JP7341043B2 - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

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Description

本開示は、基板処理方法及び基板処理装置に関するものである。
特許文献１は、静電チャックの吸着面とウエハーとの間にバックサイドガスを流すことによって、相対的な吸着力を低下させ、ウエハーを吸着面に対して滑り移動させることでパーティクルの発生を低減させる技術を開示する。
特開２０００－２１９６４号公報
本開示は、基板へのパーティクルの付着を抑制できる技術を提供する。
本開示の一態様による基板処理方法は、基板処理装置による基板の温度変更方法である。基板処理装置は、処理容器と、載置台と、吸着部と、ガス供給部とを有する。載置台は、処理容器内に配置されている。吸着部は、載置台上に設けられ、温度の変更が可能とされ、印加される電圧に応じて基板を静電吸着する。ガス供給部は、吸着部に配置された基板と吸着部との間に伝熱用のガスを供給する。温度変更方法は、ガス供給部から基板と吸着部との間に供給するガスの圧力を第１の圧力から第１の圧力よりも低い第２の圧力に変更する工程と、吸着部に印加する印加電圧を第１の電圧から第１の電圧よりも低い第２の電圧に変更する工程と、吸着部の温度を第１の温度から第２の温度に変更する工程と、ガス供給部から供給するガスの圧力を第２の圧力とし、吸着部に印加する印加電圧を第２の電圧とした状態で第１の時間、基板を吸着部で静電吸着して保持する工程と、ガス供給部から供給するガスの圧力を第２の圧力から第１の圧力よりも低く且つ第２の圧力よりも高い第３の圧力に変更する工程と、吸着部に印加する印加電圧を第２の電圧から第２の電圧よりも高い第３の電圧に変更する工程とを有する。
本開示によれば、基板へのパーティクルの付着を抑制できる。
図１は、実施形態に係る基板処理装置の構成の一例を示す概略断面図である。 図２は、従来の基板処理方法の一例を示すタイミングチャートである。 図３は、パーティクルの発生原因を説明する図である。 図４は、本実施形態に係る基板処理方法の一例を示すタイミングチャートである。 図５は、静電チャックに印加する印加電圧別にウエハに発生する傷の長さを示す図である。 図６は、伝熱ガスのリーク量に基づく判定結果を示す図である。 図７は、図５及び図６の判定結果を纏めた図である。 図８は、ウエハの温度変化を示す図である。 図９は、図５、図６及び図８の判定結果を纏めた図である。 図１０は、ウエハのエッジ領域に付着したパーティクルの平均値を示したグラフである。
以下、図面を参照して本願の開示する基板処理方法及び基板処理装置の実施形態について詳細に説明する。なお、本実施形態により、開示する基板処理方法及び基板処理装置が限定されるものではない。
ところで、基板に基板処理を実施する基板処理装置では、基板を安定して保持するために、基板を静電吸着する静電チャック（ＥＳＣ：Electrostatic chuck）を載置台に設けている。また、基板処理装置は、載置台の温度を変えることで載置台に吸着させた基板の温度を基板処理に適した温度に制御する。しかし、基板処理装置では、基板を吸着した状態で、基板及び載置台の温度を変えた場合、基板と静電チャックの熱膨張係数の違いにより基板と静電チャックの接触部分が擦れてパーティクルが発生する。
そこで、特許文献１の技術は、静電チャックの吸着面とウエハとの間にガスを流すことによって、相対的な吸着力を低下させ、ウエハを吸着面に対して滑り移動させている。
しかし、静電チャックの吸着面と基板との間に流したガスが基板の外周から漏れ、漏れたガスによって基板の外周からパーティクルが舞い上がり基板に付着する場合がある。特許文献１の技術は、静電チャックの吸着面と基板との間にガスを流して吸着力を低下させるため、基板の外周からのガスの漏れが多くなり、基板の外周からパーティクルが舞い上りやすい。そこで、基板へのパーティクルの付着を抑制することが期待されている。
［実施形態］
［装置構成］
実施形態に係る基板処理方法を実施する基板処理装置の一例を説明する。本実施形態では、プラズマエッチングなどのプラズマ処理を例にして基板処理を説明する。また、プラズマ処理装置とし例に説明する。図１は、実施形態に係る基板処理装置１００の構成の一例を示す概略断面図である。基板処理装置１００は、気密に構成され、電気的に接地電位とされた処理容器１を有している。処理容器１は、円筒状とされ、例えばアルミニウム等から構成されている。処理容器１の内部には、プラズマが生成される処理空間が形成される。処理容器１内には、基板である半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）８を水平に支持する載置台２が設けられている。
載置台２は、基材（ベース）２ａ及び静電チャック（ＥＳＣ）６を含んで構成されている。基材２ａは、導電性の金属、例えばアルミニウム等で構成されており、下部電極としての機能を有する。静電チャック６は、ウエハ８を静電吸着するための機能を有する。載置台２は、支持台４に支持されている。支持台４は、例えば石英等の誘電体からなる支持部材３に支持されている。また、載置台２の上方の外周には、例えば単結晶シリコンで形成されたフォーカスリングなどのエッジリング５が設けられている。さらに、処理容器１内には、例えば石英、セラミック等の誘電体からなる円筒状の内壁部材３ａが載置台２及び支持台４の周囲を囲むように設けられている。
基材２ａには、第１の整合器１１ａを介して第１の高周波電源１０ａが接続されている。また、基材２ａには、第２の整合器１１ｂを介して第２の高周波電源１０ｂが接続されている。第１の高周波電源１０ａは、プラズマ発生用の高周波電力を発生する電源である。第１の高周波電源１０ａは、プラズマ処理の際、２７～１００ＭＨｚの範囲の所定の周波数、一例においては４０ＭＨｚの周波数の高周波電力を載置台２の基材２ａに供給する。第２の高周波電源１０ｂは、イオン引き込み用（バイアス用）の高周波電力を発生する電源である。第２の高周波電源１０ｂは、プラズマ処理の際、第１の高周波電源１０ａより低い、４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚの範囲の所定の周波数、一例においては３ＭＨｚの高周波電力を載置台２の基材２ａに供給する。このように、載置台２は、第１の高周波電源１０ａ及び第２の高周波電源１０ｂから周波数の異なる２つの高周波電力の印加が可能に構成されている。一方、載置台２の上方には、載置台２と平行に対向するように、上部電極としての機能を有するシャワーヘッド１６が設けられている。シャワーヘッド１６と載置台２は、一対の電極（上部電極と下部電極）として機能する。
また、基材２ａは、配線１３を介して電気的に接地されている。配線１３には、リレースイッチなどのスイッチ１３ａが設けられている。基材２ａは、スイッチ１３ａのオン・オフより、接地された接地状態とフロート状態とに電気的に切り換え可能とされている。
