JPS59186326A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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- JPS59186326A JPS59186326A JP58059232A JP5923283A JPS59186326A JP S59186326 A JPS59186326 A JP S59186326A JP 58059232 A JP58059232 A JP 58059232A JP 5923283 A JP5923283 A JP 5923283A JP S59186326 A JPS59186326 A JP S59186326A
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ドライエツチング装置に係り、特に超微細ア
ルミニウム配線あるいは金属配線バター／形成のための
ドライエツチング後の金属の腐食防止に好適なドライエ
ツチング装置【関するものである。
ルミニウム配線あるいは金属配線バター／形成のための
ドライエツチング後の金属の腐食防止に好適なドライエ
ツチング装置【関するものである。
従来のドライエツチング装置について第１図よシ説明す
る。
る。
アルミニウム配線膜のドライエツチングの場合反応ガス
に四塩化炭素、四塩化ホウ素など塩素化合物を用いる。
に四塩化炭素、四塩化ホウ素など塩素化合物を用いる。
そのためエツチング後のアルミニウム表面あるいはレジ
スト表面に地素化合物が吸着する。このままの状態で大
気中に出しだ場合、塩素化合物は大気中の水分と反応し
て塩素イオンになりアルミニウムを腐食する、そこで、
吸着している塩素化合物の除去が腐食防止につながる。
スト表面に地素化合物が吸着する。このままの状態で大
気中に出しだ場合、塩素化合物は大気中の水分と反応し
て塩素イオンになりアルミニウムを腐食する、そこで、
吸着している塩素化合物の除去が腐食防止につながる。
ところで装置構成は第２図に示すようになづている。
即ち取入口４から取り入れられた被処理物１は、下部電
極ろ上に載せられる、エツチング室６は、排気口２に接
続された図示しない真空排気装置によって低圧まで排気
され、ガス供給口８から反応ガスである四塩化炭素が供
給される。
極ろ上に載せられる、エツチング室６は、排気口２に接
続された図示しない真空排気装置によって低圧まで排気
され、ガス供給口８から反応ガスである四塩化炭素が供
給される。
電極６及び７に高周波電源５から高周波電圧が付加され
ることにより形成されたプラズマにより被処理物１はエ
ツチングされる。
ることにより形成されたプラズマにより被処理物１はエ
ツチングされる。
エツチングを終えた被処理物１は、プラズマ処理室１Ｄ
に開閉装置９を通して搬入される。プラズマ処理室１０
は、上記のごとく低圧下で酸素を反応ガスにしてレジス
ト中に含オれた塩素化合物を除去するために、プラズマ
処理される０処理を終えた被処理物１は取出口１１から
取り出される。
に開閉装置９を通して搬入される。プラズマ処理室１０
は、上記のごとく低圧下で酸素を反応ガスにしてレジス
ト中に含オれた塩素化合物を除去するために、プラズマ
処理される０処理を終えた被処理物１は取出口１１から
取り出される。
以上のごとき従来装置を用い、プラズマ処理室１０内で
施される腐食防止処理は十分でないという問題点があっ
た。すなわち、被処理物の表面に吸着した塩素化合物を
完全にとり去ることができず、腐食の原因となる。
施される腐食防止処理は十分でないという問題点があっ
た。すなわち、被処理物の表面に吸着した塩素化合物を
完全にとり去ることができず、腐食の原因となる。
これは、プラズマ処理中従来の装置では被処理物１の温
度が十分に上がらないためである。
度が十分に上がらないためである。
被処理物１の温度上昇と残留塩素の関係は第１図６６に
示すように被処理物１の温度が２００′Ｃ以上にすると
エツチング処理前の塩素イオン濃度レベル６５″！、で
下がることが判った。エツチング後の塩素イオン濃度レ
ベルば６４に示した。このように従来のドライエツチン
グ装置においては、被処理物１が平行平板形の下部電極
１２上に置かれているだめ、熱が下部電極１２全通して
逃げてし丑い、被処理物１け１２ｄＣ程度にしか到達で
きず十分に残留塩素を除去できなかった。
示すように被処理物１の温度が２００′Ｃ以上にすると
エツチング処理前の塩素イオン濃度レベル６５″！、で
下がることが判った。エツチング後の塩素イオン濃度レ
ベルば６４に示した。このように従来のドライエツチン
グ装置においては、被処理物１が平行平板形の下部電極
１２上に置かれているだめ、熱が下部電極１２全通して
逃げてし丑い、被処理物１け１２ｄＣ程度にしか到達で
