JPH07335563A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH07335563A JPH07335563A JP12899594A JP12899594A JPH07335563A JP H07335563 A JPH07335563 A JP H07335563A JP 12899594 A JP12899594 A JP 12899594A JP 12899594 A JP12899594 A JP 12899594A JP H07335563 A JPH07335563 A JP H07335563A
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- Japan
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- cleaning gas
- chamber
- plasma
- cleaning
- plasma cvd
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマＣＶＤ装置でクリーニング時に反応
容器内の部品に損傷を与えないのでクリーニングがで
き、安価で且つ少ない発塵量でウエハの成膜を可能にす
ること。 【構成】 真空排気系２を有する反応容器１内に反応ガ
スを導入し、互いに平行配置したウエハステージ４と高
周波電極３間に印加される高周波電圧によってプラズマ
を発生させ、ウエハステージ４に載置されたウエハを成
膜するプラズマＣＶＤ装置において、反応容器１と連通
するクリーニングガス導入系６と、クリーニングガス導
入系６にクリーニングガス９の活性化手段７，８を設け
た。
容器内の部品に損傷を与えないのでクリーニングがで
き、安価で且つ少ない発塵量でウエハの成膜を可能にす
ること。 【構成】 真空排気系２を有する反応容器１内に反応ガ
スを導入し、互いに平行配置したウエハステージ４と高
周波電極３間に印加される高周波電圧によってプラズマ
を発生させ、ウエハステージ４に載置されたウエハを成
膜するプラズマＣＶＤ装置において、反応容器１と連通
するクリーニングガス導入系６と、クリーニングガス導
入系６にクリーニングガス９の活性化手段７，８を設け
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はプラズマＣＶＤ装置に
関するもので、特にそのクリーニングにおける改良に関
するものである。
関するもので、特にそのクリーニングにおける改良に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来のＣＶＤ装置の構成を示す概
念図である。図において、１は真空排気系のポンプ２を
有する反応容器、３はガス供給系を兼ねて反応容器内上
部に配置された高周波電極、４は高周波電極３に対向し
て平行配置され加熱ヒータ５を備えウエハ（図示しな
い）を載置するウエハステージ、６は高周波電極３に高
周波電圧を印加する高周波電源、３ａは高周波電極部よ
り導入される反応ガスである。
念図である。図において、１は真空排気系のポンプ２を
有する反応容器、３はガス供給系を兼ねて反応容器内上
部に配置された高周波電極、４は高周波電極３に対向し
て平行配置され加熱ヒータ５を備えウエハ（図示しな
い）を載置するウエハステージ、６は高周波電極３に高
周波電圧を印加する高周波電源、３ａは高周波電極部よ
り導入される反応ガスである。
【０００３】次に動作について説明する。成膜時にはウ
エハステージ４上に成膜対象であるシリコンなどの材料
からなるウエハを載置する。そして、反応ガス３ａが高
周波電極３で分散され反応容器１内に散布される。次に
高周波電源６より高周波電圧を印加し、高周波電極３と
ウエハステージ４上のウエハに成膜を行う。なお、導入
される反応ガスはシリコン酸化膜の場合テトラエトキシ
シラン（ＴＥＯＳ）と酸素（Ｏ2）またはシラン（Ｓｉ
Ｈ4）と酸素（Ｏ2）、亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）等であり、
シリコン窒化膜の場合、シラン（ＳｉＨ4）とアンモニ
ア（ＮＨ3）、窒素（Ｎ2）が用いられる。
エハステージ４上に成膜対象であるシリコンなどの材料
からなるウエハを載置する。そして、反応ガス３ａが高
周波電極３で分散され反応容器１内に散布される。次に
高周波電源６より高周波電圧を印加し、高周波電極３と
