JPH0372710B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、機能性膜、殊に半導体デバイス或い
は電子写真用の感光デバイスなどの用途に有用な
堆積膜の形成法に関する。 例えばアモルフアスシリコン膜の形成には、真
空蒸着法、プラズマCVD法、CVD法、反応性ス
パツタリング法、イオンプレーテイング法、光
CVD法などが試みられており、一般的には、プ
ラズマCVD法が広く用いられ、企業化されてい
る。 而乍ら、アモルフアスシリコンで構成される堆
積膜は電気的、光学的特性及び、繰返し使用での
疲労特性あるいは使用環境特性、更には均一性、
再現性を含めて生産性、量産性の点において更に
総合的な特性の向上を図る余地がある。 従来から一般化されているプラズムCVD法に
よるアモルフアスシリコン堆積膜の形成に於ける
反応プロセスは、従来のCVD法に比較してかな
り複雑であり、その反応機構も不明な点が少なく
なかつた。又、その堆積膜の形成パラメーターも
多く（例えば、基板温度、導入ガスの流量と比、
形成時の圧力、高周波電力、電極構造、反応容器
の構造、排気速度、プラズマ発生方式など）これ
らの多くのパラメーターの組み合せによるため、
時にはプラズマが不安定な状態になり、形成され
た堆積膜に著しい悪影響を与えることが少なくな
かつた。そのうえ、装置特有のパラメーターを装
置ごとに選定しなければならず、したがつて製造
条件を一般化することが難しいというのが実状で
あつた。 一方、アモルフアスシリコン膜として電気的、
光学的特性が各用途を十分に満足させ得るものを
実現させるには、現状ではプラズマCVD法によ
つて形成することが最良とされている。 而乍ら、堆積膜の応用用途によつては、大面積
化、膜厚の均一性、膜品質の均一性を十分に満足
させて、再現性のある量産化を図らねばならない
ため、プラズマCVD法によるアモルフアスシリ
コン堆積膜の形成においては、量産装置に多大な
設備投資が必要となり、またその量産の為の管理
項目も複雑になり、管理許容幅も狭くなり、装置
の調整も微妙であることから、これらのことが、
今後改善すべき問題点として指摘されている。 他方、通常のCVD法による従来の技術では、
高温を必要とし、実用可能な特性を有する堆積膜
が得られていなかつた。 上述の如く、アモルフアスシリコン膜の形成に
於て、その実用可能な特性、均一性を維持させな
がら低コストな装置で量産化できる形成方法を開
発することが切望されている。 本発明は、上述したプラズマCVD法の欠点を
除去すると同時に、従来の形成方法によらない新
規な堆積膜形成法を提供するものである。 本発明の目的は、堆積膜を形成する堆積空間(A)
に於て、プラズマ反応を用いないで形成させる膜
の特性を保持し、堆積速度の向上を図りながら、
膜形成条件の管理の簡素化、膜の量産化を容易に
達成させることである。 本発明は、所望の基体上に所望の堆積膜を形成
する堆積空間内に、Si_oX_2o+2（ｎ＝１、２、…）
で表されるハロゲン化ケイ素を分解することで得
られる活性種(a)と、鎖上シラン化合物から得られ
る水素の活性種とSi_nH_2n-x（ｍ＝１、２、…、Ｘ
＝１、２、…）で表される活性種との混合物(b)
と、を夫々別々に堆積空間内に導入することによ
り堆積膜を形成することを特徴とする。 本発明の方法では、所望の堆積膜を形成する堆
積空間(A)でプラズマを使用しないので、堆積膜の
形成パラメターが導入する活性種の導入量、基板
及び堆積空間内の温度、堆積空間内の内圧とな
り、したがつて堆積膜形成のコントロールが容易
になり、再現性、量産性のある堆積膜を形成させ
ることができる。 本発明では、堆積空間(A)に導入される分解空間
(B)からの活性種は、その寿命が好ましくは150秒
以上あるものが、所望に従つて選択されて使用さ
れ、この活性種の構成要素が堆積空間(A)で形成さ
れる堆積膜を構成する主成分を構成するものとな
る。又、分解空間(C)から導入される活性種は、短
寿命のものである。この活性種は堆積空間(A)で堆
積膜を形成する際、同時に分解空間(B)から堆積空
間(A)に導入され、形成される堆積膜の主構成成分
となる構成要素を含む前記活性種と化学的に相互
