JPS63137173A - アモルフアスシリコンカ−バイド膜の製法 - Google Patents
アモルフアスシリコンカ−バイド膜の製法Info
- Publication number
- JPS63137173A JPS63137173A JP61283389A JP28338986A JPS63137173A JP S63137173 A JPS63137173 A JP S63137173A JP 61283389 A JP61283389 A JP 61283389A JP 28338986 A JP28338986 A JP 28338986A JP S63137173 A JPS63137173 A JP S63137173A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- light
- film
- gases
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 9
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 65
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 4
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- GUNJVIDCYZYFGV-UHFFFAOYSA-K antimony trifluoride Chemical compound F[Sb](F)F GUNJVIDCYZYFGV-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/204—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table including AIVBIV alloys, e.g. SiGe, SiC
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアモルファスシリコンカーバイド膜の製法に関
し、より詳細には成膜速度を向上することのできる量産
性に優れたアモルファスシリコンカーバイド膜の製法に
関する。
し、より詳細には成膜速度を向上することのできる量産
性に優れたアモルファスシリコンカーバイド膜の製法に
関する。
近年、単結晶材料から成る半導体に加えて非晶質（アモ
ルファス）薄膜から成る半導体が注目され、太陽電池等
の光電変換素子或いは電子写真用感光体としてその利用
が活発に行われている。
ルファス）薄膜から成る半導体が注目され、太陽電池等
の光電変換素子或いは電子写真用感光体としてその利用
が活発に行われている。
その半導体材料としてはアモルファスシリコン（ａ−５
ｔ ）或いはアモルファスシリコンカーバイド（ａ−Ｓ
ｉＣ）が注目されており、特にａ−３ｉＣはａ−Ｓｉに
比べて大きなバンドギャップをもつと共に耐熱性、耐熱
衝撃性、耐摩耗性に優れていることから感光体や発光、
受光素子としての応用が進められている。この種の成膜
手段としてグロー放電分解法をはじめとして光ＣＶＤ法
、熱ＣＶＤ法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法等が知られ
ているが、これらの中でも光ＣＶＤ法ではプラズマのよ
うに高エネルギー粒子がないので成膜中に膜の損傷を起
こさず高品質の膜を得ることができ、しかも大面積でも
膜質の均一化をはかることができ、さらに光波長の操作
によって膜組成を変えることができることから膜の制御
および装置の簡略化ができ、高性能デバイス開発のため
の有力な手段として注目されている。
ｔ ）或いはアモルファスシリコンカーバイド（ａ−Ｓ
ｉＣ）が注目されており、特にａ−３ｉＣはａ−Ｓｉに
比べて大きなバンドギャップをもつと共に耐熱性、耐熱
衝撃性、耐摩耗性に優れていることから感光体や発光、
