JPS60243663A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS60243663A JPS60243663A JP59100751A JP10075184A JPS60243663A JP S60243663 A JPS60243663 A JP S60243663A JP 59100751 A JP59100751 A JP 59100751A JP 10075184 A JP10075184 A JP 10075184A JP S60243663 A JPS60243663 A JP S60243663A
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- gas
- film
- absorption
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
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- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフッ素化アモルファスシリコン光導電層から成
る電子写真感光体に関するものである。
る電子写真感光体に関するものである。
１９７５年、５ｐｅａｒとＬｅＣｏｍｂｅｒらがシラン
ガス（ＳｉＨ４）のグロー放電分解法により製作した水
素化アモルファスシリコン（ｊｌ下、ａ−８ｉ−：Ｈと
略シ、単なるアモルファスシリコンはａ−８＞と称する
）膜で初めて価電子制御に成功して以来、ａ−Ｓｉ：Ｈ
膜に関する研究開発は学術約１こも応用技術的にも極め
て活発に行なわれている。
ガス（ＳｉＨ４）のグロー放電分解法により製作した水
素化アモルファスシリコン（ｊｌ下、ａ−８ｉ−：Ｈと
略シ、単なるアモルファスシリコンはａ−８＞と称する
）膜で初めて価電子制御に成功して以来、ａ−Ｓｉ：Ｈ
膜に関する研究開発は学術約１こも応用技術的にも極め
て活発に行なわれている。
このａ−Ｓｉ：Ｈ膜はダングリングボンド（未結合手）
が水素で終端され、ダングリングボンドの数を１０１５
ｃ１１−３程度Ｇこまで少なくすることができ、これに
より、禁止帯中の局在準位密度は激減し、燐や硼素の添
加により価電子制御が可能となった。
が水素で終端され、ダングリングボンドの数を１０１５
ｃ１１−３程度Ｇこまで少なくすることができ、これに
より、禁止帯中の局在準位密度は激減し、燐や硼素の添
加により価電子制御が可能となった。
つまり、このａ−Ｓｊ−：Ｈ膜は価電子制御が可能な結
晶半導体の特徴を有すると共に薄膜形成が容易で且つ大
面積化が可能となり、更に低コストという利点も有する
。従ってａ−Ｓｉ、：Ｈ膜は太陽電池、光センサ、電子
写真感光体、撮像素子、薄膜トランジスターアレイなど
の光電変換デバイスに用いた応用研究が急速に進められ
ている。
晶半導体の特徴を有すると共に薄膜形成が容易で且つ大
面積化が可能となり、更に低コストという利点も有する
。従ってａ−Ｓｉ、：Ｈ膜は太陽電池、光センサ、電子
写真感光体、撮像素子、薄膜トランジスターアレイなど
の光電変換デバイスに用いた応用研究が急速に進められ
ている。
斯様にａ−Ｓｉ：Ｈ膜は光電変換デバイスに適した材料
であるが、電力用太陽電池や超高速複写用電子写真感光
体など過酷な条件下で使用されるデバイスの応用には耐
久性に問題がある。これはａ−Ｓｉ−：Ｅ（膜など一般
にアモルファス材料が熱平衝状態になく、外部から熱や
光のエネルギーが加えられると膜の構造が安定状態へ変
化するためである。
であるが、電力用太陽電池や超高速複写用電子写真感光
体など過酷な条件下で使用されるデバイスの応用には耐
久性に問題がある。これはａ−Ｓｉ−：Ｅ（膜など一般
にアモルファス材料が熱平衝状態になく、外部から熱や
光のエネルギーが加えられると膜の構造が安定状態へ変
化するためである。
実際、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜は長期間の強い光照射によって暗
抵抗率が減少し、３００℃以上の高温下で膜中の水素が
放出し、電気的特性が劣化することが報告されている。
抵抗率が減少し、３００℃以上の高温下で膜中の水素が
放出し、電気的特性が劣化することが報告されている。
上記の事述に鑑み、注目されたのがフッ素化アモルファ
スシリコン（以下、ａ−Ｓｉ、：Ｈ：Ｆト略ｔ）膜であ
る。フッ素は一価電子であるため、水素と同様にダング
リングボンドを終端し、そしてシリコン原子とフッ素原
子の結合エネルギー（ｓ、ｏａｅ＋ｖ）はシリコン原子
と水素原子の結合エネルギー（３，１０ｅｖ）に比べて
大きイコとからａ−Ｓｉ：）（：Ｆ膜はａ−８ｉ：Ｈ膜
よりも優れた安定性が期待でき、過酷な条件下で耐久性
が要求される光電変換デバイスに優位であると考えられ
る。
スシリコン（以下、ａ−Ｓｉ、：Ｈ：Ｆト略ｔ）膜であ
る。フッ素は一価電子であるため、水素と同様にダング
リングボンドを終端し、そしてシリコン原子とフッ素原
子の結合エネルギー（ｓ、ｏａｅ＋ｖ）はシリコン原子
と水素原子の結合エネルギー（３，１０ｅｖ）に比べて
大きイコとからａ−Ｓｉ：）（：Ｆ膜はａ−８ｉ：Ｈ膜
よりも優れた安定性が期待でき、過酷な条件下で耐久性
が要求される光電変換デバイスに優位であると考えられ
る。
しかしながら、このａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｆ膜を光導電層とし
た電子写真感光体への応用においては、優れた光感度特
性と共に暗抵抗が１０Ω・α以上必要であるとされるが
、グロー放電分解法によって生成されたａ−Ｓｉ−：Ｈ
：Ｆ膜は、反応圧力、高周波電力など様々な放電条件に
よって光感度特性や暗抵抗が著しく作用を受け、電子写
真特性全般について優れた効果を示すａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｆ
膜を得るのがむずかしかった。
た電子写真感光体への応用においては、優れた光感度特
