KR20130038199A - 기판 탈착 방법 - Google Patents

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KR20130038199A
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Abstract

본원 발명에 따른 기판 탈착 방법은, 기판의 이면(裏面)에 미립자가 박히는 것을 방지하는 것을 목적으로 하고 있다. 직류 전압이 인가되는 정전 전극판(22)을 내장하고, 당해 정전 전극판(22)에 인가되는 직류 전압에 기인하여 발생하는 정전기력에 의해 웨이퍼(W)를 흡착하는 정전척(23)과, 흡착된 웨이퍼(W) 및 정전척(23)의 사이의 전열 간극에 헬륨 가스를 공급하는 전열 가스 공급 구멍(28)을 구비한 기판 처리 장치(10)에 있어서, 정전 전극판(22)에 인가되는 직류 전압을 서서히 변화시키면서 상승시킬 때, 직류 전압의 상승에 따라 전열 간극에 공급되는 헬륨 가스의 압력을 단계적으로 상승시킨다.

Description

기판 탈착 방법{SUBSTRATE ATTACHMENT AND DETACHMENT METHOD}
본 발명은, 정전기력에 의해 기판을 흡착하는 정전척(electrostatic chuck)을 구비하는 기판 처리 장치가 실행하는 기판 탈착 방법에 관한 것이다.
기판 처리 장치에 있어서 플라즈마 에칭 처리가 행해진 기판으로서의 웨이퍼의 이면(裏面)에는 다수의 파티클이 부착되는 경우가 있다. 웨이퍼의 이면에 부착된 파티클은, 당해 웨이퍼의 표면에 도포된 포토레지스트를 빛에 의해 경화시키는 리소그래피 공정에 있어서 디포커스(defocus)를 일으킨다.
그래서, 종래, 플라즈마 에칭 처리가 행해진 웨이퍼의 이면을 세정하거나, 또는 기판 처리 장치에 있어서의 웨이퍼의 이면과 접촉하는 부재의 재질을 변경하는 등 하여 리소그래피 공정 전에 웨이퍼의 이면에 다수의 파티클이 부착되는 것을 방지하고 있었다.
그런데, 기판 처리 장치에서는, 웨이퍼에 플라즈마 에칭 처리를 행할 때, 웨이퍼를 처리실 내에 수용하고, 당해 처리실 내에 배치된 재치대에 올려놓는다. 당해 재치대는 웨이퍼와 접촉하는 상부에 정전척을 구비한다. 당해 정전척은 전극판을 내장하고, 당해 전극판에 인가된 직류 전압에 의해 발생하는 정전기력에 의해 웨이퍼를 흡착한다.
통상, 정전척에는 정전기력을 일으키는 고압의 직류 전압이 급격하게 인가되기 때문에, 웨이퍼는 정전척에 급격하게 끌어당겨진다. 따라서, 웨이퍼가 일그러진 채 정전척에 흡착되어, 예를 들면, 일그러진 웨이퍼의 복원력에 의해 당해 웨이퍼에 있어서의 정전척과의 접촉면(이하, 「웨이퍼의 접촉면」이라고 말함)이나 정전척에 있어서의 웨이퍼와의 접촉면(이하, 「정전척의 접촉면」이라고 말함)에 응력이 발생하는 경우가 있다.
일반적으로, 정전척의 표면에는 세라믹이 용사되어 있고, 구조적으로 취성인 개소가 몇 개 발생하기 때문에, 정전척의 접촉면에 발생한 응력에 의해 취성인 개소가 파괴되어 파티클이 발생하고, 이들 파티클은 웨이퍼의 이면에 박힌다. 또한, 웨이퍼의 접촉면에 발생한 응력이 급격하게 변동했을 경우에는, 당해 웨이퍼가 깨지는 경우가 있다.
웨이퍼의 깨짐을 방지하기 위한 웨이퍼의 흡착 방법으로서는, 예를 들면, 정전척의 전극판에 인가되는 직류 전압을 서서히 상승시키는 방법이 제안되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 이에 따라, 응력의 급격한 변동을 억제하여, 웨이퍼의 깨짐을 방지할 수 있다.
일본공개특허공보 제2001-152335호
그러나, 웨이퍼의 이면에 박힌 파티클을 세정에 의해 제거하는 것은 매우 곤란하다. 또한, 전술한 바와 같이, 정전척의 전극판에 인가되는 직류 전압을 서서히 상승시켜도, 웨이퍼가 일그러지는 한, 정전척의 접촉면에 응력이 발생하고, 그 결과, 파티클이 웨이퍼의 이면에 부착되어 박히는 것을 방지할 수 없다는 문제가 있다.
본 발명의 목적은, 기판의 이면에 미립자가 박히는 것을 방지할 수 있는 기판 탈착 방법을 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 탈착 방법은, 직류 전압이 인가되는 전극판을 내장하고, 상기 인가되는 직류 전압에 기인하여 발생하는 정전기력에 의해 기판을 흡착하는 정전척과, 상기 흡착된 기판 및 상기 정전척의 사이의 간극에 전열(傳熱) 가스를 공급하는 전열 가스 공급부를 구비하는 기판 처리 장치가 실행하는 기판 탈착 방법으로서, 상기 전극판에 인가되는 직류 전압을 서서히 변화시키면서 상승시킬 때, 상기 직류 전압의 상승에 따라 상기 공급되는 전열 가스의 압력을 단계적으로 상승시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제1 실시 형태에 의하면, 전극판에 인가되는 직류 전압을 서서히 변화시키면서 상승시킬 때, 직류 전압의 상승에 따라 공급되는 전열 가스의 압력을 단계적으로 상승시키기 때문에, 기판을 정전척에 흡착하는 정전기력(이하, 단순히 「정전기력」이라고 말함)과, 전열 가스가 기판에 부여하는 정전척으로부터의 이간력(離間力)(이하, 단순히 「이간력」이라고 말함)과의 차이를 작게 할 수 있다. 또한, 기판에 관하여 이간력은 정전기력과 반대 방향으로 작용하기 때문에, 이간력은 정전기력을 완화한다. 따라서, 기판을 정전척에 흡착시킬 때, 정전기력을 큰 폭으로 완화시킬 수 있어, 기판이 일그러지는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 정전척의 기판과의 접촉부에 응력이 발생하는 것을 방지하여 기판의 이면에 미립자가 박히는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 제1 실시 형태에 있어서, 상기 공급되는 전열 가스가 상기 기판에 부여하는 상기 정전척으로부터의 이간력이, 상기 정전기력을 상회하지 않는 것이 바람직하다.