受光素子としての応用が進められている。この種の成膜
手段としてグロー放電分解法をはじめとして光ＣＶＤ法
、熱ＣＶＤ法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法等が知られ
ているが、これらの中でも光ＣＶＤ法ではプラズマのよ
うに高エネルギー粒子がないので成膜中に膜の損傷を起
こさず高品質の膜を得ることができ、しかも大面積でも
膜質の均一化をはかることができ、さらに光波長の操作
によって膜組成を変えることができることから膜の制御
および装置の簡略化ができ、高性能デバイス開発のため
の有力な手段として注目されている。
一方、ａ−５ｉＣ膜の製造に際しては反応ガスとして従
来からメタン、エタン、プロパン、エチレン等のＣ（炭
素）含有ガス、並びにシラン、ジシラン、トリシラン、
４フツ化ケイ素などのＳｉ（ケイ素）含有ガスを用いて
いる。
来からメタン、エタン、プロパン、エチレン等のＣ（炭
素）含有ガス、並びにシラン、ジシラン、トリシラン、
４フツ化ケイ素などのＳｉ（ケイ素）含有ガスを用いて
いる。
しかし乍ら、上記のような反応ガスを用いて光ＣＶＤ法
によってａ−５ｉＣ膜を生成させても成膜速度が１５〜
３０人／ｍｉｎと低（ａ−５ｉＣ膜の量産化が困難であ
って、例えば約５〜３０μｍの厚みが要求される感光体
への応用はほとんどできないものであった。よって現在
では成膜速度を向上させることが切望されている。
によってａ−５ｉＣ膜を生成させても成膜速度が１５〜
３０人／ｍｉｎと低（ａ−５ｉＣ膜の量産化が困難であ
って、例えば約５〜３０μｍの厚みが要求される感光体
への応用はほとんどできないものであった。よって現在
では成膜速度を向上させることが切望されている。
かかる要求に対して、本発明者等は研究を重ねた結果、
反応ガスのうちＣ含有ガスと゛してＣｚＨｔガスを用い
ることによりＣｔＨｔ自体の高分解効率によってａ−５
ｉＣの生成が極めて高速化されることを知見し、発明に
至った。
反応ガスのうちＣ含有ガスと゛してＣｚＨｔガスを用い
ることによりＣｔＨｔ自体の高分解効率によってａ−５
ｉＣの生成が極めて高速化されることを知見し、発明に
至った。
即ち、本発明は内部に基板が設置された反応管に反応ガ
スとして少なくともＳｉ含有ガスとＣｔＨｚガスを導入
するとともに光照射し、該光エネルギーによって該反応
ガスを励起分解して該基板上にアモルファスシリコンカ
ーバイドを析出させることを特徴とするものでする。
スとして少なくともＳｉ含有ガスとＣｔＨｚガスを導入
するとともに光照射し、該光エネルギーによって該反応
ガスを励起分解して該基板上にアモルファスシリコンカ
ーバイドを析出させることを特徴とするものでする。
以下、本発明を詳述ひる。
光ＣＶＤ法によれば、基板が内部に設置された反応管に
反応ガスを導入し、反応ガスに反応管外部からの光照射
、例えば紫外光等の短波長光を照射することによって光
エネルギーがガス分子に吸収され、ガス分子が励起分解
して活性種となる。
反応ガスを導入し、反応ガスに反応管外部からの光照射
、例えば紫外光等の短波長光を照射することによって光
エネルギーがガス分子に吸収され、ガス分子が励起分解
して活性種となる。
ここで例えばＳｉ含有ガスとＣ含有ガスを反応ガスとし
た場合ＳｔとＣの活性種が生成され、この活性種が基板
上で結合することによりａ−５ｉＣ膜が生成される。
た場合ＳｔとＣの活性種が生成され、この活性種が基板
上で結合することによりａ−５ｉＣ膜が生成される。
本発明によれば反応ガスを少なくともＳｉ含有ガスとＣ
含有ガスとから構成し、Ｃ含有ガスとして少なくともＣ
，Ｏ，ガスを選択することが重要である。
含有ガスとから構成し、Ｃ含有ガスとして少なくともＣ
，Ｏ，ガスを選択することが重要である。
ＣＪｚは他の（：１４．ＣｚＨ４，ＣｚＨｉ等の気体と
比較して分解効率が極めて優れることによりａ−５ｉＣ
膜の高速成膜が達成されるものである。
比較して分解効率が極めて優れることによりａ−５ｉＣ
膜の高速成膜が達成されるものである。