性と共に暗抵抗が１０Ω・α以上必要であるとされるが
、グロー放電分解法によって生成されたａ−Ｓｉ−：Ｈ
：Ｆ膜は、反応圧力、高周波電力など様々な放電条件に
よって光感度特性や暗抵抗が著しく作用を受け、電子写
真特性全般について優れた効果を示すａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｆ
膜を得るのがむずかしかった。
更Ｇこ光感度特性及び暗抵抗に優れたａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｆ
光導電層を再現性よく安定した条件によって形成するた
めには、光感度特性及び暗抵抗に共通してその特性評価
ができる検知手段が望まれている。
光導電層を再現性よく安定した条件によって形成するた
めには、光感度特性及び暗抵抗に共通してその特性評価
ができる検知手段が望まれている。
従って本発明は上記事情に鑑みて完成されたものであり
、その目的はａ−Ｓｊ−：Ｈ：Ｆ膜の光感度特性及び暗
抵抗を向上せしめてａ−Ｓｉ光導電層の電子写真感光体
を提供することにある。
、その目的はａ−Ｓｊ−：Ｈ：Ｆ膜の光感度特性及び暗
抵抗を向上せしめてａ−Ｓｉ光導電層の電子写真感光体
を提供することにある。
本発明の他の目的はグロー放電分解法に従って製造条件
の設定が容易であると共に再現性及び安定性に優れた電
子写真感光体を提供することにある。
の設定が容易であると共に再現性及び安定性に優れた電
子写真感光体を提供することにある。
本発明によれば、赤外線吸収スペクトルの８２７ＣＭ”
−’と１０１５ｎにおける吸収ピークの吸収係数比が１
．３以上である水素及びフッ素を含有したａ−３ｉ光導
電層を有することを特徴とする電子写真感光体が提供さ
れる。
−’と１０１５ｎにおける吸収ピークの吸収係数比が１
．３以上である水素及びフッ素を含有したａ−３ｉ光導
電層を有することを特徴とする電子写真感光体が提供さ
れる。
以下、本発明の詳細な説明する。
ａ−３ｌ）（：Ｆ膜は後述のグロー放電分解法によって
生成されるが、反応圧力、高周波電力など様々な放電条
件によって光感度特性と暗抵抗が著しく作用を受ける。
生成されるが、反応圧力、高周波電力など様々な放電条
件によって光感度特性と暗抵抗が著しく作用を受ける。
そこで、本発明者等はこの原因を解明すべく種々の実験
を繰り返し行なったところ、ａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｆ膜中のＳ
ｊ−とＦの結合状態が電子写真感光体こ顕著に影響を及
ぼすことを知見した。
を繰り返し行なったところ、ａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｆ膜中のＳ
ｊ−とＦの結合状態が電子写真感光体こ顕著に影響を及
ぼすことを知見した。
即ち、ａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｆ膜の赤外線吸収スペクトルを測
定すると約１９００〜２１００ｃｙｓの波数領域で汎と
Ｈの結合状態を示す吸収ピークが現われる他に、Ｓｉと
Ｆの結合状態を示す吸収ピークとして８２７１ ＤＩｉｎＳ５−Ｆ２結合があり、１０１５ａｘ＋コＳＶ
ｓ結合があることを確認した。従ってそれぞれの吸収係
数α（８２７）、（１（１０１５）ｉこ対してその比で
あるα（８２７）／α（１０１５）はフッ素織合状態を
示す目安となることが判る。
定すると約１９００〜２１００ｃｙｓの波数領域で汎と
Ｈの結合状態を示す吸収ピークが現われる他に、Ｓｉと
Ｆの結合状態を示す吸収ピークとして８２７１ ＤＩｉｎＳ５−Ｆ２結合があり、１０１５ａｘ＋コＳＶ
ｓ結合があることを確認した。従ってそれぞれの吸収係
数α（８２７）、（１（１０１５）ｉこ対してその比で
あるα（８２７）／α（１０１５）はフッ素織合状態を
示す目安となることが判る。
本発明者等は後述の実施例が示す通り、電子写真特性に
影響を及ぼすのは主としてａ（８２７）／α（１０１５
）であり、Ｓｉｎ’３結合が少ない方が光感度特性及び
暗抵抗に優れることが判った。
影響を及ぼすのは主としてａ（８２７）／α（１０１５
）であり、Ｓｉｎ’３結合が少ない方が光感度特性及び
暗抵抗に優れることが判った。
１−７η７卑−ＶばＣル幼鼾トｈ膜中１）６５国ｘＥロ
Ｉｒ寸−ｒ→−ｊし／す？ると共に暗抵抗が１０Ω・葎
以上となるにはα（８２７）／α（１０１５）が１．３
以上であればよく、その結果、この数値を目安として製
造条件の設定ができると共に再現性及び安定性に優れた
電子写真感光体が提供できる。
Ｉｒ寸−ｒ→−ｊし／す？ると共に暗抵抗が１０Ω・葎
以上となるにはα（８２７）／α（１０１５）が１．３
以上であればよく、その結果、この数値を目安として製
造条件の設定ができると共に再現性及び安定性に優れた
電子写真感光体が提供できる。
次にａ−８ＩＨ：Ｆ膜の具体的な製法を詳述する。
ａ−Ｓｌ：Ｈ：Ｆ膜の製作はａ−８１：１（膜の製作と
違って、Ｓｉ、Ｆ４などのフッ素含有シリコン化合物を
用いる。このガスはプラズマ中でエツチング作用が強い
ため、グロー放電分解法でフッ素含有シリコン化合物の
みを使ってフッ素化ａ−Ｓｉ膜を製作することが不可能
である。従って、本発明者等はＳｉＦ４ガスを用いて、
他の混合ガスとして（１）Ｓｉ、Ｆ４＋Ｅ（２糸、（ｉ
ｌＳｉＦ４＋ＳｉＨ＋糸、曲）ＳｉＦ４＋５ｉ−Ｈ４＋
ＨＱ糸をａ−８１層生成用ガスとして実験したところ、
（１）の方法は成膜可能な条件が非常に狭く、成膜速度
が約０．４６μ屑／時と極めて遅い。（１１）の方法で
はせいぜい約２μｍ／時程度である。曲）の方法では１
０数μｍ／時〜数１０μ＃！／時の成膜速度を達成して
おり、これについてはグロー放電に際するガス圧及びガ
ス組成比を設定することが重要である。
違って、Ｓｉ、Ｆ４などのフッ素含有シリコン化合物を
用いる。このガスはプラズマ中でエツチング作用が強い
ため、グロー放電分解法でフッ素含有シリコン化合物の
みを使ってフッ素化ａ−Ｓｉ膜を製作することが不可能
である。従って、本発明者等はＳｉＦ４ガスを用いて、
他の混合ガスとして（１）Ｓｉ、Ｆ４＋Ｅ（２糸、（ｉ
