KR20060087376A - 실리콘 질화물 증착시에 원격 플라즈마 소스 세정 기술을이용하여 백색 분말을 감소시키기 위한 방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 실리콘 질화물을 증착하는데 사용되는 프로세스 챔버에서 백색 분말의 생성을 감소시키기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명의 방법은 프로세스 챔버의 벽의 적어도 일부를 가열하는 단계; 프로세스 챔버 벽을 적어도 부분적으로 덮는 라이너를 제공하는 단계; 원격 챔버 내에서 플루오르를 함유한 세정가스를 플라즈마를 형성하는 단계; 세정가스의 플라즈마의 일부를 원격 챔버로부터 프로세스 챔버 내로 유동시키는 단계; 프로세스 챔버 내의 상부 전극에 파워를 공급하는 단계를 포함한다. 본 발명의 장치는 벽을 갖는 증착 챔버; 벽을 85℃ 또는 그 이상으로 가열하기 위한 가열 수단; 벽의 적어도 일부분을 덮는 라이너; 증착 챔버의 외부에 배치된 원격 챔버; 원격 챔버 내로 에너지를 전달하기 위한 활성 소스; 세정 종(species)을 형성하기 위하여, 원격 가스 서플라이로부터, 활성 소스에 의해 플루오르를 함유한 선구물질 가스가 활성화되는 원격 챔버 내로 선구물질 가스를 유동시키기 위한 제 1 도관; 원격 챔버로부터 증착 챔버 내로 세정 종을 유동시키기 위한 제 2 도관; 제 2 도관과 유체 연통하는 샤워헤드; 및 샤워헤드에 연결된 파워 소스를 포함한다.
Description
도 1은 본 발명을 실시하는 고전력 PECVD 원격 플라즈마 세정 시스템의 블록도.
도 2는 열-절연 블랭킷이 사용되는 본 발명을 실시하는 고파워 PECVD 원격 플라즈마 세정 시스템의 블록도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 증착 챔버 12 : 가스 입구 매니폴드
14 : 서셉터 15 : 라이너
16 : 기판 64 : 배출 라인
70 : 챔버 내벽 72 : 출구
플라즈마를 이용한 화학 반응은 반도체 및 평판 디스플레이 산업에 널리 사 용되고 있다. 일 예는 활성-매트릭스 액정 디스플레이(AMLCD)용 박막 트랜지스터(TFT)의 제조에 사용되는 공정인 플라즈마-강화 화학 증착(PECVD)이다. PECVD에 따르면, 한 쌍의 평행한 플레이트 전극이 장착되어 있는 진공 증착 챔버 내에 기판이 놓여진다. 전극중 하나, 예를 들면 하부 전극은 일반적으로 서셉터라 불리며 기판을 지지한다. 다른 전극, 즉 상부 전극은 가스 입구 매니폴드나 샤워 헤드로서 기능을 한다. 증착 동안에, 반응 가스는 상부 전극을 통해 챔버 내로 흐르며 고주파(RF) 전압이 반응 가스 내에서 플라즈마를 생성하기 위하여 전극들 사이에 인가된다. 플라즈마는 반응 가스를 분해시켜 기판의 표면상에 재료층을 증착시킨다.
