JPH0674503B2 - 光導電部材 - Google Patents
光導電部材Info
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- JPH0674503B2 JPH0674503B2 JP62136453A JP13645387A JPH0674503B2 JP H0674503 B2 JPH0674503 B2 JP H0674503B2 JP 62136453 A JP62136453 A JP 62136453A JP 13645387 A JP13645387 A JP 13645387A JP H0674503 B2 JPH0674503 B2 JP H0674503B2
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- layer
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、機能性膜、殊に半導体デバイス或いは電子写
真用の感光デバイスなどの用途に有用な光導電部材に関
する。
真用の感光デバイスなどの用途に有用な光導電部材に関
する。
例えばアモルファスシリコン膜の形成には、真空蒸着
法、プラズマCVD法、CVD法、反応性スパッタリング法、
イオンプレーティング法、光CVD法などが試みられてお
り、一般的には、プラズマCVD法が広く用いられ、企業
化されている。
法、プラズマCVD法、CVD法、反応性スパッタリング法、
イオンプレーティング法、光CVD法などが試みられてお
り、一般的には、プラズマCVD法が広く用いられ、企業
化されている。
而乍ら、アモルファスシリコンで構成される堆積膜は電
気的、光学的特性及び、繰返し使用での疲労特性あるい
は使用環境特性、更には均一性、再現性を含めて生産
性、量産性の点において更に総合的な特性の向上を図る
余地がある。
気的、光学的特性及び、繰返し使用での疲労特性あるい
は使用環境特性、更には均一性、再現性を含めて生産
性、量産性の点において更に総合的な特性の向上を図る
余地がある。
従来から一般化されているプラズマCVD法によるアモル
ファスシリコン堆積膜の形成に於ての反応プロセスに、
従来のCVD法に比較してかなり複雑であり、その反応機
構も不明な点が少なくなかった。又、その堆積膜の形成
パラメーターも多く（例えば、基板温度、導入ガスの流
量と比、形成時の圧力、高周波電力、電極構造、反射容
器の構造、排気速度、プラズマ発生方式など）これらの
多くのパラメーターの組み合せによるため、時にはプラ
ズマが不安定な状態になり、形成された堆積膜に著しい
悪影響を与えることが少なくなかった。そのうえ、装置
特有のパラメーターを装置ごとに選定しなければなら
ず、したがって製造条件を一般化することがむずかしい
というのが実状であった。
ファスシリコン堆積膜の形成に於ての反応プロセスに、
従来のCVD法に比較してかなり複雑であり、その反応機
構も不明な点が少なくなかった。又、その堆積膜の形成
パラメーターも多く（例えば、基板温度、導入ガスの流
量と比、形成時の圧力、高周波電力、電極構造、反射容
器の構造、排気速度、プラズマ発生方式など）これらの
多くのパラメーターの組み合せによるため、時にはプラ
ズマが不安定な状態になり、形成された堆積膜に著しい
悪影響を与えることが少なくなかった。そのうえ、装置
特有のパラメーターを装置ごとに選定しなければなら
ず、したがって製造条件を一般化することがむずかしい
というのが実状であった。
一方、アモルファスシリコン膜として電気的、光学的特
性が各用途を十分に満足させ得るものを実現させるに
は、現状ではプラズマCVD法によって形成することが最
良とされている。
性が各用途を十分に満足させ得るものを実現させるに
は、現状ではプラズマCVD法によって形成することが最
良とされている。
而乍ら、堆積膜の応用用途によっては、大面積化、膜厚
の均一性、膜品質の均一性を十分に満足させて、再現性
のある量産化を図らねばならないため、プラズマCVD法
によるアモルファスシリコン堆積膜の形成においては、
量産装置に多大な設備投資が必要となり、またその量産
の為の管理項目も複雑になり、管理許容幅も狭くなり、
装置の調整も微妙であることから、これらのことが、今
後改善すべき問題点として指摘されている。
の均一性、膜品質の均一性を十分に満足させて、再現性
のある量産化を図らねばならないため、プラズマCVD法
によるアモルファスシリコン堆積膜の形成においては、
量産装置に多大な設備投資が必要となり、またその量産
の為の管理項目も複雑になり、管理許容幅も狭くなり、
装置の調整も微妙であることから、これらのことが、今
後改善すべき問題点として指摘されている。
他方、通常のCVD法による従来の技術では、高温を必要
とし、実用可能な特性を有する堆積膜が得られていなか
った。
とし、実用可能な特性を有する堆積膜が得られていなか
った。
上述の如く、アモルファスシリコン膜の形成に於て、そ
の実用可能な特性、均一性を維持させながら低コストな
装置で量産化できる形成方法を開発することが切望され
ている。
の実用可能な特性、均一性を維持させながら低コストな
装置で量産化できる形成方法を開発することが切望され
ている。
これ等のことは、他の機能性膜、例えば窒化シリコン
膜、炭化シリコン膜、酸化シリコン膜に於ても各々同様
のことがいえる。
膜、炭化シリコン膜、酸化シリコン膜に於ても各々同様
のことがいえる。
本発明は、上述したプラズマCVD法の欠点を除去した新
規な堆積膜形成法により形成された光導電部材を提供す
るものである。
規な堆積膜形成法により形成された光導電部材を提供す
るものである。
本発明の目的は、例えば、電子写真用の光導電部材とし
て使用した場合には、画像出しの際の画像欠陥が極めて
少なく、また受容電位のむらも少ない良好な特性を安定
して示す光導電部材を提供することである。
て使用した場合には、画像出しの際の画像欠陥が極めて
少なく、また受容電位のむらも少ない良好な特性を安定
して示す光導電部材を提供することである。
本発明の光導電部材は、a.光導電部材用の支持体と、 b.分解空間（Ｂ）に於いて、ケイ素原子にハロゲン原子