ｌＳｉＦ４＋ＳｉＨ＋糸、曲）ＳｉＦ４＋５ｉ−Ｈ４＋
ＨＱ糸をａ−８１層生成用ガスとして実験したところ、
（１）の方法は成膜可能な条件が非常に狭く、成膜速度
が約０．４６μ屑／時と極めて遅い。（１１）の方法で
はせいぜい約２μｍ／時程度である。曲）の方法では１
０数μｍ／時〜数１０μ＃！／時の成膜速度を達成して
おり、これについてはグロー放電に際するガス圧及びガ
ス組成比を設定することが重要である。
即ち、フッ素含有シリコン化合物及び水素含有シリコン
化合物の他に水素ガスや希ガスから成るキャリアーガス
が加えられたａ−８ｌ一層化成用ガスの圧力をグロー放
電に際して０．２〜３’ｒｏｒｒに設定するのがよい。
化合物の他に水素ガスや希ガスから成るキャリアーガス
が加えられたａ−８ｌ一層化成用ガスの圧力をグロー放
電に際して０．２〜３’ｒｏｒｒに設定するのがよい。
この本発明の範囲から外れると全ガス中のフッ素含有シ
リコン化合物の含有ガス組成比率にも関連するが、成膜
するのが困難であり、成膜してもその速度が小さく、更
に光感度特性及び暗抵抗は顕著に劣っている。
リコン化合物の含有ガス組成比率にも関連するが、成膜
するのが困難であり、成膜してもその速度が小さく、更
に光感度特性及び暗抵抗は顕著に劣っている。
また、このａ−Ｓｉ、層化成用ガスの圧力に関連してガ
スの組成比を特定することが重要であり、フッ素含有シ
リコン化合物と水素含有シリコン化合物のガス容積に対
してフッ素含有シリコン化合物のガス容積を２０〜５０
％に設定するとよい。
スの組成比を特定することが重要であり、フッ素含有シ
リコン化合物と水素含有シリコン化合物のガス容積に対
してフッ素含有シリコン化合物のガス容積を２０〜５０
％に設定するとよい。
このガス組成比が５０％を越えると膜のはく離が発生し
たり、成膜しなかったりする。逆昏こ２０％未満である
とフッ素の含有量の著しく少ない膜ができて耐久性に優
れたａ−８ｉ、ｌｌｉ＋ができなくなる。
たり、成膜しなかったりする。逆昏こ２０％未満である
とフッ素の含有量の著しく少ない膜ができて耐久性に優
れたａ−８ｉ、ｌｌｉ＋ができなくなる。
更に本発明によれば、前述のガス圧及びガス組成比と関
連するが、本発明者等が種々の実験を繰り返した結果、
グロー放電を発生させる反応室にガスを導入するに際し
て、グロー放電分解領域に導入する単位時間当りのａ−
８ｉ層生成用ガス量がこのグロー放電分解領域の容積に
対して２０〜１５゜７分の範囲に設定することが重要で
あると知見した。
連するが、本発明者等が種々の実験を繰り返した結果、
グロー放電を発生させる反応室にガスを導入するに際し
て、グロー放電分解領域に導入する単位時間当りのａ−
８ｉ層生成用ガス量がこのグロー放電分解領域の容積に
対して２０〜１５゜７分の範囲に設定することが重要で
あると知見した。
即ち、斯様な表示によってガス流速を特定した理由はガ
ス流速を大きくするのに伴って成膜速度は大きくなるが
、ガス流速がこの範囲から外れた場合、後述の実施例が
示す通り、光感度特性及び暗抵抗が顕著に劣化するため
電子写真感光体として実用上支障がでるためである。そ
して、このガス流速に対して、表面にａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｆ
膜が形成される基板の形状や寸法については格別な関連
性が見つかっておらず、電子写真感光体の概ねすべての
基板に対して当てはまると言える。
ス流速を大きくするのに伴って成膜速度は大きくなるが
、ガス流速がこの範囲から外れた場合、後述の実施例が
示す通り、光感度特性及び暗抵抗が顕著に劣化するため
電子写真感光体として実用上支障がでるためである。そ
して、このガス流速に対して、表面にａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｆ
膜が形成される基板の形状や寸法については格別な関連
性が見つかっておらず、電子写真感光体の概ねすべての
基板に対して当てはまると言える。
また本発明に係るフッ素含有シリコン化合物にはＳｉＦ
４．５ｉｐＦａ、５ｉ８Ｆｓなど種々の化合物があり、
本発明に係る水素含有シリコン化合物にはＳｉＨ４゜５
ｉｚＨｓ、５ｉａＨｓなどの種々の化合物がある。
４．５ｉｐＦａ、５ｉ８Ｆｓなど種々の化合物があり、
本発明に係る水素含有シリコン化合物にはＳｉＨ４゜５
ｉｚＨｓ、５ｉａＨｓなどの種々の化合物がある。
更にまた本発明においては前記シリコン化合物系ガスを
Ｈ２ガスもしくはＡｒ、Ｈｅなどの希ガスから成るキャ
リアーガスと混合してａ−３１層生成用ガスとしている
ことに特徴があり、このキャリアーガスは光感度特性及
び暗抵抗を向上させるため全ガス中ガス容積比で５０〜
９０％の範囲に設定することが望ましい。そして本発明
者等は種々の実験からとりわけＨ２ガスやＨθガスを用
いると光感度特性及び暗抵抗が顕著に向上することを確
がめた。
Ｈ２ガスもしくはＡｒ、Ｈｅなどの希ガスから成るキャ
リアーガスと混合してａ−３１層生成用ガスとしている
ことに特徴があり、このキャリアーガスは光感度特性及
び暗抵抗を向上させるため全ガス中ガス容積比で５０〜
９０％の範囲に設定することが望ましい。そして本発明
者等は種々の実験からとりわけＨ２ガスやＨθガスを用
いると光感度特性及び暗抵抗が顕著に向上することを確
がめた。
次にａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｆ膜を生成するための誘導結合型グ
ロー放電分解装置を第１図に基づき説明する。
ロー放電分解装置を第１図に基づき説明する。
第１図中、第１．第２．第３タンク（１１（２１（３）
にはそれぞれＨ２、ＳｉＦ４．５ｕ（４が密封されてお
り、水素がキャリアーガスとして用いられる。これらの
ガスは対応する第１．第２．第３調整弁（４１＋５１１
６１を開放することにより放出され、その流量がマス−
１，−、−、ｙ、：ｆり１００ｗｏ１１７１−ｈｍ＃４
＋−ｖｈｒｘｔｒ１第２．第３タンク＋１１＋２１＋３
１からのガスはガス導入管部へ送られる。尚、ｔｔｎｔ
ｔｚは止め弁である。ガス導入管ＯＩを通して流れるガ