주로 증착되는 재료는 실리콘 질화물(SiN)이다. SiN은 습기 및 나트륨 오염에 대한 내성으로 인해 패시베이션층과 게이트 절연층에 대하여 공통으로 사용되는 재료이다. SiN 증착에서, 미합중국 특허 제 5,399,387호(본 출원의 양수인에게 양도되었고 이하에서 참조됨)에 기술된 바와 같이, 실란(SiH4) 및 암모니아(NH3) 가스의 플라즈마가 여러 개의 반응 경로, 예를 들면,
SiH4 + NH3 ------> SiNH + 3H2
3SiH4 + 4NH3 ------> Si3N4 + 12H2
와 같은 반응 경로에 따라 SiN을 증착하기 위하여 사용될 수 있다. SiN은 기판상에 증착될 뿐만 아니라 벽과 펌핑 시스템 상에도 증착된다. 공지된 인-시투(in-situ) 세정 공정은 세정 가스, 예를 들면 플루오르화 질소(NF3)와 같은 세정가스를 공급하고, 펌핑 가능한 휘발성 생성물을 형성하기 위하여 RF 플라즈마를 이용하여 챔버 내부의 가스를 활성화시킴으로써, 벽으로부터 SiN 막을 제거할 수 있다. 이 반응은 다음과 같이 진행될 수 있다:
NF3 ---RF 플라즈마 ---> NFX + F
F + SiN ---RF 플라즈마 ---> SiF4 + N2
플루오르화 실리콘(SiF4) 생성물은 SiN 증착 처리에서의 NH3 및 플루오르화 수소(HF)와 반응하여, 예를 들면 헥사플루오르화 암모늄((NH4)2SiF6)을 형성한다. 이러한 생성물 및 기타 유사한 실리콘 함유 플루오르화 생성물은 여기에서 “백색 분말”로서 일컬어지며 일반적으로는 부분적으로 반응된 SiN막을 구성한다. 이러한 바람직하지 않은 백색 분말은 예를 들면 진공 펌프에서 응축될 수 있다. 또한, 백색 분말은 펌프(포어라인(foreline))에 프로세스 챔버를 연결하는 진공 라인과, 배출 시스템(배출 라인)에 펌프를 연결하는 진공 라인에서 응축될 수 있다. 최종적으로, 백색 분말은 연소 박스(배출물을 처리)와 챔버 벽상에서 응축될 수 있다. 펌프 및 배출부의 경우, 응축물은 수 킬로그램의 백색 분말에 달하며 펌프 결함의 원인이 된다. 포어라인 및 배출라인의 경우, 클로깅(막힘; clogging)이 발생할 수 있다. 백색 분말은 증착 공정에서 바람직하지 않은 미립자의 소스이다.
종래의 플라즈마 인-시투 세정 공정은 백색 분말을 제거하거나 SiN 증착에서 백색 분말의 발생을 감소시키기에 비효율적이다. 챔버 및 챔버내에 노출된 컴포넌트를 세정하기 위한 이러한 시스템에서, 선구물질 가스가 챔버에 공급된다. 이어서 챔버내의 선구물질 가스에 글로우 방전 플라즈마를 국소적으로 인가함으로써, 반응 종(reactive species)이 발생된다. 반응 종은 표면상의 프로세스 증착물과 함께 휘발성 화합물을 형성함으로써 챔버 표면을 세정한다. 이 플라즈마 인-시투 세정은 백색 분말을 거의 제거하지 못하며, 펌프 및 배출부의 정기적인 관리가 여전히 요구된다.
새롭게 강화된 세정 시스템은 백색 분말을 제거하기 위해 개선되었다. 예를 들면, 일부 강화된 세정 시스템은 프로세스 챔버와 펌프 사이에 부가적인 플라즈마를 도입한다. 다른 예에서는, 펌프와 프로세스 챔버 사이 또는 펌프 뒤에 트랩(trap)이 도입된다. 그러나, 이들 방법은 백색 분말을 제거하거나 SiN 증착에서의 백색분말의 발생을 감소시키는데 있어서 비효율적이다.
본 발명의 목적은 SiN 증착 공정동안에 형성되는 백색 분말의 양을 감소시키는데 있다. 본 발명의 다른 목적은 백색 분말의 형성에 의한 컴포넌트(component)의 손상을 감소시키는데 있다.
일 특징에 따르면, 본 발명은 백색 분말의 생성이 실질적으로 감소되도록, 프로세스 챔버의 벽의 적어도 일부를 가열하는 단계; 상기 프로세스 챔버벽을 부분적으로 덮는 라이너를 제공하는 단계; 상기 프로세스 챔버의 내부에 연결된 원격 챔버를 제공하는 단계; 상기 원격 챔버내에서 세정가스의 플라즈마를 발생시키는 단계; 및 상기 프로세스 챔버 내로 상기 세정가스의 플라즈마의 일부를 유동시키는 단계를 포함하는 실리콘 질화물을 증착하는데 사용하는 프로세스 챔버에서 백색 분 말의 생성을 감소시키는 방법을 제공한다.
본 발명의 실시는 다음과 같은 것을 포함한다. 가열단계는 벽 내의 적어도 하나의 중공 격실 내로 가열된 유체를 유동시킴으로써 수행된다. 진공 라인과 프로세스 챔버를 지원하는 펌핑 시스템에서 백색 분말의 생성이 감소된다. 가열된 유체는 실질적으로 물이다. 상기 방법은 약 85℃의 온도 또는 약 85℃보다 더 높은 온도로 물을 가열하는 단계를 더 포함한다. 라이너는 실질적으로 프로세스 챔버의 전체 내부를 덮는다. 라이너는 양극처리된 알루미늄이나 세라믹으로 만들어질 수 있다.
