JPH034530A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH034530A JPH034530A JP1140449A JP14044989A JPH034530A JP H034530 A JPH034530 A JP H034530A JP 1140449 A JP1140449 A JP 1140449A JP 14044989 A JP14044989 A JP 14044989A JP H034530 A JPH034530 A JP H034530A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明ζ上 プラズマを発生させる半導体製造装置に関
すも 従来の技術 従来の平行平板型プラズマを用いた半導体製造装置の例
を第３図に示す。平行平板型プラズマを用いた半導体製
造装置は 同図に示すように反応室ｌ内に反応ガス７を
導入上 該反応室１内に設けた上部電極２と下部電極３
との間にプラズマ４を発生させて、膜形成あるいはエツ
チングを行うものであａ エツチングのＦｉ Ｃ＊Ｆ
龜等の炭素化合物のガスを用いてけう力＼ あるいはレ
ジスト等の有機物を含む半導体基板を塩素等のガスを用
いると反応生成物（炭素化合物）が生成され 反応室ｌ
内に付着すも また 絶縁物等の膜形成装置の場合は反
応室１内壁に形成される膜を除去するためへ エツチン
グと同様に炭素化合物のガスを用いてプラズマエツチン
グを行うたべ 同様の反応生成物が付着すａ 該付着物
６を除去する方法として、従来は反応室ｌ内に反応ガス
７として酸素ガスを導入し 上部電極２と下部電極３を
用いてプラズマ４を発生させ、酸素ガスを活性にしてエ
ツチング反応を起こすことにより除去していた従来のＥ
ＣＲプラズマを用いた薄膜形成装置の例を第４図に示ｔ
、ＥｃＲプラズマ薄膜形成装置で（友 反応室１内に反
応ガス１ （１１）と反応ガス２（１２）を導入する
と共へ コイル８とマイクロ波１０によってＥＣＲプラ
ズマ４を発生させることにより、サセプタ９上の基板に
膜を形成する。ＥＣＲプラズマ薄膜形成装置の場合は反
応室ｌ内の不要な部分に膜が形成されないように酸素や
氷魚アルゴン等のガスを反応ガスｌ （１１）として
流ＵＳｉＨ４等のガスを反応ガス２ （１２）として分
けて反応室内に導入することが多い力（平行平板型と同
様に反応室内壁の一部に膜が堆積すム 該膜を除去する
ためＣ＊Ｆａ等の炭素化合物ガスを用いてプラズマエツ
チングを行う限 反応室１内に反応生成物が付着すも
該付着物６の除去方法として、従来は平行平板型と同様
に酸素ガスのＥＣＲプラズマを用いて除去してい九 上記のようへ 炭素化合物ガスのプラズマを発生させる
装置 あるいは有機物を含む半導体基板をプラズマを用
いて加工する装置において（よ 炭素化合物の反応生成
物が反応室内に形成される。
すも 従来の技術 従来の平行平板型プラズマを用いた半導体製造装置の例
を第３図に示す。平行平板型プラズマを用いた半導体製
造装置は 同図に示すように反応室ｌ内に反応ガス７を
導入上 該反応室１内に設けた上部電極２と下部電極３
との間にプラズマ４を発生させて、膜形成あるいはエツ
チングを行うものであａ エツチングのＦｉ Ｃ＊Ｆ
龜等の炭素化合物のガスを用いてけう力＼ あるいはレ
ジスト等の有機物を含む半導体基板を塩素等のガスを用
いると反応生成物（炭素化合物）が生成され 反応室ｌ
内に付着すも また 絶縁物等の膜形成装置の場合は反
応室１内壁に形成される膜を除去するためへ エツチン
グと同様に炭素化合物のガスを用いてプラズマエツチン
グを行うたべ 同様の反応生成物が付着すａ 該付着物
６を除去する方法として、従来は反応室ｌ内に反応ガス
７として酸素ガスを導入し 上部電極２と下部電極３を
用いてプラズマ４を発生させ、酸素ガスを活性にしてエ
ツチング反応を起こすことにより除去していた従来のＥ
ＣＲプラズマを用いた薄膜形成装置の例を第４図に示ｔ
、ＥｃＲプラズマ薄膜形成装置で（友 反応室１内に反
応ガス１ （１１）と反応ガス２（１２）を導入する
と共へ コイル８とマイクロ波１０によってＥＣＲプラ
ズマ４を発生させることにより、サセプタ９上の基板に
膜を形成する。ＥＣＲプラズマ薄膜形成装置の場合は反
応室ｌ内の不要な部分に膜が形成されないように酸素や
氷魚アルゴン等のガスを反応ガスｌ （１１）として
流ＵＳｉＨ４等のガスを反応ガス２ （１２）として分
けて反応室内に導入することが多い力（平行平板型と同
様に反応室内壁の一部に膜が堆積すム 該膜を除去する
ためＣ＊Ｆａ等の炭素化合物ガスを用いてプラズマエツ
チングを行う限 反応室１内に反応生成物が付着すも
該付着物６の除去方法として、従来は平行平板型と同様
に酸素ガスのＥＣＲプラズマを用いて除去してい九 上記のようへ 炭素化合物ガスのプラズマを発生させる