きず十分に残留塩素を除去できなかった。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点をなくし、超ＬＳ
Ｉ製造時の超微細金属配線パターン形成において、歩留
及び信頼性向上につながる完全な腐食防止処理を可能に
したプラズマ処理装置を提供すること（である○ 〔発明の概要〕 本発明は、プラズマ処理中被処理物の温度が２００’Ｃ
以上になるようなプラズマ処理室の構造にしてアルミニ
ウム配線購のドライエツチング後のプラズマによる腐食
防止処理を十分にしたことを特徴とするものである。
Ｉ製造時の超微細金属配線パターン形成において、歩留
及び信頼性向上につながる完全な腐食防止処理を可能に
したプラズマ処理装置を提供すること（である○ 〔発明の概要〕 本発明は、プラズマ処理中被処理物の温度が２００’Ｃ
以上になるようなプラズマ処理室の構造にしてアルミニ
ウム配線購のドライエツチング後のプラズマによる腐食
防止処理を十分にしたことを特徴とするものである。
以下、本発明を図に示す実施例にもとづいて具体的に説
明する。
明する。
第一の実施例の装置構成を第３図、第４図、第５図及び
第６図により説明するっ 本実施例は、基本的には、ドライエツチング室２８、プ
ラズマ処理室４０及びこれら２つの処理室を結合する中
継室３０、から構成さね２るっドライエツチング室２８
及びプラズマ処理室４０は、図示しない反応ガス供給装
置より、供給口２５及び３７を通して反応ガスが供給さ
れる。また、図示しない真空排気系により、排気口４９
及び４１を通して低圧せで排気される。
第６図により説明するっ 本実施例は、基本的には、ドライエツチング室２８、プ
ラズマ処理室４０及びこれら２つの処理室を結合する中
継室３０、から構成さね２るっドライエツチング室２８
及びプラズマ処理室４０は、図示しない反応ガス供給装
置より、供給口２５及び３７を通して反応ガスが供給さ
れる。また、図示しない真空排気系により、排気口４９
及び４１を通して低圧せで排気される。
ドライエツチング室２８においては、平行平板形の上部
電極２４及び下部電極２６が設置されており、各電極間
には高周波電源４８より高周波電圧が付加される。この
時、下部電極２３は、絶縁物４７によって、チャンバ２
６から絶縁さね２、同時にシールドケース５０によって
囲まれている。
電極２４及び下部電極２６が設置されており、各電極間
には高周波電源４８より高周波電圧が付加される。この
時、下部電極２３は、絶縁物４７によって、チャンバ２
６から絶縁さね２、同時にシールドケース５０によって
囲まれている。
プラズマ処理室４０には、外部電極３６及び４２が設置
されており、各電極間には高周波電源６９によって高周
波電圧が付加される。なお、チャンバ３８は石英製であ
る。
されており、各電極間には高周波電源６９によって高周
波電圧が付加される。なお、チャンバ３８は石英製であ
る。
次に搬送機構群の説明を行う。
下部電極２６は、駆動系４６により回転し、位Ｖｆ制御
されているっまた、被処理物２７が置かれる位置には、
押し上げビン４５が貫通できる穴があけられている。押
し上げビン４５は、駆動系４４を駆動源とする装置によ
って上下に動く。
されているっまた、被処理物２７が置かれる位置には、
押し上げビン４５が貫通できる穴があけられている。押
し上げビン４５は、駆動系４４を駆動源とする装置によ
って上下に動く。
中継室３０内には、搬送アーム３１が設置されており、
押し上げビン４５により押し上げらｔｌだ被処理物２７
を中継室５０に搬送できる−搬送アーム３１は、ベルト
４ろを駆動することにより動かす。
押し上げビン４５により押し上げらｔｌだ被処理物２７
を中継室５０に搬送できる−搬送アーム３１は、ベルト
４ろを駆動することにより動かす。
このために、エツチング室２８と、中継室３０の間には
開閉装置２９が設置されている。さらＩ／ｆｉ 、ベル
ト搬送機構５１及び、Ｖ、［動ベルト搬送機構５２によ
り、積載装置６２内に被処理物２７を搬入できるように
なっている。
開閉装置２９が設置されている。さらＩ／ｆｉ 、ベル
ト搬送機構５１及び、Ｖ、［動ベルト搬送機構５２によ
り、積載装置６２内に被処理物２７を搬入できるように
なっている。
積載装置６２は、駆動系３３を駆動運上した駆動装置に
よって上下動され、プラズマ処理室４０内に搬入される
。この時、可動ベルト搬送機構５２が、駆動系５５によ
って第４図５２ａの位置から５２ｂの位置に移動するこ
とによって積載装＃６２はプラズマ処理室４０内に搬入
可能になる。
よって上下動され、プラズマ処理室４０内に搬入される
。この時、可動ベルト搬送機構５２が、駆動系５５によ
って第４図５２ａの位置から５２ｂの位置に移動するこ
とによって積載装＃６２はプラズマ処理室４０内に搬入
可能になる。
