CN114068279A - 载置台和等离子体处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供载置台和等离子体处理装置。减少沉积物在槽的沉积。载置台具有静电卡盘、基台以及遮蔽物。静电卡盘吸附基板。基台被呈环状延伸的槽分割成支承静电卡盘的第1区域和支承配置于基板的周围的边缘环的第2区域。遮蔽物设于槽，该遮蔽物将第1区域与第2区域在热量上分离。

Description

载置台和等离子体处理装置
技术领域
本公开涉及载置台和等离子体处理装置。
背景技术
专利文献1公开了一种载置台，该载置台构成为：在载置基板的区域与载置基板的周围的聚焦环的区域之间设有槽，而能够增大温度差。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016－27601号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种减少沉积物在槽的沉积的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案为一种载置台，该载置台用于载置基板。载置台具有静电卡盘、基台、遮蔽物。静电卡盘吸附基板。基台被呈环状延伸的槽分割成支承静电卡盘的第1区域和支承配置于基板的周围的边缘环的第2区域。遮蔽物设于槽，该遮蔽物将第1区域与第2区域在热量上分离。
发明的效果
根据本公开，能够减少沉积物在槽的沉积。
附图说明
图1是表示第1实施方式的等离子体处理装置的概略的结构的概略剖视图。
图2是表示第1实施方式的载置台的主要部分结构的概略剖视图。
图3是表示以往的载置台的主要部分结构的概略剖视图。
图4是表示第2实施方式的载置台的主要部分结构的概略剖视图。
图5A是表示第2实施方式的弹性构件的截面形状的一个例子的图。
图5B是表示第2实施方式的弹性构件的截面形状的另一例子的图。
图6是表示第3实施方式的载置台的主要部分结构的概略剖视图。
图7是表示第3实施方式的静电卡盘的截面形状的一个例子的图。
具体实施方式
以下，参照附图详细地说明本申请所公开的载置台和等离子体处理装置的实施方式。此外，所公开的载置台和等离子体处理装置并不限定于本实施方式。
另外，在等离子体处理装置中，聚合物等沉积物在基板周边的结构物沉积。这样的沉积物因电场变动等而扬起成为微粒，并成为缺陷的原因。
在等离子体处理装置中，载置台的基台被冷却而成为低温，以抑制基板、载置台的由来自等离子体的热输入导致的过度的温度上升。但是，在载置台设有上述这样的槽的情况下，槽被基台冷却而沉积物容易在槽沉积。
于是，期待一种减少沉积物在槽的沉积的技术。
[第1实施方式]
[等离子体处理装置的结构]
说明实施方式。首先，说明第1实施方式的等离子体处理装置10的概略的结构。图1是表示第1实施方式的等离子体处理装置10的概略的结构的概略剖视图。
等离子体处理装置10气密地构成，具有被设为电气接地电位的处理容器1。该处理容器1为圆筒状，由例如表面形成有阳极氧化覆膜的铝等构成。处理容器1划分出供等离子体生成的处理空间。在处理容器1内收容有载置台2，该载置台2将半导体晶圆等作为等离子体处理的对象的基板W支承为水平。
载置台2形成为底面朝向上下方向的大致圆柱状。载置台2包含基台3和静电卡盘6。
载置台2具有载置基板W的第1区域2a和载置边缘环5的第2区域2b。载置台2的第1区域2a以与基板W相同程度的尺寸平坦地形成。载置台2的第1区域2a在上表面配置有静电卡盘6，并支承静电卡盘6。载置台2的第2区域2b以包围第1区域2a的方式形成为圆环状。载置台2的第2区域2b在上表面配置有边缘环5，并支承边缘环5。边缘环5为配置于基板W的周围的圆环状的构件。作为边缘环5，例如可列举聚焦环、绝缘环。载置台2被呈环状延伸的槽9分割成第1区域2a和第2区域2b。