又はハロゲン原子を含む原子団が結合し、堆積膜形成用
の原料となる化合物（SX）より分解生成したケイ素原子
とハロゲン原子を含む前駆体（SX）と、分解空間（Ｃ）
に於いて生成した水素原子を含む活性種（Ｈ）とを堆積
空間（Ａ）に夫々別々に導入して相互作用させ、前記堆
積空間（Ａ）内に設けられた前記光導電部材用の支持体
上にケイ素を母体とし、ハロゲン原子を含むアモルファ
スシリコン膜を形成して構成した光導電層と、 を有することを特徴とするものである。
又はハロゲン原子を含む原子団が結合し、堆積膜形成用
の原料となる化合物（SX）より分解生成したケイ素原子
とハロゲン原子を含む前駆体（SX）と、分解空間（Ｃ）
に於いて生成した水素原子を含む活性種（Ｈ）とを堆積
空間（Ａ）に夫々別々に導入して相互作用させ、前記堆
積空間（Ａ）内に設けられた前記光導電部材用の支持体
上にケイ素を母体とし、ハロゲン原子を含むアモルファ
スシリコン膜を形成して構成した光導電層と、 を有することを特徴とするものである。
本発明の光導電部材を形成するのに使用される堆積膜の
形成の方法では、所望の堆積膜を形成する堆積空間
（Ａ）でプラズマを使用しないので、堆積膜の形成パラ
メーターが導入する前駆体及び活性種の導入量、基板及
び堆積空間内の温度、堆積空間内の内圧となり、したが
って堆積膜形成のコントロールが容易になり、再現性、
量産性のある堆積膜を形成させることができる。
形成の方法では、所望の堆積膜を形成する堆積空間
（Ａ）でプラズマを使用しないので、堆積膜の形成パラ
メーターが導入する前駆体及び活性種の導入量、基板及
び堆積空間内の温度、堆積空間内の内圧となり、したが
って堆積膜形成のコントロールが容易になり、再現性、
量産性のある堆積膜を形成させることができる。
尚、本発明での「前駆体」とは、形成される堆積膜の原
料には成り得るがそのままのエネルギー状態では堆積膜
を形成することが全く又は殆ど出来ないものを言う。
「活性種」とは、前記前駆体と化学的相互作用を起して
例えば前駆体にエネルギーを与えたり、前駆体と化学的
に反応したりして、前駆体を堆積膜を形成することが出
来る状態にする役目を荷うものを云う。従って、活性種
としては、形成される堆積膜を構成する構成要素に成る
構成要素を含んでいても良く、或いはその様な構成要素
を含んでいなくとも良い。
料には成り得るがそのままのエネルギー状態では堆積膜
を形成することが全く又は殆ど出来ないものを言う。
「活性種」とは、前記前駆体と化学的相互作用を起して
例えば前駆体にエネルギーを与えたり、前駆体と化学的
に反応したりして、前駆体を堆積膜を形成することが出
来る状態にする役目を荷うものを云う。従って、活性種
としては、形成される堆積膜を構成する構成要素に成る
構成要素を含んでいても良く、或いはその様な構成要素
を含んでいなくとも良い。
本発明では、堆積空間（Ａ）に導入される分解空間
（Ｂ）からの前駆体は、その寿命が好ましくは、0.01秒
以上、より好ましくは0.1秒以上、最適には１秒以上あ
るものが、所望に従って選択されて使用され、この前駆
体の構成要素が堆積空間（Ａ）で形成させる堆積膜を構
成する主成分を構成するものとなる。又、分解空間
（Ｃ）から導入される活性種は、その寿命が好ましくは
10秒以下、より好ましくは８秒以下、最適には５秒以下
のものである。この活性種は堆積空間（Ａ）で堆積膜を
形成する際、同時に分解空間（Ｂ）から堆積空間（Ａ）
に導入され、形成される堆積膜の主構成成分となる構成
要素を含む前記前駆体と化学的に相互作用する。その結
果、所望の基板上に所望の堆積膜が容易に形成される。
（Ｂ）からの前駆体は、その寿命が好ましくは、0.01秒
以上、より好ましくは0.1秒以上、最適には１秒以上あ
るものが、所望に従って選択されて使用され、この前駆
体の構成要素が堆積空間（Ａ）で形成させる堆積膜を構
成する主成分を構成するものとなる。又、分解空間
（Ｃ）から導入される活性種は、その寿命が好ましくは
10秒以下、より好ましくは８秒以下、最適には５秒以下
のものである。この活性種は堆積空間（Ａ）で堆積膜を
形成する際、同時に分解空間（Ｂ）から堆積空間（Ａ）
に導入され、形成される堆積膜の主構成成分となる構成
要素を含む前記前駆体と化学的に相互作用する。その結
果、所望の基板上に所望の堆積膜が容易に形成される。
本発明の光導電部材を形成するのに使用される堆積膜の
形成方法によれば、堆積空間（Ａ）内でプラズマを生起
させないで形成される堆積膜は、エッチング作用、或い
はその他の例えば異常放電作用等による悪影響を受ける
ことは、実質的にない。又、本発明によれば堆積空間
（Ａ）の雰囲気温度、基板温度を所望に従って任意に制
御することにより、より安定したCVD法とすることがで
きる。
形成方法によれば、堆積空間（Ａ）内でプラズマを生起
させないで形成される堆積膜は、エッチング作用、或い
はその他の例えば異常放電作用等による悪影響を受ける
ことは、実質的にない。又、本発明によれば堆積空間
（Ａ）の雰囲気温度、基板温度を所望に従って任意に制
御することにより、より安定したCVD法とすることがで
きる。
本発明の光導電部材を形成するのに使用される堆積膜の
形成方法が従来のCVD法と違う点の１つは、あらかじめ
堆積空間（Ａ）とは異なる空間に於て活性化された活性
種を使うことである。このことにより、従来のCVD法よ
り堆積速度を飛躍的に伸ばすことが出来、加えて堆積膜
形成の際の基板温度も一層の低温化を図ることが可能に
なり、膜品質の安定した堆積膜を工業的に大量に、しか
も低コストで提供出来る。
形成方法が従来のCVD法と違う点の１つは、あらかじめ
堆積空間（Ａ）とは異なる空間に於て活性化された活性
種を使うことである。このことにより、従来のCVD法よ
り堆積速度を飛躍的に伸ばすことが出来、加えて堆積膜
形成の際の基板温度も一層の低温化を図ることが可能に
なり、膜品質の安定した堆積膜を工業的に大量に、しか
も低コストで提供出来る。
本発明に於て分解空間（Ｃ）で生成される活性種は放
電、光、熱等のエネルギーで或いはそれ等の併用によっ
て励起されるばかりではなく、触媒などとの接触、ある
いは添加により生成されてもよい。
電、光、熱等のエネルギーで或いはそれ等の併用によっ