본 발명의 제1 실시 형태에 있어서, 상기 직류 전압도 단계적으로 상승시키는 것이 바람직하다.
본 발명의 제1 실시 형태에 있어서, 상기 전열 가스의 압력 상승에 있어서의 각 단계는, 상기 직류 전압의 상승에 있어서 대응하는 각 단계보다도 늦게 개시되는 것이 바람직하다.
본 발명의 제1 실시 형태에 있어서, 상기 전열 가스의 압력 상승에 있어서의 각 단계에서는, 적어도 10초에 걸쳐서 상기 공급되는 전열 가스의 압력이 일정치로 유지되도록 제어되는 것이 바람직하다.
본 발명의 제1 실시 형태에 있어서, 상기 기판은 주로 실리콘으로 이루어지고, 상기 정전척에 있어서의 상기 기판을 흡착하여 접촉하는 접촉부는 세라믹에 의해 덮이는 것이 바람직하다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 기판 탈착 방법은, 직류 전압이 인가되는 전극판을 내장하고, 상기 인가되는 직류 전압에 기인하여 발생하는 정전기력에 의해 기판을 흡착하는 정전척과, 상기 흡착된 기판 및 상기 정전척의 사이의 간극에 전열 가스를 공급하는 전열 가스 공급부를 구비하는 기판 처리 장치가 실행하는 기판 탈착 방법으로서, 상기 기판을 상기 정전척에 흡착시키고 그리고 상기 흡착된 기판 및 상기 정전척의 사이의 간극에 전열 가스를 공급한 후, 상기 전극판에 인가되는 직류 전압을 서서히 변화시키면서 하강시킬 때, 상기 직류 전압의 하강에 따라 상기 공급되는 전열 가스의 압력을 단계적으로 하강시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제2 실시 형태에 의하면, 전극판에 인가되는 직류 전압을 서서히 변화시키면서 하강시킬 때, 직류 전압의 하강에 따라 공급되는 전열 가스의 압력을 단계적으로 하강시키기 때문에, 정전기력 및 이간력의 차이를 작게 할 수 있고, 그로 인해, 기판을 정전척으로부터 이간시킬 때, 정전기력을 큰 폭으로 완화할 수 있어, 기판이 일그러지는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 정전척의 기판과의 접촉부에 응력이 발생하는 것을 방지하여 기판의 이면에 미립자가 박히는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 제2 실시 형태에 있어서, 상기 공급되는 전열 가스가 상기 기판에 부여하는 상기 정전척으로부터의 이간력이, 상기 정전기력을 상회하지 않는 것을 특징으로 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제2 실시 형태에 있어서, 상기 직류 전압도 단계적으로 하강시키는 것이 바람직하다.
본 발명의 제2 실시 형태에 있어서, 상기 전열 가스의 압력 하강에 있어서의 각 단계는, 상기 직류 전압의 하강에 있어서 대응하는 각 단계보다도 먼저 종료되는 것이 바람직하다.
본 발명의 제2 실시 형태에 있어서, 상기 전열 가스의 압력 하강에 있어서의 각 단계에서는, 적어도 10초에 걸쳐서 상기 공급되는 전열 가스의 압력이 일정치로 유지되도록 제어되는 것이 바람직하다.
본 발명의 제2 실시 형태에 있어서, 상기 기판은 주로 실리콘으로 이루어지고, 상기 정전척에 있어서 상기 기판을 흡착하여 접촉하는 접촉부는 세라믹에 의해 덮이는 것이 바람직하다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 탈착 방법을 실행하는 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2a는 웨이퍼를 정전척에 흡착시킬 때의 웨이퍼의 이면 및 정전척의 흡착면에 있어서의 응력 발생을 설명하기 위한 도면으로, 웨이퍼의 흡착 전에 있어서 웨이퍼에 작용하는 힘을 나타낸다.
도 2b는 웨이퍼를 정전척에 흡착시킬 때의 웨이퍼의 이면 및 정전척의 흡착면에 있어서의 응력 발생을 설명하기 위한 도면으로, 웨이퍼의 흡착 후에 있어서 웨이퍼에 작용하는 힘을 나타낸다.
도 3a는 웨이퍼를 정전척에 흡착시킬 때 실행되는 본 실시 형태에 따른 기판 탈착 방법을 설명하기 위한 도면으로, 인가 전압을 일관되게 그리고 서서히 변화시키면서 상승시키는 경우를 나타낸다.
도 3b는 웨이퍼를 정전척에 흡착시킬 때 실행되는 본 실시 형태에 따른 기판 탈착 방법을 설명하기 위한 도면으로, 인가 전압을 단계적으로 상승시키는 경우를 나타낸다.
도 4는 웨이퍼를 정전척으로부터 이탈시킬 때 웨이퍼에 작용하는 힘을 설명하기 위한 도면이다.
도 5a는 웨이퍼를 정전척으로부터 이탈시킬 때 실행되는 본 실시 형태에 따른 기판 탈착 방법을 설명하기 위한 도면으로, 인가 전압을 일관되게 그리고 서서히 변화시키면서 하강시키는 경우를 나타낸다.
도 5b는 웨이퍼를 정전척으로부터 이탈시킬 때 실행되는 본 실시 형태에 따른 기판 탈착 방법을 설명하기 위한 도면으로, 인가 전압을 단계적으로 하강시키는 경우를 나타낸다.
도 6은 본 실시 형태에 따른 기판 탈착 방법을 이용하는 웨이퍼 처리의 순서를 나타내는 플로우 차트이다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
우선, 본 실시 형태에 따른 기판 탈착 방법을 실행하는 기판 처리 장치에 대해서 설명한다.