다른 특징에 따르면, 본 발명은 백색 분말의 생성이 실질적으로 감소되도록, 프로세스 챔버의 벽을 가열하기 위한 수단을 제공하는 단계 및 프로세스 챔버의 내부를 부분적으로 덮는 라이너를 제공하는 단계를 포함하는, 실리콘 질화물 증착시에 사용되는 프로세스 챔버내에서의 백색 분말의 생성을 감소시키기 위한 방법을 제공한다.
본 발명의 실시는 다음과 같은 것을 포함한다. 가열수단은 프로세스 챔버의 외부를 덮는 열-절연 블랭킷이나 저항성 히터이다.
또다른 특징에 따르면, 본 발명은 백색 분말의 생성이 감소되는 실리콘 질화물 증착 장치를 제공한다. 본 발명은 벽을 갖는 증착 챔버; 상기 벽에 열적으로 결합되어 상기 벽을 가열하는 수단; 상기 벽의 대부분을 덮는 라이너; 챔버의 외부에 배치된 원격 챔버; 원격 챔버 내로 에너지를 전달하는 액티베이션 소스; 선구 물질 가스가 상기 액티베이션 소스에 의해 활성화되어 반응 종을 형성하게 되는 원 격 챔버 내로 원격 가스 공급원으로부터의 선구물질 가스를 유동시키기 위한 제 1 도관; 및 상기 반응 종을 상기 원격 챔버로부터의 반응 종을 상기 증착 챔버 내로 유동시키기 위한 제 2 도관을 포함한다.
본 발명의 실시는 다음과 같은 것을 포함한다. 가열수단은 벽의 적어도 일부 내에 위치한 격실; 상기 격실에 연결된 유체 유입 포트; 및 상기 격실에 연결된 유체 출구 포트를 포함한다. 유체 입구 포트에는 유체 소스가 연결되어 있다. 또한 가열수단은 챔버의 외부를 덮는 열-절연 블랭킷일 수 있다.
SiN 증착 처리에서 생성되는 백색 분말의 양이 감소되는 것이 본 발명의 장점이다. 또한 백색 분말에 의해 초래된 펌프 이상 및 라인 클로깅의 발생이 감소하는 것도 본 발명의 장점이다.
본 발명의 추가의 목적 및 장점은 이하에서 설명될 것이며, 이해될 것이다. 본 발명의 목적 및 장점은 청구항에 기재된 수단 및 이들의 조합에 의해 달성된다.
전술한 실시예에서는, 본 명세서에 기술된 바와 같이 변경된, 캘리포니아 산타클라라 주재의 어플라이드 고마쓰 테크놀러지사에 의해 제조된 모델 AKT-3500 PECVD 시스템을 사용하였다. AKT-3500 PECVD는 AMLCD의 생산에 사용하도록 설계되었다. AKT-3500 PECVD는 비정질 실리콘, SiN, 실리콘 산화물 및 옥시나이트라이드(oxynitride) 막을 증착하기 위하여 사용될 수 있는 다중 프로세스 챔버를 갖는 모듈형 시스템이다. 시스템에 관한 구체적인 설명은 본 발명의 양수인에게 양도되고 참조를 위하여 본 명세서에 통합된 미합중국 특허출원 제 08/707,491호에 개시되어 있다. 그러나, 본 발명은 다른 상업적으로 이용가능한 증착 시스템에도 사용될 수 있다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따라 변경된 PECVD 시스템은 내부에 증착 가스를 도입하기 위한 가스 입구 매니폴드(또는 샤워 헤드)(12)가 있는 증착 챔버(10), 및 재료가 증착되는 기판(16)을 지지하기 위한 서셉터(14)를 포함한다. 둘 다 평행한 플레이트 형태인 입구 매니폴드(12) 및 서셉터(14)는 각각 상부 및 하부 전극으로서 기능한다. 하부 전극 및 챔버 몸체는 접지에 연결되어 있다. RF 발생기(38)는 정합 네트워크(40)를 통하여 상부 전극에 파워를 공급한다. RF 발생기(38)는 상부 및 하부 전극 사이에 플라즈마를 발생시키는데 사용된다.
