JPH10199874A - リモートプラズマ源清浄技術を用いた窒化ケイ素堆積中の白色粉末低減用の装置および方法 - Google Patents
リモートプラズマ源清浄技術を用いた窒化ケイ素堆積中の白色粉末低減用の装置および方法Info
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- JPH10199874A JPH10199874A JP9324651A JP32465197A JPH10199874A JP H10199874 A JPH10199874 A JP H10199874A JP 9324651 A JP9324651 A JP 9324651A JP 32465197 A JP32465197 A JP 32465197A JP H10199874 A JPH10199874 A JP H10199874A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プロセスチャンバ内での白色粉末の生成を抑
える装置及び方法を提供する。 【解決手段】 本方法は、プロセスチャンバの壁の少な
くとも一部分を加熱するステップ、プロセスチャンバの
壁の大部分を覆うライナを設けるステップ、プロセスチ
ャンバの内部に接続されたリモートチャンバを設けるス
テップ、リモートチャンバ内で清浄ガスのプラズマを生
じさせるステップ、及び清浄ガスのプラズマの一部をプ
ロセスチャンバ内に流入するステップを含んでいる。本
装置は、壁を有する堆積チャンバ、壁に熱結合され壁を
加熱する手段、壁の大部分を覆うライナ、チャンバの外
側に配置されたリモートチャンバ、リモートチャンバ内
にエネルギを供給することの可能な活性化源、リモート
ガス供給源からの前駆ガスをリモートチャンバ内に流入
させる第１導管、及びリモートチャンバからの反応種を
堆積チャンバ内に流入させる第２導管を含んでいる。
える装置及び方法を提供する。 【解決手段】 本方法は、プロセスチャンバの壁の少な
くとも一部分を加熱するステップ、プロセスチャンバの
壁の大部分を覆うライナを設けるステップ、プロセスチ
ャンバの内部に接続されたリモートチャンバを設けるス
テップ、リモートチャンバ内で清浄ガスのプラズマを生
じさせるステップ、及び清浄ガスのプラズマの一部をプ
ロセスチャンバ内に流入するステップを含んでいる。本
装置は、壁を有する堆積チャンバ、壁に熱結合され壁を
加熱する手段、壁の大部分を覆うライナ、チャンバの外
側に配置されたリモートチャンバ、リモートチャンバ内
にエネルギを供給することの可能な活性化源、リモート
ガス供給源からの前駆ガスをリモートチャンバ内に流入
させる第１導管、及びリモートチャンバからの反応種を
堆積チャンバ内に流入させる第２導管を含んでいる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リモートプラズマ
源清浄技術を用いて窒化ケイ素堆積中の白色粉末を低減
する装置および方法に関するものである。
源清浄技術を用いて窒化ケイ素堆積中の白色粉末を低減
する装置および方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プラズマ補助化学反応（plasma-assiste
d chemical reactions）は、半導体産業やフラットパネ
ルディスプレイ産業で広く利用されている。その一例
が、プラズマ励起式化学的気相堆積（ＰＥＣＶＤ）であ
り、これは、アクティブマトリクス液晶ディスプレイ
（ＡＭＬＣＤ）用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造
時に使用されるプロセスである。ＰＥＣＶＤでは、基板
は、一対の平行平板電極が設置された真空堆積チャンバ
（vacuum deposition chamber）内に配置される。これ
らの電極の一方、例えば一般にサセプタと呼ばれる下部
電極が基板を保持する。他方の電極、すなわち上部電極
は、ガス入口マニホールドまたはシャワーヘッドとして
機能する。堆積中、反応ガスは上部電極を通ってチャン
バ内に流れ込み、高周波（ＲＦ）電圧が電極間に印加さ
れて、反応ガス中にプラズマが形成される。このプラズ
マは、反応ガスを分解し、材料の層を基板の表面上に堆
積する。
d chemical reactions）は、半導体産業やフラットパネ
ルディスプレイ産業で広く利用されている。その一例
が、プラズマ励起式化学的気相堆積（ＰＥＣＶＤ）であ
り、これは、アクティブマトリクス液晶ディスプレイ
（ＡＭＬＣＤ）用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造
時に使用されるプロセスである。ＰＥＣＶＤでは、基板
は、一対の平行平板電極が設置された真空堆積チャンバ
（vacuum deposition chamber）内に配置される。これ
らの電極の一方、例えば一般にサセプタと呼ばれる下部
電極が基板を保持する。他方の電極、すなわち上部電極
は、ガス入口マニホールドまたはシャワーヘッドとして
機能する。堆積中、反応ガスは上部電極を通ってチャン
バ内に流れ込み、高周波（ＲＦ）電圧が電極間に印加さ
れて、反応ガス中にプラズマが形成される。このプラズ
マは、反応ガスを分解し、材料の層を基板の表面上に堆
積する。
【０００３】しばしば堆積される材料として、窒化ケイ
素（ＳｉＮ）がある。ＳｉＮは、その耐水性や耐ナトリ
ウム汚染性のために、ゲート絶縁層およびパッシベーシ
ョン層の共通の材料となっている。ＳｉＮの堆積では、
本発明の譲受人に譲渡された米国特許第5,399,387号に
記載されているように、シラン（ＳｉＨ4）ガスおよび
アンモニア（ＮＨ3）ガスからなるプラズマを用いるこ
とで、幾つかの反応経路に従ってＳｉＮを堆積すること
が可能である。例えば、
素（ＳｉＮ）がある。ＳｉＮは、その耐水性や耐ナトリ
ウム汚染性のために、ゲート絶縁層およびパッシベーシ
ョン層の共通の材料となっている。ＳｉＮの堆積では、
本発明の譲受人に譲渡された米国特許第5,399,387号に
記載されているように、シラン（ＳｉＨ4）ガスおよび
アンモニア（ＮＨ3）ガスからなるプラズマを用いるこ
とで、幾つかの反応経路に従ってＳｉＮを堆積すること
が可能である。例えば、
【化１】 である。ＳｉＮは、基板上だけではなく壁や排気システ