静電チャック６は、上面が平坦な円盤状に形成されている。静電チャック６の上面は、ウエハ８が載置される載置面６ｅとされている。静電チャック６は、絶縁体６ｂの間に電極６ａを介在させて構成されている。電極６ａには、直流電源１２が接続されている。静電チャック６は、電極６ａに直流電源１２から直流電圧が印加されることにより生じるクーロン力によって、ウエハ８を吸着する。
静電チャック６は、絶縁体６ｂ内の電極６ａの下方にヒータ６ｃが設けられている。ヒータ６ｃは、配線１７を介して、ヒータ電源１８に接続されている。ヒータ電源１８は、後述する制御部９０から制御の元、ヒータ６ｃに調整された電力を供給する。これにより、ヒータ６ｃが発する熱が制御され、静電チャック６に配置されたウエハ８の温度が調整される。
基材２ａの内部には、流路２０が形成されている。流路２０の一方の端部には、冷媒入口配管２１ａが接続されている。流路２０の他方の端部には、冷媒出口配管２１ｂが接続されている。冷媒入口配管２１ａ及び冷媒出口配管２１ｂは、図示しないチラーユニットに接続されている。流路２０は、ウエハ８の下方に位置してウエハ８の熱を吸熱するように機能する。基板処理装置１００は、チラーユニットから冷媒入口配管２１ａ及び冷媒出口配管２１ｂを介して流路２０の中に冷媒、例えば冷却水や、ガルデンなどの有機溶剤等を循環させることによって、載置台２を所定の温度に制御可能に構成されている。
また、基板処理装置１００は、伝熱ガス供給部２５と、ガス供給ライン２６とをさらに有する。ガス供給ライン２６は、静電チャック６に形成された貫通穴に一端が接続され、伝熱ガス供給部２５に他端が接続されている。また、ガス供給ライン２６は、途中でガス供給ライン２６ａが分岐している。分岐したガス供給ライン２６ａは、排気装置８３に接続されている。排気装置８３は、真空ポンプを有し、真空ポンプを作動させることにより排気が可能とされている。ガス供給ライン２６ａには、開閉可能なバルブ２６ｂが設けられている。また、ガス供給ライン２６は、ガス供給ライン２６ａが分岐する分岐点よりも一端側に開閉可能なバルブ２６ｃが設けられている。バルブ２６ｂ、２６ｃの開閉は、後述する制御部９０によって制御される。
伝熱ガス供給部２５は、伝熱ガスを供給するガス供給源が接続される。伝熱ガス供給部２５は、マスフローコントローラや開閉弁が設けられており、後述する制御部９０の制御により、指定された流量の伝熱ガスをガス供給ライン２６に供給する。伝熱ガスとしては、例えば、Ｈｅ（ヘリウム）ガスやＡｒ（アルゴン）ガスが挙げられる。バルブ２６ｂを閉状態とし、バルブ２６ｃを開状態とした場合、伝熱ガス供給部２５から供給された伝熱ガスは、ガス供給ライン２６を介して、載置台２に載置されたウエハ８と静電チャック６との間に供給される。一方、バルブ２６ｂを開状態とし、バルブ２６ｃを閉状態とした場合、伝熱ガス供給部２５から供給された伝熱ガスは、ガス供給ライン２６ａを介して、排気装置８３に排気される。伝熱ガス供給部２５からウエハ８と静電チャック６との間に伝熱ガスを供給する場合、バルブ２６ｂは閉状態とされ、バルブ２６ｃは開状態とされる。
シャワーヘッド１６は、処理容器１の天壁部分に設けられている。シャワーヘッド１６は、本体部１６ａと、電極板をなす上部天板１６ｂとを備えている。シャワーヘッド１６は、絶縁性部材９５を介して処理容器１の上部に支持される。本体部１６ａは、導電性材料、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムからなり、下部に上部天板１６ｂを着脱自在に支持できるように構成されている。
本体部１６ａは、内部にガス拡散室１６ｃが設けられている。また、本体部１６ａは、ガス拡散室１６ｃの下部に、多数のガス通流孔１６ｄが形成されている。上部天板１６ｂは、当該上部天板１６ｂを厚さ方向に貫通するようにガス導入孔１６ｅが、ガス通流孔１６ｄと重なるように設けられている。このような構成により、ガス拡散室１６ｃに供給された処理ガスは、ガス通流孔１６ｄ及びガス導入孔１６ｅを介して処理容器１内にシャワー状に分散されて供給される。
本体部１６ａには、ガス拡散室１６ｃへ処理ガスを導入するためのガス導入口１６ｇが形成されている。ガス導入口１６ｇには、ガス供給配管１５ａの一端が接続されている。ガス供給配管１５ａの他端は、処理ガスを供給する処理ガス供給源１５が接続される。ガス供給配管１５ａには、上流側から順にマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１５ｂ及び開閉弁１５ｃが設けられている。ガス拡散室１６ｃには、ガス供給配管１５ａを介して、処理ガス供給源１５からプラズマエッチングのための処理ガスが供給される。処理容器１内には、ガス拡散室１６ｃからガス通流孔１６ｄ及びガス導入孔１６ｅを介して、シャワー状に分散されて処理ガスが供給される。
処理容器１の側壁からシャワーヘッド１６の高さ位置よりも上方に延びるように円筒状の接地導体１ａが設けられている。円筒状の接地導体１ａは、上部に天壁を有している。
処理容器１の底部には、排気口８１が形成されている。排気口８１には、排気管８２を介して排気装置８３が接続されている。排気装置８３は、真空ポンプを作動させることにより処理容器１内を所定の真空度まで減圧する。一方、処理容器１内の側壁には、ウエハ８の搬入出口８４が設けられている。搬入出口８４には、当該搬入出口８４を開閉するゲートバルブ８５が設けられている。
処理容器１の側部内側には、内壁面に沿ってデポシールド８６が設けられている。デポシールド８６は、処理容器１にエッチング副生成物（デポ）が付着することを防止する。デポシールド８６のウエハ８と略同じ高さ位置には、グランドに対する電位が制御可能に接続された導電性部材（ＧＮＤブロック）８９が設けられており、これにより異常放電が防止される。また、デポシールド８６の下端部には、内壁部材３ａに沿って延在するデポシールド８７が設けられている。デポシールド８６，８７は、着脱自在とされている。
上記構成の基板処理装置１００は、制御部９０によって、その動作が統括的に制御される。制御部９０には、ＣＰＵを備え基板処理装置１００の各部を制御するプロセスコントローラ９１と、ユーザインターフェース９２と、記憶部９３とが設けられている。
ユーザインターフェース９２は、工程管理者が基板処理装置１００を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、基板処理装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
記憶部９３には、基板処理装置１００で実行される各種処理をプロセスコントローラ９１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウェア）や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、ユーザインターフェース９２からの指示等にて任意のレシピを記憶部９３から呼び出してプロセスコントローラ９１に実行させることで、プロセスコントローラ９１の制御下で、基板処理装置１００での所望の処理が行われる。