用いられるＳｉ含有ガスとしてはＳ ｉＨａ ＋ Ｓ
ｉ ｚ Ｈｂ ＋Ｓ ｉ ｚ Ｈｓ ＋ Ｓ Ｉ Ｆ
ａ ＋ Ｓ ｉ Ｃｌ ａ ＋ Ｓ Ｉ ＨＣ１３等が
挙げられるが、特に５ｉｎＸｚｎ−ｚ（但しｎ≧２、ｘ
＝）１．、ＴＩ、ＣＩ）で表されるガスは１モル光中の
Ｓ＋原子数が多く、分解能に優れることからさらに高速
成膜化が達成できる。
ｉ ｚ Ｈｂ ＋Ｓ ｉ ｚ Ｈｓ ＋ Ｓ Ｉ Ｆ
ａ ＋ Ｓ ｉ Ｃｌ ａ ＋ Ｓ Ｉ ＨＣ１３等が
挙げられるが、特に５ｉｎＸｚｎ−ｚ（但しｎ≧２、ｘ
＝）１．、ＴＩ、ＣＩ）で表されるガスは１モル光中の
Ｓ＋原子数が多く、分解能に優れることからさらに高速
成膜化が達成できる。
上述したＣ２］１□ガスとＳｉ含有ガスの割合は（Ｃ２
Ｈ２ガス：Ｓｉ含有ガス）組成比が０．０５：ｌ乃至３
：１であることが望ましい。
Ｈ２ガス：Ｓｉ含有ガス）組成比が０．０５：ｌ乃至３
：１であることが望ましい。
さらに本発明によればＣ含有ガスとしてＣ，ｔ＋、ガス
と他の炭化水素ガス、例えばＣ１１（但し、Ｘ≧１、Ｙ
≧４）のガスを組み合わせることによりＣＪｚの高分解
効率を、若干抑制し膜質の制御を容易にならしめるとと
もにＣＪｚガスのもつ分解爆発性を緩和させ、取り扱い
を容易にならしめることができる。
と他の炭化水素ガス、例えばＣ１１（但し、Ｘ≧１、Ｙ
≧４）のガスを組み合わせることによりＣＪｚの高分解
効率を、若干抑制し膜質の制御を容易にならしめるとと
もにＣＪｚガスのもつ分解爆発性を緩和させ、取り扱い
を容易にならしめることができる。
また、上述したＣ含有ガス、Ｓｉ含有ガスの他に例えば
ａ−ＳｉＣ中のダングリングボンドを終端させることを
目的としてＨあるいはハロゲン元素を含むガスを混入さ
せることができ、その量は生成される膜全体に対し５乃
至５０原子％、特に１０乃至４０原子％の範囲になるよ
うに添加される。
ａ−ＳｉＣ中のダングリングボンドを終端させることを
目的としてＨあるいはハロゲン元素を含むガスを混入さ
せることができ、その量は生成される膜全体に対し５乃
至５０原子％、特に１０乃至４０原子％の範囲になるよ
うに添加される。
そのａ−ＳｉＣ膜の特性を変えるために各種の元素をド
ープすることができる。 ａ−５ｉＣ膜自体は弱いｎ型
半導体であって例えばＰ、Ｎ、Ａｓ、Ｓｂ等の周期律表
第Ｖａ族元素を１０，０００ｐｐｍ以下の範囲でドープ
させることによりさらにｎ型を強めることができ、逆に
Ｂ、 ＡＩ 、 Ｇａ、 Ｉｎ等の周期律表第ｍａ族元
素を０．１乃至１０．ＯＯＯｐｐｍの範囲でドープさせ
ることによってＰ型半導体とすることができる。
ープすることができる。 ａ−５ｉＣ膜自体は弱いｎ型
半導体であって例えばＰ、Ｎ、Ａｓ、Ｓｂ等の周期律表
第Ｖａ族元素を１０，０００ｐｐｍ以下の範囲でドープ
させることによりさらにｎ型を強めることができ、逆に
Ｂ、 ＡＩ 、 Ｇａ、 Ｉｎ等の周期律表第ｍａ族元
素を０．１乃至１０．ＯＯＯｐｐｍの範囲でドープさせ
ることによってＰ型半導体とすることができる。
このような場合には、反応ガス中に核ドーピング元素を
含有するガス、たとえば周期律表第ｍａ族元素含有ガス
としてＢＪｂ、ＢＦ：ｉ、Ａｌ（Ｃ）Ｉｚ）ｓ、Ｇａ（
ＣＨｚ）、Ｉｎ（ＣＬ）３等を反応ガス中に１０−６乃
至１モルχ、特に１０−’乃至０．１モルχの割合で、
また周期律表第Ｖａ族元素含有ガスとしてｐＨ３，Ｎｚ
、ＡｓＨ：＋＋ＡｓＦ：＋＋ＳｂＦ３等を反応ガス中に
１モル％以下、特に０．１モル２以下の割合で含有すれ
ばよい。
含有するガス、たとえば周期律表第ｍａ族元素含有ガス
としてＢＪｂ、ＢＦ：ｉ、Ａｌ（Ｃ）Ｉｚ）ｓ、Ｇａ（
ＣＨｚ）、Ｉｎ（ＣＬ）３等を反応ガス中に１０−６乃
至１モルχ、特に１０−’乃至０．１モルχの割合で、
また周期律表第Ｖａ族元素含有ガスとしてｐＨ３，Ｎｚ
、ＡｓＨ：＋＋ＡｓＦ：＋＋ＳｂＦ３等を反応ガス中に
１モル％以下、特に０．１モル２以下の割合で含有すれ
ばよい。
次に本発明の製法の一実施例を説明するための概略図で
ある第１図を参照して説明する。