도 1은, 본 실시 형태에 따른 기판 탈착 방법을 실행하는 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도이다. 본 기판 처리 장치는, 기판으로서 실리콘으로 이루어지는 반도체 디바이스용의 웨이퍼(이하, 단순히 「웨이퍼」라고 말함)에 플라즈마 에칭 처리를 행한다.
도 1에 있어서, 기판 처리 장치(10)는, 예를 들면, 직경이 300mm의 웨이퍼(W)를 수용하는 챔버(11)를 갖고, 당해 챔버(11) 내에는 웨이퍼(W)를 올려놓는 원기둥 형상의 서셉터(12)(재치대)가 배치되어 있다. 기판 처리 장치(10)에서는, 챔버(11)의 내측벽과 서셉터(12)의 측면에 의해 측방 배기로(13)가 형성된다. 이 측방 배기로(13)의 도중에는 배기 플레이트(14)가 배치된다.
배기 플레이트(14)는 다수의 관통 구멍을 갖는 판 형상 부재이며, 챔버(11) 내부를 상부와 하부로 구획하는 칸막이판으로서 기능한다. 배기 플레이트(14)에 의해 구획된 챔버(11) 내부의 상부(이하, 「처리실」이라고 말함)(15)에는 후술하는 바와 같이 플라즈마가 발생한다. 또한, 챔버(11) 내부의 하부(이하, 「배기실(매니폴드)」이라고 말함)(16)에는 챔버(11) 내의 가스를 배출하는 배기관(17)이 접속된다. 배기 플레이트(14)는 처리실(15)에 발생하는 플라즈마를 포착 또는 반사하여 매니폴드(16)로의 누설을 방지한다.
배기관(17)에는 TMP(Turbo Molecular Pump) 및 DP(Dry Pump)(함께 도시하지 않음)가 접속되고, 이들 펌프는 챔버(11) 내를 진공흡인하여 감압한다. 구체적으로, DP는 챔버(11) 내를 대기압으로부터 중(中)진공 상태(예를 들면, 1.3×10㎩(0.1Torr) 이하)까지 감압하고, TMP는 DP와 협동하여 챔버(11) 내를 중진공 상태보다 낮은 압력인 고진공 상태(예를 들면, 1.3×10－3㎩(1.0×10－5Torr) 이하)까지 감압한다. 또한, 챔버(11) 내의 압력은 APC 밸브(도시하지 않음)에 의해 제어된다.
챔버(11) 내의 서셉터(12)에는 제1 고주파 전원(18)이 제1 정합기(19)를 통하여 접속되고, 그리고 제2 고주파 전원(20)이 제2 정합기(21)를 통하여 접속되어 있으며, 제1 고주파 전원(18)은 비교적 낮은 주파수, 예를 들면, 2㎒의 이온 인입용의 고주파 전력을 서셉터(12)에 인가하고, 제2 고주파 전원(20)은 비교적 높은 주파수, 예를 들면, 60㎒의 플라즈마 생성용의 고주파 전력을 서셉터(12)에 인가한다. 이에 따라, 서셉터(12)는 전극으로서 기능한다. 또한, 제1 정합기(19) 및 제2 정합기(21)는, 서셉터(12)로부터의 고주파 전력의 반사를 저감하여 고주파 전력의 서셉터(12)로의 인가 효율을 최대로 한다.
서셉터(12)의 상부는, 대경의 원기둥의 선단으로부터 소경의 원기둥이 동심축을 따라 돌출되어 있는 형상을 나타내고, 당해 상부에는 소경의 원기둥을 둘러싸도록 단차가 형성된다. 소경의 원기둥의 선단에는 정전 전극판(22)을 내부에 갖는 정전척(23)이 배치되어 있다. 정전 전극판(22)에는 직류 전원(24)이 접속되어 있고, 고압의 정(正)의 직류 전압이 인가된다. 정전 전극판(22)에 정의 직류 전압이 인가되면, 웨이퍼(W)에 있어서의 정전척(23)측의 면(이하, 「이면」이라고 말함)에는 부(負)전위가 발생하여 정전 전극판(22) 및 웨이퍼(W)의 이면의 사이에 전위차가 발생하고, 당해 전위차에 기인하는 정전기력, 예를 들면, 쿨롱력(Colomb force), 또는 존슨·라벡력(Johnson-Rahbek force)에 의해, 웨이퍼(W)는 정전척(23)에 흡착된다.
또한, 서셉터(12)의 상부에는, 정전척(23)에 흡착된 웨이퍼(W)를 둘러싸도록, 포커스 링(25)이 서셉터(12)의 상부에 있어서의 단차에 올려놓여진다. 포커스 링(25)은, 예를 들면, 실리콘(Si)이나 탄화규소(SiC) 등에 의해 구성된다. 즉, 포커스 링(25)은 반도전체로 이루어지기 때문에, 플라즈마의 분포범위를 웨이퍼(W) 위뿐만이 아니라 당해 포커스 링(25) 위에까지 확대하여 웨이퍼(W)의 주연부 위에 있어서 플라즈마의 밀도를 당해 웨이퍼(W)의 중앙부 위에 있어서의 플라즈마의 밀도와 동일한 정도로 유지한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 전면(全面)에 행해지는 플라즈마 에칭 처리의 균일성을 확보한다.
서셉터(12)의 내부에는, 예를 들면, 원주 방향으로 연장하는 환상(環狀)의 냉매실(26)이 설치된다. 이 냉매실(26)에는, 칠러 유닛(도시하지 않음)으로부터 냉매용 배관(27)을 통하여 저온의 냉매, 예를 들면, 냉각수나 갈덴(GALDEN)(등록상표)이 순환 공급된다.
