JPH06283449A - 真空排気方法及び真空装置 - Google Patents
真空排気方法及び真空装置Info
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- JPH06283449A JPH06283449A JP9068193A JP9068193A JPH06283449A JP H06283449 A JPH06283449 A JP H06283449A JP 9068193 A JP9068193 A JP 9068193A JP 9068193 A JP9068193 A JP 9068193A JP H06283449 A JPH06283449 A JP H06283449A
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- Japan
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- vacuum
- vacuum chamber
- wall
- adsorbed
- molecules
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 真空室内を高い真空度まで簡単に真空排気で
きるようにすること。 【構成】 例えば枚葉式のＣＶＤ装置の真空室１の上
壁、底壁及び側壁の各々に、例えば圧電材料よりなる基
板の表面に電極を貼着して構成した長尺な帯状の超音波
発振手段４を埋設し、真空排気時に超音波発振手段４を
駆動して真空室１の内壁表面に弾性表面波を伝搬させ、
そのエネルギーによって内壁表面の吸着分子（気体分
子）の脱離を促進させる。
きるようにすること。 【構成】 例えば枚葉式のＣＶＤ装置の真空室１の上
壁、底壁及び側壁の各々に、例えば圧電材料よりなる基
板の表面に電極を貼着して構成した長尺な帯状の超音波
発振手段４を埋設し、真空排気時に超音波発振手段４を
駆動して真空室１の内壁表面に弾性表面波を伝搬させ、
そのエネルギーによって内壁表面の吸着分子（気体分
子）の脱離を促進させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空排気方法及び真空
装置に関する。
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスでは、ＣＶＤ（Chem
ical vapar deposition ）やイオン注入あるいはエッチ
ングなどの種々の真空処理が行われることにより半導体
デバイスが形成されていく。このような真空処理を行う
にあたってはデバイス中への不純物の混入を避けるため
に真空室内を高真空状態にすることが必要である。
ical vapar deposition ）やイオン注入あるいはエッチ
ングなどの種々の真空処理が行われることにより半導体
デバイスが形成されていく。このような真空処理を行う
にあたってはデバイス中への不純物の混入を避けるため
に真空室内を高真空状態にすることが必要である。
【０００３】即ち空気中にはＨ2 ＯやＣ０2 あるいはＣ
Ｏなどの分子が含まれており、例えばＣＶＤを行うとき
にこのような気体分子が分解されて、原料ガス中の薄膜
成分と結合し、ＯＨや炭素化合物として薄膜中に混入し
たり、イオン注入時にイオンビーム中に気体分子の分解
成分が入り込んで薄膜中に打ち込まれたり、あるいはエ
ッチング時に上述の分解成分が下地膜の表面に吸着した
りする。そしてデバイスを構成する薄膜中に本来の薄膜
成分以外の不純物が混入すると所定の電気特性や物理的
特性を得ることができず、例えば抵抗値が高くなった
り、ストレスマイグレーションあるいは耐食性などが劣
ってしまう。
Ｏなどの分子が含まれており、例えばＣＶＤを行うとき
にこのような気体分子が分解されて、原料ガス中の薄膜
成分と結合し、ＯＨや炭素化合物として薄膜中に混入し
たり、イオン注入時にイオンビーム中に気体分子の分解
成分が入り込んで薄膜中に打ち込まれたり、あるいはエ
ッチング時に上述の分解成分が下地膜の表面に吸着した
りする。そしてデバイスを構成する薄膜中に本来の薄膜
成分以外の不純物が混入すると所定の電気特性や物理的
特性を得ることができず、例えば抵抗値が高くなった
り、ストレスマイグレーションあるいは耐食性などが劣
ってしまう。
【０００４】従って真空処理を行う場合には、予め真空
室内を真空度の高い状態にして清浄雰囲気を保たなけれ
