JP2814370B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
-
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- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理装置
に関する。
に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造工程にはプラズマを用いた処
理工程として、例えば成膜工程、エッチング工程、アッ
シング工程等がある。これらの工程では成膜用あるいは
成膜除去用として種々のプロセスガスが用いられてい
る。これらのプロセスガスは、プラズマ発生手段により
プラズマ化してそれぞれの目的に応じて半導体ウエハ表
面の化学組成物と反応し、揮発性の反応生成物を排気し
て所期のプロセスを完結するようにしてある。
理工程として、例えば成膜工程、エッチング工程、アッ
シング工程等がある。これらの工程では成膜用あるいは
成膜除去用として種々のプロセスガスが用いられてい
る。これらのプロセスガスは、プラズマ発生手段により
プラズマ化してそれぞれの目的に応じて半導体ウエハ表
面の化学組成物と反応し、揮発性の反応生成物を排気し
て所期のプロセスを完結するようにしてある。
【0003】このようなプラズマ処理においては、従来
から例えば平行平板式電極等の種々のプラズマ発生手段
が用いられている。その中でも平行平板式電極を備えた
プラズマ処理装置は、均一性に優れ、大口径の半導体ウ
エハの処理が可能であるなどの長所を有し、また、装置
構成も比較的簡単であることから、数多く採用されてい
る。
から例えば平行平板式電極等の種々のプラズマ発生手段
が用いられている。その中でも平行平板式電極を備えた
プラズマ処理装置は、均一性に優れ、大口径の半導体ウ
エハの処理が可能であるなどの長所を有し、また、装置
構成も比較的簡単であることから、数多く採用されてい
る。
【0004】平行平板型のプラズマ処理装置は、一般的
に、処理室内で半導体ウエハを保持する下部電極と、こ
の下部電極と隙間を介して上方で平行に対向する上部電
極とを備え、例えば上部電極の下部電極との対向面に形
成された多数の孔から反応性ガスを供給しながら下部電
極に高周波電力を印加してこれら両電極間でプラズマを
発生させ、このプラズマにより半導体ウエハのエッチン
グ処理などを行うようにしてある。そして、例えば半導
体ウエハの表面に形成されたシリコン酸化膜、シリコン
窒化膜などにエッチング処理を施す際には、従来からプ
ロセスガスとしてCF4、CHF3等のCF系ガスなどが
用いられている。例えばCF系ガスによるエッチング処
理の場合には、CF系ガスがプラズマ化してイオン、ラ
ジカル等の活性種が生成すると、これらの活性種が所定
のパターンで露呈したシリコン酸化膜等の化学組成物と
物理化学的に反応してSiF4、CO2などの揮発性ガス
が生成し、この揮発性ガスは処理室内から外部へ排出、
除去される。
に、処理室内で半導体ウエハを保持する下部電極と、こ
の下部電極と隙間を介して上方で平行に対向する上部電
極とを備え、例えば上部電極の下部電極との対向面に形
成された多数の孔から反応性ガスを供給しながら下部電
極に高周波電力を印加してこれら両電極間でプラズマを
発生させ、このプラズマにより半導体ウエハのエッチン
グ処理などを行うようにしてある。そして、例えば半導
体ウエハの表面に形成されたシリコン酸化膜、シリコン
窒化膜などにエッチング処理を施す際には、従来からプ
ロセスガスとしてCF4、CHF3等のCF系ガスなどが
用いられている。例えばCF系ガスによるエッチング処
理の場合には、CF系ガスがプラズマ化してイオン、ラ
ジカル等の活性種が生成すると、これらの活性種が所定
のパターンで露呈したシリコン酸化膜等の化学組成物と
物理化学的に反応してSiF4、CO2などの揮発性ガス
が生成し、この揮発性ガスは処理室内から外部へ排出、
除去される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
プラズマ処理装置の場合には、エッチング等のプラズマ
処理によりプロセスガスがウエハ表面の化学組成物と完
全に化学量論的に反応すればその反応生成物は上述のよ
うに処理室外へ排出されるが、プロセスガスの一部は未
反応のまま排出され、また一部は活性種が未反応のまま
再結合するなどしてCXFY、CXFYOZ等のフロロカー
ボン系の重合体等が不揮発性の反応生成物として生成す
る。そして、これらは処理室内面に付着し勝ちである
が、この付着状態についてよくよく観察すると特に処理
室の天面及び底面と側壁とで形成される隅角部に多く付
着し、堆積していることが多く、この堆積物がパーティ
クルの原因になるという課題があった。
プラズマ処理装置の場合には、エッチング等のプラズマ
処理によりプロセスガスがウエハ表面の化学組成物と完
全に化学量論的に反応すればその反応生成物は上述のよ
うに処理室外へ排出されるが、プロセスガスの一部は未
反応のまま排出され、また一部は活性種が未反応のまま
再結合するなどしてCXFY、CXFYOZ等のフロロカー
ボン系の重合体等が不揮発性の反応生成物として生成す
る。そして、これらは処理室内面に付着し勝ちである
が、この付着状態についてよくよく観察すると特に処理
室の天面及び底面と側壁とで形成される隅角部に多く付
着し、堆積していることが多く、この堆積物がパーティ
クルの原因になるという課題があった。
【0006】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、プラズマ処理時に発生する不揮発性の反応
生成物が処理室内の固体表面で形成される隅角部等の特
定の部分に集中的に付着したり堆積することを防止し、
もってパーティクルの発生を抑制できるプラズマ処理装
置を提供することを目的としている。
れたもので、プラズマ処理時に発生する不揮発性の反応
生成物が処理室内の固体表面で形成される隅角部等の特
定の部分に集中的に付着したり堆積することを防止し、
もってパーティクルの発生を抑制できるプラズマ処理装
置を提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、処理室内
の隅角部に反応生成物が付着、堆積し易い点について鋭
意研究を重ねた結果、特に処理室内でプラズマ領域を囲
む固体表面のうち、固体表面の隅角部ではプラズマ処理
時の反応生成物が滞留し易いことが判った。しかもプラ
ズマはその空間の表面積をできるだけ小さくする傾向を
示すにも拘らず、前述した処理室内の隅角部の断面形状
が略直角に形成されているため、プラズマ領域端とこの
隅角部との間に形成されるシースでは電界強度が他の部
分と比較して弱く(等電位線の間隔が広く)、この隅角
部では他の部分よりもスパッタリング作用を受け難いた
め、隅角部には他の部分よりも不揮発性の反応生成物が
集中的に堆積する傾向にあることを知見した。
の隅角部に反応生成物が付着、堆積し易い点について鋭
意研究を重ねた結果、特に処理室内でプラズマ領域を囲
む固体表面のうち、固体表面の隅角部ではプラズマ処理
時の反応生成物が滞留し易いことが判った。しかもプラ
ズマはその空間の表面積をできるだけ小さくする傾向を
示すにも拘らず、前述した処理室内の隅角部の断面形状
が略直角に形成されているため、プラズマ領域端とこの
隅角部との間に形成されるシースでは電界強度が他の部
分と比較して弱く(等電位線の間隔が広く)、この隅角
部では他の部分よりもスパッタリング作用を受け難いた
め、隅角部には他の部分よりも不揮発性の反応生成物が
集中的に堆積する傾向にあることを知見した。
【0008】本発明は上記知見に基づいてなされたもの
で、請求項1に記載のプラズマ処理装置は、処理室内で
