KR19980070120A - 원격 플라즈마 소스 세척 기술을 이용하여 실리콘 질화물 증착에서 백색 분말을 감소시키기 위한 방법 및 장치 - Google Patents

원격 플라즈마 소스 세척 기술을 이용하여 실리콘 질화물 증착에서 백색 분말을 감소시키기 위한 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 실리콘 질화물을 증착하는데 사용되는 처리 챔버에서 백색 분말의 생성을 감소시키기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명의 방법은 처리 챔버의 벽의 적어도 일부를 가열하는 단계; 처리 챔버의 벽의 주요 부분을 덮는 라이너를 제공하는 단계; 처리 챔버의 내부에 연결된 원격 챔버를 제공하는 단계; 원격 챔버에서 세척 가스의 플라즈마를 발생시키는 단계; 및 세척가스의 플라즈마를 처리 챔버내로 흐르도록 하는 단계를 포함한다. 본 발명의 장치는 벽을 갖는 증착 챔버; 상기 벽에 열적으로 결합되어 상기 벽을 가열하기 위한 수단; 상기 벽의 주요부분을 덮는 라이너; 상기 챔버의 외부에 배치된 원격 챔버; 상기 원격 챔버내로 에너지를 전달하기 위한 활성 소스; 원격 가스 서플라이로부터 반응 종을 형성하기 위하여 상기 활성 소스에 의해 선구물질 가스를 활성화시키는 원격 챔버내로 선구물질 가스를 흐르도록 하기 위한 제 1 도관; 및 상기 원격 챔버로부터 상기 증착 챔버내로 상기 반응 종이 흐르도록 하기 위한 제 2 도관을 포함한다.

Description

원격 플라즈마 소스 세척 기술을 이용하여 실리콘 질화물 증착에서 백색 분말을 감소시키기 위한 방법 및 장치
플라즈마-원조 화학 반응은 반도체 및 편평 패널 디스플레이 산업에 널리 사용되고 있다. 일 예는 활성-매트릭스 액정 디스플레이(AMLCD)용 박막 트랜지스터(TFT)의 제조에 사용되는 공정인 플라즈마-강화 화학 증착이다. PECVD에 따르면, 한 쌍의 평행한 플레이트 전극이 장착되어 있는 진공 증착 챔버내에 기판이 놓여진다. 전극중 하나, 예를 들면 하부 전극은 일반적으로 서셉터라 불리우며 기판을지지한다. 다른 전극, 즉 상부 전극은 가스 입구 매니폴드나 샤워 헤드로서 기능을 한다. 증착 동안에, 반응 가스는 상부 전극을 통해 챔버내로 흐르며 라디오 주파수(RF) 전압이 반응 가스내에 플라즈마를 생성하기 위하여 전극들 사이에 인가된다. 플라즈마는 반응 가스를 분해시켜 기판의 표면상에 재료층을 증착시키는 원인이 된다.
