JP2701811B2 - プラズマ処理方法及びその装置 - Google Patents
プラズマ処理方法及びその装置Info
- Publication number
- JP2701811B2 JP2701811B2 JP7280456A JP28045695A JP2701811B2 JP 2701811 B2 JP2701811 B2 JP 2701811B2 JP 7280456 A JP7280456 A JP 7280456A JP 28045695 A JP28045695 A JP 28045695A JP 2701811 B2 JP2701811 B2 JP 2701811B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- chamber
- dry etching
- gas
- dry
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ドライエッチング装置
に係り、特に超微細アルミニウム配線あるいは金属配線
パターン形成のためのドライエッチング後の金属の腐食
防止に好敵なドライエッチング装置に関するものであ
る。 【０００２】 【従来の技術】従来のドライエッチング装置について第
１図より説明する。 【０００３】アルミニウム配線膜のドライエッチングの
場合反応ガスに四塩化炭素、四塩化ホウ素など塩素化合
物を用いる。そのためエッチング後のアルミニウム表面
あるいはレジスト表面に塩素化合物が吸着する。このま
まの状態で大気中に出した場合、塩素化合物は大気中の
水分と反応して塩素イオンになりアルミニウムを腐食す
る。そこで、吸着している塩素化合物の除去が腐食防止
につながる。 【０００４】ところで装置構成は第２図に示すようにな
っている。 【０００５】即ち取入口４から取り入れられた被処理物
は、下部電極３上に載せられる。エッチング室６は、排
気口２に接続された図示しない真空排気装置によって低
圧まで排気され、ガス供給口８から反応ガスである四塩
化炭素が供給される。電極３及び７に高周波電源５から
高周波電圧が付加されることにより形成されたプラズマ
により被処理物１はエッチングされる。 【０００６】エッチングを終えた被処理物１は、プラズ
マ処理室１０に開閉装置９を通して搬入される。プラズ
マ処理室１０は、上記のごとく低圧下で酸素を反応ガス
にしてレジスト中に含まれた塩素化合物を除去するため
に、プラズマ処理される。処理を終えた被処理物１は取
出口１１から取り出される。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】以上のごとき従来装置
を用い、プラズマ処理室１０内で施される腐食防止処理
は十分でないという問題点があった。すなわち、被処理
物の表面に吸着した塩素化合物を完全にとり去ることが
できず、腐食の原因となる。 【０００８】これは、プラズマ処理中従来の装置では被
処理物１の温度が十分に上がらないためである。被処理
物１の温度上昇と残留塩素の関係は第１図６６に示すよ
うに被処理物１の温度が２００℃以上にするとエッチン
グ処理前の塩素イオン濃度レベル６５まで下がることが
判った。エッチング後の塩素イオン濃度レベルは６４に
示した。このように従来のドライエッチング装置におい
ては、被処理物１が平行平板形の下部電極１２上に置か
れているため、熱が下部電極１２を通して逃げてしま
い、被処理物１は１２０℃程度にしか到達できず十分に
残留塩素を除去できなかった。 【０００９】本発明の目的は、上記従来技術の欠点をな
くし、超ＬＳＩ製造時の超微細金属配線パターン形成に
おいて、歩留及び信頼性向上につながる完全な腐食防止
処理を可能にしたプラズマ処理方法及びその装置を提供
することにある。 【００１０】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、ドライエッチング室の内部でドライエッチング処理
された被処理物を、大気に曝すことなくプラズマ灰化処
理室の内部に搬送してプラズマ灰化処理するプラズマ処
理方法を、被処理物を内部に配置したドライエッチング
室にエッチングガスを導入してプラズマを発生させ、こ
の発生させたプラズマにより被処理物に形成した金属薄
膜をドライエッチング処理し、このドライエッチング処
理した被処理物をドライエッチング室から大気に曝すこ
となくプラズマ灰化処理室の内部に搬入し、被処理物が
搬入されたプラズマ灰化処理室の内部に酸素ガスを導入