ムの上にも堆積する。既知の現場清浄プロセスは、清浄
ガス（cleaning gas）（多くの場合、フッ化窒素（ＮＦ
3）である）を供給し、排気可能な揮発性生成物を形成
するためにＲＦプラズマを用いてチャンバ内部のガスを
活性化することにより、壁からＳｉＮ膜を除去すること
が可能である。この反応は、次のように進行する。
ムの上にも堆積する。既知の現場清浄プロセスは、清浄
ガス（cleaning gas）（多くの場合、フッ化窒素（ＮＦ
3）である）を供給し、排気可能な揮発性生成物を形成
するためにＲＦプラズマを用いてチャンバ内部のガスを
活性化することにより、壁からＳｉＮ膜を除去すること
が可能である。この反応は、次のように進行する。
【０００４】
【化２】 生成物フッ化ケイ素（ＳｉＦ4）は、この後、ＳｉＮ堆
積プロセス中にＮＨ3およびフッ化水素（ＨＦ）と反応
して、例えば六フッ化アンモニウム（（ＮＨ4）2ＳｉＦ
6）を形成する。このような生成物および他の同様のケ
イ素含有フッ化物生成物は、ここでは「白色粉末」と呼
ばれ、より一般的には、部分反応ＳｉＮ膜を構成する。
この望ましくない白色粉末は、例えば、真空ポンプ内で
濃縮（condense）することがある。また、この白色粉末
は、プロセスチャンバをポンプに接続する真空ライン
（フォアライン）やポンプを排気システムに接続する真
空ライン（排気ライン）内で濃縮することもある。最終
的に、この白色粉末は、燃焼箱（排気を扱う）内で、お
よびチャンバ壁上で濃縮する可能性がある。ポンプおよ
び排気の場合、濃縮は、総計で数キログラムの白色粉末
になることがあり、これにより、しばしばポンプが故障
する。フォアラインおよび排気ラインの場合、目詰まり
が起こることがある。この白色粉末は、堆積プロセス中
において望ましくない微粒子の源ともなる。
積プロセス中にＮＨ3およびフッ化水素（ＨＦ）と反応
して、例えば六フッ化アンモニウム（（ＮＨ4）2ＳｉＦ
6）を形成する。このような生成物および他の同様のケ
イ素含有フッ化物生成物は、ここでは「白色粉末」と呼
ばれ、より一般的には、部分反応ＳｉＮ膜を構成する。
この望ましくない白色粉末は、例えば、真空ポンプ内で
濃縮（condense）することがある。また、この白色粉末
は、プロセスチャンバをポンプに接続する真空ライン
（フォアライン）やポンプを排気システムに接続する真
空ライン（排気ライン）内で濃縮することもある。最終
的に、この白色粉末は、燃焼箱（排気を扱う）内で、お
よびチャンバ壁上で濃縮する可能性がある。ポンプおよ
び排気の場合、濃縮は、総計で数キログラムの白色粉末
になることがあり、これにより、しばしばポンプが故障
する。フォアラインおよび排気ラインの場合、目詰まり
が起こることがある。この白色粉末は、堆積プロセス中
において望ましくない微粒子の源ともなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のプラズマ現場清
浄プロセスは、白色粉末の除去やＳｉＮ堆積中における
白色粉末の発生の低減には有効でない。チャンバやチャ
ンバ内の露出部品を清浄するこのようなシステムでは、
前駆ガスがチャンバに供給される。この後、チャンバ内
の前駆ガスにグロー放電プラズマを局所的に加えること
により、反応種が生成される。この反応種は、チャンバ
表面上のプロセス堆積物と揮発性の化合物を形成するこ
とによりチャンバの表面を清浄する。このプラズマ現場
清浄は、通常、白色粉末を除去せず、ポンプおよび排気
の定期的な整備が依然として必要である。
浄プロセスは、白色粉末の除去やＳｉＮ堆積中における
白色粉末の発生の低減には有効でない。チャンバやチャ
ンバ内の露出部品を清浄するこのようなシステムでは、
前駆ガスがチャンバに供給される。この後、チャンバ内
の前駆ガスにグロー放電プラズマを局所的に加えること
により、反応種が生成される。この反応種は、チャンバ
表面上のプロセス堆積物と揮発性の化合物を形成するこ
とによりチャンバの表面を清浄する。このプラズマ現場
清浄は、通常、白色粉末を除去せず、ポンプおよび排気
の定期的な整備が依然として必要である。
【０００６】新たに改良を加えた清浄システムが、白色
粉末を除去するために開発されている。例えば、ある改
良システムは、プロセスチャンバとポンプとの間に追加
のプラズマ源を導入する。別の例では、ポンプとプロセ
スチャンバとの間、あるいは（排気ライン中における）
ポンプの後にトラップが導入されている。しかしなが
ら、これらの方法も、白色粉末の除去やＳｉＮ堆積中に
おける白色粉末の発生の低減には有効でない。
粉末を除去するために開発されている。例えば、ある改
良システムは、プロセスチャンバとポンプとの間に追加
のプラズマ源を導入する。別の例では、ポンプとプロセ
スチャンバとの間、あるいは（排気ライン中における）
ポンプの後にトラップが導入されている。しかしなが
ら、これらの方法も、白色粉末の除去やＳｉＮ堆積中に
おける白色粉末の発生の低減には有効でない。
【０００７】本発明は、ＳｉＮ堆積プロセス中に形成さ
れる白色粉末の量を低減することを目的としている。ま
た、白色粉末形成の結果として生じる可能性のある部品
への損傷を低減することを関連する目的としている。
れる白色粉末の量を低減することを目的としている。ま
た、白色粉末形成の結果として生じる可能性のある部品
への損傷を低減することを関連する目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】一つの側面では、本発明
は、窒化ケイ素を堆積するために用いられるプロセスチ
ャンバ内での白色粉末の生成を低減する方法に関してお
り、プロセスチャンバの壁の少なくとも一部分を加熱す
るステップと、プロセスチャンバの壁の実質的な部分を
覆うライナを設けるステップと、プロセスチャンバの内
部に接続されたリモートチャンバを設けるステップと、
このリモートチャンバ内で清浄ガスのプラズマを発生さ
せるステップと、この清浄ガスのプラズマの一部をプロ
セスチャンバ内に流入するステップと、を備え、白色粉
末の生成が実質的に低減されるようになっている。
は、窒化ケイ素を堆積するために用いられるプロセスチ
ャンバ内での白色粉末の生成を低減する方法に関してお
り、プロセスチャンバの壁の少なくとも一部分を加熱す
るステップと、プロセスチャンバの壁の実質的な部分を
覆うライナを設けるステップと、プロセスチャンバの内