ばならず、例えば１０−５Ｔｏｒｒまで真空排気するこ
とが要求される。ところでこのような高真空状態では、
大気圧付近の減圧状態と異なり、気体の流れは、分子間
の衝突がほとんどない分子流と呼ばれる状態になる。分
子流では、主に分子が器壁例えば内壁やウエハステージ
に衝突して吸着され、この吸着分子が脱離して再び器壁
に吸着される現象が繰り返されており、真空度を高める
ためには、器壁に吸着された気体分子例えばＨ2 Ｏ、Ｃ
Ｏ2 やＣＯなどを脱離させて排出させることが必要であ
る。
室内を真空度の高い状態にして清浄雰囲気を保たなけれ
ばならず、例えば１０−５Ｔｏｒｒまで真空排気するこ
とが要求される。ところでこのような高真空状態では、
大気圧付近の減圧状態と異なり、気体の流れは、分子間
の衝突がほとんどない分子流と呼ばれる状態になる。分
子流では、主に分子が器壁例えば内壁やウエハステージ
に衝突して吸着され、この吸着分子が脱離して再び器壁
に吸着される現象が繰り返されており、真空度を高める
ためには、器壁に吸着された気体分子例えばＨ2 Ｏ、Ｃ
Ｏ2 やＣＯなどを脱離させて排出させることが必要であ
る。
【０００５】このため従来では、真空室を例えば抵抗発
熱線よりなるヒータで巻装すると共に全体を例えばアル
ミニウムホイールで覆い、真空ポンプによる真空引きと
並行して例えば真空室がアルミニウムで作られている場
合には、約１５０℃で、またステンレス鋼で作られてい
る場合には約２５０℃でベーキングを行い、その熱エネ
ルギーを、器壁に対する吸着分子の脱離エネルギーとし
て与えて脱離を促進させるようにしていた。
熱線よりなるヒータで巻装すると共に全体を例えばアル
ミニウムホイールで覆い、真空ポンプによる真空引きと
並行して例えば真空室がアルミニウムで作られている場
合には、約１５０℃で、またステンレス鋼で作られてい
る場合には約２５０℃でベーキングを行い、その熱エネ
ルギーを、器壁に対する吸着分子の脱離エネルギーとし
て与えて脱離を促進させるようにしていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらベーキン
グを行う方法は、ヒータにより真空室を巻装し、更にア
ルミニウムホイルで覆うといった面倒な作業が必要であ
り、真空室全体を例えば温度１５０℃〜２５０℃のある
ポイントに維持するように温度コントロールしなければ
ならない。
グを行う方法は、ヒータにより真空室を巻装し、更にア
ルミニウムホイルで覆うといった面倒な作業が必要であ
り、真空室全体を例えば温度１５０℃〜２５０℃のある
ポイントに維持するように温度コントロールしなければ
ならない。
【０００７】また最近では、半導体デバイスの微細化、
高集積化が急速に進みつつあり、デバイス中への不純物
の混入の許容範囲が増々厳しくなっている。このため真
空処理を行うにあたって１０−６〜１０−７Ｔｏｒｒ、
更には１０−９〜１０−１０Ｔｏｒｒもの超高真空状態
が要求されるが、ベーキングによりこのような超高真空
状態を得るには例えば１０時間以上もの長い時間がかか
る。しかも真空室の肉厚が大きいことも加わって昇温及
び降温にも長い時間を要し、真空処理全体に対して真空
引きに要する時間の割合が大きく、スループットの低下
の要因の一つにもなっている。
高集積化が急速に進みつつあり、デバイス中への不純物
の混入の許容範囲が増々厳しくなっている。このため真
空処理を行うにあたって１０−６〜１０−７Ｔｏｒｒ、
更には１０−９〜１０−１０Ｔｏｒｒもの超高真空状態
が要求されるが、ベーキングによりこのような超高真空
状態を得るには例えば１０時間以上もの長い時間がかか
る。しかも真空室の肉厚が大きいことも加わって昇温及
び降温にも長い時間を要し、真空処理全体に対して真空
引きに要する時間の割合が大きく、スループットの低下
の要因の一つにもなっている。
【０００８】そしてまた室温の雰囲気下において肉厚の
大きい真空室を上述のような加熱温度に保温するために
は大きな電力を消費するといった問題もある。
大きい真空室を上述のような加熱温度に保温するために
は大きな電力を消費するといった問題もある。
【０００９】本発明は、このような事情のもとになされ
たものであり、その目的は、簡単に真空室内を真空度の
高い状態まで真空排気することのできる真空排気方法及
び真空装置を提供することにある。
たものであり、その目的は、簡単に真空室内を真空度の
高い状態まで真空排気することのできる真空排気方法及