してプラズマを発生させ、この発生させたプラズマによ
り被処理物をプラズマ灰化処理するとともにプラズマに
より被処理物を加熱して被処理物の表面に吸着されたエ
ッチングガスを気化させて除去することによりドライエ
ッチング処理された被処理物の金属薄膜の防蝕処理を
し、プラズマ灰化処理と防蝕処理とを施した被処理物を
プラズマ灰化処理室から搬出する方法にした。 【００１１】また、上記目的を達成するために、プラズ
マ処理装置を、被処理物を載置する載置台を備えてこの
載置台上に載置した被処理物をエッチング処理ガスを用
いてドライエッチング処理するドライエッチング処理室
と、このドライエッチング処理室にエッチングガスを供
給する第１のガス供給手段と、ドライエッチング処理室
に真空的に接続してドライエッチング処理された被処理
物をプラズマ灰化処理するとともに防蝕処理するプラズ
マ処理室と、このプラズマ処理室にプラズマ灰化処理用
ガスを供給する第２のガス供給手段と、ドライエッチン
グ処理室とプラズマ処理室との真空状態を分離・接続す
る開閉手段と、ドライエッチング処理された被処理物単
体をドライエッチング処理室から搬出してプラズマ処理
室へ搬送する搬送手段と、ドライエッチング処理室内に
あってドライエッチング処理された被処理物単体を載置
台から搬送手段へ受け渡す受け渡し手段とを備えて構成
した。 【００１２】 【作用】ドライエッチング室とプラズマ灰化処理室とを
同時に中継室と真空的に接続することなくドライエッチ
ングされた被処理物を真空に維持された中継室を経由し
てプラズマ灰化処理室の内部に搬送してプラズマ灰化処
理するようにしたので、ドライエッチング処理された被
処理物は大気に曝されることなく、かつ、エッチング処
理ガスのプラズマ灰化処理室内部への拡散を最小限にし
た状態でプラズマ灰化処理される。 【００１３】 【実施例】以下、本発明を図に示す実施例にもとづいて
具体的に説明する。 【００１４】本発明の一実施例の装置構成を、第３図、
第４図、第５図及び第６図により説明する。 【００１５】本実施例は、基本的には、ドライエッチン
グ室２８、プラズマ処理室４０及びこれら２つの処理室
を結合する中継室３０、から構成される。 【００１６】ドライエッチング室２８及びプラズマ処理
室は、図示しない反応ガス供給装置より、供給口２５及
び３７を通して反応ガスが供給される。また、図示しな
い真空排気系により、排気口４９及び４１を通して低圧
まで排気される。 【００１７】ドライエッチング室２８においては、平行
平板形の上部電極２４及び下部電極２３が設置されてお
り、各電極間には高周波電源４８より高周波電圧が付加
される。この時、下部電極２３は、絶縁物４７によっ
て、チャンバ２６から絶縁され、同時にシールドケース
５０によって囲まれている。 【００１８】プラズマ処理室４０には、外部電極３６及
び４２が設置されており、各電極間には高周波電源３９
によって高周波電圧が付加される。なお、チャンバ３８
は石英製である。 【００１９】次に搬送機構群の説明を行う。 【００２０】下部電極２３は、駆動系４６により回転
し、位置制御されている。また被処理物２７が置かれる
位置には、押し上げピン４５が貫通できる穴があけられ
ている。押し上げピン４５は、駆動系４４を駆動源とす
る装置によって上下に動く。 【００２１】中継室３０内には、搬送アーム３１が設置
されており、押し上げピン４５により押し上げられた被
処理物２７を中継室３０に搬送できる。搬送アーム３１
は、ベルト４３を駆動することにより動かす。このため
に、エッチング室２８と、中継室３０の間には開閉装置
２９が設置されている。さらに、ベルト搬送機構５１及
び、可動ベルト搬送機構５２により、積載装置３２内に
被処理物２７を搬入できるようになっている。 【００２２】積載装置３２は、駆動系３３を駆動源とし
た駆動装置によって上下動され、プラズマ処理室４０内
に搬入される。この時、可動ベルト搬送機構５２が、駆
動系５５によって第４図５２ａの位置から５２の位置に
移動することによって積載装置３２はプラズマ処理室４
０内に搬入可能になる。 【００２３】次に動作の説明を行う。 【００２４】本実施例において、複数個の被処理物２７
が、取入口２２から取り入れられ下部電極２３上に並べ
られた後、ドライエッチング室２８は低圧まで排気され
る。反応ガスを供給しながら、電極２３及び２４間に高
周波電圧が付加される。例えば、反応ガスに四塩化炭素
を用いた時、プラズマ状態になった反応ガスにより、被
