JPS63141319A - ドライエツチング処理装置 - Google Patents
ドライエツチング処理装置Info
- Publication number
- JPS63141319A JPS63141319A JP28822186A JP28822186A JPS63141319A JP S63141319 A JPS63141319 A JP S63141319A JP 28822186 A JP28822186 A JP 28822186A JP 28822186 A JP28822186 A JP 28822186A JP S63141319 A JPS63141319 A JP S63141319A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor sample
- dry etching
- chamber
- container
- heated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造工程で使用するドライエツ
チング処理装置に関する。
チング処理装置に関する。
従来、この種のドライエツチング処理装置は第２図に示
すように構成されている。これを同図に基づいて概略説
明すると、同図において、符号ｌで示すものは反応室２
．予備室３およびカセット室４からなるドライエツチン
グ処理用の容器、５および６はこの容器１の反応室２内
に設けられた上下２つの電極、７はこれら両電極５，６
間に高電圧を印加する高周波電源である。なお、８は前
記容器１の近傍に設けられ半導体試料９を加熱する加熱
装置である。また、１０はバルブ、１１は排気口、１２
は試料取出入口である。
すように構成されている。これを同図に基づいて概略説
明すると、同図において、符号ｌで示すものは反応室２
．予備室３およびカセット室４からなるドライエツチン
グ処理用の容器、５および６はこの容器１の反応室２内
に設けられた上下２つの電極、７はこれら両電極５，６
間に高電圧を印加する高周波電源である。なお、８は前
記容器１の近傍に設けられ半導体試料９を加熱する加熱
装置である。また、１０はバルブ、１１は排気口、１２
は試料取出入口である。
次に、従来のドライエフチグ処理について説明する。
先ず、加熱装置８によって加熱した半導体試料９をカセ
ット室４内に収納する。次に、カセット室４内を１／１
０３Ｔｏｒｒに真空排気して半導体試料９を予備室３内
に搬送する。このとき、容器１の予備室３内は１／１０
３Ｔｏｒｒに真空排気されている。そして、反応室２内
の電極６上に半導体試料９を載置した後、両電極５．６
間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させる。
ット室４内に収納する。次に、カセット室４内を１／１
０３Ｔｏｒｒに真空排気して半導体試料９を予備室３内
に搬送する。このとき、容器１の予備室３内は１／１０
３Ｔｏｒｒに真空排気されている。そして、反応室２内
の電極６上に半導体試料９を載置した後、両電極５．６
間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させる。
このようにして、反応室２内の半導体試料９に対しドラ
イエツチング処理を行うことができる。
イエツチング処理を行うことができる。
ところで、従来のドライエツチング処理装置においては
、加熱装置８によって加熱した半導体試料９を容器１内
に搬送しなければならず、このため半導体試料９がドラ
イエツチング処理前に大気中に露呈することになり、半
導体試料９に塵埃が付着したり水分が吸着されたりして
半導体試料９の品質が低下し、エツチング特性に悪影響
を及ぼすという問題があった。
、加熱装置８によって加熱した半導体試料９を容器１内
に搬送しなければならず、このため半導体試料９がドラ
イエツチング処理前に大気中に露呈することになり、半
導体試料９に塵埃が付着したり水分が吸着されたりして
半導体試料９の品質が低下し、エツチング特性に悪影響
を及ぼすという問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、半導体
試料の品質を向上させることができ、もって良好なエツ
チング特性を得ることができるドライエツチング処理装
置を提供するものである。
試料の品質を向上させることができ、もって良好なエツ
チング特性を得ることができるドライエツチング処理装
置を提供するものである。
本発明に係るドライエツチング処理装置は、不活性ガス
を導入する導入口および真空排気する排気口を有しその
内部に半導体試料を収容可能なドライエツチング処理用
の容器と、この容器内に供給する不活性ガスを加熱する
加熱装置とを備えたものである。
を導入する導入口および真空排気する排気口を有しその
内部に半導体試料を収容可能なドライエツチング処理用
の容器と、この容器内に供給する不活性ガスを加熱する
加熱装置とを備えたものである。
〔作 用〕
本発明においては、ドライエツチング処理前にドライエ
ツチング処理用の容器内で半導体試料を加熱することが
できる。
ツチング処理用の容器内で半導体試料を加熱することが
できる。
第１図は本発明に係るドライエツチング処理装置を示す
断面図である。同図において、符号２１で示すものはド
ライエツチング処理用の容器で、各内部に半導体試料２
２を収容可能な反応室２３゜予備室２４およびカセット
室２５からなり、このうちカセット室２５には半導体試
料２２の取出入口２６が設けられている。この容器２１
の反応室２３には真空排気する排気口２７が設けられて
おり、その内部には高周波電源２８に接続する２つの電
極２９．３０が互いに所定の間隔を隔てて設けられてい
る。そして、前記予備室２４にはＨｅ等の不活性ガスを
導入する導入口３１および真空排気する排気口３２が設
けられており、その内部には半導体試料２２を整列する
プリアライメント機構（図示せず）が収納されている。
断面図である。同図において、符号２１で示すものはド
ライエツチング処理用の容器で、各内部に半導体試料２
２を収容可能な反応室２３゜予備室２４およびカセット
室２５からなり、このうちカセット室２５には半導体試
