JPS6042765A - 堆積膜形成法 - Google Patents
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- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、機能性膜、殊に半導体デバイス或いは電子写
真用の感光デバイスなどの用途に有用な堆積膜の形成法
に関する。
真用の感光デバイスなどの用途に有用な堆積膜の形成法
に関する。
例えば、アモルファスシリコン膜の形成には、真空蒸着
法、プラズマＣＶＤ法、ＣＶＤ法、 反応性スパッタリ
ング法、イオンブレーティング法、光ＣＶＤ法などが試
みられており、一般的には、プラズマＣＶＤ法が広く用
いられ、企業化されている。
法、プラズマＣＶＤ法、ＣＶＤ法、 反応性スパッタリ
ング法、イオンブレーティング法、光ＣＶＤ法などが試
みられており、一般的には、プラズマＣＶＤ法が広く用
いられ、企業化されている。
面乍らアモルファスシリコンで構成される堆積膜は電気
的、光学的特性及び、繰返し使用での疲労特性あるいは
使用環境特性、更には均一性、再現性を含めて生産性、
量産性の点において、更に総合的な特性の向上を図る余
地がある。
的、光学的特性及び、繰返し使用での疲労特性あるいは
使用環境特性、更には均一性、再現性を含めて生産性、
量産性の点において、更に総合的な特性の向上を図る余
地がある。
従来から一般化されているプラズマＣＶＤ法によるアモ
ルファスシリコン堆積膜の形成に於ての反応プロセスは
、従来のＣＶＤ法に比較してかなり複雑であり、その反
応機構も不明な点が少なくなかった。又、その堆積膜の
形成パラメーターも多く、（例えば、基板温度、導入ガ
スの流量と比、形成時の圧力、高周波電力、電極構造９
反応容器の構造、排気速度、プラズマ発生方式など）こ
れらの多くのパラメータの組み合せによるため、時には
プラズマが不安定な状態になり、形成された堆積膜に著
しい悪影響を与えることが少なくなかった。そのうえ、
装置特有のパラメータを装置ごとに選定しなければなら
ず、したがって製造条件を一般化することがむずかしい
というのが実状であった。
ルファスシリコン堆積膜の形成に於ての反応プロセスは
、従来のＣＶＤ法に比較してかなり複雑であり、その反
応機構も不明な点が少なくなかった。又、その堆積膜の
形成パラメーターも多く、（例えば、基板温度、導入ガ
スの流量と比、形成時の圧力、高周波電力、電極構造９
反応容器の構造、排気速度、プラズマ発生方式など）こ
れらの多くのパラメータの組み合せによるため、時には
プラズマが不安定な状態になり、形成された堆積膜に著
しい悪影響を与えることが少なくなかった。そのうえ、
装置特有のパラメータを装置ごとに選定しなければなら
ず、したがって製造条件を一般化することがむずかしい
というのが実状であった。
一方、アモルファスシリコン膜として電気的。
光学的特性が各用途を十分に満足させ得るものを発現さ
せるためには、−現状ではプラズマＣＶＤ法によって形
成することが最良とされている。
せるためには、−現状ではプラズマＣＶＤ法によって形
成することが最良とされている。
両年ら、堆積膜の応用用途によっては、大面積化、膜埠
均−性、膜品質の均一性を十分満足させて再現性のある
量産化を図らねばならないため、プラズマＣＶＤ法によ
るアモルファスシリコン堆積膜の形−成においては、址
産装置に多大な設備投資が必要となり、またその量産の
為の管理項目も袂雑になり、管理許容幅も狭くなり、装
置の調整も微妙であることから、これらのことが、今後
改善すべき問題点として指摘されている。他方、通常の
ＣＶＤ法による従来の技術では、高温を必要とし、実用
可能な特性を有する堆積膜が得られていなかった。
均−性、膜品質の均一性を十分満足させて再現性のある
量産化を図らねばならないため、プラズマＣＶＤ法によ
るアモルファスシリコン堆積膜の形−成においては、址
産装置に多大な設備投資が必要となり、またその量産の
為の管理項目も袂雑になり、管理許容幅も狭くなり、装
置の調整も微妙であることから、これらのことが、今後
改善すべき問題点として指摘されている。他方、通常の
ＣＶＤ法による従来の技術では、高温を必要とし、実用
可能な特性を有する堆積膜が得られていなかった。
上述の如く、アモルファスシリコン膜の形成に於て、そ
の実用可能な特性、均一性を維持させながら低コストな
装置で量産化できる形成方法を開発することが切望され
てｂる。これ等のことは、他の機能性膜、例えば窒化シ
リコン膜。
の実用可能な特性、均一性を維持させながら低コストな
装置で量産化できる形成方法を開発することが切望され
てｂる。これ等のことは、他の機能性膜、例えば窒化シ
リコン膜。
炭化シリコン膜、酸化シリコン膜に於ても各々同様のこ
とがいえる。
とがいえる。
本発明は、上述したプラズマＣＶＤ法の欠点を除去する
と同時に、従来の形成方法によらない新規な堆積膜形成
法を提供するもので、ある。
と同時に、従来の形成方法によらない新規な堆積膜形成
法を提供するもので、ある。
本発明の目的は堆積膜を形成する堆積空間（５）に於て
、プラズマ反応を用いないで形成される膜の特性を保持
し、堆積速度の向上を図りながら、膜形成条件の管理の
簡素化、膜の量産化を容易に達成させることである。
、プラズマ反応を用いないで形成される膜の特性を保持
し、堆積速度の向上を図りながら、膜形成条件の管理の
簡素化、膜の量産化を容易に達成させることである。
本発明は、所望の基板上に所望の堆積膜を形成する堆積
空間内に、”ｎＸ２ｎ＋２（ｎ ＝ １．２＋−・・）
で表わされるハロゲン化ケイ素を分解することにより得
られる活性種（ａ）と、高次鎖状シラン化合物から得ら
れる水素の活性種とＳ ｉｍＨ２ｍ−Ｘ（ｍ＝１．２．
・・・・・・、ｘ ＝１．２．・・・・・・）で表わさ
れる活性種（ｂ）との混合物とを、夫々別々に導入する
ことにより、堆積膜を形成することを特徴とするもので
ある。
空間内に、”ｎＸ２ｎ＋２（ｎ ＝ １．２＋−・・）
で表わされるハロゲン化ケイ素を分解することにより得
られる活性種（ａ）と、高次鎖状シラン化合物から得ら
れる水素の活性種とＳ ｉｍＨ２ｍ−Ｘ（ｍ＝１．２．
・・・・・・、ｘ ＝１．２．・・・・・・）で表わさ
れる活性種（ｂ）との混合物とを、夫々別々に導入する
ことにより、堆積膜を形成することを特徴とするもので
ある。
本発明の方法では、所望の堆積膜を形成する堆積空間（
４）でプラズマを使用しないので、堆積膜の形成パラメ
ーターが導入する活性種の導入量、基板及び堆積空間内
