JPS6126774A - 非晶質シリコン膜形成装置 - Google Patents
非晶質シリコン膜形成装置Info
- Publication number
- JPS6126774A JPS6126774A JP14603284A JP14603284A JPS6126774A JP S6126774 A JPS6126774 A JP S6126774A JP 14603284 A JP14603284 A JP 14603284A JP 14603284 A JP14603284 A JP 14603284A JP S6126774 A JPS6126774 A JP S6126774A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radical
- radicals
- film
- carrier
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）技術分野
本発明は、非晶質シリコン（以下、ａ−８ｉと略す）の
堆積膜を担体上に形成させるａ−９ｉｌｌ形成装置、中
でもラジカルの化学反応を利用してａ−８ｔ膜を形成す
る装置に関する。
堆積膜を担体上に形成させるａ−９ｉｌｌ形成装置、中
でもラジカルの化学反応を利用してａ−８ｔ膜を形成す
る装置に関する。
（２）従来技術
ａ−５ｉは、電気的あるいは光電的特性等に優れ、太陽
電池、電子写真体感光体、光センサ−、薄膜トランジス
ター等、その応用範囲は広く今後の有望な素材の一つで
ある。
電池、電子写真体感光体、光センサ−、薄膜トランジス
ター等、その応用範囲は広く今後の有望な素材の一つで
ある。
このようなａ−９ｔの堆積膜は、グロー放電を利用した
プラズマ分解法や熱ＣＶＤ、Ｈｏｍｅ−ＣＶＤ等の所謂
ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｉｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）法等で作成されるのが一般的である。
プラズマ分解法や熱ＣＶＤ、Ｈｏｍｅ−ＣＶＤ等の所謂
ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｉｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）法等で作成されるのが一般的である。
プラズマ分解法では、モノシラン（ＳｉＨ，ｔ）あるい
はこれをＨ２、Ａｔ、 Ｈｅ等で希釈した原料ガスを用
い、これをグロー放電を利用して分解し、所望の担体上
にこれ等ガスを原料とするａ−９ｉｌｌｊを形成するの
が一般的である。このようなプラズマ分解法で得られる
ａ−８ｉ膜は、Ｓｉの未結合手の数が〜１０１５ｃｒ”
程度と少なく、優れた光導電性を有する。ちなみに、暗
導電率が〜１０４（Ω−Ｃ■）−１で、引導電率が、１
ｍＷ／ｃｎｌ”の光強度の８００ｎｍの光照射下で〜
１０′Ｓ（Ω−Ｃ■）−１である。
はこれをＨ２、Ａｔ、 Ｈｅ等で希釈した原料ガスを用
い、これをグロー放電を利用して分解し、所望の担体上
にこれ等ガスを原料とするａ−９ｉｌｌｊを形成するの
が一般的である。このようなプラズマ分解法で得られる
ａ−８ｉ膜は、Ｓｉの未結合手の数が〜１０１５ｃｒ”
程度と少なく、優れた光導電性を有する。ちなみに、暗
導電率が〜１０４（Ω−Ｃ■）−１で、引導電率が、１
ｍＷ／ｃｎｌ”の光強度の８００ｎｍの光照射下で〜
１０′Ｓ（Ω−Ｃ■）−１である。
しかしながら、このようなグロー放電を利用したプラズ
マ分解法には、以下のような欠点が存在する。
マ分解法には、以下のような欠点が存在する。
すなわち、１）放電下で形成されるプラズマ中では１種
々のイオンやラジカルの発生が避られす、生成ラジカル
の限定が困難であり、これらイオンやラジカルの中には
膜特性に好ましくない影響をあたえるもの（特にイオン
）も発生し、特に印加電力が高くなるにしたがい形成さ
れるものの種類が増加する、２）膜堆積速度を速くしよ
うとすれば、印加電力を高くしなければならないが、印
加電力を高くすると、膜のエツチング効果が大となるた
め、高堆積速度の膜形成ができない、３）原料ガスに５
ｉ）（、等の可燃性ガスを用りるため、爆発の危険があ
る等である。
々のイオンやラジカルの発生が避られす、生成ラジカル
の限定が困難であり、これらイオンやラジカルの中には
膜特性に好ましくない影響をあたえるもの（特にイオン
）も発生し、特に印加電力が高くなるにしたがい形成さ
れるものの種類が増加する、２）膜堆積速度を速くしよ
うとすれば、印加電力を高くしなければならないが、印
加電力を高くすると、膜のエツチング効果が大となるた
め、高堆積速度の膜形成ができない、３）原料ガスに５
ｉ）（、等の可燃性ガスを用りるため、爆発の危険があ
る等である。
これに対し熱ＣＶＤ法は、モノシラン等の原料ガスを熱
分解してラジカルを作成し、これを担体に付着させてａ
−９ｉ等の堆積膜を作成する方法である。すなわち、例
えば５ｉｌ（４ガスを５００℃程度に加熱した担体にあ
てると担体表面で の反応がおこり、５ｉｌ（２ラジカルが発生する。この
ＳｉＨ２ラジカルが担体表面に付着し、担体上にａ−Ｓ
ｉ膜が形成されると考えられている。この方法において
は、作成されるラジカルは限定され、且つ膜特性に悪い
影響を及ぼすと考えられているイオンの発生はない、ま
た、形成された膜がエツチングされることもないので、
高堆積速度での膜形成が可能である。
分解してラジカルを作成し、これを担体に付着させてａ
−９ｉ等の堆積膜を作成する方法である。すなわち、例
えば５ｉｌ（４ガスを５００℃程度に加熱した担体にあ
てると担体表面で の反応がおこり、５ｉｌ（２ラジカルが発生する。この
ＳｉＨ２ラジカルが担体表面に付着し、担体上にａ−Ｓ
ｉ膜が形成されると考えられている。この方法において
は、作成されるラジカルは限定され、且つ膜特性に悪い
影響を及ぼすと考えられているイオンの発生はない、ま
た、形成された膜がエツチングされることもないので、
高堆積速度での膜形成が可能である。
しかしながら、この方法では、担体を原料ガスの分解温
度以上の温度、例えばＳｉＨ４ガスであれば４５０℃以