て励起されるばかりではなく、触媒などとの接触、ある
いは添加により生成されてもよい。
本発明に於て、分解空間（Ｂ）に導入される原材料とし
ては、珪素原子に電子吸引性の高い原子又は原子団、或
いは極性基が結合しているものが利用される。その様な
ものとしては、例えば、SiｎＸ2n＋２（ｎ＝1,2,3…,X
＝F,Cl,Br,I），（SiX２）ｎ（ｎ≧3,X＝F,Cl,Br,I）,S
iｎH X2n＋ｚ（ｎ＝1,2,3…,X＝F,Cl,Br,I）,SiｎＨ２
Ｘ2n（ｎ＝1,2,3…,X＝F,Cl,Br,I）などが挙げられる。
ては、珪素原子に電子吸引性の高い原子又は原子団、或
いは極性基が結合しているものが利用される。その様な
ものとしては、例えば、SiｎＸ2n＋２（ｎ＝1,2,3…,X
＝F,Cl,Br,I），（SiX２）ｎ（ｎ≧3,X＝F,Cl,Br,I）,S
iｎH X2n＋ｚ（ｎ＝1,2,3…,X＝F,Cl,Br,I）,SiｎＨ２
Ｘ2n（ｎ＝1,2,3…,X＝F,Cl,Br,I）などが挙げられる。
具体的には例えばSiF４，（SiF２）５，（SiF２）６，
（SiF２）４,Si２Ｆ６,SiH２Ｆ２,SiCl４，（SiCl２）
５,SiBr４，（SiBr２）５などのガス状態の又は容易に
ガス化し得るものが挙げられる。
（SiF２）４,Si２Ｆ６,SiH２Ｆ２,SiCl４，（SiCl２）
５,SiBr４，（SiBr２）５などのガス状態の又は容易に
ガス化し得るものが挙げられる。
又、SiH２（Ｃ６Ｈ５）２,SiH２（CN）２なども形成さ
れる堆積膜の使用目的によっては使用される。
れる堆積膜の使用目的によっては使用される。
上述したものに、分解空間（Ｂ）で熱、光、放電などの
分解エネルギーを加えることにより、前駆体が生成され
る。この前駆体を堆積空間（Ａ）へ導入する。この際、
前駆体の寿命が望ましくは、0.01秒以上あることが必要
で、堆積効率及び堆積速度の上昇を促進させ、堆積空間
（Ａ）に於て、分解空間（Ｃ）から導入される活性種と
の活性化反応の効率を増し、その際、必要であればプラ
ズマなどの放電エネルギーを使用しないで、堆積空間あ
るいは基板上に熱、光などのエネルギーを与えること
で、所望の堆積膜の形成が達成される。
分解エネルギーを加えることにより、前駆体が生成され
る。この前駆体を堆積空間（Ａ）へ導入する。この際、
前駆体の寿命が望ましくは、0.01秒以上あることが必要
で、堆積効率及び堆積速度の上昇を促進させ、堆積空間
（Ａ）に於て、分解空間（Ｃ）から導入される活性種と
の活性化反応の効率を増し、その際、必要であればプラ
ズマなどの放電エネルギーを使用しないで、堆積空間あ
るいは基板上に熱、光などのエネルギーを与えること
で、所望の堆積膜の形成が達成される。
本発明に於て、分解空間（Ｃ）に導入され、活性種を生
成させる原料としては、Ｈ２,SiH４,SiH３F,SiH３Cl,Si
HS３Br,SiH３Ｉなどの他、He,Ar等の稀ガスが挙げられ
る。
成させる原料としては、Ｈ２,SiH４,SiH３F,SiH３Cl,Si
HS３Br,SiH３Ｉなどの他、He,Ar等の稀ガスが挙げられ
る。
本発明に於て堆積空間（Ａ）に於ける分解空間（Ｂ）か
ら導入される前駆体の量と分解空間（Ｃ）から導入され
る活性種の量の割合は、堆積条件、活性種の種類などで
適宜所望に従って決められるが好ましくは10:1〜1:10
（導入流量比）が適当であり、より好ましくは8:2〜4:6
とされるのが望ましい。
ら導入される前駆体の量と分解空間（Ｃ）から導入され
る活性種の量の割合は、堆積条件、活性種の種類などで
適宜所望に従って決められるが好ましくは10:1〜1:10
（導入流量比）が適当であり、より好ましくは8:2〜4:6
とされるのが望ましい。
本発明に於て分解空間（Ｂ）、及び分解空間（Ｃ）で前
駆体及び活性種を生成させる方法としては各々の条件、
装置を考慮して放電エネルギー、熱エネルギー、光エネ
ルギーなどの励起エネルギーが使用される。
駆体及び活性種を生成させる方法としては各々の条件、
装置を考慮して放電エネルギー、熱エネルギー、光エネ
ルギーなどの励起エネルギーが使用される。
次に本発明の光導電部材について電子写真用像形成部材
を一例として挙げて説明する。
を一例として挙げて説明する。
第１図は、本発明の光導電部材の構成例を説明する為の
図である。
図である。
第１図に示す光導電部材100は、電子写真用像形成部材
として適用させ得るものであって、光導電部材用として
の支持体101の上に、必要に応じて設けられる中間層102
と表面層104、光導電層103とが構成される層構造を有し
ている。
として適用させ得るものであって、光導電部材用として
の支持体101の上に、必要に応じて設けられる中間層102
と表面層104、光導電層103とが構成される層構造を有し
ている。
支持体101としては、導電性でも電気絶縁性であっても
良い。導電性支持体としては、例えばNiCr,ステンレス,
Al,Cr,Mo,Au,Ir,Nb,Ta,V,Ti,Pt,Pd等の金属又はこれ等
の合金が挙げられる。
良い。導電性支持体としては、例えばNiCr,ステンレス,
Al,Cr,Mo,Au,Ir,Nb,Ta,V,Ti,Pt,Pd等の金属又はこれ等
の合金が挙げられる。
電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面が導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面が導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。
例えばガラスであれば、その表面がNiCr,Al,Cr,Mo,Au,I
r,Nb,Ta,V,Ti,Pt,Pd,In２Ｏ３,SnO２,ITO（In２Ｏ３＋S
nO２）等の薄膜を設けることによって導電処理され、或
いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれ
ば、NiCr,Al,Ag,Pb,Zn,Ni,Au,Cr,Mo,Ir,Nb,Ta,V,Ti,Pt
等の金属で真空蒸着，電子ビーム蒸着，スパッタリング
等で処理し、又は前記金属でラミネート処理して、その
