JPS62136663A

JPS62136663A - 電子写真感光体の製造方法

Info

Publication number: JPS62136663A
Application number: JP60277003A
Authority: JP
Inventors: Masaaki Hirooka; 広岡　政昭; Shunichi Ishihara; 俊一石原; Junichi Hanna; 純一半那; Isamu Shimizu; 勇清水
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1985-12-11
Filing date: 1985-12-11
Publication date: 1987-06-19
Anticipated expiration: 2010-06-05
Also published as: CN1013004B; DE3689951D1; CA1298175C; US4855210A; CN86108453A; AU6632286A; AU594727B2; DE3689951T2; JPH0752305B2; EP0227388B1; EP0227388A2; EP0227388A3

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の属する技術分野〕本発明は、電子写真感光体、その製造方法及びその製造
方法を実施するに適した製造装置に関する。

〔従来技鳶の説明〕

従来、電子写真感光体として、基体上に、シリコン原子
を母体とする非晶質材料、いわゆるアモルファスシリコ
ン（以後「ａ−８ｉ　Ｊと表記する。）で構成された光
受容層を有するものが知られている。

こうした電子写真感光体の光受容層を構成するａ−９ｉ
膜の形成方法についてもいくつか提案されてちり、真空
蒸着法、イオンブレーティング法、反応１！、スパッタ
リング法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法
等があり、中でもプラズマＣＶＤ法は至適なものとして
実用に付され、一般に広く知られている。　　　　□と
ころで、従来のａ−３ｉで構成される光受容層は、例え
ばプラズマＣＶＤ法により得られるものは特性発現性に
富み一応満足のゆくものとされてはいるものの、それで
あっても、確固たる当該製品の成立に要求される、電気
的、光学的、光導電的特性、繰返し使用についての耐疲
労特性、使用環境特性の点、経時的安定性および耐久性
の点、そして更に均質性の点の全ての点を総じて満足せ
しめる、という課題を解決するには未だ問題のある状態
のものである。その原因は、目的とするａ−ＳＬで構成
される光受容層が、使用する材料もさることながら、単
純な層堆積操作で得られるという類のものではなく、就
中の工程操作に熟練的工夫が必要とされるところが大き
い。

因みに、例えば、いわゆる熱ＣＶＤ法の場合、ケイ素系
気体材料を希釈した後いわゆる不純物を混入し、ついで
５００〜６５０℃といった高温で熱分解することから、
所望のａ−８Ｌ膜を形成するについては緻密な工程操作
と制御が要求され、ために装置も複雑となって可成りコ
スト高のものとなるが、そうしたところで均質にし【前
述したような所望の特性を具有するａ−８ｉで構成され
る光受容層を定常的に得ることは極めてむすかしく、シ
たがって工業的規模には採用し難いものである。

また、前述したところの、至適な方法として−Ｊ没に広
く用いられているプラズマＣＶＤ法であっても、工程操
作上のいくつかの問題、そしてまた設備投資上の問題が
存在する。工程操作については、その条件は前述の熱Ｃ
ＶＤ法よりも更に複雑であり、−膜化するには型盤のも
のである。即ち、例えば、基体温度、導入ガスの流量並
びに流量比、層形成時の圧力、高周波電力、電極構造、
反応容器の構造、排気速度、プラズマ発生方式の相互関
係のパラメーターをとってみても既に多くのパラメータ
ーが存在し、この他にもパラメーターが存在するわけで
あって、所望の製品を得るについては厳密なパラメータ
ーの選択が必要とされ、そして厳密に選択されたパラメ
ーターであるが故に、その中の１つの構成因子、とりわ
けそれがプラズマであって、不安定な状態になったりで
もすると形成される膜は著しい悪影響を受けて製品とし
て成立し得ないものとなる。そして装置については、上
述したように厳密なパラメーターの選択が必要とされる
ことから、構造はおのずと複雑なものとなり、装置規模
、種類が変れば個々に厳選されたパラメーターに対応し
得るように設計しなければならない。こうしたことから
、プラズマＣＶＤ法につい【は、それが今のところ至適
な方法とされてはいるものの、上述したことから、所望
のａ−８ｉ）ｌＡを量産するとなれば装置に多大の設備
投資が必要となり、そうしたところで尚量産のための工
程管理項目は多く且つ複雑であり、工程管理許容幅は狭
く、そしてまた装置調整が微妙であることから、結局は
製品をかなりコスト高のものにしてしまう等の問題があ
る〇また一方には、電子写真感光体は多様化してきてお
り、前述の各種特性等の要件を総じて満足すると共に、
適用対象、用途に相応し、そしズ場合によってはそれが
大面積化されたものである、安定なａ−３Ｌから構成さ
れる光受容層を有する電子写真感光体を、低コストで定
常的に供給されることが社会的要求としてあり、この要
求を満たす方法、装置の開発が切望されている状況があ
る。

これらのことは、他の層、例えば酸素原子、炭素原子及
び窒素原子の中から選ばれる少なくとも１９を含有する
ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層においてもまた然りであ
る。

〔発明の目的〕

本発明は、上述した従来の熱ＣＶＤ法及びプラズマＣＶ
Ｄ法による電子写真感光体の問題点を排除した新規な電
子写真感光体を提供することを主たる目的とする。

本発明の他の目的は、プラズマ反応を介することなくし
て成膜空間において形成したものであって、優れた電子
写真特性を奏する新規な電子写真感光体を提供すること
にある。

本発明の更に他の目的は、成膜空間においてプラズマ反
応を介することなくして、形成される膜の特性を保持し
、堆積速度の向上を図りながら、膜形成条件の管理の簡
素化、膜の量産化を容易に達成でさるよう（こ゛した、
優れた電子写真特性を奏する新規な電子写真感光体を製
造する方法を提供することにある。

本発明の別の目的は、前記方法を実施するための装置を
提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは、従来の電子写真感光体についての前述の
諸問題を克服して、上述の目的をｊ１成すべく鋭意研究
を重ねた結果、電子写真感光体用の基体上に光受容層を
形成する為の成膜空間に、光受容層形成用の気体状原料
物質と、該気体状原料物質に酸化作用する（相手の原子
、イオンあるいは分子が電子を失う、即ち酸化数を増加
させる）性質を有する気体状酸化剤とを各々別の経路よ
り導入し、両者を化学的に接触させることにより、プラ
ズマ反応を介することなく前記基体上に光受容層を形成
しうるという知見を得た。

即ち、本発明は、該知見に基づいて完成せしめたもので
あり、電子写真感光体用の基体と、該基体上に設けられ
た少なくとも感光層を有する光受容層とからなる重子写
真用感光体であって、前記光受容層が、該光受容層形成
用の気体状原料物質と、該気体状原料物質に酸化作用す
る性質を有する気体状酸化剤とを、各々別の経路で成膜
空間に導入し、両者をプラズマ反応を介することなく化
学的に接触せしめて励起状態の前駆体を含む複数種の前
駆体を生成し、これ等の前駆体のうち少なくとも一種の
前駆体を前記光受容層の構成要素の供給源として形成さ
れたものであることを骨子とする電子写真用感光体、そ
の製造方法、およびその製造方法を実施するための装置
を提供するものである。

本発明の電子写真感光体は、光受容層形成用の原料ガス
にプラズマなどの放電エネルギーを作用させる従来の方
法に代えて、プラズマ反応を介することなく光受容層を
形成せしめるものであり、形成される光受容層が、成膜
中にエツチングあるいはその他の例えば異常放電作用な
どによる悪影響をうけることが極めて少なく、優れた電
子写真特性を有するものである。