び真空装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、真空
室内を真空排気する方法において、真空排気時に、真空
室の内壁表面に弾性表面波を伝搬させることによって、
内壁表面に吸着している吸着分子を脱離させることを特
徴とする。
室内を真空排気する方法において、真空排気時に、真空
室の内壁表面に弾性表面波を伝搬させることによって、
内壁表面に吸着している吸着分子を脱離させることを特
徴とする。
【００１１】請求項２の発明は、真空室を備えた真空装
置において、真空室の内壁に超音波発振手段を設け、真
空排気時に前記超音波発振手段により真空室の内壁表面
に弾性表面波を伝搬させることによって、内壁表面に吸
着している吸着分子を脱離させることを特徴とする。
置において、真空室の内壁に超音波発振手段を設け、真
空排気時に前記超音波発振手段により真空室の内壁表面
に弾性表面波を伝搬させることによって、内壁表面に吸
着している吸着分子を脱離させることを特徴とする。
【００１２】請求項３の発明は、真空室を備えた真空装
置において、真空室の内壁の一部または全部を圧電材料
で構成し、真空排気時に、この圧電材料に電圧を印加し
て発生した弾性表面波により、内壁表面に吸着している
吸着分子を脱離させることを特徴とする。
置において、真空室の内壁の一部または全部を圧電材料
で構成し、真空排気時に、この圧電材料に電圧を印加し
て発生した弾性表面波により、内壁表面に吸着している
吸着分子を脱離させることを特徴とする。
【００１３】
【作用】真空室内を真空排気手段により真空排気してい
くと高真空領域では真空の内壁表面に吸着しているＨ2
Ｏなどの吸着分子の量に真空度が大きく左右される。そ
こで例えば真空室の内壁に設けた超音波発振手段を駆動
して、超音波領域の周波数の弾性表面波を内壁表面に伝
搬させると、その弾性表面波のエネルギーにより吸着分
子が内壁表面から脱離する。脱離した分子は、一部が排
気管から排気されるが、排気されないものは再び内壁表
面に吸着する。従って弾性表面波のエネルギーにより真
空室全体では吸着分子の脱離が促進され、速やかに所定
の真空度に達する。
くと高真空領域では真空の内壁表面に吸着しているＨ2
Ｏなどの吸着分子の量に真空度が大きく左右される。そ
こで例えば真空室の内壁に設けた超音波発振手段を駆動
して、超音波領域の周波数の弾性表面波を内壁表面に伝
搬させると、その弾性表面波のエネルギーにより吸着分
子が内壁表面から脱離する。脱離した分子は、一部が排
気管から排気されるが、排気されないものは再び内壁表
面に吸着する。従って弾性表面波のエネルギーにより真
空室全体では吸着分子の脱離が促進され、速やかに所定
の真空度に達する。
【００１４】また本発明では、真空室の内壁の一部また
は全部を圧電材料で構成してもよく、この場合にも圧電
材料にて発生した弾性表面波のエネルギーにより圧電材
料の表面またはそれ以外の部分の表面に吸着している分
子の脱離が促進される。
は全部を圧電材料で構成してもよく、この場合にも圧電
材料にて発生した弾性表面波のエネルギーにより圧電材
料の表面またはそれ以外の部分の表面に吸着している分
子の脱離が促進される。
【００１５】
【実施例】以下本発明を枚葉ＣＶＤ装置に適用した場合
の実施例について説明する。図１において１はアルミニ
ウムやステンレス鋼などからなる真空室であり、この真
空室１の上部には、例えば２本のガス供給管２１、２２
から送られてきた原料ガスを別々にガス噴射孔２３から
真空室１内にシャワー状に供給するように構成されたガ
ス供給部２が配置されている。
の実施例について説明する。図１において１はアルミニ
ウムやステンレス鋼などからなる真空室であり、この真
空室１の上部には、例えば２本のガス供給管２１、２２
から送られてきた原料ガスを別々にガス噴射孔２３から
真空室１内にシャワー状に供給するように構成されたガ
ス供給部２が配置されている。
【００１６】前記真空室１の下部には、前記ガス供給部
２と対向するように例えばアルミニウムからなるウエハ
載置台３が設けられており、このウエハ載置台３内には
半導体ウエハ（以下ウエハという）を所定の温度に加熱
するためのヒータ３１が設けられている。前記真空室１
の底面には排気管１１が接続され、この排気管１１には
ターボポンプ１２やドライポンプ１３よりなる真空排気
手段１４が介装されている。また真空室１の側壁には、
図示しないロードロック室との間を気密にシールするた
めのゲートバルブＧ１、Ｇ２が設けられている。