表面が導電処理される。支持体の形状としては、円筒
状、ベルト状、板状等、任意の形状として得、所望によ
って、その形状は決定されるが、例えば、第１図の光導
電部材100を電子写真用像形成部材として使用するので
あれば連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒
状とするのが望ましい。
r,Nb,Ta,V,Ti,Pt,Pd,In２Ｏ３,SnO２,ITO（In２Ｏ３＋S
nO２）等の薄膜を設けることによって導電処理され、或
いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれ
ば、NiCr,Al,Ag,Pb,Zn,Ni,Au,Cr,Mo,Ir,Nb,Ta,V,Ti,Pt
等の金属で真空蒸着，電子ビーム蒸着，スパッタリング
等で処理し、又は前記金属でラミネート処理して、その
表面が導電処理される。支持体の形状としては、円筒
状、ベルト状、板状等、任意の形状として得、所望によ
って、その形状は決定されるが、例えば、第１図の光導
電部材100を電子写真用像形成部材として使用するので
あれば連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒
状とするのが望ましい。
中間層102は例えばシリコン原子及び炭素原子又は窒素
原子又は酸素原子又はハロゲン原子（Ｘ）を含む非光導
電性のアモルファス材料で構成され、支持体101の側か
ら光導電層103中へのキャリアの流入を効果的に阻止し
且つ電磁波の照射によって光導電層103中に生じ、支持
体101の側に向って移動するフォトキャリアの光導電層1
03の側から支持体101の側への通過を容易に許す機能を
有するものである。
原子又は酸素原子又はハロゲン原子（Ｘ）を含む非光導
電性のアモルファス材料で構成され、支持体101の側か
ら光導電層103中へのキャリアの流入を効果的に阻止し
且つ電磁波の照射によって光導電層103中に生じ、支持
体101の側に向って移動するフォトキャリアの光導電層1
03の側から支持体101の側への通過を容易に許す機能を
有するものである。
中間層102を形成する場合には、光導電層103の形成まで
連続的に行うことが出来る。その場合には、中間層形成
用の原料ガスを、必要に応じてHe,Ar等の稀釈ガスと所
定量の混合比で混合して、各々を所定の分解空間（Ｂ）
と分解空間（Ｃ）とに導入し、所望の励気エネルギーを
夫々の空間に加えて、各々の前駆体及び活性種を生成さ
せ、それらを支持体101の設置してある真空堆積用の堆
積空間（Ａ）に導入し、必要に応じては、これ等に膜成
形用のエネルギーを与えることによって、前記支持体10
1上に中間層102を形成させれば良い。
連続的に行うことが出来る。その場合には、中間層形成
用の原料ガスを、必要に応じてHe,Ar等の稀釈ガスと所
定量の混合比で混合して、各々を所定の分解空間（Ｂ）
と分解空間（Ｃ）とに導入し、所望の励気エネルギーを
夫々の空間に加えて、各々の前駆体及び活性種を生成さ
せ、それらを支持体101の設置してある真空堆積用の堆
積空間（Ａ）に導入し、必要に応じては、これ等に膜成
形用のエネルギーを与えることによって、前記支持体10
1上に中間層102を形成させれば良い。
中間層102を形成する為に分解空間（Ｃ）に導入される
活性種を生成する有効な出発物質は、Ar,He,H２,SiとＨ
とを構成原子とするSiH４,SiH３Cl,SiH３F,SiH３Br等の
水素の多いハロゲン化シラン,Nを構成原子とする、或い
はＮとＨとを構成原子とする例えば窒素（Ｎ２），アン
モニア（NH３），ヒドラジン（Ｈ２NNH２），アジ化水
素（HN３），アジ化アンモニウム（NH４Ｎ３）等のガス
内の又はガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物等の窒
素化合物,CとＨを構成原子とする例えば炭素数１〜５の
飽和炭素化水素，炭素数２〜５のエチレン系炭化水素，
炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等、具体的には、
飽和炭化水素としてはメタン（CH４），エタン（Ｃ２Ｈ
６），プロパン（Ｃ３Ｈ８）,n−プタン（ｎ−Ｃ
４Ｈ10），ペンタン（Ｃ５Ｈ12），エチレン系炭化水素
としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４），プロピレン（Ｃ３Ｈ
６），ブテン−１（Ｃ４Ｈ８），ブテン−２（Ｃ
４Ｈ８），イソブチレン（Ｃ４Ｈ８），ペンテン（Ｃ５
Ｈ10），アセチレン系炭化水素としては、アセチレン
（Ｃ２Ｈ２），メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４），ブチン
（Ｃ４Ｈ６）等、さらに、これ等の他に例えば、酸素
（Ｏ２），オゾン（Ｏ３），一酸化炭素（CO），二酸化
炭素（CO２），一酸化窒素（NO），二酸化窒素（N
O２），一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）等を挙げることが出来
る。
活性種を生成する有効な出発物質は、Ar,He,H２,SiとＨ
とを構成原子とするSiH４,SiH３Cl,SiH３F,SiH３Br等の
水素の多いハロゲン化シラン,Nを構成原子とする、或い
はＮとＨとを構成原子とする例えば窒素（Ｎ２），アン
モニア（NH３），ヒドラジン（Ｈ２NNH２），アジ化水
素（HN３），アジ化アンモニウム（NH４Ｎ３）等のガス
内の又はガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物等の窒
素化合物,CとＨを構成原子とする例えば炭素数１〜５の
飽和炭素化水素，炭素数２〜５のエチレン系炭化水素，
炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等、具体的には、
飽和炭化水素としてはメタン（CH４），エタン（Ｃ２Ｈ
６），プロパン（Ｃ３Ｈ８）,n−プタン（ｎ−Ｃ
４Ｈ10），ペンタン（Ｃ５Ｈ12），エチレン系炭化水素
としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４），プロピレン（Ｃ３Ｈ