증착된 재료는 실리콘 질화물(SiN)이다. SiN은 습기 및 소듐 오염에 견뎌내기위한 능력에 기인하여 패시베이션층과 게이트 절연층에 대하여 공통으로 사용되는 재료이다. SiN 증착에서, 미합중국 특허 제 5,399,387호에 기술된 바와 같이, 실란(SiH4) 및 암모니아(NH3) 가스의 플라즈마가 여러개의 반응 경로, 예를 들면,
SiH4+ NH3------ SiNH + 3H2
3SiH4+ 4 NH3------ Si3N4+ 12H2
와 같은 반응 경로에 따라 SiN을 증착하기 위하여 사용될 수 있다. SiN은 기판상에 증착할 뿐만아니라 벽과 펌핑 시스템상에도 증착한다. 공지된 인-시투 세척 공정은 세척 가스 예를 들면 플루오르화 질소(NF3)와 같은 세척가스를 공급하고, 펌핑가능한 휘발성 생성물을 형성하기 위하여 RF 플라즈마를 이용하여 챔버 내부의 가스를 활성화시킴으로써, 벽으로부터 SiN 막을 제거할 수 있다. 이 반응은 다음과 같이 진행될 수 있다:
NF3---RF 플라즈마--- NFX+ F
F + SiN ---RF 플라즈마--- SiF4+ N2
플루오르화 실리콘 생성물(SiF4)은 예를 들면 헥사플루오르화 암모늄((NH4)2SiF6)을 형성하기 위하여 SiN 증착 처리에 있어서 NH3및 플루오르화 수소(HF)와 반응할 것이다. 이러한 생성물 및 다른 유사한 실리콘 함유 플루오르화 생성물은 여기에서 백색 분말로서 인용되며 일반적으로 반응된 SiN막을 구성한다. 이 적정하지 않은 백색 분말은 예를 들면 진공 펌프에서 응축될 수 있다. 또한, 백색 분말은 펌프(포어라인(foreline))에 처리 챔버를 연결하는 진공 라인과, 배출 시스템(배출 라인)에 펌프를 연결하는 진공 라인에서 응축될 수 있다. 최종적으로, 백색 분말은 연소 박스(배출을 다룸)에서와 챔버 벽상에서 응축될 수 있다. 펌프 및 배출의 경우, 응축은 수 킬로그램의 백색 분말에 달하며 펌프 결함의 원인이 된다. 포어라인 및 배출라인의 경우에서, 클로깅(clogging)이 발생할 수 있다. 백색 분말은 증착 공정에서 바람직하지 않은 미립자의 소스이다.
이전 플라즈마 인-시투 세척 공정은 백색 분말을 제거하거나 SiN 증착에서 그것의 발생을 감소시키기에 비효율적이다. 챔버 및 챔버내에 노출된 성분을 세척하기 위한 이러한 시스템에서, 선구물질 가스가 챔버에 공급된다. 이어서 챔버내의 선구물질 가스에 글로우 방전 플라즈마를 국소적으로 인가함으로써, 반응 종(reactive species)이 발생된다. 반응 종은 그 표면이 증착 처리된 휘발성 화합물을 형성함으로써 챔버 표면을 세척한다. 이 플라즈마 인-시투 세척은 일반적으로 백색 분말을 제거하지 않으며, 펌프 및 배출의 규칙적인 유지는 아직 요구되고 있다.
새롭게 강화된 세척 시스템은 백색 분말을 제거하기 위해 개선되었다. 예를 들면, 일부 강화된 시스템은 처리 챔버와 펌프 사이에 부가적인 플라즈마를 도입한다. 다른 예에서는, 펌프와 처리 챔버 사이 또는 펌프 뒤에 트랩이 도입된다. 그러나, 이들 방법은 백색 분말을 제거하거나 SiN 증착에서의 발생을 감소시키는데 비효율적이다.
본 발명의 목적은 SiN 증착 공정동안에 형성된 백색 분말의 양을 감소시키는데 있다. 본 발명의 다른 목적은 백색 분말의 형성을 초래하는 성분이 손상되는 것을 감소시키는데 있다.
도 1은 본 발명을 실시하는 고파워 PECVD 원격 플라즈마 세척 시스템의 블록도.
도 2는 열-절연 블랭킷이 사용되는 본 발명을 실시하는 고파워 PECVD 원격 플라즈마 세척 시스템의 블록도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 증착 챔버 12 : 가스 입구 매니폴드
14 : 서셉터 15 : 라이너
16 : 기판 64 : 배출 라인
70 : 챔버 내벽 72 : 출구
일 특징에 따르면, 본 발명은 처리 챔버의 벽의 적어도 일부를 가열하는 단계; 상기 처리 챔버의 벽의 주요부분을 덮는 라이너를 제공하는 단계; 상기 처리 챔버의 내부에 연결된 원격 챔버를 제공하는 단계; 상기 원격 챔버에서 세척가스의 플라즈마를 발생시키는 단계; 및 상기 처리 챔버내로 상기 세척가스의 플라즈마의 일부를 흘리는 단계를 포함하며, 그로인해 백색 분말의 생성이 감소될 수 있는, 실리콘 질화물을 증착하는데 사용하는 처리 챔버에서 백색 분말의 생성을 감소시키는 방법을 제공한다.