装置 あるいは有機物を含む半導体基板をプラズマを用
いて加工する装置において（よ 炭素化合物の反応生成
物が反応室内に形成される。
これらの反応生成物が付着しているとダストの発生源と
なるので除去する必要があも 従来１上 上記の反応生
成物を除去する手段として、エツチングあるいは堆積膜
除去時と同様に反応室内に酸素ガス等のプラズマを発生
させることにより除去してい九 発明が解決しようとする課題 上記のようく 従来は反応室内に形成された付着物をプ
ラズマによるエツチング反応を起こすことによって除去
していた しかしながら平行平板型プラズマエツチング
装置または平行平板型プラズマ薄膜形成装置で（よ 反
応室の内壁のうちプラズマにさらされにくい場所がある
。つまり、上部電極あるいは下部電極の裏側はプラズマ
が発生せずエツチング反応が生じに＜（チ そのたべ
上部電極の裏側の反応室のコーナ一部や反応ガスの吹
き出し口のように複雑な構造の部分に付着した反応生成
物が除去されに＜ Ｌｃ この様に除去されずに残る
付着物は壁から離脱してダスト源となり、ダストは半導
体装置の不良の原因となム このことは平行平板型プラ
ズマを用いた装置に限らすＥＣＲプラズマなどのプラズ
マを用いる半導体製造装置全てに共通する問題であム 本発明は装置内に付着する反応生成物を完全に除去でき
、ダストの発生を防止できる半導体製造装置を提供する
ことを目的とすａ 課題を解決するための手段 本発明（よ 上述の課題を解決するたべ 反応室の内部
に付着した反応生成物（有機物）を前記反応室壁を加熱
すると共に前記反応室内にオゾンガスを流すことにより
除去させるものであム作用 本発明は上述の構成により、付着した有機物を除去する
には有機物を分解し易いオゾンガスと反応させると効果
があも また オゾンガスと有機物との反応は加熱によ
り促進すム オゾンガスを反応室内に導入しかつ反応室壁を加熱する
機構を設けることにより、反応室壁の細部でもオゾンに
よる反応生成物の分解反応を起こすことができるた八
反応室内の付着物を完全に除去することができ、半導体
装置の不良原因となるダストの発生を防ぐことが可能と
なａ実施例 （実施例１） 第１図は本発明の第１の実施例における平行平板型プラ
ズマエツチング装置の断面図であも 以下、第１図を用
いて本発明の詳細な説明する。
なるので除去する必要があも 従来１上 上記の反応生
成物を除去する手段として、エツチングあるいは堆積膜
除去時と同様に反応室内に酸素ガス等のプラズマを発生
させることにより除去してい九 発明が解決しようとする課題 上記のようく 従来は反応室内に形成された付着物をプ
ラズマによるエツチング反応を起こすことによって除去
していた しかしながら平行平板型プラズマエツチング
装置または平行平板型プラズマ薄膜形成装置で（よ 反
応室の内壁のうちプラズマにさらされにくい場所がある
。つまり、上部電極あるいは下部電極の裏側はプラズマ
が発生せずエツチング反応が生じに＜（チ そのたべ
上部電極の裏側の反応室のコーナ一部や反応ガスの吹
き出し口のように複雑な構造の部分に付着した反応生成
物が除去されに＜ Ｌｃ この様に除去されずに残る
付着物は壁から離脱してダスト源となり、ダストは半導
体装置の不良の原因となム このことは平行平板型プラ
ズマを用いた装置に限らすＥＣＲプラズマなどのプラズ
マを用いる半導体製造装置全てに共通する問題であム 本発明は装置内に付着する反応生成物を完全に除去でき
、ダストの発生を防止できる半導体製造装置を提供する
ことを目的とすａ 課題を解決するための手段 本発明（よ 上述の課題を解決するたべ 反応室の内部
に付着した反応生成物（有機物）を前記反応室壁を加熱
すると共に前記反応室内にオゾンガスを流すことにより
除去させるものであム作用 本発明は上述の構成により、付着した有機物を除去する
には有機物を分解し易いオゾンガスと反応させると効果
があも また オゾンガスと有機物との反応は加熱によ
り促進すム オゾンガスを反応室内に導入しかつ反応室壁を加熱する
機構を設けることにより、反応室壁の細部でもオゾンに
よる反応生成物の分解反応を起こすことができるた八
反応室内の付着物を完全に除去することができ、半導体
装置の不良原因となるダストの発生を防ぐことが可能と
なａ実施例 （実施例１） 第１図は本発明の第１の実施例における平行平板型プラ
ズマエツチング装置の断面図であも 以下、第１図を用
いて本発明の詳細な説明する。
反応室１内に反応ガス７を導入し 下部電極２と下部電
極３の間でプラズマを発生させるエツチング装置を示す
。反応ガス７はＣ２Ｆ＠やＣＦａ等のエツチングガスで
あａ 同図の構造はプラズマを用いた薄膜形成装置でも
同様であり、何れの場合も加工しようとする半導体基板
１６の温度を制御するためヒーター５を基板近くに設け
る場合が多−一同図に示すような平行平板型プラズマ半