［基板処理方法］
次に、基板処理装置１００によるウエハ８の基板処理方法について説明する。基板処理装置１００は、ヒータ６ｃの発熱を制御することにより、静電チャック６に配置されたウエハ８の温度の制御が可能とされている。基板処理装置１００は、基板処理において、ヒータ６ｃの発熱を制御することにより、ウエハ８の温度を制御する。基板処理装置１００は、基板処理の際に複数のプロセスを実施する場合がある。例えば、基板処理装置１００は、多層膜が形成されたウエハ８をエッチングする場合、複数のプロセスとして、ウエハ８の温度などの処理条件を変えた複数のプラズマ処理を実施する。基板処理装置１００は、複数のプロセスを実施する際に、それぞれのプロセスで当該プロセスに適した温度にウエハ８の温度を制御する。この場合、基板処理装置１００は、各プロセスの間に、ウエハ８の温度を変更する。
図２は、従来の基板処理方法の一例を示すタイミングチャートである。図２には、プロセスＡの後にプロセスＢをウエハ８に実施する場合を示している。プロセスＡ及びプロセスＢは、例えば、ウエハ８に形成された多層膜をエッチングするプラズマ処理である。プロセスＡに適したウエハ８の温度は、８０℃とする。プロセスＢに適したウエハ８の温度は、３０℃とする。図２には、静電チャック６に印加する印加電圧ＨＶ（ＥＳＣ ＨＶ）と、伝熱ガス供給部２５からウエハ８と静電チャック６との間にバックサイドガスとして供給される伝熱ガスの圧力ＢＰ（Ｔｏｒｒ）とが示されている。また、図２には、静電チャック６の温度（ＥＳＣ Ｔｅｍｐ）と、第１の高周波電源１０ａ及び第２の高周波電源１０ｂから載置台２の基材２ａに供給される高周波電力ＲＦとが示されている。静電チャック６の温度（ＥＳＣ Ｔｅｍｐ）には、破線によりウエハ８の温度（Ｗａｆｅｒ Ｔｅｍｐ）も示されている。また、図２には、スイッチ１３ａ（Ｒｅｌａｙ）のオン・オフによる載置台２の基材２ａの電気的状態が示されている。
図２に示すように、前に実施される第１のプロセス（プロセスＡ）では、静電チャック（ＥＳＣ）６への印加電圧ＨＶを２５００Ｖとしている。また、第１のプロセスでは、バルブ２６ｂを閉状態とし、バルブ２６ｃを開状態として、伝熱ガス供給部２５からウエハ８と静電チャック６との間に３０Ｔｏｒｒで伝熱ガスを供給している。また、第１のプロセスでは、第１の高周波電源１０ａ及び第２の高周波電源１０ｂから載置台２の基材２ａに第１のプロセスに応じた高周波電力ＲＦを供給し、スイッチ１３ａをオフとして載置台２の基材２ａをフロート状態としている
図２に示す従来の基板処理方法では、ウエハ８の温度を変更する際、第１の高周波電源１０ａ及び第２の高周波電源１０ｂから供給する高周波電力ＲＦをオフして０Ｗに変更すると共に、静電チャック６及びウエハ８の温度を８０℃から３０℃に変更している。印加電圧ＨＶ（Ｖ）、伝熱ガスの圧力ＢＰ（Ｔｏｒｒ）、基材２ａの電気的な状態については、ウエハ８の温度を変更する際も、第１のプロセスの状態を維持している。
しかしながら、基板処理装置１００は、静電チャック６にウエハ８を静電吸着させた状態で静電チャック６及びウエハ８の温度を変更した場合、パーティクル（ＰＡ）が発生する場合がある。
このパーティクルの発生について調査した結果、次のような発生原因が判明した。図３は、パーティクルの発生原因を説明する図である。図３には、載置台２の外周付近の構成が概略的に示されている。静電チャック６上にはウエハ８が配置されている。ウエハ８及び静電チャック６は、それぞれ温度変化に応じて膨張又は収縮する。しかし、ウエハ８を静電チャック６に吸着させた状態で、ウエハ８及び載置台２の温度を変えた場合、ウエハ８と静電チャック６の熱膨張係数の違いによりウエハ８と静電チャック６の接触部分が擦れて傷つき、パーティクルＰＡが発生する。従来の基板処理方法は、静電チャック６の吸着面とウエハ８との間に伝熱ガスを供給して吸着力を低下させるため、ウエハ８の外周からの伝熱ガスが漏れる。発生したパーティクルＰＡは、ウエハ８の外周から漏れる伝熱ガスによって、ウエハ８の外周から処理容器１内に舞い上がる。これにより、ウエハ８の表面にパーティクルＰＡが吸着する。
そこで、本実施形態に係る基板処理装置１００は、ウエハ８の温度を変更する際、以下に説明する本実施形態に係る基板処理方法を実施する。図４は、本実施形態に係る基板処理方法の一例を示すタイミングチャートである。図４には、図２と同様に、プラズマ処理としてプロセスＡの後にプロセスＢをウエハ８に実施する場合を示している。プロセスＡに適したウエハ８の温度は、８０℃とする。プロセスＢに適したウエハ８の温度は、３０℃とする。図４には、静電チャック６に印加する印加電圧ＨＶ（ＥＳＣ ＨＶ）と、伝熱ガス供給部２５からウエハ８と静電チャック６との間にバックサイドガスとして供給される伝熱ガスの圧力ＢＰ（Ｔｏｒｒ）とが示されている。また、図４には、静電チャック６の温度（ＥＳＣ Ｔｅｍｐ）と、第１の高周波電源１０ａ及び第２の高周波電源１０ｂから載置台２の基材２ａに供給される高周波電力ＲＦとが示されている。静電チャック６の温度（ＥＳＣ Ｔｅｍｐ）には、破線によりウエハ８の温度（Ｗａｆｅｒ Ｔｅｍｐ）も示されている。また、図４には、スイッチ１３ａ（Ｒｅｌａｙ）のオン・オフによる載置台２の基材２ａの電気的状態が示されている。
図４に示すように、第１のプロセス（プロセスＡ）では、印加電圧ＨＶを２５００Ｖとしている。また、第１のプロセスでは、バルブ２６ｂを閉状態とし、バルブ２６ｃを開状態として、伝熱ガス供給部２５からウエハ８と静電チャック６との間に３０Ｔｏｒｒで伝熱ガスを供給している。また、第１のプロセスでは、第１の高周波電源１０ａ及び第２の高周波電源１０ｂから載置台２の基材２ａに第１のプロセスに応じた高周波電力ＲＦを供給し、スイッチ１３ａをオフとして載置台２の基材２ａをフロート状態としている
図４に示す本実施形態に係る基板処理方法では、ウエハ８の温度を変更する際、伝熱ガス供給部２５からウエハ８と静電チャック６との間に供給する伝熱ガスの圧力を第１の圧力から第１の圧力よりも低い第２の圧力に変更する。例えば、制御部９０は、伝熱ガス供給部２５を制御し、伝熱ガス供給部２５から供給する伝熱ガスの圧力ＢＰを０Ｔｏｒｒに変更する。これにより、ウエハ８の外周からパーティクルが舞い上がることを抑制できる。なお、制御部９０は、バルブ２６ｂ及びバルブ２６ｃを閉状態に制御して、伝熱ガス供給部２５からの伝熱ガスをガス供給ライン２６ａを介して排気することで、ウエハ８と静電チャック６との間に伝熱ガスの圧力を疑似的に０Ｔｏｒｒに変更してもよい。
次に、本実施形態に係る基板処理方法では、静電チャック６に印加する印加電圧ＨＶを第１の電圧から第１の電圧よりも低い第２の電圧に変更する。
ここで、図２に示す、従来のウエハ８の基板処理方法では、ウエハ８の温度を変更する際、プラズマを生成する必要がないため、高周波電力ＲＦをオフして０Ｗに変更している。