정전척(23)은, 흡착되어 있는 웨이퍼(W)를 향하여 개구되는 복수의 전열 가스 공급 구멍(28)(전열 가스 공급부)을 갖는다. 이들 복수의 전열 가스 공급 구멍(28)은, 전열 가스 공급 라인(29)을 통하여 전열 가스 공급부(30)에 접속되고, 당해 전열 가스 공급부(30)는 전열 가스로서 He(헬륨) 가스를, 전열 가스 공급 구멍(28)을 통하여 정전척(23)에 있어서의 흡착된 웨이퍼(W)와의 접촉면(이하, 「흡착면」) 및 웨이퍼(W)의 이면의 간극에 공급한다. 또한, 전열 가스 공급 라인(29)은 밸브(31)를 구비하고, 당해 밸브(31)나 전열 가스 공급부(30)는 상기 간극에 공급되는 전열 가스의 유량이나 압력을 조정한다.
챔버(11)의 천정부에는, 서셉터(12)와 대향하도록 샤워 헤드(32)가 배치된다. 샤워 헤드(32)는, 상부 전극판(33)과, 당해 상부 전극판(33)을 착탈 가능하게 매달아 지지하는 쿨링 플레이트(34)와, 당해 쿨링 플레이트(34)를 덮는 덮개(35)를 갖는다. 상부 전극판(33)은 두께 방향으로 관통하는 다수의 가스 구멍(36)을 갖는 원판 형상 부재로 이루어지고, 반도전체인 실리콘에 의해 구성된다. 또한, 쿨링 플레이트(34)의 내부에는 버퍼실(37)이 설치되고, 이 버퍼실(37)에는 처리 가스 도입관(38)이 접속되어 있다.
또한, 샤워 헤드(32)의 상부 전극판(33)에는 직류 전원(39)이 접속되고, 상부 전극판(33)에 부(負)의 직류 전압이 인가된다. 이때, 상부 전극판(33)은 2차 전자를 방출하여 처리실(15) 내부의 전자 밀도가 저하되는 것을 방지한다.
기판 처리 장치(10)에서는, 처리 가스 도입관(38)으로부터 버퍼실(37)에 공급된 처리 가스가 가스 구멍(36)을 통하여 처리실(15) 내부에 도입되고, 당해 도입된 처리 가스는, 제2 고주파 전원(20)으로부터 서셉터(12)를 통하여 처리실(15) 내부로 인가된 플라즈마 생성용의 고주파 전력에 의해 여기(excitation)되어 플라즈마가 된다. 당해 플라즈마 중의 이온은, 제1 고주파 전원(18)이 서셉터(12)에 인가하는 이온 인입용의 고주파 전력에 의해 웨이퍼(W)를 향하여 끌어들여져, 당해 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭 처리를 행한다.
전술한 기판 처리 장치(10)의 각 구성 부품의 동작은, 기판 처리 장치(10)가 구비하는 제어부(도시하지 않음)의 CPU가 플라즈마 에칭 처리에 대응하는 프로그램에 따라 제어한다.
그런데, 전술한 기판 처리 장치(10)에서는, 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭 처리를 행할 때, 웨이퍼(W)는 플라즈마로부터 입열되어 온도가 상승한다. 웨이퍼(W)의 온도가 필요 이상으로 상승되면, 웨이퍼(W)의 표면이 라디칼과 불필요한 화학 반응을 일으키는 경우가 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 열응력이 높아져, 이윽고 웨이퍼(W)가 깨지는 경우가 있다.
그래서, 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭 처리를 행할 때, 웨이퍼(W)는 정전척(23)에 흡착된다. 이때, 서셉터(12)는 냉매실(26)의 냉매에 의해 냉각되어 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 열이 서셉터(12)에 전해져, 웨이퍼(W)는 냉각된다.
단, 정전척(23)은, 통상, 정전 전극판(22)을 내포하는 세라믹(예를 들면, 알루미나)의 적층체나, 정전 전극판(22)을 사이에 끼우는 2개의 유전체 부재의 표면이 세라믹(예를 들면, 이트리아)으로 덮인 부재로 이루어지기 때문에, 흡착면 및 웨이퍼(W)의 이면의 사이에 미소 간극(이하, 「전열 간극」이라고 말함)이 존재한다. 따라서, 웨이퍼(W)를 흡착한 것만으로는 웨이퍼(W)로부터 서셉터(12)로 열이 충분히 전해지지 않는다. 이에 대응하여, 통상, 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭 처리를 행할 때, 기판 처리 장치(10)에서는 전열 간극에 전열 가스 공급 구멍(28)으로부터 헬륨 가스가 공급된다. 당해 헬륨 가스는 웨이퍼(W)의 열을 서셉터(12)로 효과적으로 전달하기 때문에, 웨이퍼(W)의 열이 서셉터(12)에 충분히 전해지고, 그 결과, 웨이퍼(W)의 온도는 필요 이상으로 상승되는 일이 없다.
전술한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 서셉터(12)에 의해 냉각하기 위해서는, 웨이퍼(W)를 정전척(23)에 흡착시킬 필요가 있지만, 정전 전극판(22)에 정의 직류 전압을 급격하게 인가하면, 도 2a에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)가 정전기력에 의해 정전척(23)을 향하여 급격하게 끌어당겨져, 웨이퍼(W)가 일그러지고, 그대로 정전척(23)에 흡착된다. 일그러진 채 흡착된 웨이퍼(W)는 복원되려고 하는, 예를 들면, 지름 방향으로 펴지려고 한다. 그러나, 웨이퍼(W)는 정전척(23)에 흡착되어 있기 때문에, 도 2b에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)에는 중심 방향으로 되돌아가려는 힘(도면 중 화살표 참조)이 작용하고, 그 결과, 웨이퍼(W), 특히, 웨이퍼(W)의 이면에 응력이 발생한다. 또한, 정전척(23)의 흡착면에는 당해 응력의 반작용으로서 응력이 발생한다. 이 응력은 세라믹으로 덮인 정전척(23)의 흡착면에 있어서의 구조적으로 취성인 개소를 파괴하고, 세라믹의 파티클을 발생시킨다. 이때, 웨이퍼(W)는 정전척에 흡착되어 있기 때문에, 발생된 파티클은 웨이퍼(W)의 이면에 박힌다.
