JP5399208B2 - プラズマ処理装置及びその構成部品 - Google Patents
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Description
シース長 = 0.606×デバイ長×(2×Vdc/Te)3/4 (mm)…(1)
但し、Vdc:上部電極33に印加される直流電圧の値(V)、Te:電子温度(eV)、デバイ長:7.43×103×(Te/Ne)1/2(mm)、Ne:電子密度(cm−3)
図6は、上記式(1)に基づいたプラズマ中の電子密度と、上部電極33の表面に沿って発生するシース長との関係を示すグラフである。図6において、上部電極33に印加される直流電圧の値が150Vの場合は「◇」で示され、同直流電圧の値が300Vの場合は「□」で示され、同直流電圧の値が600Vの場合は「△」で示され、同直流電圧の値が900Vの場合は「×」で示される。
10 プラズマ処理装置
15 第2の直流電源
33 上部電極
33a 内側電極
33b 外側電極
33e,38,41c,41e,73 隅部
39,43,47,48,52,71,74 シース
40,44,50,72,75 イオン
41,42,46 溝
41a 底面
41b,41d 傾斜面
45,51,76 デポ
49 ホロー部
Claims (3)
- プラズマを用いて基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置の構成部品であって、前記基板と対向するように配置されて前記プラズマに晒される構成部品において、
前記基板と対向する中心側の面と、該中心側の面の外側の面とを有し、
前記中心側の面と前記外側の面とは、115°以上180°未満で交差し、或いは、同一平面をなし、
前記中心側の面には、前記基板を囲むように配置されたフォーカスリングと対向する位置よりも外側の位置において溝が設けられ、該溝の幅は、前記構成部品が用いられるプラズマ処理装置で生成されるプラズマのシース長の2倍以上であることを特徴とするプラズマ処理装置の構成部品。 - 前記構成部品は、直流電圧が印加される電極であって、前記プラズマ中の電子密度は2.0×1010〜1011cm−3であり、前記電極に印加される直流電圧の値が300V以下であるときに、前記溝の幅は8mm以上であることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置の構成部品。
- プラズマを用いて基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記基板と対向するように配置されて前記プラズマに晒される構成部品を備え、
前記構成部品は、前記基板と対向する中心側の面と、該中心側の面の外側の面とを有し、
前記中心側の面と前記外側の面とは、115°以上180°未満で交差し、或いは、同一平面をなし、
前記中心側の面には、前記基板を囲むように配置されたフォーカスリングと対向する位置よりも外側の位置において溝が設けられ、該溝の幅は、前記プラズマ処理装置で生成されるプラズマのシース長の2倍以上であることを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009256083A JP5399208B2 (ja) | 2008-11-07 | 2009-11-09 | プラズマ処理装置及びその構成部品 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008286685 | 2008-11-07 | ||
JP2008286685 | 2008-11-07 | ||
JP2009256083A JP5399208B2 (ja) | 2008-11-07 | 2009-11-09 | プラズマ処理装置及びその構成部品 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010135781A JP2010135781A (ja) | 2010-06-17 |
JP2010135781A5 JP2010135781A5 (ja) | 2012-12-27 |
JP5399208B2 true JP5399208B2 (ja) | 2014-01-29 |
Family
ID=42164108
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009256083A Active JP5399208B2 (ja) | 2008-11-07 | 2009-11-09 | プラズマ処理装置及びその構成部品 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9337003B2 (ja) |
JP (1) | JP5399208B2 (ja) |
KR (1) | KR101614546B1 (ja) |
CN (1) | CN101740298B (ja) |
TW (1) | TWI478203B (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110206833A1 (en) * | 2010-02-22 | 2011-08-25 | Lam Research Corporation | Extension electrode of plasma bevel etching apparatus and method of manufacture thereof |
JP2013033940A (ja) * | 2011-07-07 | 2013-02-14 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2013131485A (ja) * | 2011-11-22 | 2013-07-04 | Kobe Steel Ltd | プラズマ発生源の冷却機構及び冷却方法 |
US20140051253A1 (en) * | 2012-08-14 | 2014-02-20 | Lam Research Corporation | Plasma baffle ring for a plasma processing apparatus and method of use |
US10937634B2 (en) * | 2013-10-04 | 2021-03-02 | Lam Research Corporation | Tunable upper plasma-exclusion-zone ring for a bevel etcher |
CN104752131B (zh) * | 2013-12-25 | 2017-07-21 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 上电极组件进气装置及上电极组件 |
CN105390368A (zh) * | 2014-09-09 | 2016-03-09 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 晶片预清洗腔室及半导体加工设备 |
US10163642B2 (en) * | 2016-06-30 | 2018-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device, method and tool of manufacture |