ある第１図を参照して説明する。
図中、タンク（１） （２） （３） （４）にはそれ
ぞれＳｉ含有ガス、ＣＺ ＋１ ！ガスを主体とするＣ
含有ガス、Ｈ２ガス、ドーピング元素含有ガスがそれぞ
れ密封されており、これらのガスは対応する調整弁（５
） （６） （７） （８）を開放することにより放出
され、そのｆＬ量がマスフローコントローラ（９） （
１０） （１１） （１２）により制御されてメインパ
イプ（１３）へ送られ、メインパイプ（１３）は反応管
（Ｉ４）に接続されている。反応管（工４）内部には基
板（１５）が設置され、基板（１５）はフィラメント等
の加熱手段（１６）によって加熱される。一方反応管（
１４）の一部には光入射用窓（１７）が設けられ反応管
外部の光１（１８）からの光が反応域に照射されるよう
に配置されている。また、所望によりメインパイプ（１
３）の途中に成膜工程上反応促進のために水銀蒸気を触
媒として取り入れることもできる。
ぞれＳｉ含有ガス、ＣＺ ＋１ ！ガスを主体とするＣ
含有ガス、Ｈ２ガス、ドーピング元素含有ガスがそれぞ
れ密封されており、これらのガスは対応する調整弁（５
） （６） （７） （８）を開放することにより放出
され、そのｆＬ量がマスフローコントローラ（９） （
１０） （１１） （１２）により制御されてメインパ
イプ（１３）へ送られ、メインパイプ（１３）は反応管
（Ｉ４）に接続されている。反応管（工４）内部には基
板（１５）が設置され、基板（１５）はフィラメント等
の加熱手段（１６）によって加熱される。一方反応管（
１４）の一部には光入射用窓（１７）が設けられ反応管
外部の光１（１８）からの光が反応域に照射されるよう
に配置されている。また、所望によりメインパイプ（１
３）の途中に成膜工程上反応促進のために水銀蒸気を触
媒として取り入れることもできる。
このような構成によって例えばＢがドープされたａ−３
ｉＣ膜を生成する際にはタンク（４）に例えばＢ、Ｈ＆
ガス（ＩＩ２によって希釈されてもよい）を密封してお
き、各ガス？Ａ量を調整しつつ反応管（１４）に反応ガ
スを導入する。反応管ではガス圧Ｑ、１Ｔｏｒｒ乃至常
圧、基板温度５０〜４００℃に設定されている。
ｉＣ膜を生成する際にはタンク（４）に例えばＢ、Ｈ＆
ガス（ＩＩ２によって希釈されてもよい）を密封してお
き、各ガス？Ａ量を調整しつつ反応管（１４）に反応ガ
スを導入する。反応管ではガス圧Ｑ、１Ｔｏｒｒ乃至常
圧、基板温度５０〜４００℃に設定されている。
そこに光入射窓（１７）を通して光源（１８）から特定
の波長の光を照射することにより、反応ガスが励起分解
し、基板表面にａ−５ｉＣ：Ｈ：Ｂ膜が形成される。
の波長の光を照射することにより、反応ガスが励起分解
し、基板表面にａ−５ｉＣ：Ｈ：Ｂ膜が形成される。
なお、用いられる光源としては用いる反応ガスの励起波
長に応じて選択され、一般的には低圧水銀ランプ、重水
素ランプの他、レーザー光としてアルゴンレーザーの高
調波、Ａｒ、Ｐ等のエキシマレーザ−等が用いられるが
、ａ−ＳｉＣ膜の製造に際してはガス分子に対する励起
波長のマツチング、成膜大面積均一化、光源装置の簡易
性から低圧水銀ランプが望ましい。
長に応じて選択され、一般的には低圧水銀ランプ、重水
素ランプの他、レーザー光としてアルゴンレーザーの高
調波、Ａｒ、Ｐ等のエキシマレーザ−等が用いられるが
、ａ−ＳｉＣ膜の製造に際してはガス分子に対する励起
波長のマツチング、成膜大面積均一化、光源装置の簡易
性から低圧水銀ランプが望ましい。
このようにして得られるａ−ＳｉＣ膜は具体的には半導
体としての用途から Ｓｔ＋１−Ｘｌ ｘ ・・・（１） 但し、０．０１≦Ｘ≦０．９．特に０．０５≦Ｘ≦０．
５で表わされるものである。
体としての用途から Ｓｔ＋１−Ｘｌ ｘ ・・・（１） 但し、０．０１≦Ｘ≦０．９．特に０．０５≦Ｘ≦０．
５で表わされるものである。
次に本発明を次の例で説明する。
Ｃ実施例〕
反応ガスとして第１表に示すＳｉ含有ガス、Ｃ含有ガス
、Ｈ２ガス、ドーピング元素含有ガス（ＩＩ□で２０ｐ