しかし、印加電圧ＨＶを変更する場合、ウエハ８の急激な電位の変化を避けるため、載置台２には、高周波電力が供給されていることが好ましい。また、載置台２の電位変化を抑制して放電リスク低減するため、載置台２を接地状態とすることが好ましい。
そこで、本実施形態に係る基板処理方法では、印加電圧ＨＶを変更する際、プラズマ処理の際よりも低下させて載置台２に高周波電力を供給する。また、本実施形態に係る基板処理では、ウエハ８の温度を変更する期間の間、載置台２を接地状態とする。例えば、制御部９０は、第１の高周波電源１０ａ及び第２の高周波電源１０ｂを制御し、プラズマ発生用の高周波電力ＨＦ、バイアス用の高周波電力ＬＦの少なくとも一方を供給する。図４の例では、第１のプロセス（プロセスＡ）の高周波電力ＲＦよりもパワーを低下させて、プラズマ発生用の高周波電力ＨＦを１００Ｗ又はバイアス用の高周波電力ＬＦを１００Ｗ供給する。また、制御部９０は、スイッチ１３ａをオンとして、載置台２の基材２ａを接地状態とする。図４では、高周波電力ＲＦの低下からスイッチ１３ａの動作待ち時間ｔａ１分遅れて載置台２の基材２ａがＧＮＤ電位となっている。制御部９０は、高周波電力ＲＦを低下させる変更をしてから待機時間ｔａ２後、直流電源１２を制御し、印加電圧ＨＶを２５００Ｖから１０００Ｖに変更する。これにより、印加電圧ＨＶを変更する際のウエハ８の急激な電位の変化を抑制できる。また、載置台２を接地状態とすることで、載置台２の電位変化を抑制して放電リスク低減することができる。
次に、本実施形態に係る基板処理方法では、載置台２の温度を第１の温度から第２の温度に変更する。また、本実施形態に係る基板処理方法では、載置台２の温度を第１の温度から第２の温度に変更する際に、載置台２に供給される高周波電力をオフする。例えば、制御部９０は、ヒータ電源１８を制御してヒータ６ｃの発熱量を低下させ、載置台２の温度を８０℃から３０℃に変更させる。また、制御部９０は、第１の高周波電源１０ａ及び第２の高周波電源１０ｂを制御し、プラズマ発生用の高周波電力ＨＦ及びバイアス用の高周波電力ＬＦをオフして、高周波電力ＲＦを０Ｗとする。
次に、本実施形態に係る基板処理方法では、伝熱ガス供給部２５から供給する伝熱ガスの圧力を第２の圧力とし、静電チャック６に印加する印加電圧ＨＶを第２の電圧とした状態で第１の時間、ウエハ８を静電チャック６で静電吸着して保持する。例えば、制御部９０は、伝熱ガス供給部２５から供給する伝熱ガスの圧力ＢＰを０Ｔｏｒｒとし、静電チャック６に印加する印加電圧ＨＶを１０００Ｖとした状態を時間ｔａ３維持する。これにより、載置台２の温度が低下する。静電チャック６に静電吸着されたウエハ８は、載置台２の温度の低下に応じて、温度が低下する。時間ｔａ３は、ウエハ８の温度が載置台２の温度に近い温度まで低下する時間とし、実験等により事前に予め定める。
次に、本実施形態に係る基板処理方法では、伝熱ガス供給部２５から供給する伝熱ガスの圧力を第２の圧力から第１の圧力よりも低く且つ第２の圧力よりも高い第３の圧力に変更する。例えば、制御部９０は、伝熱ガス供給部２５を制御し、伝熱ガス供給部２５から供給する伝熱ガスの圧力ＢＰを１０Ｔｏｒｒに変更する。このように伝熱ガス供給部２５から供給する伝熱ガスの圧力ＢＰを増加させることで、伝熱ガスによって熱が伝わり、静電チャック６に静電吸着されたウエハ８の温度が、載置台２の温度に速やかに変化する。
次に、本実施形態に係る基板処理方法では、静電チャック６に印加する印加電圧ＨＶを第２の電圧から第２の電圧よりも高い第３の電圧に変更する。
ここで、上述したように、印加電圧ＨＶを変更する場合、ウエハ８の急激な電位の変化を避けるため、載置台２には、高周波電力が供給されていることが好ましい。
そこで、本実施形態に係る基板処理方法では、印加電圧ＨＶを変更する際、載置台２に高周波電力が供給する。例えば、制御部９０は、第１の高周波電源１０ａ及び第２の高周波電源１０ｂを制御し、次に実施する第２のプロセス（プロセスＢ）のプラズマ発生用の高周波電力ＨＦ、バイアス用の高周波電力ＬＦを供給する。制御部９０は、高周波電力ＲＦを増加させる変更をしてから待機時間ｔａ４後、直流電源１２を制御し、印加電圧ＨＶを１０００Ｖから２５００Ｖに変更する。また、制御部９０は、載置台２の電位変化を抑制して放電リスク低減するため、スイッチ１３ａをオフとして、載置台２の基材２ａをフロート状態とする。図４では、高周波電力ＲＦの上昇からスイッチ１３ａの動作待ち時間ｔａ５分遅れて載置台２の基材２ａがフロート状態となっている。
基板処理装置１００は、このような本実施形態に係る基板処理方法により、ウエハ８の温度を変更することにより、ウエハ８へのパーティクルの付着を抑制できる。
本実施形態に係る基板処理方法では、第３の電圧に変更した後、伝熱ガス供給部２５からから供給するガスの圧力を第３の圧力から第３の圧力よりも高い第４の圧力に変更する。例えば、制御部９０は、伝熱ガス供給部２５を制御し、伝熱ガス供給部２５から供給する伝熱ガスの圧力ＢＰを第２のプロセス（プロセスＢ）の３０Ｔｏｒｒに変更する。
基板処理装置１００は、本実施形態に係る基板処理方法により、温度が３０℃に変化したウエハ８に対して第２のプロセス（プロセスＢ）の処理を実施する。
本実施形態に係る基板処理方法は、第１のプロセス（プロセスＡ）と第２のプロセス（プロセスＢ）でウエハ８の温度を変更する場合、ウエハ８へのパーティクルの付着を抑制してウエハ８の温度を変更できる。
［伝熱ガスの圧力ＢＰ及び印加電圧ＨＶの適切な範囲］
次に、ウエハ８の温度を変更する際の伝熱ガスの圧力ＢＰ及び静電チャック６への印加電圧ＨＶの適切な範囲の一例を説明する。
図３に示したように、パーティクルは、ウエハ８と静電チャック６の接触部分が擦れて表面が傷つくことで発生する。そこで、例えば、印加電圧ＨＶを低下させてウエハ８と静電チャック６の吸着力を低下させた場合、ウエハ８と静電チャック６の表面が傷つくことを抑制でき、パーティクルの発生を抑制できる。
図５は、静電チャック６に印加する印加電圧ＨＶ別にウエハ８に発生する傷の長さを示す図である。図５には、印加電圧ＨＶを１０００Ｖ、１５００Ｖ、２０００Ｖ、２５００Ｖとした場合のそれぞれについて、ウエハ８と静電チャック６の温度差Δｔに対するウエハ８に発生する傷の長さが示されている。印加電圧ＨＶが２０００Ｖの場合、温度差Δｔが大きくなるとウエハ８に傷が発生する。印加電圧ＨＶが２５００Ｖの場合、印加電圧ＨＶが２０００Ｖの場合よりもウエハ８に発生する傷がより長くなる。一方、印加電圧ＨＶが１０００Ｖ及び１５００Ｖの場合、ほとんど傷が発生していない。よって、傷の発生を抑制する場合、印加電圧ＨＶは、１５００Ｖ以下とすることが好ましく、１０００Ｖ以下とすることがより好ましい。
ところで、基板処理装置１００は、ウエハ８を静電チャック６に吸着させることで、ウエハ８と静電チャック６の間に供給される伝熱ガスのリークを少なく抑えている。基板処理装置１００は、静電チャック６に印加する印加電圧ＨＶを低下させた場合、静電チャック６によるウエハ８の静電吸着力が低下し、伝熱ガスのリークが多くなる。