プラズマ発生手段によりプラズマを発生させ、その処理
室内に配置された被処理体にプラズマ処理を施すプラズ
マ処理装置において、上記処理室内の隅角部は、その表
面とプラズマ間に形成されるシース厚と、上記隅角部を
形成する二面の表面とプラズマ間にそれぞれ形成される
シース厚とが略均一になる表面形状として形成されてい
ることを特徴とするものである。
で、請求項1に記載のプラズマ処理装置は、処理室内で
プラズマ発生手段によりプラズマを発生させ、その処理
室内に配置された被処理体にプラズマ処理を施すプラズ
マ処理装置において、上記処理室内の隅角部は、その表
面とプラズマ間に形成されるシース厚と、上記隅角部を
形成する二面の表面とプラズマ間にそれぞれ形成される
シース厚とが略均一になる表面形状として形成されてい
ることを特徴とするものである。
【0009】また、本発明の請求項2に記載のプラズマ
処理装置は、処理室内に対向配置された一対の第1、第
2電極の少なくとも一方に高周波電力を印加してプラズ
マを発生させ、上記処理室内の電極に配置された被処理
体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、上
記処理室内の隅角部は、その表面とプラズマ間に形成さ
れるシース厚と、上記隅角部を形成する二面それぞれの
表面とプラズマ間に形成されるシース厚とが略均一にな
る表面形状として形成されていることを特徴とするもの
である。
処理装置は、処理室内に対向配置された一対の第1、第
2電極の少なくとも一方に高周波電力を印加してプラズ
マを発生させ、上記処理室内の電極に配置された被処理
体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、上
記処理室内の隅角部は、その表面とプラズマ間に形成さ
れるシース厚と、上記隅角部を形成する二面それぞれの
表面とプラズマ間に形成されるシース厚とが略均一にな
る表面形状として形成されていることを特徴とするもの
である。
【0010】また、本発明の請求項3に記載のプラズマ
処理装置は、請求項1または請求項2に記載の発明にお
いて、上記隅角部に上記表面形状を有するリング状部材
が設けられていることを特徴とするものである。
処理装置は、請求項1または請求項2に記載の発明にお
いて、上記隅角部に上記表面形状を有するリング状部材
が設けられていることを特徴とするものである。
【0011】また、本発明の請求項4に記載のプラズマ
処理装置は、請求項2または請求項3に記載の発明にお
いて、上記被処理体が配置された電極の外周と上記処理
室内周面との間に上記被処理体側にプラズマを閉じ込め
るリング状封止手段が設けられていることを特徴とする
ものである。
処理装置は、請求項2または請求項3に記載の発明にお
いて、上記被処理体が配置された電極の外周と上記処理
室内周面との間に上記被処理体側にプラズマを閉じ込め
るリング状封止手段が設けられていることを特徴とする
ものである。
【0012】また、本発明の請求項5に記載のプラズマ
処理装置は、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載
の発明において、上記処理室内の隅角部の表面は、その
表面とプラズマ間のシース厚が上記隅角部を形成する二
面の表面とプラズマ間にそれぞれ形成されるシース厚と
略等しくなる湾曲表面として形成されていることを特徴
とするものである。
処理装置は、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載
の発明において、上記処理室内の隅角部の表面は、その
表面とプラズマ間のシース厚が上記隅角部を形成する二
面の表面とプラズマ間にそれぞれ形成されるシース厚と
略等しくなる湾曲表面として形成されていることを特徴
とするものである。
【0013】また、本発明の請求項6に記載のプラズマ
処理装置は、請求項5に記載の発明において、上記湾曲
表面はシース厚を一定にする曲率半径を有することを特
徴とするものである。
処理装置は、請求項5に記載の発明において、上記湾曲
表面はシース厚を一定にする曲率半径を有することを特
徴とするものである。
【0014】また、本発明の請求項7に記載のプラズマ
処理装置は、請求項6に記載の発明において、上記曲率
半径は2cm以上であることを特徴とするものである。
処理装置は、請求項6に記載の発明において、上記曲率
半径は2cm以上であることを特徴とするものである。
【0015】
【作用】本発明の請求項1に記載の発明によれば、処理
室内において真空放電やマイクロ波照射、あるいはこれ
らを磁場印加手段と併用するなどのプラズマ発生手段に
よりプラズマを発生させると、このプラズマにより処理
室内に配置された被処理体に所定の処理を施すことがで
きる。この際、プラズマは処理室内全体に広がってプラ
ズマ領域を形成し、このプラズマ領域端とプラズマを囲
む処理室内の固体表面との間にシースが形成され、この
時、処理室内の隅角部の表面とプラズマ間に形成される
シース厚と、上記隅角部を形成する例えば天面と側壁等
のような二面の表面とプラズマ間にそれぞれ形成される
シース厚とが略均一になってシース全領域内での電界強
度が略均一になり、処理室内の固体表面のいずれにおい
ても略均一なスパッタリング作用を受けるため、不揮発
性の反応生成物が処理室内の隅角部に集中的に堆積する
ことを防止することができる。
室内において真空放電やマイクロ波照射、あるいはこれ
らを磁場印加手段と併用するなどのプラズマ発生手段に
よりプラズマを発生させると、このプラズマにより処理
室内に配置された被処理体に所定の処理を施すことがで
きる。この際、プラズマは処理室内全体に広がってプラ
ズマ領域を形成し、このプラズマ領域端とプラズマを囲
む処理室内の固体表面との間にシースが形成され、この
時、処理室内の隅角部の表面とプラズマ間に形成される
シース厚と、上記隅角部を形成する例えば天面と側壁等
のような二面の表面とプラズマ間にそれぞれ形成される
シース厚とが略均一になってシース全領域内での電界強
度が略均一になり、処理室内の固体表面のいずれにおい
ても略均一なスパッタリング作用を受けるため、不揮発
性の反応生成物が処理室内の隅角部に集中的に堆積する
ことを防止することができる。
【0016】また、本発明の請求項2に記載の発明によ
れば、例えば第1、第2電極の少なくとも一方に高周波
電力を印加して処理室の内壁面等の固体表面で囲まれた
処理空間でプラズマを発生させると、このプラズマは両
電極間の隙間から処理室内全体に広がってプラズマ領域
を形成し、このプラズマ領域端とプラズマを囲む処理室
内の固体表面との間にシースが形成され、この時、処理
室内の隅角部の表面とプラズマ間に形成されるシース厚
と、上記隅角部を形成する例えば天面と側壁等のような
二面の表面とプラズマ間にそれぞれ形成されるシース厚
とが略均一になって隅角部でも他の壁面等と同様に略均
一なスパッタリング作用を受けるため、従来は不揮発性
の反応生成物が集中的に堆積しがちであった隅角部にこ
のような反応生成物が集中的に堆積することを防止する
ことができる。
れば、例えば第1、第2電極の少なくとも一方に高周波
電力を印加して処理室の内壁面等の固体表面で囲まれた
処理空間でプラズマを発生させると、このプラズマは両
電極間の隙間から処理室内全体に広がってプラズマ領域
を形成し、このプラズマ領域端とプラズマを囲む処理室
内の固体表面との間にシースが形成され、この時、処理
室内の隅角部の表面とプラズマ間に形成されるシース厚
と、上記隅角部を形成する例えば天面と側壁等のような
二面の表面とプラズマ間にそれぞれ形成されるシース厚
とが略均一になって隅角部でも他の壁面等と同様に略均
一なスパッタリング作用を受けるため、従来は不揮発性
の反応生成物が集中的に堆積しがちであった隅角部にこ