펌핑 시스템은 포어라인(62), 배출라인(64), 펌프(36), 연소 박스(66) 및 출구(72)를 포함한다. 펌핑될 가스는 챔버(10)내에서의 무작위(random) 이동을 통하여 포어라인(62)으로 들어간다. 이 가스는 펌프(36)에 의해 제거되고 배출라인(64)에 의해 펌프(36)로부터 배출된다. 연소 박스(66)는 배출된 가스를 처리하고, 이어서 처리된 가스는 출구(72)에 의해 제거된다. 연소 박스(66)는 산소 및 메탄을 연소하는데 특히 유용하다. 출구(72)는 다른 펌프 또는 처리 설비에 연결되거나 단순히 대기로의 출구 포트일 수 있다.
챔버(10)의 외부에는 증착동안에 사용되는 가스를 함유하는 증착 가스 시스템(32)이 제공되어 있다. SiN 증착을 위해, 이들 가스는 일반적으로 암모니아 및 실란이다. 이들은 예를 들면 암모니아 가스 서플라이(71) 및 실란 가스 서플라이(68)에 의해 도시된다. 처리 가스는 입구 포트를 통해 가스 매니폴드 내로, 이어서 샤워 헤드를 통하여 챔버 내로 흐른다. 전자적으로 동작되는 밸브 및 흐름 제어 메카니즘(34)은 가스 서플라이로부터 챔버 내로의 가스의 흐름을 제어한다.
챔버(10)는 라이너(15)를 포함한다. 도 1에서, 라이너(15)는 챔버의 내부 벽(70)의 두 개의 평행한 플레이트 라이닝 부분으로서 개략적으로 도시된다. 라이너(15)는 실질적으로 챔버(10)의 내부 벽(70)의 전체, 더 바람직하게는 모든 챔버 내부 벽(70)을 라이닝하는 것이 바람직하다. 라이너(15)는 예를 들면 양극처리된 알루미늄이나 세라믹 재료로 만들어질 수 있다. 사용될 수 있는 세라믹 라이너는 본 발명의 양수인에게 양도되고 참조를 위해 본 명세서에 통합된 미합중국 특허 5,366,585호에 기술되어 있다. 라이너(15)는 일반적으로 챔버(10)의 내부 벽과 물리적 및 열적 접촉을 한다.
라이너(15)는 챔버내에 혹은 챔버상에 있는 적어도 세 개의 엘리먼트로부터 대류, 전도, 및 복사에 의해 가열된다. 먼저, 증착 챔버내의 열처리 가스는 라이너(15)를 가열하려는 경향이 있다. 이들 가스는 라이너(15)와 직접 접촉하여 열 전도에 의해 직접 에너지를 전달한다. 둘째로, 서셉터의 가열은 챔버내의 열 엘리먼트를 생성하며, 이 열은 복사 및 대류에 의해 라이너(15)에 부분적으로 전달된다. 셋째로, 라이너(15)는 아래에 기술되는 바와 같이 가열되는 챔버의 벽으로부터 부가적인 가열을 수용할 수 있다. 370℃만큼 높을 수 있는 전형적인 처리 온도에서, 라이너(15)는 약 150℃ 내지 서셉터의 온도(370℃) 사이의 온도에 다다를 수 있으나, 일반적으로는 250℃에 이를 것이다. 일반적으로, 응축 제거효과는 라이너 온도가 증가함에 따라 개선된다. 주지된 온도에서, 라이너(15)에서의 응축은 감소된다. 이들 온도는 라이너(15)에 대해 어떠한 화학반응도 일으키지 않을 정도로 충분히 낮다는 것을 주지해야 한다.
챔버(10)의 벽은 독립적으로 가열된다. 이것은 여러 가지 이유 때문에 행해진다. 먼저, 라이너(15)는 가스가 챔버(10)의 내부 벽을 때리는 것을 완전히 방지할 수 없다. 그러므로, 세정 가스 입자가 내부 벽(70)에 들러붙는 것을 방지하기 위하여, 어떠한 충돌 가스 입자도 벽(70)상에서 응축되지 않도록 벽(70)을 가열함으로써 그 벽(70)의 온도를 높인다. 벽(70)을 가열하는 두 번째 이유는 라이너(15)의 가열을 향상시키는 것이다. 상기한 바와 같이, 라이너(15)는 가열된 벽(70)으로부터 열 전도에 의해 일부 열을 수용한다.