図６は、伝熱ガスのリーク量に基づく判定結果を示す図である。図６には、伝熱ガス供給部２５から供給する伝熱ガスの圧力ＢＰを０～３０Ｔｏｒｒとし、印加電圧ＨＶを５００～２５００Ｖとした場合の伝熱ガスのリーク量が数字で示されている。
伝熱ガスのリークを少なく抑えるには、伝熱ガス供給部２５から供給する伝熱ガスの圧力ＢＰが高くなるほど、印加電圧ＨＶが高くする必要がある。基板処理装置１００では、ウエハズレやウエハ剥がれが生じやすくなるため、伝熱ガスのリークが少ない方が好ましい。例えば、伝熱ガスのリーク量は、１．０を超えることは好ましく状態ではなく、１．０以下が好ましく、０．５未満がより好ましい。図６では、伝熱ガスのリーク量が０．５未満となる部分に「○」を付し、リーク量が０．５～１．０である部分に「△」を付し、リーク量が１．０を超える部分に「×」を付している。例えば、伝熱ガス供給部２５から供給する伝熱ガスの圧力ＢＰが３０Ｔｏｒｒの場合、印加電圧ＨＶを１５００Ｖ以上とすることが好ましい。
このように、傷の発生を抑制するには、印加電圧ＨＶを低くすることが好ましい。しかし、伝熱ガスのリーク量を抑制するには、印加電圧ＨＶを低くし過ぎず、ウエハ８を静電チャック６に吸着させる必要がある。
図７は、図５及び図６の判定結果を纏めた図である。図７には、図５の結果から求めた傷の発生が抑制される印加電圧ＨＶの範囲を反映している。図７では、印加電圧ＨＶが、１５００Ｖの部分に「△」を付し、１０００Ｖ以下の部分に「○」を付している。印加電圧ＨＶが２５００Ｖよりも大きい部分に「×」を付している。図７には、図６に示した伝熱ガスのリークを抑制できる範囲をさらに反映している。図７では、印加電圧ＨＶが５００Ｖの場合での伝熱ガスの圧力ＢＰが１０Ｔｏｒｒ以上となる部分と、印加電圧ＨＶが１０００Ｖの場合での伝熱ガスの圧力ＢＰが２０Ｔｏｒｒ以上となる部分とを「×」に変更している。
ところで、図４に示す本実施形態に係る基板処理方法は、静電チャック６の温度変化させる期間Ｔ１において、印加電圧ＨＶを低下せてウエハ８と静電チャック６の吸着力を低下させると共に、伝熱ガスの圧力ＢＰを低下させている。そして、本実施形態に係る基板処理方法は、期間Ｔ２において、伝熱ガスの圧力ＢＰを１０Ｔｏｒｒに上昇させている。この期間Ｔ１及び期間Ｔ２でのウエハ８の温度変化を説明する。
図８は、ウエハ８の温度変化を示す図である。図８では、期間Ｔ３において、ウエハ８の温度を約９０℃にした後、期間Ｔ４、Ｔ５において、ウエハ８の温度を３０℃に変更している。期間Ｔ３は、図４の第１のプロセス（プロセスＡ）のウエハ８の温度を再現している。期間Ｔ４、Ｔ５は、図４の期間Ｔ１、Ｔ２でのウエハ８の温度を再現している。期間Ｔ３では、印加電圧ＨＶを２５００Ｖ、伝熱ガスの圧力ＢＰを３０Ｔｏｒｒとしてウエハ８の温度を約９０℃に加熱している。図８の右側には、期間Ｔ５の破線の部分を拡大した拡大図が示されている。
図８の「１０００Ｖ１０Ｔ」は、期間Ｔ４において、印加電圧ＨＶを１０００Ｖ、伝熱ガスの圧力ＢＰを０Ｔｏｒｒとし、期間Ｔ５において、伝熱ガスの圧力ＢＰを１０Ｔｏｒｒに変更した場合のウエハ８の温度変化を示している。「１５００Ｖ０Ｔ」は、期間Ｔ４において、印加電圧ＨＶを１５００Ｖ、伝熱ガスの圧力ＢＰを０Ｔｏｒｒとし、期間Ｔ５においても伝熱ガスの圧力ＢＰを０Ｔｏｒｒに維持した場合のウエハ８の温度変化を示している。「１５００Ｖ１０Ｔ」は、期間Ｔ４において、印加電圧ＨＶを１５００Ｖ、伝熱ガスの圧力ＢＰを０Ｔｏｒｒとし、期間Ｔ５において、伝熱ガスの圧力ＢＰを１０Ｔｏｒｒに変更した場合のウエハ８の温度変化を示している。「１５００Ｖ３０Ｔ」は、期間Ｔ４において、印加電圧ＨＶを１５００Ｖ、伝熱ガスの圧力ＢＰを０Ｔｏｒｒとし、期間Ｔ５において、伝熱ガスの圧力ＢＰを３０Ｔｏｒｒに変更した場合のウエハ８の温度変化を示している。「２５００Ｖ３０Ｔ」は、期間Ｔ４、Ｔ５についても、期間Ｔ３と同様に印加電圧ＨＶを２５００Ｖとし、伝熱ガスの圧力ＢＰを３０Ｔｏｒｒとした場合のウエハ８の温度変化を示している。
「２５００Ｖ３０Ｔ」は、ウエハ８の温度を速やかに３０℃に変化させることができる。しかし、「２５００Ｖ３０Ｔ」は、期間Ｔ４、Ｔ５についても、期間Ｔ３と同様に静電チャック６に電圧を印加し、伝熱ガスの圧力ＢＰを維持するため、ウエハ８の外周から処理容器１内にパーティクルが舞い上がる。
「１５００Ｖ０Ｔ」、「１５００Ｖ１０Ｔ」及び「１５００Ｖ３０Ｔ」は、期間Ｔ４において、ウエハ８の温度が同様に低下する。「１５００Ｖ１０Ｔ」及び「１５００Ｖ３０Ｔ」は、期間Ｔ５において、伝熱ガスを供給したことでウエハ８の温度が３０℃に付近に速やかに変化する。一方、「１５００Ｖ０Ｔ」は、期間Ｔ５においても伝熱ガスの圧力ＢＰを０Ｔｏｒｒとしたことで、伝熱性が低下し、ウエハ８の温度の追従性が低下してウエハ８の温度の低下に時間がかかるようになる。
「１０００Ｖ１０Ｔ」は、期間Ｔ４において、「１５００Ｖ１０Ｔ」等と比較して温度の変化度合いが低いものの、ウエハ８の温度が低下し、期間Ｔ５において、伝熱ガスを供給したことでウエハ８の温度が３０℃に付近に速やかに変化する。したがって、温度変化の観点では、伝熱ガスの圧力ＢＰを１０Ｔｏｒｒ以上とすることが好ましい。
図９は、図５、図６及び図８の判定結果を纏めた図である。図９は、図７に対して、図８に示したウエハ８の温度を速やかに変更可能な範囲を反映した結果を示している。図９では、ウエハ８の温度を速やかに変更できないため、図７から、伝熱ガスの圧力ＢＰが５Ｔｏｒｒ以下の部分を「×」に変更している。
図９に示す結果から、本実施形態に係る基板処理方法では、図４の期間Ｔ１は、印加電圧ＨＶを１０００Ｖ～１５００Ｖとし、伝熱ガスの圧力ＢＰを１０Ｔｏｒｒ以下、好ましくは０Ｔｏｒｒとすることが好ましい。期間Ｔ２は、伝熱ガスの圧力ＢＰを１０Ｔｏｒｒとすることが好ましい。また、期間Ｔ１は、印加電圧ＨＶを１０００Ｖとし、伝熱ガスの圧力ＢＰを０Ｔｏｒｒとすることがより好ましい。期間Ｔ２は、伝熱ガスの圧力ＢＰを１０Ｔｏｒｒとすることがより好ましい。
［パーティクル数の変化］