のような反応生成物が集中的に堆積することを防止する
ことができる。
【0017】また、本発明の請求項3に記載の発明によ
れば、請求項1または請求項2に記載の発明において、
上記隅角部に上記表面形状を有するリング状部材を設け
られているため、リング状部材を上記隅角部に設ける前
に処理室とは別部材としてリング状部材の表面を上記表
面形状として容易に加工することができる。
れば、請求項1または請求項2に記載の発明において、
上記隅角部に上記表面形状を有するリング状部材を設け
られているため、リング状部材を上記隅角部に設ける前
に処理室とは別部材としてリング状部材の表面を上記表
面形状として容易に加工することができる。
【0018】また、本発明の請求項4に記載の発明によ
れば、請求項2または請求項3に記載の発明において、
例えば第1、第2電極のいずれかに被処理体を配置し、
リング状封止手段により被処理体側の空間をそれ以外の
空間から封止した後、第1、第2電極の少なくとも一方
に高周波電力を印加してプラズマを発生させると、この
プラズマは両電極間の隙間からリング状封止手段により
封止された被処理体側の空間全体に広がってプラズマ領
域を形成し、このプラズマ領域端とプラズマを囲む固体
表面との間にシースが形成され、この時、処理室内の隅
角部の表面とプラズマ間に形成されるシース厚と、上記
隅角部を形成する例えば天面と側壁等のような二面の表
面とプラズマ間にそれぞれ形成されるシース厚とが略均
一になって隅角部でも他の壁面部分と同様に略均一なス
パッタリング作用を受けるため、従来は不揮発性の反応
生成物が集中的に堆積しがちであった隅角部にこのよう
な反応生成物が集中的に堆積することを防止することが
できる。
れば、請求項2または請求項3に記載の発明において、
例えば第1、第2電極のいずれかに被処理体を配置し、
リング状封止手段により被処理体側の空間をそれ以外の
空間から封止した後、第1、第2電極の少なくとも一方
に高周波電力を印加してプラズマを発生させると、この
プラズマは両電極間の隙間からリング状封止手段により
封止された被処理体側の空間全体に広がってプラズマ領
域を形成し、このプラズマ領域端とプラズマを囲む固体
表面との間にシースが形成され、この時、処理室内の隅
角部の表面とプラズマ間に形成されるシース厚と、上記
隅角部を形成する例えば天面と側壁等のような二面の表
面とプラズマ間にそれぞれ形成されるシース厚とが略均
一になって隅角部でも他の壁面部分と同様に略均一なス
パッタリング作用を受けるため、従来は不揮発性の反応
生成物が集中的に堆積しがちであった隅角部にこのよう
な反応生成物が集中的に堆積することを防止することが
できる。
【0019】また、本発明の請求項5に記載の発明によ
れば、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の発明
において、上記処理室内の隅角部の表面は、その表面と
プラズマ間のシース厚が上記隅角部を形成する例えば天
面と側壁等のような二面の表面とプラズマ間にそれぞれ
形成されるシース厚と略等しくなる湾曲表面として形成
されているため、固体表面により形成される隅角部とそ
の他の部分とで略均一なシース厚を作ることができる。
れば、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の発明
において、上記処理室内の隅角部の表面は、その表面と
プラズマ間のシース厚が上記隅角部を形成する例えば天
面と側壁等のような二面の表面とプラズマ間にそれぞれ
形成されるシース厚と略等しくなる湾曲表面として形成
されているため、固体表面により形成される隅角部とそ
の他の部分とで略均一なシース厚を作ることができる。
【0020】また、本発明の請求項6及び請求項7に記
載の発明によれば、請求項5に記載の発明において、上
記湾曲表面はシース厚を一定にする曲率半径例えば2c
m以上を有するため、上記固体表面により形成される隅
角部の表面全体で略均一なシース厚を作ることができ
る。
載の発明によれば、請求項5に記載の発明において、上
記湾曲表面はシース厚を一定にする曲率半径例えば2c
m以上を有するため、上記固体表面により形成される隅
角部の表面全体で略均一なシース厚を作ることができ
る。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、図1〜図6に示す実施形態
に基づいて本発明を説明する。本実施形態のエッチング
処理装置は、被処理体である半導体ウエハWの表面に形
成されたシリコン酸化膜をエッチング処理する場合に用
いられるもので、図1に示すように、所定の真空度を保
持できる気密構造の処理室1と、この処理室1内に配設
された上下一対の電極2、3とを備え、下部電極3上に
半導体ウエハWを載置してエッチング処理を行うように
構成されている。
に基づいて本発明を説明する。本実施形態のエッチング
処理装置は、被処理体である半導体ウエハWの表面に形
成されたシリコン酸化膜をエッチング処理する場合に用
いられるもので、図1に示すように、所定の真空度を保
持できる気密構造の処理室1と、この処理室1内に配設
された上下一対の電極2、3とを備え、下部電極3上に
半導体ウエハWを載置してエッチング処理を行うように
構成されている。
【0022】そして、処理室1は、表面がアルマイト処
理されたアルミニウムにより略円筒状に形成され、しか
も接地されている。処理室1の側壁には排気用ノズル1
Aが取り付けられている。この排気用ノズル1Aには真
空ポンプ4が排気管5を介して接続され、真空ポンプ4
により処理室1内を真空排気して所定の真空度例えば1
0Paに維持するようにしてある。また、処理室1の側
壁には処理室1内に半導体ウエハWを搬入するための搬
入口1Bが形成され、この搬入口1Bにはゲートバルブ
6を介してロードロック室7が接続されている。そし
て、ウエハ搬送機構7Aにより半導体ウエハWをロード
ロック室7から処理室1内へ搬入し、処理室1内から搬
出するようにしてある。
理されたアルミニウムにより略円筒状に形成され、しか
も接地されている。処理室1の側壁には排気用ノズル1
Aが取り付けられている。この排気用ノズル1Aには真
空ポンプ4が排気管5を介して接続され、真空ポンプ4
により処理室1内を真空排気して所定の真空度例えば1
0Paに維持するようにしてある。また、処理室1の側
壁には処理室1内に半導体ウエハWを搬入するための搬
入口1Bが形成され、この搬入口1Bにはゲートバルブ
6を介してロードロック室7が接続されている。そし
て、ウエハ搬送機構7Aにより半導体ウエハWをロード
ロック室7から処理室1内へ搬入し、処理室1内から搬
出するようにしてある。
【0023】上部電極2は、偏平な中空円盤構造として
形成され、処理室1の天面中央に形成された孔に絶縁部
材8を介して装着されている。この上部電極2の上面2
Aにはプロセスガスを受給する受給配管2Bが接続さ
れ、また、下部電極3との対向面2C全面には受給配管
2Bから受給されたプロセスガスを処理室1内へ分散供
給するガス供給孔2Dが均等に分散して形成されてい
る。更に、上部電極2には例えば高周波電源9がマッチ
ング回路10を介して接続され、この高周波電源9から
マッチング回路10を介して上部電極2に例えば27.
12MHzの高周波電力を印加するようにしてある。
形成され、処理室1の天面中央に形成された孔に絶縁部
材8を介して装着されている。この上部電極2の上面2
Aにはプロセスガスを受給する受給配管2Bが接続さ
れ、また、下部電極3との対向面2C全面には受給配管
2Bから受給されたプロセスガスを処理室1内へ分散供
給するガス供給孔2Dが均等に分散して形成されてい
る。更に、上部電極2には例えば高周波電源9がマッチ
ング回路10を介して接続され、この高周波電源9から
マッチング回路10を介して上部電極2に例えば27.