上の高温まで加熱にしなければならないため一１形成さ
れたａ−９ｉ膜中からＳｉ［子の未結合手をターミネイ
トしているＨ原子が抜は出し、Ｓｉ原子の未結合手の数
が多くなって、良好な光導電特性を有する膜が得られな
いと言った問題があった。
度以上の温度、例えばＳｉＨ４ガスであれば４５０℃以
上の高温まで加熱にしなければならないため一１形成さ
れたａ−９ｉ膜中からＳｉ［子の未結合手をターミネイ
トしているＨ原子が抜は出し、Ｓｉ原子の未結合手の数
が多くなって、良好な光導電特性を有する膜が得られな
いと言った問題があった。
また一方、１．Ｂ、Ｍ、社（米国）の５ｃｏｔｔ等によ
って提案されたＨａｍａ −ＣＶ Ｄ法は、ＳｉＨ４等
の原料ガスを気相中で分解し、これを３００℃程度に冷
却した担体上にあててａ−８ｉ膜を形成させる方法であ
る。この方法では分解ガスを用いるので、担体を分解温
度以上の高温に加熱する必要がなく、・良好な光導電特
性を有する膜が得られる。しかしながら、熱分解で作成
されるＳｉＨ２等のラジカルの寿命が、数十ｍ５ｅｃ、
と短いために１分解したラジカルを有効に膜形成に利用
することができず、膜堆積速度を増大させることが困難
であった。また、ＳｉＨ４等の可燃性ガスを用いる危険
性は解消されていない。
って提案されたＨａｍａ −ＣＶ Ｄ法は、ＳｉＨ４等
の原料ガスを気相中で分解し、これを３００℃程度に冷
却した担体上にあててａ−８ｉ膜を形成させる方法であ
る。この方法では分解ガスを用いるので、担体を分解温
度以上の高温に加熱する必要がなく、・良好な光導電特
性を有する膜が得られる。しかしながら、熱分解で作成
されるＳｉＨ２等のラジカルの寿命が、数十ｍ５ｅｃ、
と短いために１分解したラジカルを有効に膜形成に利用
することができず、膜堆積速度を増大させることが困難
であった。また、ＳｉＨ４等の可燃性ガスを用いる危険
性は解消されていない。
ところで、’Ｊ ｉ Ｆ４等のハロゲン原子を含むガス
は、従来使用されていたＳｉＨ，＋等のガスとは異なり
可燃性ではないため、爆発の危険はなく、また、これら
ガスの分解によって生じるＳｉＦ２等のラジカルの寿命
も比較的長いため、ＣＶＤ法によるａ−５ｉｉ屡の好適
な原料ガスと考えられていた。しかしながら、形成ラジ
カルの反応性が低いため、従来法に使用されるａ−３ｉ
膜形成装置ではこれらガスを有効に使用することができ
ず、良好なａ−９ｉｌｌの形成ができなかった。
は、従来使用されていたＳｉＨ，＋等のガスとは異なり
可燃性ではないため、爆発の危険はなく、また、これら
ガスの分解によって生じるＳｉＦ２等のラジカルの寿命
も比較的長いため、ＣＶＤ法によるａ−５ｉｉ屡の好適
な原料ガスと考えられていた。しかしながら、形成ラジ
カルの反応性が低いため、従来法に使用されるａ−３ｉ
膜形成装置ではこれらガスを有効に使用することができ
ず、良好なａ−９ｉｌｌの形成ができなかった。
（３）発明の開示
本発明は上記の諸点に鑑み成されたものであって、本発
明の目的は、従来例における問題点を解消し、膜特性に
優れたａ−Ｓ ｉ膜を高堆積速度で担体上に形成せしめ
ることが可能な新規なａ−５ｉ膜形成装置を提供するこ
とにある。
明の目的は、従来例における問題点を解消し、膜特性に
優れたａ−Ｓ ｉ膜を高堆積速度で担体上に形成せしめ
ることが可能な新規なａ−５ｉ膜形成装置を提供するこ
とにある。
また、本発明の他の目的は、上記の如きＳｉＦ４等の爆
発性のない原料ガスを用いてａ−８ｉ膜の形成を可能に
ならしめる新規なａ−９ｉ＃形成装置を提供することに
ある。
発性のない原料ガスを用いてａ−８ｉ膜の形成を可能に
ならしめる新規なａ−９ｉ＃形成装置を提供することに
ある。
本発明の上記目的は、以下の本発明によって達成される
。
。
少なくともハロゲン原子とシリコン原子とから成る化合
物を含むラジカル（以下、ハロゲンラジカル）を堆積室
内に導入するためのハロゲンラジカル導入管と、水素原
子を含むラジカル（以下、水素ラジカル）を該室内に導
入す゛るための水素ラジカル導入管を備え、該室内に保
持された担体上に、該ラジカルを原料とするａ−９ｉ膜
を形成させることを特徴とするａ−Ｓｉ膜形成装置。
物を含むラジカル（以下、ハロゲンラジカル）を堆積室
内に導入するためのハロゲンラジカル導入管と、水素原
子を含むラジカル（以下、水素ラジカル）を該室内に導
入す゛るための水素ラジカル導入管を備え、該室内に保
持された担体上に、該ラジカルを原料とするａ−９ｉ膜
を形成させることを特徴とするａ−Ｓｉ膜形成装置。
すなわち本発明の装置は、反応性の低いハロゲンラジカ
ルを、これとは別に堆積室内に導入される水素ラジカル
と堆積室内で反応させ、ハロ・ゲン原子、シリコン原子
及び水素原子を含む別の活性の高いラジカルに変換して
担体上にａ−５ｉｌｌを形成させる装置である。これら
ハロゲンラジカルや水素ラジカルは、これらラジカルの
原料ガスを放電エネルギーや熱エネルギー等の分解手段
を利用して分解することにより作成される。これら分解
手段は、原料ガスの種類等に応じて好適のものを適宜選
択することができるが、好適には生成ラジカルが限定さ
れる熱分解である。もちろんＨ２等の分解温度の高い原
料ガスの場合は放電によることも可能である。
ルを、これとは別に堆積室内に導入される水素ラジカル
と堆積室内で反応させ、ハロ・ゲン原子、シリコン原子
及び水素原子を含む別の活性の高いラジカルに変換して
担体上にａ−５ｉｌｌを形成させる装置である。これら
ハロゲンラジカルや水素ラジカルは、これらラジカルの
原料ガスを放電エネルギーや熱エネルギー等の分解手段
を利用して分解することにより作成される。これら分解
手段は、原料ガスの種類等に応じて好適のものを適宜選
択することができるが、好適には生成ラジカルが限定さ
れる熱分解である。もちろんＨ２等の分解温度の高い原
料ガスの場合は放電によることも可能である。
（４）発明の実施態様
以下、第１図を参照しつつ本発明の詳細な説明する。尚
、以下の例では説明を簡略化するため、ハロゲンラジカ
ルとしてＳｉＦ２ラジカルを、水素ラジカルとしてＨラ
ジカルを用い、ａ−Ｓ ｉ ［９を形成する場合に限定
して述べるが、その他のラジカルについても同様のこと
が言える。