基台3由导电性的金属构成，例如由铝等构成。基台3在表面形成有阳极氧化覆膜。基台3作为下部电极发挥功能。基台3被绝缘体的支承台4支承。支承台4设置于处理容器1的底部。
静电卡盘6为上表面平坦的圆盘状，该上表面成为用于载置基板W的载置面6d。静电卡盘6具有电极6a和绝缘体6b。电极6a设于绝缘体6b的内部。在电极6a连接有直流电源12。静电卡盘6构成为：通过自直流电源12对电极6a施加直流电压，从而利用库仑力吸附基板W。另外，静电卡盘6在绝缘体6b的内部设有加热器6c。加热器6c借助未图示的供电机构被供给电力，而控制基板W的温度。
边缘环5例如由单晶硅形成。边缘环5载置于载置台2的第2区域2b。
在基台3连接有供电棒50。在供电棒50经由第1匹配器11a连接有第1RF电源10a。另外，在供电棒50经由第2匹配器11b连接有第2RF电源10b。第1RF电源10a为等离子体产生用的电源。基台3构成为自第1RF电源10a被供给规定的频率的高频电力。第2RF电源10b为离子引入用(偏置用)的电源。基台3构成为自第2RF电源10b向载置台2的基台3供给低于第1RF电源10a的频率的规定频率的高频电力。
在基台3的内部形成有供制冷剂流动的流路3a。在流路3a的一端部连接有制冷剂入口配管3b，在流路3a的另一端部连接有制冷剂出口配管3c。流路3a位于基板W的下方并以吸收基板W的热量的方式发挥功能。
等离子体处理装置10设为通过使制冷剂、例如冷却水等在流路3a中循环从而能够控制载置台2的温度的结构。此外，等离子体处理装置10还可以设为通过向基板W、边缘环5的背面侧供给冷热传递用气体从而能够控制温度的结构。例如，也可以以贯穿载置台2等的方式设置用于向基板W的背面供给氦气等冷热传递用气体(背面气体)的气体供给管。气体供给管连接于气体供给源。利用这些结构，将被静电卡盘6吸附保持于载置台2的上表面的基板W控制为规定的温度。
另外，在载置台2的上方以与载置台2平行地相对的方式设有喷头16，该喷头16具有作为上部电极的功能。喷头16和载置台2作为一对电极(上部电极和下部电极)发挥功能。
喷头16设于处理容器1的顶壁部分。喷头16包括主体部16a和形成电极板的上部顶板16b。喷头16借助绝缘性构件95被支承于处理容器1的上部。主体部16a由导电性材料形成，例如由在表面形成有阳极氧化覆膜的铝等形成。主体部16a构成为能够在下部将上部顶板16b支承为装卸自如。
主体部16a在内部设有气体扩散室16c。主体部16a在下表面形成有与气体扩散室16c贯通的多个气体流通孔16d。在上部顶板16b，以在厚度方向上贯通该上部顶板16b的方式并以与气体流通孔16d重叠的方式设有气体导入孔16e。利用这样的结构，供给到气体扩散室16c的处理气体经由气体流通孔16d和气体导入孔16e呈喷淋状分散地向处理容器1内供给。
主体部16a形成有用于向气体扩散室16c导入处理气体的气体导入口16g。在气体导入口16g连接有气体供给配管15a的一端。在气体供给配管15a的另一端连接有供给处理气体的处理气体供给源15。气体供给配管15a自上游侧依次设有质量流量控制器(MFC)15b和开闭阀V2。处理气体供给源15将用于进行等离子体蚀刻的处理气体向气体供给配管15a供给。处理气体经由气体供给配管15a向气体扩散室16c供给。然后，处理气体自气体扩散室16c经由气体流通孔16d和气体导入孔16e呈喷淋状分散地向处理容器1内供给。