部に接続されたリモートチャンバを設けるステップと、
このリモートチャンバ内で清浄ガスのプラズマを発生さ
せるステップと、この清浄ガスのプラズマの一部をプロ
セスチャンバ内に流入するステップと、を備え、白色粉
末の生成が実質的に低減されるようになっている。
【０００９】この発明の具体化には、以下の事項が含ま
れる。上記の加熱ステップは、壁内の少なくとも１個の
中空隔室内に加熱された流体を流入することにより行わ
れる。白色粉末の生成は、真空ライン内や、プロセスチ
ャンバに機能を提供するポンプシステム内で低減され
る。この方法は、ウェーハを約８５℃以上の温度に加熱
するステップをさらに備えていても良い。上記のライナ
は、プロセスチャンバの内部の実質的に全体を覆ってい
る。このライナは、アルマイト（陽極酸化アルミニウ
ム）（anodized aluminum）またはセラミックから作ら
れている。
れる。上記の加熱ステップは、壁内の少なくとも１個の
中空隔室内に加熱された流体を流入することにより行わ
れる。白色粉末の生成は、真空ライン内や、プロセスチ
ャンバに機能を提供するポンプシステム内で低減され
る。この方法は、ウェーハを約８５℃以上の温度に加熱
するステップをさらに備えていても良い。上記のライナ
は、プロセスチャンバの内部の実質的に全体を覆ってい
る。このライナは、アルマイト（陽極酸化アルミニウ
ム）（anodized aluminum）またはセラミックから作ら
れている。
【００１０】別の側面では、本発明は、窒化ケイ素を堆
積するために使用されるプロセスチャンバ内での白色粉
末の生成を低減する方法に関しており、プロセスチャン
バの壁を加熱する手段を設けるステップと、プロセスチ
ャンバの内部の実質的な部分を覆うライナを設けるステ
ップと、を備え、白色粉末の生成が実質的に低減される
ようになっている。
積するために使用されるプロセスチャンバ内での白色粉
末の生成を低減する方法に関しており、プロセスチャン
バの壁を加熱する手段を設けるステップと、プロセスチ
ャンバの内部の実質的な部分を覆うライナを設けるステ
ップと、を備え、白色粉末の生成が実質的に低減される
ようになっている。
【００１１】この発明の具体化には、以下の事項が含ま
れる。上記の加熱手段は、抵抗ヒータ、またはプロセス
チャンバの外側を実質的に覆う熱絶縁ブランケットであ
る。
れる。上記の加熱手段は、抵抗ヒータ、またはプロセス
チャンバの外側を実質的に覆う熱絶縁ブランケットであ
る。
【００１２】別の側面では、本発明は、白色粉末の生成
が低減される窒化ケイ素堆積用の装置に関する。本発明
は、壁を有する堆積チャンバと、この壁を加熱する手段
であってこの壁に熱結合（thermally couple）された手
段と、壁の実質的な部分を覆うライナと、チャンバの外
側に配置されたリモートチャンバと、このリモートチャ
ンバ内にエネルギを供給する活性化源（activation sou
rce）と、リモートガス供給源からの前駆ガスを、前駆
ガスが活性化源によって活性化されて反応種が形成され
るリモートチャンバ内に流入する第１の導管と、リモー
トチャンバからの反応種を堆積チャンバ内に流入する第
２の導管と、を備えている。
が低減される窒化ケイ素堆積用の装置に関する。本発明
は、壁を有する堆積チャンバと、この壁を加熱する手段
であってこの壁に熱結合（thermally couple）された手
段と、壁の実質的な部分を覆うライナと、チャンバの外
側に配置されたリモートチャンバと、このリモートチャ
ンバ内にエネルギを供給する活性化源（activation sou
rce）と、リモートガス供給源からの前駆ガスを、前駆
ガスが活性化源によって活性化されて反応種が形成され
るリモートチャンバ内に流入する第１の導管と、リモー
トチャンバからの反応種を堆積チャンバ内に流入する第
２の導管と、を備えている。
【００１３】この発明の具体化には、以下の事項が含ま
れる。上記の加熱手段は、壁の少なくとも一部分の内部
に配置された隔室と、この隔室に接続された流体流入口
と、この隔室に接続された流体流出口と、を有してい
る。また、前記流体流入口に接続された流体源もある。
この加熱手段は、チャンバの外部を実質的に覆う熱絶縁
ブランケットであっても良い。
れる。上記の加熱手段は、壁の少なくとも一部分の内部
に配置された隔室と、この隔室に接続された流体流入口
と、この隔室に接続された流体流出口と、を有してい
る。また、前記流体流入口に接続された流体源もある。
この加熱手段は、チャンバの外部を実質的に覆う熱絶縁
ブランケットであっても良い。
【００１４】本発明の利点は、ＳｉＮ堆積プロセス中に
生成される白色粉末の量が低減されることである。ま
た、白色粉末によって引き起こされるポンプの故障やラ
イン目詰まりの発生が低減されることも利点である。
生成される白色粉末の量が低減されることである。ま
た、白色粉末によって引き起こされるポンプの故障やラ
イン目詰まりの発生が低減されることも利点である。
【００１５】本発明の他の目的や利点は、以下の説明の
中で述べるが、その一部は以下の説明から明らかにな
り、また本発明の実施によって理解することができる。
本発明の目的および利点は、特に特許請求の範囲で指摘
される手段および組合せによって実現および取得するこ
とができる。
中で述べるが、その一部は以下の説明から明らかにな
り、また本発明の実施によって理解することができる。
本発明の目的および利点は、特に特許請求の範囲で指摘
される手段および組合せによって実現および取得するこ
とができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】添付の図面は、上記の一般的な説
明および以下の詳細な説明とともに本発明を概略的に示
しており、本発明の原理を説明するのに役立っている。
なお、添付図面は、本明細書に組み込まれて本明細書の
一部をなす。
明および以下の詳細な説明とともに本発明を概略的に示
しており、本発明の原理を説明するのに役立っている。
なお、添付図面は、本明細書に組み込まれて本明細書の
一部をなす。
【００１７】説明する実施形態では、我々は、カリフォ
ルニア州サンタクララのアプライドコマツテクノロジー
製モデルＡＫＴ−３５００ＰＥＣＶＤシステムを使用し
た。このシステムには、本明細書で説明するように改修
が加えられている。このＡＫＴ−３５００ＰＥＣＶＤ
は、ＡＭＬＣＤの生成に使用するために設計されてい