作用する。その結果、所望の基板上に所望の堆積
膜が容易に形成される。 本発明の方法によれば、堆積空間(A)内でプラズ
マを生起させないで形成される堆積膜は、エツチ
ング作用、或いはその他の例えば異常放電作用等
による悪影響を受けることは、実質的にない。
又、本発明によれば堆積空間(A)の雰囲気温度、基
板温度を所望に従つて任意に制御することによ
り、より安定したCVD法とすることができる。 本発明の方法が従来のCVD法と違う点の１つ
は、あらかじめ堆積空間(A)とは異なる空間に於て
活性化された活性種を使うことである。このこと
により、従来のCVD法より堆積速度を飛躍的に
伸ばすことが出来、加えて堆積膜形成の際の基板
温度も一層の低温化を図ることが可能になり、膜
品質の安定した堆積膜を大きな堆積速度で工業的
に大量に、しかも低コストで提供出来る。 本発明の方法では、分解空間(C)に導入する原料
ガスとして鎖状シランを用いることにより活性種
に分解するときの分解速度を大幅に向上させるこ
とができ、また、分解を低エネルギーで行うこと
ができる。また、従来に比べて、堆積膜を形成す
る際の堆積速度を大幅に向上させることができ
る。 本発明に於て、分解空間(B)に導入される原材料
としては、一般式Si_oX_2o+2（ｎ＝１、２…）で表
されるもの、例えば、SiF₄、Si₂F₆、Si₃F₈、
Si₂Cl₆、Si₂Cl₃F₃、などが挙げられる。 上述したものに、分解空間(B)で熱、光、放電な
どの分解エネルギーを加えることにより、活性種
が生成される。この活性種を堆積空間(A)へ導入す
る。この際、活性種の寿命が150秒以上あること
が必要で、堆積効率及び堆積速度の上昇を促進さ
せ、堆積空間(A)に於て、分解空間(C)から導入され
る活性種との活性化反応の効率を増し、その際、
必要であればプラズマなどの放電エネルギーを使
用しないで、堆積空間内あるいは基板上に熱、光
などのエネルギーを与えることで、所望の堆積膜
の形成が達成される。 本発明に於て、分解空間(C)に導入され、活性種
を生成させる原料としては、Si₂H₆、Si₃H₈、
Si₄H₁₀、など、あるいは、
SiH₃SiHSiHSiH₃SiH₂SiH₃などの分枝状鎖状シ
ラン化合物などが挙げられる。勿論、SiH₄と併
用してもよい。 本発明に於て堆積空間(A)に於ける分解空間(B)か
ら導入される活性種の量と分解空間(C)から導入さ
れる活性種の量の割合は、堆積条件、活性種の種
類などで適宜所望に従つて決められるが好ましく
は10：１〜１：10（導入流量比）が適当であり、
より好ましくは８：２〜４：６とされるのが望ま
しい。 本発明に於て分解空間(B)、及び分解空間(C)で活
性種を生成させる方法としては各々の条件、装置
を考慮して放電エネルギー、熱エネルギー、光エ
ネルギーなどの励起エネルギーが使用される。 次に本発明の堆積膜製造方法によつて形成され
る電子写真用像形成部材の典型的な例を挙げて本
発明を説明する。 第１図は、本発明によつて得られる典型的な光
導電部材の構成例を説明する為の図である。 第１図に示す光導電部材１００は、電子写真用
像形成部材として適用させ得るものであつて、光
導電部材用としての支持体１０１の上に、必要に
応じて設けられる中間層１０２と表面層１０４、
光導電層１０３とが構成される層構造を有してい
る。 支持体１０１としては、導電性でも電気絶縁性
であつても良い。導電性支持体としては、例えば
NiCr、ステンレス、Al、Cr、Mo、Au、Ir、
Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pb等の金属又はこれ等
の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルロース、ア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラ
ミツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面が導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。 例えばガラスであれば、その表面がNiCr、Al、
Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd、
In₂O₃、SnO₂、ITO（In₂O₃＋SnO₂）等の薄膜を
設けることによつて導電処理され、或いはポリエ
ステルフイルム等の合成樹脂フイルムであれば、
NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、Au、Cr、Mo、
Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt等の金属で真空蒸着、
電子ビーム蒸着、スパツタリング等で処理し、又
は前記金属でラミネート処理して、その表面が導
電処理される。支持体の形状としては、円筒状、
ベルト状、板状等、任意の形状として得、所望に
よつて、その形状は決定されるが、例えば、第１
図の光導電部材１００を電子写真用像形成部材と
して使用するのであれば連続高速複写の場合に
は、無端ベルト状又は円筒状とするのが望まし
い。 中間層１０２は例えばシリコン原子及び炭素原
子又は窒素原子又は酸素原子又はハロゲン原子
（Ｘ）を含む非光導電性のアモルフアス材料で構
成され、支持体１０１の側から光導電層１０３中
へのキヤリアの流入を効果的に阻止し且つ電磁波
の照射によつて光導電層１０３中に生じ、支持体
１０１の側に向つて移動するフオトキヤリアの光
導電層１０３の側から支持体１０１の側への通過
を容易に許す機能を有するものである。 中間層１０２を形成する場合には、光導電層１
０３の形成まで連続的に行うことが出来る。その
場合には、中間層形成用の原料ガスを、必要に応
じてHe、Ar等の稀釈ガスと所定量の混合比で混
合して、各々を所定の分解空間(B)と分解空間(C)と
に導入し、所望の励起エネルギーを夫々の空間に
加えて、各々の活性種を生成させ、それらを支持
体１０１の設置してある真空堆積用の堆積空間(A)
に導入し、必要に応じては、これ等に膜形成用の
エネルギーを与えることによつて、前記支持体１
０１上に中間層１０２を形成させれば良い。 中間層１０２を形成する為に分解空間(C)に導入
される活性種を生成する有効な出発物質は、Siと
Ｈとを構成原子とするSi₂H₆、Si₃H₈、Si₄H₁₀、
などの鎖状シラン、Ｎを構成原子とする、或いは
ＮとＨとを構成原子とする例えば窒素（N₂）、ア
ンモニア（NH₃）、ヒドラジン（H₂NNH₂）、ア
ジ化水素（HN₃）、アジ化アンモニウム
（NH₄N₃）等のガス内の又はガス化し得る窒素、
窒化物及びアジ化物等の窒素化合物、ＣとＨを構
成原子とする例えば炭素数１〜５の飽和炭素化水
素、炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、炭素数
２〜４のアセチレン系炭化水素等、具体的には、
飽和炭化水素としてはメタン（CH₄）、エタン
（C₂H₆）、プロパン（C₃H₆）、ｎ−ブタン（ｎ−
C₄H₁₀）、ペンタン（C₅H₁₂）、エチレン系炭化水
素としては、エチレン（C₂H₄）、プロピレン
（C₃H₆）、ブテン−１（C₄H₈）、ブテン−２
（C₄H₈）、イソブチレン（C₄H₈）、ペンテン
（C₅H₁₀）、アセチレン系炭化水素としては、アセ
チレン（C₂H₂）、メチルアセチレン（C₃H₄）、ブ
チン（C₄H₆）等、さらに、これ等の他に例えば、
酸素（O₂）、オゾン（O₃）、一酸化炭素（CO）、
二酸化炭素（CO₂）、一酸化窒素（NO）、二酸化
窒素（NO₂）、一酸化二窒素（N₂O）等を挙げる
ことが出来る。 これらの中間層１０２形成用の出発物質は、所
定の原子が構成原子として、形成される中間層１
０２中に含まれ、特に、層形成の際に適宜選択さ
れて使用される。 一方、中間層１０２を形成する際に分解空間(B)
に導入されて活性種を生成し得る出発物質として
は、SiF₄、Si₂F₆が有効なものとして挙げられ、
これ等は高温下で容易にSiF₂ ^*の如き長寿命の活
性種を生成する。 中間層１０２の層厚としては、好ましくは、30
〜1000Å、より好適には50〜600Åとされるのが
望ましい。 光導電層１０３は、電子写真用像形成部材とし
ての機能を十分に発揮することができるような光