スは反応室α３へと送り込まれるが、この反応室（１３
１の周囲には共振振動コイルα４が巻回されており、そ
れ自体の高周波電力は５ＱＷａｔｔＳ〜３ｋｉｌＯＷａ
ｔｔｓが、また周波数はｌＭＨｚ〜数１０ＭＥ（Ｚが適
当である。反応室０内部には、その上にａ−ＳＩＨ：Ｆ
膜が形成される、例えばアルミニウム板やＮＥＳＡガラ
ス板のような円筒状の基板ｆ１５１カモ−ター４１６１
により回転可能であるターンテーブルＣ１７１上に載置
されており、この基板ａｓ自体は適当な加熱手段により
約１００〜４００℃、好ましくは約１５０〜２５０℃の
温度１こ均一加熱されている。
にはそれぞれＨ２、ＳｉＦ４．５ｕ（４が密封されてお
り、水素がキャリアーガスとして用いられる。これらの
ガスは対応する第１．第２．第３調整弁（４１＋５１１
６１を開放することにより放出され、その流量がマス−
１，−、−、ｙ、：ｆり１００ｗｏ１１７１−ｈｍ＃４
＋−ｖｈｒｘｔｒ１第２．第３タンク＋１１＋２１＋３
１からのガスはガス導入管部へ送られる。尚、ｔｔｎｔ
ｔｚは止め弁である。ガス導入管ＯＩを通して流れるガ
スは反応室α３へと送り込まれるが、この反応室（１３
１の周囲には共振振動コイルα４が巻回されており、そ
れ自体の高周波電力は５ＱＷａｔｔＳ〜３ｋｉｌＯＷａ
ｔｔｓが、また周波数はｌＭＨｚ〜数１０ＭＥ（Ｚが適
当である。反応室０内部には、その上にａ−ＳＩＨ：Ｆ
膜が形成される、例えばアルミニウム板やＮＥＳＡガラ
ス板のような円筒状の基板ｆ１５１カモ−ター４１６１
により回転可能であるターンテーブルＣ１７１上に載置
されており、この基板ａｓ自体は適当な加熱手段により
約１００〜４００℃、好ましくは約１５０〜２５０℃の
温度１こ均一加熱されている。
また反応室（１３１の内部はａ−Ｓｉ、：Ｈ：Ｆ膜形成
時に高度の真空状ＤＣ放電圧０．２〜３Ｔｏｒｒ）を必
要とすることにより回転ポンプαａと拡散ポンプ（１９
ｔこ連結されている。
時に高度の真空状ＤＣ放電圧０．２〜３Ｔｏｒｒ）を必
要とすることにより回転ポンプαａと拡散ポンプ（１９
ｔこ連結されている。
以上の構成のグロー放電分解装置において、第１、第２
．第３調整弁ｆ４＋＋５１（６１を開放して第１．第２
、第３タンクｆｉ＋＋２１＋３１よりＨ２ガス−ＳｉＦ
４ガスーＳｉＨ４ガスを放出し、その放出量はマスフロ
ーコントローラ＋７＋＋８１１９＋により規制される。
．第３調整弁ｆ４＋＋５１（６１を開放して第１．第２
、第３タンクｆｉ＋＋２１＋３１よりＨ２ガス−ＳｉＦ
４ガスーＳｉＨ４ガスを放出し、その放出量はマスフロ
ーコントローラ＋７＋＋８１１９＋により規制される。
斯様にガス組成比が所定の範囲に設定されると共薔こ全
ガス流量が特定され、反応室ａ３へ送り込まれる。かく
して、反応室ａ３内部が０．２〜３Ｔｏｒｒの真空状態
、基板温度が１００〜４００℃、共振振動コイル（１４
１の高周波電力が５ＱＷａｔｔＳ〜３ｋｊ−１ｏｗａｔ
ｔｓ、その周波数が１〜数ＩＱＭＨｚに設定され、更Ｇ
こ望ましくは反応室ｆ１３内部でのガス流速が所定の範
囲に設定されるのに相俟ってグロー放電を発生させると
ａ−８ｉ。
ガス流量が特定され、反応室ａ３へ送り込まれる。かく
して、反応室ａ３内部が０．２〜３Ｔｏｒｒの真空状態
、基板温度が１００〜４００℃、共振振動コイル（１４
１の高周波電力が５ＱＷａｔｔＳ〜３ｋｊ−１ｏｗａｔ
ｔｓ、その周波数が１〜数ＩＱＭＨｚに設定され、更Ｇ
こ望ましくは反応室ｆ１３内部でのガス流速が所定の範
囲に設定されるのに相俟ってグロー放電を発生させると
ａ−８ｉ。
：Ｈ：Ｆ膜が１０数〜数１０μｍ／時の成膜速度で形成
される。
される。
また本発明においてはａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｆ膜を生成するた
め容量結合型グロー放電分解装置を用いてもよく、この
装置を第２図に示す。尚、第２図中、第１図と同一箇所
には同一符号が付しである。
め容量結合型グロー放電分解装置を用いてもよく、この
装置を第２図に示す。尚、第２図中、第１図と同一箇所
には同一符号が付しである。
第２図においては、ガス導入管０〔を通して流れるガス
は反応室（１３Ａ）へと送り込まれるが、この反応室内
部の基盤の周囲には容量結合型放電用電極（２１が配設
されており、それ自体に高周波電力を印加してプラズマ
を起こすというものである。そして、この構成のグロー
放電分解装置において、第１図の誘導結合型グロー放電
分解装置で述べた方法と同じ操作に従って、容量結合型
放電用電極ｍｓｒ５ｏｗａｔｔｓ〜３ｋｉｌｏｗａｔｔ
ｓ（Ｄ高周波電力を印加し、反応室（１３Ａ）内の基板
α９との間でグロー放電を発生してガス分解によりａ−
Ｓｉ：Ｈ：Ｆ膜を基板上に一定の成膜速度で形成する。
は反応室（１３Ａ）へと送り込まれるが、この反応室内
部の基盤の周囲には容量結合型放電用電極（２１が配設
されており、それ自体に高周波電力を印加してプラズマ
を起こすというものである。そして、この構成のグロー
放電分解装置において、第１図の誘導結合型グロー放電
分解装置で述べた方法と同じ操作に従って、容量結合型
放電用電極ｍｓｒ５ｏｗａｔｔｓ〜３ｋｉｌｏｗａｔｔ
ｓ（Ｄ高周波電力を印加し、反応室（１３Ａ）内の基板
α９との間でグロー放電を発生してガス分解によりａ−
Ｓｉ：Ｈ：Ｆ膜を基板上に一定の成膜速度で形成する。
以下、本発明の実施例を述べる。
〔実施例１〕
上述した第１図に示す誘導結合型グロー放電分解装置で
ドラム状アルミニウム基板にａ−３ｉ：Ｈ：Ｆ膜を形成
し、この成膜具合をテストした。
ドラム状アルミニウム基板にａ−３ｉ：Ｈ：Ｆ膜を形成
し、この成膜具合をテストした。
即ち、本例薔こおいては内径１００ｍ１高さ６００ｆｌ
のパイレックス管を反応室（１３１とし、この内部のタ
ーンテーブル（１７１上にドラム状アルミニウム基板α
９を載置し、第１．第２．第３タンク（１＋＋２１（３
１よりＨ２ガス、ＳｉＦ４ガス、５ｉｆ（４ガスを放出
し、これらのガス流量の比率に応じてグロー放電雰囲気
のガス組成比が決められる。
のパイレックス管を反応室（１３１とし、この内部のタ