る。これは、複数のプロセスチャンバを有するモジュラ
システムである。これらのプロセスチャンバは、アモル
ファスシリコン膜、ＳｉＮ膜、シリコン酸化膜および酸
窒化膜を堆積するために使用することができる。このシ
ステムに関するより詳しい説明は、本発明の譲受人に譲
渡された米国特許出願第08/707,491号に見出すことがで
きる。なお、この文献は、参照文献として本明細書に組
み込まれる。しかしながら、本発明は、任意の市販の堆
積システムとともに使用することも可能である。
ルニア州サンタクララのアプライドコマツテクノロジー
製モデルＡＫＴ−３５００ＰＥＣＶＤシステムを使用し
た。このシステムには、本明細書で説明するように改修
が加えられている。このＡＫＴ−３５００ＰＥＣＶＤ
は、ＡＭＬＣＤの生成に使用するために設計されてい
る。これは、複数のプロセスチャンバを有するモジュラ
システムである。これらのプロセスチャンバは、アモル
ファスシリコン膜、ＳｉＮ膜、シリコン酸化膜および酸
窒化膜を堆積するために使用することができる。このシ
ステムに関するより詳しい説明は、本発明の譲受人に譲
渡された米国特許出願第08/707,491号に見出すことがで
きる。なお、この文献は、参照文献として本明細書に組
み込まれる。しかしながら、本発明は、任意の市販の堆
積システムとともに使用することも可能である。
【００１８】図１に示されるように、本発明に従って改
修されたＰＥＣＶＤシステムは、堆積ガスを導入するた
めのガス入口マニホールド（またはシャワーヘッド）１
２を内側に有する堆積チャンバ１０と、材料が堆積され
るべき基板１６を保持するサセプタ１４と、を含んでい
る。入口マニホールド１２およびサセプタ１４は、双方
とも平行平板形であり、それぞれ上部電極および下部電
極としても機能する。下部電極およびチャンバ本体は、
グラウンドに接続されている。ＲＦ電源３８は、整合回
路網（matching network）４０を介して上部電極に電力
を供給する。ＲＦ電源３８は、上部電極と下部電極との
間にプラズマを生成するために用いられる。
修されたＰＥＣＶＤシステムは、堆積ガスを導入するた
めのガス入口マニホールド（またはシャワーヘッド）１
２を内側に有する堆積チャンバ１０と、材料が堆積され
るべき基板１６を保持するサセプタ１４と、を含んでい
る。入口マニホールド１２およびサセプタ１４は、双方
とも平行平板形であり、それぞれ上部電極および下部電
極としても機能する。下部電極およびチャンバ本体は、
グラウンドに接続されている。ＲＦ電源３８は、整合回
路網（matching network）４０を介して上部電極に電力
を供給する。ＲＦ電源３８は、上部電極と下部電極との
間にプラズマを生成するために用いられる。
【００１９】ポンプシステムは、フォアライン６２、排
気ライン６４、ポンプ３６、燃焼箱（burn box）６６お
よび流出口７２を有している。ポンプ輸送されるべきガ
スは、チャンバ１０内のランダム運動を介してフォアラ
イン６２に入る。このガスは、ポンプ３６によって除去
され、排気ライン６４を介してポンプ３６から排気され
る。燃焼箱６６はこの排気ガスを処理し、この後、この
排気ガスは流出口７２を介して除去される。燃焼箱６６
は、酸素およびメタンを燃焼する場合に特に有用であ
る。流出口７２は、別のポンプまたは処理設備に接続さ
れていても良いし、あるいは単に大気への出口であって
も良い。
気ライン６４、ポンプ３６、燃焼箱（burn box）６６お
よび流出口７２を有している。ポンプ輸送されるべきガ
スは、チャンバ１０内のランダム運動を介してフォアラ
イン６２に入る。このガスは、ポンプ３６によって除去
され、排気ライン６４を介してポンプ３６から排気され
る。燃焼箱６６はこの排気ガスを処理し、この後、この
排気ガスは流出口７２を介して除去される。燃焼箱６６
は、酸素およびメタンを燃焼する場合に特に有用であ
る。流出口７２は、別のポンプまたは処理設備に接続さ
れていても良いし、あるいは単に大気への出口であって
も良い。
【００２０】チャンバ１０の外側には、堆積中に用いら
れる複数のガスを含んだ堆積ガスシステム３２がある。
ＳｉＮの堆積では、これらのガスは、通常、アンモニア
およびシランである。これらは、例えば、アンモニアガ
ス供給源７１およびシランガス供給源６８によって示さ
れている。これらのプロセスガスは、入口を通ってガス
マニホールド内に流入した後、シャワーヘッドを通って
チャンバ内に流入する。電動バルブおよび流れ制御機構
３４は、ガス供給源からチャンバ内へのガスの流れを制
御する。
れる複数のガスを含んだ堆積ガスシステム３２がある。
ＳｉＮの堆積では、これらのガスは、通常、アンモニア
およびシランである。これらは、例えば、アンモニアガ
ス供給源７１およびシランガス供給源６８によって示さ
れている。これらのプロセスガスは、入口を通ってガス
マニホールド内に流入した後、シャワーヘッドを通って
チャンバ内に流入する。電動バルブおよび流れ制御機構
３４は、ガス供給源からチャンバ内へのガスの流れを制
御する。
【００２１】チャンバ１０は、ライナ１５を含んでい
る。図１では、ライナ１５は、チャンバの内壁７０の所
定部分をライニングする２枚の平行平板として概略図示
されている。ライナ１５は、実質的にチャンバ１０の内
壁７０全体をライニングしていることが好ましく、チャ
ンバ内壁７０の全てをライニングしているとより一層好
ましい。ライナ１５は、例えばアルマイト（陽極酸化ア
ルミニウム）やセラミック材料から形成されていても良
い。使用可能なセラミックライナは、本発明の譲受人に
譲渡された米国特許第5,366,585号に記載されている。
なお、この文献は、参照文献として本明細書に組み込ま
れる。ライナ１５は、通常、チャンバ１０の内壁と物理
的および熱的に接触している。
る。図１では、ライナ１５は、チャンバの内壁７０の所
定部分をライニングする２枚の平行平板として概略図示
されている。ライナ１５は、実質的にチャンバ１０の内
壁７０全体をライニングしていることが好ましく、チャ
ンバ内壁７０の全てをライニングしているとより一層好
ましい。ライナ１５は、例えばアルマイト（陽極酸化ア
ルミニウム）やセラミック材料から形成されていても良
い。使用可能なセラミックライナは、本発明の譲受人に
譲渡された米国特許第5,366,585号に記載されている。
なお、この文献は、参照文献として本明細書に組み込ま