벽(70)은 여러 가지 방법으로 가열될 수 있다. 벽이 가열되는 방법은 중요하지 않다. 일 예로, 가열은 벽(70)에 열적으로 결합된 저항성 히터에 의해 달성될 수 있다. 이러한 결합 방법은 당업자에게 공지되어 있다.
다른 실시예에서, 챔버(10)의 벽은 입구 포트(11)와 출구 포트(13)에 연결된 중공부(17)를 갖는다. 이들 포트를 사용하여, 순환 유체 서플라이(61)는 챔버 벽을 통하여 가열된 가스나 액체를 유동시킨다. 예를 들면, 물은 약 75℃부터 끓는점까지의 온도 범위에서 사용될 수 있다. 특히, 85℃의 물이 사용될 수 있다. 이어서, 가열된 물은 챔버 벽을 가열한다. 유체 흐름은 화살표(A)로 도 1에 개략적으로 도시되어 있다. 챔버 흐름 시스템은 중공 섹션이나 챔버(10)의 섹션을 함께 형성하는 일련의 유체적으로 연결된 격실들을 포함할 수 있다. 즉, 벽은 격실을 한정하는 중공 섹션을 가질 수 있다. 유체 채널은 격실들을 연결함으로써, 한 격실내로 연속적 으로 흐르는 유체는 결국 다른 격실이 유체로 플러싱(flushing)될 수 있게 한다. 이러한 격실의 구성은 챔버(10)의 벽의 설계와 구조에 따라 달라질 수 있다. 바람직하게는, 실질적으로 모든 내부 벽은 적어도 하나의 중공 격실에 인접한다.
본 발명은 원격 플라즈마 소스 세정 기술을 사용한다. 즉, 라이너 및 가열된 벽은 (앞서, 참조된 특허출원에서 설명되었듯이) 원격 플라즈마 소스 세정에 의해 제공된 유리한 세정 효과와 결합하여 사용된다. 라이너 및 가열된 벽과 함께 사용된 원격 플라즈마 소스는 백색 분말의 생성을 상당히 감소시킨다.
원격 플라즈마 소스 세정 시스템의 일 예에서, 세정 가스 서플라이 시스템(69)은 입구 포트(33)를 통하여 챔버에 연결되어 있다. 세정 가스 서플라이 시스템은 증착 실행의 시퀀스 후에 챔버의 내부를 세정하기 위하여 NF3와 같은 가스를 공급한다. 가스의 혼합이 요구되는 경우, 제 1 및 제 2 가스를 혼합할 수도 있다.
세정가스 시스템(69)은 선구물질 가스의 소스(44), 선구물질 가스(44)의 흐름을 제어하기 위한 것으로서 전자적으로 동작되는 밸브 및 유동제어 메카니즘(50), 그리고 증착 챔버로부터 소정 거리만큼 이격되어 외부에 위치된 원격 활성 챔버(46) 내로 가스(44)가 유동하도록 하기 위한 제 1 도관(67)을 포함한다. 파워 활성 소스, 예를 들면, 고파워 마이크로파 발생기(48)는 원격 활성 챔버내의 선구물질 가스를 활성화하는데 사용된다. 제 2 도관이나 파이프(57)는 원격 챔버(46)를 입구 포트(33)를 경유하여 증착 챔버(10)에 연결시킨다. 흐름 제한기(59)는 원격 챔버(46)와 증착 챔버(10) 사이에 압력차가 존재하도록 파이프(57)에 사용된다. 원격 챔버(46)는 사파이어 튜브일 수 있으며, 파워 소스는 출력이 사파이어 튜브로 향하는 2.54㎓의 초음파 에너지 소스이다.
기술한 실시예에서, 선구물질 가스는 NF3이다. 활성화된 종의 흐름속도는 분당 2리터이고 프로세스 챔버 압력은 약 0.5 토르(Torr)이다. 선구물질 가스를 활성화하기 위하여, 초음파 소스는 원격 활성 챔버에 3,000 내지 12,000 와트를 전달한다. 5,000 와트의 값은 많은 적용분야에 사용될 수 있다.