ウエハステージ４上のウエハに成膜を行う。なお、導入
される反応ガスはシリコン酸化膜の場合テトラエトキシ
シラン（ＴＥＯＳ）と酸素（Ｏ2）またはシラン（Ｓｉ
Ｈ4）と酸素（Ｏ2）、亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）等であり、
シリコン窒化膜の場合、シラン（ＳｉＨ4）とアンモニ
ア（ＮＨ3）、窒素（Ｎ2）が用いられる。
【０００４】通常、シリコン酸化膜，シリコン窒化膜等
を成膜するプラズマＣＶＤ装置では成膜時には成膜対象
であるウエハ以外の部分にも生成された堆積物が付着す
る。この付着する堆積物を除去する手段として、導入す
る反応ガス３ａをクリーニングガス３ｂ即ち三フッ化窒
素（ＮＦ3）やフロン１１６（Ｃ2Ｆ6）あるいはこれら
のガスを酸素（Ｏ2）、亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）との混合ガ
スとして成膜時と同様、高周波電源６により高周波電圧
を印加し、高周波電極とウエハステージ間にプラズマを
発生させて、各部に付着した堆積物をエッチング除去す
る。なお、当然のことながらウエハは取り除いてある。
この場合三フッ化窒素は高周波プラズマにより活性化さ
れフッ素ラジカル（不対電子をもつ化学種）が形成、堆
積物とフッ素ラジカルが化学反応を起こして揮発性物質
となりクリーニングが進行することになる。このような
ガスクリーニング系によれば、反応容器を開放してクリ
ーニングする方法と比較してクリーニング時間を短縮、
即ち装置稼動率を向上させることができる。
を成膜するプラズマＣＶＤ装置では成膜時には成膜対象
であるウエハ以外の部分にも生成された堆積物が付着す
る。この付着する堆積物を除去する手段として、導入す
る反応ガス３ａをクリーニングガス３ｂ即ち三フッ化窒
素（ＮＦ3）やフロン１１６（Ｃ2Ｆ6）あるいはこれら
のガスを酸素（Ｏ2）、亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）との混合ガ
スとして成膜時と同様、高周波電源６により高周波電圧
を印加し、高周波電極とウエハステージ間にプラズマを
発生させて、各部に付着した堆積物をエッチング除去す
る。なお、当然のことながらウエハは取り除いてある。
この場合三フッ化窒素は高周波プラズマにより活性化さ
れフッ素ラジカル（不対電子をもつ化学種）が形成、堆
積物とフッ素ラジカルが化学反応を起こして揮発性物質
となりクリーニングが進行することになる。このような
ガスクリーニング系によれば、反応容器を開放してクリ
ーニングする方法と比較してクリーニング時間を短縮、
即ち装置稼動率を向上させることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のように構成され
た従来のプラズマＣＶＤ装置においては、クリーニング
時に反応容器１内でクリーニングガス３ｂをプラズマ放
電させるため、反応容器１内の部品にプラズマ損傷を与
えてしまう。したがって、損傷を受けた部品を頻繁に交
換しなければならずランニングコストが高くなるという
問題点があった。また、ガスクリーニングの条件によっ
ては部品損傷が新たな発塵の原因となる問題点もあっ
た。
た従来のプラズマＣＶＤ装置においては、クリーニング
時に反応容器１内でクリーニングガス３ｂをプラズマ放
電させるため、反応容器１内の部品にプラズマ損傷を与
えてしまう。したがって、損傷を受けた部品を頻繁に交
換しなければならずランニングコストが高くなるという
問題点があった。また、ガスクリーニングの条件によっ
ては部品損傷が新たな発塵の原因となる問題点もあっ
た。
【０００６】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、クリーニング時に反応容器内
の部品に損傷を与えることがなく部品の交換頻度を少な
くでき安価で且つ少ない発塵量でウエハの成膜を可能に
するプラズマＣＶＤ装置を得ることを目的とする。
るためになされたもので、クリーニング時に反応容器内
の部品に損傷を与えることがなく部品の交換頻度を少な
くでき安価で且つ少ない発塵量でウエハの成膜を可能に
するプラズマＣＶＤ装置を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項１
のプラズマＣＶＤ装置は、真空排気系を有する反応容器
内に反応ガスを導入し、互いに平行配置したウエハステ
ージと高周波電極間に印加される高周波電圧によってプ