れる。ライナ１５は、通常、チャンバ１０の内壁と物理
的および熱的に接触している。
【００２２】ライナ１５は、チャンバ内およびチャンバ
上の少なくとも３個の要素からの対流、伝導、および放
射によって加熱される。第１に、堆積チャンバ内の熱い
プロセスガスは、ライナ１５を加熱する傾向がある。こ
れらのガスは、ライナ１５と直接接触し、熱伝導によっ
てエネルギを直接伝達する。第２に、サセプタの加熱が
チャンバ内に熱い要素を作り出し、この熱が放射および
対流によってライナ１５に部分的に伝達される。第３
に、ライナ１５は、チャンバの壁から更に加熱を受ける
ことがある。ここで、チャンバの壁は、後述するように
して加熱される。約３７０℃程度に高くすることできる
通常のプロセス温度では、ライナ１５は、約１５０℃か
らサセプタの温度（３７０℃）付近までの温度に達する
ことが可能である。但し、通常は、約２５０℃である。
一般に、濃縮を排除する効果は、ライナ温度が高まるに
伴って大きくなる。上記の温度において、ライナ１５上
での濃縮は低減される。注目すべきことに、これらの温
度は、通常、ライナ１５との化学反応が生じない程度に
低い温度である。
上の少なくとも３個の要素からの対流、伝導、および放
射によって加熱される。第１に、堆積チャンバ内の熱い
プロセスガスは、ライナ１５を加熱する傾向がある。こ
れらのガスは、ライナ１５と直接接触し、熱伝導によっ
てエネルギを直接伝達する。第２に、サセプタの加熱が
チャンバ内に熱い要素を作り出し、この熱が放射および
対流によってライナ１５に部分的に伝達される。第３
に、ライナ１５は、チャンバの壁から更に加熱を受ける
ことがある。ここで、チャンバの壁は、後述するように
して加熱される。約３７０℃程度に高くすることできる
通常のプロセス温度では、ライナ１５は、約１５０℃か
らサセプタの温度（３７０℃）付近までの温度に達する
ことが可能である。但し、通常は、約２５０℃である。
一般に、濃縮を排除する効果は、ライナ温度が高まるに
伴って大きくなる。上記の温度において、ライナ１５上
での濃縮は低減される。注目すべきことに、これらの温
度は、通常、ライナ１５との化学反応が生じない程度に
低い温度である。
【００２３】チャンバ１０の各壁は、独立に加熱され
る。これは、多数の理由によるものである。第１に、ラ
イナ１５は、チャンバ１０の内壁７０への衝突を全ての
ガスについて防ぐことはできないからである。このた
め、清浄ガス粒子が内壁７０に付着することを防ぐため
に、壁７０の温度は、いかなる衝突ガス粒子も壁７０上
で濃縮しないように加熱によって上昇させられる。壁７
０を加熱する第２の理由は、ライナ１５の加熱を高める
ためである。上述のように、ライナ１５は、加熱された
壁７０からの熱伝導により、ある程度の熱を受け取る。
る。これは、多数の理由によるものである。第１に、ラ
イナ１５は、チャンバ１０の内壁７０への衝突を全ての
ガスについて防ぐことはできないからである。このた
め、清浄ガス粒子が内壁７０に付着することを防ぐため
に、壁７０の温度は、いかなる衝突ガス粒子も壁７０上
で濃縮しないように加熱によって上昇させられる。壁７
０を加熱する第２の理由は、ライナ１５の加熱を高める
ためである。上述のように、ライナ１５は、加熱された
壁７０からの熱伝導により、ある程度の熱を受け取る。
【００２４】壁７０は、多数の方法により加熱すること
ができる。壁を加熱する方法は、重要ではない。一例と
して、壁７０に熱結合された抵抗ヒータにより加熱を行
うことができる。このような結合の方法は、当業者にと
って公知である。
ができる。壁を加熱する方法は、重要ではない。一例と
して、壁７０に熱結合された抵抗ヒータにより加熱を行
うことができる。このような結合の方法は、当業者にと
って公知である。
【００２５】別の実施形態では、チャンバ１０の壁は、
流入口１１および流出口１３に接続された中空部分１７
を有している。再循環流体供給装置６１は、これらの出
入口を用いて、加熱済みのガスまたは液体をチャンバ壁
を通して流す。例えば、水は、約７５℃からその沸点ま
での温度範囲で使用することができる。特に、温度８５
℃の水を使用することができる。その後、加熱済みの水
が、チャンバ壁を加熱する。流体の流れは、図１におい
て矢印“Ａ”で概略的に示されている。このチャンバフ
ローシステムは、チャンバ１０の一又は複数の中空セク
ションを形成する一連の流体接続された隔室を含んでい
てもよい。すなわち、壁は、隔室を画成する中空セクシ
ョンを有していてもよい。流体通路によって隔室を接続
することができるので、一つの隔室内に継続して流れ込
む流体は、最終的には他の隔室に到達し、この隔室にも
流体が流れることになる。このような隔室の設計は、チ
ャンバ１０の壁の形状寸法や設計に応じて決めることが
できる。好ましくは、実質的に全ての内壁が、少なくと
も一つの中空隔室に極めて接近していると良い。
流入口１１および流出口１３に接続された中空部分１７
を有している。再循環流体供給装置６１は、これらの出
入口を用いて、加熱済みのガスまたは液体をチャンバ壁
を通して流す。例えば、水は、約７５℃からその沸点ま
での温度範囲で使用することができる。特に、温度８５
℃の水を使用することができる。その後、加熱済みの水
が、チャンバ壁を加熱する。流体の流れは、図１におい
て矢印“Ａ”で概略的に示されている。このチャンバフ
ローシステムは、チャンバ１０の一又は複数の中空セク
ションを形成する一連の流体接続された隔室を含んでい
てもよい。すなわち、壁は、隔室を画成する中空セクシ
ョンを有していてもよい。流体通路によって隔室を接続
することができるので、一つの隔室内に継続して流れ込
む流体は、最終的には他の隔室に到達し、この隔室にも
流体が流れることになる。このような隔室の設計は、チ
ャンバ１０の壁の形状寸法や設計に応じて決めることが
できる。好ましくは、実質的に全ての内壁が、少なくと
も一つの中空隔室に極めて接近していると良い。
【００２６】本発明は、リモートプラズマ源清浄技術と
ともに用いられる。換言すると、ライナおよび加熱壁
は、（参照文献として組み込まれた上記特許出願に記載
されているように）リモートプラズマ源清浄によっても
たらされる有利な清浄効果とともに用いられる。ライナ
および加熱壁とともに用いられるリモートプラズマ源
は、白色粉末の生成を実質的に低減することを可能にす
る。