在上述的作为上部电极的喷头16经由低通滤波器(LPF)71电连接有可变直流电源72。可变直流电源72构成为能够利用接通·断开开关73进行供电的接通、断开。可变直流电源72的电流、电压以及接通·断开开关73的接通、断开由后述的控制部90控制。在自第1RF电源10a、第2RF电源10b对载置台2施加高频电力而在处理空间产生等离子体时，根据需要利用控制部90将接通·断开开关73接通，而对作为上部电极的喷头16施加规定的直流电压。
另外，以自处理容器1的侧壁向比喷头16的高度位置靠上方的位置延伸的方式设有圆筒状的接地导体1a。圆筒状的接地导体1a在上部具有顶壁。
在处理容器1的底部形成有排气口81。在排气口81经由排气管82连接有排气装置83。排气装置83具有真空泵。排气装置83构成为：通过使真空泵工作，从而能够将处理容器1内减压到预定的真空度。另外，在处理容器1内的侧壁设有基板W的送入送出口84。在送入送出口84设有打开、关闭该送入送出口84的闸阀85。
在处理容器1的侧部内侧沿着内壁面设有沉积物屏蔽件86。沉积物屏蔽件86防止蚀刻副产物(沉积物)在处理容器1附着。在该沉积物屏蔽件86的与基板W大致相同的高度位置设有以能够控制的方式连接于接地电位的导电性构件(GND模块)89，由此，防止异常放电。另外，在沉积物屏蔽件86的下端部设有沿着载置台2延伸的沉积物屏蔽件87。沉积物屏蔽件86、87构成为装卸自如。
上述结构的等离子体处理装置10的动作由控制部90统一地控制。在该控制部90设有处理控制器91、用户界面92和存储部93，该处理控制器91具备CPU并控制等离子体处理装置10的各部分。
用户界面92包括：供工序管理者进行命令的输入操作以对等离子体处理装置10进行管理的键盘、可视化地显示等离子体处理装置10的运行状况的显示器等。
在存储部93存储有制程，该制程存储有用于通过处理控制器91的控制来实现等离子体处理装置10所执行的各种处理的控制程序(软件)、处理条件数据等。于是，根据需要，根据来自用户界面92的指示等自存储部93调出任意的制程并使处理控制器91执行，从而在处理控制器91的控制下，在等离子体处理装置10中进行期望的处理。另外，控制程序、处理条件数据等的制程也可以存储于外部的硬盘、半导体存储器。另外，控制程序、处理条件数据等的制程也可以在收纳于CD－ROM、DVD等便携性的能够由计算机读取的存储介质的状态下加载于存储部93的规定位置。
[载置台2的结构]
接着，参照图2说明第1实施方式的载置台2的主要部分结构。图2是表示第1实施方式的载置台2的主要部分结构的概略剖视图。
载置台2包含基台3和静电卡盘6。载置台2具有载置基板W的第1区域2a和载置边缘环5的第2区域2b。静电卡盘6配置于基台3上的第1区域2a。在静电卡盘6载置基板W。
基台3在第2区域2b设有基座7。基座7例如由硅、石英、铝等形成为圆环状。基座7以包围第1区域2a的方式配置。基座7的上表面形成为平坦，在该上表面载置边缘环5。基座7支承边缘环5。此外，载置台2也可以不与基台3独立地设置基座7，而是由基台3形成至基座7部分。即，载置台2的基台3也可以作为支承边缘环5的基座7发挥功能。
基台3在第1区域2a与第2区域2b之间形成有槽9。载置台2的上表面被槽9分割成第1区域2a和第2区域2b。
通过使制冷剂在流路3a中循环而进行冷却，从而基台3成为低温。
静电卡盘6在绝缘体6b的内部设有加热器6c。此外，加热器6c既可以针对载置面6d的整面区域设有一个，也可以针对每个将载置面6d分割而成的区域单独地设置。即，加热器6c也可以针对每个将载置面6d分割而成的区域单独地设有多个。
等离子体处理装置10一边使制冷剂在流路3a中循环而冷却基台3一边向静电卡盘6的加热器6c供给电力而进行加热，从而将静电卡盘6上的基板W的温度控制为规定的温度。