ラズマを発生させ、ウエハステージに載置されたウエハ
を成膜するプラズマＣＶＤ装置において、反応容器と連
通するクリーニングガス導入系と、クリーニングガス導
入系にクリーニングガスの活性化手段を設けたものであ
る。
のプラズマＣＶＤ装置は、真空排気系を有する反応容器
内に反応ガスを導入し、互いに平行配置したウエハステ
ージと高周波電極間に印加される高周波電圧によってプ
ラズマを発生させ、ウエハステージに載置されたウエハ
を成膜するプラズマＣＶＤ装置において、反応容器と連
通するクリーニングガス導入系と、クリーニングガス導
入系にクリーニングガスの活性化手段を設けたものであ
る。
【０００８】また、請求項２のプラズマＣＶＤ装置は、
請求項１において、活性化手段はクリーニングガスが通
過するチャンバと、チャンバ内を所定温度に加熱する加
熱装置でなるものである。
請求項１において、活性化手段はクリーニングガスが通
過するチャンバと、チャンバ内を所定温度に加熱する加
熱装置でなるものである。
【０００９】また、請求項３のプラズマＣＶＤ装置は、
請求項２において、チャンバ内でクリーニングガスが螺
旋状に流れる流路壁を設けたものである。
請求項２において、チャンバ内でクリーニングガスが螺
旋状に流れる流路壁を設けたものである。
【００１０】また、請求項４のプラズマＣＶＤ装置は、
請求項１において、活性化手段はクリーニングガスが通
過するチャンバと、上記チャンバ内で上記クリーニング
ガスをプラズマ放電させる機構でなるものである。
請求項１において、活性化手段はクリーニングガスが通
過するチャンバと、上記チャンバ内で上記クリーニング
ガスをプラズマ放電させる機構でなるものである。
【００１１】
【作用】この発明におけるプラズマＣＶＤ装置は、クリ
ーニングガスが反応容器外のクリーニングガス導入系で
活性化手段によって活性化され導入されるので、クリー
ニング時反応容器内の部品がプラズマによる損傷を受け
ることがない。
ーニングガスが反応容器外のクリーニングガス導入系で
活性化手段によって活性化され導入されるので、クリー
ニング時反応容器内の部品がプラズマによる損傷を受け
ることがない。
【００１２】また、チャンバと加熱装置がクリーニング
ガスを所定温度まで加熱して活性化する。
ガスを所定温度まで加熱して活性化する。
【００１３】さらに、チャンバ内の流路壁がクリーニン
グガスのチャンバ内における滞在時間を長くし活性化の
向上を図る。
グガスのチャンバ内における滞在時間を長くし活性化の
向上を図る。
【００１４】また、チャンバとその内部でプラズマ放電
させる機構がクリーニングガスを有効に活性化する。
させる機構がクリーニングガスを有効に活性化する。
【００１５】
実施例１．以下、この発明の実施例１を図について説明
する。図１はこの発明のプラズマＣＶＤ装置における構
成を示す概念図である。図において、１〜５は従来と同
様でありその説明は省略する。６は反応容器１と連通し
て設けられたクリーニングガス導入系、７はクリーニン
グガス導入系６に配置されたチャンバ、８はチャンバ７
の内部加熱用に設けられた加熱装置で、これら７，８で
クリーニングガスの活性化手段をなしている。９はクリ
ーニングガスである。
する。図１はこの発明のプラズマＣＶＤ装置における構
成を示す概念図である。図において、１〜５は従来と同
様でありその説明は省略する。６は反応容器１と連通し
て設けられたクリーニングガス導入系、７はクリーニン
グガス導入系６に配置されたチャンバ、８はチャンバ７
の内部加熱用に設けられた加熱装置で、これら７，８で
クリーニングガスの活性化手段をなしている。９はクリ
ーニングガスである。
【００１６】次に動作について説明する。ウエハの成膜
は従来と同様に施行し成膜完了後、反応容器１内のクリ
ーニングを行う。このクリーニングは成膜されたウエハ
（図示してない）を取り除いた後、例えば三フッ化窒素
のクリーニングガス９をクリーニングガス導入系６から
反応容器１に放出してなされるが、クリーニングガス９
はチャンバ７を通過する際加熱装置８で約６００℃の加
熱により活性化され、三フッ化窒素はフッ素ガスと窒素
ガスに分解し、この内フッ素ガスは反応性が高いので反
応容器１に堆積された例えばタングステン膜などをエッ
チングしクリーニングしてゆく。このようにこのクリー
ニングでは反応容器１内でプラズマ放電させないので部
品へプラズマ損傷を与えることがなくなる。
は従来と同様に施行し成膜完了後、反応容器１内のクリ