導体製造装置で（上 反応室１の内壁のコーナ一部分や
反応ガス７の導入口部分などに付着物６が形成され酸素
プラズマによる処理等では除去できなし そこで、付着
物６が形成され易い部分を加熱するため反応室壁加熱ヒ
ーター１４を設置す、オゾンガス１３を反応室１内に導
入すａ この様な機構を設けることにより、反応室１の
内壁の付着物は完全に除去することができ、付着物の剥
離等によるダストの発生を防ぐことができる。
極３の間でプラズマを発生させるエツチング装置を示す
。反応ガス７はＣ２Ｆ＠やＣＦａ等のエツチングガスで
あａ 同図の構造はプラズマを用いた薄膜形成装置でも
同様であり、何れの場合も加工しようとする半導体基板
１６の温度を制御するためヒーター５を基板近くに設け
る場合が多−一同図に示すような平行平板型プラズマ半
導体製造装置で（上 反応室１の内壁のコーナ一部分や
反応ガス７の導入口部分などに付着物６が形成され酸素
プラズマによる処理等では除去できなし そこで、付着
物６が形成され易い部分を加熱するため反応室壁加熱ヒ
ーター１４を設置す、オゾンガス１３を反応室１内に導
入すａ この様な機構を設けることにより、反応室１の
内壁の付着物は完全に除去することができ、付着物の剥
離等によるダストの発生を防ぐことができる。
（実施例２）
第２図は本発明の第２実施例におけるＥＣＲプラズマ薄
膜形成装置の断面図である。以下、本発明の第２の実施
例を第２図を用いて説明する。
膜形成装置の断面図である。以下、本発明の第２の実施
例を第２図を用いて説明する。
本実施例ではＥＣＲプラズマを用いた薄膜形成装置の例
を示す。反応室ｌ内のサセプタ９上の半導体基板１６に
薄膜を形成するたべ コイル８とマイクロ波１０を用い
てＥＣＲプラズマを発生させも反応室１の内壁に堆積す
る膜を極力少なくするた八 反応ガス１（１１）と反応
ガス２（１２）を分けて異なる場所より導入する。例え
（ｆ、５ｉＣ）２膜を形成する場合にはＳｉＨ４ガスと
Ｎ２０や０２ガスを反応ガスとして用いる力（Ｎ２０や
０２ガスを反応ガス１（１１）として導入ＩＡ ＳｉＨ
４ガスを反応ガス２ （１２）として導入すム この
ことにより、コイル８付近の反応室内壁には膜が形成さ
れなし℃ＥＣＲプラズマ装置の場合でＬ 反応室内壁に
膜が形成されるた＆Ｃ２Ｆ５等のエツチングガスを用い
て膜を除去する力丈 その限 炭素化合物の反応生成物
が付着するも 該付着物６は反応室コーナ一部のプラズ
マが届きにくい場所に形成され易く、オゾンプラズマで
除去を試みても同様の理由で困難であも そこで、反応
室１のコーナ一部等の付着物６が形成され易い部分を加
熱するための反応室壁加熱用赤外ランプ１５を反応室外
部に投法 オゾンガス１３を導入すム 上記の構造を設
けることにより、反応室１の内壁に付着した付着物６を
完全に除去しダストの発生を防ぐことができも また
反応室壁加熱用の赤外ランプを反応室内部に設置すれば
さらに効果が犬きくなも発明の効果 以上の説明から明らかなように本発明は プラズマを用
いた半導体装置の反応室内にオゾンを導入しかつ反応室
壁を加熱する機構を設けることにより、反応室壁の細部
でもオゾンによる反応生成物の分解反応を起こすことが
できるた八 反応室内の付着物を完全に除去することが
でき、半導体装置の不良原因となるダストの発生を防ぐ
ことを可能とすム
を示す。反応室ｌ内のサセプタ９上の半導体基板１６に
薄膜を形成するたべ コイル８とマイクロ波１０を用い
てＥＣＲプラズマを発生させも反応室１の内壁に堆積す
る膜を極力少なくするた八 反応ガス１（１１）と反応
ガス２（１２）を分けて異なる場所より導入する。例え
（ｆ、５ｉＣ）２膜を形成する場合にはＳｉＨ４ガスと
Ｎ２０や０２ガスを反応ガスとして用いる力（Ｎ２０や
０２ガスを反応ガス１（１１）として導入ＩＡ ＳｉＨ
４ガスを反応ガス２ （１２）として導入すム この
ことにより、コイル８付近の反応室内壁には膜が形成さ
れなし℃ＥＣＲプラズマ装置の場合でＬ 反応室内壁に
膜が形成されるた＆Ｃ２Ｆ５等のエツチングガスを用い
て膜を除去する力丈 その限 炭素化合物の反応生成物
が付着するも 該付着物６は反応室コーナ一部のプラズ
マが届きにくい場所に形成され易く、オゾンプラズマで
除去を試みても同様の理由で困難であも そこで、反応
室１のコーナ一部等の付着物６が形成され易い部分を加
熱するための反応室壁加熱用赤外ランプ１５を反応室外
部に投法 オゾンガス１３を導入すム 上記の構造を設
けることにより、反応室１の内壁に付着した付着物６を
完全に除去しダストの発生を防ぐことができも また
反応室壁加熱用の赤外ランプを反応室内部に設置すれば
さらに効果が犬きくなも発明の効果 以上の説明から明らかなように本発明は プラズマを用
いた半導体装置の反応室内にオゾンを導入しかつ反応室
壁を加熱する機構を設けることにより、反応室壁の細部