、以下の例では説明を簡略化するため、ハロゲンラジカ
ルとしてＳｉＦ２ラジカルを、水素ラジカルとしてＨラ
ジカルを用い、ａ−Ｓ ｉ ［９を形成する場合に限定
して述べるが、その他のラジカルについても同様のこと
が言える。
第１図は、本発明の一実施態様であり、その概略の構成
を説明する堆積膜形成装置の概略構成図である。
を説明する堆積膜形成装置の概略構成図である。
第１図に於いて、３０は、その内部でａ−３ｉ膜の形成
が行なわれる堆積室である。堆積室３ｏ内は、不図示の
ロータリーポンプ、ディフィージョンポンプ等で構成さ
れる排気系３５により室内を所望の圧力に保持すること
ができるようになっている。堆積室３０内の圧力として
は、５層重Ｔｏｒｒ以下が適当である。堆積室３ｏには
、本発明に言うハロゲンラジカル導入管１θと水素ラジ
カル導入管３１が設けられており、これら導入管から前
述の如きラジカルが堆積室３０内に導入され、該室内の
担体ホルダー３２に保持された担体３ｅ上にａ−９ｉ膜
が形成される。
が行なわれる堆積室である。堆積室３ｏ内は、不図示の
ロータリーポンプ、ディフィージョンポンプ等で構成さ
れる排気系３５により室内を所望の圧力に保持すること
ができるようになっている。堆積室３０内の圧力として
は、５層重Ｔｏｒｒ以下が適当である。堆積室３ｏには
、本発明に言うハロゲンラジカル導入管１θと水素ラジ
カル導入管３１が設けられており、これら導入管から前
述の如きラジカルが堆積室３０内に導入され、該室内の
担体ホルダー３２に保持された担体３ｅ上にａ−９ｉ膜
が形成される。
３３は、担体加熱用のヒーターであり、担体ボルダ−３
２を介して背面から担体３６を加熱する。担体ホルダー
３２の表面には、不図示の温度制御機構に接続された熱
電対３４が設けられ、該ボルダ一温度の検知と制御が行
なわれる０本発明では、ラジカルを導入してａ−Ｓｉ膜
を形成するので、担体を加熱することは、必ずしも必要
ではないが、担体温度を均一にして膜形成条件の最適化
をはかる等の目的で、このような加熱手段を設けること
を妨げるものではない。
２を介して背面から担体３６を加熱する。担体ホルダー
３２の表面には、不図示の温度制御機構に接続された熱
電対３４が設けられ、該ボルダ一温度の検知と制御が行
なわれる０本発明では、ラジカルを導入してａ−Ｓｉ膜
を形成するので、担体を加熱することは、必ずしも必要
ではないが、担体温度を均一にして膜形成条件の最適化
をはかる等の目的で、このような加熱手段を設けること
を妨げるものではない。
１１は、ＳｉＦ２ラジカルを形成するための原料ガス、
本例ではＳｉＦ４ガスを保持するガスボンベであり、該
ガスは、ガス圧調整器１２で所望の圧力に調整される。
本例ではＳｉＦ４ガスを保持するガスボンベであり、該
ガスは、ガス圧調整器１２で所望の圧力に調整される。
圧力としては２ Ｋｇ／ｃｒｎ’程度が適当である。１
４及び１５はそれぞれ、これらガスの流量を調整するた
めのフローメーターとニードルバルブである。フローメ
ーター１４とニードルバルブＩ５で所望の流量に調整さ
れたＳｉＦ４ガスは、ＳｉＦ２ラジカルを形成するため
の反応炉１６に導入される。これらボンベ１１、メータ
ー１４、バルブ１５等の原料ガス供給手段は、使用する
ガスの種類等に応じて複数を設置することも可能である
。
４及び１５はそれぞれ、これらガスの流量を調整するた
めのフローメーターとニードルバルブである。フローメ
ーター１４とニードルバルブＩ５で所望の流量に調整さ
れたＳｉＦ４ガスは、ＳｉＦ２ラジカルを形成するため
の反応炉１６に導入される。これらボンベ１１、メータ
ー１４、バルブ１５等の原料ガス供給手段は、使用する
ガスの種類等に応じて複数を設置することも可能である
。
反応炉１Ｂは、ＳｉＦ２等の所望のラジカルを形成し得
るものであればよく、原料ガスの分解方式等に応じて、
放電エネルギーや熱エネルギー等の種々の分解手段を利
用する形式のものを使用し得るが、生成ラジカルを限定
できる前述の熱分解を利用する形式のものが好ましい０
例えば、本例の如（ＳｉＦ２ラジカルを作成するのであ
れば、ＳｉＦ４ガスｉ−一→２番ＳｉＦ２−−− （Ａ
）１１００°Ｃ ９１２Ｆ ６ ＳｉＦ２ ＋ ＳｉＦ４−−−
（Ｂ）４５０℃ 等の熱分解反応を利用する。
るものであればよく、原料ガスの分解方式等に応じて、
放電エネルギーや熱エネルギー等の種々の分解手段を利
用する形式のものを使用し得るが、生成ラジカルを限定
できる前述の熱分解を利用する形式のものが好ましい０
例えば、本例の如（ＳｉＦ２ラジカルを作成するのであ
れば、ＳｉＦ４ガスｉ−一→２番ＳｉＦ２−−− （Ａ
）１１００°Ｃ ９１２Ｆ ６ ＳｉＦ２ ＋ ＳｉＦ４−−−
（Ｂ）４５０℃ 等の熱分解反応を利用する。
本例の反応炉１６は、（Ａ）式で示される熱分解反応を
行なうのに好適なものであり、内径５０層ｌ１長さ３０
ｃｍの石英ガラス管とされ、その内部（本例では、ガラ
ス管の中央部に１５ｃ■の長さにわたって）には塊状の
高純度Ｓｉ結晶１７が充填されている。Ｓｉ結晶１７は
、赤外線ヒーター１８により、ＳｉＦ２ラジカルを生成
させるのに必要な温度、すなわち１１００℃程度に加熱
される。この反応管１Ｂを通過したＳｉＦ４ガスの約６
０ｚ以上がＳｉＦ２ラジカルに変換される。
行なうのに好適なものであり、内径５０層ｌ１長さ３０
ｃｍの石英ガラス管とされ、その内部（本例では、ガラ
ス管の中央部に１５ｃ■の長さにわたって）には塊状の
高純度Ｓｉ結晶１７が充填されている。Ｓｉ結晶１７は
、赤外線ヒーター１８により、ＳｉＦ２ラジカルを生成
させるのに必要な温度、すなわち１１００℃程度に加熱
される。この反応管１Ｂを通過したＳｉＦ４ガスの約６
０ｚ以上がＳｉＦ２ラジカルに変換される。
もちろん炉１６の形状゛は、上記の如き円筒状のもの他
、角型等の種々の形状のものとし得るし、その材質等に
も特に限定はない、また、 （Ｂ）式の如く気相のみで
分解し得るような場合には、原料ガスの分解は、Ｓｉ結
晶１７の如き固形物が充填されていない炉内を通過させ
るだけで十分である。
、角型等の種々の形状のものとし得るし、その材質等に
も特に限定はない、また、 （Ｂ）式の如く気相のみで
分解し得るような場合には、原料ガスの分解は、Ｓｉ結
晶１７の如き固形物が充填されていない炉内を通過させ