の温度、堆積空間内の内圧となり、したがって堆積膜形
成のコントロールが容易になり、再現性、前産性のある
堆積膜全形成させることができる。
４）でプラズマを使用しないので、堆積膜の形成パラメ
ーターが導入する活性種の導入量、基板及び堆積空間内
の温度、堆積空間内の内圧となり、したがって堆積膜形
成のコントロールが容易になり、再現性、前産性のある
堆積膜全形成させることができる。
本発明では、堆積空間（ト）に導入される分解空間（Ｂ
）からの活性種ば、その寿命が１５０秒以上あるものが
、所望に従って選択されて使用され、この活性種の構成
要素が堆積空間（５）１で形成させる堆積１１０を構成
する主成分を構成するものとなる。又、分解空間（Ｃ）
から導入される活性種は短寿命のものである。この活性
種は堆積空間囚で堆積膜を形成する際、同時に分解空間
（Ｂ）から堆積空間（５）に導入され、形成される堆積
膜の主構成成分となる構成要素を含む活性種と化学的に
相互作用する、その結果、所望の基板上に所望の堆積膜
が容易に形成される。
）からの活性種ば、その寿命が１５０秒以上あるものが
、所望に従って選択されて使用され、この活性種の構成
要素が堆積空間（５）１で形成させる堆積１１０を構成
する主成分を構成するものとなる。又、分解空間（Ｃ）
から導入される活性種は短寿命のものである。この活性
種は堆積空間囚で堆積膜を形成する際、同時に分解空間
（Ｂ）から堆積空間（５）に導入され、形成される堆積
膜の主構成成分となる構成要素を含む活性種と化学的に
相互作用する、その結果、所望の基板上に所望の堆積膜
が容易に形成される。
本発明の方法によれば、堆積空間（４）内でプラズマを
生起させないで、形成される堆積膜は、エツチング作用
、或いはその他の例えば異常放電作用などによる悪影響
を受けることは実質的にない。
生起させないで、形成される堆積膜は、エツチング作用
、或いはその他の例えば異常放電作用などによる悪影響
を受けることは実質的にない。
又、本発明によれば堆積空間囚の雰囲気温度。
基板温度を所望に従って任意に制御することにより、よ
り安定したＣＶＤ法とすることができる。
り安定したＣＶＤ法とすることができる。
本発明の方法が従来のＣＶＤ法と違う点の１つは、あら
かじめ堆積空間囚とは異なる空間に於いて活性化された
活性種を使うことである。
かじめ堆積空間囚とは異なる空間に於いて活性化された
活性種を使うことである。
このことにより、従来のＣＶＤ法より堆積速度を飛躍的
に伸ばすことが出来、加えて堆積膜形成の際の基板温度
も一層の低温化を図るこ・とが可能になり、膜品質の安
定した堆積膜を工業的に大量に、しかも低コストで提供
出来る。
に伸ばすことが出来、加えて堆積膜形成の際の基板温度
も一層の低温化を図るこ・とが可能になり、膜品質の安
定した堆積膜を工業的に大量に、しかも低コストで提供
出来る。
本発明の方法では、分解空間Ｃ）に導入する原料ガスと
して高次鎖状シランを用いることにより活性種に分解す
るときの分解速度を大幅に向上させることができ、また
、分解を低エネルギーでおこなうことができる。また、
従来に比べて、堆積膜を形成する際の堆積速度を大幅に
向上させることができる。。
して高次鎖状シランを用いることにより活性種に分解す
るときの分解速度を大幅に向上させることができ、また
、分解を低エネルギーでおこなうことができる。また、
従来に比べて、堆積膜を形成する際の堆積速度を大幅に
向上させることができる。。
本発明に於て、分解空間（Ｂ）に導入される原材料とし
ては、一般式””ｎＸ２ｎ＋２ （ｎ ＝１．２．・・
・・・・）で表わされるもの、例えば、ＳｔＦ、 ＋
８ｉ２Ｆａ ＊５ｉ３Ｆａ ＋ ５ｉ２Ｃ１６、５ｉｔ
Ｃ１ｓＦＢなどが挙げられる。
ては、一般式””ｎＸ２ｎ＋２ （ｎ ＝１．２．・・
・・・・）で表わされるもの、例えば、ＳｔＦ、 ＋
８ｉ２Ｆａ ＊５ｉ３Ｆａ ＋ ５ｉ２Ｃ１６、５ｉｔ
Ｃ１ｓＦＢなどが挙げられる。
上述したものに、分解中゛間（Ｂ）で熱、光、放電など
の分解エネルギーを加えることにより、活性種が生成さ
れる。この活性種を堆積空間（５）へ導入する。この際
、活性種の寿命が１５０秒以上あることが必要で、堆積
効率及び堆積速度の上昇を促進させ、堆積空間囚に於て
、分解空間（Ｃ）から導入される活性種との活性化反応
の効率を増し、その際、必要であれば、プラズマなどの
放電エネルギーを使用しないで、堆積空間内あるいは基
板上に熱、光などのエネルギーを与えることで、所望の
堆積膜の形成が達成される。
の分解エネルギーを加えることにより、活性種が生成さ
れる。この活性種を堆積空間（５）へ導入する。この際
、活性種の寿命が１５０秒以上あることが必要で、堆積
効率及び堆積速度の上昇を促進させ、堆積空間囚に於て
、分解空間（Ｃ）から導入される活性種との活性化反応
の効率を増し、その際、必要であれば、プラズマなどの
放電エネルギーを使用しないで、堆積空間内あるいは基
板上に熱、光などのエネルギーを与えることで、所望の
堆積膜の形成が達成される。
本発明に於いて、分解空間（Ｃ’ｌに導入され、活性種
を生成させる原料としては、高次シラン化合物、例えば
５１２Ｈ６，５ｔｓＨａ ＋ ５１４Ｈ１Ｇ など、あ
るいは５ｉＨ３ＳｉＨ８ｉＨｓＳｉＨ２ＳｉＨｓなどの
分枝状鎖状シラン化合物などが挙げられる。勿論、Ｓｉ
Ｈ４と併用してもよい。
を生成させる原料としては、高次シラン化合物、例えば
５１２Ｈ６，５ｔｓＨａ ＋ ５１４Ｈ１Ｇ など、あ
るいは５ｉＨ３ＳｉＨ８ｉＨｓＳｉＨ２ＳｉＨｓなどの
分枝状鎖状シラン化合物などが挙げられる。勿論、Ｓｉ
Ｈ４と併用してもよい。
本発明に於て堆積空間（５）に於ける分解空間（Ｂ）か
ら導入される活性種の量と分解空間（Ｃ）から導入され
る活性種の量の割合は、堆積条件、活性種の種類などで
適宜所望に従って決められるが、好ましくば１０：１〜
１：１０（導入流量比）が適当であり、より好ましくは
８：２〜４：６とされるのが望ましい、 本発明に於て分解空間（Ｂ）、及び奔解空間（０で活性
種を生成させる方法としては、各々の条件。
ら導入される活性種の量と分解空間（Ｃ）から導入され
る活性種の量の割合は、堆積条件、活性種の種類などで
適宜所望に従って決められるが、好ましくば１０：１〜
１：１０（導入流量比）が適当であり、より好ましくは
８：２〜４：６とされるのが望ましい、 本発明に於て分解空間（Ｂ）、及び奔解空間（０で活性
種を生成させる方法としては、各々の条件。
装置を考慮して放電エネルギー、熱エネルギー。
光エネルギーなどの励起エネルギーが使用される。
次に本発明の堆積膜製造方法において形成され−る電子