ともに用いられる。換言すると、ライナおよび加熱壁
は、（参照文献として組み込まれた上記特許出願に記載
されているように）リモートプラズマ源清浄によっても
たらされる有利な清浄効果とともに用いられる。ライナ
および加熱壁とともに用いられるリモートプラズマ源
は、白色粉末の生成を実質的に低減することを可能にす
る。
【００２７】リモートプラズマ源清浄システムの一例で
は、流入口３３を介して清浄ガス供給システム６９もチ
ャンバに接続されている。清浄ガス供給システムは、ガ
ス、例えばＮＦ3、を供給して、一連の堆積作業の後に
チャンバの内側を清浄する。これらのガスが混合の望ま
れるものである場合は、第１および第２ガス供給源を結
合することも可能である。
は、流入口３３を介して清浄ガス供給システム６９もチ
ャンバに接続されている。清浄ガス供給システムは、ガ
ス、例えばＮＦ3、を供給して、一連の堆積作業の後に
チャンバの内側を清浄する。これらのガスが混合の望ま
れるものである場合は、第１および第２ガス供給源を結
合することも可能である。
【００２８】清浄ガスシステム６９は、前駆ガス４４の
源と、前駆ガス４４の流れを制御する電動バルブおよび
流れ制御機構と、堆積チャンバの外側において所定距離
だけ離れたリモート活性化チャンバ（remote activatio
n chamber）４６にガス４４を流入する第１の導管６７
と、を含んでいる。電力励起源（power activation sou
rce）、例えば高出力マイクロ波発生器４８は、リモー
ト活性化チャンバ内で前駆ガスを活性化するために用い
られる。第２の導管またはパイプ５７は、リモートチャ
ンバ４６を流入口３３を介して堆積チャンバ１０に接続
する。流れレストリクタ（flow restrictor）５９は、
リモートチャンバ４６と堆積チャンバ１０との間に圧力
差が存在できるようにするため、パイプ５７内で使用さ
れる。リモートチャンバ４６は、サファイアチューブで
あってもよく、電源は、サファイアチューブ用の出力を
有する２．５４ＧＨｚマイクロ波エネルギ源であっても
よい。
源と、前駆ガス４４の流れを制御する電動バルブおよび
流れ制御機構と、堆積チャンバの外側において所定距離
だけ離れたリモート活性化チャンバ（remote activatio
n chamber）４６にガス４４を流入する第１の導管６７
と、を含んでいる。電力励起源（power activation sou
rce）、例えば高出力マイクロ波発生器４８は、リモー
ト活性化チャンバ内で前駆ガスを活性化するために用い
られる。第２の導管またはパイプ５７は、リモートチャ
ンバ４６を流入口３３を介して堆積チャンバ１０に接続
する。流れレストリクタ（flow restrictor）５９は、
リモートチャンバ４６と堆積チャンバ１０との間に圧力
差が存在できるようにするため、パイプ５７内で使用さ
れる。リモートチャンバ４６は、サファイアチューブで
あってもよく、電源は、サファイアチューブ用の出力を
有する２．５４ＧＨｚマイクロ波エネルギ源であっても
よい。
【００２９】上記の実施形態では、前駆ガスはＮＦ3で
ある。活性種の流量は約２リットル毎分であり、プロセ
スチャンバ圧力は約０．５Ｔｏｒｒである。前駆ガスを
活性化するため、マイクロ波源は、約３０００〜１２０
００ワットをリモート活性化チャンバに供給する。５０
００ワットという値は、多くの応用例に用いることがで
きる。
ある。活性種の流量は約２リットル毎分であり、プロセ
スチャンバ圧力は約０．５Ｔｏｒｒである。前駆ガスを
活性化するため、マイクロ波源は、約３０００〜１２０
００ワットをリモート活性化チャンバに供給する。５０
００ワットという値は、多くの応用例に用いることがで
きる。
【００３０】別の実施形態では、図２に示されるよう
に、熱絶縁ブランケット７３を用いてチャンバ１０の外
側を覆っても良い。この実施形態では、図２に示される
ように、ブランケット７３は、チャンバ１０内のプロセ
スガスおよびサセプタにより生成された熱を維持するの
に役立っている。言い換えると、ブランケット７３は、
この熱が環境から逃げることを許さない。ブランケット
７３を用いると、熱放散の通常の経路が取り除かれるの
で、内壁７０は加熱される。この実施形態は、再循環流
体システム６１を介して壁を通して流体を流しつつ、あ
るいは流すことなく使用することができる。
に、熱絶縁ブランケット７３を用いてチャンバ１０の外
側を覆っても良い。この実施形態では、図２に示される
ように、ブランケット７３は、チャンバ１０内のプロセ
スガスおよびサセプタにより生成された熱を維持するの
に役立っている。言い換えると、ブランケット７３は、
この熱が環境から逃げることを許さない。ブランケット
７３を用いると、熱放散の通常の経路が取り除かれるの
で、内壁７０は加熱される。この実施形態は、再循環流
体システム６１を介して壁を通して流体を流しつつ、あ
るいは流すことなく使用することができる。
【００３１】双方の実施形態では、サセプタ１４は、堆
積中に基板を加熱する抵抗ヒータ１８を含んでいる。外
部ヒータ制御モジュール２０は、ヒータに電力を供給し
て、システム内で行われているプロセスにより指示され
る適切な温度レベルにサセプタを到達させ、その温度レ
ベルに維持する。
積中に基板を加熱する抵抗ヒータ１８を含んでいる。外
部ヒータ制御モジュール２０は、ヒータに電力を供給し
て、システム内で行われているプロセスにより指示され
る適切な温度レベルにサセプタを到達させ、その温度レ
ベルに維持する。
【００３２】白色粉末の除去における加熱壁およびライ
ナのリモートプラズマ源と協同した動作は、以下のよう
に少なくとも部分的に説明することができる。リモート
プラズマ源を用いると、清浄ガスは、チャンバ内の長い
距離を進行する長い期間にわたってプラズマ状態を維持
する。（この特徴は、参照文献として本明細書に組み込
まれる上記特許出願でも説明されている。）清浄ガスが
長い距離を進行すると、清浄ガスは、チャンバの離れた
部分に広がる。例えば、ガス粒子はポンプに到達するこ
とができるが、これらのガス粒子は依然としてプラズマ
状態にある。このため、これらの粒子は、ポンプ付近の
領域、すなわち白色粉末の主な収集箇所を清浄すること
ができる。チャンバの他の離れた部位も、同様に清浄さ
れる。
ナのリモートプラズマ源と協同した動作は、以下のよう
に少なくとも部分的に説明することができる。リモート