６），ブテン−１（Ｃ４Ｈ８），ブテン−２（Ｃ
４Ｈ８），イソブチレン（Ｃ４Ｈ８），ペンテン（Ｃ５
Ｈ10），アセチレン系炭化水素としては、アセチレン
（Ｃ２Ｈ２），メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４），ブチン
（Ｃ４Ｈ６）等、さらに、これ等の他に例えば、酸素
（Ｏ２），オゾン（Ｏ３），一酸化炭素（CO），二酸化
炭素（CO２），一酸化窒素（NO），二酸化窒素（N
O２），一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）等を挙げることが出来
る。
これらの中間層102形成用の出発物質は、所定の原子が
構成原子として、形成される中間層102中に含まれ、特
に、層形成の際に適宜選択されて使用される。
構成原子として、形成される中間層102中に含まれ、特
に、層形成の際に適宜選択されて使用される。
一方、中間層102を形成する際に分散空間（Ｂ）に導入
されて前駆体を生成し得る出発物質としては、SiF４,Si
H２Ｆ２等が有効なものとして挙げられ、これ等は高温
下で容易にSiF２の如き長寿命の前駆体を生成する。
されて前駆体を生成し得る出発物質としては、SiF４,Si
H２Ｆ２等が有効なものとして挙げられ、これ等は高温
下で容易にSiF２の如き長寿命の前駆体を生成する。
中間層102の層厚としては、好ましくは、30〜1000Å、
より好適には50〜600Åとされるのが望ましい。
より好適には50〜600Åとされるのが望ましい。
光導電層103は、電子写真用像形成部材としての機能を
十分に発揮することができるような光導電特性を持つよ
うにシリコン原子を母体とし、ハロゲン（Ｘ）を含み、
必要に応じて水素（Ｈ）を含むアモルファスシリコンａ
−SiX（Ｈ）で形成される。
十分に発揮することができるような光導電特性を持つよ
うにシリコン原子を母体とし、ハロゲン（Ｘ）を含み、
必要に応じて水素（Ｈ）を含むアモルファスシリコンａ
−SiX（Ｈ）で形成される。
光導電層103の形成も、中間層102と同様に分解空間
（Ｂ）にSiF４,SiF２Ｈ２等の原料ガスが導入され、こ
れ等を分解することで高温下にて前駆体が生成される。
前駆体は堆積空間（Ａ）に導入される。他方、分解空間
（Ｃ）にはＨ２,SiH４,SiH３Ｆなどの原料ガスが導入さ
れ、所定の励気エネルギーにより活性種が生成される。
活性種は堆積空間（Ａ）にどうにゅうされ、分解空間
（Ｂ）から堆積空間（Ａ）に導入されて来る前駆体と化
学的相互作用を起こし、その結果所望の光導電層103が
堆積される。光導電層103の層厚としては、適用するも
のの目的に適合させて所望に従って適宜決定される。
（Ｂ）にSiF４,SiF２Ｈ２等の原料ガスが導入され、こ
れ等を分解することで高温下にて前駆体が生成される。
前駆体は堆積空間（Ａ）に導入される。他方、分解空間
（Ｃ）にはＨ２,SiH４,SiH３Ｆなどの原料ガスが導入さ
れ、所定の励気エネルギーにより活性種が生成される。
活性種は堆積空間（Ａ）にどうにゅうされ、分解空間
（Ｂ）から堆積空間（Ａ）に導入されて来る前駆体と化
学的相互作用を起こし、その結果所望の光導電層103が
堆積される。光導電層103の層厚としては、適用するも
のの目的に適合させて所望に従って適宜決定される。
第１図に示される光導電層103の層厚としては、光導電
層103の機能及び中間層102の機能が各々有効に活されて
いる様に中間層102との層厚関係に於て適宜所望に従っ
て決められるものであり、通常の場合、中間層102の層
厚に対して数百〜数千倍以上の層厚とされるのが好まし
いものである。
層103の機能及び中間層102の機能が各々有効に活されて
いる様に中間層102との層厚関係に於て適宜所望に従っ
て決められるものであり、通常の場合、中間層102の層
厚に対して数百〜数千倍以上の層厚とされるのが好まし
いものである。
具体的な値としては、好ましくは１〜100μより好適に
は２〜50μの範囲とされるのが好ましい。
は２〜50μの範囲とされるのが好ましい。
第１図に示す光導電部材の光導電層中に含有されるＨ又
はＸの量は（Ｘ＝Ｆなどハロゲン原子）好ましくは１〜
40atomic％、より好適には５〜30atomic％とされるのが
望ましい。
はＸの量は（Ｘ＝Ｆなどハロゲン原子）好ましくは１〜
40atomic％、より好適には５〜30atomic％とされるのが
望ましい。
第１図の光導電部材の表面層104は必要に応じて中間層1
02、及び光導電層103と同様に形成される。シリコンカ
ーバイド膜であれば、例えば、分解空間（Ｂ）にSiF４
を、分解空間（Ｃ）にSiH４とCH４とＨ２あるいはSiH４
とSiH２（CH３）２などの原料ガスを導入し、各々分解
エネルギーで励起させて、前駆体及び活性種の夫々を夫
々の空間で生成しそれ等を別々に堆積空間（Ａ）へ導入
させることにより表面積104が堆積される。また、表面
層104としては、窒化シリコン，酸化シリコン膜などの
バンドギャップの広い堆積膜が好ましく、光導電層103
から表面層104へその膜組成を連続的に変えることも可
能である。表面層104の層厚は、好ましくは0.01μ〜５
μ、より好ましくは0.05μ〜１μの範囲が望ましい。
02、及び光導電層103と同様に形成される。シリコンカ
ーバイド膜であれば、例えば、分解空間（Ｂ）にSiF４
を、分解空間（Ｃ）にSiH４とCH４とＨ２あるいはSiH４
とSiH２（CH３）２などの原料ガスを導入し、各々分解
エネルギーで励起させて、前駆体及び活性種の夫々を夫
々の空間で生成しそれ等を別々に堆積空間（Ａ）へ導入
させることにより表面積104が堆積される。また、表面
層104としては、窒化シリコン，酸化シリコン膜などの
バンドギャップの広い堆積膜が好ましく、光導電層103
から表面層104へその膜組成を連続的に変えることも可
能である。表面層104の層厚は、好ましくは0.01μ〜５
μ、より好ましくは0.05μ〜１μの範囲が望ましい。
光導電層103を必要に応じてｎ型又はｐ型とするには、
層形成の際に、ｎ型不純物又は、ｐ型不純物、或いは両
不純物を形成される層中にその量を制御し乍らドーピン
