2014-02-26 2020-03-24 Bal Seal Engineering, Inc. Multi deflection canted coil springs and related methods
US10117366B2 (en) * 2015-12-14 2018-10-30 Bal Seal Engineering, Inc. Spring energized seals and related methods
US11050190B2 (en) * 2016-06-02 2021-06-29 Bal Seal Engineering, Llc Electrical connectors with linear springs and related methods

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040221808A1 (en) 2003-05-09 2004-11-11 Asm Japan K.K. Thin-film deposition apparatus
JP2006049747A (ja) 2004-08-09 2006-02-16 Seiko Epson Corp 半導体基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2011054933A (ja) 2009-08-07 2011-03-17 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び位置決め方法並びにフォーカスリング配置方法
JP2017157828A (ja) 2016-03-04 2017-09-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ユニバーサルプロセスキット

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019140357A (ja) 2019-08-22
KR20190098918A (ko) 2019-08-23
TWI789492B (zh) 2023-01-11
US20190252159A1 (en) 2019-08-15
US11201039B2 (en) 2021-12-14
TW201943014A (zh) 2019-11-01
KR102667942B1 (ko) 2024-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102455673B1 (ko) 포커스 링 및 기판 처리 장치
US20180204757A1 (en) Plasma processing apparatus
JP6994981B2 (ja) プラズマ処理装置及び載置台の製造方法
KR102614244B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
US20180182635A1 (en) Focus ring and substrate processing apparatus
JP7055040B2 (ja) 被処理体の載置装置及び処理装置
JP6552346B2 (ja) 基板処理装置
JP2019176030A (ja) プラズマ処理装置
JP2016522539A (ja) 均一なプラズマ密度を有する容量結合プラズマ装置
JP7531641B2 (ja) 載置台及び基板処理装置
JP7061889B2 (ja) 被処理体の載置装置及び処理装置
TWI809007B (zh) 半導體製造裝置用之對焦環及半導體製造裝置
JP7175160B2 (ja) 基板処理装置
JP7246451B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5302813B2 (ja) 堆積物対策用カバー及びプラズマ処理装置
JP7204564B2 (ja) プラズマ処理装置
JP7365912B2 (ja) エッジリング及び基板処理装置
CN114068279A (zh) 载置台和等离子体处理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20201023

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20211007

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211019

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211210

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220322

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220419

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7061889

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150