본 발명의 실시는 다음과 같은 것을 포함한다. 가열단계는 벽 내의 적어도 하나의 중공 칸막이내에 가열된 유체가 흐름으로써 수행된다. 백색 분말의 생성은 진공 라인과 처리 챔버를 동작시키는 펌핑 시스템에서 감소된다. 가열된 유체는 거의 물이다. 상기 방법은 약 85℃의 온도 또는 약 85℃보다 더 큰 온도로 물을 가열하는 단계를 더 포함한다. 라이너는 처리 챔버의 전체 내부를 덮는다. 라이너는 양극처리된 알루미늄이나 세라믹으로 만들어진다.
다른 특징에 따르면, 본 발명은 처리 챔버의 벽을 가열하기 위한 수단을 제공하는 단계 및 처리 챔버의 내부의 주요부분을 덮는 라이너를 제공하는 단계를 포함하며, 그로인해 백색 분말의 생성이 감소되는, 실리콘 질화물을 증착하는데 사용되는 처리 챔버내에 백색 분말의 생성을 감소시키기 위한 방법을 제공한다.
본 발명의 실시는 다음과 같은 것을 포함한다. 가열수단은 처리 챔버의 외부를 덮는 열-절연 블랭킷이나 저항성 히터이다.
또다른 특징에 따르면, 본 발명은 백색 분말의 생성이 감소되는 실리콘 질화물 증착을 위한 장치를 제공한다. 본 발명은 벽을 갖는 증착 챔버; 상기 벽에 열적으로 결합되어 상기 벽을 가열하는 수단; 상기 벽의 주요부분을 덮는 라이너; 챔버의 외부에 배치된 원격 챔버; 원격 챔버내로 에너지를 전달하는 패시베이션 소스; 반응 종을 형성하기 위하여 상기 패시베이션 소스에 의해 활성화되는 원격 챔버내로 원격 가스 공급원으로부터의 선구물질 가스를 흐르도록 하기 위한 제 1 도관; 및 상기 원격 챔버로부터의 반응 종을 상기 증착 챔버내로 흐르도록 하기 위한 제 2 도관을 포함한다.
본 발명의 실시는 다음과 같은 것을 포함한다. 가열수단은 벽의 적어도 일부내에 위치한 칸막이; 및 상기 칸막이에 연결된 유체 출구 포트를 포함한다. 유체 입구 포트에는 유체 소스가 연결되어 있다. 또한 가열수단은 챔버의 외부를 덮는 열-절연 블랭킷일 수 있다.
기술한 실시예에서는, 여기에 기술된 바와같이 수정되고, 캘리포니아 산타클라라 주재의 어플라이드 고마쓰 테크놀러지사에 의해 제조된 모델 AKT-3500 PECVD 시스템을 사용하였다. AKT-3500 PECVD는 AMLCD의 생산에 사용하도록 설계되었다. 그것은 무정형 실리콘, SiN, 실리콘 산화물 및 옥시니트라이드 막을 증착하기 위하여 사용될 수 있는 다중 처리 챔버를 갖는 모듈 시스템이다. 시스템에 관한 구체적인 설명은 본 발명의 양수인에게 양도되고 참조를 위하여 본 명세서에 통합된 미합중국 특허출원 제 08/707,491호에 개시되어 있다. 그러나, 본 발명은 어떤 상업적으로 이용가능한 증착 시스템에 사용될 수 있다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따라 변경된 PECVD 시스템은 내부에 증착 가스를 도입하기 위한 가스 입구 매니폴드(또는 샤워 헤드)(12)가 있는 증착 챔버(10), 및 재료가 증착되는 기판(16)을 지지하기 위한 서셉터(14)를 포함한다. 둘 다 평행한 플이트 형태인 입구 매니폴드(12) 및 서셉터(14)는 각각 상부 및 하부 전극으로서 기능한다. 하부 전극 및 챔버 몸체는 접지에 연결되어 있다. RF 발생기(38)는 정합 네트워크(40)를 통하여 상부 전극에 파워를 공급한다. RF 발생기(38)는 상부 및 하부 전극 사이에 플라즈마를 발생하는데 사용된다.