るだけで十分である。
反応炉１６で形成されたＳｉＦ２ラジカルは、本・発明
に言うハロゲンラジカル導入管１８を通じて堆積室３０
に導入される０本例の導入管は、内径１０ｓ＋■の石英
ガラス管としである。
に言うハロゲンラジカル導入管１８を通じて堆積室３０
に導入される０本例の導入管は、内径１０ｓ＋■の石英
ガラス管としである。
Ｈラジカルを形成するための原料ガス、本例ではＨ２ガ
スは、上記のＳｉＦ２ラジカルを形成するための原料ガ
スにおけると同様に、これを保持するためのガスポンベ
２１、ベローズバルブ２３、フローメーター２４及びニ
ードルバルブ２５等で構成゛される原料ガス供給系から
、所望の圧力、流量に調整され、反応炉２Ｂに供給され
る。圧力としては２ Ｋｇ／ｃゴ程度が適当である。
スは、上記のＳｉＦ２ラジカルを形成するための原料ガ
スにおけると同様に、これを保持するためのガスポンベ
２１、ベローズバルブ２３、フローメーター２４及びニ
ードルバルブ２５等で構成゛される原料ガス供給系から
、所望の圧力、流量に調整され、反応炉２Ｂに供給され
る。圧力としては２ Ｋｇ／ｃゴ程度が適当である。
反応炉２８は、ＳｉＦ２ラジカルの場合と同様に、放電
エネルギーや熱エネルギー等の種々の分解手段を利用す
る形式のものを使用し得る。本例の反応炉２Ｂは、原料
ガスである水素の分解温度が高いので、放電を利用する
形式のもとしである。すなわち炉本体は、内径５０謄■
、長さ３０ｃｍの石英ガラス管とされ、炉２Ｂの外部両
端には、その間に放電（好適には、グロー放電、アーク
放電等）を生起させるためのコイル２７と銅板２０が設
けられている。コイル２７は、炉２Ｂの一端にこれを取
り巻く（本例では、３周）ように設けられるとともに、
その一端は、マツチングボックス２８を介して高周波電
源２９に接続されてい！、コイル２７の他端と離れた炉
２Ｂの外周部には、これを取り巻くように銅板２０（本
例では、コイル端より５Ｃ論離して設けである）が設け
られている。銅板２０は接地され、高周波がコイル２７
に印加されると、コイル２７と銅板２０間に放電が生起
され、炉２Ｂ内の原料ガスが、分解される。本例では外
部放電方式としであるが、炉２Ｂ内に電極を設け、内部
放電方式とすることも可能である。
エネルギーや熱エネルギー等の種々の分解手段を利用す
る形式のものを使用し得る。本例の反応炉２Ｂは、原料
ガスである水素の分解温度が高いので、放電を利用する
形式のもとしである。すなわち炉本体は、内径５０謄■
、長さ３０ｃｍの石英ガラス管とされ、炉２Ｂの外部両
端には、その間に放電（好適には、グロー放電、アーク
放電等）を生起させるためのコイル２７と銅板２０が設
けられている。コイル２７は、炉２Ｂの一端にこれを取
り巻く（本例では、３周）ように設けられるとともに、
その一端は、マツチングボックス２８を介して高周波電
源２９に接続されてい！、コイル２７の他端と離れた炉
２Ｂの外周部には、これを取り巻くように銅板２０（本
例では、コイル端より５Ｃ論離して設けである）が設け
られている。銅板２０は接地され、高周波がコイル２７
に印加されると、コイル２７と銅板２０間に放電が生起
され、炉２Ｂ内の原料ガスが、分解される。本例では外
部放電方式としであるが、炉２Ｂ内に電極を設け、内部
放電方式とすることも可能である。
反応炉２８で形成されたＨラジカルは、本発明に言う水
素ラジカル導入管３！を通じて堆積室３０に導入される
０本例の導入管は、内径１０腸膳の石英ガラス管としで
ある。
素ラジカル導入管３！を通じて堆積室３０に導入される
０本例の導入管は、内径１０腸膳の石英ガラス管としで
ある。
堆積室３０内に導入された５ｆＦ２ラジカルとＨラジカ
ルは、堆積室内で混合され、反応性の高いラジカル、例
えば５ｉＨＦ等のラジカルに変換される。これら反応性
の高いラジカルが、該室内に股番すられた担体３２上に
付着し、ａＪｉｌｌｔＡ担体３２上形成される。ラジカ
ルの混合を十分に行なうため、本例の２木のラジカル導
入管は、互いに直角になるように配置されている。また
、これらラジカルを有効に利用して膜形成を行なうため
、担体をこれらラジカル導入管と４５°の角度を成すよ
うに設けるとともに、担体とラジカル導入管の距離（本
例では、約ＩＣ鵬としである）をできる限り近づけるよ
うにしている。
ルは、堆積室内で混合され、反応性の高いラジカル、例
えば５ｉＨＦ等のラジカルに変換される。これら反応性
の高いラジカルが、該室内に股番すられた担体３２上に
付着し、ａＪｉｌｌｔＡ担体３２上形成される。ラジカ
ルの混合を十分に行なうため、本例の２木のラジカル導
入管は、互いに直角になるように配置されている。また
、これらラジカルを有効に利用して膜形成を行なうため
、担体をこれらラジカル導入管と４５°の角度を成すよ
うに設けるとともに、担体とラジカル導入管の距離（本
例では、約ＩＣ鵬としである）をできる限り近づけるよ
うにしている。
前述の如く熱分解で生じるＳｉＦ２ラジカルは、その寿
命が、例えば１層層Ｔｏｒｒ程度の圧力下で数百ｓｅｃ
程度と長寿命であるにもかかわらず、反応性が低いため
、それ単独ではａ−９ｉ膜を形成することが困難であっ
た０本発明では、これをＨラジカルと反応させて上記の
如き反応性の高いラジカルに変換することで、ａ−９ｉ
膜の形成を可能にしている。しかもＳｉＦ２ラジカルが
長寿命であること利用して、これを堆積室外で分解し、
前述の如き導入管を使用して堆積室内に設けられた担体
近傍に導入するので、堆積室内を汚染することもない、
更に、 ＳｉＦ２ラジカルが長寿命であることからも分
る通り、ＳｉＦ２ラジカルとＨラジカルとから形成され
る５ｉＨＦ等のラジカルは、Ｆを含まないＳｉＨ２等の
ラジカルに比し寿命が長く、有効な膜形成が可能であり
、従来よりも高堆積速度での膜形成が可能である。
命が、例えば１層層Ｔｏｒｒ程度の圧力下で数百ｓｅｃ
程度と長寿命であるにもかかわらず、反応性が低いため
、それ単独ではａ−９ｉ膜を形成することが困難であっ
た０本発明では、これをＨラジカルと反応させて上記の
如き反応性の高いラジカルに変換することで、ａ−９ｉ
膜の形成を可能にしている。しかもＳｉＦ２ラジカルが
長寿命であること利用して、これを堆積室外で分解し、