次に、実際にウエハ８に付着したパーティクルをカウントした実験結果を説明する。実験では、本実施形態に係る基板処理方法の期間Ｔ１、Ｔ２での印加電圧ＨＶと伝熱ガスの圧力ＢＰを変えてウエハ８の温度を変更してウエハ８に付着したパーティクルをカウントした。ウエハ８のサイズは、半径１５０ｍｍである。実験では、ウエハ８のエッジ領域に付着したパーティクルの数をカウントした。ウエハ８のエッジ領域は、ウエハ８の半径１２０ｍｍよりも外側の領域とする。図１０は、ウエハ８のエッジ領域に付着したパーティクルの平均値を示したグラフである。「２５００Ｖ３０Ｔ」は、期間Ｔ１、Ｔ２において、印加電圧ＨＶを２５００Ｖ、伝熱ガスの圧力ＢＰを３０Ｔｏｒｒとした場合を示している。すなわち、「２５００Ｖ３０Ｔ」は、図２に示した従来の基板処理方法と同様に、印加電圧ＨＶ及び伝熱ガスの圧力ＢＰを変更することなく、静電チャック６及びウエハ８の温度を８０℃から３０℃に変更している。「１５００Ｖ２０Ｔ」は、期間Ｔ１において、印加電圧ＨＶを１５００Ｖ、伝熱ガスの圧力ＢＰを０Ｔｏｒｒとし、期間Ｔ２において、伝熱ガスの圧力ＢＰを２０Ｔｏｒｒに変更した場合を示している。「１０００Ｖ１０Ｔ」は、期間Ｔ１において、印加電圧ＨＶを１０００Ｖ、伝熱ガスの圧力ＢＰを０Ｔｏｒｒとし、期間Ｔ２において、伝熱ガスの圧力ＢＰを１０Ｔｏｒｒに変更した場合を示している。図１０には、「２５００Ｖ３０Ｔ」、「１５００Ｖ２０Ｔ」、及び「１０００Ｖ１０Ｔ」について、それぞれ２枚のウエハ８のエッジ領域に付着したパーティクル数の平均値がグラフにより示されている。「１５００Ｖ２０Ｔ」及び「１０００Ｖ１０Ｔ」は、「２５００Ｖ３０Ｔ」よりもパーティクル数の平均値が少ない。すなわち、「１５００Ｖ２０Ｔ」及び「１０００Ｖ１０Ｔ」は、図２に示した従来の基板処理方法よりもウエハ８へのパーティクルの付着を抑制できている。また、「１０００Ｖ１０Ｔ」は、「１５００Ｖ２０Ｔ」よりもパーティクル数の平均値が少ない。すなわち、「１０００Ｖ１０Ｔ」は、ウエハ８へのパーティクルの付着を最も抑制できる。
［効果］
以上のように、本実施形態に係る基板処理方法は、基板処理装置１００によるウエハ８（基板）の基板処理方法である。基板処理装置１００は、処理容器１と、載置台２と、静電チャック６（吸着部）と、伝熱ガス供給部２５（ガス供給部）とを有する。載置台２は、処理容器１内に配置されている。静電チャック６は、載置台２上に設けられ、温度の変更が可能とされ、印加される電圧に応じてウエハ８を静電吸着する。伝熱ガス供給部２５は、静電チャック６に配置されたウエハ８と静電チャック６との間に伝熱用のガスを供給する。基板処理方法は、伝熱ガス供給部２５からウエハ８と静電チャック６との間に供給するガスの圧力を第１の圧力から第１の圧力よりも低い第２の圧力に変更する工程と、静電チャック６に印加する印加電圧を第１の電圧から第１の電圧よりも低い第２の電圧に変更する工程と、静電チャック６の温度を第１の温度から第２の温度に変更する工程と、伝熱ガス供給部２５から供給するガスの圧力を第２の圧力とし、静電チャック６に印加する印加電圧を第２の電圧とした状態で第１の時間、ウエハ８を静電チャック６で静電吸着して保持する工程と、伝熱ガス供給部２５から供給するガスの圧力を第２の圧力から第１の圧力よりも低く且つ第２の圧力よりも高い第３の圧力に変更する工程と、静電チャック６に印加する印加電圧を第２の電圧から第２の電圧よりも高い第３の電圧に変更する工程とを有する。これにより、本実施形態に係る基板処理方法は、ウエハ８へのパーティクルの付着を抑制できる。
また、本実施形態に係る基板処理方法は、第２の圧力に変更する工程の前に、第１の温度でウエハ８に第１のプロセスの処理を実施する工程をさらに有し、第３の電圧に変更する工程の後に、第２の温度でウエハ８に第２のプロセスの処理を実施する工程をさらに有する。これにより、本実施形態に係る基板処理方法は、第１のプロセスの処理と第２のプロセスの処理との間で、ウエハ８の温度を変更する場合に、ウエハ８へのパーティクルの付着を抑制できる。
また、本実施形態に係る基板処理方法は、第３の電圧に変更した後、伝熱ガス供給部２５から供給するガスの圧力を第３の圧力から第３の圧力よりも高い第４の圧力に変更する工程をさらに有する。これにより、本実施形態に係る基板処理方法は、伝熱性を高めることができ、ウエハ８の温度の追従性を向上させることができる。
また、本実施形態に係る基板処理方法は、第１の圧力と第４の圧力を等しいものとする。これにより、本実施形態に係る基板処理方法は、静電チャック６の温度を制御することでウエハ８の温度を制御できる。
また、本実施形態に係る基板処理方法は、第１の電圧と第３の電圧を等しいものとする。これにより、本実施形態に係る基板処理方法は、静電チャック６によりウエハ８を安定して保持できる。
また、本実施形態に係る基板処理方法は、第２の圧力に変更する工程において、伝熱ガス供給部２５から供給するガスを排気系に排気することで、ウエハ８と静電チャック６との間に供給するガスの圧力を第１の圧力から第１の圧力よりも低い第２の圧力に変更する。これにより、本実施形態に係る基板処理方法は、伝熱ガス供給部２５から供給するガスの圧力を変えなくても、ウエハ８と静電チャック６との間に供給するガスの圧力を変更できる。また、ガスの圧力を第１の圧力よりも低い第２の圧力に変更することで、ウエハ８の外周からパーティクルが舞い上がることを抑制できる。
また、本実施形態に係る基板処理方法は、第１の温度を第２の温度よりも高いものとする。これにより、本実施形態に係る基板処理方法は、ウエハ８の温度を低下させる変更を行う場合でもウエハ８へのパーティクルの付着を抑制できる。
また、本実施形態に係る基板処理方法は、静電チャック６に印加する印加電圧を変更する工程において、載置台２に高周波電力を供給する。これにより、本実施形態に係る基板処理方法は、静電チャック６に印加する印加電圧を変更する際のウエハ８の急激な電位の変化を抑制できる。
以上、実施形態について説明してきたが、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上述した実施形態は、多様な形態で具現され得る。また、上述した実施形態は、請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
例えば、上述した実施形態では、基板処理方法により、ウエハ８の温度を低下させる場合を例に説明した。しかし、これに限定されるものではない。ウエハ８の温度を上昇させる場合も、ウエハ８の温度を低下させる場合と同様に、ウエハ８と静電チャック６の接触部分が擦れて傷つき、パーティクルＰＡが発生する。よって、本実施形態に係る基板処理方法は、ウエハ８の温度を上昇させる変更を行う場合でも、ウエハ８へのパーティクルの付着を抑制できる。
また、上述した実施形態では、図４の期間Ｔ１において、制御部９０は、時間ｔａ３の経過を待つことで、ウエハ８の温度が載置台２の温度に近い温度まで低下させる場合を例に説明した。しかし、これに限定されるものではない。制御部９０は、実際の静電チャック６の温度を検出して制御を行ってもよい。例えば、静電チャック６に、静電チャック６の温度を検出する温度センサなどの検出部を設ける。制御部９０は、温度センサにより検出される静電チャック６の温度と第２の温度との差が所定値以内となるまでウエハ８を静電チャック６で静電吸着して保持する。そして、制御部９０は、静電チャック６の温度と第２の温度との差が所定値以内となると、伝熱ガス供給部２５から供給するガスの圧力を第２の圧力から第１の圧力よりも低く且つ第２の圧力よりも高い第３の圧力に変更してもよい。
