JPS62159433A - レジスト除去方法及び装置 - Google Patents
レジスト除去方法及び装置Info
- Publication number
- JPS62159433A JPS62159433A JP57886A JP57886A JPS62159433A JP S62159433 A JPS62159433 A JP S62159433A JP 57886 A JP57886 A JP 57886A JP 57886 A JP57886 A JP 57886A JP S62159433 A JPS62159433 A JP S62159433A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- sample
- resist
- processed
- processor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レジスト除去方法及び装置に係り、特に半導
体素子基板等の試料の被処理面に有るレジストをプラズ
マにより除去するのに好適なレジスト除去方法及び装置
に関するものである。
体素子基板等の試料の被処理面に有るレジストをプラズ
マにより除去するのに好適なレジスト除去方法及び装置
に関するものである。
レジストをプラズマにより除去する従来の技術は、特開
昭５８−１６４７８８号公報に記載のように、処理ガス
をマイクロ波で励起して得た長寿命の活性種をプラズマ
発生室から分離して処理室に送りプラズマ発生室からの
電子照射、熱などの影響を遮断して純粋な化学反応エツ
チングでレジストを灰化処理して除去するようになって
いた。
昭５８−１６４７８８号公報に記載のように、処理ガス
をマイクロ波で励起して得た長寿命の活性種をプラズマ
発生室から分離して処理室に送りプラズマ発生室からの
電子照射、熱などの影響を遮断して純粋な化学反応エツ
チングでレジストを灰化処理して除去するようになって
いた。
しかし、プラズマの流れ方向と試料の被処理面の向きと
の関係畳こついては配慮されていなかった。
の関係畳こついては配慮されていなかった。
上記従来技術は、プラズマによる試料の被処理面のレジ
スト除去処理時のプラズマの流れ方向と試料の被処理面
の向きとの関係について配慮がされておらず、このため
、レジスト除去処理が不均一になるといった問題がある
。
スト除去処理時のプラズマの流れ方向と試料の被処理面
の向きとの関係について配慮がされておらず、このため
、レジスト除去処理が不均一になるといった問題がある
。
本発明の目的は、試料の被処理面にあるレジストの除去
処理を均一に行うことができるレフスト除去方法及び装
置を提供することにある。
処理を均一に行うことができるレフスト除去方法及び装
置を提供することにある。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
上記目的は、被処理面にレジストを有する試料をプラズ
マの流れ方向に沿って設置することにより達成される。
マの流れ方向に沿って設置することにより達成される。
プラズマ生成部で生成され処理部に輸送されて導入され
たプラズマの流れ方向に沿って被処理面にレジストを有
する試料を設置することで、試料の被処理面にプラズマ
が均等にあたり、このプラズマによって被処理面にある
レジストが灰化されるようになるので、試料の被処理面
にあるレジストの除去処理が均一に行われる。
たプラズマの流れ方向に沿って被処理面にレジストを有
する試料を設置することで、試料の被処理面にプラズマ
が均等にあたり、このプラズマによって被処理面にある
レジストが灰化されるようになるので、試料の被処理面
にあるレジストの除去処理が均一に行われる。
以下、本発明の一実施例を第１図、第２図により説明す
る。
る。
９５１図、第２図で、プラズマ生成部１０は、この桟
場合、グ型に設置されている。プラズマ生成部１０は、
容器１１と１！＄ｆｉ１２と高周波？を源１３とで構成
されている。容器１１の一端（第１図、第２図では、左
端）には、処理ガス供給口１４が設けられている。
容器１１と１！＄ｆｉ１２と高周波？を源１３とで構成
されている。容器１１の一端（第１図、第２図では、左
端）には、処理ガス供給口１４が設けられている。
処理ガス供給口１４には、処理ガス供給管（図示省略）
の一端が連結され、処理ガス供給管の他端は処理ガス供
給源（図示省略）に連結されている。
の一端が連結され、処理ガス供給管の他端は処理ガス供
給源（図示省略）に連結されている。
電極丘は、容器１１外に設けられ、高周波ｔ＃１３に接
続されると共に接地されている。処理部美は、この場合
、石英製の容器であり、被処理面にレジストを有する試
料（９）が高さ方向に複数個収納されたカセット切を縦
方向（試料（９）は被処理面水平方向）に収容、設置可
能な内容積を有している。容器１１の他端（第１図、第
２図では、右端）には、処理部（９）が容器ｌｌ内と連
通して設けられている。
続されると共に接地されている。処理部美は、この場合
、石英製の容器であり、被処理面にレジストを有する試
料（９）が高さ方向に複数個収納されたカセット切を縦
方向（試料（９）は被処理面水平方向）に収容、設置可
能な内容積を有している。容器１１の他端（第１図、第
２図では、右端）には、処理部（９）が容器ｌｌ内と連
通して設けられている。
容器１１から処理部（９）にプラズマを導入するプラズ
マ導入口（資）の開口の大きさは、カセット菊での試料
萄の収納範囲よりも太き（なっている。処理部りのプラ
ズマ導入口部と対応する位置には、プラズマ導入口開の
開口の大きさと対応する開口を有する排気部ガが設けら
れている。排気部乙には、排気口ｎが設けられ、排気口
ｎは、排気管（図示省略）を介して真空排気装置（図示
省略）に連結されている。なお、処理部■の外側には、