でもオゾンによる反応生成物の分解反応を起こすことが
できるた八 反応室内の付着物を完全に除去することが
でき、半導体装置の不良原因となるダストの発生を防ぐ
ことを可能とすム
第１図は本発明の第１実施例における平行平板型プラズ
マエツチング装置の断面図 第２図は本発明の第２実施
例におけるＥＣＲプラズマ薄膜形成装置の断面図 第３
図は従来の平行平板型プラズマ半導体製造装置の断面図
第４図は従来のＥＣＲプラズマ半導体製造装置の断面
図である。
マエツチング装置の断面図 第２図は本発明の第２実施
例におけるＥＣＲプラズマ薄膜形成装置の断面図 第３
図は従来の平行平板型プラズマ半導体製造装置の断面図
第４図は従来のＥＣＲプラズマ半導体製造装置の断面
図である。
Claims (1)
- 炭素化合物を含むガスのプラズマを発生させる半導体製
造装置、または有機物を含む半導体基板をプラズマを用
いて加工する半導体製造装置において、反応室を形成す
る壁を加熱する機構と、前記反応室内にオゾンガスを導
入する機構とを備え前記反応室の内部に付着した反応生
成物を除去することを特徴とした半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1140449A JPH034530A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1140449A JPH034530A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH034530A true JPH034530A (ja) | 1991-01-10 |
Family
ID=15268883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1140449A Pending JPH034530A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH034530A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0653193A (ja) * | 1992-06-15 | 1994-02-25 | Micron Technol Inc | プラズマ反応容器のクリーニングに有用なオゾンを用いた炭素系ポリマー残留物の除去 |
| US5522412A (en) * | 1993-08-11 | 1996-06-04 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Vacuum treatment apparatus and a cleaning method therefor |
| JPH0969400A (ja) * | 1995-06-18 | 1997-03-11 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1989
- 1989-06-01 JP JP1140449A patent/JPH034530A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0653193A (ja) * | 1992-06-15 | 1994-02-25 | Micron Technol Inc | プラズマ反応容器のクリーニングに有用なオゾンを用いた炭素系ポリマー残留物の除去 |
| US5522412A (en) * | 1993-08-11 | 1996-06-04 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Vacuum treatment apparatus and a cleaning method therefor |
| USRE36925E (en) * | 1993-08-11 | 2000-10-31 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Vacuum treatment apparatus and a method for manufacturing semiconductor device therein |
| JPH0969400A (ja) * | 1995-06-18 | 1997-03-11 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| US5942075A (en) * | 1995-06-18 | 1999-08-24 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
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