また、本発明の電子写真用感光体の製造方法は、プラズ
マ反応を介することなく、成膜空間に光受容層形成用の
気体状原料物質と、該気体状原料物質に酸化作用する性
質を有する気体状酸化剤とを導入するだけで光受容層を
形成せしめるものであるため、省エネルギー化と同時に
大面積化、膜厚および膜品質の均−性等を達成するとと
もに、管理の簡素化と量産化が可能となり、さらに本発
明の方法を実施するための装置は多大な設備投資が不必
要となり、装置の管理、調整も簡単となるものである。

本発明の電子写真感光体及びその製造方法において用い
られる光受容層形成用の気体状原料物質（以下「原料物
質（Ａ）」と称す。）は、そのままの状態ではほとんど
乃至全く堆積膜を形成するところとはならない物質であ
るが、気体状酸化剤との化学的接触により酸化作用をう
けて励起状態の前屈体を含む複数の前駆体を生成するも
のであり、目的とする光受容層の種類、特性、用途等に
よって適宜選択される。そして、本発明の原料物質（Ａ
）は、気体状酸化剤と化学的に接触する際に気体状とな
っているものであればよく、通常の場合、気体であって
も、液体であってもあるいは固体であってもよい。原料
物質（Ａ）が液体又は固体である場合には、Ａｒ、Ｈｅ
Ｎ！、Ｌ等のキャリアーガスを用い、必要に応じては熱
を加えながらバグリングを行なって、成膜空間内に気体
状原料物質（Ａ）として導入せしめる。

また、本発明の電子写真感光体及びその製造方法に用い
る気体状酸化剤は、前述の気体状原料物質（Ａ）に化学
的をこ接触するだけで、効率的に酸化作用による励起化
をおこす性質を有するものであり、空気、酸素、オゾン
等の酸素類、ＮｔＯ，、ＮｔＯ□、Ｎ、０等の酸素又は
窒素の化合物、Ｈｌｏｌ等の過酸化物、Ｆ＊　＋　Ｃ１
１ｔ　ＨＢｒｔ　Ｉ　ｒ＠等のハロゲンガス、発生期状
態の弗素、塩素、臭素等が有用なものとしてあげられる
。そして、本発明に用いる気体状酸化剤は、前述の気体
状原料物質（Ａ）と化学的に接触する際に気体状となっ
ているものであればよく、通常の場合、気体であっても
、液体であっても、あるいは固体であってもよい。酸化
、剤が液体又は固体である場合には、前記原料物質（Ａ
）が液体又は固体である場合と同様にして、Ａｒ５Ｈｅ
ｔＮｔｓＨ＊等のキャリアーガスを使用し、必要に応じ
て加熱しながらバグリングを行ない、成膜空間内に気体
状の酸化剤として導入せしめる。

前述の気体状原料物質（Ａ）と、前述の気体状酸化剤と
は、夫々所望の流量及び供給圧が与えられて成膜空間内
に導入され、夫々が混合衝突することで化学的接触をし
、気体状酸化剤が、気体状原料物質に酸化作用を施し、
それにより励起状態の前駆体を含む複数種の前駆体が効
率的に生成され、それらのうちの少なくとも一種が供給
源となって光受容層が堆積形成されるところとなる。即
ち、生成された励起状態の前駆体は、分解又は反応して
別の前駆体又は別の励起状態にある前駆体となるか、あ
るいは、必要に応じてエネルギーを放出するがそのまま
の形態で、成膜空間に配置された電子写真感光体用の基
体表面に触れることにより、該基体上に三次元ネットワ
ーク構造の膜が堆積される。なおこの系にあって、気体
状酸化剤との化学的接触により生成される励起状の前駆
体のエネルギーレベルは、該励起状態の前駆体がより近
いエネルギーレベルにエネルギー遷移するか、又は別の
化学種に変化する過程において発光を伴うようなもので
あることが好ましい。かかるエネルギーの遷移に発光を
伴う励起状態の前駆体を含めた複数種の前駆体が形成さ
れることにより、本発明の電子写真感光体の光受容層の
形成プロセスは、より効率的に、かつより省エネルギー
で進行し、光受容層全面にわたって均一で、より良好な
電子写真特性を有する光受容層を形成することができる
。

以下、本発明の電子写真感光体及びその製造方法につい
て、より詳細に説明する。

本発明の電子写真感光体は、第１図（Ａ）乃至（Ｆ）に
図示される典型例により代表されるものである。

第１図（Ａｌ乃至（Ｆ）において、１０１は電子写真感
光体用の基体、１０２は光受容層、１０３〜１０７は光
受容層を構成する層を各々示している。

本発明の電子写真感光体に用いる基体１０１は、導電性
のものであっても、また電気絶縁性のものであってもよ
い。導電性基体としては、例えば、ＮｉＣｒ　１ステン
レス、Ａｌ、ＣｒｌＭｏ、Ａｕ。

ＮｂＳ　Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ１　Ｐｂ等の金属又はこ
れ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性基体としては、ポリエステル、ポリエチレン
、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等の
電気絶縁性基体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層を設
けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

ＡＪ、ＣｒｌＭｏ、Ａｕ、Ｉｒ１　Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔ
ｉ。

Ｐｔ、　　Ｐｄ、　　Ｉｎ＊０＊　、５ｎＯ＝、ＩＴＯ
（ＩｒｂＯ，＋　Ｓｎｏｗ）等から成る薄膜を設けるこ
とによって導電性を付与し、或いはポリエステルフィル
ム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、　ＡＪ、
　Ａｇ％Ｐｂ。

Ｚｎ％　Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ１　Ｎｂ、Ｔａ
、Ｖ。

ＴＩ％ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着
、スパッタリング等でその表面に設け、又は前記金属で
その表面をラミネート処理して、その表面に導電性を付
与する。基体の形状は、円筒状、ベルト状、板状等任意
の形状であることができるが、用途、所望によって、そ
の形状は適宜に決めることのできるものである。例えば
、電子写真感光体が連続高速複写用の場合には、蕪端べ
／Ｌ／　ト状又は円筒状とするのが望ましい。基体の厚
さは、所望通りの電子写真感光体を形成しうろ様に適宜
決定するが、電子写真感光体として可撓性が要求される
場合には、基体としての機能が充分発罪される範囲内で
可能な限り薄くすることができる。しかしながら、基体
の製造上及び取扱い上、機械的強度の点から、通常は１
０μ以上とされる。

本発明の電子写真感光体の光受容層は、第１（Ａ）図に
示すごとき単層構成の層であっても、あるいは、第１（
Ｂ）乃至（Ｆ）図に示すごとき多＠構成の層であっても
よい。

即ち、第１（Ａ）図に示すように、基体上に単層構成の
光受容Ｂ１０２を設ける場合、該光受容層は、ａ−８ｉ
１好ましくは水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）の
少なくともいずれか一方を含有するａ−８ｉ（以後、ｒ
　ａ−Ｓｉ　（ＨｓＸ　）Ｊと表記する。）で構成され
てあり、感光性を有しているものであるＯこのようなハロゲン原子としては、具体的にはフッ素、
塩素、臭素、ヨウ素があげられ、特にフッ素、塩素を好
適なものとして挙げることができる。そして第一のＨ１
０２中に含有せしめる水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン
原子（Ｘ）の量、あるいは水素原子とハロゲン原子の量
の和（Ｈ＋Ｘ　）は、１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、好ま
しくは５〜３０ａｔｏｍｉｃ％とするのが望ましい。