写真用像形成部材の典型的な例を挙げて本発明を説明す
る。
写真用像形成部材の典型的な例を挙げて本発明を説明す
る。
第１図は、本発明によって得られる典型的な光導電部材
の構成例を説明する為の模式図である。
の構成例を説明する為の模式図である。
第１図に示す光導電部材１００は、電子写真用像形成部
材として適用させ得るものであって、光導電部材用とし
ての支持体１０１の上に、８妙に応じて設けられる中間
層１０２と表面層１０４、光導電層１０３とで構成され
る層構造を有している。
材として適用させ得るものであって、光導電部材用とし
ての支持体１０１の上に、８妙に応じて設けられる中間
層１０２と表面層１０４、光導電層１０３とで構成され
る層構造を有している。
支持体１０１としては、導電性でも電気絶縁性であって
も良い。導電性支持体としては、例えば、ＮｘＣｒ ＋
ステンレス、 Ａｌ、 Ｃｒ 、 Ｍｏ、 Ａｕ。
も良い。導電性支持体としては、例えば、ＮｘＣｒ ＋
ステンレス、 Ａｌ、 Ｃｒ 、 Ｍｏ、 Ａｕ。
Ｉｒ、 Ｎｂ、 Ｔａ＋ ｖ、 ’ｒｔ 、 ｐｔ、
Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。
Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。
電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。
ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズ。
アセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。
ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。
セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面が導電
処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが望ましい。
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面が導電
処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが望ましい。
例えば、ガラスであれば、その表面がＮｉＣｒ 。
Ａ１． Ｃｒ、 Ｍｏ 、 Ａｕ、 Ｉｒ、 Ｎｂ、
Ｔａ、 Ｖ、 Ｔｉ＋Ｐｔ ＋ Ｐｄ 、Ｉｎ２０Ｂ
＋ ５ｎ０２１ ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３＋ Ｓｎｏｗ）等
の薄膜を設けることによって導電処理され、或いはポリ
エステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、Ｎｉ
Ｃｒ 、 ｋｌ 、 Ａｇ 、 Ｐｂ 、 Ｚｎ ＋Ｎ
ｉ 、 Ａｕ＋ Ｃｒ、 Ｍｏ、 Ｉｒ＋ Ｎｂ＋ Ｔ
ａ、 Ｖ、 Ｔｉｔｐｔ等の金属で真空蒸着、電子ビー
ム蒸着、スノ（ツタリング等で処理し、又は前記金属で
ラミネート処理して、その表面が導電処理される。支持
体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等、任童の
形状とし得、所望によって、その形状は決定されるが、
例えば、第１図の光導電部材１００を電子写真用像形成
部材として使用するのであれば連続高速複写の場合には
、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。
Ｔａ、 Ｖ、 Ｔｉ＋Ｐｔ ＋ Ｐｄ 、Ｉｎ２０Ｂ
＋ ５ｎ０２１ ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３＋ Ｓｎｏｗ）等
の薄膜を設けることによって導電処理され、或いはポリ
エステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、Ｎｉ
Ｃｒ 、 ｋｌ 、 Ａｇ 、 Ｐｂ 、 Ｚｎ ＋Ｎ
ｉ 、 Ａｕ＋ Ｃｒ、 Ｍｏ、 Ｉｒ＋ Ｎｂ＋ Ｔ
ａ、 Ｖ、 Ｔｉｔｐｔ等の金属で真空蒸着、電子ビー
ム蒸着、スノ（ツタリング等で処理し、又は前記金属で
ラミネート処理して、その表面が導電処理される。支持
体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等、任童の
形状とし得、所望によって、その形状は決定されるが、
例えば、第１図の光導電部材１００を電子写真用像形成
部材として使用するのであれば連続高速複写の場合には
、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。
中間層１０２は例えばシリコン原子及び炭素原子又は窒
素原子又は酸素原子又は、ハロゲン原子■を含む、非光
導電性のアモルファス材料で構成され、支持体１０１の
側から光導電層１０３中へのキャリアの、流入を効果的
に阻止し且つ電磁波の照射によって光導電層１０３中に
生じ、支持体１０１の側に向って移動するフォトキャリ
アの光導電１ｍ １０３の側から支持体１０１の側への
通過を容易に許す機能を有するものである。
素原子又は酸素原子又は、ハロゲン原子■を含む、非光
導電性のアモルファス材料で構成され、支持体１０１の
側から光導電層１０３中へのキャリアの、流入を効果的
に阻止し且つ電磁波の照射によって光導電層１０３中に
生じ、支持体１０１の側に向って移動するフォトキャリ
アの光導電１ｍ １０３の側から支持体１０１の側への
通過を容易に許す機能を有するものである。
中間層１０２を形成する場合には、光導電層１０３の形
成まで連続的に行うことが出来る。
成まで連続的に行うことが出来る。
その場合には、中間層形成用の原料ガスを、必要に応じ
てＨｅ ＊ Ａｒ等の稀釈ガスと所定量の混合比で混合
して、各々を所定の分解空間（Ｂ）と分解空間（ｃ）と
に導入し、所望の励起エネルギーを夫々の空間に加えて
、各々の活性種を生成させ、それらを支持体１０１の設
置しである真空堆積用の堆積空間囚に導入し、導入され
た各々の活性種の作用で前記支持体１０１上に中間層１
０２全形成させれば良い。
てＨｅ ＊ Ａｒ等の稀釈ガスと所定量の混合比で混合
して、各々を所定の分解空間（Ｂ）と分解空間（ｃ）と
に導入し、所望の励起エネルギーを夫々の空間に加えて
、各々の活性種を生成させ、それらを支持体１０１の設
置しである真空堆積用の堆積空間囚に導入し、導入され
た各々の活性種の作用で前記支持体１０１上に中間層１