펌핑 시스템은 포어라인(62), 배출라인, 펌프(36), 연소 박스(66) 및 출구(72)를 포함한다. 펌핑될 가스는 챔버(10)내의 가상 이동을 통하여 포어라인(62)으로 들어간다. 이 가스는 펌프(36)에 의해 제거되고 배출라인(64)에 의해 펌프(36)로부터 배출된다. 연소 박스(66)는 출구(72)에 의해 제거되는 배출된 가스를 처리한다. 연소 박스(66)는 산소 및 메탄을 연소하는데 특히 유용하다. 출구(72)는 다른 펌프 또는 처리 설비에 연결될 수 있으며 또는 습기에 대한 출구 포트일 수 있다.
챔버(10)의 외부에는 증착동안에 사용되는 가스를 함유하는 증착 가스시스템이 재공되어 있다. SiN 증착을 위해, 이들 가스는 일반적으로 암모니아 및 실란이다. 이들은 예를 들면 암모니아 가스 서플라이(71) 및 실란 가스 서플라이(68)에 의해 도시된다. 처리 가스는 가스 매니폴드내로 그리고 샤워 헤드를 통하여 챔버내로 입구 포트를 통하여 흐른다. 전자적으로 동작된 값 및 흐름 제어 메카니즘(34)은 가스 서플라이로부터 챔버내로의 가스의 흐름을 제어한다.
챔버(10)는 라이너(15)를 포함한다. 도 1에서, 라이너(15)는 챔버의 내부 벽(70)의 두 개의 평행한 플레이트 라이닝 부분으로서 개략적으로 도시된다. 라이너(15)는 챔버(10)의 내부 벽의 전체, 더 바람직하게는 모든 챔버 내부 벽(70)을 라이닝하는 것이 바람직하다. 라이너(15)는 예를 들면 양극처리된 알루미늄이나 세라믹재료로 만들어질 수 있다. 사용될 수 있는 세라믹 재료는 본 발명의 양수인에게 양도되고 참조를 위해 본 명세서에 통합된 미합중국 특허 5,366,585호에 기술되어 있다. 라이너(15)는 일반적으로 챔버(10)의 내부벽과 물리 및 화학적 접촉을 한다.
라이너(15)는 챔버에 적어도 세 개의 엘리먼트로부터 대류, 전도, 및 방사에 의해 가열된다. 먼저, 증착 챔버내의 열처리 가스는 라이너(15)를 가열하려는 경향이 있다. 이들 가스는 라이너(15)와 직접 접촉하여 열 전도에 의해 직접 에너지를 전달한다. 둘째로, 서셉터의 가열은 챔버내의 열 엘리먼트를 생성하며, 이 열은 방사 및 대류에 의해 라이너(15)에 부분적으로 전달된다. 셋째로, 라이너(15)는 아래에 기술되는 바와 같이 가열되는 챔버의 벽으로부터 부가적인 가열을 수용할 수 있다. 370℃처럼 높을 수 있는 전형적인 처리 온도에서, 라이너(15)는 약 150℃ 내지 서셉터의 온도(370℃) 사이의 온도, 그러나 일반적으로는 250℃에 이를 것이다. 일반적으로, 응축 제거효과는 라이너 온도가 증가할 때 개선된다. 주지된 온도에서, 라이너(15)에 대한 응축은 감소된다. 이들 온도는 어떠한 화학반응도 라이너(15)와 함께 발생하지 않기에 충분히 낮다.