該光受容層１０２には、さらにゲルマニウム原子（Ｇｅ
）又はスズ原子（Ｓｎ）の少なくともいずれか一方を含
有せしめることができる。光受容層をゲルマニウム原子
（Ｇｅ　）又はスズ原子（Ｓｎ　）の少なくともいずれ
か一方を含有するａ−８ｉ（Ｈ９ｘ）（以後、「ａ−８
Ｌ　（Ｇｅ、Ｓｎ　）　（Ｈ，Ｘ　）Ｊと表記する。）
によす構成した場合には、光受容層の長波長側における
吸収スペクトル特性を向上せしめることができる。即ち
、光受容層１０２中にゲルマニウム原子又はスズ原子の
少なくともいずれか一方を含有せしめることにより、特
に可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的短波長迄
の全領域の波長の光に対して光感度が優れ、光応答性の
速い電子写真感光体を得るーとかでさ、このことは、半
導体レーザーを光源として用いた場合に特に顕著である
。光受容層１０２に含有せしめるゲルマニウム原子又は
／及びスズ原子の虚は、１〜６　Ｘ　１０’　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ、好ましくは１０〜３　Ｘ　ｉ　Ｏ”ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好ましくはＩ　Ｘ　１　（Ｆ　
〜２　Ｘ　１０”　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとするのが望
ましい。

更に、本発明の電子写真感光体の光受容層１０２には、
伝導性を制御する物質を含有せしめることができる。前
記伝導性を制御する物質としては、半導体分野において
いういわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ型伝導性を
与える周期律表第■族に属する原子（以下単に「第■族
原子」と称１°。）、又は、ｎ型伝導性を与える周期律
表第Ｖ族に属する原子（以下単に「第Ｖ族原子」と称す
。）が使用される。具体的には、第■族原子としては、
Ｂ（硼素）　、ＡＪ　（アルミニウム）　、Ｇａ　　（
ガリウム）　、Ｉｎ　（インジウム）、Ｔｌ（タリウム
）等を挙げることができるが、特に好ましいものは、Ｂ
、Ｇａである。

また第Ｖ族原子としては、ｐ（燐）％　Ａｓ　（砒素）
、ｓｂ　（アンチモン）　、Ｂｉ　（ビスマン）等を挙
げることができるが、特に好ましいものは％　Ｐ％ｓｂ
である。

該光受容層１０２に、第■族原子又は第Ｖ族原子を含有
せしめることにより、光受容層１０２の伝導型又は／及
び伝導率を制御することができ、この場合、第■族原子
又は第Ｖ族原子の含有量は、Ｉ　Ｘ　１０−”　〜Ｉ　
Ｘ　１０”ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、好ましくは５　ｘ　
１０−１〜５　ｘ　１０”ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適
には１×１０″″’　〜２　Ｘ　１０”　ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍとするのが望ましい。

第１（Ｂ）乃至（Ｆ）図に示す例は、本発明の電子写真
感光体の光受容層１０２が多層構成である場合の典型例
のいくつかを示すものである。そして、光受容層１０２
が多層構成である場合、第１（Ｂ）乃至（Ｆ）図に示す
ごとく感光層１０３を構成層の１つとして有することが
必要であり、該感光層１０３を構成する層は、前述の第
１（Ａ）図における光受容層を構成する層と同様のもの
であり、即ち、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）又はａ−８Ｌ　（Ｇ
ｅ、Ｓｎ）　（Ｈ，Ｘ　）で構成されるものであり、必
要に応じて伝導性を制御する物質を含有せしめることが
できる。

以下、第１（Ｂ）乃至（ＦＪ図で表わされる典型例につ
いて記載する。

第１（Ｂ）図に示す例は、基体上１０１に伝導性を制御
する物質を含有する層１０４と感光層１０３とからなる
光受容層１０２が設けられている。該層において、伝導
性を制御する物質、即ち、第■族原子又は第Ｖ族原子を
比較的高濃度に含有する層１０４は、電荷注入阻止層と
して機能するところとなる。即ち、第■族原子を含有せ
しめた場合には、光受容層の自由表面かの極性の帯電処
理を受けた際に、基体側から光受容層中へ注入される電
子の移動をより効率的に阻止することができ、又、第Ｖ
族原子を含有せしめた場合には、光受容層の自由表面が
ｅ極性に帯電処理を受けた際に、基体側から光受容層中
へ注入される正孔の移動をより効率的に阻止することが
できる。そして、こうした場合の第■族原子又は第Ｖ族
原子の含有量は比較的多量であって、具体的には、３０
〜５　ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、好ましくは５
０〜１　ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適には１
ｘ　１　ｏ”　〜５　ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍとするのが望ましい。さらに、該電荷注入層とし【の
効果を効率的に奏するためには、第■族原子又は第■族
原子を含有する層１０４の層厚をｔとし、光受容層１０
２の層厚をＴとした場合、ｔ／Ｔ≦０．４の関係が成立
することが望ましく、より好ましくは該関係式の値が０
．３５以下、最適には０．３以下となるようにするのが
望ましい。また、該層１０４の層厚ｔは、３　Ｘ　１０
”〜１０μ、好ましくは４　Ｘ　１０−”〜８μ、最適
には５×１０″″魯〜５μとするのが望ましい。

感光層１０３中には、電荷注入阻止層１０４中に含有せ
しめた伝導性を制御する物質の極性とは別の極性の伝導
性を制御する物質を含有せしめてもよく、あるいは、同
極性の伝導性を制御する物質を、電荷注入阻止層１０４
に含有される量よりも一段と少ない址にして含有せしめ
てもよい。

第１（Ｃ）図に示す例は、基体１０１上に、酸素原子、
炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種
を含有する中間層１０５と感光層１０３とからなる光受
容層１０２が設けられている。

該層において、中間層１０５は酸素原子、炭素原子及び
窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を含有するａ
−５ｉ層（以後、［ａ−８Ｌ　（０，Ｃ，Ｎ　）（ＨＩ
Ｘ　）Ｊと表記する。）で構成され【おり、該中間層１
０５に酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれ
る少なくとも一種を含有せしめることにより基体１０１
と感光層１０３との密着性を向上せしめることができる
とともに、該中間層１０５の暗抵抗を高め、基体１０１
の側から感光層１０３中へのキャリアの流入を効率的に
阻止するとともに、感光層１０３中に生じ基体側へ向っ
て移動するフォトキャリアの感光層の側から基体側への
通過を容易にする機能、即ち、障壁層としての機能を中
間層１０５に付与することができるものである。そして
、こうした場合にあける中間層１０５に含有せしめる酸
素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なく
とも一種の１は、支持体との密着性の向上を確実にする
ため、比較的多量にする。具体的には、０．００１〜５
０　ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは０．００２〜４０ａｔ
ｏｍｉｃ％、最適には０．００３〜３０　ａｔｏｍｉｃ
％とするのが望ましい。また、中間層１０５の層厚は５
μ以下とすることが好ましい。