次に動作の説明を行う。
本実施例において、複数個の被処理物２７が、取入口２
２から取り入れられ下部電極２３上に並べられた後、ド
ライエツチング室２８は低圧１で排気される０反応ガス
を供給しながら、電極２３及び２４間に高周波電圧が付
加されるっ例えば、反応ガスに四塩化炭素を用いた時、
プラズマ状態になった反応ガスにより、被処理物２７は
ドライエツチングされる。
２から取り入れられ下部電極２３上に並べられた後、ド
ライエツチング室２８は低圧１で排気される０反応ガス
を供給しながら、電極２３及び２４間に高周波電圧が付
加されるっ例えば、反応ガスに四塩化炭素を用いた時、
プラズマ状態になった反応ガスにより、被処理物２７は
ドライエツチングされる。
エツチング盗れた被処理物２７は、押し上げピン４５に
より押し上げられ、搬送アームろ１により一枚ずつ低圧
捷で排気されている中継室３０に搬送されるーそのたび
ごとに、下部電極２３が回鴨して被処理物２７を押し上
げビン４５上に搬送してく る。
より押し上げられ、搬送アームろ１により一枚ずつ低圧
捷で排気されている中継室３０に搬送されるーそのたび
ごとに、下部電極２３が回鴨して被処理物２７を押し上
げビン４５上に搬送してく る。
中継室６０に搬送された被処理物２７は、ベルト搬送機
構５１によって可動ベルト搬送機構５２上１で搬送され
る。第６図のごとき形状をした積載装置６２は、ステッ
プ状に上下することにより積載棚５３上に、上段から順
次、被処理物２７を積載する。この時、積載装置ろ２は
フォトセンサ５４により被処理物２７の積載を確認した
上で上昇する。
構５１によって可動ベルト搬送機構５２上１で搬送され
る。第６図のごとき形状をした積載装置６２は、ステッ
プ状に上下することにより積載棚５３上に、上段から順
次、被処理物２７を積載する。この時、積載装置ろ２は
フォトセンサ５４により被処理物２７の積載を確認した
上で上昇する。
積載を完了した時、開閉装置２９は閉じられ、ドライエ
ツチング室２８の雰囲気による中継室ろＯ内部の汚染を
最小限にする。同時に、可動ベルト搬送機構５２は、第
４１図５２ｂのごとく移動し、積載装＃３２は、プラズ
マ処理室４０に３２ｂのごとく搬入される。
ツチング室２８の雰囲気による中継室ろＯ内部の汚染を
最小限にする。同時に、可動ベルト搬送機構５２は、第
４１図５２ｂのごとく移動し、積載装＃３２は、プラズ
マ処理室４０に３２ｂのごとく搬入される。
プラズマ処刑室４０において供給された酸素ガスｉｊ
、４００ ’ＷＮＩ８″の高周波電力によりプラズマ状
態になり、被処理物２７表面のレジスト膜は灰化される
とともにレジスト膜中の塩素加合物も除去される。′＋
た、本実施例においては、被処理物２７を積載した種材
装置６２が第５図のごとくプラズマ処理室４０中のプラ
ズマの中に置かれるため、プラズマから熱を受けとりや
すく、被処理物２７が積載装置ｔ３２上に第６図のごと
く積載されており接触面績が小づくなるため受けとった
熱を逃がしにくい。そのため、被処理物２７は、プラズ
マより加熱され２０６０以上の温度になりかつ被処理物
２７の表面がプラズマにさらされることにより被処理物
２７表面の炭化物は気化しあるいは分解し、取り除かれ
る。
、４００ ’ＷＮＩ８″の高周波電力によりプラズマ状
態になり、被処理物２７表面のレジスト膜は灰化される
とともにレジスト膜中の塩素加合物も除去される。′＋
た、本実施例においては、被処理物２７を積載した種材
装置６２が第５図のごとくプラズマ処理室４０中のプラ
ズマの中に置かれるため、プラズマから熱を受けとりや
すく、被処理物２７が積載装置ｔ３２上に第６図のごと
く積載されており接触面績が小づくなるため受けとった
熱を逃がしにくい。そのため、被処理物２７は、プラズ
マより加熱され２０６０以上の温度になりかつ被処理物
２７の表面がプラズマにさらされることにより被処理物
２７表面の炭化物は気化しあるいは分解し、取り除かれ
る。
この時、反応ガスによる中継室３０内部の汚染を防ぐた
め中継室ろＤはシールろ５によりプラズマ処理室４０か
ら隔絶される。
め中継室ろＤはシールろ５によりプラズマ処理室４０か
ら隔絶される。
腐食防止処理を終えた被処理物２７は、積載装置３２を
上昇し、可動ベルト搬送機構５２を第４図５２ａの位置
に移動することにより、積載装置ろ２の下段から順次、
開かれた開閉装置ろ４を通して外部に搬出される。
上昇し、可動ベルト搬送機構５２を第４図５２ａの位置
に移動することにより、積載装置ろ２の下段から順次、
開かれた開閉装置ろ４を通して外部に搬出される。
本実施例によれば、被処理物２７のアルミニウムの腐食
の原因になる塩化物をすみゃかに取り除き大気中に取り
出しても腐食を発生させない完全な腐食防止処理を施す
という効果以外に、次のような効果がある。
の原因になる塩化物をすみゃかに取り除き大気中に取り