０２全形成させれば良い。
中間層１０２を形成する為に分解空間（Ｃ）に導入され
る、活性種を生成する有効な出発物質はＳｔとＨとを構
成原子とする、５１２Ｈ６＋ ５ｔ３Ｈａ ｌＳｉ、Ｈ
，、などの高次鎖状シラン、Ｎを構成原子とする、或い
はＮとＨとを構成原子とする例えば窒素（Ｎ２）、アン
モニア（ＮＨＩＩ） 、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）
、アジ化水素（ＨＮ、）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４
Ｎ！ ）等のガス状の又はガス化し得る窒素、窒化物及
びアジ化物等の窒素化合物、ＣとＨを構成原子とする例
えば炭素数１〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエチ
レン系炭化水素。
る、活性種を生成する有効な出発物質はＳｔとＨとを構
成原子とする、５１２Ｈ６＋ ５ｔ３Ｈａ ｌＳｉ、Ｈ
，、などの高次鎖状シラン、Ｎを構成原子とする、或い
はＮとＨとを構成原子とする例えば窒素（Ｎ２）、アン
モニア（ＮＨＩＩ） 、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）
、アジ化水素（ＨＮ、）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４
Ｎ！ ）等のガス状の又はガス化し得る窒素、窒化物及
びアジ化物等の窒素化合物、ＣとＨを構成原子とする例
えば炭素数１〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエチ
レン系炭化水素。
炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等、具体的には、
飽和炭化水素としてはメタン（ＣＨ４）。
飽和炭化水素としてはメタン（ＣＨ４）。
エタン（Ｃ２Ｈ６） Ｉプロパン（Ｃ３Ｈ１ｌ’） 、
ｎ−ブタン（ｎ Ｃ４ＨＩＯ） 、ペンタン（ＣｓＨ
＋ｔ） ＋ エチレン系炭化水素としては、エチレン（
Ｃ２Ｈ４）、プロピレン（Ｃ，Ｉ（、） 、ブテン−１
（Ｃ４Ｈ８）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８） 。
ｎ−ブタン（ｎ Ｃ４ＨＩＯ） 、ペンタン（ＣｓＨ
＋ｔ） ＋ エチレン系炭化水素としては、エチレン（
Ｃ２Ｈ４）、プロピレン（Ｃ，Ｉ（、） 、ブテン−１
（Ｃ４Ｈ８）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８） 。
イソブチレン（Ｃ４Ｈ８） 、ペンテン（ＣｎＨ＋。）
、アセチレン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ１Ｈ
２）。
、アセチレン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ１Ｈ
２）。
メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４） 、ブチン（Ｃ４Ｈ６）
等、更に、これ等の他に例えば、酸素（０２）、オゾン
（ＯＳ）。
等、更に、これ等の他に例えば、酸素（０２）、オゾン
（ＯＳ）。
−酸化炭素（ＣＯ） 、二酸化炭素（ＣＯｔ） 、−酸
化窒素（ＮＯ） 、二酸化窒素（ＮＯ２）、−酸化二窒
素（Ｎ２０）等を挙げることが出来る。
化窒素（ＮＯ） 、二酸化窒素（ＮＯ２）、−酸化二窒
素（Ｎ２０）等を挙げることが出来る。
これらの中間層１０２形成用の出発物質は、所定の原子
が構成原子として、形成される中間層１０２中に含まれ
る様に、層形成の際に適宜選択されて使用される。
が構成原子として、形成される中間層１０２中に含まれ
る様に、層形成の際に適宜選択されて使用される。
一方、中間層１０２を形成する際に分解空間（Ｂ）に導
入されて活性種を生成し得る出発物質としては、５ＩＦ
４．８１２Ｆ６等が有効なものとして挙げられ、これ等
は高温下で容易にＳｉＦ４の如き活性種を生成する。中
間層１０２の層厚としては、好ましくは、３０〜１ｏｏ
ｏ人、より好適には５０〜６００人とされるのが望まし
い。光導電層１０３は、電子写真用隊形成部材としての
機能を十分に発揮することができるような光導電特性を
持つようにシリコン原子を母体とし、ハロゲン（Ｘ）ｋ
含み、必要に応じて水素０を含むアモルファスシリコン
ａ −Ｓ １Ｘ（）Ｉで構成される。光導電層１０３の
形成も、中間層１０２と同様に、分解空間（Ｂ）に５ｉ
Ｆ４ｅ ５ｉＪａなどの原料ガスが導入され、高温下に
てこれ等を分解することで活性種が生成される。この活
性種は堆積空間（５）に導入される。他方、分解空間（
０には、５１２Ｈ６＋Ｓｉ、Ｈ，などの原料ガスが導入
され、所定の励起エネルギーにより活性種が生成される
。この活性種は堆積空間（ト）に導入され、分解空間（
Ｂ）からの活性種と化学的相互作用を起し所望の光導電
層１０３が堆積される。光導電層１０３の層厚としては
、適用するものの目的に適合させて所望に従って適宜決
定される。
入されて活性種を生成し得る出発物質としては、５ＩＦ
４．８１２Ｆ６等が有効なものとして挙げられ、これ等
は高温下で容易にＳｉＦ４の如き活性種を生成する。中
間層１０２の層厚としては、好ましくは、３０〜１ｏｏ
ｏ人、より好適には５０〜６００人とされるのが望まし
い。光導電層１０３は、電子写真用隊形成部材としての
機能を十分に発揮することができるような光導電特性を
持つようにシリコン原子を母体とし、ハロゲン（Ｘ）ｋ
含み、必要に応じて水素０を含むアモルファスシリコン
ａ −Ｓ １Ｘ（）Ｉで構成される。光導電層１０３の
形成も、中間層１０２と同様に、分解空間（Ｂ）に５ｉ
Ｆ４ｅ ５ｉＪａなどの原料ガスが導入され、高温下に
てこれ等を分解することで活性種が生成される。この活
性種は堆積空間（５）に導入される。他方、分解空間（
０には、５１２Ｈ６＋Ｓｉ、Ｈ，などの原料ガスが導入
され、所定の励起エネルギーにより活性種が生成される
。この活性種は堆積空間（ト）に導入され、分解空間（
Ｂ）からの活性種と化学的相互作用を起し所望の光導電
層１０３が堆積される。光導電層１０３の層厚としては
、適用するものの目的に適合させて所望に従って適宜決
定される。
第１図に示される光導を層１０３の層厚としては、光導
電層１０３の機能及び中間層１０２の機能が各々有効に
活されてる様に中間層１０２との層厚関係に於いて適宜
所望に従って決められるものであり、通常の場合、中間