前述の如き導入管を使用して堆積室内に設けられた担体
近傍に導入するので、堆積室内を汚染することもない、
更に、 ＳｉＦ２ラジカルが長寿命であることからも分
る通り、ＳｉＦ２ラジカルとＨラジカルとから形成され
る５ｉＨＦ等のラジカルは、Ｆを含まないＳｉＨ２等の
ラジカルに比し寿命が長く、有効な膜形成が可能であり
、従来よりも高堆積速度での膜形成が可能である。
このような本発明に使用しうる担体としては、特に限定
はなく、各種材質のものを広く使用することが可能であ
り、その形状や大きさ等も、用途等に応じて適宜選択す
ることができる。
はなく、各種材質のものを広く使用することが可能であ
り、その形状や大きさ等も、用途等に応じて適宜選択す
ることができる。
本発明におけるハロゲンラジカルを形成するための原料
ガスとしては、Ｓｒ原子とハロゲン原子を含むものなら
ば使用可能であるが、前述の四フッ化珪素等の他、四塩
化珪素等の各種ハロゲン化珪素が好適に使用できるもの
として挙げられる。水素ラジカルを形成するための原料
ガスとしては、水素原子を含むものならば使用可能であ
るが、形成されるラジカルが特定されるＨ２ガスが好ま
しいものとして挙げられる。
ガスとしては、Ｓｒ原子とハロゲン原子を含むものなら
ば使用可能であるが、前述の四フッ化珪素等の他、四塩
化珪素等の各種ハロゲン化珪素が好適に使用できるもの
として挙げられる。水素ラジカルを形成するための原料
ガスとしては、水素原子を含むものならば使用可能であ
るが、形成されるラジカルが特定されるＨ２ガスが好ま
しいものとして挙げられる。
本発明におけるハロゲンラジカル導入管お′よび水素ラ
ジカル導入管は、それぞれ別個に堆積室に設けることが
必要である。その材質や形状等には特に限定はなく、種
々の材質や形状のものを使用することができる。これら
導入管は、所望に応じてそれぞれ複数を設けてもよい、
その堆積室への配置方法については、ラジカルの混合が
十分に行なわれるような工夫、例えば前述の如く直角に
配置する等を行なうことが好ましい。
ジカル導入管は、それぞれ別個に堆積室に設けることが
必要である。その材質や形状等には特に限定はなく、種
々の材質や形状のものを使用することができる。これら
導入管は、所望に応じてそれぞれ複数を設けてもよい、
その堆積室への配置方法については、ラジカルの混合が
十分に行なわれるような工夫、例えば前述の如く直角に
配置する等を行なうことが好ましい。
（５）実施例
以下に実施例を示し、本発明について更に詳細に説明す
る。
る。
［実施例１］
担体を平板状のガラス基板とし、第１図の装置を用いて
、該基板上にａ−９ｉ膜を形成した。
、該基板上にａ−９ｉ膜を形成した。
ハロゲンラジカル形成用の原料ガスとしてＳｉＦ。
ガスを用い、これを１１００℃に保った反応炉１Ｂに１
０ｓｃｃ腸の流量で流入させ分解した後、Ｉ＼ロゲンラ
ジカル導入管１８から該分解ガスを堆積室３０内に放出
した。これと同時に、Ｈ２ガスを３０ｓｃｃ層の流量で
反応炉２６に流入させ、周波数１３．５８１Ｈ２，印加
電力３０Ｗの高周波をコイル２７に印加してコイル２７
と銅板２０間にグロー放電を生起させ分解した後、Ｈラ
ジカル導入管３１から該分解ガスを堆積室３Ｇ内に放出
した。尚、ガラス基板の材質は、コーニング社（米国）
製のコーニング７０５８ （商標）とし、基板温度は２
５０℃に保った。
０ｓｃｃ腸の流量で流入させ分解した後、Ｉ＼ロゲンラ
ジカル導入管１８から該分解ガスを堆積室３０内に放出
した。これと同時に、Ｈ２ガスを３０ｓｃｃ層の流量で
反応炉２６に流入させ、周波数１３．５８１Ｈ２，印加
電力３０Ｗの高周波をコイル２７に印加してコイル２７
と銅板２０間にグロー放電を生起させ分解した後、Ｈラ
ジカル導入管３１から該分解ガスを堆積室３Ｇ内に放出
した。尚、ガラス基板の材質は、コーニング社（米国）
製のコーニング７０５８ （商標）とし、基板温度は２
５０℃に保った。
この状態を保持したところ、１時間後にガラス基板上に
膜厚１．７−のａ−９ｉ膜が形成された。
膜厚１．７−のａ−９ｉ膜が形成された。
得られたａ−Ｓｉ膜上に２０（ｍ間隔のくし型ＡＩ電極
を作成し光導電特性を調べたところ、暗導電率が７Ｘ１
０４ （Ω−ｃ ｍ ）、−ｔで、 １．０ｍ％ｌ／ｃ
ｙｎ’の８００１の光照射下での明導電率が２×１０″
Ｓ （Ω−ａｍ）−’の良好な光導電性を有しているこ
とが分った。
を作成し光導電特性を調べたところ、暗導電率が７Ｘ１
０４ （Ω−ｃ ｍ ）、−ｔで、 １．０ｍ％ｌ／ｃ
ｙｎ’の８００１の光照射下での明導電率が２×１０″
Ｓ （Ω−ａｍ）−’の良好な光導電性を有しているこ
とが分った。
また、膜形成後、堆積室３０内を調べたところ、基板ホ
ルダー３２以外の堆積室内の汚れは見られなかった。
ルダー３２以外の堆積室内の汚れは見られなかった。
［実施例２］
ＳｉＦ４ガス及びＨ２ガスの流量を、それぞれ２倍、３
倍にする以外は、実施例１と同様にして膜形成を行なっ
た。ガス量２倍の条件下で１時間後に。
倍にする以外は、実施例１と同様にして膜形成を行なっ
た。ガス量２倍の条件下で１時間後に。
３．５牌厚の６−９ｉ膜を、ガス量３倍の条件下で同じ
く１時間後に、５．４鱗厚のａ−９ｉｌｌｌを得た。
く１時間後に、５．４鱗厚のａ−９ｉｌｌｌを得た。
ガス量２倍尊びガス量３倍の条件下で得られたａ−９ｉ
膜の双方について、実施例１と同様の評価を行なったと
ころ、暗導電率がそれぞれ５Ｘ １０”（Ω−Ｃ腸）−
亀、２Ｘ１０′９（Ω−Ｃ鵬）−五、明導電率がそｈツ
レｔｘｔｏ’ （Ω−ｃｍ）−’、８Ｘ １０’
（Ω−ｃｍ）−”の良好な光導電性を有していることが
分った。また、膜形成後の堆積室３０内の汚れも、実施
例１と同様に基板ホルダー３２以外には見られなかった
。
膜の双方について、実施例１と同様の評価を行なったと
ころ、暗導電率がそれぞれ５Ｘ １０”（Ω−Ｃ腸）−
亀、２Ｘ１０′９（Ω−Ｃ鵬）−五、明導電率がそｈツ
レｔｘｔｏ’ （Ω−ｃｍ）−’、８Ｘ １０’
（Ω−ｃｍ）−”の良好な光導電性を有していることが
分った。また、膜形成後の堆積室３０内の汚れも、実施
例１と同様に基板ホルダー３２以外には見られなかった
。
（８）発明の効果
以上に説明した如く、本発明では、ハロゲン原子とシリ