導電特性を持つようにシリコン原子を母体とし、
ハロゲン（Ｘ）を含み、必要に応じて水素（Ｈ）
を含むアモルフアスシリコンａ−SiX（Ｈ）で形
成される。 光導電層１０３の形成も、中間層１０２と同様
に分解空間(B)にSiF₄、Si₂F₆等の原料ガスが導入
され、これ等を分解することで高温下にて活性種
が生成される。活性種は堆積空間(A)に導入され
る。他方、分解空間(C)には、Si₂H₆、Si₃F₈などの
原料ガスが導入され、所定の励気エネルギーによ
り活性種が生成される。活性種は堆積空間(A)に導
入され、分解空間(B)から堆積空間(A)に導入されて
来る活性種と化学的相互作用を起こし、その結果
所望の光導電層１０３が堆積される。光導電層１
０３の層厚としては、適用するものの目的に適合
させて所望に従つて適宜決定される。 第１図に示される光導電層１０３の層厚として
は、光導電層１０３の機能及び中間層１０２の機
能が各々有効に活されている様に中間層１０２と
の層厚関係に於て適宜所望に従つて決められるも
のであり、通常の場合、中間層１０２の層厚に対
して数百〜数千倍以上の層厚とされるのが好まし
いものである。 具体的な値としては、好ましくは１〜100μよ
り好適には２〜50μの範囲とされるのが好まし
い。 第１図に示す光導電部材の光導電層中に含有さ
れるＨ又はＸの量は（Ｘ＝Ｆなどハロゲン原子）
好ましくは１〜40atomic％、より好適には５〜
30atomic％とされるのが望ましい。 第１図の光導電部材の表面層１０４は必要に応
じて中間層１０２、及び光導電層１０３と同様に
形成される。シリコンカーバイド膜であれば、例
えば分解空間(B)にSiF₄を、分解空間(C)にSi₂H₆と
CH₄とH₂あるいはSi₂H₆とSiH₂（CH₃）₂などの原
料ガスを導入し、各々分解エネルギーで励起させ
て、活性種の夫々を夫々の空間で生成しそれ等を
別々に堆積空間(A)へ導入させるとにより表面層１
０４が堆積される。また、表面層１０４として
は、窒化シリコン、酸化シリコン膜などのバンド
ギヤツプの広い堆積膜が好ましく、光導電層１０
３から表面層１０４へその膜組成を連続的に変え
ることも可能である。表面層１０４の層厚は、好
ましくは0.01μ〜5μ、より好ましくは0.05μ〜1μの
範囲が望ましい。 光導電層１０３を必要に応じてｎ型又はｐ型と
するには、層形成の際に、ｎ型不純物又は、ｐ型
不純物、或いは両不純物を形成される層中にその
量を制御し乍らドーピングしてやる事によつて成
される。 光導電層中にドーピングされる不純物として
は、ｐ型不純物として、周期律表第族Ａの元
素、例えば、Ｂ、Al、Ga、In、Tl等が好適なも
のとして挙げられ、ｎ型不純物としては、周期律
第族Ａの元素、例えばＮ、Ｐ、As、Sb、Bi等
が好適なものとして挙げられるが、殊にＢ、Ga、
Ｐ、Sb等が最適である。 本発明に於て所望の伝導型を有する為に光導電
層１０３中にドーピングされる不純物の量は、所
望される電気的・光学的特性に応じて適宣決定さ
れるが、周期律表第族Ａの不純物の場合３×
10^-2atomic％以下の量範囲でドーピングしてや
れば良く、周期律表第族Ａの不純物の場合Ｐに
は５×10^-3atomic％以下の量範囲でドーピング
してやれば良い。 光導電層１０３中に不純物をドーピングするに
は、層形成の際に不純物導入用の原料物質をガス
状態で分解空間(A)あるいは(C)中に導入してやれば
良い。その際には分解空間(B)の方ではなく、分解
空間(C)方へ導入し、そこからその活性種を堆積空
間(A)に導入する方が好ましい。 この様な不純物導入用の原料物質としては、常
温常圧でガス状態の又は、少なくとも層形成条件
下で容易にガス化し得るものが採用される。その
様な不純物導入用の出発物質として具体的には、
PH₃、P₂H₄、PF₃、PCl₃、AsH₃、AsF₅、
AsCl₃、SbH₃、SbF₅、BiH₃、BF₃、BCl₃、
BBr₃、B₂H₆、B₄H₁₀、B₅H₉、B₅H₁₁、B₆H₁₀、
B₆H₁₂、AlCl₃等を上げることが出来る。 実施例 １ 第２図に示す装置を使い、以下の如き操作によ
つてドラム状の電子写真用像形成部材を作成し
た。 第２図において、１は堆積空間(A)、２は分解空