다른 실시예에서, 도 2에 도시된 바와 같이, 열-절연 블랭킷(73)은 챔버(10)의 외부를 덮기 위하여 사용될 수 있다. 이 실시예에서, 도 2에 도시된 바와 같이, 블랭킷(73)은 챔버(10)내의 서셉터와 처리 가스에 의해 발생된 열을 유지하는 작용을 한다. 즉, 블랭킷(73)은 이 열이 주위로 벗어나지 못하게 한다. 블랭킷(73)을 사용하면, 내부 벽(70)이 가열되는데, 그 이유는 열 발산의 일반 경로가 제거되기 때문이다. 이 실시예는, 순환하는 유체 시스템(61)을 경유하여 벽을 통해 흐르는 유체를 사용하거나 또는 사용하지 않을 수 있다.
두 실시예에서, 서셉터(14)는 증착동안 기판을 가열하기 위한 저항성 히터(18)를 포함한다. 외부 히터 제어 모듈(20)은, 시스템에서 실행되는 공정에 의해 요구되는 바에 따라, 서셉터가 적당한 온도 레벨이 되게 하고 이를 유지시키기 위하여 히터에 동력을 공급한다.
백색 분말의 제거시에 원격 플라즈마 소스와 결합하는 가열된 벽 및 라이너의 작용은 다음과 같이 적어도 부분적으로 설명된다. 원격 플라즈마 소스를 사용하 면, 세정 가스는 챔버내에 긴 거리를 이동하는 긴 주기동안 플라즈마 상태를 유지한다(이 특징은 참조에 의해 통합된 특허출원에 설명되어 있다). 긴 거리를 이동함에 따라, 챔버의 먼 부분으로 확산된다. 예를 들면, 가스 입자는 플라즈마 상태를 유지하면서 펌프에 도달할 수 있다. 그러므로, 입자는 백색 분말이 주로 모이게 되는 펌프 인접 영역을 세정할 수 있다. 챔버의 다른 이격된 섹션도 유사하게 세정된다.
챔버를 통하여 확산하는 것 이외에도, 원격 플라즈마 시스템은 종래 시스템보다 더 많은 양의 세정 가스를 공급한다. 그러므로, 화학 세정 반응을 완료시키는 활성 플라즈마의 양이 더 많다. 다시, 이 설명은 예시적인 것이며 여기에 한정되는 것은 아니다.
라이너 및 가열된 벽으로 이루어진 상기 시스템을 원격 플라즈마 소스와 함께 사용하는 것은 여러 가지 장점을 갖는다. 예를 들면, 시스템에 형성된 백색 분말의 양은 특히 포어라인(62), 배출 라인(64), 펌프(36), 연소 박스(66) 및 챔버 내부 벽(70)에서 감소된다. 이것은 SiN이 증착된 종래의 시스템에서 보다 펌프 및 연소 박스 결함을 덜 초래한다.
일반적으로, 세정을 위해 사용되는 반응 가스는 일반적으로 사용되는 할로겐 및 할로겐 화합물을 포함하여, 광범위한 옵션으로부터 선택될 수 있다.
파워 레벨, 흐름 속도, 및 선택된 압력은 시스템 특성에 따라 달라지며, 그에 따라 처리가 실행되는 특정 시스템에 맞게 최적화될 필요가 있음을 이해하여야 한다. 당업자는, 특정 시스템에 대한 최적 성능을 달성하기 위하여 프로세스 조건 들을 적절히 조절할 수 있을 것이다.
본 발명은 바람직한 실시예의 측면에서 기술되었다. 그러나, 본 발명은 도시한 실시예에 한정되지 않는다. 오히려, 본 발명의 범위는 첨부된 청구범위에 의해 규정된다.
본 발명에 따르면, SiN 증착 처리에서 생성된 백색 분말의 양이 감소되고, 백색 분말에 의해 초래된 라인 클로깅과 펌프 결함의 발생이 감소될 수 있다는 효과를 얻는다.
Claims (22)
- 프로세스 챔버를 작동시키는 방법으로서:상기 프로세스 챔버의 벽의 적어도 일부를 가열하는 단계;상기 프로세스 챔버 벽을 적어도 부분적으로 덮는 라이너를 제공하는 단계;원격 챔버 내에서 플루오르를 함유한 세정가스의 플라즈마를 형성하는 단계;상기 세정가스의 플라즈마의 일부를 상기 원격 챔버로부터 상기 프로세스 챔버 내로 유동시키는 단계;상기 프로세스 챔버 내의 상부 전극에 파워를 공급하는 단계를 포함하여,백색 분말을 함유한 실리콘을 실질적으로 감소시키는,프로세스 챔버 작동 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 가열단계는 상기 벽 내의 하나 이상의 중공 격실 내로 가열된 유체를 유동시킴으로써 수행되는, 프로세스 챔버 작동 방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 백색 분말은 상기 프로세스 챔버의 하류에 위치된 펌핑 시스템 및 진공 라인에서 감소되는, 프로세스 챔버 작동 방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 가열된 유체는 물인, 프로세스 챔버 작동 방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 라이너는 실질적으로 상기 프로세스 챔버의 내부 전체를 덮는, 프로세스 챔버 작동 방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 라이너는 양극 처리된 알루미늄으로 제조되는, 프로세스 챔버 작동 방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 라이너는 세라믹으로 제조되는, 프로세스 챔버 작동 방법.