챔버(10)의 벽은 독립적으로 가열된다. 이것은 여러 가지 이유에 대해 행해진다. 먼저, 라이너(15)는 챔버(10)의 내부 벽을 때리는 것으로부터 모든 가스를 제거할 수 없다. 그러므로, 세척 가스 입자가 내부 벽(70)을 때리는 것을 정지시키기 위하여, 벽970)의 온도는 어떠한 충돌 가스 입자도 벽(70)상에서 응축되지 않도록 가열함으로써 증가된다. 벽(70)을 가열하는 두 번째 이유는 라이너(15)의 가열을 향상시키는 것이다. 상기한 바와 같이, 라이너(15)는 가열된 벽(70)으로부터 열 전도에 의해 일부 열을 수용한다.
벽(70)은 여러 가지 방법으로 가열될 수 있다. 벽이 가열되는 방법은 임게적이지 않다. 일 예로, 가열은 벽(70)에 열적으로 결합된 저항성 히터에 의해 달성될 수 있다. 이러한 결합 방법은 당업자에게 공지되어 있다.
다른 실시예에서, 챔버(10)의 벽은 입구 포트(11)와 출구 포트(13)에 연결된 중공부(17)를 갖는다. 이들 포트를 사용하여, 순환 유체 서플라이(61)는 챔버 벽을 통하여 가열된 가스나 액체를 흐른다. 예를 들면, 물은 끓는 점까지 약 75℃의 범위의 온도에 사용될 수 있다. 특히, 물은 85℃의 온도에서 사용될 수 있다. 가열된 물은 챔버 벽을 가열한다. 유체 흐름은 화살표 A로 도 1에 개략적으로 도시되어 있다. 챔버 흐름 시스템은 중공 섹션이나 챔버(10)의 섹션을 함께 형성하는 유체 연결된 일련의 칸막이를 포함할 수 있다. 즉, 벽은 칸막이를 한정하는 중공 섹션을 가질 수 있다. 유체 채널은 칸막이를 연결할 수 잇으며, 그로인해, 한 칸막 이내로 연속적으로 흐르는 유체는 다른 칸막이로 인도되어 유체와 함꼐 플러시된다. 이러한 칸막이의 구성은 챔버(10)의 벽의 설계와 기하에 의존할 수 있다. 바람직하게는, 모든 내부 벽은 적어도 하나의 증공 칸막이에 가깝게 있다.
본 발명은 원격 플라즈마 소스 세척 기술을 사용한다. 즉, 라이너 및 가열된 벽은 원격 플라즈마 소스 세척에 의해 제공된 유리한 세척 효과와 결합하여 사용된다. 라이너와 가열된 벽에 사용된 원격 플라즈마 소스는 백색 분말의 생성을 감소시킨다.
원격 플라즈마 소스 세척 시스템의 일 예에서, 세척 가스 서플라이 시스템(69)은 입구 포트(33)를 통하여 챔버에 연결되어 있다. 세척 가스 서플라이 시스템은 증착 실행의 시퀀스후에 챔버의 내부를 세척하기 위하여 NF3와 같은 가스를 공급한다. 하나는 가스가 적정하게 혼합되는 경우 제 1 및 제 2 가스를 결합할 수도 있다.
세척가스 시스템(69)은 선구물질 가스(44)의 소스, 전자 동작 밸브 및 증착 챔버로부터 일정한 거리에 외부에 위치된 원격 활성 챔버(46)내로 가스(440를 흐르도록 하기 위한 제 1 도관 및 선구물질 가스(44)의 흐름을 제어하기 위한 흐름 제어 메카니즘(50)을 포함한다. 파워 활성 소스, 예를 들면, 고파워 초음파 발생기(48)는 원격 활성 챔버내에 선구물질 가스를 활성화하는데 사용된다. 제 2 도관이나 파이프(57)는 입구 포트(33)를 경유하여 증착 챔버(10)에 원격 챔버(46)를 연결시킨다. 흐름 제한기(59)는 원격 챔버(46)와 증착 챔버(10) 사이에 압력차가 존재하도록 파이프(57)에 사용된다. 원격 챔버(46)는 사파이어 튜브일 수 있으며 파워 소스는 사파이어 튜브에서 원조된 출력을 갖는 2.54㎓ 초음파 에너지 소스이다.