ｐｍ濃度に希釈されたＢｚＨ，ガス）を用いて第１図に
示した装置に基づき、反応ガスを第１表の流量で反応管
内に導入して波長１８５ ｎｍの低圧水銀ランプ光を照
射して反応を３０時間行いドーピング元素を含むａ−５
ｉＣ：Ｈ膜を生成した。尚、その時の膜質を測定し、１
時間当たりの成膜速度を測定した。
、Ｈ２ガス、ドーピング元素含有ガス（ＩＩ□で２０ｐ
ｐｍ濃度に希釈されたＢｚＨ，ガス）を用いて第１図に
示した装置に基づき、反応ガスを第１表の流量で反応管
内に導入して波長１８５ ｎｍの低圧水銀ランプ光を照
射して反応を３０時間行いドーピング元素を含むａ−５
ｉＣ：Ｈ膜を生成した。尚、その時の膜質を測定し、１
時間当たりの成膜速度を測定した。
各反応条件は第１表に示す通りである。
〔発明の効果〕
以上詳述した通り、本発明のアモルファスシリコンカー
バイド膜の製法によれば、反応ガスとして少なくともＳ
ｉ含有ガスとＣ含有ガスとしてＣ２Ｈ２ガスを用い、こ
れを反応系内に導入して光エネルギーによって反応ガス
を励起分解して該基板上にａ−ＳｉＣを析出させること
によって良質なａ−３ｉＣを高速に且つ均質に成膜する
ことができ、それによってａ−５ｉＣの半導体として、
受光素子、発光素子或いは電子写真感光体等への応用に
際し、その量産化を達成することができる。
バイド膜の製法によれば、反応ガスとして少なくともＳ
ｉ含有ガスとＣ含有ガスとしてＣ２Ｈ２ガスを用い、こ
れを反応系内に導入して光エネルギーによって反応ガス
を励起分解して該基板上にａ−ＳｉＣを析出させること
によって良質なａ−３ｉＣを高速に且つ均質に成膜する
ことができ、それによってａ−５ｉＣの半導体として、
受光素子、発光素子或いは電子写真感光体等への応用に
際し、その量産化を達成することができる。
第１図は本発明の製法の一実施例を説明するための概略
図である。 Ｌ２，３．４ ・・・タンク １４・・・・・・反応
管１５・・・・・・基板 １８・・・・・・光源特許
出願人 （６６３）京セラ株式会社同 汚材 孝
夫
図である。 Ｌ２，３．４ ・・・タンク １４・・・・・・反応
管１５・・・・・・基板 １８・・・・・・光源特許
出願人 （６６３）京セラ株式会社同 汚材 孝
夫
Claims (1)
- （１）内部に基板が設置された反応管に反応ガスとして
少なくともＳｉ含有ガスとＣ＿２Ｈ＿２ガスを導入する
とともに光照射し、該光エネルギーによって該反応ガス
を励起分解して該基板上にアモルファスシリコンカーバ
イドを析出させることを特徴とするアモルファスシリコ
ンカーバイド膜の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61283389A JPS63137173A (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | アモルフアスシリコンカ−バイド膜の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61283389A JPS63137173A (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | アモルフアスシリコンカ−バイド膜の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63137173A true JPS63137173A (ja) | 1988-06-09 |
Family
ID=17664884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61283389A Pending JPS63137173A (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | アモルフアスシリコンカ−バイド膜の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63137173A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2013065315A1 (ja) * | 2011-11-02 | 2015-04-02 | 国立大学法人山口大学 | 窒素がドープされたアモルファスシリコンカーバイドよりなるｎ型半導体及びｎ型半導体素子の製造方法 |