グしてやる事によって成される。
層形成の際に、ｎ型不純物又は、ｐ型不純物、或いは両
不純物を形成される層中にその量を制御し乍らドーピン
グしてやる事によって成される。
光導電層中にドーピングされる不純物としては、ｐ型不
純物として、周期律表第III族Ａの元素、例えば、B,Al,
Ga,In,Tl等が好適なものとして挙げられ、ｎ型不純物と
しては、周期律第Ｖ族Ａの元素、例えばN,P,As,Sb,Bi等
が好適なものとして挙げられるが、殊にB,Ga,P,Sb等が
最適である。
純物として、周期律表第III族Ａの元素、例えば、B,Al,
Ga,In,Tl等が好適なものとして挙げられ、ｎ型不純物と
しては、周期律第Ｖ族Ａの元素、例えばN,P,As,Sb,Bi等
が好適なものとして挙げられるが、殊にB,Ga,P,Sb等が
最適である。
本発明に於て所望の伝導型を有する為に光導電層103中
にドーピングされる不純物の量は、所望される電気的・
光学的特性に応じて適宜決定されるが、周期律表第III
族Ａの不純物の場合３×10−２atomic％以下の量範囲で
ドーピングてやれば良く、周期律表第Ｖ族Ａの不純物の
場合Ｐには５×10−３atomic％以下の量範囲でドーピン
グしてやれば良い。
にドーピングされる不純物の量は、所望される電気的・
光学的特性に応じて適宜決定されるが、周期律表第III
族Ａの不純物の場合３×10−２atomic％以下の量範囲で
ドーピングてやれば良く、周期律表第Ｖ族Ａの不純物の
場合Ｐには５×10−３atomic％以下の量範囲でドーピン
グしてやれば良い。
光導電量103中に不純物をドーピングするには、層形成
の際に不純物導入用の原料物質をガス状態で分解空間
（Ａ）あるいは（Ｃ）中に導入してやれば良い。その際
には分解空間（Ｂ）の方ではなく、分解空間（Ｃ）方へ
導入し、そこからその活性種を堆積空間（Ａ）に導入す
る方が好ましい。
の際に不純物導入用の原料物質をガス状態で分解空間
（Ａ）あるいは（Ｃ）中に導入してやれば良い。その際
には分解空間（Ｂ）の方ではなく、分解空間（Ｃ）方へ
導入し、そこからその活性種を堆積空間（Ａ）に導入す
る方が好ましい。
この様な不純物導入用の原料物質としては、常温常圧で
ガス状態の又は、少なくとも層形成条件下で容易にガス
化し得るものが採用される。その様な不純物導入用の出
発物質として具体的には、PH３,P２Ｈ４,PE３,PCl３,As
H３,AsF５,AsCl３,SbH３,SbF５,BiH３,BF３,BCl３,BBr
３,B２Ｈ６,B４Ｈ10,B５Ｈ９,B５Ｈ11,B６Ｈ10,B
６Ｈ12,AlCl３等を挙げることが出来る。
ガス状態の又は、少なくとも層形成条件下で容易にガス
化し得るものが採用される。その様な不純物導入用の出
発物質として具体的には、PH３,P２Ｈ４,PE３,PCl３,As
H３,AsF５,AsCl３,SbH３,SbF５,BiH３,BF３,BCl３,BBr
３,B２Ｈ６,B４Ｈ10,B５Ｈ９,B５Ｈ11,B６Ｈ10,B
６Ｈ12,AlCl３等を挙げることが出来る。
実施例１ 第２図に示す装置を使い、以下の如き操作によってドラ
ム状の電子写真用像形成部材を作成した。
ム状の電子写真用像形成部材を作成した。
第２図において、１は堆積空間（Ａ）、２は分解空間
（Ｂ）、３は分解空間（Ｃ）、４は電気、５は固体Si
粒、６は前駆体の原料物質導入管、７は前駆体導入管、
８は電気、９は活性種の原料物質導入管、10は活性種
導入管、11はモーター、12は加熱ヒーター、13は吹き出
し管、14は吹き出し管、15はAlシリンダー、16は排気バ
ルブを示している。
（Ｂ）、３は分解空間（Ｃ）、４は電気、５は固体Si
粒、６は前駆体の原料物質導入管、７は前駆体導入管、
８は電気、９は活性種の原料物質導入管、10は活性種
導入管、11はモーター、12は加熱ヒーター、13は吹き出
し管、14は吹き出し管、15はAlシリンダー、16は排気バ
ルブを示している。
堆積空間（Ａ）１にAlシリンダー15をつり下げ、その内
側に加熱ヒーター12を備え、モーター11により回転でき
るようにし、分解空間（Ｂ）２からの前駆体を導入する
導入管７を経て、吹き出し管13と、分解空間（Ｃ）３か
らの活性種を導入する導入管10を経て、吹き出し管14を
備える。
側に加熱ヒーター12を備え、モーター11により回転でき
るようにし、分解空間（Ｂ）２からの前駆体を導入する
導入管７を経て、吹き出し管13と、分解空間（Ｃ）３か
らの活性種を導入する導入管10を経て、吹き出し管14を
備える。
分解空間（Ｂ）２に固体Si粒５を詰めて、電気４によ
り加熱し、1100℃に保ち、Siを溶融し、そこへボンベか
らSiF４の導入管６により、SiF４を吹き込むことによ
り、SiF２の活性種を生成させ、導入管７を経て、堆積
空間（Ａ）１の吹き出し管13へ導入する。一方、分解空
間（Ｃ）３に導入管９からSiF４とＨ２を導入し、電気
８により600℃に加熱し、SiH２、SiH、SiH３、Ｈなど
を活性種を生成させ、導入管10から吹き出し管14へ導入
する。このとき、導入管10の長さは、装置上、可能な限
り短縮し、その活性種の有効効率を落さないようにす
る。堆積空間（Ａ）内のAlシリンダーは300℃にヒータ
ー12により加熱、保持され、回転させ、排ガスは排気バ
ルブ16を通じて排気させる。このようにして光導電層10
3が形成されるが、同様に中間層102、表面層104も形成
される。
り加熱し、1100℃に保ち、Siを溶融し、そこへボンベか
らSiF４の導入管６により、SiF４を吹き込むことによ
り、SiF２の活性種を生成させ、導入管７を経て、堆積
空間（Ａ）１の吹き出し管13へ導入する。一方、分解空
間（Ｃ）３に導入管９からSiF４とＨ２を導入し、電気
８により600℃に加熱し、SiH２、SiH、SiH３、Ｈなど
を活性種を生成させ、導入管10から吹き出し管14へ導入
する。このとき、導入管10の長さは、装置上、可能な限
り短縮し、その活性種の有効効率を落さないようにす
る。堆積空間（Ａ）内のAlシリンダーは300℃にヒータ
ー12により加熱、保持され、回転させ、排ガスは排気バ
ルブ16を通じて排気させる。このようにして光導電層10
3が形成されるが、同様に中間層102、表面層104も形成