処理部加の頂部を除（位置でヒータωが設けられている
。
マ導入口（資）の開口の大きさは、カセット菊での試料
萄の収納範囲よりも太き（なっている。処理部りのプラ
ズマ導入口部と対応する位置には、プラズマ導入口開の
開口の大きさと対応する開口を有する排気部ガが設けら
れている。排気部乙には、排気口ｎが設けられ、排気口
ｎは、排気管（図示省略）を介して真空排気装置（図示
省略）に連結されている。なお、処理部■の外側には、
処理部加の頂部を除（位置でヒータωが設けられている
。
第１図、第２図で、試料（９）を高さ方向に複数個収納
したカセット荀が、プラズマ導入０父に対応した位置で
処理部■内に縦方向に設置される。容器１１内および処
理部領内は、所定圧力まで減圧排気され、この状態で、
容器１１内には、処理ガスが所定流量で供給される。電
極校に高周波電源１３より所定の高周波電力を印加する
ことで、容器ｌｌ内の処理ガスはプラズマ化される。こ
のプラズマは、真空排気装置の作動によりプラズマ導入
０父を介して処理部（９）内に導入され、カセット荀に
収納された試料Ｉの被処理面に沿つて排気部２１に向っ
て流れる。試料薗の被処理面に沿ってプラズマが流れる
間に被処理面にあるレジストは、プラズマにより灰化さ
れて除去される。この処理中にガス対流や周囲潤度の影
響によりカセット荀の上段側に収納された試料（資）の
湿度が下段側に収納された試料側の湿度よりも高くなる
傾向にあるが、この場合、カセット和の上段側に収納さ
れた試料（９）に対するヒータωからの輻射熱が小さく
なるようにヒータωが設置されているため、カセット荀
に収納された試料間は均一に昇温される。
したカセット荀が、プラズマ導入０父に対応した位置で
処理部■内に縦方向に設置される。容器１１内および処
理部領内は、所定圧力まで減圧排気され、この状態で、
容器１１内には、処理ガスが所定流量で供給される。電
極校に高周波電源１３より所定の高周波電力を印加する
ことで、容器ｌｌ内の処理ガスはプラズマ化される。こ
のプラズマは、真空排気装置の作動によりプラズマ導入
０父を介して処理部（９）内に導入され、カセット荀に
収納された試料Ｉの被処理面に沿つて排気部２１に向っ
て流れる。試料薗の被処理面に沿ってプラズマが流れる
間に被処理面にあるレジストは、プラズマにより灰化さ
れて除去される。この処理中にガス対流や周囲潤度の影
響によりカセット荀の上段側に収納された試料（資）の
湿度が下段側に収納された試料側の湿度よりも高くなる
傾向にあるが、この場合、カセット和の上段側に収納さ
れた試料（９）に対するヒータωからの輻射熱が小さく
なるようにヒータωが設置されているため、カセット荀
に収納された試料間は均一に昇温される。
本実施例では、次のような効果が得られる。
＋１１ プラズマ生成部で生成されプラズマ導入口を
介して処理部に導入されたプラズマがカセットに高さ方
向に収納された試料の被処理面に沿つて流れ、該プラズ
マにより試料の被処理面にあるレジストを灰化して除去
できるため、各試料の被処理面にあるレジストの除去処
理を均一に行うことができる。
介して処理部に導入されたプラズマがカセットに高さ方
向に収納された試料の被処理面に沿つて流れ、該プラズ
マにより試料の被処理面にあるレジストを灰化して除去
できるため、各試料の被処理面にあるレジストの除去処
理を均一に行うことができる。
（２） 試料が加温されるため１反応が活性化しレジ
スト除去速度を向上できスループットを向上できる。
スト除去速度を向上できスループットを向上できる。
（３） カセットに収納された試料を均一に加温でき
るため、試料間のレジスト除去速度を均一化できる。
るため、試料間のレジスト除去速度を均一化できる。
なお、プラズマを生成する方法、手段は、本実施例に限
定されるものではな（、例えば、電子サイクロトン共鳴
によりプラズマを生成するものであっても良い。また、
本実施例では、プラズマ生成部と処理部とを直接連設し
ているが、プラズマ生成部と処理部とをプラズマ輸送手
段を介して連結するようにしても良い。但し、この場合
、プラズマ導入口の開口の大きさおよび処理部に導入さ
れたプラズマの流れ方向は、上記条件を満足する必要が
ある。
定されるものではな（、例えば、電子サイクロトン共鳴
によりプラズマを生成するものであっても良い。また、
本実施例では、プラズマ生成部と処理部とを直接連設し
ているが、プラズマ生成部と処理部とをプラズマ輸送手
段を介して連結するようにしても良い。但し、この場合
、プラズマ導入口の開口の大きさおよび処理部に導入さ
れたプラズマの流れ方向は、上記条件を満足する必要が
ある。
本発明・こよれば、輸送されたプラズマな試料の被処理
面に沿って流し該プラズマにより被処理面にあるレジス
トを灰化して除去できるので、試料の被処理面にあるレ
ジストの除去処理を均−心行うことができるという効果
がある。
面に沿って流し該プラズマにより被処理面にあるレジス
トを灰化して除去できるので、試料の被処理面にあるレ
ジストの除去処理を均−心行うことができるという効果
がある。
第１図は、本発明の一実施例のレジスト除去装置の縦断
面図、第２図は、第１図のＡ−Ａ線断面図である。
面図、第２図は、第１図のＡ−Ａ線断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、処理ガスをプラズマ化するステップと、前記プラズ
マを輸送するステップと、被処理面にレジストを有する
試料を前記プラズマの流れ方向に沿って設置するステッ
プと、前記プラズマにより前記レジストを除去するステ
ップとを有することを特徴とするレジスト除去方法。 ２、処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成部に試料の
被処理面のレジストを前記プラズマにより除去する処理
部を連通して設け、前記プラズマ生成部から前記処理部