層１０２０層厚に対して数百〜数千倍以上の層厚とされ
るのが好ましいものである。
電層１０３の機能及び中間層１０２の機能が各々有効に
活されてる様に中間層１０２との層厚関係に於いて適宜
所望に従って決められるものであり、通常の場合、中間
層１０２０層厚に対して数百〜数千倍以上の層厚とされ
るのが好ましいものである。
具体的な値としては、好ましくは１〜１００μ、より好
適には２〜５０μの範囲とされるのが望ましい。
適には２〜５０μの範囲とされるのが望ましい。
第１図に示す光導電部材の光導電層中に含有されるＨ又
はＸ０Ｘ＝Ｆ°などハロゲン原子）の址は好ましくは１
〜４０ ａｔｏｍｉｃ ％、より好適には５〜３０ ａ
ｔｏｍｉｃ ％とされるのが望ましい。
はＸ０Ｘ＝Ｆ°などハロゲン原子）の址は好ましくは１
〜４０ ａｔｏｍｉｃ ％、より好適には５〜３０ ａ
ｔｏｍｉｃ ％とされるのが望ましい。
第１図の光導電部材の表面層１０４は必要に応じて中間
層１０２、及び光導電ＩＩ！１０３と同様に形成される
。シリコンカーバイド膜であれば、例えば、分解空間の
）にＳｉＦ４を、分解空間（０に５ｉ２Ｈ，とＣＨ４と
Ｈ２あるいはＳｉ、Ｈ，と５ｉＨｔ（ＣＨｓ）ｚなどの
原料ガスを導入し、各々、分解エネルギーで励起させて
、夫々の活性種を夫々の空間で生成し、それ等を別々に
堆積空間囚へ導入させることにより表面層１０４が堆積
される。又、表面層１０４としては、窒化シリコン、酸
化シリコン膜などのバンドギャップの広い堆積膜が好ま
しく、光導電層１０３から表面層１０４へその膜組成を
連続的に変えることも可能である。
層１０２、及び光導電ＩＩ！１０３と同様に形成される
。シリコンカーバイド膜であれば、例えば、分解空間の
）にＳｉＦ４を、分解空間（０に５ｉ２Ｈ，とＣＨ４と
Ｈ２あるいはＳｉ、Ｈ，と５ｉＨｔ（ＣＨｓ）ｚなどの
原料ガスを導入し、各々、分解エネルギーで励起させて
、夫々の活性種を夫々の空間で生成し、それ等を別々に
堆積空間囚へ導入させることにより表面層１０４が堆積
される。又、表面層１０４としては、窒化シリコン、酸
化シリコン膜などのバンドギャップの広い堆積膜が好ま
しく、光導電層１０３から表面層１０４へその膜組成を
連続的に変えることも可能である。
表面＃１０４の層厚は、好ましくは０．０１μ〜５μ、
より好ましくは、０．０５ ｔｔ〜１μの範囲が望まし
い。
より好ましくは、０．０５ ｔｔ〜１μの範囲が望まし
い。
光導電層１０３を必要に応じてｎ型又はｐ型とするには
、層形成の際に、ｎ型不純物又は、ｐ型不純物、或いは
両不純物を形成される層中にその量を制御し乍らドーピ
ングしてやる事によって成される。
、層形成の際に、ｎ型不純物又は、ｐ型不純物、或いは
両不純物を形成される層中にその量を制御し乍らドーピ
ングしてやる事によって成される。
光導電層中にドーピングこれる不純物としては、ｐ型不
純物として、周期律表第■族Ａの元素、例えば、Ｂ ＋
Ａ７ ＋ Ｇａ ＋ Ｉｎ ＋ Ｔ１等が好適なもの
として挙げられ、ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族
Ａの元素、例えばＮ＋Ｐ＋Ａｓ＋Ｓｂ、Ｂｉ等が好適な
ものとして挙げられるが、殊にＢ、Ｇａ、Ｐ、Ｓｂ等が
最適である。
純物として、周期律表第■族Ａの元素、例えば、Ｂ ＋
Ａ７ ＋ Ｇａ ＋ Ｉｎ ＋ Ｔ１等が好適なもの
として挙げられ、ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族
Ａの元素、例えばＮ＋Ｐ＋Ａｓ＋Ｓｂ、Ｂｉ等が好適な
ものとして挙げられるが、殊にＢ、Ｇａ、Ｐ、Ｓｂ等が
最適である。
本発明に於いて所望の伝導型を有する為に光導電層１０
３中にドーピングされる不純物の量は、所望される電気
的・光学的特性に応じて適宜決定されるが、周期律表第
■族Ａの不純物の場合３ Ｘ １０−２０−２ａｔｏチ
以下の量範囲でドーピングしてやれば良く、周期律表第
ｖ族Ａの不純物の場合には５ Ｘ １０’ ａｔｏｍｉ
ｃ％以下の′量範囲でドーピングしてやれば良い。
３中にドーピングされる不純物の量は、所望される電気
的・光学的特性に応じて適宜決定されるが、周期律表第
■族Ａの不純物の場合３ Ｘ １０−２０−２ａｔｏチ
以下の量範囲でドーピングしてやれば良く、周期律表第
ｖ族Ａの不純物の場合には５ Ｘ １０’ ａｔｏｍｉ
ｃ％以下の′量範囲でドーピングしてやれば良い。
光導電層１０３中に不純物をドーピングするには、層形
成の際に不純物導入用の原料物質をガス状態で分解空間
（５）あるいは（０中に導入してやれば良い。その際に
は、分解空間の）の方ではなく、分解空間（Ｃ）の方へ
導入し、そこからその活性種を堆積膜、閲（ト）に導入
する方が好ましい。
成の際に不純物導入用の原料物質をガス状態で分解空間
（５）あるいは（０中に導入してやれば良い。その際に
は、分解空間の）の方ではなく、分解空間（Ｃ）の方へ
導入し、そこからその活性種を堆積膜、閲（ト）に導入
する方が好ましい。
この様な不純物導入用の原料物質としては、常温常圧で
ガス状態の又は、少なくとも噛形成条件下で容易にガス
化し得るものが採用される。
ガス状態の又は、少なくとも噛形成条件下で容易にガス
化し得るものが採用される。
その様な不純物導入用の出発物質として具体的には、Ｐ
Ｈ３、Ｐ２Ｈ４、ＰＦ３ 、 ＰＦ５ ＋ ＰＣｌ５
＋ ＡｓＨｓ＋ＡａＦ、 、 ＡｓＦ、 、 ＡｓＣ１
，＋ ＳｂＨ，、５ｂＦａ ＋ ＢｉＨ，＋ ＢＦｘ
＋Ｂ（Ｊ’ｓ 、 ＢＢｒｓ 、 Ｂ２Ｈ６、Ｂ４ＨＩ
Ｏ、ＢｖＨｏ ＋ ＢａＨｏ 、ＢｅＨ＋ｏ 。
Ｈ３、Ｐ２Ｈ４、ＰＦ３ 、 ＰＦ５ ＋ ＰＣｌ５
＋ ＡｓＨｓ＋ＡａＦ、 、 ＡｓＦ、 、 ＡｓＣ１
，＋ ＳｂＨ，、５ｂＦａ ＋ ＢｉＨ，＋ ＢＦｘ
＋Ｂ（Ｊ’ｓ 、 ＢＢｒｓ 、 Ｂ２Ｈ６、Ｂ４ＨＩ
Ｏ、ＢｖＨｏ ＋ ＢａＨｏ 、ＢｅＨ＋ｏ 。
Ｂ６ＨＩ２ 、 Ａｌｃｌｓ 、等を挙げることが出来
る。
る。
実施例１
第２図に示す装置使い、以下の如き操作によってドラム
状の電子写真用像形成部材を作成したＯ 第２図において、１は堆積空間（４）、２は分解空間の
）、３は分解空間Ｃ）、４は電気炉、５は固体Ｓｉ粒、
６ ｉｆ： ＳｉＦ４の導入管、７は活性種導入管、８
は電気炉、９は活性種の原料物質導入管、ＩＯは活性種
導入管、１１はモーター、１２は加熱ヒーター、１３は
吹き出し管、１４は吹き出し管、１５はＡｌシリンダー
、１６は排気パルプを示している、 堆積空間（Ａ）■にＡｌシリンダー１５をつり下げその
内側に加熱ヒーター１２を備え、モーター１１により回
転できるようにし、分解空間（Ｂ）２からの活性種を４