JP2018022830A (ja) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
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US10032661B2 (en) | 2016-11-18 | 2018-07-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device, method, and tool of manufacture |
CN112714948A (zh) * | 2018-09-26 | 2021-04-27 | 应用材料公司 | 气体分配组件及其操作 |
JP7336306B2 (ja) * | 2018-10-23 | 2023-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5472565A (en) * | 1993-11-17 | 1995-12-05 | Lam Research Corporation | Topology induced plasma enhancement for etched uniformity improvement |
TW299559B (ja) * | 1994-04-20 | 1997-03-01 | Tokyo Electron Co Ltd | |
TW323387B (ja) * | 1995-06-07 | 1997-12-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
JP2814370B2 (ja) * | 1995-06-18 | 1998-10-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US5981899A (en) * | 1997-01-17 | 1999-11-09 | Balzers Aktiengesellschaft | Capacitively coupled RF-plasma reactor |
TW469534B (en) * | 1999-02-23 | 2001-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma processing method and apparatus |
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JP4672456B2 (ja) | 2004-06-21 | 2011-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US7988816B2 (en) * | 2004-06-21 | 2011-08-02 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method |
US7993489B2 (en) * | 2005-03-31 | 2011-08-09 | Tokyo Electron Limited | Capacitive coupling plasma processing apparatus and method for using the same |
JP4642528B2 (ja) | 2005-03-31 | 2011-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US8757090B2 (en) * | 2005-04-05 | 2014-06-24 | Panasonic Corporation | Gas shower plate for plasma processing apparatus |
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JP5323306B2 (ja) * | 2006-07-12 | 2013-10-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
JP5463536B2 (ja) * | 2006-07-20 | 2014-04-09 | 北陸成型工業株式会社 | シャワープレート及びその製造方法、並びにそのシャワープレートを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法 |
JP5125024B2 (ja) * | 2006-08-10 | 2013-01-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用の載置台及びプラズマ処理装置 |
JP5233092B2 (ja) * | 2006-08-10 | 2013-07-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用の載置台及びプラズマ処理装置 |
JP5029089B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2012-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用の載置台及びプラズマ処理装置 |
JP5348919B2 (ja) * | 2008-03-27 | 2013-11-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 電極構造及び基板処理装置 |
-
2009
- 2009-11-02 CN CN2009102079515A patent/CN101740298B/zh active Active
- 2009-11-05 TW TW098137597A patent/TWI478203B/zh active
- 2009-11-06 KR KR1020090107226A patent/KR101614546B1/ko active IP Right Grant
- 2009-11-06 US US12/613,703 patent/US9337003B2/en active Active
- 2009-11-09 JP JP2009256083A patent/JP5399208B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100116437A1 (en) | 2010-05-13 |
KR20100051577A (ko) | 2010-05-17 |
JP2010135781A (ja) | 2010-06-17 |
US9337003B2 (en) | 2016-05-10 |
CN101740298B (zh) | 2012-07-25 |
CN101740298A (zh) | 2010-06-16 |
KR101614546B1 (ko) | 2016-04-21 |
TW201030797A (en) | 2010-08-16 |
TWI478203B (zh) | 2015-03-21 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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