処理物２７はドライエッチングされる。 【００２５】エッチングされた被処理物２７は、押し上
げピン４５により押し上げられ、搬送アーム３１により
一枚ずつ低圧まで排気されている中継室３０に搬送され
る。そのたびごとに、下部電極２３が回転して被処理物
２７を押し上げピン４５上に搬送してくる。 【００２６】中継室３０に搬送された被処理物２７は、
ベルト搬送機構５１によって可動ベルト搬送機構５２上
まで搬送される。第６図のごとき形状をした積載装置３
２は、ステップ状に上下することにより積載棚５３上
に、上段から順次、被処理物２７を積載する。この時、
積載装置３２はフォトセンサ５４により被処理物２７の
積載を確認した上で上昇する。 【００２７】積載を完了した時、開閉装置２９は閉じら
れ、ドライエッチング室２８の雰囲気による中継室３０
内部の汚染を最小限にする。同時に、可動ベルト搬送機
構５２は、第４図５２ｂのごとく移動し、積載装置３２
は、プラズマ処理室４０に３２ｂのごとく搬入される。 【００２８】プラズマ処理室４０において供給された酸
素ガスは、４００Ｗ程度の高周波電力によりプラズマ状
態になり、被処理物２７表面のレジスト膜は灰化される
とともにレジスト膜中の塩素加合物も除去される。ま
た、本実施例においては、被処理物２７を積載した積載
装置３２が第５図のごとくプラズマ処理室４０中のプラ
ズマの中に置かれるため、プラズマから熱を受けとりや
すく、被処理物２７が積載装置３２上に第６図のごとく
積載されており接触面積が小さくなるため受け取った熱
を逃がしにくい。そのため、被処理物２７は、プラズマ
より加熱され２００℃以上の温度になりかつ被処理物２
７の表面がプラズマにさらされることにより被処理物２
７表面の塩化物は気化しあるいは分解し、取り除かれ
る。 【００２９】この時、反応ガスによる中継室３０内部の
汚染を防ぐため中継室３０はシール３５によりプラズマ
処理室４０から隔絶される。 【００３０】腐食防止処理を終えた被処理物２７は、積
載装置３２を上昇し、可動ベルト搬送機構５２を第４図
５２ａの位置に移動することにより、積載装置３２の下
段から順次、開かれた開閉装置３４を通して外部に搬出
される。 【００３１】本実施例によれば、被処理物２７のアルミ
ニウムの腐食の原因になる塩化物をすみやかに取り除き
大気中に取り出しても腐食を発生させない完全な腐食防
止処理を施すという効果以外に、次のような効果があ
る。 【００３２】すなわち、ドライエッチング室２８とプラ
ズマ処理室４０の間に中継室３０を設け、それぞれの結
合は気体分子のコンダクタンスの小さい開閉装置を用い
て行っているために、それぞれの処理室内部の反応ガス
による中継室内部の汚染を最小限にするとともに、相互
の反応ガスの各処理室内部への拡散を最小限にし各処理
を安定化する効果がある。 【００３３】以上、アルミニウム配線膜のドライエッチ
ングの腐食防止処理について説明したが、アルミニウム
に限らず他の金属のドライエッチング後の腐食防止処理
にも適用できることは容易に推察できる。 【００３４】さらに、ドライエッチング室の構造も、平
行平板形のドライエッチング室にかぎらず、円筒形ドラ
イエッチング室、イオンビームによるドライエッチング
室及びマイクに波放電によるドライエッチング室なども
適用可能であることは容易に推察できる。 【００３５】 【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、被
処理物を大気にさらすことなくして、腐食の原因となる
例えば塩化物を完全に除去することができるので、大気
中の水分による腐食の発生を完全に防止することがで
き、半導体生産の歩留りを向上できる効果を奏する。
に係り、特に超微細アルミニウム配線あるいは金属配線
パターン形成のためのドライエッチング後の金属の腐食
防止に好敵なドライエッチング装置に関するものであ
る。 【０００２】 【従来の技術】従来のドライエッチング装置について第
１図より説明する。 【０００３】アルミニウム配線膜のドライエッチングの
場合反応ガスに四塩化炭素、四塩化ホウ素など塩素化合
物を用いる。そのためエッチング後のアルミニウム表面
あるいはレジスト表面に塩素化合物が吸着する。このま
まの状態で大気中に出した場合、塩素化合物は大気中の
水分と反応して塩素イオンになりアルミニウムを腐食す
る。そこで、吸着している塩素化合物の除去が腐食防止
につながる。 【０００４】ところで装置構成は第２図に示すようにな