在此，在载置台2设有槽9的情况下，槽9被基台3冷却而使聚合物等沉积物容易在槽9沉积。
于是，在载置台2，在槽9设有将第1区域2a与第2区域2b在热量上分离的遮蔽物。在第1实施方式中，在槽9设置侧面保护构件20作为遮蔽物，该侧面保护构件20保护静电卡盘6以及基台3的面向槽9的侧面。侧面保护构件20主要由含硅物质(例如Si、SiO2(石英等)、SiC)构成。此外，侧面保护构件20也可以使用陶瓷(例如Al2O3、AlN、Y2O3等)、对表面进行了绝缘处理(氧化膜、绝缘物的涂敷等)的铝、钛、不锈钢等金属构成。
静电卡盘6形成为下部的外径大于上部的外径。在静电卡盘6的下端形成有向静电卡盘6的径向外侧突出的凸缘部6f。
侧面保护构件20以覆盖静电卡盘6以及基台3的沿着槽9的内侧的侧面的方式形成。侧面保护构件20以内径略大于静电卡盘6以及基台3的位于槽9的内侧的侧面的直径的方式形成为上部的内径小于下部的内径。侧面保护构件20被卡定保持于静电卡盘6的凸缘部6f。
[作用和效果]
接着，说明第1实施方式的载置台2的作用和效果。
在等离子体处理装置10中，在实施了等离子体蚀刻等等离子体处理的情况下，自等离子体向载置于载置台2的基板W、边缘环5、侧面保护构件20进行热输入。基板W、边缘环5、侧面保护构件20由于来自等离子体的热输入而温度上升。另外，当基板W、边缘环5的温度上升时，自基板W、边缘环5向侧面保护构件20输入辐射热。另外，在利用加热器6c进行加热的情况下，自静电卡盘6向侧面保护构件20进行热输入。由此，侧面保护构件20的温度上升而不易附着沉积物。
在此，作为比较例，示出以往的载置台2的结构的一个例子。图3是表示以往的载置台2的主要部分结构的概略剖视图。以往的载置台2构成为：在载置基板W的第1区域2a与载置边缘环5的第2区域2b之间设置槽9，而能够增大温度差。以往的载置台2将槽9设为不配置任何构件的空间。如此在载置台2设有槽9的情况下，槽9的面被基台3冷却而聚合物等沉积物9a在槽9沉积。这样的沉积物9a因电场变动等而扬起成为微粒，并成为缺陷的原因。以往，在等离子体处理装置10中，主流的方法是通过等离子体处理的清洁来去除在基板的周边的结构物沉积的沉积物。但是，利用等离子体进行的清洁不仅去除沉积物，还可能对正常的配件带来由等离子体造成的损伤。
另外，如图2所示，第1实施方式的载置台2在槽9设有侧面保护构件20。基台3的自槽9暴露的侧面成为与制冷剂温度相同的温度。在第1实施方式的载置台2中，基台3的侧面被温度高于该基台3的侧面的温度的侧面保护构件20覆盖。即，至此为止，虽然位于靠近基板W的位置但被保持为低温而沉积物9a容易沉积的基台3的侧面被侧面保护构件20覆盖，而相替代地是升温后的侧面保护构件20暴露。由于侧面保护构件20的温度高于暴露着的基台3的温度，因此，与以往相比，能够抑制沉积物的沉积。如此，在第1实施方式的载置台2中，通过在槽9设有侧面保护构件20，从而能够减少沉积物在槽9的沉积。由此，在第1实施方式的等离子体处理装置10中，能够以利用等离子体进行的清洁与以往相比时间较短或者程度较弱的方式去除槽9的沉积物，能够减少由等离子体对配件造成的损伤。另外，在第1实施方式的载置台2中，在沉积物沉积于侧面保护构件20的情况下，能够通过更换侧面保护构件20来去除沉积物。