料２２の取出入口２６が設けられている。この容器２１
の反応室２３には真空排気する排気口２７が設けられて
おり、その内部には高周波電源２８に接続する２つの電
極２９．３０が互いに所定の間隔を隔てて設けられてい
る。そして、前記予備室２４にはＨｅ等の不活性ガスを
導入する導入口３１および真空排気する排気口３２が設
けられており、その内部には半導体試料２２を整列する
プリアライメント機構（図示せず）が収納されている。
３３は前記予備室２４内に供給する不活性ガスを加熱す
る加熱装置で、前記容器２１の近傍に設けられており、
前記不活性ガスを介して半導体試料２２を加熱するよう
に構成されている。また、３４は前記反応室２３と前記
予備室２４との間に設けられたバルブ、３５は前記予備
室２４と前記カセット室２５との間に設けられたバルブ
である。なお、図中矢印Ａは不活性ガスの導入方向を示
す。
る加熱装置で、前記容器２１の近傍に設けられており、
前記不活性ガスを介して半導体試料２２を加熱するよう
に構成されている。また、３４は前記反応室２３と前記
予備室２４との間に設けられたバルブ、３５は前記予備
室２４と前記カセット室２５との間に設けられたバルブ
である。なお、図中矢印Ａは不活性ガスの導入方向を示
す。
次に、本実施例のドライエッチグ処理について説明する
。
。
先ず、加熱装置３３によって加熱した半導体試料２２を
カセット室２５内に収納する。次に、カセット室２５内
を１／１０３Ｔｏｒｒに真空排気して半導体試料２２を
予備室２４内に搬送する。
カセット室２５内に収納する。次に、カセット室２５内
を１／１０３Ｔｏｒｒに真空排気して半導体試料２２を
予備室２４内に搬送する。
このとき、予備室２４内は１／１０３Ｔｏｒｒに真空排
気され、また加熱装置２２によって半導体試料２２が不
活性ガスを介し加熱されている。そして、反応室２３内
の電極２９に半導体試料２２を載置した後、両電極２９
．３０間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させる
。
気され、また加熱装置２２によって半導体試料２２が不
活性ガスを介し加熱されている。そして、反応室２３内
の電極２９に半導体試料２２を載置した後、両電極２９
．３０間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させる
。
このようにして、半導体試料２２に対しドライエツチン
グ処理を行うことができる。
グ処理を行うことができる。
この場合、ドライエツチング処理前に容器２１の予備室
２４内で半導体試料２２を加熱することができる。
２４内で半導体試料２２を加熱することができる。
したがって、ドライエツチング処理前に半導体試料２２
に塵埃が付着したり水分が吸着されたりすることがなく
なり、全部の半導体試料２２に対し均一にドライエツチ
ング処理を行うことができる。
に塵埃が付着したり水分が吸着されたりすることがなく
なり、全部の半導体試料２２に対し均一にドライエツチ
ング処理を行うことができる。
なお、本実施例においては、ドライエツチング処理前に
予備室２４内で半導体試料２２を加熱する例を示したが
、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば反応
室２３内で半導体試料２２を加熱しても実施例と同様の
効果を奏する。
予備室２４内で半導体試料２２を加熱する例を示したが
、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば反応
室２３内で半導体試料２２を加熱しても実施例と同様の
効果を奏する。
以上説明したように本発明によれば、不活性ガスを導入
する導入口と真空排気する排気口を有しその内部に半導
体試料を収容可能なドライエツチング処理用の容器と、
この容器内に供給する不活性ガスを加熱する加熱装置と
を備えたので、ドライエツチング処理前に容器内で半導
体試料を加熱することができる。したがって、従来のよ
うに半導体試料に大気中の塵埃が付着したり水分が吸着
されたりすることがないから、半導体試料の品質を確実
に高めることができ、きわめて良好なエツチング特性を
得ることができる。
する導入口と真空排気する排気口を有しその内部に半導
体試料を収容可能なドライエツチング処理用の容器と、
この容器内に供給する不活性ガスを加熱する加熱装置と
を備えたので、ドライエツチング処理前に容器内で半導
体試料を加熱することができる。したがって、従来のよ
うに半導体試料に大気中の塵埃が付着したり水分が吸着
されたりすることがないから、半導体試料の品質を確実
に高めることができ、きわめて良好なエツチング特性を
得ることができる。
第１図は本発明に係るドライエツチング処理装置を示す
断面図、第２図は従来のドライエツチング処理装置を示
す断面図である。 ２１・・・・容器、２２・・・・半導体試料、２３・・
・・反応室、２４・・・・予備室、２５・・・・カセッ
ト室、３１・・・・導入口、３２・・・・排気口、３３
・・・・加熱装置。 代 理 人 大 岩 増 雄 第１図 第２図
断面図、第２図は従来のドライエツチング処理装置を示
す断面図である。 ２１・・・・容器、２２・・・・半導体試料、２３・・
・・反応室、２４・・・・予備室、２５・・・・カセッ
ト室、３１・・・・導入口、３２・・・・排気口、３３
・・・・加熱装置。 代 理 人 大 岩 増 雄 第１図 第２図
Claims (1)
- 不活性ガスを導入する導入口および真空排気する排気
口を有しその内部に半導体試料を収容可能なドライエッ
チング処理用の容器と、この容器内に供給する前記不活
性ガスを加熱する加熱装置とを備えたことを特徴とする
ドライエッチング処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28822186A JPS63141319A (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | ドライエツチング処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28822186A JPS63141319A (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | ドライエツチング処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63141319A true JPS63141319A (ja) | 1988-06-13 |