コン原子を含むラジカルを堆積室に導入するためのラジ
カル導入管と、水素原子を含むラジカルを堆積室に導入
するための水素ラジカル導入管をそれぞれ設けることに
より、反応性の低いハロゲンラジカルを反応性の高いラ
ジカルに変換することを可能にして高堆積速度の膜形成
を可能にした。原料ガスとして前述の如き爆発の危険の
ないガスを使用することができるばかりか、膜形成部位
以外で反応生成物が発生することもないので、有効な膜
形成を安全に行なえるようになった。また、膜形成のた
めのラジカルを堆積室内の膜形成部位である担体近傍に
有効に放出させることが可能なので、堆積室内壁等、膜
形成の不必要な部位に膜が形成されることがなくなり、
堆積室内の汚れをなくすこともできるようになった。
コン原子を含むラジカルを堆積室に導入するためのラジ
カル導入管と、水素原子を含むラジカルを堆積室に導入
するための水素ラジカル導入管をそれぞれ設けることに
より、反応性の低いハロゲンラジカルを反応性の高いラ
ジカルに変換することを可能にして高堆積速度の膜形成
を可能にした。原料ガスとして前述の如き爆発の危険の
ないガスを使用することができるばかりか、膜形成部位
以外で反応生成物が発生することもないので、有効な膜
形成を安全に行なえるようになった。また、膜形成のた
めのラジカルを堆積室内の膜形成部位である担体近傍に
有効に放出させることが可能なので、堆積室内壁等、膜
形成の不必要な部位に膜が形成されることがなくなり、
堆積室内の汚れをなくすこともできるようになった。
第１図は１本発明のａ−９ｉ膜形成装置の一例の概略構
成図である。 １８−−−ハロゲンラジカル導入管 ３１−ｍ−水素ラジカル導入管 １８、２８−−一反応炉 ３０−ｍ−堆積室
成図である。 １８−−−ハロゲンラジカル導入管 ３１−ｍ−水素ラジカル導入管 １８、２８−−一反応炉 ３０−ｍ−堆積室
Claims (1)
- 少なくともハロゲン原子とシリコン原子とから成る化合
物を含むラジカルを堆積室内に導入するためのハロゲン
ラジカル導入管と、水素原子を含むラジカルを該室内に
導入するための水素ラジカル導入管を備え、該室内に保
持された担体上に、該ラジカルを原料とする非晶質シリ
コン膜を形成させることを特徴とする非晶質シリコン膜
形成装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14603284A JPS6126774A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 非晶質シリコン膜形成装置 |
| DE19853525211 DE3525211A1 (de) | 1984-07-16 | 1985-07-15 | Vorrichtung zur bildung eines aufgedampften bzw. abgeschiedenen films |
| US07/652,249 US5154135A (en) | 1984-07-16 | 1991-02-06 | Apparatus for forming a deposited film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14603284A JPS6126774A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 非晶質シリコン膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6126774A true JPS6126774A (ja) | 1986-02-06 |
| JPS6248753B2 JPS6248753B2 (ja) | 1987-10-15 |
Family
ID=15398562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14603284A Granted JPS6126774A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 非晶質シリコン膜形成装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5154135A (ja) |
| JP (1) | JPS6126774A (ja) |
| DE (1) | DE3525211A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03139824A (ja) * | 1989-10-25 | 1991-06-14 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体薄膜の堆積方法 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4877650A (en) * | 1986-03-31 | 1989-10-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming deposited film |
| DE3784537T2 (de) * | 1986-04-11 | 1993-09-30 | Canon Kk | Herstellungsverfahren einer niedergeschlagenen Schicht. |
| CA1329756C (en) * | 1986-04-11 | 1994-05-24 | Yutaka Hirai | Method for forming crystalline deposited film |
| DE3786364T2 (de) * | 1986-04-14 | 1993-11-18 | Canon Kk | Verfahren zur Herstellung einer niedergeschlagenen Schicht. |
| JPH0639703B2 (ja) * | 1986-04-15 | 1994-05-25 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
