JP2012195608A - 基板吸着離脱方法及び基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理装置10はチャンバ11内にウエハWを載置するサセプタ12を備え、該サセプタ12には下部高周波電源20が接続され、サセプタ12の上部には電極板23を内部に有する静電チャック42が配置され、電極板23には直流電源24が接続され、下部高周波電源20がサセプタ12に所定の高周波電力を印加した後、直流電源24が電極板23に負電圧を印加することによって静電チャック42がクーロン力等によりウエハWを吸着する。
【選択図】図1
Description
まず、パーティクルカウント用のウエハ(以下、「パーティクルウエハ」という。)を準備し、基板処理装置10のチャンバ11内に搬入してサセプタ12の静電チャック42上に載置した。次いで、上部高周波電源36によって所定の高周波電力をガス導入シャワーヘッド34に印加し、さらに、下部高周波電源20によって所定の高周波電力をサセプタ12に印加することにより、処理空間Sにおいてプラズマを発生させた。
実施例と同様に、パーティクルウエハを静電チャック42上に載置し、上部高周波電源36及び下部高周波電源20によって所定の高周波電力をガス導入シャワーヘッド34及びサセプタ12にそれぞれ印加することにより、処理空間Sにおいてプラズマを発生させた。
W 半導体ウエハ
10 基板処理装置
11 チャンバ
12 サセプタ
20 下部高周波電源
23 電極板
24 直流電源
34 ガス導入シャワーヘッド
36 上部高周波電源
42 静電チャック
上記目的を達成するために、請求項2記載の基板処理方法は、基板処理装置の収容室内でプラズマを生成させ、該プラズマを用いて静電チャックの基板載置面に吸着された基板に対し、所定の処理を施す基板処理方法であって、前記基板処理装置は、前記基板を収容する収容室と、該収容室内に処理ガスを供給するガス導入部と、前記収容室内に配置され、前記基板を載置し、下部電極として機能する載置台と、該載置台に第1の高周波電力を印加する第1の高周波電源と、前記載置台の上部に配置され、内部に電極板を有する絶縁性部材で構成され、前記基板を載置する静電チャックと、該静電チャックの前記電極板に直流電圧を印加して前記基板を前記基板載置面に吸着させる直流電源と、前記収容室内を排気する排気装置を接続する排気管と、を備え、前記基板処理方法は、前記基板を前記収容室内に搬入する工程と、前記搬入した基板を静電チャックの基板載置面に載置する工程と、
前記収容室内を減圧する工程と、前記収容室内に前記ガス導入部を介して処理ガスを導入して高周波電力によりプラズマを生成する工程と、前記第1の高周波電源から前記載置台に第1の高周波電力を印加する工程と、前記直流電源から前記電極板に負電圧を印加して前記基板を前記静電チャックの基板載置面に吸着させる工程と、前記基板に対し、前記プラズマを用いてエッチング処理を施す工程と、前記エッチング終了後、前記電極板に前記負電圧を印加し続け、前記載置台に前記第1の高周波電力を印加した状態で前記電極板への前記負電圧の印加から正電圧の印加に切り替えて、所定の時間正電位を前記電極板に印加して前記基板を離脱させる工程と、前記基板を離脱させた後、前記載置台への前記第1の高周波電力の印加を停止する工程と、前記基板を収容室内から搬出する工程と、を有し、前記静電チャックの基板載置面に前記基板を静電吸着する際、前記電極板に−2500Vから−3000Vの負電位を印加して前記基板周縁からの放電形態をグロー放電とすることにより、前記収容室の内壁面におけるエネルギーの集中を抑制して前記収容室の内壁面に付着した堆積物の剥離、飛散を防止し、且つ、前記基板を前記静電チャックの基板載置面から離脱させる際に、前記電極板に+1000Vを超えて+1500V以下の正電位を印加することにより、グロー放電の生成によってパーティクルの発生を抑制することを特徴とする。
請求項3記載の基板処理方法は、請求項2記載の基板処理方法において、前記プラズマは、上部電極として機能する前記ガス導入部に第2の高周波電力を印加して生成されることを特徴とする。
請求項4記載の基板処理方法は、請求項3記載の基板処理方法において、前記プラズマは、前記載置台に第1の高周波電力を供給する前に、前記第2の高周波電力を前記ガス導入部に印加して生成されることを特徴とする。
請求項5記載の基板処理方法は、請求項2乃至4のいずれか1項に記載の基板処理方法において、前記基板の表面にはポリシリコン層が形成され、前記所定の処理は前記ポリシリコン層にエッチング処理を施すプラズマエッチング処理であることを特徴とする。
Claims (1)
- 基板に処理を施す基板処理装置であって、前記基板を収容する収容室と、該収容室内に配置され且つ前記基板を載置する載置台とを備え、該載置台は電極板を内部に有する絶縁性部材からなる静電チャックを上部に有し、前記電極板には直流電源が接続される基板処理装置において、
前記静電チャックが前記基板を吸着するときに前記直流電源は前記電極板に負電圧を印加することを特徴とする基板処理装置。
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