出しても腐食を発生させない完全な腐食防止処理を施す
という効果以外に、次のような効果がある。
すなわち、ドライエツチング室２８とプラズマ処理室４
０の間に中継室３ｏを設け、それぞれの結合は気体分子
のコンダクタンスの小さい開閉装着を用いて行っている
ために、それぞれの処理室内部の反応ガスによる中継室
内部の汚染を最小限にするとともに、相互の反応ガスの
各処理室内部への拡散を最小限（ｆＣシ各処理を安定化
する効果がある、 第２の実施例について第７図より説明する。
０の間に中継室３ｏを設け、それぞれの結合は気体分子
のコンダクタンスの小さい開閉装着を用いて行っている
ために、それぞれの処理室内部の反応ガスによる中継室
内部の汚染を最小限にするとともに、相互の反応ガスの
各処理室内部への拡散を最小限（ｆＣシ各処理を安定化
する効果がある、 第２の実施例について第７図より説明する。
第７図は、腐食防止を目的としたプラズマ処処理物５７
は、下部電極５９上の６点による支持具５８により、プ
ラズマ５６の内部に持ち上げらね、でいる。この時、被
処理物５７と支持具５８の接触面積をみかけ上０．２ｃ
ｒｌ程度にするとプラズマから与えられる熱量により被
処理物５７ば、塩化物除去に最適な２０［］′Ｃ以上に
々る。そのだめ第１の実施例同様、完全な腐食防止処理
が施せる。
は、下部電極５９上の６点による支持具５８により、プ
ラズマ５６の内部に持ち上げらね、でいる。この時、被
処理物５７と支持具５８の接触面積をみかけ上０．２ｃ
ｒｌ程度にするとプラズマから与えられる熱量により被
処理物５７ば、塩化物除去に最適な２０［］′Ｃ以上に
々る。そのだめ第１の実施例同様、完全な腐食防止処理
が施せる。
第６の実施例について第８図より説明する。
本実施例においては、赤外線源６１から放射される赤外
線によシ被処理物を加熱している。この時、赤外線を感
知する温度計６０により被処理物６３の温度を測定する
ことにより、赤外線源６１の放射量は制御系６２により
制御され、被処理物６３の温度は２０００程度に保たれ
る。
線によシ被処理物を加熱している。この時、赤外線を感
知する温度計６０により被処理物６３の温度を測定する
ことにより、赤外線源６１の放射量は制御系６２により
制御され、被処理物６３の温度は２０００程度に保たれ
る。
本実施例においても第１及び第２の実施例と同様の効果
がある。
がある。
以上、アルミニウム配線膜のドライエツチングの腐食防
止処理について説明したが、アルミニウムに限らず他の
金属のドライエツチング後の腐食防止処理にも適用でき
ることは容易に推察できる。
止処理について説明したが、アルミニウムに限らず他の
金属のドライエツチング後の腐食防止処理にも適用でき
ることは容易に推察できる。
さらに、ドライエツチング室の構造も、平行平板形のド
ライエツチング室にか久゛らず、円筒形ドライエンチン
グ室、イオンビームによるドライエツチング室及びマイ
クに波放電によるドライエツチング室なども適用可能で
あることは容易に推察できるわ 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、被処理物を大気に
さらすことなくして、腐食の原因となる例えば塩化物を
完全に除去することができるので、大気中の水分による
腐食の発生を完全に防止することができ、半導体生産の
歩留りを向上できる効果を奏する。
ライエツチング室にか久゛らず、円筒形ドライエンチン
グ室、イオンビームによるドライエツチング室及びマイ
クに波放電によるドライエツチング室なども適用可能で
あることは容易に推察できるわ 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、被処理物を大気に
さらすことなくして、腐食の原因となる例えば塩化物を
完全に除去することができるので、大気中の水分による
腐食の発生を完全に防止することができ、半導体生産の
歩留りを向上できる効果を奏する。
第１図は、残留塩素量と温度の関係を示したグラフ、第
２図は従来のドライエツチング装置の縦断面図、第６図
は本発明による第１の実施例の縦断面図、第４図は第３
図のＡ−Ａ断面図、第５図は第４図のＢ−Ｂ断面図、第
６図は第５図の積載装置３２及び可動ベルト搬送機構５
２をＣ方向から見た図、第７図は本発明による第２の実
施例の縦断面図、第８図は本発明による第３の実施例の
縦断面図である、 ２８ ドライエツチング室、 ２９・ ・・開閉装置、 ３６・・・・中継室、 ３２ ・・・積載装置、 ろ５・・・・・シール、 ４０ ・・・プラズマ処理室、 ５８・・・・・支持具、 ６０・・ 赤外線による温度計、 ６１ ・・赤外線源。 代理人弁理士 高 橋 明 夫 郷 ／ 図 （ｆｆｆ／ｃｉ） １００ ２００ ３ｏｏ （°ｏ）紅処理物Ｃ
昌友 潟 ４−図 葛 Ｓ′ 区 第 ６ 図 Ｌ 、、、、、、 −−−。 第 ７ 図