また、上述した本実施形態に係る基板処理方法では、高周波電力ＲＦのパワーを急激に変化させる場合を例に説明した。しかし、これに限定されるものではない。制御部９０は、高周波電力ＲＦを変更する少なくとも一部の期間で高周波電力ＲＦのパワーを徐々に低下させてもよい。例えば、制御部９０は、期間Ｔ１において、プラズマ発生用の高周波電力ＨＦ又はバイアス用の高周波電力ＬＦを１００Ｗから徐々に０Ｗに低下させてもよい。
また、上述した実施形態では、基板処理装置１００を容量結合型のプラズマ処理装置とした場合を例に説明した。しかし、これに限定されるものではない。本実施形態に係る基板処理方法は、任意のプラズマ処理装置に採用され得る。例えば、基板処理装置１００は、誘導結合型のプラズマ処理装置、マイクロ波といった表面波によってガスを励起させるプラズマ処理装置のように、任意のタイプのプラズマ処理装置であってもよい。
また、上述した実施形態では、基材２ａに第１の高周波電源１０ａ及び第２の高周波電源１０ｂが接続される場合を例に説明したが、プラズマ源の構成はこれに限定されるものではない。例えば、プラズマ発生用の第１の高周波電源１０ａは、上部電極としての機能を有するシャワーヘッド１６に接続されてもよい。また、イオン引き込み用（バイアス用）の第２の高周波電源１０ｂが基材２ａに接続されていなくてもよい。
また、上述した基板処理装置１００は、プラズマ処理としてエッチングを行うプラズマ処理装置であったが、任意のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に採用され得る。例えば、基板処理装置１００は、化学気層成長（ＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、物理気層成長（ＰＶＤ）などを行う枚葉式堆積装置であってもよく、プラズマアニール、プラズマインプランテーションなどを行うプラズマ処理装置であってもよい。
また、上述した実施形態では、基板を半導体ウエハとした場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。基板は、ガラス基板など、他の基板であってもよい。
１ 処理容器
２ 載置台
６ 静電チャック
６ａ 電極
６ｂ 絶縁体
６ｃ ヒータ
８ ウエハ
１７ 配線
１８ ヒータ電源
２５ 伝熱ガス供給部
２６ ガス供給ライン
２６ａ ガス供給ライン
２６ｂ バルブ
２６ｃ バルブ
９０ 制御部
９１ プロセスコントローラ
９２ ユーザインターフェース
９３ 記憶部
１００ 基板処理装置

Claims (13)

  1. 処理容器と、
    前記処理容器内に配置された載置台と、
    前記載置台上に設けられ、温度の変更が可能とされ、印加される電圧に応じて基板を静電吸着する吸着部と、
    前記吸着部に配置された前記基板と前記吸着部との間に伝熱用のガスを供給するガス供給部と、を有する基板処理装置による基板の基板処理方法であって、
    前記ガス供給部から前記基板と前記吸着部との間に供給するガスの圧力を第１の圧力から前記第１の圧力よりも低い第２の圧力に変更する工程と、
    前記吸着部に印加する印加電圧を第１の電圧から前記第１の電圧よりも低い第２の電圧に変更する工程と、
    前記吸着部の温度を第１の温度から第２の温度に変更する工程と、
    前記ガス供給部から供給するガスの圧力を前記第２の圧力とし、前記吸着部に印加する印加電圧を前記第２の電圧とした状態で第１の時間、前記基板を前記吸着部で静電吸着して保持する工程と、
    前記ガス供給部から供給するガスの圧力を前記第２の圧力から前記第１の圧力よりも低く且つ前記第２の圧力よりも高い第３の圧力に変更する工程と、
    前記吸着部に印加する印加電圧を前記第２の電圧から前記第２の電圧よりも高い第３の電圧に変更する工程と、
    を有する基板処理方法。
  2. 前記第２の圧力に変更する工程の前に、前記第１の温度で前記基板に第１のプロセスの処理を実施する工程をさらに有し、
    前記第３の電圧に変更する工程の後に、前記第２の温度で前記基板に第２のプロセスの処理を実施する工程をさらに有する、
    請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 前記第３の電圧に変更した後、前記ガス供給部から供給するガスの圧力を前記第３の圧力から前記第３の圧力よりも高い第４の圧力に変更する工程
    をさらに有する請求項１又は２に記載の基板処理方法。
  4. 前記第１の圧力と前記第４の圧力は、等しい
    請求項３に記載の基板処理方法。
  5. 前記第１の電圧と前記第３の電圧は、等しい
    請求項１～４の何れか１つに記載の基板処理方法。
  6. 前記第２の圧力に変更する工程は、前記ガス供給部から供給するガスを排気系に排気することで、前記基板と前記吸着部との間に供給するガスの圧力を第１の圧力から前記第１の圧力よりも低い第２の圧力に変更する
    請求項１～５の何れか１つに記載の基板処理方法。
  7. 前記吸着部の温度を第１の温度から第２の温度に変更する際に、前記載置台に供給される高周波電力をオフする
    請求項１～６の何れか１つに記載の基板処理方法。
  8. 前記第１の温度は、前記第２の温度よりも高い
    請求項１～７の何れか１つに記載の基板処理方法。
  9. 前記第１の温度は、前記第２の温度よりも低い
    請求項１～７の何れか１つに記載の基板処理方法。
  10. 前記基板処理装置は、前記吸着部の温度を検出する検出部をさらに有し、
    前記保持する工程は、前記検出部により検出される前記吸着部の温度と前記第２の温度との差が所定値以内となるまで前記基板を前記吸着部で静電吸着して保持し、
    前記第３の圧力に変更する工程は、前記吸着部の温度と前記第２の温度との差が所定値以内となると、前記ガス供給部から供給するガスの圧力を前記第２の圧力から前記第１の圧力よりも低く且つ前記第２の圧力よりも高い前記第３の圧力に変更する
    請求項１～９の何れか１つに記載の基板処理方法。
  11. 前記吸着部に印加する印加電圧を変更する工程では、前記載置台に高周波電力を供給する
    請求項１～１０の何れか１つに記載の基板処理方法。
  12. 前記載置台は、前記基板の温度を変更する期間の間、接地状態とする
    請求項１～１１の何れか１つに記載の基板処理方法。
  13. 処理容器と、
    前記処理容器内に配置された載置台と、
    前記載置台上に設けられ、温度の変更が可能とされ、印加される電圧に応じて基板を静電吸着する吸着部と、
    前記吸着部に配置された前記基板と前記吸着部との間に伝熱用のガスを供給するガス供給部と、
    前記ガス供給部から前記基板と前記吸着部との間に供給するガスの圧力を第１の圧力から前記第１の圧力よりも低い第２の圧力に変更し、前記吸着部に印加する印加電圧を第１の電圧から前記第１の電圧よりも低い第２の電圧に変更し、前記吸着部の温度を第１の温度から第２の温度に変更し、前記ガス供給部から供給するガスの圧力を前記第２の圧力とし、前記吸着部に印加する印加電圧を前記第２の電圧とした状態で第１の時間、前記基板を前記吸着部で静電吸着して保持し、前記ガス供給部から供給するガスの圧力を前記第２の圧力から前記第１の圧力よりも低く且つ前記第２の圧力よりも高い第３の圧力に変更し、前記吸着部に印加する印加電圧を前記第２の電圧から前記第２の電圧よりも高い第３の電圧に変更する制御を行う制御部と、