12MHzの高周波電力を印加するようにしてある。
【0024】下部電極3は、アルミニウムなどにより円
柱状に形成され、セラミック等の絶縁部材11を介して
処理室1の底面に配設され、その軸心が処理室1の軸心
と一致している。この下部電極3には低周波電源12が
マッチング回路13を介して接続され、この低周波電源
12によりマッチング回路13を介して下部電極3に例
えば800KHzの低周波電力を印加し、27.12M
Hzの高周波電力が印加された上部電極2との間でプロ
セスガスを介して放電しプラズマPを発生させるように
してある。そして、このように上部電極2に高周波電力
を印加し、下部電極3に低周波電力を印加することによ
り高密度のプラズマPが発生すると共に、下部電極3の
低周波電力によりプラズマP中のイオン種が半導体ウエ
ハWに引き寄せられ、半導体ウエハWのエッチング速度
を高めるようにしてある。
柱状に形成され、セラミック等の絶縁部材11を介して
処理室1の底面に配設され、その軸心が処理室1の軸心
と一致している。この下部電極3には低周波電源12が
マッチング回路13を介して接続され、この低周波電源
12によりマッチング回路13を介して下部電極3に例
えば800KHzの低周波電力を印加し、27.12M
Hzの高周波電力が印加された上部電極2との間でプロ
セスガスを介して放電しプラズマPを発生させるように
してある。そして、このように上部電極2に高周波電力
を印加し、下部電極3に低周波電力を印加することによ
り高密度のプラズマPが発生すると共に、下部電極3の
低周波電力によりプラズマP中のイオン種が半導体ウエ
ハWに引き寄せられ、半導体ウエハWのエッチング速度
を高めるようにしてある。
【0025】更に、下部電極3内にはリング状の冷媒室
3Aが形成され、この冷媒室3Aに冷媒配管3Bを介し
てパーフルオロポリエーテル等の冷媒14を循環させて
下部電極3を冷却するようにしてある。この冷媒室3A
の上側にはリング状のセラミックヒータ3Cが埋設さ
れ、このセラミックヒータ3Cからの加熱と冷媒室3A
からの冷却により下部電極3を所定温度に適宜調整し、
もって半導体ウエハWの温度を調できるようにしてあ
る。また、下部電極3の上面には静電チャック15が配
設され、この静電チャック15により半導体ウエハWを
静電吸着するようにしてある。そして、下部電極3上面
の外周縁部にはフォーカスリング16が配設され、この
フォーカスリング16により上下の両電極2、3間で発
生したプラズマP中の活性種を半導体ウエハWへ集束す
る。尚、セラミックヒータ3Cには電源3Dが接続さ
れ、この電源3Dによりセラミックヒータ3Cによる加
熱温度を適宜調整するようにしてある。また、静電チャ
ック15には直流電源15Aが接続され、この直流電源
15Aにより静電チャック15に高電圧を印加し、その
時のクーロン力により半導体ウエハWを吸着するように
してある。
3Aが形成され、この冷媒室3Aに冷媒配管3Bを介し
てパーフルオロポリエーテル等の冷媒14を循環させて
下部電極3を冷却するようにしてある。この冷媒室3A
の上側にはリング状のセラミックヒータ3Cが埋設さ
れ、このセラミックヒータ3Cからの加熱と冷媒室3A
からの冷却により下部電極3を所定温度に適宜調整し、
もって半導体ウエハWの温度を調できるようにしてあ
る。また、下部電極3の上面には静電チャック15が配
設され、この静電チャック15により半導体ウエハWを
静電吸着するようにしてある。そして、下部電極3上面
の外周縁部にはフォーカスリング16が配設され、この
フォーカスリング16により上下の両電極2、3間で発
生したプラズマP中の活性種を半導体ウエハWへ集束す
る。尚、セラミックヒータ3Cには電源3Dが接続さ
れ、この電源3Dによりセラミックヒータ3Cによる加
熱温度を適宜調整するようにしてある。また、静電チャ
ック15には直流電源15Aが接続され、この直流電源
15Aにより静電チャック15に高電圧を印加し、その
時のクーロン力により半導体ウエハWを吸着するように
してある。
【0026】そして、本実施形態では、プロセスガスと
して例えばテトラフルオロカーボン(CF4)ガス及び
トリフルオロハイドロカーボン(CHF3)ガスを所定
の配合比で供給するようにしてあり、CF4ガス及びC
HF3ガスは第1、第2ガス供給源17A、17Bから
それぞれの配管18A、18Bを介して供給され、受給
配管2Bにおいて合流し、上部電極2内へ流入するよう
にしてある。各配管18A、18Bには上流側から下流
側へマスフローコントローラ19A、19B及びバルブ
20A、20Bが順次配設され、これら両者によってC
F4ガスとCHF3ガスの配合比を適宜調整し、所定比の
プロセスガスの流量は受給配管2Bのバルブ21により
適宜調整するようにしてある。
して例えばテトラフルオロカーボン(CF4)ガス及び
トリフルオロハイドロカーボン(CHF3)ガスを所定
の配合比で供給するようにしてあり、CF4ガス及びC
HF3ガスは第1、第2ガス供給源17A、17Bから
それぞれの配管18A、18Bを介して供給され、受給
配管2Bにおいて合流し、上部電極2内へ流入するよう
にしてある。各配管18A、18Bには上流側から下流
側へマスフローコントローラ19A、19B及びバルブ
20A、20Bが順次配設され、これら両者によってC
F4ガスとCHF3ガスの配合比を適宜調整し、所定比の
プロセスガスの流量は受給配管2Bのバルブ21により
適宜調整するようにしてある。
【0027】ところで、本実施形態では、図1、図2に
示すように処理室1の天面と側壁で作る隅角部、底面と
側壁で作る隅角部、あるいは上部電極2の周面と処理室
1の天面で作る隅角部、及び下部電極3の周面と処理室
1の底面で作る隅角部には石英等の絶縁性部材により形
成されたリング状部材22、23、24、25が取り付
けられている。これらのリング状部材22、23、2
4、25はいずれもプラズマPを囲む表面がプラズマP
の外端に即して湾曲形成され、これらの部分で不揮発性
のラジカル種が流れ易く、滞留しないようにしてある。
これらのリング状部材22、23、24、25はいずれ
も処理室1とは別部材であることから、処理室1の内面
を形成する湾曲面を容易に加工することができる。
示すように処理室1の天面と側壁で作る隅角部、底面と
側壁で作る隅角部、あるいは上部電極2の周面と処理室
1の天面で作る隅角部、及び下部電極3の周面と処理室
1の底面で作る隅角部には石英等の絶縁性部材により形
成されたリング状部材22、23、24、25が取り付
けられている。これらのリング状部材22、23、2
4、25はいずれもプラズマPを囲む表面がプラズマP
の外端に即して湾曲形成され、これらの部分で不揮発性
のラジカル種が流れ易く、滞留しないようにしてある。
これらのリング状部材22、23、24、25はいずれ
も処理室1とは別部材であることから、処理室1の内面
を形成する湾曲面を容易に加工することができる。
【0028】しかも、これらの湾曲表面22A、23
A、24A、25Aは、それらの表面とプラズマPとの
間に形成されるシースSの厚さが、図2で誇張して示す
ように、その他の部分、例えば処理室1の内周面、天
面、底面や、下部電極3の表面で形成されるシース厚と
略等しくなり、プラズマPを囲む固体表面の全領域でシ
ースSの厚さが略均一になるようにしてある。このこと
は換言すれば、これらの湾曲表面22A、23A、24
A、25AにおけるシースSの等電位線の間隔が、図2
に示すように、その他の部分と略同一で、プラズマPを
囲む半導体ウエハW以外の固体表面の全領域でシースS
における電界強度が略均一になるようにしてある。シー
スSが固体表面の全領域で均一であることは、プラズマ
処理中にプラズマPの空間が明るく、シースSが暗く観
測されるために、視覚的に確認することができる。尚、
リング状部材22、23、24、25の代わりに、それ
ぞれの隅角部を処理室1や上下の電極2、3と一体的に
湾曲形成したものであっても良い。
A、24A、25Aは、それらの表面とプラズマPとの
間に形成されるシースSの厚さが、図2で誇張して示す
ように、その他の部分、例えば処理室1の内周面、天
面、底面や、下部電極3の表面で形成されるシース厚と
略等しくなり、プラズマPを囲む固体表面の全領域でシ
ースSの厚さが略均一になるようにしてある。このこと
は換言すれば、これらの湾曲表面22A、23A、24
A、25AにおけるシースSの等電位線の間隔が、図2
に示すように、その他の部分と略同一で、プラズマPを
囲む半導体ウエハW以外の固体表面の全領域でシースS