- 프로세스를 수행하는 장치로서:벽을 갖는 증착 챔버;상기 벽을 85℃ 또는 그 이상으로 가열하기 위한 가열 수단;상기 벽의 적어도 일부분을 덮는 라이너;상기 증착 챔버의 외부에 배치된 원격 챔버;상기 원격 챔버 내로 에너지를 전달하기 위한 활성 소스;세정 종(species)을 형성하기 위하여, 원격 가스 서플라이로부터, 상기 활성 소스에 의해 플루오르를 함유한 선구물질 가스가 활성화되는 원격 챔버 내로 상기 선구물질 가스를 유동시키기 위한 제 1 도관;상기 원격 챔버로부터 상기 증착 챔버 내로 상기 세정 종을 유동시키기 위한 제 2 도관;상기 제 2 도관과 유체 연통하는 샤워헤드; 및상기 샤워헤드에 연결된 파워 소스를 포함하는,프로세스 수행 장치.
- 제 8 항에 있어서, 상기 가열수단은,상기 벽의 적어도 일부 내에 위치된 격실;상기 격실에 연결된 유체 입구 포트; 및상기 격실에 연결된 유체 출구 포트를 포함하는, 프로세스 수행 장치
- 제 9 항에 있어서, 상기 유체 입구 포트에 연결된 유체의 소스를 더 포함하는, 프로세스 수행 장치.
- 제 8 항에 있어서, 상기 라이너는 실질적으로 상기 증착 챔버의 내부 전체를 덮는, 프로세스 수행 장치.
- 제 8 항에 있어서, 상기 라이너는 알루미늄으로 제조되는, 프로세스 수행 장치.
- 제 8 항에 있어서, 상기 라이너는 세라믹으로 제조되는, 프로세스 수행 장치.
- 제 8 항에 있어서, 상기 가열수단은 실질적으로 상기 챔버의 외부를 덮는 열적으로 절연된 블랭킷인, 프로세스 수행 장치.
- 제 8 항에 있어서, 상기 증착 챔버내에 위치되는 서셉터를 더 포함하는, 프로세스 수행 장치.
- 제 15 항에 있어서, 상기 서셉터를 가열하기 위한 히터를 더 포함하는, 프로세스 수행 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 상부 전극은 샤워헤드인, 프로세스 챔버 작동 방법.
- 제 17 항에 있어서, 상기 파워는 고주파 소스에 의해 공급되는, 프로세스 챔버 작동 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 프로세스 챔버는 실리콘 질화물 증착용 챔버인, 프로세스 챔버 작동 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 증착 챔버는 실리콘 질화물 증착용 챔버인, 프로세스 수행 장치.
- 프로세스 챔버를 작동시키는 방법으로서:상기 프로세스 챔버의 벽의 적어도 일부를 가열하는 단계;상기 프로세스 챔버 벽을 적어도 부분적으로 덮는 라이너를 제공하는 단계;원격 챔버 내에서 플루오르를 함유한 세정가스의 플라즈마를 형성하는 단계;휘발성 화합물을 형성하기 위해, 상기 세정가스의 플라즈마의 일부를 상기 원격 챔버로부터 상기 프로세스 챔버 내로 유동시키는 단계;상기 휘발성 화합물을 제거하기 위한 배출 시스템을 제공하는 단계;상기 프로세스 챔버 내로 증착 선구물질을 유동시키는 단계;상기 프로세스 챔버 내의 상부 전극에 파워를 공급하는 단계를 포함하는,프로세스 챔버 작동 방법.
- 제 21 항에 있어서, 상기 상부 전극에 파워를 공급하는 단계가 기판 상에 실리콘 질화물을 증착시키는 것인, 프로세스 챔버 작동 방법.
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