っている。 【０００５】即ち取入口４から取り入れられた被処理物
は、下部電極３上に載せられる。エッチング室６は、排
気口２に接続された図示しない真空排気装置によって低
圧まで排気され、ガス供給口８から反応ガスである四塩
化炭素が供給される。電極３及び７に高周波電源５から
高周波電圧が付加されることにより形成されたプラズマ
により被処理物１はエッチングされる。 【０００６】エッチングを終えた被処理物１は、プラズ
マ処理室１０に開閉装置９を通して搬入される。プラズ
マ処理室１０は、上記のごとく低圧下で酸素を反応ガス
にしてレジスト中に含まれた塩素化合物を除去するため
に、プラズマ処理される。処理を終えた被処理物１は取
出口１１から取り出される。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】以上のごとき従来装置
を用い、プラズマ処理室１０内で施される腐食防止処理
は十分でないという問題点があった。すなわち、被処理
物の表面に吸着した塩素化合物を完全にとり去ることが
できず、腐食の原因となる。 【０００８】これは、プラズマ処理中従来の装置では被
処理物１の温度が十分に上がらないためである。被処理
物１の温度上昇と残留塩素の関係は第１図６６に示すよ
うに被処理物１の温度が２００℃以上にするとエッチン
グ処理前の塩素イオン濃度レベル６５まで下がることが
判った。エッチング後の塩素イオン濃度レベルは６４に
示した。このように従来のドライエッチング装置におい
ては、被処理物１が平行平板形の下部電極１２上に置か
れているため、熱が下部電極１２を通して逃げてしま
い、被処理物１は１２０℃程度にしか到達できず十分に
残留塩素を除去できなかった。 【０００９】本発明の目的は、上記従来技術の欠点をな
くし、超ＬＳＩ製造時の超微細金属配線パターン形成に
おいて、歩留及び信頼性向上につながる完全な腐食防止
処理を可能にしたプラズマ処理方法及びその装置を提供
することにある。 【００１０】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、ドライエッチング室の内部でドライエッチング処理
された被処理物を、大気に曝すことなくプラズマ灰化処
理室の内部に搬送してプラズマ灰化処理するプラズマ処
理方法を、被処理物を内部に配置したドライエッチング
室にエッチングガスを導入してプラズマを発生させ、こ
の発生させたプラズマにより被処理物に形成した金属薄
膜をドライエッチング処理し、このドライエッチング処
理した被処理物をドライエッチング室から大気に曝すこ
となくプラズマ灰化処理室の内部に搬入し、被処理物が
搬入されたプラズマ灰化処理室の内部に酸素ガスを導入
してプラズマを発生させ、この発生させたプラズマによ
り被処理物をプラズマ灰化処理するとともにプラズマに
より被処理物を加熱して被処理物の表面に吸着されたエ
ッチングガスを気化させて除去することによりドライエ
ッチング処理された被処理物の金属薄膜の防蝕処理を
し、プラズマ灰化処理と防蝕処理とを施した被処理物を
プラズマ灰化処理室から搬出する方法にした。 【００１１】また、上記目的を達成するために、プラズ
マ処理装置を、被処理物を載置する載置台を備えてこの
載置台上に載置した被処理物をエッチング処理ガスを用
いてドライエッチング処理するドライエッチング処理室
と、このドライエッチング処理室にエッチングガスを供
給する第１のガス供給手段と、ドライエッチング処理室
に真空的に接続してドライエッチング処理された被処理
物をプラズマ灰化処理するとともに防蝕処理するプラズ
マ処理室と、このプラズマ処理室にプラズマ灰化処理用
ガスを供給する第２のガス供給手段と、ドライエッチン
グ処理室とプラズマ処理室との真空状態を分離・接続す
る開閉手段と、ドライエッチング処理された被処理物単
体をドライエッチング処理室から搬出してプラズマ処理
室へ搬送する搬送手段と、ドライエッチング処理室内に
あってドライエッチング処理された被処理物単体を載置
台から搬送手段へ受け渡す受け渡し手段とを備えて構成
した。 【００１２】 【作用】ドライエッチング室とプラズマ灰化処理室とを
同時に中継室と真空的に接続することなくドライエッチ
ングされた被処理物を真空に維持された中継室を経由し
てプラズマ灰化処理室の内部に搬送してプラズマ灰化処
理するようにしたので、ドライエッチング処理された被
処理物は大気に曝されることなく、かつ、エッチング処
理ガスのプラズマ灰化処理室内部への拡散を最小限にし