    を有する基板処理装置。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210125155A (ko) * 2020-04-07 2021-10-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002222796A (ja) 2001-01-12 2002-08-09 Applied Materials Inc ウェハのチャッキング装置とその駆動方法
JP2011198838A (ja) 2010-03-17 2011-10-06 Tokyo Electron Ltd 基板脱着方法
JP7221076B2 (ja) 2019-02-18 2023-02-13 東京エレクトロン株式会社 レーザー加工装置の設定方法、レーザー加工方法、レーザー加工装置、薄化システム、および基板処理方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5491603A (en) * 1994-04-28 1996-02-13 Applied Materials, Inc. Method of determining a dechucking voltage which nullifies a residual electrostatic force between an electrostatic chuck and a wafer
US6108189A (en) * 1996-04-26 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having improved gas conduits
JP2000021964A (ja) * 1998-07-06 2000-01-21 Ngk Insulators Ltd 静電チャックのパーティクル発生低減方法および半導体製造装置
US6125025A (en) * 1998-09-30 2000-09-26 Lam Research Corporation Electrostatic dechucking method and apparatus for dielectric workpieces in vacuum processors
WO2002017384A1 (en) * 2000-08-23 2002-02-28 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck temperature control method and system
US6771086B2 (en) * 2002-02-19 2004-08-03 Lucas/Signatone Corporation Semiconductor wafer electrical testing with a mobile chiller plate for rapid and precise test temperature control
CN100433286C (zh) * 2003-07-08 2008-11-12 株式会社未来视野 基片载置台用静电吸盘及其电极以及处理系统
JP4247739B2 (ja) * 2003-07-09 2009-04-02 Ｔｏｔｏ株式会社 静電チャックによるガラス基板の吸着方法および静電チャック
US6905984B2 (en) * 2003-10-10 2005-06-14 Axcelis Technologies, Inc. MEMS based contact conductivity electrostatic chuck
US7589950B2 (en) * 2006-10-13 2009-09-15 Applied Materials, Inc. Detachable electrostatic chuck having sealing assembly
JP5036339B2 (ja) * 2007-02-07 2012-09-26 日本碍子株式会社 静電チャック及びその製造方法
US8164879B2 (en) * 2009-04-02 2012-04-24 Advanced Ion Beam Technology, Inc. Step down dechucking
JP5642531B2 (ja) * 2010-12-22 2014-12-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR102498784B1 (ko) * 2014-12-11 2023-02-09 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고온 rf 애플리케이션들을 위한 정전 척
JP6552346B2 (ja) * 2015-09-04 2019-07-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
WO2017079338A1 (en) * 2015-11-02 2017-05-11 Component Re-Engineering Company, Inc. Electrostatic chuck for clamping in high temperature semiconductor processing and method of making same
KR20220035964A (ko) * 2019-07-29 2022-03-22 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 개선된 고온 척킹을 갖는 반도체 기판 지지부들
TWI796593B (zh) * 2019-09-06 2023-03-21 美商應用材料股份有限公司 用於不同基板的共同靜電吸盤

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002222796A (ja) 2001-01-12 2002-08-09 Applied Materials Inc ウェハのチャッキング装置とその駆動方法
JP2011198838A (ja) 2010-03-17 2011-10-06 Tokyo Electron Ltd 基板脱着方法
JP7221076B2 (ja) 2019-02-18 2023-02-13 東京エレクトロン株式会社 レーザー加工装置の設定方法、レーザー加工方法、レーザー加工装置、薄化システム、および基板処理方法

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