に前記プラズマを導入するプラズマ導入口の開口の大き
さを前記処理部での前記試料の設置範囲より大きくし、
前記被処理面を前記処理ガスの流れに沿った方向で前記
試料を保持する試料保持手段を前記プラズマ導入口に対
応した位置で前記処理部に内設したことを特徴とするレ
ジスト除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57886A JPS62159433A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | レジスト除去方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57886A JPS62159433A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | レジスト除去方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62159433A true JPS62159433A (ja) | 1987-07-15 |
Family
ID=11477593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57886A Pending JPS62159433A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | レジスト除去方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62159433A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0290612A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Nec Corp | プラズマアッシング装置 |
| WO2004102650A1 (ja) * | 2003-05-19 | 2004-11-25 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置 |
| JP2007194668A (ja) * | 2007-04-12 | 2007-08-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2010103544A (ja) * | 2001-01-11 | 2010-05-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 成膜装置および成膜方法 |
| US8261692B2 (en) | 2002-04-05 | 2012-09-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and reaction container |
| US20160232932A1 (en) * | 2014-03-04 | 2016-08-11 | Canon Anelva Corporation | Vacuum process apparatus and vacuum process method |
-
1986
- 1986-01-08 JP JP57886A patent/JPS62159433A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0290612A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Nec Corp | プラズマアッシング装置 |
| JP2010103544A (ja) * | 2001-01-11 | 2010-05-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 成膜装置および成膜方法 |
| US8261692B2 (en) | 2002-04-05 | 2012-09-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and reaction container |
| WO2004102650A1 (ja) * | 2003-05-19 | 2004-11-25 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置 |
| KR100856654B1 (ko) | 2003-05-19 | 2008-09-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
| JP2007194668A (ja) * | 2007-04-12 | 2007-08-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP4746581B2 (ja) * | 2007-04-12 | 2011-08-10 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
| US20160232932A1 (en) * | 2014-03-04 | 2016-08-11 | Canon Anelva Corporation | Vacuum process apparatus and vacuum process method |
| US11600295B2 (en) * | 2014-03-04 | 2023-03-07 | Canon Anelva Corporation | Vacuum process apparatus and vacuum process method |
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