た状態でプラズマ灰化処理される。 【００１３】 【実施例】以下、本発明を図に示す実施例にもとづいて
具体的に説明する。 【００１４】本発明の一実施例の装置構成を、第３図、
第４図、第５図及び第６図により説明する。 【００１５】本実施例は、基本的には、ドライエッチン
グ室２８、プラズマ処理室４０及びこれら２つの処理室
を結合する中継室３０、から構成される。 【００１６】ドライエッチング室２８及びプラズマ処理
室は、図示しない反応ガス供給装置より、供給口２５及
び３７を通して反応ガスが供給される。また、図示しな
い真空排気系により、排気口４９及び４１を通して低圧
まで排気される。 【００１７】ドライエッチング室２８においては、平行
平板形の上部電極２４及び下部電極２３が設置されてお
り、各電極間には高周波電源４８より高周波電圧が付加
される。この時、下部電極２３は、絶縁物４７によっ
て、チャンバ２６から絶縁され、同時にシールドケース
５０によって囲まれている。 【００１８】プラズマ処理室４０には、外部電極３６及
び４２が設置されており、各電極間には高周波電源３９
によって高周波電圧が付加される。なお、チャンバ３８
は石英製である。 【００１９】次に搬送機構群の説明を行う。 【００２０】下部電極２３は、駆動系４６により回転
し、位置制御されている。また被処理物２７が置かれる
位置には、押し上げピン４５が貫通できる穴があけられ
ている。押し上げピン４５は、駆動系４４を駆動源とす
る装置によって上下に動く。 【００２１】中継室３０内には、搬送アーム３１が設置
されており、押し上げピン４５により押し上げられた被
処理物２７を中継室３０に搬送できる。搬送アーム３１
は、ベルト４３を駆動することにより動かす。このため
に、エッチング室２８と、中継室３０の間には開閉装置
２９が設置されている。さらに、ベルト搬送機構５１及
び、可動ベルト搬送機構５２により、積載装置３２内に
被処理物２７を搬入できるようになっている。 【００２２】積載装置３２は、駆動系３３を駆動源とし
た駆動装置によって上下動され、プラズマ処理室４０内
に搬入される。この時、可動ベルト搬送機構５２が、駆
動系５５によって第４図５２ａの位置から５２の位置に
移動することによって積載装置３２はプラズマ処理室４
０内に搬入可能になる。 【００２３】次に動作の説明を行う。 【００２４】本実施例において、複数個の被処理物２７
が、取入口２２から取り入れられ下部電極２３上に並べ
られた後、ドライエッチング室２８は低圧まで排気され
る。反応ガスを供給しながら、電極２３及び２４間に高
周波電圧が付加される。例えば、反応ガスに四塩化炭素
を用いた時、プラズマ状態になった反応ガスにより、被
処理物２７はドライエッチングされる。 【００２５】エッチングされた被処理物２７は、押し上
げピン４５により押し上げられ、搬送アーム３１により
一枚ずつ低圧まで排気されている中継室３０に搬送され
る。そのたびごとに、下部電極２３が回転して被処理物
２７を押し上げピン４５上に搬送してくる。 【００２６】中継室３０に搬送された被処理物２７は、
ベルト搬送機構５１によって可動ベルト搬送機構５２上
まで搬送される。第６図のごとき形状をした積載装置３
２は、ステップ状に上下することにより積載棚５３上
に、上段から順次、被処理物２７を積載する。この時、
積載装置３２はフォトセンサ５４により被処理物２７の
積載を確認した上で上昇する。 【００２７】積載を完了した時、開閉装置２９は閉じら
れ、ドライエッチング室２８の雰囲気による中継室３０
内部の汚染を最小限にする。同時に、可動ベルト搬送機
構５２は、第４図５２ｂのごとく移動し、積載装置３２
は、プラズマ処理室４０に３２ｂのごとく搬入される。 【００２８】プラズマ処理室４０において供給された酸
素ガスは、４００Ｗ程度の高周波電力によりプラズマ状
態になり、被処理物２７表面のレジスト膜は灰化される
とともにレジスト膜中の塩素加合物も除去される。ま
た、本実施例においては、被処理物２７を積載した積載
装置３２が第５図のごとくプラズマ処理室４０中のプラ
ズマの中に置かれるため、プラズマから熱を受けとりや
すく、被処理物２７が積載装置３２上に第６図のごとく
積載されており接触面積が小さくなるため受け取った熱
を逃がしにくい。そのため、被処理物２７は、プラズマ
より加熱され２００℃以上の温度になりかつ被処理物２
７の表面がプラズマにさらされることにより被処理物２
７表面の塩化物は気化しあるいは分解し、取り除かれ