另外，第1实施方式的侧面保护构件20以内径略大于静电卡盘6以及基台3的位于槽9的内侧的侧面的直径的方式形成，在该侧面保护构件20与静电卡盘6以及基台3的位于槽9的内侧的侧面之间设有略微的间隙。由此，第1实施方式的载置台2能够将侧面保护构件20与基台3之间的传热抑制得较少。该结果，第1实施方式的载置台2能够高效地将侧面保护构件20的温度设为高于基台3的温度，能够减少沉积物的沉积。另外，由于在侧面保护构件20与静电卡盘6以及基台3之间存在间隙，因而即使在侧面保护构件20与静电卡盘6以及基台3之间存在热膨胀的差异的情况下，也能够抑制侧面保护构件20产生龟裂等。
如上所述，第1实施方式的载置台2具有静电卡盘6、基台3、遮蔽物(侧面保护构件20)。静电卡盘6吸附基板W。基台3被呈环状延伸的槽9分割成支承静电卡盘6的第1区域2a和支承配置于基板W的周围的边缘环5的第2区域2b。遮蔽物设于槽9，将第1区域2a与第2区域2b在热量上分离。由此，载置台2能够减少沉积物在槽9的沉积。
另外，基台3设有供制冷剂流动的流路3a。由此，载置台2通过使制冷剂在流路3a中流动而冷却基台3，从而能够控制基板W的温度。
另外，载置台2在第1区域2a设有加热器6c。由此，载置台2通过利用加热器6c进行加热，从而能够控制基板W的温度。
另外，遮蔽物(侧面保护构件20)形成为圆筒状，保护静电卡盘6以及基台3的面向槽9的侧面。由此，载置台2能够减少沉积物在静电卡盘6以及基台3的面向槽9的侧面的沉积。
[第2实施方式]
接着，说明第2实施方式。第2实施方式的等离子体处理装置10为与图1所示的第1实施方式的等离子体处理装置10相同的结构，因而省略说明。
图4是表示第2实施方式的载置台2的主要部分结构的概略剖视图。第2实施方式的载置台2为与图2所示的第1实施方式的载置台2局部相同的结构，因而对相同部分标注相同的附图标记并省略说明，而主要说明不同的部分。
第2实施方式的载置台2在槽9设有弹性构件21作为遮蔽物。作为弹性构件21，可列举橡胶等。弹性构件21呈带状较长地、环状地形成。弹性构件21沿着槽9安装于载置台2。在第2实施方式的载置台2中，以利用弹性构件21覆盖静电卡盘6以及基台3的侧面的方式进行勒紧。
在这样的利用带状的弹性构件21覆盖了基台3的侧面的情况下，弹性构件21与低温的基台3之间的接触面积较大，而该弹性构件21的温度容易下降。
于是，在第2实施方式的载置台2中，该弹性构件21设为与低温的基台3之间的接触面积较小的形状。
图5A是表示第2实施方式的弹性构件21的截面形状的一个例子的图。在图5A的左侧示出了弹性构件21的截面形状。弹性构件21设为在上部设有朝向内侧突出的突部21a的截面形状。弹性构件21形成为内径与槽9的直径相同程度或略小于槽9的直径。例如，弹性构件21形成为内径比槽9的直径小规定量(例如几cm)。在图5A的右侧示出了将弹性构件21安装于载置台2的状态。例如，以拉伸弹性构件21的形状的方式将弹性构件21沿着槽9安装于载置台2。在图5A所示的弹性构件21安装于载置台2的情况下，由于在弹性构件21的与静电卡盘6接触的上侧具有突部21a，因而能够勒紧静电卡盘6。另外，弹性构件21的与基台3接触的下侧的内径大于突部21a的位置处的内径，因而，在橡胶的恢复力的作用下，下侧的端部保持为与基台3接触，而在突部21a的下侧形成不与基台3接触的非接触区域。由此，能够减少弹性构件21与基台3之间的接触面积。也就是说，图5A所示的弹性构件21与基台3之间的接触面积较小，而该弹性构件21与基台3之间的接触热阻较大，因此，该弹性构件21不易受到基台3的温度的影响。