| JPH01198481A (ja) * | 1988-02-01 | 1989-08-10 | Canon Inc | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成法 |
| DE3923390A1 (de) * | 1988-07-14 | 1990-01-25 | Canon Kk | Vorrichtung zur bildung eines grossflaechigen aufgedampften films unter verwendung von wenigstens zwei getrennt gebildeten aktivierten gasen |
| KR940003787B1 (ko) * | 1988-09-14 | 1994-05-03 | 후지쓰 가부시끼가이샤 | 박막 형성장치 및 방법 |
| US5628829A (en) * | 1994-06-03 | 1997-05-13 | Materials Research Corporation | Method and apparatus for low temperature deposition of CVD and PECVD films |
| AU1745695A (en) * | 1994-06-03 | 1996-01-04 | Materials Research Corporation | A method of nitridization of titanium thin films |
| US5975912A (en) * | 1994-06-03 | 1999-11-02 | Materials Research Corporation | Low temperature plasma-enhanced formation of integrated circuits |
| US5665640A (en) | 1994-06-03 | 1997-09-09 | Sony Corporation | Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor |
| US6055927A (en) * | 1997-01-14 | 2000-05-02 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Apparatus and method for white powder reduction in silicon nitride deposition using remote plasma source cleaning technology |
| US6579805B1 (en) * | 1999-01-05 | 2003-06-17 | Ronal Systems Corp. | In situ chemical generator and method |
| WO2001073159A1 (fr) * | 2000-03-27 | 2001-10-04 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Procede et appareil permettant de former un film metallique |
| DE102007058259A1 (de) | 2007-11-27 | 2009-05-28 | Hansgrohe Ag | Anordnung zur Belüftung von Brausestrahlen |
| DE102007058835A1 (de) | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Hansgrohe Ag | Belüftungsanordnung für Brausestrahlen |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3366090A (en) * | 1966-04-07 | 1968-01-30 | Air Force Usa | Glow discharge vapor deposition apparatus |
| JPS5211176A (en) * | 1975-07-18 | 1977-01-27 | Toshiba Corp | Activation gas reaction apparatus |
| GB1524326A (en) * | 1976-04-13 | 1978-09-13 | Bfg Glassgroup | Coating of glass |
| US4138306A (en) * | 1976-08-31 | 1979-02-06 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Apparatus for the treatment of semiconductors |
| US4262631A (en) * | 1979-10-01 | 1981-04-21 | Kubacki Ronald M | Thin film deposition apparatus using an RF glow discharge |
| JPS5660447A (en) * | 1979-10-23 | 1981-05-25 | Toshiba Corp | Forming method of organic photoconductive film |
| US4522663A (en) * | 1980-09-09 | 1985-06-11 | Sovonics Solar Systems | Method for optimizing photoresponsive amorphous alloys and devices |
| JPS5767938A (en) * | 1980-10-16 | 1982-04-24 | Canon Inc | Production of photoconductive member |