ーンテーブル（１７１上にドラム状アルミニウム基板α
９を載置し、第１．第２．第３タンク（１＋＋２１（３
１よりＨ２ガス、ＳｉＦ４ガス、５ｉｆ（４ガスを放出
し、これらのガス流量の比率に応じてグロー放電雰囲気
のガス組成比が決められる。
このパイレックス管内部のグロー放電分解領域は共振振
動コイルＩの設定範囲により決められるが、本実施例に
おいてはグロー放電分解領域の高さを１００６になるよ
うに設定すると、その領域の容積は７８５ＣＭとなる。
動コイルＩの設定範囲により決められるが、本実施例に
おいてはグロー放電分解領域の高さを１００６になるよ
うに設定すると、その領域の容積は７８５ＣＭとなる。
従って５ｉ−Ｆ＋、５ｉ−Ｅ（４，Ｈ２の全ガスの流速
を８８ＢＱＱｍｌこ設定するとグロー放電分解領域に導
入する単位時間当りのａ−Ｓ１層生成用ガス量はこの領
域の容積に対して３４７分となる。
を８８ＢＱＱｍｌこ設定するとグロー放電分解領域に導
入する単位時間当りのａ−Ｓ１層生成用ガス量はこの領
域の容積に対して３４７分となる。
また高周波電力を２００Ｗ、基板温度を２００℃、Ｓｉ
Ｆ４ガスとＳｉＨ４ガスノ流量和を１１ｓｅｃｍとし、
全ガス圧とＳｉＦ４ガス組成比（Ｒ６ＩＦ４−８ＸＦ４
／（ＳｉＦ４ガスｉ、Ｈ＋））を変数として実験を繰り
返したところ、第３図に示す通りの結果を得た。
Ｆ４ガスとＳｉＨ４ガスノ流量和を１１ｓｅｃｍとし、
全ガス圧とＳｉＦ４ガス組成比（Ｒ６ＩＦ４−８ＸＦ４
／（ＳｉＦ４ガスｉ、Ｈ＋））を変数として実験を繰り
返したところ、第３図に示す通りの結果を得た。
同図中、Ｏ印は均一で良質な膜が生成したことを示し、
Δ印は膜のはく離が発生し、Ｘ印は成膜しなかったこと
を示す。
Δ印は膜のはく離が発生し、Ｘ印は成膜しなかったこと
を示す。
第３図から明らかな通り、反応室（１３内部の全ガス圧
及びＳｉＦ４ガス組成比が本発明の範囲内であると均一
で良質な膜が形成できたことが判る。
及びＳｉＦ４ガス組成比が本発明の範囲内であると均一
で良質な膜が形成できたことが判る。
実施例１に基づいて高周波電力を２００Ｗ、反応室内部
のガス圧を２．５Ｔｏｒｒに設定し、更にガス流速を３
４７分、６８７分に設定した場合、ＳｉＦ４ガス組成比
Ｒ３１Ｆ＋を変化させて成膜速度を調べたところ、第４
図に示す通りの結果を得た。同図中、ム印及び・印はそ
れぞれガス流速３４／分、６８／分のフロラトラ示し、
曲線ａ、ｂは対応するそれぞれの依存特性曲線を示す。
のガス圧を２．５Ｔｏｒｒに設定し、更にガス流速を３
４７分、６８７分に設定した場合、ＳｉＦ４ガス組成比
Ｒ３１Ｆ＋を変化させて成膜速度を調べたところ、第４
図に示す通りの結果を得た。同図中、ム印及び・印はそ
れぞれガス流速３４／分、６８／分のフロラトラ示し、
曲線ａ、ｂは対応するそれぞれの依存特性曲線を示す。
第４図より明らかな通り、ガス流速が大きい６８／分の
方が同じＲ３１Ｆ＋に対する成膜速度は大きくなってい
ることが判る。また、両者ともＲ８１Ｆ＋の増加による
成膜速度の減少はＳｉＨ４ガス流量の減少に加えてＳｉ
Ｆ４ガス流量の増加によるものであり、前述した通り、
ＳｉＦ４ガスはプラズマ中でエツチング作用をもつため
、ＳｉＦ４ガス流量の増加は成膜速度を減少させること
が判る。
方が同じＲ３１Ｆ＋に対する成膜速度は大きくなってい
ることが判る。また、両者ともＲ８１Ｆ＋の増加による
成膜速度の減少はＳｉＨ４ガス流量の減少に加えてＳｉ
Ｆ４ガス流量の増加によるものであり、前述した通り、
ＳｉＦ４ガスはプラズマ中でエツチング作用をもつため
、ＳｉＦ４ガス流量の増加は成膜速度を減少させること
が判る。
〔実施例３〕
本実施例においてはガス流速がａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｆ膜の暗
抵抗に及ぼす影響について実験を行なった。
抵抗に及ぼす影響について実験を行なった。
８口ｔ：、’ＳｆｅａｔＩＩＦ”りｔＭ７−’ｔｉｆ”
Ａ：Ｉｋ”Ｗ→７ｉＱＡ＾υＪ反応室内部のガスを２．
５ＴＯｒｒ、Ｒ８１Ｆ、ヲ４０％ニ設定し、ガス流速を
変化させながら、成膜速度及び暗抵抗を測定したところ
、第５図に示す結果が得られた。
Ａ：Ｉｋ”Ｗ→７ｉＱＡ＾υＪ反応室内部のガスを２．
５ＴＯｒｒ、Ｒ８１Ｆ、ヲ４０％ニ設定し、ガス流速を
変化させながら、成膜速度及び暗抵抗を測定したところ
、第５図に示す結果が得られた。
同図中、Ｏ印はガス流速に対する成膜速度のプロットで
あり、Ｃはその依存特性曲線である。そして、Δ印はガ
ス流速憂こ対する暗抵抗のプロットであり、ｄはその依
存特性曲線である。
あり、Ｃはその依存特性曲線である。そして、Δ印はガ
ス流速憂こ対する暗抵抗のプロットであり、ｄはその依
存特性曲線である。
第５図より明らかな通り、ガス流速が大きくなるに伴っ
て成膜速度が大きくなるが、暗抵抗をｔｏＩＪΩ・１以
上にするためにはガス流速を２０〜１５ｏ／分の範囲に
設定するのが望ましいことが判る。
て成膜速度が大きくなるが、暗抵抗をｔｏＩＪΩ・１以
上にするためにはガス流速を２０〜１５ｏ／分の範囲に
設定するのが望ましいことが判る。
〔実施例４〕
実施例１に従って高周波電力を２００Ｗ、反応室内部の
ガス圧を２５ＴＯｒｒに設定し、更にガス流速を３４７
分、６８／分に設定した場合、赤外線吸収スペクトルに
おける吸収係数比、暗導電率及び光導電率、光感度特性
のそれぞれのＳｉ、Ｒ４ガス組成比Ｒ３１Ｆ＋依存特性
を測定した。
ガス圧を２５ＴＯｒｒに設定し、更にガス流速を３４７
分、６８／分に設定した場合、赤外線吸収スペクトルに
おける吸収係数比、暗導電率及び光導電率、光感度特性
のそれぞれのＳｉ、Ｒ４ガス組成比Ｒ３１Ｆ＋依存特性
を測定した。
即ち、第６図はＲ８１Ｆ＋に対する赤外線吸収スペクト
ルにおける吸収係数比の変化を示す。同図中、○印及び
ｅ印はそれぞれガス流速３４／分、６８／分薔こおける
α（８２７）／α（１０１５）のプロットを示し、曲線
ｅ、ｆは対応するそれぞれの依存特性曲線を示す。
ルにおける吸収係数比の変化を示す。同図中、○印及び
ｅ印はそれぞれガス流速３４／分、６８／分薔こおける
α（８２７）／α（１０１５）のプロットを示し、曲線