大する導入管７を経て、吹き出し管１３と、分解空間（
０３からの活性種を導入する導入管１０を経て、吹き出
し管１４を備える。
状の電子写真用像形成部材を作成したＯ 第２図において、１は堆積空間（４）、２は分解空間の
）、３は分解空間Ｃ）、４は電気炉、５は固体Ｓｉ粒、
６ ｉｆ： ＳｉＦ４の導入管、７は活性種導入管、８
は電気炉、９は活性種の原料物質導入管、ＩＯは活性種
導入管、１１はモーター、１２は加熱ヒーター、１３は
吹き出し管、１４は吹き出し管、１５はＡｌシリンダー
、１６は排気パルプを示している、 堆積空間（Ａ）■にＡｌシリンダー１５をつり下げその
内側に加熱ヒーター１２を備え、モーター１１により回
転できるようにし、分解空間（Ｂ）２からの活性種を４
大する導入管７を経て、吹き出し管１３と、分解空間（
０３からの活性種を導入する導入管１０を経て、吹き出
し管１４を備える。
分解空間（Ｂ）２に固体Ｓｉ粒５を詰めて、電気炉４１
Ｃより加熱し、１１００’Ｏに保ち、Ｓｉを溶融し、そ
こへボンベからＳｉＦ＋の導入管６により、ＳｉＦ４を
吹き込むことにより、Ｓ ｉＦ２の活性種を生成させ、
導入管７を経て、堆積空間囚１の吹き出し管１３へ導入
する。一方、分解空間（Ｃ）３に導入管９から５ｔ２Ｈ
，とＨ２を導入し、電気炉８により４５０°Ｃに加熱し
、５ＩＨ２，ＳＩＨ＋ ５ｉＨｓ ＊ Ｈなどの活性種
を生成させ、導、入管１０から吹き出し管１４へ導入す
る。このとき、導入管１０の長さは、装置上、可能な限
り短縮し、その活性種の有効効率を落さないようにする
。堆積空間（５）内のＡｌシリンダーは３００°０にヒ
ーター１２によシ加熱、保持され、回転させ、排ガスは
、排気バルブ１６を通じて排気される。このようにして
光導電層１０３が形成されるが、同様に中間層１０２１
表面層１０４も形成される。
Ｃより加熱し、１１００’Ｏに保ち、Ｓｉを溶融し、そ
こへボンベからＳｉＦ＋の導入管６により、ＳｉＦ４を
吹き込むことにより、Ｓ ｉＦ２の活性種を生成させ、
導入管７を経て、堆積空間囚１の吹き出し管１３へ導入
する。一方、分解空間（Ｃ）３に導入管９から５ｔ２Ｈ
，とＨ２を導入し、電気炉８により４５０°Ｃに加熱し
、５ＩＨ２，ＳＩＨ＋ ５ｉＨｓ ＊ Ｈなどの活性種
を生成させ、導、入管１０から吹き出し管１４へ導入す
る。このとき、導入管１０の長さは、装置上、可能な限
り短縮し、その活性種の有効効率を落さないようにする
。堆積空間（５）内のＡｌシリンダーは３００°０にヒ
ーター１２によシ加熱、保持され、回転させ、排ガスは
、排気バルブ１６を通じて排気される。このようにして
光導電層１０３が形成されるが、同様に中間層１０２１
表面層１０４も形成される。
実施例２
一般的なプラズマＣＶＤ法により、ＳｉＦ、と５ｉ２Ｈ
，およびＨ２から第２図の堆積空間（Ａ）１に１３、５
６ ＭＨｚの高周波装置を備えて、光導電層１０３を形
成した。
，およびＨ２から第２図の堆積空間（Ａ）１に１３、５
６ ＭＨｚの高周波装置を備えて、光導電層１０３を形
成した。
実施例３
実施例１と同様に堆積膜を形成するが、分解空Ｍ（Ｃ）
ｓに導入する原料ガスをＳＩＨ番とＳｉ、Ｈ，とＨ２と
して、電気炉によって加熱する代わυに１３、５６ Ｍ
Ｈｚのプラズマ反応を発生させ、水素プラズマ状態を作
り、Ｈの活性種及び、各種シランの活性種を吹き出し管
１４へ導入して、ドラム状の電子写真用像形成部材を作
成した。
ｓに導入する原料ガスをＳＩＨ番とＳｉ、Ｈ，とＨ２と
して、電気炉によって加熱する代わυに１３、５６ Ｍ
Ｈｚのプラズマ反応を発生させ、水素プラズマ状態を作
り、Ｈの活性種及び、各種シランの活性種を吹き出し管
１４へ導入して、ドラム状の電子写真用像形成部材を作
成した。
実施例４
実施例１と同様に堆積膜を形成するが、分解空間（Ｂ）
に導入する原料ガスをＳｔ、Ｆ’、とし、また分解空間
（Ｃ）に導入する原料ガスをＳ ｉ ２Ｉ（６とＨ２と
し、電気炉によって４５０ ’Ｏに加熱し、シランの活
性種及び水素の活性種を生成させて、ドラム状の電子写
真用像形成部材を作成した。
に導入する原料ガスをＳｔ、Ｆ’、とし、また分解空間
（Ｃ）に導入する原料ガスをＳ ｉ ２Ｉ（６とＨ２と
し、電気炉によって４５０ ’Ｏに加熱し、シランの活
性種及び水素の活性種を生成させて、ドラム状の電子写
真用像形成部材を作成した。
上記した実施例１．２．３．４のドラム状の電子写真用
ｒ象形成部材の製造条件と性能を第１表に示すＯ 実施例１．３．４の中間層１０２は分解空間（Ｂ）にＳ
ｔＦイ分解空間（ＯＫ Ｓｉ ｚＨａ ／ Ｈ２／ Ｎ
Ｏ／ Ｂ２ｆ（ａ（容帝係でＮＯ２チ、 Ｂ、Ｈ，０，
２％）を各々導入し各々の励起エネルギーで活性種を生
成し、堆積空間囚へ導入して形成し、中間層１０２０層
厚は２０００λとする。
ｒ象形成部材の製造条件と性能を第１表に示すＯ 実施例１．３．４の中間層１０２は分解空間（Ｂ）にＳ
ｔＦイ分解空間（ＯＫ Ｓｉ ｚＨａ ／ Ｈ２／ Ｎ
Ｏ／ Ｂ２ｆ（ａ（容帝係でＮＯ２チ、 Ｂ、Ｈ，０，
２％）を各々導入し各々の励起エネルギーで活性種を生
成し、堆積空間囚へ導入して形成し、中間層１０２０層
厚は２０００λとする。
実施例２の場合も実施例１．３．４と同様な組成の５ｉ
ｔＨａ ／ Ｈ２／ Ｎｏ ／ Ｂ２Ｈ６のガスを用い
てプラズマＣＶＤ法で中間層１０２を形成し、その層厚
を２０００人とする。
ｔＨａ ／ Ｈ２／ Ｎｏ ／ Ｂ２Ｈ６のガスを用い
てプラズマＣＶＤ法で中間層１０２を形成し、その層厚
を２０００人とする。
実施例１．３．４の表面層１０４は、分解空間（Ｂ）に
ＳｉＦ、全導入し、また分解空間（Ｏにはｓ １２Ｈ１
ｌ ／ＣＨ４／ Ｈ２を各社比１０：１００：５０で導
入し、各々の励起熱エネルギーで活性種を生成し、堆積
空間（５）へ導入して形成し、表面層１０４０層厚は１
０００人とする。
ＳｉＦ、全導入し、また分解空間（Ｏにはｓ １２Ｈ１
ｌ ／ＣＨ４／ Ｈ２を各社比１０：１００：５０で導
入し、各々の励起熱エネルギーで活性種を生成し、堆積
空間（５）へ導入して形成し、表面層１０４０層厚は１
０００人とする。
実施例２の場合もＳ １２ Ｈｌｌ ／ ＣＨ４／ Ｈ
２を同組成で導入し、プラズマＣＶＤ法で表面層１０４
を形成し、その層厚を１０００人とする。
２を同組成で導入し、プラズマＣＶＤ法で表面層１０４
を形成し、その層厚を１０００人とする。
実施例１．２．３．４．６のドラム状の電子写真用像形
成部材を、■帯電、露光、転写、によるカールソンプロ
セスに於いて、Ｏトナーによる熱定着方式の複写装置に
装着し、全面暗部、全面明部あるいは全面ハーフトーン