における電界強度が略均一になるようにしてある。シー
スSが固体表面の全領域で均一であることは、プラズマ
処理中にプラズマPの空間が明るく、シースSが暗く観
測されるために、視覚的に確認することができる。尚、
リング状部材22、23、24、25の代わりに、それ
ぞれの隅角部を処理室1や上下の電極2、3と一体的に
湾曲形成したものであっても良い。
【0029】ところで、上述のようにリング状部材2
2、23、24、25は絶縁性部材により形成されてい
るため、これらのリング状部材は浮動電位を持つことに
なる。そのため、リング状部材22、23、24、25
は接地されている処理室1の壁面に比べて数ボルト(3
〜6ボルト)高い電位になる。しかしながら、各リング
状部材22、23、24、25の電位は本実施形態のエ
ッチング処理装置のプロセス条件の下で発生するプラズ
マ電位(40〜50ボルト)と比べて十分に小さいた
め、シースSにおける電界強度は全て略均一になる。各
リング状部材22、23、24、25は、処理室1の壁
面と同じ材質例えばアルマイト処理されたアルミニウム
で作っても良いが、この場合には処理室1の壁面と上部
電極2または下部電極3との絶縁に配慮する必要があ
る。
2、23、24、25は絶縁性部材により形成されてい
るため、これらのリング状部材は浮動電位を持つことに
なる。そのため、リング状部材22、23、24、25
は接地されている処理室1の壁面に比べて数ボルト(3
〜6ボルト)高い電位になる。しかしながら、各リング
状部材22、23、24、25の電位は本実施形態のエ
ッチング処理装置のプロセス条件の下で発生するプラズ
マ電位(40〜50ボルト)と比べて十分に小さいた
め、シースSにおける電界強度は全て略均一になる。各
リング状部材22、23、24、25は、処理室1の壁
面と同じ材質例えばアルマイト処理されたアルミニウム
で作っても良いが、この場合には処理室1の壁面と上部
電極2または下部電極3との絶縁に配慮する必要があ
る。
【0030】さて、次に処理室の隅角部の湾曲形状につ
いて考察する。それにはまず、外部から直角な隅角部を
観察できるようにした、実際の処理装置と略等しい放電
容器1(便宜上、放電容器には上述した処理室と同一符
号を付けた)を用いてその内部でプラズマを発生させ、
この放電容器1の隅角部におけるシース(暗部)Sの形
状を観察したところ、シースS、換言すればプラズマP
の外端は図3に示すように略円弧を描く形状であった。
この円弧の曲率半径をrとすると、rは電力や圧力など
の放電条件によって異なるが、実際のプロセスで使用す
る放電条件下では、rは1〜2cm程度であった。放電
容器の隅角部でプラズマPが曲率半径rを有するのは、
定性的には概ね次のように説明することができる。
いて考察する。それにはまず、外部から直角な隅角部を
観察できるようにした、実際の処理装置と略等しい放電
容器1(便宜上、放電容器には上述した処理室と同一符
号を付けた)を用いてその内部でプラズマを発生させ、
この放電容器1の隅角部におけるシース(暗部)Sの形
状を観察したところ、シースS、換言すればプラズマP
の外端は図3に示すように略円弧を描く形状であった。
この円弧の曲率半径をrとすると、rは電力や圧力など
の放電条件によって異なるが、実際のプロセスで使用す
る放電条件下では、rは1〜2cm程度であった。放電
容器の隅角部でプラズマPが曲率半径rを有するのは、
定性的には概ね次のように説明することができる。
【0031】即ち一般的に、図4の(a)、(b)に示
すようにある空間がプラズマPとして維持されるために
は、プラズマP中のある荷電粒子qが作る電界が、距離
αの範囲に含まれる逆の電荷を持つ荷電粒子が作る電界
で打ち消され、その範囲外の空間が電気的に中性となっ
ていなければならない。この条件が成立するための距離
αは、デバイ長λdの5倍程度である(水野幸雄著:プ
ラズマ物理学、共立出版(株)pp9〜12)。そこ
で、図5に示すように平面部のシースの境界線をm1、
m2、隅角部のシースの境界が作る円弧の接線をm0とす
る。隅角部で上述の中性条件が満たされるためには接線
m0と境界線m1、m2それぞれとの交点で作られる線分
m0の長さが2αより小さくならないと考えられる。従
って、プラズマの曲率半径rは次式で示すように見積る
ことができる。 r=(1+√2)α≒12λd(但し、α≒5λd) 尚、λdは、上記文献等で示されるデバイ長を求める式
にプラズマパラメータ(プラズマ密度(正イオン密
度):ni、電子温度:Te、プラズマ電位:Vp)を代
入することにより算出することができる。
すようにある空間がプラズマPとして維持されるために
は、プラズマP中のある荷電粒子qが作る電界が、距離
αの範囲に含まれる逆の電荷を持つ荷電粒子が作る電界
で打ち消され、その範囲外の空間が電気的に中性となっ
ていなければならない。この条件が成立するための距離
αは、デバイ長λdの5倍程度である(水野幸雄著:プ
ラズマ物理学、共立出版(株)pp9〜12)。そこ
で、図5に示すように平面部のシースの境界線をm1、
m2、隅角部のシースの境界が作る円弧の接線をm0とす
る。隅角部で上述の中性条件が満たされるためには接線
m0と境界線m1、m2それぞれとの交点で作られる線分
m0の長さが2αより小さくならないと考えられる。従
って、プラズマの曲率半径rは次式で示すように見積る
ことができる。 r=(1+√2)α≒12λd(但し、α≒5λd) 尚、λdは、上記文献等で示されるデバイ長を求める式
にプラズマパラメータ(プラズマ密度(正イオン密
度):ni、電子温度:Te、プラズマ電位:Vp)を代
入することにより算出することができる。
【0032】そこで、図3に示す放電容器1によりプラ
ズマPの曲率半径rを具体的に測定した上記放電条件に
おいて、ラングミュアプローブを用いて放電容器1の壁
近傍のプラズマパラメータを測定したところ、次の通り
であった。 107cm-3<ni<108cm-3、3eV<Te<4e
V、40V<Vp<50V そして、これらの測定値を上記文献の式に代入してデバ
イ長λdを算出し、このデバイ長λdの算出値を上記式に
代入してプラズマの曲率半径rを算出したところ、rは
1〜3cmであり、観察値(1〜2cm)と略一致し
た。
ズマPの曲率半径rを具体的に測定した上記放電条件に
おいて、ラングミュアプローブを用いて放電容器1の壁
近傍のプラズマパラメータを測定したところ、次の通り
であった。 107cm-3<ni<108cm-3、3eV<Te<4e
V、40V<Vp<50V そして、これらの測定値を上記文献の式に代入してデバ
イ長λdを算出し、このデバイ長λdの算出値を上記式に
代入してプラズマの曲率半径rを算出したところ、rは
1〜3cmであり、観察値(1〜2cm)と略一致し
た。
【0033】一方、隅角部の影響のない平面部分でのシ
ース厚dは、例えば上述したプラズマパラメータをチャ
イルド−ラングミュアの法則を表す式(堤井信力著:プ
ラズマ基礎工学、内田老鶴圃pp27〜29)に代入す
ることにより算出することができ、この条件下ではシー
ス厚dは1〜3cmと算出することができる。
ース厚dは、例えば上述したプラズマパラメータをチャ
イルド−ラングミュアの法則を表す式(堤井信力著:プ
ラズマ基礎工学、内田老鶴圃pp27〜29)に代入す
ることにより算出することができ、この条件下ではシー
ス厚dは1〜3cmと算出することができる。
【0034】従って、放電容器1の隅角部に付着物が付
かないようにするためには隅角部の曲率半径Rは、R≧
r+dとして与えられる。このような曲率半径Rを設け
ることで、隅角部においてもシース厚dが隅角部の影響
のない平面部におけるシース厚と同じになり、隅角部で
あっても付着物が付かなくなる。本装置においては隅角
部の曲率半径RがR≧2〜3cmに設定すれば隅角部に
付着物が付かないことが確認された。尚、隅角部に形成
される湾曲部の曲率半径は、上述のようにプラズマパラ
メータに基づいて計算により求めることができ、また、
プラズマPを直接観察することによっても求めることが
できる。
かないようにするためには隅角部の曲率半径Rは、R≧
r+dとして与えられる。このような曲率半径Rを設け
ることで、隅角部においてもシース厚dが隅角部の影響
のない平面部におけるシース厚と同じになり、隅角部で
あっても付着物が付かなくなる。本装置においては隅角
部の曲率半径RがR≧2〜3cmに設定すれば隅角部に
付着物が付かないことが確認された。尚、隅角部に形成