ｅ、ｆは対応するそれぞれの依存特性曲線を示す。
またＳｉＦｇ結合及びＳｉ、Ｆ３結合の濃度の相対的変
化を示すパラメーターとしてそれぞれα（８２７）／α
（６４０）、ｆｆ（１０１５）／α（６４０）を示した
。コ（７）ａ（６４ｏ）は６４０１の吸収ピークが８１
とＨのすべての結合によるものであるため、この２つの
吸収係数比はＳｌとＨの縁結合量に対するＦ結合量を表
わす。
化を示すパラメーターとしてそれぞれα（８２７）／α
（６４０）、ｆｆ（１０１５）／α（６４０）を示した
。コ（７）ａ（６４ｏ）は６４０１の吸収ピークが８１
とＨのすべての結合によるものであるため、この２つの
吸収係数比はＳｌとＨの縁結合量に対するＦ結合量を表
わす。
同図中、△印及びム印はそれぞれガス流速３４／分、６
８／分におけるα（８２７）／α（６４０）のプロット
を示し、曲ｍｇ、ｈは対応するそれぞれの依存特性曲線
を示す。そして口印及び■印はそれぞれガス流速３４／
分、６８／分におけるα（１０１５）／α（６４０）の
プロットを示し、曲線１．ｊは対応するそれぞれの依存
特性曲線を示す。
８／分におけるα（８２７）／α（６４０）のプロット
を示し、曲ｍｇ、ｈは対応するそれぞれの依存特性曲線
を示す。そして口印及び■印はそれぞれガス流速３４／
分、６８／分におけるα（１０１５）／α（６４０）の
プロットを示し、曲線１．ｊは対応するそれぞれの依存
特性曲線を示す。
第６図によれば、ガス流速が小さい場合、Ｒ３’ＩＦ４
が増加するのに伴ってα（８２７）／α（６４０）とα
（１０１５）／α（６４０）が共に増大しており、α（
８２７）／α（１０１５）は減少する。またガス流速が
大きい場合も、Ｒ８ｉ。
が増加するのに伴ってα（８２７）／α（６４０）とα
（１０１５）／α（６４０）が共に増大しており、α（
８２７）／α（１０１５）は減少する。またガス流速が
大きい場合も、Ｒ８ｉ。
の増加に伴ってα（８２７）／α（６４０）及びα（１
０１５）／α（６４０）は増加するが、その増加の割合
は少ない。
０１５）／α（６４０）は増加するが、その増加の割合
は少ない。
そしてα（８２７）／α（１０１５）はＲ８１−Ｆ＋と
無関係で〜Ｌ５とほぼ一定の値を示している。
無関係で〜Ｌ５とほぼ一定の値を示している。
以上の事から、ＳｉＦ４ガス流量が増すと膜中のフッ素
結合は増加するが、ガス流速が少ない場合、この変化は
顕著となり、特にフッ素高次結合（ＳｉＦａ結合）の増
加が著しいことが判った。
結合は増加するが、ガス流速が少ない場合、この変化は
顕著となり、特にフッ素高次結合（ＳｉＦａ結合）の増
加が著しいことが判った。
また、６４０ａｘの吸収ピークから水素の定量を行った
ところ、水素含有量はガス流速及びＲ８１Ｆ＋と顕著な
依存性がなく、一般のａ−Ｓｉ：Ｈ膜の水素含有量（Ｉ
Ｂａｔｏｍｉ−ｃ％）に近イ１５〜２０ａｔｏｍｉｃ％
の範囲に分布していることを確かめた。
ところ、水素含有量はガス流速及びＲ８１Ｆ＋と顕著な
依存性がなく、一般のａ−Ｓｉ：Ｈ膜の水素含有量（Ｉ
Ｂａｔｏｍｉ−ｃ％）に近イ１５〜２０ａｔｏｍｉｃ％
の範囲に分布していることを確かめた。
次に第７図は室温における暗導電率及び光導電率のＲ３
１Ｆ＋依存特性を示す。尚、これらの測定は波長６５０
ｎｒｌｌ、強度５０μｆＪ／ｃａの単色光を照射して行
なった。
１Ｆ＋依存特性を示す。尚、これらの測定は波長６５０
ｎｒｌｌ、強度５０μｆＪ／ｃａの単色光を照射して行
なった。
同図中、△印及び○印はそれぞれガス流速３４／分、６
８７分における光導電率のプロットを示し、曲線に、ｌ
は対応するそれぞれの依存特性面゛線を示す。そして、
ム印及び・印はそれぞれガス流速３４／分、６８／分に
おける暗導電率のプロットを示し、曲線ｍ、ｎは対応す
るそれぞれの依存特性曲線を示す。
８７分における光導電率のプロットを示し、曲線に、ｌ
は対応するそれぞれの依存特性面゛線を示す。そして、
ム印及び・印はそれぞれガス流速３４／分、６８／分に
おける暗導電率のプロットを示し、曲線ｍ、ｎは対応す
るそれぞれの依存特性曲線を示す。
第７図から明らかな通り、ガス流速が３４／分の場合・
暗導’１１率ハＲ８＞Ｒ４−３５％で最小値となり、光
導電率はＲ勇−Ｒ４−０％で２２×１０−１０び／αで
あり、ＲＳＩＦ４が３５％を越えると減少傾向にある。
暗導’１１率ハＲ８＞Ｒ４−３５％で最小値となり、光
導電率はＲ勇−Ｒ４−０％で２２×１０−１０び／αで
あり、ＲＳＩＦ４が３５％を越えると減少傾向にある。
他方、ガス流速が６８／分の場合、暗導電率はＲ５１Ｆ
。
。
＝２０〜５５％の広い範囲でほぼ一定値（〜５ｘｉｏ＝
’ｙ７ｔ’ｍ）となり、はとんどＲ８ｉ［・、に依存し
ないばかりか、電子写真特性として優れた値である。
’ｙ７ｔ’ｍ）となり、はとんどＲ８ｉ［・、に依存し
ないばかりか、電子写真特性として優れた値である。
第８図は光学ギャップＥｇＯｐｔ及び暗導電率の活性化
エネルギー組のＲ３５−Ｆ４依存特性を示したものであ
る１、尚、ＥｇＯｐｔは可視光吸収係数αによりｖ’ａ
ｈｙ−ｈどプロット（ｙ＝波数）の外１１ｉからめた。
エネルギー組のＲ３５−Ｆ４依存特性を示したものであ
る１、尚、ＥｇＯｐｔは可視光吸収係数αによりｖ’ａ
ｈｙ−ｈどプロット（ｙ＝波数）の外１１ｉからめた。
６８７分における光学ギャップＥｇｏ−ｐｔのプロット
を示し、曲線Ｏ１ｐは対応するそれぞれの依存特性曲線
を示す。ム印及び・印はそれぞれガス流速３４／分、６
８／分における暗導電率の活性化エネルギーＥａのプロ
ットを示し、曲線ｑ、ｒは対応するそれぞれの依存特性
曲線を示す。
を示し、曲線Ｏ１ｐは対応するそれぞれの依存特性曲線
を示す。ム印及び・印はそれぞれガス流速３４／分、６
８／分における暗導電率の活性化エネルギーＥａのプロ
ットを示し、曲線ｑ、ｒは対応するそれぞれの依存特性
曲線を示す。
第８図から明らかな通り、ＥＥｇＯｐｔがガス流速６８
／分の場合、Ｒ３１−Ｆ＋に対してほとんど変化せず、
ガス流速３４７分においてもＲ３１−Ｆ＋の増加に伴っ
てわずかに減少しているが、１．８〜１．９ｅＶの範囲
にある。従って、Ｅｇｏ：ｐｔはＲ３ｉＦ４にほとんど