-
1986
- 1986-11-27 JP JP61283389A patent/JPS63137173A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2013065315A1 (ja) * | 2011-11-02 | 2015-04-02 | 国立大学法人山口大学 | 窒素がドープされたアモルファスシリコンカーバイドよりなるｎ型半導体及びｎ型半導体素子の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5214002A (en) | Process for depositing a thermal CVD film of Si or Ge using a hydrogen post-treatment step and an optional hydrogen pre-treatment step | |
| JPS5989407A (ja) | アモルフアスシリコン膜の形成方法 | |
| JPH0514899B2 (ja) | ||
| US4755483A (en) | Method for producing semiconductor device with p-type amorphous silicon carbide semiconductor film formed by photo-chemical vapor deposition | |
| JPS6042817A (ja) | 水素化アモルフアスシリコン膜の価電子制御方法 | |
| JPS63137173A (ja) | アモルフアスシリコンカ−バイド膜の製法 | |
| JPH07221026A (ja) | 高品質半導体薄膜の形成方法 | |
| JPS61247020A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPH0587171B2 (ja) | ||
| JPH0817738A (ja) | 結晶性半導体薄膜形成方法 | |
| JPS63258016A (ja) | 非晶質薄膜の作製方法 | |
| JPS6042765A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS63136514A (ja) | アモルフアスシリコンカ−バイド膜の製法 | |
| JPH1055971A (ja) | 半導体薄膜の堆積方法 | |
| JPH0517312B2 (ja) | ||
| JPS62136663A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
| JP2537191B2 (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS6190421A (ja) | 堆積膜形成方法 | |
| JPH03222321A (ja) | 非晶質半導体薄膜の製造方法 | |
| JP2659401B2 (ja) | 炭素含有シリコン薄膜の形成方法 | |
| JPS61247018A (ja) | 堆積膜形成法及び堆積膜形成装置 | |
| JPH0645882B2 (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS63137172A (ja) | アモルフアスシリコンカ−バイド膜の製法 | |
| JPS61278132A (ja) | 水素化アモルフアスＳｉＧｅ膜の形成方法 | |
| JPS61190923A (ja) | 堆積膜形成法 |