본 실시 형태에 따른 기판 탈착 방법에서는, 이에 대응하여, 웨이퍼(W)를 정전척(23)에 흡착시킬 때, 웨이퍼(W)의 이면이나 정전척(23)의 흡착면에 응력이 발생하는 것을 방지한다. 구체적으로는, 웨이퍼(W)를 정전척(23)에 흡착시킬 때, 도 3a에 나타내는 바와 같이, 정전 전극판(22)에 인가되는 정의 직류 전압(이하, 「인가 전압」이라고 말함)을 서서히 변화시키면서 상승시키고, 당해 인가 전압의 상승에 따라 전열 간극에 공급되는 헬륨 가스의 압력(이하, 「공급 헬륨 가스 압력」이라고 말함)을 계단상(단계적)으로 상승시킨다.
인가 전압을 서서히 변화시키면서 상승시킴으로써, 웨이퍼(W)가 정전기력에 의해 정전척(23)을 향하여 급격하게 끌어당겨지는 것을 방지할 수 있다.
또한, 통상, 전열 간극에 헬륨 가스가 공급되면 전열 간극 내의 압력이 높아져 웨이퍼(W)에는 정전척(23)의 흡착면으로부터 멀어지려고 하는 힘(이하, 「이간력」이라고 말함)이 작용한다. 당해 이간력은 웨이퍼(W)에 관하여 정전기력과 반대 방향으로 작용하기 때문에, 웨이퍼(W)에 작용하는 정전기력을 완화한다. 그래서, 본 실시 형태에 따른 기판 탈착 방법에서는, 인가 전압의 상승에 따라 공급 헬륨 가스 압력을 계단상으로 상승시키기 때문에, 정전기력 및 이간력의 차이를 작게 할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)에 작용하는 정전기력을 큰 폭으로 완화할 수 있어, 웨이퍼(W)를 정전척(23)에 흡착시킬 때, 웨이퍼(W)가 일그러지는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라, 웨이퍼(W)의 이면이나 정전척(23)의 흡착면에 응력이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 정전척(23)의 흡착면에 있어서의 구조적으로 취성인 개소가 파괴되는 일이 없어, 세라믹의 파티클이 발생되는 일도 없기 때문에, 웨이퍼(W)의 이면에 파티클이 박히는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따른 기판 탈착 방법에서는, 인가 전압을 서서히 변화시키면서 상승시킬 때, 이간력이 정전기력을 상회하지 않도록 제어된다. 구체적으로는, 이간력(Q)이 하기식(1)을 충족하도록 공급 헬륨 가스 압력이 밸브(31)나 전열 가스 공급부(30)에 의해 제어된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)가 정전척(23)으로부터 이간되는 것을 방지할 수 있다.
Q ≤ 1/ (2 k)×ε×ε0×(V/d)2×S … (1)
여기에서, k는 안전율, ε은 정전척(23)의 유전율, ε0은 진공의 유전율, V는 인가 전압의 값, d는 정전 전극판(22) 및 웨이퍼(W)의 사이의 거리, S는 웨이퍼(W)의 이면의 표면적. 또한, 본 실시 형태에 따른 기판 탈착 방법에서는, 공급 헬륨 가스 압력을 계단상으로 상승시킬 때, 도 3a에 나타내는 바와 같이, 각 단계에 있어서 소정 시간(t), 예를 들면, 적어도 10초에 걸쳐서 공급 헬륨 가스 압력이 일정치로 유지되도록 밸브(31)나 전열 가스 공급부(30)에 의해 제어된다. 통상, 공간에 있어서의 가스의 압력이 안정되려면 일정한 시간을 필요로 한다. 따라서, 적어도 10초에 걸쳐서 공급 헬륨 가스 압력을 일정치로 유지하도록 제어함으로써, 전열 간극에 있어서의 공급 헬륨 가스 압력을 안정시킬 수 있다. 또한, 전열 간극에 있어서의 공급 헬륨 가스 압력이 안정되기 때문에, 공급 헬륨 가스 압력을 계단상으로 상승시킬 때, 각 단계에 있어서 정전기력 및 이간력의 차이의 변동을 억제할 수 있고, 그로 인해, 웨이퍼(W)가 정전척(23)으로부터 준비 없이 이간되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따른 기판 탈착 방법에서는, 도 3b에 나타내는 바와 같이, 인가 전압을 서서히 변화시키면서 상승시킬 때, 당해 인가 전압을 단계적으로 상승시키는 것이 바람직하다. 이에 따라, 웨이퍼(W)를 정전척(23)에 흡착시킬 때, 정전기력 및 이간력의 차이가 불필요하게 확대되는 것을 방지할 수 있고, 그로 인해, 웨이퍼(W)가 일그러지는 것을 확실히 방지할 수 있다.
인가 전압을 단계적으로 상승시키는 경우, 인가 전압의 상승에 있어서의 각 단계의 수는 공급 헬륨 가스 압력의 상승에 있어서의 각 단계의 수와 동일한 것이 바람직하고, 또한, 인가 전압의 상승에 있어서의 각 단계의 지속 시간은 공급 헬륨 가스 압력의 상승에 있어서의 각 단계의 지속 시간과 동일한 것이 바람직하다. 이에 따라, 웨이퍼(W)를 정전척(23)에 흡착시킬 때, 정전기력 및 이간력의 차이를 거의 일정하게 유지할 수 있고, 그로 인해, 웨이퍼(W)를 정전척(23)에 안정되게 흡착시킬 수 있음과 함께, 웨이퍼(W)에 변동 응력이 작용하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따른 기판 탈착 방법에서는, 인가 전압을 단계적으로 상승시키는 경우, 공급 헬륨 가스 압력의 상승에 있어서의 각 단계는, 인가 전압의 상승에 있어서 대응하는 각 단계보다도 늦게, 예를 들면, 도 3b 중에 나타내는 바와 같이, 시간(s)만큼 늦게 개시되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 웨이퍼(W)를 정전척(23)에 흡착시킬 때, 이간력이 정전기력을 상회하는 것을 확실히 방지할 수 있다.