기술한 실시예에서, 선구물질 가스는 NF3이다. 활성화된 종의 흐름속도는 분당 2리터이고 처리챔버 압력은 약 0.5 토르이다. 선구물질 가스를 활성화하기 위하여, 초음파 소스는 원격 활성 챔버에 3,000 내지 12,000 와트를 전달한다. 5,000 와트의 값은 많은 적용분야에 사용될 수 있다.
다른 실시예에서, 도 2에 도시된 바와 같이, 열-절연 블랭킷(73)은 챔버(10)의 외부를 덮기 위하여 사용될 수 있다. 이 실시예에서, 도 2에 도시된 바와 같이, 블랭킷(73)은 챔버(10)내의 서셉터와 처리 가스에 의해 발생된 열을 유지하는 작용을 한다. 즉, 블랭킷(73)은 이 열을 환경으로부터 벗어나지 못하게 한다. 블랭킷(73)을 사용하면, 내부 벽(70)이 가열되는데, 그 이유는 열 소산의 일반 경로가 제거되기 때문이다. 이 실시예는 순환하는 유체 시스템(61)을경유하여 벽을 통해 흐르는 유체가 사용되거나 사용되지 않을 수 있다.
두 실시예에서, 서셉터(14)는 증착동안 기판을 가열하기 위한 저항성 히터(18)를 포함한다. 외부 히터 제어 모듈(20)은 시스템에서 실행되는 공정에 의해 설명되는 바와 같이 적당한 온도 레벨로 유지시키기 위하여 히터를 파워링한다.
가열된 벽 및 백색 분말의 제거시에 원격 플라즈마 소스와 결합하는 라이너의 작용은 다음과 같이 적어도 부분적으로 설명된다. 원격 플라즈마 소스를 사용하면, 세척 가스는 챔버내에 긴 거리를 이동하는 긴 주기동안 플라즈마 상태를 유지한다(이 특징은 참조에 의해 통합된 특허출원에 설명되어 있다). 긴 거리를 이동할 때, 챔버의 먼 부분으로 확산된다. 예를 들면, 가스 미립자는 플라즈마 상태를 유지하면서 펌프에 도달할 수 있다. 그러므로, 미립자는 펌프에 인접한 영역, 백색 분말에 대한 주요 수집점을 세턱할 수 있다. 챔버의 다른 먼 섹션은 유사하게 세척된다.
챔버를통하여 확산하는 것 이외에도, 원격 플라즈마 시스템은 종래 시스템보다 더 큰 세척 가스의 양을 공급한다. 그러므로, 완료에 대한 화학 세척 반응을 구동하는 활성 플라즈마의 양이 더 크다. 다시, 이 설명은 제안되는 것이 이해되며 여기에 한정되는 것은 아니다.
원격 플라즈마 소스를 갖는 라이너 및 가열된 벽의 상기 시스템의 사용은 여러 가지 장점을 갖는다. 예를 들면, 시스템에 형성된 백색 분말의 양은 포어라인(62), 배출 라인(64), 펌프(36), 연소가스(66), 및 챔버 내부 벽(70)에 대하여 감소된다. 이것은 SiN이 증착된 이전 시스템에서 보다 덜 펌프 및 연소 박스 결함을 초래한다.
일반적으로, 세척을 위해 사용되는 반응 가스는 공통으로 사용된 할로겐 및 할로겐 화합물을 포함하여, 광범위한 옵션으로부터 선택될 수 있다.
파워 레벨, 흐름 속도, 및 선택된 압력은 시스템 특성이며 처리가 실행되는 특수 시스템에 아주 적합하다. 특수 시스템에 대한 최적 성능을 달성하기 위하여 처리 조건들의 적당한 조절을 하는 것은 당업자의 능력내에서 공지되어 있다.
본 발명은 바람직한 실시예의 측면에서 기술되었다. 그러나, 본 발명은 도시한 실시예에 한정되지 않는다. 오히려, 본 발명의 범위는 첨부된 청구범위에 의해 규정된다.