更に中間層１０５中には、伝導性を制御する物質、即ち
、第■族原子又は第■族原子を含有せしめることにより
、電荷注入阻止層としての機能を付与することもできる
。

第１（Ｄ）図に示す列は、基体１０１上に、感光層１０
３と表面層１０６とからなる光受容層１０２を設けたも
のである。該層において、表面層１０６は、酸素原子、
炭素原子又は窒素原子のうちの少なくともいずれか１つ
を均一な分布状態で含有するアモルファスシリコン〔以
下、「ａ−５ｔ　（０ｓＣｓＮ）（Ｈ，Ｘ　）ｊと表記
する。」で構成されている。表面層１０６を設ける目的
は、耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用
環境特性、および耐久性等を向上させることにあり、こ
れらの目的は、表面層１０６を構成するアモルファス材
料に、酸素原子、炭素原子又は窒素原子のうちの少なく
ともいずれか１種を含有せしめることにより達成される
。

表面層１０６に含有せしめるこれらの原子の量は、含有
せしめる社の増加に伴って、前述の緒特性は向上するが
、多すぎると層品質が低下し、電気的および機械的特性
も低下する。こうしたことから、これらの原子の含有量
は、０．００１〜９０　ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは１
〜９０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０　ａｔｏ
ｍｉｃ％とするのが望ましい。

表面層１０６は、所望通りの特性が得られるように注意
深く形成する必要がある。即ち、シリコン原子、および
酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少な
くとも一種、あるいはさらに、水素原子又は／及びハロ
ゲン原子を構成原子とする物質は、各構成原子の含有量
やその他の作成条件によって、形態は結晶状態から非晶
質状態までをとり、電気的物性は導電性から、半導電性
、絶縁性までを、さらに光電的性質は光導電的性質から
非光導電的性質までを、各々示すため、目的に応じた所
望の特性を有する表面層１０６を形成しうるように、各
構成原子の含有量や作成条件等を選ぶことが重要である
。

例えば、表面層１０６を電気的耐圧性の向上を主たる目
的として設ける場合には、表面層１０６を構成する非晶
質材料は、使用条？ト下において電気絶縁的挙動の顕著
なものとして形成する。

又、表面層１０６を連続繰返し使用特性や吏用環境特性
の向上を主たる目的として設ける場合には、表面層１０
６を構成する非晶質材料は、前述の電気的絶縁性の度合
はある程度緩和するが、照射する光に対しである程度の
感度を有するものとして形成する。

また、表面層の層厚も本発明の目的を効率的に達成する
ための重要な要因の１つであり、所期の目的に応じて適
宜決定されるものであるが、該層に含有せしめる酸素原
子、炭素原子、窒素原子、ハロゲン原子、水素原子の量
、あ条いは表面層に要求される特性に応じて相互的かつ
有機的関連性の下に決定する必要がある。更に、生産性
や量産性をも加味した経済性の点においても考慮する必
要もある。こうしたことから、表面ＪυのＪａ厚は、３
　Ｘ　１０−”〜３０μ、好ましくは４　Ｘ　１０４〜
２０μ、特に好ましくは５×１０→〜１０μとするのが
望ましい。

第１（Ｅ）図に示す例は、基体１０１上に　’ｔＥ荷注
入阻止層１０４、感光層１０２および表面層１０６から
なる光受容層１０２を形成したものである。

第１（Ｆ）図に示す例は、基体１０１上に、ゲルマニウ
ム原子又はスズ原子の少なくともいずれか一方を含有す
る第一の層１０７とゲルマニウム原子およびスズ原子の
いずれも含有しない第二の層１０８とからなる光受容層
１０２を形成せしめたものである。即ち、第一の層１０
７は、ａ−５ｉ　（Ｇｅ。

５ｎ）（）Ｉ、Ｘ）で構成される層であり、第二の層１
０８は、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層である。

鎖側において、第一の層１０７にゲルマニウム原子又は
スズ原子の少なくともいずれか一方を比較的多社に含有
せしめることにより、半導体レーザ等の長波長の光源を
用いた場合に、層１０８においては殆んど吸収しきれな
い長波長の光を、層１０７において実質的に完全に吸収
することができ、支持体表面からの反射光による干渉が
防止されるようになる。

第一の層１０７中に含有せしめるゲルマニウム原子又は
／及びスズ原子の量は、本発明の目的を効果的に達成し
うる様に所望に従って適宜決める必要があり、１〜６　
Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、好ましくは１０
〜３　ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好ましく
はＩ　Ｘ　１０”　〜２　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍとするのが望ましい。

以上、本発明の電子写真感光体の典型的な例を記載した
が、本発明はこれらによって限定されるものではない。

本発明の電子写真感光体の光受容層、あるいは光受容層
を構成する各層を基体上に形成せしめるについては、前
述の気体状原料物質（Ａ）と気体状酸化剤の種類と組み
合わせを適宜選択して用いることにより、目的に応じた
各種の光受容層を形成することができる。

即ち、ａ−５ｉ　（Ｈ，Ｘ　）で構成される層を形成す
るについては、気体状原料物質（Ａ）として、Ｓｉと■
とを構成原子とするＳｉＨ４、Ｓｉ函、Ｓｉ晶、５Ｌ４
Ｈｔ。

等のシラン、あるいはＳｔ九〇ノ、５ｉＨｓＦ、　Ｓｉ
腿ｒ等の水素の多いハロゲン化シラン等を用い、前述の
気体状酸化剤としては、Ｆｌ、ａｌｔ、Ｂｒｔ、工２等
のハロゲンガスあるいは発生期状態の弗素、塩素、臭素
等のハロゲン系酸化剤を用いればよく、特に好ましくは
気体状酸化剤としてＦ、ガス、ａｌｔガスを用いるのが
よい。又、ａ−Ｓｉ　（Ｇｅ、Ｓｎ　）　（Ｈ。

Ｘ）で構成される光受容層を形成せしめるについては、
気体状原料物質（Ａ）として、ＳｉＨ４、Ｓ　Ｌｔ＆、
Ｓｉ晶、ｓ　１４）１１゜等のシランガスあるいは５ｉ
ＨａＣｌ。

Ｓｉ迅Ｆ　、　ＳｉＨ，Ｂｒ等のハロゲン化シランガス
に加えて、ゲルマニウム原子尋人用の原料物質又は／及
びスズ原子導入用の原料物質を用いればよく、該ゲルマ
ニウム原子尋人用の原料物質としては、Ｇｅ）＋４、Ｇ
ｅ、Ｈ，、Ｇｅ、亀、Ｇ　ｅａＨｔ　’＊、Ｇ　ｅｍ　
Ｈｔ　＊等の直鎖状ゲルマニウム化合物があげられ、該
スズ原子導入用の原料物質としてはＳｎＨ４等の水素化
スズがあげられる。また、気体状酸化剤としては前述と
同様のハロゲン系酸化剤、特に好ましくはＦ、ガス、Ｃ
＆ガスを用いればよい。