２図は従来のドライエツチング装置の縦断面図、第６図
は本発明による第１の実施例の縦断面図、第４図は第３
図のＡ−Ａ断面図、第５図は第４図のＢ−Ｂ断面図、第
６図は第５図の積載装置３２及び可動ベルト搬送機構５
２をＣ方向から見た図、第７図は本発明による第２の実
施例の縦断面図、第８図は本発明による第３の実施例の
縦断面図である、 ２８ ドライエツチング室、 ２９・ ・・開閉装置、 ３６・・・・中継室、 ３２ ・・・積載装置、 ろ５・・・・・シール、 ４０ ・・・プラズマ処理室、 ５８・・・・・支持具、 ６０・・ 赤外線による温度計、 ６１ ・・赤外線源。 代理人弁理士 高 橋 明 夫 郷 ／ 図 （ｆｆｆ／ｃｉ） １００ ２００ ３ｏｏ （°ｏ）紅処理物Ｃ
昌友 潟 ４−図 葛 Ｓ′ 区 第 ６ 図 Ｌ 、、、、、、 −−−。 第 ７ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ドライエツチング室と、真空を保ってドラ。 イエノチング室に接続されたプラズマ処理室から成るド
ライエツチング装置であって、プラズマ処理室内で処理
中の被処理物の温度を゛２０６′Ｃ以上にする手段を設
けたことを特徴とするドライエツチング装置。 ２ 上記手段を被処理物と支持具との熱的接触を小さく
して形成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のドライエツチング装置。 ３ ドライエツチング室と真空を保ってドライエツチン
グ室に接続されたプラズマ処理室から成るドライエツチ
ング装・置であって上記プラズマ処理室を円筒形に構成
したことを特徴とするドライエツチング装置。 ４ ドライエツチング室と、円筒形プラズマ処理室と、
この間に真空を保って相互に接続されだ中継室と、中継
室と各処理室との間にそれぞれ設けられた真空開閉装置
とを備えたことを特徴とするドライエツチング装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58059232A JPS59186326A (ja) | 1983-04-06 | 1983-04-06 | プラズマ処理装置 |
| US06/597,749 US4487678A (en) | 1983-04-06 | 1984-04-06 | Dry-etching apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58059232A JPS59186326A (ja) | 1983-04-06 | 1983-04-06 | プラズマ処理装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7280455A Division JP2701810B2 (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | プラズマ処理方法及びその装置 |
| JP7280456A Division JP2701811B2 (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | プラズマ処理方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59186326A true JPS59186326A (ja) | 1984-10-23 |
| JPH0522379B2 JPH0522379B2 (ja) | 1993-03-29 |
Family
ID=13107426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58059232A Granted JPS59186326A (ja) | 1983-04-06 | 1983-04-06 | プラズマ処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4487678A (ja) |
| JP (1) | JPS59186326A (ja) |
Cited By (6)
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| EP0247603A2 (en) * | 1986-05-29 | 1987-12-02 | Fujitsu Limited | A method for stripping a photo resist on an aluminium alloy |
| JPS63233533A (ja) * | 1987-03-23 | 1988-09-29 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