ーニングを行う。このクリーニングは成膜されたウエハ
（図示してない）を取り除いた後、例えば三フッ化窒素
のクリーニングガス９をクリーニングガス導入系６から
反応容器１に放出してなされるが、クリーニングガス９
はチャンバ７を通過する際加熱装置８で約６００℃の加
熱により活性化され、三フッ化窒素はフッ素ガスと窒素
ガスに分解し、この内フッ素ガスは反応性が高いので反
応容器１に堆積された例えばタングステン膜などをエッ
チングしクリーニングしてゆく。このようにこのクリー
ニングでは反応容器１内でプラズマ放電させないので部
品へプラズマ損傷を与えることがなくなる。
【００１７】実施例２．また、上記実施例１ではクリー
ニングガス９の加熱室となるチャンバ７内は単なる空間
形状のものを示したが、実施例２として図２に示すよう
に、チャンバ７内でクリーニングガス９が螺旋状に流れ
る流路壁１０をチャンバ７の内部に設け、クリーニング
ガス９がチャンバ７内での滞在時間を長くするようにし
て、三フッ化窒素のフッ素ガスの分解効率を高めるよう
にすればクリーニング効率を向上させることができる。
ニングガス９の加熱室となるチャンバ７内は単なる空間
形状のものを示したが、実施例２として図２に示すよう
に、チャンバ７内でクリーニングガス９が螺旋状に流れ
る流路壁１０をチャンバ７の内部に設け、クリーニング
ガス９がチャンバ７内での滞在時間を長くするようにし
て、三フッ化窒素のフッ素ガスの分解効率を高めるよう
にすればクリーニング効率を向上させることができる。
【００１８】実施例３．また、上記実施例１ではクリー
ニングガス９の活性化をチャンバ７内での加熱によって
行ったが、実施例３として図３に示すように、チャンバ
７内に電極１１ａ，１１ｂを平行配置し高周波電源１２
より高周波電圧を両電極１１ａ，１１ｂ間に印加してク
リーニングガス９をプラズマ放電させる機構を備え、ク
リーニングガス９の活性化を図るようにしても良い。な
お、例えば三フッ化窒素をクリーニングガス９として用
いた場合、プラズマによってフッ素ラジカルが発生す
る。この時、磁場をかける等の手段によりプラズマ密度
を濃くすれば、より大量のフッ素ラジカルを形成するこ
とができる。このフッ素ラジカルを反応容器１内に導入
すると例えばタングステン膜などの堆積物がエッチング
されクリーニングが進行することになる。このようにこ
の実施例３においても反応容器１内ではプラズマ放電さ
せないので反応容器１内の部品へプラズマ損傷を与える
ことはない。
ニングガス９の活性化をチャンバ７内での加熱によって
行ったが、実施例３として図３に示すように、チャンバ
７内に電極１１ａ，１１ｂを平行配置し高周波電源１２
より高周波電圧を両電極１１ａ，１１ｂ間に印加してク
リーニングガス９をプラズマ放電させる機構を備え、ク
リーニングガス９の活性化を図るようにしても良い。な
お、例えば三フッ化窒素をクリーニングガス９として用
いた場合、プラズマによってフッ素ラジカルが発生す
る。この時、磁場をかける等の手段によりプラズマ密度
を濃くすれば、より大量のフッ素ラジカルを形成するこ
とができる。このフッ素ラジカルを反応容器１内に導入
すると例えばタングステン膜などの堆積物がエッチング
されクリーニングが進行することになる。このようにこ
の実施例３においても反応容器１内ではプラズマ放電さ
せないので反応容器１内の部品へプラズマ損傷を与える
ことはない。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、この発明の請求項１によ
れば真空排気系を有する反応容器内に反応ガスを導入
し、互いに平行配置したウエハステージと高周波電極間
に印加される高周波電圧によってプラズマを発生させ、
ウエハステージに載置されたウエハを成膜するプラズマ
ＣＶＤ装置において、反応容器と連通するクリーニング
ガス導入系と、クリーニングガス導入系にクリーニング
ガスの活性化手段を設けたので、クリーニングガスが反
応容器外で活性化され導入されるのでクリーニング時に
反応容器内でプラズマをたてる必要がなくなり反応容器
内の部品に損傷を与えることがなく部品交換頻度を少な
くでき安価に且つ少ない発塵量でウエハの成膜を形成す
ることができるプラズマＣＶＤ装置が得られる効果があ
る。
れば真空排気系を有する反応容器内に反応ガスを導入
し、互いに平行配置したウエハステージと高周波電極間
に印加される高周波電圧によってプラズマを発生させ、
ウエハステージに載置されたウエハを成膜するプラズマ
ＣＶＤ装置において、反応容器と連通するクリーニング