更に、第■族原子又は第Ｖ族原子を含有するａ−Ｓｉ（
Ｈ，Ｘ）で構成される層あるいは第■族原子又は第Ｖ族
原子を含有するａ−５ｉ　（Ｇｅ、Ｓｎ　）（Ｕ、Ｘ　
）で構成される層を形成せしめるについては、前述のａ
−５Ｌ　（Ｈｓ　Ｘ　）　Ｔ構成される層又はａ−８ｉ
　（Ｇｅ、Ｓｎ　）　（Ｈ，Ｘ　）で構成される層を形
成せしめる場合において用いる気体状原料物質（Ａ）（
即ち、５ｉｎ４、ＳＬ、Ｌ等のシラン、ＧｅＬ、Ｇｅ、
１％等のゲルマニウム化合物、　ＳｎＨ４等の水素化ス
ズ等）に加えて、第■族原子又は第Ｖ族原子を構成要素
とし【含む気体状物質を用い、気体状酸化剤とし【はａ
−８Ｌ　（Ｈ，Ｘ　）又はａ−８ｉ　（Ｇｅ、　Ｓｎ　
）　（ＨｓＸ）で構成される層を形成する場合に用いる
のと同様のハロゲン系酸化剤を用いればよい。具体的に
は、第■族原子を構成要素として含む気体状原料物質と
しては、Ｂｗ＆、　Ｂａ）Ｉｔｏ％ＢｓＨｅ、ＢｓＨｓ
ｔ、ＢａＨｔｅ、Ｂｓ１ｋ＊、ｈｌ（ｃｕｓ）１、ｕ　
（（４１１１）８、Ｇａ　（ＣＩ（ｓ）ｓ、Ｉｔｔ　（
（：Ｈ，）、等があるが、中でも＆Ｈａが望ましくｂ又
、第Ｖ族原子を構成要素としで含む気体状原料物質とし
ては、ｐｚ、ＰＡ＆、−Ａｓｔｌ、、　５ｂＨａ、Ｂｉ
）−等をあげることができるが、中でもＰＨ，が好まし
い。

第■族原子又は第Ｖ族原子を構成要素として含む気体状
物質は、５ｉＩ（４％Ｓ　ｉ、Ｈ，等の気体状原料物質
（Ａ）と混合するか、あるいは単独で成膜空間に導入さ
れ、気体状酸化剤と化学的に接触し、該気体状酸化剤が
、ＳｉＬ、５ｉｔＨｓ等の気体状原料物質（Ａ）と第■
族原子又は第Ｖ族原子を構成要素として含む気体状物質
とを酸化作用によって活性化せしめ、励起状態の前駆体
を含む複数種の前駆体を生成せしめるものである。

また更に、ａ−５Ｌ　（０，Ｃ，Ｎ　）　（Ｈ，Ｘ　）
で構成される層を形成するについては、前述のａ−８ｉ
　（Ｈ，Ｘ　）からなる層を形成する場合に気体状原料
物質（Ａ）として用いた５ｉｎＪ？？ｓｉ、丸等のシラ
ン、Ｓｉ九Ｃ１゜ＳｉＨｍＦ　、　ＳｉＨ，Ｂｒ等のハ
ロゲン化シラン等に加えて、ＮとＨとを構成原子とする
、例えば窒素（Ｎｔ）、アンモニア（Ｎ山）、ヒドラジ
ン（Ｈ，ＮＮＨ，）、アジ化水素（Ｈ！％　）　、アジ
化アンモニウム（Ｎ）Ｌ４Ｎ、）等のガス状の又はガス
化しうる窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素化合物、Ｃ
とＨを構成原子とする、例えば炭素数１〜５の飽和炭化
水素、炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、炭素数２〜
４のアセチレン系炭化水素等、具体的にはメタン（ＣＨ
ａ）、エタン（Ｃ！山）、プロパン（Ｃａ）、ｎ−フ゛
タン（ｎ−ｃ４Ｈｓｏ）、ペンタン（Ｃ＠Ｌ童）、エチ
レン（Ｃｔ）Ｉ４）、プロピレン（Ｃａ）、ブテン−１
（Ｃａ）ブテン−２（ｃ４Ｈａ）、イソブチＬ／：／（
ＱＨ＠）、ペンテン（ＣｓＨｌｏ）、アセチレン（Ｃａ
）、メチルアセチレン（Ｃａ）１４）、ブチン（Ｃ，Ｈ
ａ）等を用い、一方、気体状酸化剤として、空気、酸素
、オゾン等の酸素類、Ｎ、Ｏ，、Ｎ晶、Ｎ、０等の窒素
酸化物、鳥へ等の過酸化物（以上の酸化剤を「酸素系、
窒素系酸化剤」と称す。）、及びハロゲンガス、発生期
のハロゲン等のハロゲン系酸化剤の中から選ばれる少な
くとも一種を用いればよい。

更にまた、第■族原子又は第Ｖ族原子を含有するａ−５
ｉ　（０，Ｃ，Ｎ　）　（Ｈ，Ｘ　）で構成される層を
形成する場合には、気体状原料物質（Ａ）、（即ち、Ｓ
ｉＨ４、Ｓｉ、Ｈａ等のシラン、５ＬＨｓＣ１、５ｉＲ
３Ｆ　％ＳｉＲ，Ｂｒ等のシランガス、島、ＮＨＪ％Ｈ
ｅ　ＮＮ　Ｈｔ、ＮＮ８、ＮＬＮ、等の窒素化合物、Ｃ
ルＪ函、ｃｍＨ，、ＣｘＬ、Ｃ山、Ｃａ等の炭素化合物
等）に加えて、第■族原子又は第Ｖ族原子を構成要素と
して含む気体状物質（即ち、Ｂ、Ｈａガス又はＰＨｓガ
ス等）を用い、気体状酸化剤として酸素、窒素系酸化剤
（即ちＯ３、Ｎｔｏ、Ｎ、０４等）及び／又はハロゲン
系酸化剤（即ち、Ｃム、Ｆ２等）を用いればよい。

こうした気体状原料物質（Ａ）、伝導性を制御する物質
を構成要素として含む気体状物質、及び気体状酸化剤の
混合比及び分圧は、これらの気体の蒸気圧あるいはキャ
リアーガスの流量を調整することにより設定することが
できる。

本発明の電子写真感光体の光受容層の形成においては、
成膜プロセスが円滑に進行し、高品質で所望の電子写真
特性を有するものが得られるべく、気体状原料物質（Ａ
）、伝導性を制御する物質を構成要素として含む気体状
物質、及び気体状酸化剤の種類と組み合わせ、これ等の
混合比、混合時の圧力、流量、成膜空間内の子方、キャ
リアーガスの流量、成膜温度、ガスの流室等を所望に応
じて適宜選択する必要がある。そして、これらの成膜に
おける種々の因子は、有機的に関連するものであって、
単独で決定されるものではなく、相互関係を考慮して決
定される必要があるが、気体状原料物質と気体状酸化剤
の量の割合は、導入流量比で、１／　〜１００／１好ま
しくは　１／　〜５当とするのが望ましい。

また、伝導性を制御する物質な構成要素として含む気体
状物質と気体状原料物質（Ａ）の量の割合は、導入流量
比で、／１００００００〜／、。、より好ましくは／　
　　〜／　、最適には／１０００００〜１１５ｏとする
のが望ましい。更に、気体状原料物質（Ａ）、伝導性を
制御する物質を構成要素として含む気体状物質及び気体
状酸化剤の混合時の圧力は、化学的接触の確立を高める
ためにはより高い方が好ましいが、反応性を考慮して決
定するのが好ましく、ｌＸｌ０−’気圧〜１０気田、よ
り好ましくはＩ　Ｘ　１０−’気圧〜３気圧とするのが
望ましい。

成膜空間内の子方、即ち、その表面に成膜されろ基体が
配設されている空間内の圧力は、反応空間に於いて生成
される励起状態の前駆体及び場合によって該前駆体より
派生的に生ずる前駆体が成膜プロセスに効果的に寄与す
る様に適宜所望に応じて設定される。