る。 【００２９】この時、反応ガスによる中継室３０内部の
汚染を防ぐため中継室３０はシール３５によりプラズマ
処理室４０から隔絶される。 【００３０】腐食防止処理を終えた被処理物２７は、積
載装置３２を上昇し、可動ベルト搬送機構５２を第４図
５２ａの位置に移動することにより、積載装置３２の下
段から順次、開かれた開閉装置３４を通して外部に搬出
される。 【００３１】本実施例によれば、被処理物２７のアルミ
ニウムの腐食の原因になる塩化物をすみやかに取り除き
大気中に取り出しても腐食を発生させない完全な腐食防
止処理を施すという効果以外に、次のような効果があ
る。 【００３２】すなわち、ドライエッチング室２８とプラ
ズマ処理室４０の間に中継室３０を設け、それぞれの結
合は気体分子のコンダクタンスの小さい開閉装置を用い
て行っているために、それぞれの処理室内部の反応ガス
による中継室内部の汚染を最小限にするとともに、相互
の反応ガスの各処理室内部への拡散を最小限にし各処理
を安定化する効果がある。 【００３３】以上、アルミニウム配線膜のドライエッチ
ングの腐食防止処理について説明したが、アルミニウム
に限らず他の金属のドライエッチング後の腐食防止処理
にも適用できることは容易に推察できる。 【００３４】さらに、ドライエッチング室の構造も、平
行平板形のドライエッチング室にかぎらず、円筒形ドラ
イエッチング室、イオンビームによるドライエッチング
室及びマイクに波放電によるドライエッチング室なども
適用可能であることは容易に推察できる。 【００３５】 【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、被
処理物を大気にさらすことなくして、腐食の原因となる
例えば塩化物を完全に除去することができるので、大気
中の水分による腐食の発生を完全に防止することがで
き、半導体生産の歩留りを向上できる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】残留塩素量と温度の関係を示したグラフであ
る。 【図２】従来のドライエッチング装置の縦断面図であ
る。 【図３】本発明によるプラズマ処理装置の縦断面図であ
る。 【図４】図３に示した本発明によるプラズマ処理装置の
Ａ−Ａ断面図である。 【図５】図４に示した本発明によるプラズマ処理装置の
Ｂ−Ｂ断面図である。 【図６】図５の積載装置３２及び可動ベルト搬送機構５
２をＣ方向から見た図である。 【符号の説明】 ２８……ドライエッチング室、 ２９……開閉装置、 ３６……中継室、 ３２……積載装置、 ３５……シール、 ４０……プラズマ処理室、 ５８……支持具、 ６０……赤外線による温度計、 ６１……赤外線源。
る。 【図２】従来のドライエッチング装置の縦断面図であ
る。 【図３】本発明によるプラズマ処理装置の縦断面図であ
る。 【図４】図３に示した本発明によるプラズマ処理装置の
Ａ−Ａ断面図である。 【図５】図４に示した本発明によるプラズマ処理装置の
Ｂ−Ｂ断面図である。 【図６】図５の積載装置３２及び可動ベルト搬送機構５
２をＣ方向から見た図である。 【符号の説明】 ２８……ドライエッチング室、 ２９……開閉装置、 ３６……中継室、 ３２……積載装置、 ３５……シール、 ４０……プラズマ処理室、 ５８……支持具、 ６０……赤外線による温度計、 ６１……赤外線源。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 上村 隆
神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株
式会社日立製作所生産技術研究所内
(72)発明者 藤井 輝
神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株
式会社日立製作所生産技術研究所内
(56)参考文献 特開 昭55−141570（ＪＰ，Ａ)
特開 昭57−87120（ＪＰ，Ａ)
特開 昭57−149748（ＪＰ，Ａ)
電子材料、1978年11月号、第36〜41
頁、工業調査会
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．ドライエッチング室の内部でドライエッチング処理
された被処理物を、大気に曝すことなくプラズマ灰化処
理室の内部に搬送してプラズマ灰化処理するプラズマ処
理方法であって、前記被処理物を内部に配置した前記ド
ライエッチング室にエッチングガスを導入してプラズマ