ガス導入系と、クリーニングガス導入系にクリーニング
ガスの活性化手段を設けたので、クリーニングガスが反
応容器外で活性化され導入されるのでクリーニング時に
反応容器内でプラズマをたてる必要がなくなり反応容器
内の部品に損傷を与えることがなく部品交換頻度を少な
くでき安価に且つ少ない発塵量でウエハの成膜を形成す
ることができるプラズマＣＶＤ装置が得られる効果があ
る。
【００２０】また、請求項２によれば請求項１におい
て、活性化手段はクリーニングガスが通過するチャンバ
と、チャンバ内を所定温度に加熱する加熱装置でなるよ
うにしたので反応容器の外でクリーニングガスの有効な
活性化ができる。
て、活性化手段はクリーニングガスが通過するチャンバ
と、チャンバ内を所定温度に加熱する加熱装置でなるよ
うにしたので反応容器の外でクリーニングガスの有効な
活性化ができる。
【００２１】また、請求項３によれば請求項２におい
て、チャンバ内でクリーニングガスが螺旋状に流れる流
路壁を設けたので、クリーニングガスのチャンバ内にお
ける滞在時間を長くし活性化がさらに促進する。
て、チャンバ内でクリーニングガスが螺旋状に流れる流
路壁を設けたので、クリーニングガスのチャンバ内にお
ける滞在時間を長くし活性化がさらに促進する。
【００２２】また、請求項４によれば請求項１におい
て、活性化手段はクリーニングガスが通過するチャンバ
と、上記チャンバ内で上記クリーニングガスをプラズマ
放電させる機構でなるようにしたので、反応容器の外で
クリーニングガスの有効な活性化ができる。
て、活性化手段はクリーニングガスが通過するチャンバ
と、上記チャンバ内で上記クリーニングガスをプラズマ
放電させる機構でなるようにしたので、反応容器の外で
クリーニングガスの有効な活性化ができる。
【図１】 この発明の実施例１におけるプラズマＣＶＤ
装置の構成を示す概念図である。
装置の構成を示す概念図である。
【図２】 この発明の実施例２におけるプラズマＣＶＤ
装置の要部構成を示す概念図である。
装置の要部構成を示す概念図である。
【図３】 この発明の実施例３におけるプラズマＣＶＤ
装置の構成を示す概念図である。
装置の構成を示す概念図である。
【図４】 従来のプラズマＣＶＤ装置の構成を示す概念
図である。
図である。
【符号の説明】 １ 反応容器、２ ポンプ（真空排気系）、３ 高周波
電極、４ ウエハステージ、６ クリーニングガス導入
系、７ チャンバ、８ 加熱装置、９ クリーニングガ
ス、１０ 流路壁、１１ａ，１１ｂ 電極、１２ 高周
波電源。
電極、４ ウエハステージ、６ クリーニングガス導入
系、７ チャンバ、８ 加熱装置、９ クリーニングガ
ス、１０ 流路壁、１１ａ，１１ｂ 電極、１２ 高周
波電源。
Claims (4)
- 【請求項１】 真空排気系を有する反応容器内に反応ガ
スを導入し、互いに平行配置したウエハステージと高周
波電極間に印加される高周波電圧によってプラズマを発
生させ、上記ウエハステージに載置されたウエハを成膜
するプラズマＣＶＤ装置において、上記反応容器と連通
するクリーニングガス導入系と、上記クリーニングガス
導入系にクリーニングガスの活性化手段を備えているこ
とを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 活性化手段はクリーニングガスが通過す
るチャンバと、上記チャンバ内を所定温度に加熱する加
熱装置でなることを特徴とする請求項１に記載のプラズ
マＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 チャンバ内でクリーニングガスが螺旋状
に流れる流路壁を設けたことを特徴とする請求項２に記
載のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項４】 活性化手段はクリーニングガスが通過す
るチャンバと、上記チャンバ内で上記クリーニングガス
をプラズマ放電させる機構でなることを特徴とする請求