間(B)、３は分解空間(C)、４は電気炉、５は固体Si
粒、６は活性種の原料物質導入管、７は活性種導
入管、８はプラズマ発生装置、９は活性種の原料
物質導入管、１０は活性種導入管、１１はモータ
ー、１２は加熱ヒーター、１３は吹き出し管、１
４は吹き出し管、１５はAlシリンダー、１６は
排気バルブを示している。 堆積空間(A)１にAlシリンダー１５をつり下げ、
その内側に加熱ヒーター１２を備え、モーター１
１により回転できるようにし、分解空間(B)２から
の活性種を導入する導入管７を経て、吹き出し管
１３と、分解空間(C)３からの活性種を導入する導
入管１０を経て、吹き出し管１４を備える。 ［光導電層の形成］ 分解空間(B)２に固体Si粒５を詰めて、電気炉４
により加熱し、1100℃に保ち、Siを溶融し、そこ
へボンベからSiF₄の導入管６により、SiF₄を吹き
込むことにより、SiF₂ ^*の活性種を生成させ、導
入管７を経て、堆積空間(A)１の吹き出し管１３へ
導入した。一方、分解空間(C)に導入管９から
Si₂H₆とH₂を導入し、電気炉８により450℃し、
SiH₂ ^*、SiH^*、SiH₃ ^*、H^*などの活性種を生成
させ、導入管１０から吹き出し管１４へ導入し
た。（尚、ここで、＊はラジカルを意味する）。こ
のとき、導入管１０の長さは、装置上、可能な限
り短縮し、その活性種の有効効率を落さないよう
にした。堆積空間(A)内のAlシリンダーは300℃に
ヒーター１２により加熱、保持され、回転させ、
排ガスは排気バルブ１６を通じて排気させた。こ
のようにして光導電層１０３を形成した。同様に
して中間層１０２、表面層１０４も形成された。 ［中間層の形成］ 即ち、中間層１０２は分解空間(B)にSiF₄、分解
空間(C)にSi₂H₆／H₂／NO／B₂H₆（容量％で
NO：２％、B₂H₆：0.2％）を各々導入し各々の
励起エネルギーで活性種を夫々生成し、堆積空間
(A)へ別々に導入して形成した。それ以外は光導電
層の形成の場合と同様であつた。形成された中間
層１０２の層厚は、2000Åであつた。 ［表面層の形成］ 表面層１０４は、分解空間(B)にSiF₄を導入し、
また分解空間(C)にはSi₂H₆／CH₄／H₂を容量比
10：100：50で導入し、各々の励起熱エネルギー
で活性種を夫々生成し、堆積空間(A)へ導入して形
成した。それ以外は、光導電層の形成の場合と同
様であつた。形成された表面層１０４の層厚は、
1000Åであつた。 比較例 １ 第２図の堆積空間(A)１に13.56MHzの高周波装
置を備えて一般的なプラズマCVD法により実施
例１で使用した原料ガスと同様の原料ガスを使用
して、中間層、光導電層、表面層の夫々を形成し
た電子写真用像形成部材を製造した。 この比較例においては、一般的なプラズマ
CVD法を採用した以外はできる限り実施例１と
同様の条件及び手順とした。 実施例 ２ 光導電層１０３を形成する際の、分解空間(B)及
び(C)からの導入量、堆積空間内圧、基板温度、及
び形成された光導電層の層厚を第２表の様にした
以外は実施例１と同様の手順と条件でドラム状の
電子写真用像形成部材を作成した。 比較例 ２ 光導電層１０３を形成する際の、原料ガス種と
その導入量、堆積空間内圧、基板温度、及び形成
された光導電層の層厚を第２表の様にした以外は
比較例１と同様の手順と条件でドラム状の電子写
真用像形成部材を作成した。 実施例 ３ 実施例１と同様に堆積膜を形成するが、分解空
間(C)３に導入する原料ガスをSiH₄とSi₃H₈とH₂
として、電気炉によつて加熱する代わりに、
13.56MHzのプラズマ反応を発生させ、各種シラ
ンの活性種を吹き出し管１４へ導入して、ドラム
状の電子写真用像形成部材を作成した。 実施例 ４ 実施例１と同様に堆積膜を形成するが、分解空
間(B)３に導入する原料ガスをSi₂F₆とし、また分
解空間(C)に導入する原料ガスをSi₂H₆とH₂とし、
電気炉によつて450℃に加熱し、シランの活性種
及び水素の活性種を生成させて、ドラム状の電子
写真用像形成部材を作成した。 参考例 実施例１と同様に堆積膜を形成するが、分解空
間(C)３に導入する原料ガスをSiH₄とH₂とし、電
気炉によつて600℃に加熱し、シランの活性種及