成膜空間の内圧力は、成膜空間が反応空間と開放的に連
続している場合には、気体状原料物質（Ａ）と伝導性を
割卵する物質を構成要素として含む気体状物質と気体状
酸化剤との反応空間での導入圧及び流量との関連に於い
て、例えば差・　動排気或いは、大型の排気装置の使用
等の工夫を加えて調整することができる。

或いは、反応空間と成膜空間の連結部のコンダクタンス
が小さい場合には、成膜空間に適当な排気装置を設け、
該装置の排気量を制御することで成膜空間の圧力を調整
することができる。

又、反応空間と成膜空間が一体的になっていて、反応位
置と成膜位置が空間的に異なるだけの場合には、前述の
様に差動排気するか或いは、排気能力の充分ある大型の
排気装置を設けてやればよい。

上記のようにして成膜空間内の圧力は、反応空間に導入
される気体状原料物質（Ａ）と伝導性を制御する物質を
構成要素として含む気体状物質と、気体状酸化剤の導入
圧力との関係に於いて決められるが、好ましくは、０．
００１　Ｔｏｒｒ　〜１００Ｔｏｒｒ　、より好ましく
は、０．０１　Ｔｏｒｒ　〜３０　Ｔｏｒｒ１最適には
、０．０５　Ｔｏｒｒ　〜１０　Ｔｏｒｒとするのが望
ましい。

ガスの流量に就いては、反応空間への気体状原料物質（
Ａ）、伝導性を制御する物質を構成成分として含む気体
状物質及び気体状酸化剤の導入の際にこれ等が均一に効
率良く混合され、前記前駆体が効率的に生成され且つ成
膜が支障なく適切になされる様に、ガス導入口と基体と
ガス排気口との幾可学的配置を考慮し【設計される必要
がある。

成膜時の基体温度としては、使用されるガス種及び形成
される堆積膜の種類と要求される特性に応じて、個々に
適宜所望に従って設定されるが、非晶質の膜を得る場合
には好ましくは室温から４５０℃、より好ましくは５０
〜４００℃、最適には７０〜３５０℃とするのが望まし
い。

成膜空間の雰囲気温度としては、生成される前記前駆体
及び前記前駆体より派生的に生ずる前駆体が成膜に不適
当なものに変化せず、且つ効率良く前記前駆体が生成さ
れる様に基体温度との関連で適宜所望に応じ【決められ
る。

次に、本発明の電子写真感光体の製造方法を実施するた
めの製造装置について図面により説明する。

第２図は、本発明の電子写真感光体を製造するのに好適
な装置の典型的１例を示す模式図であり、ＣＡ）は槓断
面図（Ｂ）は縦断面図、（Ｃ）は線Ｘ　−Ｘにより切断
した断面図である。

業２図に示す製造装置において、２０１は上壁、周囲壁
及び底壁で包囲密封形成されてなる成膜室へを備えた反
応容器であり、２０２はガス導入管である。ガス導入管
２０２は、ガス放出用の穿孔２０３が多数設けられてい
る気体状液化剤放出用壁２０４と、中心に位置する気体
状原料物質（Ａ）放出パイプ２０５とから構成されてお
り、該ガス導入／；ｌ’２０２の一方の端は、成ｆｉｍ
に開口し、他方の端は気体状原料物質（Ａ）導入パイプ
２０６および気体状酸化剤導入パイプ２０７に連通して
いる。

これらの気体状原料物質（Ａ）導入パイプ２０６および
気体状酸化剤導入パイプ２０７には、夫々、バルブ２０
８が設けられており、各々のガス供給源（図示せず）よ
り供給されたガスを、ガス導入管２０２に導入する際に
、各々のガスの流量を調整する働きをしている。２０９
はパルプ２０８を他端はキャリアーガス供給源（図示せ
ず）に連通している。気体状原料物質（Ａ）に加え【、
伝導性を制御する物質を構成要素として含む気体状物質
を用いる場合には、前記気体状原料物質（Ｎとあらかじ
め混合したものを、導入パイプ２０６を介して、ガス導
入管２０２に導入するか、あるいは、利金導入パイプを
設けて、直接ガス導入管２０２に導入する。

２１０は光受容ｔｍ形成用のＡＪシリンダーであＡｌシ
リンダー２１０を成膜時に適当な温度に加熱したり、あ
るいは、成膜前にＡｌシリンダー２１０を予備加熱した
９、更をこは、成膜後、形成された膜を７ニールするた
めに設けられ”Ｃいる。

２１２は、Ａｌシリンダー２１０を回転させるためのモ
ーターである。２１３は、反応容器２０１の底壁に設け
られた排気口であり、成膜室Ａ内のガスを排気するため
に、排気用パルプ２１４を備えた排気管を介して排気装
置（図示せず）に接続している。２１５はＡｌシリンダ
ー２１０とモーター２１２を連結する軸である。

第３図は、本発明の電子写真感光体を製造するたわめ他
の実施例装置を示す、縦断面略図である。

第３図において、３０１は成膜室Ａを備えた反応容器、
３０２′、３０２′、３０２”、は、ガス導入管であり
、これらのガス導入管の構造は、前述の第２（Ａ）乃至
（Ｃ）図におけるガス導入管２０２と同様のものである
。３１０はＡＪ？シリンダー、３１１′はＡｌシリンダ
ー加熱用の赤外線ランプ３１１′は赤外線ランプの反射
鏡、３１２はＡｌシリンダーの回転及び上下駆動用モー
ター、３１３は排気口、３１４は排気パルプである。３
１５はＡｌシリンダー３１０とモーター３１２を連結す
る軸である。

第３図に示す実施例装置においては、ガス導入管を３本
設置し、夫々、電荷注入阻止層形成用のガス導入管３０
２′″、感光層形成用のガス導入管３０２”および表面
層形成用のガス導入管３０２′とした点、及びＡｌシリ
ンダー加熱手段として赤外線ランプ３１１′及び赤外線
ランプの反射鏡３１１′を設けた点、及びＡｌシリンダ
ーが上下駆動するようにした点で、前述の第２図に示す
実施例装置と異なっているが、その他の点はすべて第２
図に示す実施例装置と同様のものである。

以上、実施例装置の典型例について記載したが、本発明
は、これらによって限定されるものではない。

〔実施例〕

次に、各実施例装置を用いて本発明の電子写真感光体を
製造する方法について、実施列を用いてより具体的に説
明する。

ス１１ユ第１（Ｅ）図に示すごとぎ、基体上に、電荷注入阻止層
、感光層および表面ｊからなる光受容層を有する電子写
真感光体を、第３図に示す装置を用いて以下のごとく製
造した。なお、本実施例におい【は、気体状原料物質（
Ａ）導入用パイプ２０５の先端の位置が、Ａｌシリンダ
ー２１０から約３（ｍのところになるように設置した。

まず、成膜ｇＡ内にＡｌシリンダー２１０を軸２１５を
介してつり下げ、排気パルプ２１４を開いて、成膜室内
の圧力が約Ｉ　Ｃｆ””　Ｔｏｒｒとなるま温度が３０
０℃になるまで加熱し、保持した。