される。
比較例１ 一般的なプラズマCVD法により、SiF４とSiH４およびＨ
２から第２図の堆積空間（Ａ）１に13.56MHzの高周波装
置を備えて、アモルファスシリコン堆積膜を形成した。
２から第２図の堆積空間（Ａ）１に13.56MHzの高周波装
置を備えて、アモルファスシリコン堆積膜を形成した。
実施例２ 実施例１と同様に堆積膜を形成するが、分解空間（Ｃ）
３に導入する原料ガスをＨ２として、電気によって加
熱する代りに13.56MHzのプラズマ反応を発生させ、水素
プラズマ状態を作り、Ｈの活性種を吹き出し管14へ導入
し、ドラム状の電子写真用像形成部材を作成した。
３に導入する原料ガスをＨ２として、電気によって加
熱する代りに13.56MHzのプラズマ反応を発生させ、水素
プラズマ状態を作り、Ｈの活性種を吹き出し管14へ導入
し、ドラム状の電子写真用像形成部材を作成した。
上記した実施例1,比較例1,実施例２のドラム状の電子写
真用像形成部材の製造条件と性能を第１表に示す。
真用像形成部材の製造条件と性能を第１表に示す。
実施例1,実施例２の中間層102は分解空間（Ｂ）にSi
F４，分解空間（Ｃ）にSiF４/H２/NO/B２Ｈ６（容量％
でNO:2％,B２Ｈ６:0.2％）を各々導入し各々の励起エネ
ルギーで前駆体及び活性種を生成し、堆積空間（Ａ）へ
導入して形成し、中間層102の層厚は、2000Åとする。
F４，分解空間（Ｃ）にSiF４/H２/NO/B２Ｈ６（容量％
でNO:2％,B２Ｈ６:0.2％）を各々導入し各々の励起エネ
ルギーで前駆体及び活性種を生成し、堆積空間（Ａ）へ
導入して形成し、中間層102の層厚は、2000Åとする。
比較例１の場合も実施例1,実施例２と同様な組成のSiH
４/H２/NO/B２Ｈ６のガスを用いてプラズマCVD法で中間
層102を形成し、その層厚を2000Åとする。
４/H２/NO/B２Ｈ６のガスを用いてプラズマCVD法で中間
層102を形成し、その層厚を2000Åとする。
実施例1,実施例２の表面層104は、分解空間（Ｂ）にSiF
４を導入し、また分解空間（Ｃ）にはSiF４/CH４/H２を
容量比10:100:50で導入し、各々の励起熱エネルギーで
前駆体及び活性種を生成し、堆積空間（Ａ）へ導入して
形成し、表面層104の層厚は、1000Åとする。
４を導入し、また分解空間（Ｃ）にはSiF４/CH４/H２を
容量比10:100:50で導入し、各々の励起熱エネルギーで
前駆体及び活性種を生成し、堆積空間（Ａ）へ導入して
形成し、表面層104の層厚は、1000Åとする。
比較例１の場合もSiF４/CH４/H２を同組成で導入し、プ
ラズマCVD法で表面層104を形成し、その層厚を1000Åと
する。
ラズマCVD法で表面層104を形成し、その層厚を1000Åと
する。
実施例1,比較例1,実施例２のドラム状の電子写真用像形
成部材を、＋帯電、露光、転写によるカールソンプロセ
スに於て−トナーによる熱定着方式の複写装置に装着
し、全面暗部全面明部あるいは全面ハーフトーン部のA3
サイズの複写を行い、画像中に不均一なノイズが発生す
るか否かについて観察したものが平均画像欠陥の数であ
る。又、その際にドラムの周方向、母船方向の受容電位
の均一性を測定した。
成部材を、＋帯電、露光、転写によるカールソンプロセ
スに於て−トナーによる熱定着方式の複写装置に装着
し、全面暗部全面明部あるいは全面ハーフトーン部のA3
サイズの複写を行い、画像中に不均一なノイズが発生す
るか否かについて観察したものが平均画像欠陥の数であ
る。又、その際にドラムの周方向、母船方向の受容電位
の均一性を測定した。
これらの結果は、第１表に示す。
実施例３ 第３図において、17は回転機構を備えた移動式置台、18
は冷却空間、19は加熱空間、20は堆積空間を示してい
る。
は冷却空間、19は加熱空間、20は堆積空間を示してい
る。
本実施例は、第３図に示す様に、加熱室19、堆積室20、
冷却室18から成り、各々の空間に、Alシリンダー15を回
転機構を備えた移動式置台17上に置き、連続的に１つの
堆積空間で多数本のドラム状の電子写真用像形成部材が
作成される装置である。本装置を使用して、実施例１と
同様な作成方法を試みたところ、堆積空間の温度、Alシ
リンダーの温度、分解空間（Ｂ）からの導入管７を経て
吹き出し管13からと、分解空間（Ｃ）からの導入管10を
経て吹き出し管14からの各々の前駆体及び活性種の吹き
出し量を制御することにより、均一で再現性のある堆積
膜をもつドラム状の電子写真用像形成部材を低コストで
量産することができることが確認された。
冷却室18から成り、各々の空間に、Alシリンダー15を回
転機構を備えた移動式置台17上に置き、連続的に１つの
堆積空間で多数本のドラム状の電子写真用像形成部材が
作成される装置である。本装置を使用して、実施例１と
同様な作成方法を試みたところ、堆積空間の温度、Alシ
リンダーの温度、分解空間（Ｂ）からの導入管７を経て
吹き出し管13からと、分解空間（Ｃ）からの導入管10を
経て吹き出し管14からの各々の前駆体及び活性種の吹き
出し量を制御することにより、均一で再現性のある堆積
膜をもつドラム状の電子写真用像形成部材を低コストで
量産することができることが確認された。
プラズマCVD法では、このように１つの堆積空間内で、
多本数のドラム状の電子写真用像形成部材を作成しよう
とすると、放電の均一性や製造条件の複雑なパラメータ
の相互の相乗効果もあって、再現性よく均一な堆積膜を
持つドラム状の電子写真用像形成部材を作成することが
不可能であった。
多本数のドラム状の電子写真用像形成部材を作成しよう
とすると、放電の均一性や製造条件の複雑なパラメータ
の相互の相乗効果もあって、再現性よく均一な堆積膜を
持つドラム状の電子写真用像形成部材を作成することが
不可能であった。
第１図は、本発明の光導電部材の一実施態様例を説明す
るために層構造を示した模式図である。第２図は、本発
明の光導電部材を形成するための装置の一例を示す模式
的説明図である。第３図は、本発明の光導電部材を製造
するに際し工業的に量産化可能なことを示す具体的な装