본 발명에 따르면, SiN 증착 처리에서 생성된 백색 분말의 양이 감소되고, 백색 분말에 의해 초래된 라인 클로깅과 펌프 결함의 발생이 감소될 수 있다는 효과를 얻는다.

Claims (21)

  1. 실리콘 질화물을 증착하는데 사용되는 처리 챔버에서 백색 분말의 생성을 감소시키기 위한 방법에 있어서,
    상기 처리 챔버의 벽의 적어도 일부를 가열하는 단계;
    상기 처리 챔버의 벽의 주요 부분을 덮는 라이너를 제공하는 단계;
    상기 처리 챔버의 내부에 연결된 원격 챔버를 제공하는 단계;
    상기 원격 챔버에서 세척가스의 플라즈마를 발생시키는 단계; 및
    상기 처리 챔버내로 상기 세척가스의 플라즈마의 일부가 흐르게 하는 단계를 포함하며,
    그로인해 상기 백색 분말의 생성이 감소되는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 가열단계는 상기 벽내의 적어도 하나의 중공 칸막이내에 가열된 유체를 흐르게 함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 백색 분말의 생성은 상기 처리 챔버를 동작시키는 펌핑 시스템 및 진공 라인에서 감소되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 가열된 유체는 물인 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 약 85℃보다 크거나 같은 온도로 상기 물을 가열하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 약 85℃의 온도로 물을 가열하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 2 항에 있어서, 상기 라이너는 상기 처리 챔버의 내부 전체를 덮는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 2 항에 있어서, 상기 라이너는 양극처리된 알루미늄인 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 2 항에 있어서, 라이너는 세라믹으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 실리콘 질화물을 증착하는데 사용되는 처리 챔버에서 백색 분말의 생성을 감소시키기 위한 방법에 있어서,
    상기 처리 챔버의 벽을 가열하는 수단을 제공하는 단계; 및
    상기 처리 챔버의 벽의 주요 부분을 덮는 라이너를 제공하는 단계를 포함하며,
    그로인해 상기 백색 분말의 생성이 감소되는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 가열수단은 상기 처리 챔버의 외부를 덮는 열적으로 절연된 블랭킷인 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 가열수단은 저항성 히터인 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 백색 분말의 생성을 감소시키는 실리콘 질화물 증착을 위한 장치에 있어서,
    벽을 갖는 증착 챔버;
    상기 벽에 열적으로 결합되어 상기 벽을 가열하기 위한 수단;
    상기 벽의 주요부분을 덮는 라이너;
    상기 챔버의 외부에 배치된 원격 챔버;
    상기 원격 챔버내로 에너지를 전달하기 위한 활성 소스;
    원격 가스 서플라이로부터 반응 종을 형성하기 위하여 상기 활성 소스에 의해 선구물질 가스를 활성화시키는 원격 챔버내로 선구물질 가스를 흐르도록 하기 위한 제 1 도관; 및
    상기 원격 챔버로부터 상기 증착 챔버내로 상기 반응 종이 흐르도록 하기 위한 제 2 도관을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 가열수단은,
    상기 벽의 적어도 일부내에 위치된 칸막이;
    상기 칸막이에 연결된 유체 출구 포트; 및
    상기 칸막이에 연결된 유체 입구 포트를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 유체 입구 포트에 연결된 유체의 소스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 유체는 약 85℃보다 크거나 같은 온도로 가열된 물인 것을 특징으로 하는 장치.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 물은 약 85℃의 온도로 가열되는 것을 특징으로 하는 장치.
  18. 제 13 항에 있어서, 상기 라이너는 상기 증착 챔버의 내부 전체를 덮는 것을 특징으로 하는 장치.
  19. 제 13 항에 있어서, 상기 라이너는 알루미늄으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 장치.
  20. 제 13 항에 있어서, 상기 라이너는 세라믹으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 장치.
  21. 제 13 항에 있어서, 상기 가열수단은 상기 챔버의 외부를 덮는 열적으로 절연된 블랭킷인 것을 특징으로 하는 장치.
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