또한, 공급 헬륨 가스 압력의 상승에 있어서의 각 단계의 수가 많을수록, 웨이퍼(W)에 작용하는 정전기력 및 이간력의 합력의 변동을 억제할 수 있지만, 공급 헬륨 가스 압력을 처리시의 압력까지 상승시키는 데 시간을 필요로 한다. 따라서, 공급 헬륨 가스 압력의 상승에 있어서의 각 단계의 수는 겨우 몇 개, 예를 들면, 2～3개로 그치는 것이 바람직하다.
또한, 공급 헬륨 가스 압력을 계단상으로 상승시키면, 전열 가스 공급 라인(29) 내에 있어서의 헬륨 가스의 압력 변동을 작게 할 수 있다. 이에 따라, 전열 가스 공급 라인(29)의 내벽면이나 밸브(31)의 밸브체 등에 부착된 디포지션(deposition)이 벗겨지는 것을 방지할 수 있고, 그로 인해, 벗겨진 디포지션이 헬륨 가스에 의해 전열 간극으로 운반되어, 웨이퍼(W)의 이면에 파티클로서 부착되는 것을 방지할 수 있다.
그런데, 전술한 기판 처리 장치(10)에서는, 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭 처리를 행할 때, 웨이퍼(W)는 플라즈마로부터 입열되어 온도가 상승되기 때문에, 도 4에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)는 실리콘의 열팽창률에 상당하는 부분만큼 열팽창되려고 한다(도면 중 화살표 참조). 그러나, 웨이퍼(W)는 정전척(23)에 흡착되어 있고, 정전척(23)은 세라믹을 주재(主材)로 하기 때문에 웨이퍼(W)처럼 열팽창되지 않는다. 따라서, 웨이퍼(W)는 열팽창되지 못하고, 그 결과, 웨이퍼(W)의 내부에는 내부 응력이 발생한다.
플라즈마 에칭 처리가 종료되고, 정전기력을 소멸시켜 웨이퍼(W)를 정전척(23)으로부터 이탈시킬 때, 정전 전극판(22)에 인가되는 정의 직류 전압을 급격하게 하강시키면, 웨이퍼(W)는 개방되어 내부 응력에 의해 급격하게 변형되어, 예를 들면, 도 4 중의 화살표의 방향으로 급격하게 펴지기 때문에, 웨이퍼(W)의 이면이 정전척(23)의 흡착면과 강하게 마찰된다. 이때, 흡착면에 있어서의 구조적으로 취성인 개소가 파괴되고, 결과적으로 세라믹의 파티클이 웨이퍼(W)의 이면에 박히는 경우가 있다.
또한, 웨이퍼(W)를 정전척(23)으로부터 이탈시킬 때, 웨이퍼(W)가 정전척(23)으로부터 이간되는 것을 방지하기 위해, 인가 전압보다도 먼저 공급 헬륨 가스 압력을 하강시키지만, 여기에서, 공급 헬륨 가스 압력을 급격하게 하강시키면, 웨이퍼(W)에 정전기력만이 작용하는 상태가 발생하여, 도 2a에 나타낸 경우와 동일하게, 웨이퍼(W)가 정전척(23)을 향하여 급격하게 끌어당겨져 일그러진 채 정전척(23)에 흡착된다. 그 결과, 도 2b에서 나타낸 경우와 동일하게, 웨이퍼(W)에는 중심 방향으로 되돌아가려는 힘이 작용하여 웨이퍼(W)의 이면에 응력이 발생하고, 정전척(23)의 흡착면에는 당해 응력의 반작용으로서의 응력이 발생한다. 이 응력도 흡착면으로부터 세라믹의 파티클을 발생시키고, 결과적으로 세라믹의 파티클이 웨이퍼(W)의 이면에 박힌다.
본 실시 형태에 따른 기판 탈착 방법에서는, 이에 대응하여, 웨이퍼(W)를 정전척(23)으로부터 이탈시킬 때, 웨이퍼(W)의 이면 및 정전척(23)의 흡착면의 마찰, 그리고 정전척(23)의 흡착면에 응력이 발생하는 것을 방지한다. 구체적으로는, 웨이퍼(W)를 정전척(23)으로부터 이탈시킬 때, 도 5a에 나타내는 바와 같이, 인가 전압을 서서히 변화시키면서 하강시키고, 당해 인가 전압의 하강에 따라 공급 헬륨 가스 압력을 계단상(단계적)으로 하강시킨다.
인가 전압을 서서히 변화시키면서 하강시킴으로써, 웨이퍼(W)를 서서히 개방하여 웨이퍼(W)가 내부 응력에 의해 급격하게 변형되는 것을 방지한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 이면이 정전척(23)의 흡착면과 강하게 마찰하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 인가 전압의 하강에 따라 공급 헬륨 가스 압력을 계단상으로 하강시키기 때문에, 정전기력 및 이간력의 차이를 작게 할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)에 작용하는 정전기력을 큰 폭으로 완화할 수 있어, 웨이퍼(W)를 정전척(23)으로부터 이탈시킬 때, 웨이퍼(W)가 일그러지는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 정전척(23)의 흡착면에 응력이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
그 결과, 정전척(23)의 흡착면에 있어서의 구조적으로 취성인 개소가 파괴되는 일이 없어, 세라믹의 파티클이 발생되는 일도 없기 때문에, 웨이퍼(W)의 이면에 파티클이 박히는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따른 기판 탈착 방법에서는, 인가 전압을 서서히 변화시키면서 하강시킬 때도, 이간력이 정전기력을 상회하지 않도록 제어된다. 구체적으로는, 이간력(Q)이 상기식(1)을 충족하도록 공급 헬륨 가스 압력이 제어된다.
또한, 본 실시 형태에 따른 기판 탈착 방법에서는, 공급 헬륨 가스 압력을 계단상으로 하강시킬 때도, 도 5a에 나타내는 바와 같이, 각 단계에 있어서 소정 시간(t1), 예를 들면, 적어도 10초에 걸쳐서 공급 헬륨 가스 압력이 일정치로 유지되도록 제어된다.