を発生させ、該発生させたプラズマにより前記被処理物
に形成した金属薄膜をドライエッチング処理し、該ドラ
イエッチング処理した前記被処理物を前記ドライエッチ
ング室から大気に曝すことなくプラズマ灰化処理室の内
部に搬入し、該被処理物が搬入された前記プラズマ灰化
処理室の内部に酸素ガスを導入してプラズマを発生さ
せ、該発生させたプラズマにより前記被処理物をプラズ
マ灰化処理するとともに前記プラズマにより前記被処理
物を加熱して前記被処理物の表面に吸着された前記エッ
チングガスを気化させて除去することにより前記ドライ
エッチング処理された被処理物の金属薄膜の防蝕処理を
し、前記プラズマ灰化処理と前記防蝕処理とを施した被
処理物を前記プラズマ灰化処理室から搬出することを特
徴とするプラズマ処理方法。 ２．前記ドライエッチング室に導入するガスが塩素系の
ガスであり、前記ドライエッチング処理する金属薄膜が
アルミニウム配線膜であることを特徴とする請求項１記
載のプラズマ処理方法。 ３．前記防蝕処理を、前記プラズマにより前記被処理物
を、２００℃以上に加熱して行うことを特徴とする請求
項１記載のプラズマ処理方法。４． 被処理物を載置する載置台を備えて該載置台上に載
置した被処理物をエッチング処理ガスを用いてドライエ
ッチング処理するドライエッチング処理室と、該ドライ
エッチング処理室にエッチングガスを供給する第１のガ
ス供給手段と、前記ドライエッチング処理室に真空的に
接続して前記ドライエッチング処理された被処理物をプ
ラズマ灰化処理するとともに防蝕処理するプラズマ処理
室と、該プラズマ処理室にプラズマ灰化処理用ガスを供
給する第２のガス供給手段と、前記ドライエッチング処
理室と前記プラズマ処理室との真空状態を分離・接続す
る開閉手段と、前記ドライエッチング処理された被処理
物単体を前記ドライエッチング処理室から搬出して前記
プラズマ処理室へ搬送する搬送手段と、ドライエッチン
グ処理室内にあって前記ドライエッチング処理された被
処理物単体を前記載置台から前記搬送手段へ受け渡す受
け渡し手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装
置。５． 前記被処理物が金属薄膜を前記第１のガス供給手段
は、塩素系のガスを前記ドライエッチング処理室に供給
し、前記ドライエッチング処理室内で前記被処理物に形
成された金属薄膜をドライエッチング処理することを特
徴とする請求項４記載のプラズマ処理装置。 ６． 前記第２のガス供給手段は、酸素ガスを前記プラズ
マ処理室へ供給することを特徴とする請求項４記載のプ
ラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7280456A JP2701811B2 (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | プラズマ処理方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7280456A JP2701811B2 (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | プラズマ処理方法及びその装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58059232A Division JPS59186326A (ja) | 1983-04-06 | 1983-04-06 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08213373A JPH08213373A (ja) | 1996-08-20 |
| JP2701811B2 true JP2701811B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=17625321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7280456A Expired - Lifetime JP2701811B2 (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | プラズマ処理方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2701811B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4747139B2 (ja) * | 2002-11-15 | 2011-08-17 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55141570A (en) * | 1979-04-18 | 1980-11-05 | Anelva Corp | Dry etching apparatus |