項１に記載のプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12899594A JPH07335563A (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12899594A JPH07335563A (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07335563A true JPH07335563A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=14998537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12899594A Pending JPH07335563A (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07335563A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10116826A (ja) * | 1996-07-15 | 1998-05-06 | Applied Materials Inc | 誘導結合型ｈｄｐ−ｃｖｄリアクター |
| JPH10199874A (ja) * | 1997-01-14 | 1998-07-31 | Applied Komatsu Technol Kk | リモートプラズマ源清浄技術を用いた窒化ケイ素堆積中の白色粉末低減用の装置および方法 |
| JP2001085418A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-03-30 | Applied Materials Inc | 処理チャンバのための遠隔式プラズマクリーニング方法 |
| WO2002078073A1 (fr) * | 2001-03-22 | 2002-10-03 | Research Institute Of Innovative Technology For The Earth | Procede de nettoyage d'un dispositif cvd et dispositif nettoyant afferent |
| JP2015507357A (ja) * | 2011-12-23 | 2015-03-05 | ソイテックＳｏｉｔｅｃ | 半導体堆積システムに関係する反応チャンバ内の望ましくない堆積物を減少させるためのプロセス及びシステム |
-
1994
- 1994-06-10 JP JP12899594A patent/JPH07335563A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10116826A (ja) * | 1996-07-15 | 1998-05-06 | Applied Materials Inc | 誘導結合型ｈｄｐ−ｃｖｄリアクター |
| JPH10199874A (ja) * | 1997-01-14 | 1998-07-31 | Applied Komatsu Technol Kk | リモートプラズマ源清浄技術を用いた窒化ケイ素堆積中の白色粉末低減用の装置および方法 |
| JP2005286325A (ja) * | 1997-01-14 | 2005-10-13 | Akt America Inc | リモートプラズマ源清浄技術を用いた窒化ケイ素堆積中の白色粉末低減用の装置および方法 |
| JP2001085418A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-03-30 | Applied Materials Inc | 処理チャンバのための遠隔式プラズマクリーニング方法 |
| WO2002078073A1 (fr) * | 2001-03-22 | 2002-10-03 | Research Institute Of Innovative Technology For The Earth | Procede de nettoyage d'un dispositif cvd et dispositif nettoyant afferent |
| US6935351B2 (en) | 2001-03-22 | 2005-08-30 | Anelva Corporation | Method of cleaning CVD device and cleaning device therefor |
| JP2015507357A (ja) * | 2011-12-23 | 2015-03-05 | ソイテックＳｏｉｔｅｃ | 半導体堆積システムに関係する反応チャンバ内の望ましくない堆積物を減少させるためのプロセス及びシステム |
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