또한, 본 실시 형태에 따른 기판 탈착 방법에서는, 도 5b에 나타내는 바와 같이, 인가 전압을 서서히 변화시키면서 하강시킬 때도, 당해 인가 전압을 단계적으로 하강시키는 것이 바람직하고, 인가 전압의 하강에 있어서의 각 단계의 수는 공급 헬륨 가스 압력의 하강에 있어서의 각 단계의 수와 동일한 것이 바람직하고, 또한, 인가 전압의 하강에 있어서의 각 단계의 지속 시간은 공급 헬륨 가스 압력의 하강에 있어서의 각 단계의 지속 시간과 동일한 것이 바람직하다.
또한, 본 실시 형태에 따른 기판 탈착 방법에서는, 인가 전압을 단계적으로 하강시키는 경우, 공급 헬륨 가스 압력의 하강에 있어서의 각 단계는, 인가 전압의 하강에 있어서 대응하는 각 단계보다도 먼저, 예를 들면, 도 5b 중에 나타내는 바와 같이, 시간(s1)만큼 먼저 종료하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 웨이퍼(W)를 정전척(23)으로부터 이탈시킬 때, 이간력이 정전기력을 상회하는 것을 확실히 방지할 수 있다.
또한, 공급 헬륨 가스 압력의 하강에 있어서의 각 단계의 수는 겨우 몇 개, 예를 들면, 2～3개로 그치는 것이 바람직한 것은, 공급 헬륨 가스 압력을 상승시키는 경우와 동일하다.
도 6은, 본 실시 형태에 따른 기판 탈착 방법을 이용하는 웨이퍼 처리의 순서를 나타내는 플로우 차트이다.
도 6에 있어서, 우선, 기판 처리 장치(10)의 챔버(11) 내에 웨이퍼(W)를 반입하여 서셉터(12)에 올려놓은 후, 웨이퍼(W)를 정전척(23)에 흡착시킨다(스텝 S61). 이때, 인가 전압 및 공급 헬륨 가스 압력은, 도 3a 또는 도 3b에 나타내는 바와 같이 제어된다.
이어서, 정전 전극판(22)에 인가 전압을 계속 인가함과 함께, 전열 간극에 헬륨 가스를 계속 공급하면서, 챔버(11) 내부를 감압하고, 처리실(15) 내부에 도입된 처리 가스로부터 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭 처리를 행한다(스텝 S62).
플라즈마 에칭 처리가 종료된 후, 웨이퍼(W)를 정전척(23)으로부터 이탈시킨다(스텝 S63). 이때, 인가 전압 및 공급 헬륨 가스 압력은, 도 5a 또는 도 5b에 나타내는 바와 같이 제어된다.
이어서, 웨이퍼(W)를 챔버(11) 내로부터 반출하여 본 처리를 종료한다.
본 실시 형태에 따른 기판 탈착 방법에 의하면, 웨이퍼(W)를 정전척(23)에 흡착시킬 때, 인가 전압을 서서히 변화시키면서 상승시킴과 함께, 인가 전압의 상승에 따라 공급 헬륨 가스 압력을 단계적으로 상승시킨다. 또한, 웨이퍼(W)를 정전척(23)으로부터 이탈시킬 때, 인가 전압을 서서히 변화시키면서 하강시킴과 함께, 인가 전압의 하강에 따라 공급 헬륨 가스 압력을 단계적으로 하강시킨다. 이에 따라, 정전기력 및 이간력의 차이를 작게 할 수 있고, 그로 인해, 웨이퍼(W)가 일그러지는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 정전척(23)의 흡착면에 응력이 발생하는 것을 방지하고 웨이퍼(W)의 이면에 미립자가 박히는 것을 방지할 수 있다.
전술한 실시 형태에 따른 기판 탈착 방법을 실행하는 기판 처리 장치가, 플라즈마 에칭 처리를 행하는 기판은, 반도체 디바이스용의 웨이퍼로 한정되지 않고, LCD(Liquid Crystal Display) 등을 포함하는 FPD(Flat Panel Display) 등에 이용하는 각종 기판이나, 포토마스크, CD 기판, 프린트 기판 등이라도 좋다.
또한, 본 발명에 대해서, 상기 실시 형태를 이용하여 설명했지만, 본 발명은 상기 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 목적은, 전술한 실시 형태의 기능을 실현하는 소프트웨어의 프로그램을 기록한 기억 매체를, 컴퓨터 등에 공급하여, 컴퓨터의 CPU가 기억 매체에 격납된 프로그램을 읽어내어 실행하는 것에 의해서도 달성된다.
이 경우, 기억 매체로부터 읽힌 프로그램 자체가 전술한 실시 형태의 기능을 실현하게 되며, 프로그램 및 그 프로그램을 기억한 기억 매체는 본 발명을 구성하게 된다.
또한, 프로그램을 공급하기 위한 기억 매체로서는, 예를 들면, RAM, NV-RAM, 플로피(FLOPPY)(등록상표) 디스크, 하드 디스크, 광자기 디스크, CD-ROM, CD-R, CD-RW, DVD(DVD-ROM, DVD-RAM, DVD-RW, DVD＋RW) 등의 광디스크, 자기 테이프, 불휘발성의 메모리 카드, 기타 ROM 등의 상기 프로그램을 기억할 수 있는 것이면 좋다. 혹은, 상기 프로그램은, 인터넷, 상용 네트워크, 또는 로컬 에어리어 네트워크 등에 접속되는 도시하지 않은 기타 컴퓨터나 데이터베이스 등으로부터 다운로드함으로써 컴퓨터에 공급되어도 좋다.
또한, 컴퓨터의 CPU가 읽어낸 프로그램을 실행함으로써, 상기 실시 형태의 기능이 실현될 뿐만 아니라, 그 프로그램의 지시에 기초하여, CPU상에서 가동하고 있는 OS(오퍼레이팅 시스템) 등이 실제의 처리의 일부 또는 전부를 행하고, 그 처리에 의해 전술한 실시 형태의 기능이 실현되는 경우도 포함된다.