される湾曲部の曲率半径は、上述のようにプラズマパラ
メータに基づいて計算により求めることができ、また、
プラズマPを直接観察することによっても求めることが
できる。
【0035】次に動作について説明する。ゲートバルブ
6を開放した後、ロードロック室7内のウエハ搬送機構
7Aが駆動し、半導体ウエハWを処理室1内の静電チャ
ック15上へ搬入する。この時、静電チャック15には
高電圧が印加されており、そのクーロン力で半導体ウエ
ハWを静電チャック15上に吸着する。ウエハ搬送機構
7Aは半導体ウエハWを搬入した後、ゲートバルブ6か
ら後退してロードロック室7内に納まり、ゲートバルブ
6を閉じる。
6を開放した後、ロードロック室7内のウエハ搬送機構
7Aが駆動し、半導体ウエハWを処理室1内の静電チャ
ック15上へ搬入する。この時、静電チャック15には
高電圧が印加されており、そのクーロン力で半導体ウエ
ハWを静電チャック15上に吸着する。ウエハ搬送機構
7Aは半導体ウエハWを搬入した後、ゲートバルブ6か
ら後退してロードロック室7内に納まり、ゲートバルブ
6を閉じる。
【0036】その後、真空ポンプ4が駆動して処理室1
内を真空排気し、所定の真空度に到達したら、第1ガス
供給源17AからCF4ガスを、第2ガス供給源17B
からCHF3ガスをプロセスガスとして供給する。プロ
セスガスの流量比(CF4/CHF3)はマスフローコン
トローラ19A、19B、バルブ20A、20B及びバ
ルブ21により例えば(25sccm/75sccm)
に調整する。そして、プロセスガスを供給する間も真空
引きし、処理室1内のプロセスガス圧が10Paに設定
し、維持する。
内を真空排気し、所定の真空度に到達したら、第1ガス
供給源17AからCF4ガスを、第2ガス供給源17B
からCHF3ガスをプロセスガスとして供給する。プロ
セスガスの流量比(CF4/CHF3)はマスフローコン
トローラ19A、19B、バルブ20A、20B及びバ
ルブ21により例えば(25sccm/75sccm)
に調整する。そして、プロセスガスを供給する間も真空
引きし、処理室1内のプロセスガス圧が10Paに設定
し、維持する。
【0037】この状態で例えば上部電極2に2000W
の高周波電力を印加すると共に下部電極3に800Wの
低周波電力を印加すると、両電極2、3間でプラズマP
が発生する。これによりプロセスガスが解離してフッ素
ラジカルを生成し、このフッ素ラジカルにより半導体ウ
エハWのシリコン酸化膜をエッチングする。このプラズ
マPは両電極2、3間からプラズマPを囲む処理室1内
の固体表面の各隅角部、即ちリング状部材の各湾曲表面
22A、23A、24A、25Aとそれ以外の部分まで
広がり、それぞれの表面との間にシースSを形成する。
の高周波電力を印加すると共に下部電極3に800Wの
低周波電力を印加すると、両電極2、3間でプラズマP
が発生する。これによりプロセスガスが解離してフッ素
ラジカルを生成し、このフッ素ラジカルにより半導体ウ
エハWのシリコン酸化膜をエッチングする。このプラズ
マPは両電極2、3間からプラズマPを囲む処理室1内
の固体表面の各隅角部、即ちリング状部材の各湾曲表面
22A、23A、24A、25Aとそれ以外の部分まで
広がり、それぞれの表面との間にシースSを形成する。
【0038】この時、各隅角部は湾曲表面22A、23
A、24A、25Aとして形成されているため、これら
の隅角部において不揮発性の反応生成物が滞留すること
がない。また、これらの湾曲表面22A、23A、24
A、25Aの湾曲形状は、これらの隅角部とそれ以外の
部分におけるシース厚がいずれにおいても略均一になる
ように形成されているため、シースS全領域での電界強
度が略均一になって、これらの隅角部でも他の部分と同
様に略均一なスパッタリング作用を受けるため、不揮発
性の反応生成物が各隅角部に集中的に堆積することを防
止することができる。そのため、このようなエッチング
処理を繰り返し行って処理室1の内壁面を観察してみて
も、処理室1内の隅角部の湾曲表面22A、23A、2
4A、25Aは処理室1の他の内壁面と同様の状態であ
り、これらの部分(隅角部の表面)に不揮発性の反応生
成物が集中的に付着し、堆積することがなかった。
A、24A、25Aとして形成されているため、これら
の隅角部において不揮発性の反応生成物が滞留すること
がない。また、これらの湾曲表面22A、23A、24
A、25Aの湾曲形状は、これらの隅角部とそれ以外の
部分におけるシース厚がいずれにおいても略均一になる
ように形成されているため、シースS全領域での電界強
度が略均一になって、これらの隅角部でも他の部分と同
様に略均一なスパッタリング作用を受けるため、不揮発
性の反応生成物が各隅角部に集中的に堆積することを防
止することができる。そのため、このようなエッチング
処理を繰り返し行って処理室1の内壁面を観察してみて
も、処理室1内の隅角部の湾曲表面22A、23A、2
4A、25Aは処理室1の他の内壁面と同様の状態であ
り、これらの部分(隅角部の表面)に不揮発性の反応生
成物が集中的に付着し、堆積することがなかった。
【0039】以上説明したように本実施形態によれば、
処理室1内のプラズマPを囲む半導体ウエハW表面以外
の固体表面の隅角部にリング状部材22、23、24、
25を取り付けてそれぞれの隅角部にプラズマPの外端
形状に即した湾曲表面22A、23A、24A、25A
を設けたため、プラズマ処理時に隅角部の湾曲表面22
A、23A、24A、25Aも他の平面部分と同様に略
均一なスパッタリング作用を受け、不揮発性反応生成物
が湾曲表面22A、23A、24A、25Aに集中して
これらの部分に付着、堆積する虞がなく、ひいては堆積
物に起因するパーティクルの発生を抑制することができ
る。また、リング状部材22、23、24、25はいず
れも処理室1とは別部材であることから、処理室1の隅
角部の表面を形成する湾曲表面22A、23A、24
A、25Aを容易に加工することができる。
処理室1内のプラズマPを囲む半導体ウエハW表面以外
の固体表面の隅角部にリング状部材22、23、24、
25を取り付けてそれぞれの隅角部にプラズマPの外端
形状に即した湾曲表面22A、23A、24A、25A
を設けたため、プラズマ処理時に隅角部の湾曲表面22
A、23A、24A、25Aも他の平面部分と同様に略
均一なスパッタリング作用を受け、不揮発性反応生成物
が湾曲表面22A、23A、24A、25Aに集中して
これらの部分に付着、堆積する虞がなく、ひいては堆積
物に起因するパーティクルの発生を抑制することができ
る。また、リング状部材22、23、24、25はいず
れも処理室1とは別部材であることから、処理室1の隅
角部の表面を形成する湾曲表面22A、23A、24
A、25Aを容易に加工することができる。
【0040】図6は本発明の他の実施形態のエッチング
処理装置の要部を中心に示す図である。そこで、本実施
形態のエッチング処理装置の特徴を説明し、図1に示す
エッチング処理装置と同一または相当部分には同一符号
を附してその説明を省略する。本実施形態のエッチング
処理装置は、図6に示すように、主として下部電極3を
昇降可能に構成されている点を除き、図1に示すエッチ
ング処理装置に準じて構成されている(但し、高低周波
電源などは省略してある)。
処理装置の要部を中心に示す図である。そこで、本実施
形態のエッチング処理装置の特徴を説明し、図1に示す
エッチング処理装置と同一または相当部分には同一符号
を附してその説明を省略する。本実施形態のエッチング
処理装置は、図6に示すように、主として下部電極3を
昇降可能に構成されている点を除き、図1に示すエッチ
ング処理装置に準じて構成されている(但し、高低周波
電源などは省略してある)。
【0041】即ち、本実施形態では、下部電極3の下面
中心に昇降機構26がロッド26Aを介して連結され、
この昇降機構26により下部電極3を昇降できるように
してある。つまり、下部電極3は、図6に示すように、
昇降機構26により二点鎖線で示す位置と実線で示す位
置との間で昇降動するように構成され、半導体ウエハW
を処理室1内に搬入する時には二点鎖線で示す位置まで
下降し、エッチング処理を施す時には実線で示す位置ま
で上昇して上部電極2との間で所定の隙間を作るように
構成されている。また、下部電極3の下面には円筒状の
ベローズ27の上端が接続され、ベローズ27の下端に
は処理室1底面の円筒状突起1Cが接続され、このベロ
ーズ27により処理室1内の気密を維持すると共に下部
電極3を昇降自在に支持するようにしてある。