プラズマ源を用いると、清浄ガスは、チャンバ内の長い
距離を進行する長い期間にわたってプラズマ状態を維持
する。（この特徴は、参照文献として本明細書に組み込
まれる上記特許出願でも説明されている。）清浄ガスが
長い距離を進行すると、清浄ガスは、チャンバの離れた
部分に広がる。例えば、ガス粒子はポンプに到達するこ
とができるが、これらのガス粒子は依然としてプラズマ
状態にある。このため、これらの粒子は、ポンプ付近の
領域、すなわち白色粉末の主な収集箇所を清浄すること
ができる。チャンバの他の離れた部位も、同様に清浄さ
れる。
【００３３】チャンバ全体にわたる拡散に加えて、リモ
ートプラズマシステムは、従来のシステムよりも大量の
清浄ガスを供給する。このため、化学清浄反応を完了ま
で押し進める活性プラズマガスがより大量に存在してい
る。再度述べるが、この説明は一つの提案として理解さ
れるべきであり、限定的なものと解釈されるべきではな
い。
ートプラズマシステムは、従来のシステムよりも大量の
清浄ガスを供給する。このため、化学清浄反応を完了ま
で押し進める活性プラズマガスがより大量に存在してい
る。再度述べるが、この説明は一つの提案として理解さ
れるべきであり、限定的なものと解釈されるべきではな
い。
【００３４】リモートプラズマ源を備える加熱壁および
ライナからなる上記システムを用いることで、幾つかの
利点が得られる。例えば、システム中に形成される白色
粉末の量が、特にフォアライン６２、排気ライン６４、
ポンプ３６、燃焼箱６６、およびチャンバ内壁７０上で
低減される。これにより、ＳｉＮが堆積される従前のシ
ステムよりもポンプや燃焼箱の故障が少なくなる。
ライナからなる上記システムを用いることで、幾つかの
利点が得られる。例えば、システム中に形成される白色
粉末の量が、特にフォアライン６２、排気ライン６４、
ポンプ３６、燃焼箱６６、およびチャンバ内壁７０上で
低減される。これにより、ＳｉＮが堆積される従前のシ
ステムよりもポンプや燃焼箱の故障が少なくなる。
【００３５】一般に、清浄に用いられる反応ガスは、広
い選択範囲から選択することができる。この選択範囲に
は、一般に用いられるハロゲンやハロゲン化合物が含ま
れる。
い選択範囲から選択することができる。この選択範囲に
は、一般に用いられるハロゲンやハロゲン化合物が含ま
れる。
【００３６】選択される電力レベル、流量、および圧力
はシステム特有のものであり、これらは、プロセスが行
われる特定のシステムに最適化する必要がある。プロセ
ス条件を適切に調節して特定のシステムに対して最適な
性能を達成することは、通常の当業者の能力の範囲内で
ある。
はシステム特有のものであり、これらは、プロセスが行
われる特定のシステムに最適化する必要がある。プロセ
ス条件を適切に調節して特定のシステムに対して最適な
性能を達成することは、通常の当業者の能力の範囲内で
ある。
【００３７】ここまで、本発明を好適な実施形態の面か
ら説明してきた。しかしながら、本発明は、上述の実施
形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許
請求の範囲によって定められる。
ら説明してきた。しかしながら、本発明は、上述の実施
形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許
請求の範囲によって定められる。
【図１】本発明を具体化した高出力ＰＥＣＶＤリモート
プラズマ清浄システムのブロック図である。
プラズマ清浄システムのブロック図である。
【図２】本発明を具体化した高出力ＰＥＣＶＤリモート
プラズマ清浄システムであって熱絶縁ブランケットを用
いる清浄システムのブロック図である。
プラズマ清浄システムであって熱絶縁ブランケットを用
いる清浄システムのブロック図である。
１０…堆積チャンバ、１２…ガス入口マニホールド、１
４…サセプタ、１５…ライナ、１６…基板、３６…ポン
プ、３８…ＲＦ電源、６２…フォアライン、６４…排気
ライン、６６…燃焼箱、７２…流出口。
４…サセプタ、１５…ライナ、１６…基板、３６…ポン
プ、３８…ＲＦ電源、６２…フォアライン、６４…排気
ライン、６６…燃焼箱、７２…流出口。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 カム エス． ロウ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， ユニオン シティー， リヴィエラ ドラ イヴ 461 (72)発明者 ダン メイダン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， ロス アルトス ヒルズ， ムリエタ レ ーン 12000
Claims (17)
- 【請求項１】 窒化ケイ素を堆積するために用いられる
プロセスチャンバ内での白色粉末の生成を低減する方法
であって、 前記プロセスチャンバの壁の少なくとも一部分を加熱す
るステップと、 前記プロセスチャンバの壁の実質的な部分を覆うライナ
を設けるステップと、 前記プロセスチャンバの内部に接続されたリモートチャ
ンバを設けるステップと、 前記リモートチャンバ内に清浄ガスのプラズマを生じさ
せるステップと、 前記清浄ガスのプラズマの一部を前記プロセスチャンバ
内に流入するステップと、 を備え、これにより前記白色粉末の生成が実質的に低減
されるようになっている方法。 - 【請求項２】 前記加熱ステップは、前記壁内の少なく
とも１個の中空隔室内に、加熱された流体を流すことに
より行われる、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 真空ライン内、および前記プロセスチャ
ンバに機能を提供するポンプシステム内で、白色粉末の
生成が低減される請求項２記載の方法。 - 【請求項４】 前記加熱された流体が実質的に水である
請求項２記載の方法。 - 【請求項５】 前記水を約８５℃以上の温度に加熱する
ステップを更に備える請求項４記載の方法。 - 【請求項６】 前記ライナがアルマイト製である請求項
２記載の方法。 - 【請求項７】 前記ライナがセラミック製である請求項
２記載の方法。 - 【請求項８】 窒化ケイ素を堆積するために用いられる
プロセスチャンバ内での白色粉末の生成を低減する方法
であって、 前記プロセスチャンバの壁を加熱する手段を設けるステ