Family
ID=17727388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28822186A Pending JPS63141319A (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | ドライエツチング処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63141319A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0243773A (ja) * | 1988-08-04 | 1990-02-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示パネル用薄膜トランジスタアレイの製造方法 |
| JPH0285378A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-26 | Hitachi Ltd | プラズマエッチング方法 |
| JPH0339837U (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-17 | ||
| WO1995020823A1 (en) * | 1994-01-27 | 1995-08-03 | Insync Systems, Inc. | Methods for improving semiconductor processing |
-
1986
- 1986-12-03 JP JP28822186A patent/JPS63141319A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0243773A (ja) * | 1988-08-04 | 1990-02-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示パネル用薄膜トランジスタアレイの製造方法 |
| JPH0285378A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-26 | Hitachi Ltd | プラズマエッチング方法 |
| JPH0339837U (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-17 | ||
| WO1995020823A1 (en) * | 1994-01-27 | 1995-08-03 | Insync Systems, Inc. | Methods for improving semiconductor processing |
| SG165131A1 (en) * | 1994-01-27 | 2010-10-28 | Insync Systems Inc | Moisture removal in semiconductor processing |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59186326A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH06333857A (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
| JPS63141319A (ja) | ドライエツチング処理装置 | |
| US5980684A (en) | Processing apparatus for substrates | |
| JP3297857B2 (ja) | クラスタツール装置 | |
| JPH09508494A (ja) | 半導体プロセスの改良方法 | |
| JP2553590B2 (ja) | 金属の選択堆積方法及びその装置 | |
| JPH07211681A (ja) | 洗浄方法および洗浄装置 | |
| JP3002496B2 (ja) | 半導体ウェハのドライエッチング方法 | |
| JPS62159433A (ja) | レジスト除去方法及び装置 | |
| JPH02143418A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0239523A (ja) | 半導体基板への成膜方法 | |
| JP2001185598A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH06283449A (ja) | 真空排気方法及び真空装置 | |
| JPH0246726A (ja) | 真空装置の真空度改善方法 | |
| JPH01248521A (ja) | 低温ドライエッチング装置 | |
| JP2701810B2 (ja) | プラズマ処理方法及びその装置 | |
| WO1998001898A1 (fr) | Appareil de gravure a ions reactifs (rie) | |
| JPH0212914A (ja) | エッチング装置 | |
| JP3261440B2 (ja) | アルミニウム膜の成膜方法 | |
| JPS63202912A (ja) | 半導体基板焼しめ装置 | |
| JP2701811B2 (ja) | プラズマ処理方法及びその装置 | |
| JPS615521A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS6390138A (ja) | 半導体表面の清浄化方法 | |
| JPH03107480A (ja) | プラズマ処理装置 |