置例を示した模式図である。 1:堆積空間（Ａ）、2:分解空間（Ｂ） 3:分解空間（Ｃ）、4:電気 5:固体Si粒、6:SiF４の導入管 7:前駆体導入管、8:電気 9:活性種の原料物質導入管 10:活性種導入管、11:モーター 12:加熱ヒーター、13:吹き出し管 14:吹き出し管、15:Alシリンダー 16:排気バルブ 17:回転機構を備えた移動式置台 18:冷却空間、19:加熱空間 20:堆積空間、21:高周波電源 22:プラズマ空間 23:50メッシュステンレス 24:基板、25:支持台 26:同電位にするアース 100:光導電部材、101:支持体 102:中間層、103:光導電層 104:表面層
るために層構造を示した模式図である。第２図は、本発
明の光導電部材を形成するための装置の一例を示す模式
的説明図である。第３図は、本発明の光導電部材を製造
するに際し工業的に量産化可能なことを示す具体的な装
置例を示した模式図である。 1:堆積空間（Ａ）、2:分解空間（Ｂ） 3:分解空間（Ｃ）、4:電気 5:固体Si粒、6:SiF４の導入管 7:前駆体導入管、8:電気 9:活性種の原料物質導入管 10:活性種導入管、11:モーター 12:加熱ヒーター、13:吹き出し管 14:吹き出し管、15:Alシリンダー 16:排気バルブ 17:回転機構を備えた移動式置台 18:冷却空間、19:加熱空間 20:堆積空間、21:高周波電源 22:プラズマ空間 23:50メッシュステンレス 24:基板、25:支持台 26:同電位にするアース 100:光導電部材、101:支持体 102:中間層、103:光導電層 104:表面層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石原 俊一 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 清水 勇 神奈川県横浜市緑区藤が丘２−41−21 東 工大宿舎503 (56)参考文献 特開 昭57−167631（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−62982（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−149366（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】a.光導電部材用の支持体と、 b.分解空間（Ｂ）に於いて、ケイ素原子にハロゲン原子
又はハロゲン原子を含む原子団が結合し、堆積膜形成用
の原料となる化合物（SX）より分解生成したケイ素原子
とハロゲン原子を含む前駆体（SX）と、分解空間（Ｃ）
に於いて生成した水素原子を含む活性種（Ｈ）とを堆積
空間（Ａ）に夫々別々に導入して相互作用させ、前記堆
積空間（Ａ）内に設けられた前記光導電部材用の支持体
上にケイ素を母体とし、ハロゲン原子を含むアモルファ
スシリコン膜を形成して構成した光導電層と、 を有することを特徴とする光導電部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62136453A JPH0674503B2 (ja) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | 光導電部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62136453A JPH0674503B2 (ja) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | 光導電部材 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58149366A Division JPS6041047A (ja) | 1983-08-16 | 1983-08-16 | 堆積膜形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63125679A JPS63125679A (ja) | 1988-05-28 |
| JPH0674503B2 true JPH0674503B2 (ja) | 1994-09-21 |
Family
ID=15175467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62136453A Expired - Lifetime JPH0674503B2 (ja) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | 光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0674503B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06196422A (ja) * | 1992-12-25 | 1994-07-15 | Nec Corp | 半導体結晶成長装置および成長法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5827656B2 (ja) * | 1976-11-17 | 1983-06-10 | 株式会社東芝 | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS57167631A (en) * | 1981-03-13 | 1982-10-15 | Fujitsu Ltd | Plasma vapor-phase growing method |
| JPH0360917A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-15 | Aichi Steel Works Ltd | 線材皮むき方法 |
-
1987
- 1987-05-30 JP JP62136453A patent/JPH0674503B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63125679A (ja) | 1988-05-28 |
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