| JPH0382121A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-04-08 | Nec Corp | ドライエッチングの後処理方法 |
| JPH03280535A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-11 | Nec Corp | ドライエッチング装置 |
| JPH07254589A (ja) * | 1995-01-30 | 1995-10-03 | Hitachi Ltd | 試料の後処理方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4693777A (en) * | 1984-11-30 | 1987-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for producing semiconductor devices |
| US4624728A (en) * | 1985-06-11 | 1986-11-25 | Tegal Corporation | Pin lift plasma processing |
| EP0219826B1 (en) * | 1985-10-24 | 1994-09-07 | Texas Instruments Incorporated | Vacuum processing system |
| US4902531A (en) * | 1986-10-30 | 1990-02-20 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Vacuum processing method and apparatus |
| US4861563A (en) * | 1987-05-14 | 1989-08-29 | Spectrum Cvd, Inc. | Vacuum load lock |
| US6077788A (en) * | 1989-02-27 | 2000-06-20 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for processing samples |
| JP2528962B2 (ja) * | 1989-02-27 | 1996-08-28 | 株式会社日立製作所 | 試料処理方法及び装置 |
| US5868854A (en) | 1989-02-27 | 1999-02-09 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for processing samples |
| US5200017A (en) * | 1989-02-27 | 1993-04-06 | Hitachi, Ltd. | Sample processing method and apparatus |
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| JPS5831532A (ja) * | 1981-08-18 | 1983-02-24 | Nec Corp | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (4)
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| JPS5729577A (en) * | 1980-07-30 | 1982-02-17 | Anelva Corp | Automatic continuous sputtering apparatus |
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| US4422916A (en) * | 1981-02-12 | 1983-12-27 | Shatterproof Glass Corporation | Magnetron cathode sputtering apparatus |
-
1983
- 1983-04-06 JP JP58059232A patent/JPS59186326A/ja active Granted
-
1984
- 1984-04-06 US US06/597,749 patent/US4487678A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0522379B2 (ja) | 1993-03-29 |
| US4487678A (en) | 1984-12-11 |
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