中心に昇降機構26がロッド26Aを介して連結され、
この昇降機構26により下部電極3を昇降できるように
してある。つまり、下部電極3は、図6に示すように、
昇降機構26により二点鎖線で示す位置と実線で示す位
置との間で昇降動するように構成され、半導体ウエハW
を処理室1内に搬入する時には二点鎖線で示す位置まで
下降し、エッチング処理を施す時には実線で示す位置ま
で上昇して上部電極2との間で所定の隙間を作るように
構成されている。また、下部電極3の下面には円筒状の
ベローズ27の上端が接続され、ベローズ27の下端に
は処理室1底面の円筒状突起1Cが接続され、このベロ
ーズ27により処理室1内の気密を維持すると共に下部
電極3を昇降自在に支持するようにしてある。
【0042】また、下部電極3の周囲にはアルマイト処
理されたアルミニウムにより形成されたリング状封止部
材28が処理室1の壁に取り付けられ、プラズマ処理時
にはリング状封止部材28により半導体ウエハWが存在
する空間を下部空間29から区画し、プラズマPを電極
2、3側に封止するようにしてある。このリング状封止
部材28は下部電極3と処理室1の内周面間の隙間を埋
める幅に形成され、その上面の外周縁部にはリング状封
止部材28と処理室1内周面との隅角部に湾曲表面28
Aを作る突起部が形成されている。また、リング状封止
部材28の内周端上面の高さはフォーカスリング15の
上面と一致する高さに調整されている。更に、このリン
グ状封止部材28には周方向に複数の孔28Cが形成さ
れ、これらの孔28Cからプラズマ処理後のガスを下部
空間29及び排気用ノズル1Aを介して排気するように
してある。尚、リング状封止部材28は石英等の絶縁性
部材により形成したものであっても良い。
理されたアルミニウムにより形成されたリング状封止部
材28が処理室1の壁に取り付けられ、プラズマ処理時
にはリング状封止部材28により半導体ウエハWが存在
する空間を下部空間29から区画し、プラズマPを電極
2、3側に封止するようにしてある。このリング状封止
部材28は下部電極3と処理室1の内周面間の隙間を埋
める幅に形成され、その上面の外周縁部にはリング状封
止部材28と処理室1内周面との隅角部に湾曲表面28
Aを作る突起部が形成されている。また、リング状封止
部材28の内周端上面の高さはフォーカスリング15の
上面と一致する高さに調整されている。更に、このリン
グ状封止部材28には周方向に複数の孔28Cが形成さ
れ、これらの孔28Cからプラズマ処理後のガスを下部
空間29及び排気用ノズル1Aを介して排気するように
してある。尚、リング状封止部材28は石英等の絶縁性
部材により形成したものであっても良い。
【0043】従って、本実施形態によれば、昇降機構2
6により下部電極3を二点鎖線で示す位置から上部電極
2へ近づけて実線位置まで持ち上げ、両電極2、3間に
所定の隙間を作ると共に、リング状封止部材28により
処理室1上部でプラズマ処理空間を形成した後、上部電
極2に高周波電力を印加すると共に下部電極3に低周波
電力を印加して処理空間においてプラズマPを発生させ
ると、このプラズマPにより処理空間の下部電極3上に
配置された半導体ウエハWにエッチング処理を施すこと
ができる。この時、処理空間を囲む固体表面の隅角部、
即ち処理室1天面と内周面間の隅角部、上部電極2外周
面と天面間の隅角部、リング状封止部材28と処理室1
内周面間の隅角部、及びリング状封止部材28とフォー
カスリング16外周面間の隅角部にはプラズマPの外端
形状に即した湾曲表面22A、24A、28Aがそれぞ
れ形成されているため、これらの隅角部において不揮発
性の反応生成物が滞留することがない。また、これらの
隅角部はその他の部分と同程度のスパッタリング作用を
受けるため、これらの隅角部に不揮発性の反応生成物が
集中的に堆積することがなく、パーティクルの発生を抑
制することができ、上記実施形態と同様の作用効果を奏
する。
6により下部電極3を二点鎖線で示す位置から上部電極
2へ近づけて実線位置まで持ち上げ、両電極2、3間に
所定の隙間を作ると共に、リング状封止部材28により
処理室1上部でプラズマ処理空間を形成した後、上部電
極2に高周波電力を印加すると共に下部電極3に低周波
電力を印加して処理空間においてプラズマPを発生させ
ると、このプラズマPにより処理空間の下部電極3上に
配置された半導体ウエハWにエッチング処理を施すこと
ができる。この時、処理空間を囲む固体表面の隅角部、
即ち処理室1天面と内周面間の隅角部、上部電極2外周
面と天面間の隅角部、リング状封止部材28と処理室1
内周面間の隅角部、及びリング状封止部材28とフォー
カスリング16外周面間の隅角部にはプラズマPの外端
形状に即した湾曲表面22A、24A、28Aがそれぞ
れ形成されているため、これらの隅角部において不揮発
性の反応生成物が滞留することがない。また、これらの
隅角部はその他の部分と同程度のスパッタリング作用を
受けるため、これらの隅角部に不揮発性の反応生成物が
集中的に堆積することがなく、パーティクルの発生を抑
制することができ、上記実施形態と同様の作用効果を奏
する。
【0044】尚、本発明は上記各実施形態に何等制限さ
れるものではなく、例えばプラズマ発生手段としては、
上下いずれかの電極にのみ高周波電力を印加するもの、
マイクロ波を用いるもの、あるいは、これらと磁場印加
手段を併用したものであっても本発明を適用することが
でき、また、エッチング処理以外のCVD処理、アッシ
ング処理等のプラズマを用いた処理装置にも適用するこ
とができる。
れるものではなく、例えばプラズマ発生手段としては、
上下いずれかの電極にのみ高周波電力を印加するもの、
マイクロ波を用いるもの、あるいは、これらと磁場印加
手段を併用したものであっても本発明を適用することが
でき、また、エッチング処理以外のCVD処理、アッシ
ング処理等のプラズマを用いた処理装置にも適用するこ
とができる。
【0045】
【発明の効果】本発明の請求項1及び請求項2に記載の
発明によれば、処理室内の隅角部の表面は、その表面と
プラズマ間に形成されるシース厚(または電界強度分
布)と、上記隅角部を形成する二面の表面とプラズマ間
にそれぞれ形成されるシース厚とが略均一になる表面形
状として形成されているため、プラズマ処理時に発生す
る不揮発性の反応生成物が処理室内の隅角部に集中的に
付着したり堆積することを防止し、もってパーティクル
の発生を抑制できるプラズマ処理装置を提供することが
できる。
発明によれば、処理室内の隅角部の表面は、その表面と
プラズマ間に形成されるシース厚(または電界強度分
布)と、上記隅角部を形成する二面の表面とプラズマ間
にそれぞれ形成されるシース厚とが略均一になる表面形
状として形成されているため、プラズマ処理時に発生す
る不揮発性の反応生成物が処理室内の隅角部に集中的に
付着したり堆積することを防止し、もってパーティクル
の発生を抑制できるプラズマ処理装置を提供することが
できる。
【0046】また、本発明の請求項3に記載の発明によ
れば、請求項1または請求項2に記 載の発明において、
上記隅角部に上記表面形状を有するリング状部材が設け
られているため、処理室内の隅角部表面を処理室とは別
に容易に加工できるプラズマ処理装置を提供することが
できる。
れば、請求項1または請求項2に記 載の発明において、
上記隅角部に上記表面形状を有するリング状部材が設け
られているため、処理室内の隅角部表面を処理室とは別
に容易に加工できるプラズマ処理装置を提供することが
できる。
【0047】また、本発明の請求項4に記載の発明によ
れば、請求項2または請求項3に記載の発明において、
上記被処理体が配置された電極の外周と上記処理室内周
面との間に上記被処理体側にプラズマを閉じ込めるリン
グ状封止手段が設けられているため、処理室内を被処理
体のプラズマ処理部と被処理体の搬出入部とを区画した
プラズマ処理装置を提供することができる。
れば、請求項2または請求項3に記載の発明において、
上記被処理体が配置された電極の外周と上記処理室内周
面との間に上記被処理体側にプラズマを閉じ込めるリン
グ状封止手段が設けられているため、処理室内を被処理
体のプラズマ処理部と被処理体の搬出入部とを区画した
プラズマ処理装置を提供することができる。
【0048】また、本発明の請求項5〜請求項7に記載
の発明によれば、請求項1〜請求項4のいずれか1項に
記載の発明において、上記処理室内の隅角部の表面は、
その表面とプラズマ間のシース厚が上記隅角部を形成す