２と対向するように例えばアルミニウムからなるウエハ
載置台３が設けられており、このウエハ載置台３内には
半導体ウエハ（以下ウエハという）を所定の温度に加熱
するためのヒータ３１が設けられている。前記真空室１
の底面には排気管１１が接続され、この排気管１１には
ターボポンプ１２やドライポンプ１３よりなる真空排気
手段１４が介装されている。また真空室１の側壁には、
図示しないロードロック室との間を気密にシールするた
めのゲートバルブＧ１、Ｇ２が設けられている。
【００１７】そして前記真空室１の内壁例えば上壁、底
壁及び側壁において、図２にも示すように各壁の縁部
に、その縁部の一端から他端に亘って長尺な帯状の超音
波発振手段４（図示の便宜上斜線を入れてある）が配設
されている。この超音発振手段４は、図３に示すように
圧電材料例えば水晶やＬｉＮｂＯ3 などよりなる長尺な
基板４１の表面に、櫛歯状の電極４２、４３を櫛歯部分
が交互に配列されるように貼着して構成されており、電
極４２、４３の端子４２ａ、４３ａ間に例えば周波数３
０ＫＨｚの交流電圧を印加して基板４１を振動させて超
音波を発振する。そして真空室１の内壁に、前記基板４
１の大きさに適合する凹部を形成しておき、この凹部に
基板４１を嵌合することによって、超音波発振手段４が
真空室１の内壁に埋設される。また図３では端子４２
ａ、４３ａを模式的に描いているが、端子４２ａ、４３
ａに接続されるリード線は、例えば真空室１の内壁の中
に配線されて図示しないコネクタを外して真空室１の外
の電源に接続される。
壁及び側壁において、図２にも示すように各壁の縁部
に、その縁部の一端から他端に亘って長尺な帯状の超音
波発振手段４（図示の便宜上斜線を入れてある）が配設
されている。この超音発振手段４は、図３に示すように
圧電材料例えば水晶やＬｉＮｂＯ3 などよりなる長尺な
基板４１の表面に、櫛歯状の電極４２、４３を櫛歯部分
が交互に配列されるように貼着して構成されており、電
極４２、４３の端子４２ａ、４３ａ間に例えば周波数３
０ＫＨｚの交流電圧を印加して基板４１を振動させて超
音波を発振する。そして真空室１の内壁に、前記基板４
１の大きさに適合する凹部を形成しておき、この凹部に
基板４１を嵌合することによって、超音波発振手段４が
真空室１の内壁に埋設される。また図３では端子４２
ａ、４３ａを模式的に描いているが、端子４２ａ、４３
ａに接続されるリード線は、例えば真空室１の内壁の中
に配線されて図示しないコネクタを外して真空室１の外
の電源に接続される。
【００１８】またこの実施例では、図２に示すように前
記ウエハ載置台３についても同様に圧電材料を用いた超
音波発振手段５が設けられている。この超音波発振手段
５は、例えばウエハ載置台３の中心部に設けられると共
に、周縁部に全周に亘って設けられており、ウエハ載置
台３の表面に沿って半径方向に弾性表面波が伝搬される
ように構成される。
記ウエハ載置台３についても同様に圧電材料を用いた超
音波発振手段５が設けられている。この超音波発振手段
５は、例えばウエハ載置台３の中心部に設けられると共
に、周縁部に全周に亘って設けられており、ウエハ載置
台３の表面に沿って半径方向に弾性表面波が伝搬される
ように構成される。
【００１９】次に上述実施例の作用について述べる。先
ずゲートバルブＧ１、Ｇ２を閉じ、真空排気手段１４に
より真空室１内を真空排気すると共に、超音波発振手段
４、５を駆動して例えば周波数３０ＫＨｚの超音波を発
振する。これにより真空室１の内壁表面においては、壁
部の一縁（他縁）から他縁（一縁）に向かって弾性表面
波Ｓ（図２参照）が伝搬し、またウエハ載置台３の表面
においては中心（外縁）から外縁（中心）に向かって弾
性表面波Ｓが伝搬する。一方空気中には、Ｈ2Ｏ、ＣＯ
2 やＣＯなどの分子が含まれており、高真空領域あるい
はそれよりも高い真空度の領域では真空室１の内壁表面
におけるこれらの分子の吸着量が真空度を左右する。こ
こで弾性表面波のエネルギーにより吸着分子の脱離が促
進されるため、真空室１内は速やかに所定の真空度例え
ば１０−６Ｔｏｒｒよりも高い真空度に達する。
ずゲートバルブＧ１、Ｇ２を閉じ、真空排気手段１４に
より真空室１内を真空排気すると共に、超音波発振手段
４、５を駆動して例えば周波数３０ＫＨｚの超音波を発
振する。これにより真空室１の内壁表面においては、壁
部の一縁（他縁）から他縁（一縁）に向かって弾性表面
波Ｓ（図２参照）が伝搬し、またウエハ載置台３の表面