图5B是表示第2实施方式的弹性构件21的截面形状的另一例子的图。在图5B的左侧示出了弹性构件21的截面形状。弹性构件21设为在上部和下部这两端分别设有朝向内侧突出的突部21c、21d的截面形状。下侧的突部21d的上下方向上的宽度形成得小于上侧的突部21c的上下方向上的宽度。弹性构件21形成为内径与槽9的直径相同程度或略小于槽9的直径。例如，弹性构件21形成为内径比槽9的直径小规定量(例如几cm)。在图5B的右侧示出了将弹性构件21安装于载置台2的状态。例如，以拉伸弹性构件21的形状的方式将弹性构件21沿着槽9安装于载置台2。在图5B所示的弹性构件21安装于载置台2的情况下，由于在弹性构件21的上下两端具有突部21c、21d，因而能够在上下两端勒紧静电卡盘6和基台3。另外，由于弹性构件21的突部21c与突部21d之间的中间部分的内径较大，因而能够在中间部分形成不与基台3接触的非接触区域。另外，弹性构件21使与基台3接触的突部21d形成得小于突部21c。由此，能够减少弹性构件21与基台3之间的接触面积。也就是说，图5B所示的弹性构件21与基台3之间的接触面积较小，而该弹性构件21与基台3之间的接触热阻变大，因而该弹性构件21不易受到基台3的温度的影响。
弹性构件21自静电卡盘6、因来自等离子体的热输入而温度升高的周边结构物接收热量，而温度升高。另外，弹性构件21还与低温的基台3接触，但通过设置突部21a、21c、21d，能够减少该弹性构件21与基台3之间的接触面积。由此，弹性构件21的温度上升而抑制沉积物的附着，能够减少沉积物在槽9的沉积。另外，在第2实施方式的载置台2中，在沉积物沉积于弹性构件21的情况下，能够通过更换弹性构件21来去除沉积物。
如上所述，在第2实施方式的载置台2中，遮蔽物是形成为环状的弹性构件21，该遮蔽物保护静电卡盘6以及基台3的面向槽9的侧面。由此，载置台2能够减少沉积物在静电卡盘6以及基台3的面向槽9的侧面的沉积。
另外，弹性构件21设有朝向环状的内侧突出的第1突部(突部21a、21c)，并利用该第1突部与静电卡盘6接触。另外，弹性构件21设有朝向环状的内侧突出的第2突部(突部21d)，并利用该第2突部与基台3接触。另外，弹性构件21形成为第2突部(突部21d)的上下方向上的宽度小于第1突部(突部21c)的上下方向上的宽度。由此，能够减少弹性构件21与基台3之间的接触面积，能够使该弹性构件21不易受到基台3的温度的影响。
[第3实施方式]
接着，说明第3实施方式。由于第3实施方式的等离子体处理装置10为与图1所示的第1实施方式的等离子体处理装置10相同的结构，因而省略说明。
图6是表示第3实施方式的载置台2的主要部分结构的概略剖视图。第3实施方式的载置台2为与图2所示的第1实施方式的载置台2以及图4所示的第2实施方式的载置台2局部相同的结构，因而对相同部分标注相同的附图标记并省略说明，而主要说明不同的部分。
在第3实施方式的载置台2中，使静电卡盘6的外周部延长，并将静电卡盘6的外周部以覆盖基台3的侧面的方式设置到槽9的下部。第3实施方式的载置台2在槽9设有将静电卡盘6的外周部延长到基台3的侧面而成的延长部分6g作为遮蔽物。由于静电卡盘6被加热器6c加热，因而外周部的温度也不易下降。基台3的侧面以不暴露的方式被延长部分6g覆盖，由此能够降低沉积物在槽9的沉积。此外，延长部分6g还可以通过在下表面配置密封件、O形密封圈等而将其与基台3之间密封。由此，能够抑制沉积物在延长部分6g与基台3之间沉积。
静电卡盘6还可以在延长到基台3的侧面而成的延长部分6g设置加热器。图7是表示第3实施方式的静电卡盘6的截面形状的一个例子的图。静电卡盘6在外周部延长到基台3的侧面而成的延长部分6g设有加热器6h。自直流电源12或未图示的直流电源向加热器6h单独地供给电力。由此，静电卡盘6的与基台3的侧面对应的延长部分6g的温度上升而抑制沉积物的附着，能够减少沉积物在槽9的沉积。
如上所述，在第3实施方式的载置台2中，遮蔽物(延长部分6g)通过将静电卡盘6延长到基台3的位于槽9的侧面而形成。由此，载置台2能够减少沉积物在基台3的面向槽9的侧面的沉积。