ップと、 前記プロセスチャンバの内部の実質的な部分を覆うライ
ナを設けるステップと、 を備え、これにより前記白色粉末の生成が実質的に低減
されるようになっている方法。 - 【請求項９】 前記加熱手段は、前記プロセスチャンバ
の外部を実質的に覆う熱絶縁ブランケットである、請求
項８記載の方法。 - 【請求項１０】 前記加熱手段は、抵抗ヒータである、
請求項８記載の方法。 - 【請求項１１】 白色粉末の生成が低減される窒化ケイ
素堆積用の装置であって、 壁を有する堆積チャンバと、 前記壁を加熱する手段であって、前記壁に熱結合された
手段と、 前記壁の実質的な部分を覆うライナと、 前記チャンバの外側に配置されたリモートチャンバと、 前記リモートチャンバ内にエネルギを供給する活性化源
と、 リモートガス供給源からの前駆ガスを、この前駆ガスが
前記活性化源によって活性化されて反応種が形成される
前記リモートチャンバ内に流入する第１の導管と、 前記リモートチャンバからの反応種を前記堆積チャンバ
内に流入する第２の導管と、 を備える装置。 - 【請求項１２】 前記加熱手段は、 前記壁の少なくとも一部分の内部に配置された隔室と、 前記隔室に接続された流体流入口と、 前記隔室に接続された流体流出口と、 を有している、請求項１１記載の装置。
- 【請求項１３】 前記流体流入口に接続された流体源を
更に備える請求項１２記載の装置。 - 【請求項１４】 前記流体は、約８５℃以上の温度に加
熱された水である、請求項１３記載の装置。 - 【請求項１５】 前記ライナがアルミニウム製である請
求項１１記載の装置。 - 【請求項１６】 前記ライナがセラミック製である請求
項１１記載の装置。 - 【請求項１７】 前記加熱手段は、前記チャンバの外部
を実質的に覆う熱絶縁ブランケットである、請求項１１
記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/782,169 US6055927A (en) | 1997-01-14 | 1997-01-14 | Apparatus and method for white powder reduction in silicon nitride deposition using remote plasma source cleaning technology |
| US08/782169 | 1997-01-14 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005075722A Division JP4916119B2 (ja) | 1997-01-14 | 2005-03-16 | リモートプラズマ源清浄技術を用いた窒化ケイ素堆積中の白色粉末低減用の装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10199874A true JPH10199874A (ja) | 1998-07-31 |
Family
ID=25125206
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9324651A Pending JPH10199874A (ja) | 1997-01-14 | 1997-11-26 | リモートプラズマ源清浄技術を用いた窒化ケイ素堆積中の白色粉末低減用の装置および方法 |
| JP2005075722A Expired - Lifetime JP4916119B2 (ja) | 1997-01-14 | 2005-03-16 | リモートプラズマ源清浄技術を用いた窒化ケイ素堆積中の白色粉末低減用の装置 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005075722A Expired - Lifetime JP4916119B2 (ja) | 1997-01-14 | 2005-03-16 | リモートプラズマ源清浄技術を用いた窒化ケイ素堆積中の白色粉末低減用の装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6055927A (ja) |
| JP (2) | JPH10199874A (ja) |
| KR (2) | KR19980070120A (ja) |
| TW (1) | TW385485B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1222687A2 (en) * | 1999-09-30 | 2002-07-17 | Genus, Inc. | IMPROVED PECVD AND CVD PROCESSES FOR WNx DEPOSITION |
| JP2005286325A (ja) * | 1997-01-14 | 2005-10-13 | Akt America Inc | リモートプラズマ源清浄技術を用いた窒化ケイ素堆積中の白色粉末低減用の装置および方法 |
| JP2009076809A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-09 | Tokyo Electron Ltd | ガス供給装置、半導体製造装置及びガス供給装置用部品 |
| JP2014512102A (ja) * | 2011-04-08 | 2014-05-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ｕｖ処理、化学処理、および堆積のための装置および方法 |
| JP2015178644A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-10-08 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
Families Citing this family (75)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3257328B2 (ja) * | 1995-03-16 | 2002-02-18 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
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