においては中心（外縁）から外縁（中心）に向かって弾
性表面波Ｓが伝搬する。一方空気中には、Ｈ2Ｏ、ＣＯ
2 やＣＯなどの分子が含まれており、高真空領域あるい
はそれよりも高い真空度の領域では真空室１の内壁表面
におけるこれらの分子の吸着量が真空度を左右する。こ
こで弾性表面波のエネルギーにより吸着分子の脱離が促
進されるため、真空室１内は速やかに所定の真空度例え
ば１０−６Ｔｏｒｒよりも高い真空度に達する。
【００２０】こうして真空室１内が所定の真空度になっ
た後ウエハＷに対して成膜処理が行われる。即ちゲート
バルブＧ１を開き、図示しないロードロック室を介して
ウエハＷが図示しない搬送アームによりウエハ載置台３
上に載置され、ゲートバルブＧ１を閉じた後、ガス供給
管２１、２２からガス供給部２を介して真空室１内に原
料ガスを導入し、排気管１１を通じて真空排気しながら
真空室１内を所定の真空度に維持すると共に、ヒータ３
１によりウエハＷを所定の温度に加熱してＣＶＤにより
ウエハＷ表面に成膜処理を行う。その後ゲートバルブＧ
２を開いて、このウエハＷは図示しないロードロック室
に搬出される。
た後ウエハＷに対して成膜処理が行われる。即ちゲート
バルブＧ１を開き、図示しないロードロック室を介して
ウエハＷが図示しない搬送アームによりウエハ載置台３
上に載置され、ゲートバルブＧ１を閉じた後、ガス供給
管２１、２２からガス供給部２を介して真空室１内に原
料ガスを導入し、排気管１１を通じて真空排気しながら
真空室１内を所定の真空度に維持すると共に、ヒータ３
１によりウエハＷを所定の温度に加熱してＣＶＤにより
ウエハＷ表面に成膜処理を行う。その後ゲートバルブＧ
２を開いて、このウエハＷは図示しないロードロック室
に搬出される。
【００２１】上述実施例によれば、超音波発振手段４、
５を用いて真空室１の内壁表面及びウエハ載置台３の表
面に弾性表面波を伝搬させ、これにより吸着分子（気体
分子）を脱離させているため、効率よく吸着分子を脱離
することができて真空排気を短時間で行うことができ、
しかもヒータを真空室１に巻装したり、温度を調整する
といった面倒な作業が不要である。
５を用いて真空室１の内壁表面及びウエハ載置台３の表
面に弾性表面波を伝搬させ、これにより吸着分子（気体
分子）を脱離させているため、効率よく吸着分子を脱離
することができて真空排気を短時間で行うことができ、
しかもヒータを真空室１に巻装したり、温度を調整する
といった面倒な作業が不要である。
【００２２】そして超音波発振手段４の配置については
上述の実施例に限定されるものではなく、例えば図４に
示すように真空室の内壁１０に小さな超音波発振手段４
を島状に設けるようにしてもよい。また超音波発振手段
は、ウエハ載置台についても設けることが望ましいが、
必ずしもウエハ載置台に設けなくともよい。
上述の実施例に限定されるものではなく、例えば図４に
示すように真空室の内壁１０に小さな超音波発振手段４
を島状に設けるようにしてもよい。また超音波発振手段
は、ウエハ載置台についても設けることが望ましいが、
必ずしもウエハ載置台に設けなくともよい。
【００２３】更に本発明は、枚葉式ＣＶＤ装置以外の真
空装置についても適用することができ、例えば図５に示
すようにイオン注入装置の円筒状の真空室６に対して例
えば真空室６の長さ方向に間隔をおいて真空室６の全周
に亘って帯状の超音波発振手段７を設けるようにしても
よい。
空装置についても適用することができ、例えば図５に示
すようにイオン注入装置の円筒状の真空室６に対して例
えば真空室６の長さ方向に間隔をおいて真空室６の全周
に亘って帯状の超音波発振手段７を設けるようにしても
よい。
【００２４】なお本発明は、エッチング装置やスパッタ
装置あるいはアニール装置などの真空処理を行う装置の
他、真空雰囲気中で薄膜中の不純物を測定する測定装置
などに対しても適用することができる。また真空処理や
測定の対象となるものは半導体ウエハに限らずＬＣＤ基
板などであってもよい。
装置あるいはアニール装置などの真空処理を行う装置の
他、真空雰囲気中で薄膜中の不純物を測定する測定装置
などに対しても適用することができる。また真空処理や
測定の対象となるものは半導体ウエハに限らずＬＣＤ基
板などであってもよい。
【００２５】以上において、弾性表面波を真空室の内壁
表面に伝搬させるにあたっては、超音波の周波数領域よ
りも低い可聴領域の周波数の音波を発振する手段を用い
てもよい。更にまた本発明は、真空室の内壁表面全体あ