另外，遮蔽物(延长部分6g)在延长到基台3的位于槽9的侧面而成的延长部分设有加热器6h。由此，能够不易受到基台3的温度的影响。
以上，对实施方式进行了说明，但应该认为，此次公开的实施方式在所有方面均为例示，并不是限制性的。实际上，上述的实施方式能够以多种多样的形态来具体实现。另外，上述的实施方式也可以在不脱离权利要求书及其主旨的范围内以各种各样的形态进行省略、置换、变更。
例如，在上述的各实施方式中，还可以将侧面保护构件20、弹性构件21以及延长部分6g的表面的颜色设为黑色，以容易吸收来自边缘环5的辐射热。
另外，在上述的各实施方式中，以边缘环5的温度因来自等离子体的热输入而上升并自边缘环5向侧面保护构件20、弹性构件21以及延长部分6g输入辐射热的情况为例进行了说明。但是，所公开的技术并不限定于此。还可以在侧面保护构件20、弹性构件21以及延长部分6g的周向上的局部或整体设置与边缘环5接触的接触部，并借助接触部自边缘环5传热而使温度上升。例如，也可以在侧面保护构件20、弹性构件21以及延长部分6g沿周向空开间隔地每隔规定的角度(例如30°)设置与边缘环5接触的接触部，并自边缘环5传热。
另外，在上述的各实施方式中，以在静电卡盘6设有加热器6c的情况为例进行了说明。但是，所公开的技术并不限定于此。在静电卡盘6可以不设置加热器6c。
此外，应该认为，此次公开的实施方式在所有方面均为例示，并不是限制性的。实际上，上述的实施方式能够以多种多样的形态来具体实现。另外，上述的实施方式也可以在不脱离添附的权利要求书及其主旨的范围内以各种各样的形态进行省略、置换、变更。

Claims (11)

1.一种载置台，其用于载置基板，其中，
该载置台具有：
静电卡盘，其用于吸附所述基板；
基台，其被呈环状延伸的槽分割成支承所述静电卡盘的第1区域和支承配置于所述基板的周围的边缘环的第2区域；以及
遮蔽物，其设于所述槽，该遮蔽物将所述第1区域与所述第2区域在热量上分离。
2.根据权利要求1所述的载置台，其中，
所述基台设有供制冷剂流动的流路。
3.根据权利要求1或2所述的载置台，其中，
所述第1区域设有加热器。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的载置台，其中，
所述遮蔽物通过将所述静电卡盘延长到所述基台的位于所述槽的侧面而形成。
5.根据权利要求4所述的载置台，其中，
所述遮蔽物在延长到所述基台的位于所述槽的侧面而成的延长部分设有加热器。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的载置台，其中，
所述遮蔽物形成为圆筒状，保护所述静电卡盘以及所述基台的面向所述槽的侧面。
7.根据权利要求1～3中任一项所述的载置台，其中，
所述遮蔽物是形成为环状的弹性构件，保护所述静电卡盘以及所述基台的面向所述槽的侧面。
8.根据权利要求7所述的载置台，其中，
所述弹性构件设有朝向环状的内侧突出的第1突部，该弹性构件利用该第1突部与所述静电卡盘接触。
9.根据权利要求8所述的载置台，其中，
所述弹性构件设有朝向环状的内侧突出的第2突部，该弹性构件利用该第2突部与所述基台接触。
10.根据权利要求9所述的载置台，其中，
所述弹性构件形成为所述第2突部的上下方向上的宽度小于所述第1突部的上下方向上的宽度。
11.一种等离子体处理装置，其中，
该等离子体处理装置具有权利要求1～10中任一项所述的载置台。
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