依存しないと考えられる。
／分の場合、Ｒ３１−Ｆ＋に対してほとんど変化せず、
ガス流速３４７分においてもＲ３１−Ｆ＋の増加に伴っ
てわずかに減少しているが、１．８〜１．９ｅＶの範囲
にある。従って、Ｅｇｏ：ｐｔはＲ３ｉＦ４にほとんど
依存しないと考えられる。
また活性化エネルギー鳳はＲ８１Ｆ＜の増加に伴ってＥ
ｇｙｐｔ、／２程度まで増大しており、フェルミ準位が
伝導帯側から禁示帯中央へ移動していることが判る。こ
のことから、第７図で認められた暗導電率の減少は活性
化エネルギーｇａの増加番ζよるものであり、そして膜
中のフッ素はアクセプタのような働きをするものと推察
できる。しかし、ガス流速３４／分でＲ８１Ｆ、＞３５
％において、暗導電率と活性化エネルギーＥａの変化は
矛盾している。この原因については、光導電率が同時に
減少していることから、禁止帯中の局在準位が増加した
ためと思われる。第６図の原子結合状態の変化に着目し
てこの局在準位は５ｉＦａ結合に起因している。
ｇｙｐｔ、／２程度まで増大しており、フェルミ準位が
伝導帯側から禁示帯中央へ移動していることが判る。こ
のことから、第７図で認められた暗導電率の減少は活性
化エネルギーｇａの増加番ζよるものであり、そして膜
中のフッ素はアクセプタのような働きをするものと推察
できる。しかし、ガス流速３４／分でＲ８１Ｆ、＞３５
％において、暗導電率と活性化エネルギーＥａの変化は
矛盾している。この原因については、光導電率が同時に
減少していることから、禁止帯中の局在準位が増加した
ためと思われる。第６図の原子結合状態の変化に着目し
てこの局在準位は５ｉＦａ結合に起因している。
従ッテ、Ｓｉ、Ｆａ結合の少なイａ−Ｓｉ：Ｅ（：Ｆ膜
は１０１４Ω・１以上の暗抵抗率をもち、しかも、（ｉ
５ＱｎＴｎ。
は１０１４Ω・１以上の暗抵抗率をもち、しかも、（ｉ
５ＱｎＴｎ。
５０μＷ／ｃｊの光照射で光導電率／暗導電率が５×１
０と高いフォトゲインを有していることから、電子写真
感光体として優れた材料である。本発明者等は上述に従
って種々の実験を繰り返した結果、（７（８２７）＃（
１０１５）が１３以上であれば実用上支障のない電子写
真特性が得られることを確認した。
０と高いフォトゲインを有していることから、電子写真
感光体として優れた材料である。本発明者等は上述に従
って種々の実験を繰り返した結果、（７（８２７）＃（
１０１５）が１３以上であれば実用上支障のない電子写
真特性が得られることを確認した。
上述の実施例より、本発明をこよれば、吸収係数比α（
８２７）／ｃｆ（１０１５）が１．３以上であるａ−Ｓ
ｉ：Ｈ：Ｆ膜は耐久性に著しく優れているという利点を
有するのに加えて、光感度特性及び暗抵抗に優れたａ−
３ｉ−光導電層となり、更にこの吸収係数比を所定範囲
に設定することにより製造条件の設定が容易であると共
に再現性及び安定性に優れた電子写真感光体が提供でき
る。
８２７）／ｃｆ（１０１５）が１．３以上であるａ−Ｓ
ｉ：Ｈ：Ｆ膜は耐久性に著しく優れているという利点を
有するのに加えて、光感度特性及び暗抵抗に優れたａ−
３ｉ−光導電層となり、更にこの吸収係数比を所定範囲
に設定することにより製造条件の設定が容易であると共
に再現性及び安定性に優れた電子写真感光体が提供でき
る。
更に本発明のａ−８ｉ光導電層はグロー放電雰囲気のガ
ス圧並びにそのガス成分及びその組成比を所定の範囲基
こすると電子写真特性の品質を維持しなから成膜速度を
向上させることができ、そして、電子写真特性の高品質
を達成するためには本発明の表示によるガス流速を所定
範囲にする必要があることも判った。
ス圧並びにそのガス成分及びその組成比を所定の範囲基
こすると電子写真特性の品質を維持しなから成膜速度を
向上させることができ、そして、電子写真特性の高品質
を達成するためには本発明の表示によるガス流速を所定
範囲にする必要があることも判った。
第１図及び第２図はフッ素化アモルファスシリコン膜を
形成するためのグロー放電分解装置、第３図はグロー放
電のガス圧及び３１Ｆ’４ガス組成比に対する成膜具合
を示すグラフ、第４図はフッ素化アモルファスシリコン
膜の成膜速度のＳｉＦ４ガス組成比依存特性曲線を示す
グラフ、第５図はフッ素化アモルファスシリコン膜の成
膜速度及び暗抵抗のガス流速依存特性曲線を示すグラフ
、第６図はフッ素化アモルファスシリコン膜の赤外線吸
収スペクトルにおける吸収係数比のＳｉＦ４ガス組化ア
モルファスシリコン膜の暗導電率及び光導電率の５ｉ−
Ｆ４ガス組成比依存特性曲線を示すグラフ、第８図はフ
ッ素化アモルファスシリコン膜の光学ギャップ及び暗導
電率の活性化エネルギーのＳｉＦ４ガス組成比依存特性
曲線を示すグラフである。 ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ・・・フッ素化アモルファスシ
リコン膜の赤外線吸収スペク トルにおける吸収係数比の ８５−Ｆ＜ガス組成比依存特性 曲線 に、ｌ・・フッ素化アモルファスシリコン膜の光導電率
のＳｉＦ４ガス組成比依存特性曲線 ｍ、ｎ・・・・フッ素化アモルファスシリコン膜の暗導
電率のＳｉＦ４ガス組成比依存特性曲線 ○、ｐ・・・・・フッ素化アモルファスシリコン膜の光
学ギャップのＳｉＦ４ガス組成比依存特性曲線ｑ、ｒ・
・・・・・フッ素化アモルファスシリコン膜の暗導電率
活性化エネルギーのＳｉＦ＋ガス組成比依存特性曲線 特許出願人京セラ株式会社 同河村孝夫 第８図 ０．０４０，２０，４２４ 全力゛ス氏（Ｔｏｒｒ） 第６図 Ｒ’ｓ＋Ｆ＋−Ｃ％）
形成するためのグロー放電分解装置、第３図はグロー放
電のガス圧及び３１Ｆ’４ガス組成比に対する成膜具合
を示すグラフ、第４図はフッ素化アモルファスシリコン
膜の成膜速度のＳｉＦ４ガス組成比依存特性曲線を示す
グラフ、第５図はフッ素化アモルファスシリコン膜の成
膜速度及び暗抵抗のガス流速依存特性曲線を示すグラフ
、第６図はフッ素化アモルファスシリコン膜の赤外線吸
収スペクトルにおける吸収係数比のＳｉＦ４ガス組化ア
モルファスシリコン膜の暗導電率及び光導電率の５ｉ−
Ｆ４ガス組成比依存特性曲線を示すグラフ、第８図はフ