るいはほぼ全体を圧電材料で構成して、圧電材料の表面
に吸着された気体分子を、圧電材料を振動させることに
より脱離するように構成してもよい。
表面に伝搬させるにあたっては、超音波の周波数領域よ
りも低い可聴領域の周波数の音波を発振する手段を用い
てもよい。更にまた本発明は、真空室の内壁表面全体あ
るいはほぼ全体を圧電材料で構成して、圧電材料の表面
に吸着された気体分子を、圧電材料を振動させることに
より脱離するように構成してもよい。
【００２６】なお、以上述べた方法は、従来から行われ
ているようなヒータを用いる方法と併用してもよい。
ているようなヒータを用いる方法と併用してもよい。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、真空室を真空排気する
にあたって真空室の内壁表面の吸着分子を弾性表面波の
エネルギーや圧電材料の振動エネルギーにより脱離させ
ているため、簡単に効率よく吸着分子を脱離させること
ができる。
にあたって真空室の内壁表面の吸着分子を弾性表面波の
エネルギーや圧電材料の振動エネルギーにより脱離させ
ているため、簡単に効率よく吸着分子を脱離させること
ができる。
【図１】本発明を枚葉式のＣＶＤ装置に適用した実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】図１に示すＣＶＤ装置の内部を示す斜視図であ
る。
る。
【図３】超音波発振手段の一例を示す斜視図である。
【図４】本発明の他の実施例の要部を示す斜視図であ
る。
る。
【図５】本発明の更に他の実施例の要部を示す分解斜視
図である。
図である。
１、６ 真空室 １１ 排気管 １４ 真空排気手段 ２ ガス供給部 ３ ウエハ載置台 ４、５、７ 超音波発振手段 ４１ 基板 ４２、４３ 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｎ 9277−4Ｍ 21/324 Ｄ 8617−4Ｍ
Claims (3)
- 【請求項１】 真空室内を真空排気する方法において、 真空排気時に、真空室の内壁表面に弾性表面波を伝搬さ
せることによって、内壁表面に吸着している吸着分子を
脱離させることを特徴とする真空排気方法。 - 【請求項２】 真空室を備えた真空装置において、 真空室の内壁に超音波発振手段を設け、真空排気時に前
記超音波発振手段により真空室の内壁表面に弾性表面波
を伝搬させることによって、内壁表面に吸着している吸
着分子を脱離させることを特徴とする真空装置。 - 【請求項３】 真空室を備えた真空装置において、 真空室の内壁の一部または全部を圧電材料で構成し、真
空排気時に、この圧電材料に電圧を印加して発生した弾
性表面波により、内壁表面に吸着している吸着分子を脱
離させることを特徴とする真空装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9068193A JPH06283449A (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | 真空排気方法及び真空装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9068193A JPH06283449A (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | 真空排気方法及び真空装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283449A true JPH06283449A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=14005284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9068193A Pending JPH06283449A (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | 真空排気方法及び真空装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06283449A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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