る二面の表面とプラズマ間にそれぞれ形成されるシース
厚と略等しくなる湾曲表面として形成されているため、
プラズマ処理時に発生する不揮発性の反応生成物が処理
室内の隅角部に集中的に付着したり堆積することをより
確実に防止し、もってパーティクルの発生を抑制できる
プラズマ処理装置を提供することができる。
の発明によれば、請求項1〜請求項4のいずれか1項に
記載の発明において、上記処理室内の隅角部の表面は、
その表面とプラズマ間のシース厚が上記隅角部を形成す
る二面の表面とプラズマ間にそれぞれ形成されるシース
厚と略等しくなる湾曲表面として形成されているため、
プラズマ処理時に発生する不揮発性の反応生成物が処理
室内の隅角部に集中的に付着したり堆積することをより
確実に防止し、もってパーティクルの発生を抑制できる
プラズマ処理装置を提供することができる。
【図1】本発明のプラズマ処理装置の一実施形態のエッ
チング処理装置を示す断面図である。
チング処理装置を示す断面図である。
【図2】図1に示すエッチング処理装置の特徴を説明す
るために、プラズマのシースを誇張して模式的に表現し
たエッチング処理装置の部分断面図である。
るために、プラズマのシースを誇張して模式的に表現し
たエッチング処理装置の部分断面図である。
【図3】容器壁面の隅角部が直角に形成された放電容器
を用いてプラズマを発生させた時に隅角部近傍で観察さ
れるプラズマ端を示す説明図である。
を用いてプラズマを発生させた時に隅角部近傍で観察さ
れるプラズマ端を示す説明図である。
【図4】(a)及び(b)はプラズマが中性であること
を説明するための電荷分布の状態を示す説明図及び電荷
分布を示すグラフである。
を説明するための電荷分布の状態を示す説明図及び電荷
分布を示すグラフである。
【図5】図3に示す隅角部に湾曲形状を設定する時に隅
角部の曲率半径を求める説明図である。
角部の曲率半径を求める説明図である。
【図6】本発明のプラズマ処理装置の他の実施形態のエ
ッチング処理装置を示す断面図である。
ッチング処理装置を示す断面図である。
1 処理室 2 上部電極 3 下部電極 9 高周波電源 12 低周波電源 22 リング状部材 22A 湾曲表面(隅角部表面) 23 リング状部材 23A 湾曲表面(隅角部表面) 24 リング状部材 24A 湾曲表面(隅角部表面) 25 リング状部材 25A 湾曲表面(隅角部表面) 28 リング状封止部材(リング状封止手段) 28A 湾曲表面(隅角部表面)
Claims (7)
- 【請求項1】 処理室内でプラズマ発生手段によりプラ
ズマを発生させ、その処理室内に配置された被処理体に
プラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、上記処
理室内の隅角部は、その表面とプラズマ間に形成される
シース厚と、上記隅角部を形成する二面の表面とプラズ
マ間にそれぞれ形成されるシース厚とが略均一になる表
面形状として形成されていることを特徴とするプラズマ
処理装置。 - 【請求項2】 処理室内に対向配置された一対の第1、
第2電極の少なくとも一方に高周波電力を印加してプラ
ズマを発生させ、上記処理室内の電極に配置された被処
理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
上記処理室内の隅角部は、その表面とプラズマ間に形成
されるシース厚と、上記隅角部を形成する二面それぞれ
の表面とプラズマ間に形成されるシース厚とが略均一に
なる表面形状として形成されていることを特徴とするプ
ラズマ処理装置。 - 【請求項3】 上記隅角部に上記表面形状を有するリン
グ状部材が設けられていることを特徴とする請求項1ま
たは請求項2に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項4】 上記被処理体が配置された電極の外周と
上記処理室内周面との間に上記被処理体側にプラズマを
閉じ込めるリング状封止手段が設けられていることを特
徴とする請求項2または請求項3に記載のプラズマ処理
装置。 - 【請求項5】 上記処理室内の隅角部の表面は、その表
面とプラズマ間のシース厚が上記隅角部を形成する二面
の表面とプラズマ間にそれぞれ形成されるシース厚と略
等しくなる湾曲表面として形成されていることを特徴と
する請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載のプラズ
マ処理装置。 - 【請求項6】 上記湾曲表面はシース厚を一定にする曲
率半径を有することを特徴とする請求項5に記載のプラ
ズマ処理装置。 - 【請求項7】 上記曲率半径は2cm以上であることを
特徴とする請求項6に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8156141A JP2814370B2 (ja) | 1995-06-18 | 1996-05-28 | プラズマ処理装置 |
US08/664,500 US5942075A (en) | 1995-06-18 | 1996-06-17 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17551095 | 1995-06-18 | ||
JP7-175510 | 1995-06-18 | ||
JP8156141A JP2814370B2 (ja) | 1995-06-18 | 1996-05-28 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0969400A JPH0969400A (ja) | 1997-03-11 |
JP2814370B2 true JP2814370B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=26483968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8156141A Expired - Fee Related JP2814370B2 (ja) | 1995-06-18 | 1996-05-28 | プラズマ処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5942075A (ja) |
JP (1) | JP2814370B2 (ja) |
Families Citing this family (180)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1014266A (ja) * | 1996-06-21 | 1998-01-16 | Sony Corp | 静電チャック装置及び静電チャックを用いたウエハの保持方法及び静電チャックからのウエハの脱着方法 |
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US6112697A (en) * | 1998-02-19 | 2000-09-05 | Micron Technology, Inc. | RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods |
US6892669B2 (en) * | 1998-02-26 | 2005-05-17 | Anelva Corporation | CVD apparatus |
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KR100419756B1 (ko) * | 2000-06-23 | 2004-02-21 | 아넬바 가부시기가이샤 | 박막 형성 장치 |
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JP4791637B2 (ja) | 2001-01-22 | 2011-10-12 | キヤノンアネルバ株式会社 | Cvd装置とこれを用いた処理方法 |
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KR100783829B1 (ko) * | 2003-05-02 | 2007-12-10 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 처리가스도입기구 및 플라즈마처리장치 |
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