部のＡ３サイズの複写を行ない、画像中に不均一なノイ
ズが発生するか否かについて観察したものが平均画像欠
陥の数である。又、その際にドラムの周方向。
成部材を、■帯電、露光、転写、によるカールソンプロ
セスに於いて、Ｏトナーによる熱定着方式の複写装置に
装着し、全面暗部、全面明部あるいは全面ハーフトーン
部のＡ３サイズの複写を行ない、画像中に不均一なノイ
ズが発生するか否かについて観察したものが平均画像欠
陥の数である。又、その際にドラムの周方向。
母線方向の受容電位の均一性を測定したこれらの結果は
、第１表に示す。
、第１表に示す。
実施例５
第３図において、１７は回転機構を備えた移動式置台、
１８は冷却空間、１９は加熱空間、２０は堆積空間を示
している。
１８は冷却空間、１９は加熱空間、２０は堆積空間を示
している。
本実施例は第３図に示すように、加熱室１９、堆積空間
２０、冷却室１８から成り、各々の空間に、ＡＩシリン
ダー１５を回転機構を備えた移動式置台１７上に置き、
連続的に１つの堆積空間で多数本のドラム状の電子写真
用像形成部材が作成される装置である。本装置を使用し
て、実施例１と同様な作成方法を試みたところ、堆積空
間の温度、Ａｌシリンダーの温度、分解空間（Ｂ）から
の導入管７を経て吹き出し管１３からと、分解空間Ｃ）
からの導入管１０を経て吹き出し管１４からの各々の活
性種の吸１出し量を制御することにより、均一で再現性
のある堆積膜をもつドラム状の電子写真用像形成部材を
低コストで量産することができることが確認された。プ
ラズマＣＶＤ法では、このように１つの堆積空間内で、
多本数のドラム状の電子写真用像形成部材を作成しよう
とすると、放電の均一性や製造条件の複雑なパラメータ
ーの相互の相乗効果もあって、再現性よく均一な堆積膜
をもつドラ・ム状の電子写真用像形成部材を作成するこ
とが不可能であった。
２０、冷却室１８から成り、各々の空間に、ＡＩシリン
ダー１５を回転機構を備えた移動式置台１７上に置き、
連続的に１つの堆積空間で多数本のドラム状の電子写真
用像形成部材が作成される装置である。本装置を使用し
て、実施例１と同様な作成方法を試みたところ、堆積空
間の温度、Ａｌシリンダーの温度、分解空間（Ｂ）から
の導入管７を経て吹き出し管１３からと、分解空間Ｃ）
からの導入管１０を経て吹き出し管１４からの各々の活
性種の吸１出し量を制御することにより、均一で再現性
のある堆積膜をもつドラム状の電子写真用像形成部材を
低コストで量産することができることが確認された。プ
ラズマＣＶＤ法では、このように１つの堆積空間内で、
多本数のドラム状の電子写真用像形成部材を作成しよう
とすると、放電の均一性や製造条件の複雑なパラメータ
ーの相互の相乗効果もあって、再現性よく均一な堆積膜
をもつドラ・ム状の電子写真用像形成部材を作成するこ
とが不可能であった。
実施例６
実施例１と同様に堆積膜を形成するが、分解空間（Ｃ）
３に導入する原料ガスを、モノシランＳｉＩ４＊とＨ２
とし、電気炉によって６００℃１に加熱し、シランの活
性種及び水素の活性種を生成させて、ドラム状の電子写
真用隊形成部材を作成した。表面層１０４．中間層１０
２も同様に形成した。
３に導入する原料ガスを、モノシランＳｉＩ４＊とＨ２
とし、電気炉によって６００℃１に加熱し、シランの活
性種及び水素の活性種を生成させて、ドラム状の電子写
真用隊形成部材を作成した。表面層１０４．中間層１０
２も同様に形成した。
、第１図は、本発明の方法を用いて作成される光導電部
材の１実施態様例を説明するために、層構造を示した模
式図である。第２図は、本発明の製造法を具現化するた
めの装置の１例を示す模式的説明図である。第３図は本
発明の製造法が工業的に量産化可能なことを示す具体的
な装置事例を示したものである。 １：堆積空間囚 ２：分解空間の） ３：分解２間（Ｃ
） ４：電気炉 ５：固体Ｓｉ粒 ６ ：ＳｉＦ。 の導入管 ７：前駆体導入管 ８：電気炉９：活性種の
原料物質導入管 １０：活性種導入管 １１：モーター
１２：加熱ヒーター１３：吹き出し管 １４：吹き出
し管 １５：Ａｌシリンダー １６：排気バルブ １７
：回転機構を備えた移動式置台 １８：冷却空間１９：
加熱空間 ２０：堆積空間 １００：光導電部材 １０
１：支持体 １０１：支持体１０２：中間層 １０３：
光導電層 １０４：表面層
材の１実施態様例を説明するために、層構造を示した模
式図である。第２図は、本発明の製造法を具現化するた
めの装置の１例を示す模式的説明図である。第３図は本
発明の製造法が工業的に量産化可能なことを示す具体的
な装置事例を示したものである。 １：堆積空間囚 ２：分解空間の） ３：分解２間（Ｃ
） ４：電気炉 ５：固体Ｓｉ粒 ６ ：ＳｉＦ。 の導入管 ７：前駆体導入管 ８：電気炉９：活性種の
原料物質導入管 １０：活性種導入管 １１：モーター
１２：加熱ヒーター１３：吹き出し管 １４：吹き出
し管 １５：Ａｌシリンダー １６：排気バルブ １７
：回転機構を備えた移動式置台 １８：冷却空間１９：
加熱空間 ２０：堆積空間 １００：光導電部材 １０
１：支持体 １０１：支持体１０２：中間層 １０３：
光導電層 １０４：表面層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 所望の基板上に所望の堆積膜を形成する堆積空間内に、
Ｓｔ Ｘ （ｎ＝１．２．・・・・・・）で表わされｎ
２ｆｉ＋２ るハロゲン化ケイ素を分解することにより得られる活性
ａｔ （ａ）と、高次鎖状シラン化合物から得られる水
素の活性種とＳｔｍＨ２，、Ｘ（ｍ＝ １．２．・・・
・・・。 ｘ ＝ １．２．・・・・・・）で表わされる活性種（
ｂ）との混合物とを、夫々別々に導入することにより堆
積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58149758A JPS6042765A (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | 堆積膜形成法 |
| DE19843429899 DE3429899A1 (de) | 1983-08-16 | 1984-08-14 | Verfahren zur bildung eines abscheidungsfilms |
| GB08420725A GB2148328B (en) | 1983-08-16 | 1984-08-15 | Chemical vapour deposition process |