こうしたところで、まず第一に、気体状ハロゲン系酸化
剤としてＦ、ガスを、気体状原料物質（Ａ）としＣ５ｉ
ｎ４ガスを、さらに伝導性を制御する物質を構成要素と
する気体状物質として馬１−ガスを用いて電荷注入阻止
層を形成した。即ち、Ｆ、ガス導入パイプ２０７に設け
たパルプ２０８が閉じられていることを確認した後、　
５ｔＯ４ガス（１００％）　１００　ＳＣＣＭとＨｅで
希釈したＢ１１１ｍガス（＆Ｔ（＠／Ｈｅ＝　３０００
　ｐｐｍ　）　１００８ＣＣＭとの混合ガスを成膜室２
０１内に導入した。該混合ガスの流量が安定しズから、
排気パルプ２１４を調整して成膜室の白玉が約０．８　
ＴｏｒｒになるようにＬ１内田が一定になったところで
、前記Ｆ、ガス導入パイプ２０７に設けられたパルプ２
０８を開け、Ｆ、ガス１５ＳＣＣＭを成膜室Ａに導入し
た。

この時、　Ｓｉｎ、ガスとＢ、Ｈａ　／Ｈｅガスの混合
ガスとＦ、ガスとの合流点からＡｌシリンダー２１０ま
で青色の強い発光が観察された。この状態で１時間保ち
、硼素原子を含有するａ−８ｉ：Ｈ：Ｆで構成された電
荷注入阻止層を成膜室Ａ内のＡｌシリンダー２１０上に
形成した。

次に、感光層を形成するため、一端、Ｆ、ガスの流入を
止めるとともにＢＩＨｓ　／Ｈｅガスの流入も止め、Ｈ
ｅガスの流量を１００５ＣＣＨに、ＳｉＨ，ガスの流量
を２００５ＣＣＭに変更した。流量が安定してから、排
気パルプ２１４を調節して、成膜室Ａ内の圧力が、０．
８　Ｔｏｒｒになるようにし、白玉が一定となったとこ
ろで、パルプを開いてＦ。

ガス３０　ＳＣＣＭを成膜室Ａ内に導入した。この状態
で４時間３０分保持し、電荷注入阻止層の形成されたＡ
Ｊシリンダー上にａ−５ｉ：Ｈ：Ｆで構成された感光層
を形成した。該感光層の層厚は２０μｍであった。

次に、表面層を形成するため、一端、Ｆｔガスの流入を
止めた後、前駆体生成用の気体状原料物質としてのＣＨ
４ガスとＳｉｎ、ガスを導入した。

即ち、Ｈｅガスの流量を１００　ＳＣＣＭ　、ＣＨ４ガ
スの流量を３００５ＣＣＭ　、　Ｓｉ＆ガスの流量を５
０５ＣＣＭとして、夫々のガスを成膜室に導入し、流量
が安定してから、排気パルプ２１４により、成膜室Ａの
内圧が０．８　Ｔｏｒｒとなるように調節した。内圧が
一定したところで、Ｆｌガス１５　ＳＣＣＭを導入し、
このままの状態で３０分保持し、電荷注入阻止層及び感
光層の形成されたＡｌシリンダー２１０上に、ａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｉ（：Ｆで構成された表面層を形成した。表面層の
層厚は約５００ＯＡであった。

すべてのガスの流入を止め、モーターの駆動及び加熱用
ヒーターを止め、排気パルプ２１４を開けて成膜室Ａ内
の圧力を大気圧とした後、Ａｌシリンダーを成膜室から
取りだし、得られた電子写真感光体の電子写真特性を検
討したところ、実用に十分な良好な特性を有するもので
あった。

また、Ａｌシリンダー上に形成された光受容層の膜厚及
び膜質の均一性について検討したところ、いずれもすぐ
れた均一性を有するものであった。

１施１」本例においては、第１（Ｅ）図に示すごとき層構成の電
子写真感光体を、第３図に示す装置を用いて形成した。

まず、成膜室Ａ内の回転軸３１５にＡＪシリンダー３１
０を取りつけ、排気パルプを開いて、成膜室内の圧力が
約１（ｒ″’　Ｔｏｒｒの真空度になるまで排気した。

次に赤外線ランプ３１１′によりＡｌシリンダーの温度
が２９０℃になるように設定した。こうしたところで、
ＡＪシリンダー３１０を、ガス導入管３０２”の位置よ
りも下に下げ、次にガス導入管３０２’、３０２’およ
び３０２”に下記の第１表に示す条件で気体状原料物質
（Ａ）及びキャリアーガスとしてのＨｅガスを導入した
。夫々のガスの流量が一定となったところで、排気パル
プ３１４により、成膜室の内圧を約０．８　Ｔｏｒｒに
調整した。成膜室の内圧が一定となったところで、ガス
導入管３０２′、３０２”および３０２１こ夫々、第１
表に示す条件で気体状酸化剤であるＦ、ガスを導入した
。この時、各ガス導入管のふき出し口から、Ａｌシリン
ダー表面まで青色の発光が観察された。このままの状態
で、Ａフシリンダ−３１０を回転させながら軸方向に１
１０Ｌ１分の速度で上方へ引き上げた。ガス導入管３０
２′、３０（及び３０２′から導入される原料ガスによ
る膜の堆積速度は第１表に示すとおりであった。このよ
うにしてＡｌシ２リンダ−３１０上に、硼素原子を含有
するａ−５ｉ：Ｈ：Ｆで構成された電荷注入阻止層約２
μ八ａ−８ｉ：）１：Ｆで構成された感光層約２０μｍ
１およびａ−８ｉＣ：Ｈ：Ｆで構成された表面層約０．
５μｍを形成した。

夫々のガス導入管へのガスの導入を止めるとともに、赤
外線ランプ、モーターの駆動を中止し、成膜室内の圧力
を大気圧に戻したのち、Ａｌシリンダーを成膜室から取
り出した。得られた電子写真感光体について検討したと
ころ、光受容層な構成する各層の膜厚及び膜の品質はい
ずれも均一で、すぐれたものであり、電子写真特性を調
べたところ、実用に十分な良好な特性を有するものであ
った。