ッ素化アモルファスシリコン膜の光学ギャップ及び暗導
電率の活性化エネルギーのＳｉＦ４ガス組成比依存特性
曲線を示すグラフである。 ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ・・・フッ素化アモルファスシ
リコン膜の赤外線吸収スペク トルにおける吸収係数比の ８５−Ｆ＜ガス組成比依存特性 曲線 に、ｌ・・フッ素化アモルファスシリコン膜の光導電率
のＳｉＦ４ガス組成比依存特性曲線 ｍ、ｎ・・・・フッ素化アモルファスシリコン膜の暗導
電率のＳｉＦ４ガス組成比依存特性曲線 ○、ｐ・・・・・フッ素化アモルファスシリコン膜の光
学ギャップのＳｉＦ４ガス組成比依存特性曲線ｑ、ｒ・
・・・・・フッ素化アモルファスシリコン膜の暗導電率
活性化エネルギーのＳｉＦ＋ガス組成比依存特性曲線 特許出願人京セラ株式会社 同河村孝夫 第８図 ０．０４０，２０，４２４ 全力゛ス氏（Ｔｏｒｒ） 第６図 Ｒ’ｓ＋Ｆ＋−Ｃ％）
Claims (1)
- 赤外線吸収スペクトルの８２７１と１０１５ｃｌｌにお
ける吸収ピークの吸収係数比が１．３以上である水素及
ｒＪフッ素を含有したアモルファスシリコン光導電層を
有することを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59100751A JPS60243663A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 電子写真感光体 |
| US06/654,197 US4624906A (en) | 1984-05-18 | 1984-09-24 | Electrophotographic sensitive member having a fluorinated amorphous silicon photoconductive layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59100751A JPS60243663A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60243663A true JPS60243663A (ja) | 1985-12-03 |
| JPH0514899B2 JPH0514899B2 (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=14282223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59100751A Granted JPS60243663A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 電子写真感光体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4624906A (ja) |
| JP (1) | JPS60243663A (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4849315A (en) * | 1985-01-21 | 1989-07-18 | Xerox Corporation | Processes for restoring hydrogenated and halogenated amorphous silicon imaging members |
| US4772486A (en) * | 1985-02-18 | 1988-09-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming a deposited film |
| JP2635021B2 (ja) * | 1985-09-26 | 1997-07-30 | 宣夫 御子柴 | 堆積膜形成法及びこれに用いる装置 |
| US4812325A (en) * | 1985-10-23 | 1989-03-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming a deposited film |
| CA1315614C (en) * | 1985-10-23 | 1993-04-06 | Shunichi Ishihara | Method for forming deposited film |
| JPS62136885A (ja) * | 1985-12-11 | 1987-06-19 | Canon Inc | 光起電力素子、その製造方法及びその製造装置 |
| JPS62136871A (ja) * | 1985-12-11 | 1987-06-19 | Canon Inc | 光センサ−、その製造方法及びその製造装置 |
| JPH0752305B2 (ja) * | 1985-12-11 | 1995-06-05 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体の製造方法 |
| JPH0645886B2 (ja) * | 1985-12-16 | 1994-06-15 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
| JPH0651906B2 (ja) * | 1985-12-25 | 1994-07-06 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
| JPH0647730B2 (ja) * | 1985-12-25 | 1994-06-22 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
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| JPH0514899B2 (ja) | 1993-02-26 |
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