| FR848412872A FR2555614B1 (fr) | 1983-08-16 | 1984-08-16 | Procede pour former un film sur un substrat par decomposition en phase vapeur |
| US07/161,386 US4835005A (en) | 1983-08-16 | 1988-02-22 | Process for forming deposition film |
| US08/469,676 US5910342A (en) | 1983-08-16 | 1995-06-06 | Process for forming deposition film |
| US08/477,269 US5645947A (en) | 1983-08-16 | 1995-06-07 | Silicon-containing deposited film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58149758A JPS6042765A (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | 堆積膜形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6042765A true JPS6042765A (ja) | 1985-03-07 |
| JPH0372710B2 JPH0372710B2 (ja) | 1991-11-19 |
Family
ID=15482103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58149758A Granted JPS6042765A (ja) | 1983-08-16 | 1983-08-17 | 堆積膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6042765A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61179868A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-12 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61179869A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-12 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61222120A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-02 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61237418A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-22 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS62216220A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 非晶質半導体薄膜の形成方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52143980A (en) * | 1976-05-25 | 1977-11-30 | Nec Corp | Equipment for plasma deposition |
| JPS5767938A (en) * | 1980-10-16 | 1982-04-24 | Canon Inc | Production of photoconductive member |
| JPS6041047A (ja) * | 1983-08-16 | 1985-03-04 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
-
1983
- 1983-08-17 JP JP58149758A patent/JPS6042765A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52143980A (en) * | 1976-05-25 | 1977-11-30 | Nec Corp | Equipment for plasma deposition |
| JPS5767938A (en) * | 1980-10-16 | 1982-04-24 | Canon Inc | Production of photoconductive member |
| JPS6041047A (ja) * | 1983-08-16 | 1985-03-04 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61179869A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-12 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61179868A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-12 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61222120A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-02 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61237418A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-22 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS62216220A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 非晶質半導体薄膜の形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0372710B2 (ja) | 1991-11-19 |
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