JP2011198838A - 基板脱着方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】直流電圧が印加される静電電極板を内蔵し、該静電電極板に印加される直流電圧に起因して生じる静電気力によってウエハを吸着する静電チャックと、吸着されたウエハW及び静電チャックの間の伝熱間隙にヘリウムガスを供給する伝熱ガス供給孔とを備える基板処理装置において、静電電極板に印加される直流電圧を徐変させながら上昇させる際、直流電圧の上昇に応じて伝熱間隙へ供給されるヘリウムガスの圧力を段階的に上昇させる。
【選択図】図3
Description
Q ≦ 1/ (2k)×ε×ε0×(V/d)2×S … (1)
ここで、kは安全率、εは静電チャック23の誘電率、ε0は真空の誘電率、Vは印加電圧の値、dは静電電極板22及びウエハWの間の距離、SはウエハWの裏面の表面積
さらに、本実施の形態に係る基板脱着方法では、供給ヘリウムガス圧力を階段状に上昇させる際、図3(A)に示すように、各段階において所定時間t、例えば、少なくとも10秒に亘って供給ヘリウムガス圧力が一定値に維持されるようにバルブ31や伝熱ガス供給部30によって制御される。通常、空間におけるガスの圧力が安定するには一定の時間を要する。したがって、少なくとも10秒に亘って供給ヘリウムガス圧力を一定値に維持するように制御することにより、伝熱間隙における供給ヘリウムガス圧力を安定させることができる。また、伝熱間隙における供給ヘリウムガス圧力が安定するので、供給ヘリウムガス圧力を階段状に上昇させる際、各段階において静電気力及び離間力の差の変動を抑制することができ、もって、ウエハWが静電チャック23から不用意に離間するのを防止することができる。
10 基板処理装置
12 サセプタ
22 静電電極板
23 静電チャック
28 伝熱ガス供給孔
Claims (11)
- 直流電圧が印加される電極板を内蔵し、前記印加される直流電圧に起因して生じる静電気力によって基板を吸着する静電チャックと、前記吸着された基板及び前記静電チャックの間の間隙に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給部とを備える基板処理装置が実行する基板脱着方法であって、
前記電極板に印加される直流電圧を徐変させながら上昇させる際、前記直流電圧の上昇に応じて前記供給される伝熱ガスの圧力を段階的に上昇させることを特徴とする基板脱着方法。 - 前記供給される伝熱ガスが前記基板に付与する前記静電チャックからの離間力が、前記静電気力を上回らないことを特徴とする請求項1記載の基板脱着方法。
- 前記直流電圧も段階的に上昇させることを特徴とする請求項1又は2記載の基板脱着方法。
- 前記伝熱ガスの圧力上昇における各段階は、前記直流電圧の上昇において対応する各段階よりも遅れて開始されることを特徴とする請求項3記載の基板脱着方法。
- 前記伝熱ガスの圧力上昇における各段階では、少なくとも10秒に亘って前記供給される伝熱ガスの圧力が一定値に維持されるように制御されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板脱着方法。
- 直流電圧が印加される電極板を内蔵し、前記印加される直流電圧に起因して生じる静電気力によって基板を吸着する静電チャックと、前記吸着された基板及び前記静電チャックの間の間隙に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給部とを備える基板処理装置が実行する基板脱着方法であって、
前記基板を前記静電チャックへ吸着させ且つ前記吸着された基板及び前記静電チャックの間の間隙に伝熱ガスを供給した後、前記電極板に印加される直流電圧を徐変させながら下降させる際、前記直流電圧の下降に応じて前記供給される伝熱ガスの圧力を段階的に下降させることを特徴とする基板脱着方法。 - 前記供給される伝熱ガスが前記基板に付与する前記静電チャックからの離間力が、前記静電気力を上回らないことを特徴とする請求項6記載の基板脱着方法。
- 前記直流電圧も段階的に下降させることを特徴とする請求項6又は7記載の基板脱着方法。
- 前記伝熱ガスの圧力下降における各段階は、前記直流電圧の下降において対応する各段階よりも先に終了することを特徴とする請求項8記載の基板脱着方法。
- 前記伝熱ガスの圧力下降における各段階では、少なくとも10秒に亘って前記供給される伝熱ガスの圧力が一定値に維持されるように制御されることを特徴とする請求項6乃至9のいずれか1項に記載の基板脱着方法。
- 前記基板は主としてシリコンからなり、前記静電チャックにおける前記基板を吸着して接触する接触部はセラミックスによって覆われることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の基板脱着方法。
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