| JPS5787120A (en) * | 1980-11-20 | 1982-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and device for plasma cvd |
| JPS57149748A (en) * | 1981-03-12 | 1982-09-16 | Anelva Corp | Treating device for substrate |
-
1995
- 1995-10-27 JP JP7280456A patent/JP2701811B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 電子材料、１９７８年１１月号、第３６〜４１頁、工業調査会 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08213373A (ja) | 1996-08-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0522379B2 (ja) | ||
| KR100809126B1 (ko) | 피처리체 처리 장치 | |
| US4442338A (en) | Plasma etching apparatus | |
| KR900013599A (ko) | 시료처리방법 및 장치 | |
| JP2006229085A (ja) | プラズマ処理装置、熱処理装置、処理システム、前処理装置及び記憶媒体 | |
| US5164034A (en) | Apparatus and method for processing substrate | |
| JP2701810B2 (ja) | プラズマ処理方法及びその装置 | |
| JP2701811B2 (ja) | プラズマ処理方法及びその装置 | |
| KR100743275B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 후처리방법 | |
| JP3254482B2 (ja) | プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法 | |
| JP2741156B2 (ja) | マルチチャンバー処理装置のクリーニング方法 | |
| JP2004319540A (ja) | 半導体装置の製造方法およびドライエッチング装置 | |
| JPH07147273A (ja) | エッチング処理方法 | |
| JP3066691B2 (ja) | マルチチャンバー処理装置及びそのクリーニング方法 | |
| JP3394263B2 (ja) | 真空処理方法及び装置 | |
| JPH08195382A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS62159433A (ja) | レジスト除去方法及び装置 | |
| JPH0814032B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JP2544129B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2626782B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| JPS5946127A (ja) | 気体化学反応方法および装置 | |
| JPH01243522A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JP2728483B2 (ja) | 試料後処理方法と装置 | |
| JP3015744B2 (ja) | 連続処理装置 | |
| JP2002075882A (ja) | 基板処理装置及び基板処理装置用ロードロックチャンバー並びに基板処理装置におけるロードロックチャンバーのクリーニング方法 |