実施例３実施例１と同様にして、ＡＪシリンダー上に各々下記の
第２表に示す条件により光受容層を製造した。

得られた電子写真感光体について検討したところ、光受
容層を構成する層はいずれも膜厚および膜質が均一であ
り、電子写真特性も実用に十分な優れたものであった。

実施例４実施例２と同様にして、ＡＩシリンダー上に、各々下記
の第３表に示す条件により光受容層を形成した。

得られた電子写真感光体について検討したところ、光受
容層を構成するｊｉはいずれも膜質および膜厚が均一で
あり、電子写真特性も実用に十分な優れたものであった
。

〔発明の効果の概要〕

本発明の電子写真感光体の光受容層は、気体状原料物質
（Ａ）と、該気体状原料物質（Ａ）に酸化作用する性質
を有する気体状酸化剤とを、各々別の径路より成膜空間
に導入して両者を化学的に接触させることにより、プラ
ズマ反応を介することなく形成された光受容層であって
、すぐれた電子写真特性を有するものである。そして、
本発明の電子写真感光体の製造方法及びそのための装置
は、形成される光受容層の特性を保持し、かつ、層形成
速度の向上を図りながら、層形成条件の管理の簡素化及
び量産化を達成しうるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の電子写真感光体の層構成の典型例を
示す模式図である。第２図は、本発明の電子写真感光体
を製造する装置の１例を模式的に示す断面略図であり、
第２（Ａ）図は横断面、第２（Ｂ）図は縦断面、第２（
Ｃ）図は（Ａ）図におけるＸ−Ｘ線における断面を各々
示している。第３図は、本発明の電子写真感光体を製造
するための装置の他の例を模式的に示す断面図である。第１図について、１０１・・・基体、１０２・・・光受容層、１０３・・
・感光層１０４・・・電荷注入阻止層、１０５・・・中
間層、１０６・・−表面層、１０７・・・第一の層、１
０８・・・第二の層第２，３図について、２０１　、３０１・・・反応容器、２０２　、３０２　
、３０２　、３０３・・・ガス導入管、２０３・・・ガ
ス放出用の穿孔、２０４・・・り体状酸化剤放出用壁、
２０５・・・光受容層形成用の原料物質放出パイプ、２
０６・・・気体状原料物質橢入パイプ、２０７・・・気
体状酸化剤導入パイプ、２０８・・・パルプ、２０９・
・・キャリアーガス導入用ノ′イブ、２１０，３１０・
・・Ａｌシリンダー、２１１・・・加熱用ヒーター、３
１１’・・・赤外線ランプ、３１１”・・・反射鏡、２
１２，３１２・・・駆動用モーター、２１３，３１３・
・・−１出口、２１４，３１４・・・排出パルプ、２１
５，３１５・・・連紅軸、Ａ・・・成膜室第３図図面の浄ルー（第１内容に変更なし）図ｔ２図手　　続　　補　　正　　書　（方　式）昭和６１年３
月４日特、？′［庁長官宇賀道部殿１、事件の表示昭和６０年持重願第２７７００３号２発明の名称電子写真感光体、その製造方法及びその製造装置３　補
正をする者事件との関係　　　　特許出願人住　所　　東京都大田区下丸子３丁目３０番２号名称　
（１００）キャノン株式会社４代理人住　所　　東京都千代田区麹町３丁目１２番地６麹町グ
リーンビル

Claims

【特許請求の範囲】

（１）電子写真感光体用の基体と、該基体上に設けられ
た光受容層とからなる電子写真感光体であって、前記光
受容層が、該光受容層形成用の気体状原料物質と、該気
体状原料物質に酸化作用する性質を有する気体状酸化剤
とを、各々別の経路で成膜空間に導入し、両者をプラズ
マ反応を介することなくして化学的に接触せしめて励起
状態の前駆体を含む複数種の前駆体を生成し、これ等の
前駆体のうち少なくとも一種の前駆体を前記光受容層の
構成要素の供給源として形成されたものであることを特
徴とする電子写真感光体。
（２）光受容層形成用の気体状原料物質が、伝導性を制
御する物質を構成要素として含む気体状物質を含有して
いる特許請求の範囲第（１）項に記載された電子写真感
光体。
（３）光受容層が、シリコン原子と、水素原子又はハロ
ゲン原子の少なくともいずれか一方とを含有する非晶質
材料で構成された感光層を少なくとも有している特許請
求の範囲第（１）項に記載された電子写真感光体。
（４）光受容層が、シリコン原子と、ゲルマニウム原子
又はスズ原子の少くともいずれか一方と、好ましくはさ
らに水素原子又はハロゲン原子の少なくとも一方とを含
有する非晶質材料で構成された感光層を少なくとも有し
ている特許請求の範囲第（１）項に記載の電子写真感光
体。
（５）感光層が、さらに伝導性を制御する物質を含有し
ている特許請求の範囲第（３）又は（４）項に記載の電
子写真感光体。
（６）光受容層が、感光層を少なくとも１つの構成層と
する多層構成である特許請求の範囲第（１）項に記載さ
れた電子写真感光体。
（７）光受容層が、伝導性を制御する物質を含有する電
荷注入阻止層を構成層の１つとして有している特許請求
の範囲第（５）項に記載の電子写真感光体。
（８）光受容層が、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の
中から選ばれる少なくともいずれか一種を含有する層を
構成層の１つとして有している特許請求の範囲第（６）
項に記載の電子写真感光体。
（９）光受容層が、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の
中から選ばれる少なくともいずれか一種を含有する表面
層を構成層の１つとして有している特許請求の範囲第（
６）項又は第（７）項に記載された電子写真感光体。
（１０）光受容層が、基体側から順に、ゲルマニウム原
子又はスズ原子の少なくともいずれか一方を含有する層
と、ゲルマニウム原子及びスズ原子のいずれも含有しな
い層とを有している特許請求の範囲第（６）項又は第（
９）項に記載された電子写真感光体。
（１１）光受容層形成用の気体状原料物質と、該気体状
原料物質に酸化作用する性質を有する気体状酸化剤とを
、各々別の経路で成膜空間に導入し、両者をプラズマ反
応を介することなくして化学的に接触せしめて励起状態
の前駆体を含む複数種の前駆体を生成せしめ、これらの
前駆体のうち少なくとも一種の前駆体を前記光受容層の
構成要素の供給源として前記成膜空間内に配置されてい
る電子写真感光体用の基体上に光受容層を形成せしめる
ことを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
（１２）光受容層形成用の気体状原料物質に、伝導性を
制御する物質を構成要素として含む気体状物質を含有せ
しめた特許請求の範囲第（１１）項に記載された電子写
真感光体の製造方法。
（１３）成膜時に発光を伴う特許請求の範囲第（１１）
項又は第（１２）項に記載された電子写真感光体の製造
方法。
（１４）光受容層形成用の気体状原料物質が、シラン化
合物である特許請求の範囲第（１１）項に記載された電
子写真感光体の製造方法。
（１５）光受容層形成用の気体状原料物質が、ゲルマニ
ウム化合物及び／又は水素化スズを含有している特許請
求の範囲第（１１）項に記載された電子写真感光体の製
造方法。
（１６）光受容層形成用の気体状原料物質が、炭化水素
化合物を含有している特許請求の範囲第（１１）項に記
載された電子写真感光体の製造方法。
（１７）気体状酸化剤が、ハロゲンガス又は発生期状態
のハロゲンから選ばれるハロゲン系酸化剤である特許請
求の範囲第（１１）項に記載された電子写真感光体の製
造方法。
（１８）気体状酸化剤が、酸素化合物である特許請求の
範囲第（１１）項に記載された電子写真感光体の製造方
法。
（１９）気体状酸化剤が、窒素化合物である特許請求の
範囲第（１１）項に記載された電子写真感光体の製造方
法。
（２０）上壁、周囲壁及び底壁で包囲密封形成されてな
る成膜室を備えた反応容器と、該反応容器の側壁に設け
られたガス導入管と、該反応容器の底壁に設けられたガ
ス排気口とを備えた電子写真感光体の製造装置であって
、前記反応容器内の反応空間に導入される光受容層形成
用の気体状原料物質と、該気体状原料物質に酸化作用す
る性質を有する気体状酸化剤とが、各々別の経路より前
記成膜空間に導入されると同時にプラズマ反応を介する
ことなく化学的に接触するようにしてなることを特徴と
する電子写真感光体製造装置。
（２１）ガス導入管のガス排出口が、成膜室に配置され
た基体の表面と対向する位置に設けられている特許請求
の範囲第（２０）項に記載された電子写真感光体製造装
置。
（２２）ガス導入管が、光受容層形成用の気体状原料物
質放出パイプを中心に有し、該気体状原料物質を酸化作
用する性質を有する気体状酸化剤放出壁を周囲に有する
ものである特許請求の範囲第（２０）項に記載された電
子写真感光体製造装置。
（２３）ガス導入管が、電子写真感光体の光受容層を構
成する層の数に対応して複数設けられている特許請求の
範囲第（２０）項に記載された電子写真感光体製造装置
。