또한, 기억 매체로부터 읽힌 프로그램이, 컴퓨터에 삽입된 기능 확장 보드나 컴퓨터에 접속된 기능 확장 유닛에 구비되는 메모리에 기입된 후, 그 프로그램의 지시에 기초하여, 그 기능 확장 보드나 기능 확장 유닛에 구비되는 CPU 등이 실제의 처리의 일부 또는 전부를 행하고, 그 처리에 의해 전술한 실시 형태의 기능이 실현되는 경우도 포함된다.
상기 프로그램의 형태는, 오브젝트 코드, 인터프리터에 의해 실행되는 프로그램, OS에 공급되는 스크립트 데이터 등의 형태로 이루어져도 좋다.
실시예
다음으로, 본 발명의 실시예에 대해서 설명한다.
도 1의 기판 처리 장치(10)에 있어서 1로트분(25매)의 웨이퍼(W)에 매엽으로 플라즈마 에칭 처리를 행했다. 22매째 및 25매째의 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭 처리를 행했을 때, 웨이퍼(W)를 정전척(23)에 흡착시킬 때, 인가 전압을, 도 3b에 나타내는 바와 같이 단계적으로 상승시켰다. 기타의 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭 처리를 행했을 때, 웨이퍼(W)를 정전척(23)에 흡착시킬 때, 인가 전압을 급격하게 상승시켰다.
그 후, 각 웨이퍼(W)의 이면에 존재하는 파티클의 수를 광학식의 파티클 카운터로 계측한 결과, 22매째 및 25매째의 웨이퍼(W)에서는 이면에 존재하는 파티클의 수가 약 3000～3500개였던 것에 대하여, 기타 웨이퍼(W)에서는 이면에 존재하는 파티클의 수가 약 6000～7000개였다. 따라서, 인가 전압을 단계적으로 상승시킴으로써, 웨이퍼(W)가 일그러져 정전척(23)에 흡착되는 것을 방지할 수 있고, 그로 인해, 정전척(23)의 흡착면에 응력이 발생하는 것을 방지하여 웨이퍼(W)의 이면에 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있는 것을 알았다.
또한, 22매째 및 25매째의 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭 처리를 행했을 때, 공급 헬륨 가스 압력은 단계적으로 상승시키지 않았지만, 헬륨 가스 압력을 단계적으로 상승시켰다면, 웨이퍼(W)의 일그러짐을 더욱 억제할 수 있고, 그로 인해, 웨이퍼(W)의 이면에 존재하는 파티클의 수를 약 3000개보다도 적게할 수 있는 것이 용이하게 예상되었다.
W : 웨이퍼
10 : 기판 처리 장치
12 : 서셉터
22 : 정전 전극판
23 : 정전척
28 : 전열 가스 공급 구멍

Claims (12)

  1. 직류 전압이 인가되는 전극판을 내장하고, 상기 인가되는 직류 전압에 기인하여 발생하는 정전기력에 의해 기판을 흡착하는 정전척과, 상기 흡착된 기판 및 상기 정전척의 사이의 간극에 전열(傳熱) 가스를 공급하는 전열 가스 공급부를 구비하는 기판 처리 장치가 실행하는 기판 탈착 방법으로서,
    상기 전극판에 인가되는 직류 전압을 서서히 변화시키면서 상승시킬 때, 상기 직류 전압의 상승에 따라 상기 공급되는 전열 가스의 압력을 단계적으로 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 탈착 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 공급되는 전열 가스가 상기 기판에 부여하는 상기 정전척으로부터의 이간력이, 상기 정전기력을 상회하지 않는 것을 특징으로 하는 기판 탈착 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 직류 전압도 단계적으로 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 탈착 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 전열 가스의 압력 상승에 있어서의 각 단계는, 상기 직류 전압의 상승에 있어서 대응하는 각 단계보다도 늦게 개시되는 것을 특징으로 하는 기판 탈착 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 전열 가스의 압력 상승에 있어서의 각 단계에서는, 적어도 10초에 걸쳐서 상기 공급되는 전열 가스의 압력이 일정치로 유지되도록 제어되는 것을 특징으로 하는 기판 탈착 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 주로 실리콘으로 이루어지고, 상기 정전척에 있어서의 상기 기판을 흡착하여 접촉하는 접촉부는 세라믹에 의해 덮이는 것을 특징으로 하는 기판 탈착 방법.
  7. 직류 전압이 인가되는 전극판을 내장하고, 상기 인가되는 직류 전압에 기인하여 발생하는 정전기력에 의해 기판을 흡착하는 정전척과, 상기 흡착된 기판 및 상기 정전척의 사이의 간극에 전열 가스를 공급하는 전열 가스 공급부를 구비하는 기판 처리 장치가 실행하는 기판 탈착 방법으로서,
    상기 기판을 상기 정전척에 흡착시키고 그리고 상기 흡착된 기판 및 상기 정전척의 사이의 간극에 전열 가스를 공급한 후, 상기 전극판에 인가되는 직류 전압을 서서히 변화시키면서 하강시킬 때, 상기 직류 전압의 하강에 따라 상기 공급되는 전열 가스의 압력을 단계적으로 하강시키는 것을 특징으로 하는 기판 탈착 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 공급되는 전열 가스가 상기 기판에 부여하는 상기 정전척으로부터의 이간력이, 상기 정전기력을 상회하지 않는 것을 특징으로 하는 기판 탈착 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 직류 전압도 단계적으로 하강시키는 것을 특징으로 하는 기판 탈착 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 전열 가스의 압력 하강에 있어서의 각 단계는, 상기 직류 전압의 하강에 있어서 대응하는 각 단계보다도 먼저 종료되는 것을 특징으로 하는 기판 탈착 방법.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 전열 가스의 압력 하강에 있어서의 각 단계에서는, 적어도 10초에 걸쳐서 상기 공급되는 전열 가스의 압력이 일정치로 유지되도록 제어되는 것을 특징으로 하는 기판 탈착 방법.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 기판은 주로 실리콘으로 이루어지고, 상기 정전척에 있어서의 상기 기판을 흡착하여 접촉하는 접촉부는 세라믹에 의해 덮이는 것을 특징으로 하는 기판 탈착 방법.
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