び水素の活性種を生成させて、ドラム状の電子写
真用像形成部材を作成した。表面層１０４、中間
層１０２も同様に形成した。 上記した実施例、比較例、及び参考例のドラム
状の電子写真用像形成部材の製造条件と性能を第
１乃至３表に示す。 以上の各実施例、比較例、及び参考例で得られ
たドラム状の電子写真用像形成部材を、＋帯電、
露光、転写によるカールソンプロセスに於て−ト
ナーによる熱定着方式の複写装置に装着し、全面
暗部全面明部あるいは全面ハーフトーン部のA3
サイズの複写を行い、画像中に不均一なノイズが
発生するか否かについて観察したものが平均画像
欠陥の数である。又、その際にドラムの周方向、
母線方向の受容電位の均一性を測定した。 これらの結果を第１表乃至第３表に示した。第
１表乃至第３表より本発明の堆積膜形成法によれ
ば、従来の方法に比べて大きな堆積速度で堆積膜
を形成出来ることがわかる。また、得られた堆積
膜を、例えば電子写真用像形成部材に使用した場
合、画像欠陥の数、及び電位ムラに関して非常に
優れた電子写真用像形成部材が得られることがわ
かる。 実施例 ５ 第３図において、１７は回転機構を備えた移動
式置台、１８は冷却空間、１９は加熱空間、２０
は堆積空間を示している。 本実施例は、第３図に示す様に、加熱室１９、
堆積室２０、冷却室１８から成り、各々の空間
に、Alシリンダー１５を回転機構を備えた移動
式置台１７上に置き、連続的に１つの堆積空間で
多数本のドラム状の電子写真用像形成部材が作成
される装置である。本装置を使用して、実施例１
と同様な作成方法を試みたところ、堆積空間の温
度、Alシリンダーの温度、分解空間(B)からの導
入管７を経て吹き出し管１３からと、分解空間(C)
からの導入管１０を経て吹き出し管１４からの
各々の活性種の吹き出し量を制御することによ
り、均一で再現性のある堆積膜をもつドラム状の
電子写真用像形成部材を低コストで量産すること
ができることが確認された。 プラズマCVD法では、このように１つの堆積
空間内で、多本数のドラム状の電子写真用像形成
部材を作成しようとすると、放電の均一性や製造
条件の複雑なパラメータの相互の相乗効果もあつ
て、再現性よく均一な堆積膜を持つドラム状の電
子写真用像形成部材を作成することが不可能であ
つた。

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】 【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の方法を用いて作成される光
導電部材の一実施態様例を説明するために、層構
造を示した模式図である。第２図は、本発明の製
造法を具現化するための装置の一例を示す模式的
説明図である。第３図は、本発明の製造法が工業
的に量産化可能なことを示す具体的な装置事例を
示したものである。 １：堆積空間(A)、２：分解空間(B)、３：分解空
間(C)、４：電気炉、５：固体Si粒、６：SiF₄の導
入管、７：活性種導入管、８：プラズマ発生装
置、９：活性種の原料物質導入管、１０：活性種
導入管、１１：モーター、１２：加熱ヒーター、
１３：吹き出し管、１４：吹き出し管、１５：
Alシリンダー、１６：排気バルブ、１００：光
導電部材、１０１：支持体、１０２：中間層、１
０３：光導電層、１０４：表面層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 所望の基体上に所望の堆積膜を形成する堆積
   空間内に、Si_oX_2o+2（ｎ＝１、２、…）で表され
   るハロゲン化ケイ素を分解することで得られる活
   性種(a)と、鎖状シラン化合物から得られる水素の
   活性種とSi_nH_2n-x（ｍ＝１、２、…、Ｘ＝１、
   ２、…）で表される活性種との混合物(b)と、を
   夫々別々に堆積空間内に導入することにより堆積
   膜を形成することを特徴とする堆積膜形成法。 ２ 水素、又は、希ガスの中の少なくとも一つか
   ら生成される活性種を更に前記堆積空間内に導入
   することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
   載の堆積膜形成法。