| US4469715A (en) * | 1981-02-13 | 1984-09-04 | Energy Conversion Devices, Inc. | P-type semiconductor material having a wide band gap |
| JPS58202533A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 表面処理装置 |
| JPS58219732A (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-21 | Tokyo Inst Of Technol | フツ素含有アモルフアス半導体の製造方法 |
| JPH0635323B2 (ja) * | 1982-06-25 | 1994-05-11 | 株式会社日立製作所 | 表面処理方法 |
| AU560521B2 (en) * | 1982-10-18 | 1987-04-09 | Energy Conversion Devices Inc. | Layered amorphous semiconductor alloys |
| US4521447A (en) * | 1982-10-18 | 1985-06-04 | Sovonics Solar Systems | Method and apparatus for making layered amorphous semiconductor alloys using microwave energy |
| JPS59135730A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-04 | Hitachi Ltd | 表面改質装置 |
| JPS6050169A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-19 | Res Dev Corp Of Japan | 薄膜形成方法 |
-
1984
- 1984-07-16 JP JP14603284A patent/JPS6126774A/ja active Granted
-
1985
- 1985-07-15 DE DE19853525211 patent/DE3525211A1/de active Granted
-
1991
- 1991-02-06 US US07/652,249 patent/US5154135A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03139824A (ja) * | 1989-10-25 | 1991-06-14 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体薄膜の堆積方法 |
| JPH0587171B2 (ja) * | 1989-10-25 | 1993-12-15 | Kogyo Gijutsuin |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5154135A (en) | 1992-10-13 |
| JPS6248753B2 (ja) | 1987-10-15 |
| DE3525211A1 (de) | 1986-01-16 |
| DE3525211C2 (ja) | 1987-11-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6126774A (ja) | 非晶質シリコン膜形成装置 | |
| AU594107B2 (en) | Method for preparation of multi-layer structure film | |
| JPS62158874A (ja) | 薄膜多層構造の形成方法 | |
| JP2566914B2 (ja) | 薄膜半導体素子及びその形成法 | |
| JPS62151572A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS61289622A (ja) | 堆積膜形成装置 | |
| JPH0364466A (ja) | アモルファスシリコン系半導体膜の製法 | |
| JPH02248038A (ja) | 多結晶質半導体物質層の製造方法 | |
| JPS63258016A (ja) | 非晶質薄膜の作製方法 | |
| EP0407088B1 (en) | Method of forming an amorphous semiconductor film | |
| JPH0536608A (ja) | アモルフアスシリコン膜の形成方法 | |
| JPS62158873A (ja) | 薄膜多層構造の形成方法 | |
| JPS63234513A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPH0462073B2 (ja) | ||
| JP2531649B2 (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS62163314A (ja) | 薄膜多層構造およびその形成方法 | |
| JPS62136663A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
| JPS6357776A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS61179868A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS62199770A (ja) | Ｘ線マスク用薄膜の製造方法 | |
| JPS5857757A (ja) | 非晶質シリコン太陽電池の製造方法 | |
| JPS6252558A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS62156812A (ja) | 薄膜半導体素子及びその形成法 | |
| JPS6126773A (ja) | 堆積膜形成方法 | |
| JPH0547519B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |