JPS63100183A - 堆積膜形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、機能性膜、殊に半導体デバイス或いは電子写
真用の感光デバイスなどの用途に有用な堆積膜の形成法
に関する。

例えばアモルファスシリコン膜の形成には、真空蒸着法
、プラズマＣＶＤ法、ＣＶＤ法、反応性スパッタリング
法、イオンブレーティング法、光ＣＶＤ法などが試みら
れており、一般的には、プラズマＣＶＤ法が広く用いら
れ、企業化されている。

丙午ら、アモルファスシリコンで構成される堆積膜は電
気的、光学的特性及び、繰返し使用での疲労特性あるい
は使用環境特性、更には均一性、再現性を含めて生産性
、量産性の点において更に総合的な特性の向上を図る余
地がある。

従来から一般化されているプラズマＣＶＤ法によるアモ
ルファスシリコン塩！ｎＰＩＡの形成に於ての反応プロ
セスに、従来のＣＶＤ法に比較してかなり？Ｘｌ９ｉで
あり、その反応機構も不明な点が少なくなかった。又、
その堆積膜の形成パラメーターも多く（例えば、基板温
度、導入ガスノ流量と比、形成時の圧力、高周波電力、
電極構造、反応容器の構造、排気速度、プラズマ発生方
式など）これらの多くのパラメーターの組み合せによる
ため、時にはプラズマが不安定な状態になり、形成され
た堆ｆＪｌｔ膜に著しい悪影響を与えることが少なくな
かつた。そのうえ、装置特有のパラメーターを装置ごと
に選定しなければならず、したがって製造条件を一般化
することがむずかしいというのが実状であった。

一方、アモルファスシリコン膜として電気的、光学的特
性が各用途を十分に満足させ得るものを実現させるには
、現状ではプラズマＣＶＤ法によって形成することが最
良とされている。

丙午ら、堆積膜の応用用途によっては、大面積化、膜厚
の均一性、膜品質の均一性を十分に満足させて、再現性
のある′Ｍｋａ化を図らねばならないため、プラズマＣ
ＶＤ法によるアモルファスシリコン堆積膜の形成におい
ては、量産装３に多大な設備投資が必要となり、またそ
の量産の為の管理項目も複雑になり、管理許容幅も狭く
なり、装置の調整も微妙であることから、これらのこと
が、今後改善すべき問題点として指摘されている。

他方、通常のＣＶＤ法による従来の技術では、高温を必
要とし、実用可能な特性を有する堆積膜が得られていな
かフた。

上述の如く、アモルファスシリコン膜の形成に於て、そ
の実用可能な特性、均一性を維持させながら低コストな
装置で量産化できる形成方法を開発することが切望され
ている。

これ等のことは、他の機能性膜、例えば窒化シリコン膜
、炭化シリコン膜、酸化シリコン膜に於ても各々同様の
ことがいえる。

本発明は、上述したプラズマＣＶＤ法の欠点を除去する
と同時に、従来の形成方法にしたがい新規な堆積膜形成
法を提供するものである。

本発明の目的は、堆積膜を形成する堆積空間（Ａ）に於
て、プラズマ反応を用いないで形成させる膜の特性を保
持し、堆積速度の向上を図りながら、膜形成条件の管理
の簡素化、膜の量産化を容易に達成させることである。

本発明は、基板上に堆積膜を形成する為の堆積空間（Ａ
）に、分解空間（Ｃ）に於て生成される堆積膜形成用の
原料となる前駆体と、分解空間（Ｃ）に於て生成され、
前記前駆体と相互作用をする活性種とを夫々別々に導入
することによって、前記基板上に堆積膜を形成する事を
特徴とするものである。

本発明の方法では、所望の堆積膜を形成する堆積空間（
Ａ）でプラズマを使用しないので、堆積膜の形成パラメ
ーターが導入する前駆体及び活性種の導入量、基板及び
堆積空間内の温度、堆積空間内の内圧となり、したがっ
て堆積膜形成のコントロールが容易になり、再現性、ｆ
ｆｉ産性のある堆積膜を形成させることができる。

尚、本発明での「前駆体」とは、形成される堆積膜の原
料には成り得るがそのままのエネルギー状態では堆積膜
を形成することが全く又は殆ど出来ないものを言う、「
活性種」とは、前記前駆体と化学的相互作用を起して例
えば前駆体にエネルギーを与えたり、前駆体と化学的に
反応したりして、前駆体を堆積膜を形成することが出来
る状態にする役目を荷うものを云う、従って、活性種と
しては、形成される堆積膜を構成する構成要素に成る構
成要素を含んでいても良く、或いはその様な構成要素を
含んでいなくとも良い。

本発明では、堆積空間（Ａ）に導入される分解空間（Ｂ
）からの前駆体は、その寿命が好ましくは０．０１秒以
上、より好ましくは０．１秒以上、最適には１秒以上あ
るものが、所望に従って選択されて使用され、−この前
駆体の構成要素が堆積空間（Ａ）で形成させる堆積膜を
構成する主成分を構成するものとなる。又、分解空間（
Ｃ）から導入される活性種は、その寿命が好ましくは１
０秒以下、より好ましくは８秒以下、最適には５秒以下
のものである。この活性種は堆積空間（Ａ）で堆積膜を
形成する際、同時に分解空間ＣＢ）から堆積空間（Ａ）
に導入され、形成される堆積膜の主構成成分となる構成
要素を含む前記前駆体と化学的に相互作用する。その結
果、所望の基板上に所望の堆積膜が容易に形成される。

本発明の方法によれば、堆積空間（Ａ）内でプラズマを
生起させないで形成される堆積膜は、エツチング作用、
或いはその他の例えば異常放電作用等による悪影響を受
けることは、実質的にない、又、本発明によれば堆積空
間（Ａ）の容囲気温度、基板温度を所望に従りて任意に
制御することにより、より安定したＣＶＤ法とすること
ができる。

本発明の方法が従来のＣＶＤ法と違う点の１つは、あら
かじめ堆積空間（Ａ）とは異なる空間に於て活性化され
た活性種を使うことである。このことにより、従来のＣ
ＶＤ法より堆積速度を飛躍的に伸ばすことが出来、加え
て堆積膜形成の際の基板温度も一層の低温化を図ること
が可能になり、膜品質の安定した堆積膜を工業的に大量
に、しかも低コストで提供出来る。

本発明に於て分解空間（Ｃ）で生成される活性種は放電
、光、熱等のエネルギーで或いはそれ等の併用によって
励起されるばかりではなく、触媒などとの接触、あるい
は添加により生成されてもよい。

本発明に於て、分解空間（Ｂ）に導入される原材料とし
ては、硅素原子に電子吸引性の高い原子又は原子団、或
いは極性基が結合しているものが利用される。その様な
ものとしては、例えば、Ｓ　ｉ　ｎ　Ｘ２ｎ＊１（ｎ−
１，２，３−、Ｘ”Ｆ。

Ｃ１，、Ｂｒ、Ｉ）、（ＳｉＸｚ　）ｎ　　（ｎ≧３゜
Ｘ　ＷｍＦ　、Ｃｊ！　、Ｂ　ｒ　、！　）　、　　３
１６　ＨＸ　２ｔｔ”　１（ｎ＝１．２．３−、Ｘ−Ｆ
、ＣＡ、Ｂｒ、Ｉ）。

Ｓ　ｉ　ｏ　Ｈ２Ｘ２ｎ（ｎ−１、２，３・・・、　ｘ
＝Ｆ。

Ｃｆ１．Ｂｒ、Ｉ）などが挙げられる。

具体的には例えばＳｉＦ４．（ＳｉＦ２）ｓ。

（ＳｉＦ、）６．（ＳｉＦ２）ａ、５ｉ２Ｆａ。

ＳｉＨＦ３．Ｓ’ｉＨ，Ｆ、、５ｉＣｆ、、（ＳｉＣｆ
２２）Ｓ、ＳｉＢｒ４．、（ＳｉＢｒ２）５などのガス
状態の又は容易にガス化し得るものが挙げられる。

又、Ｓ　ｉ　Ｈ２（ＣＩＢ　ＨＢ）２　、　Ｓ　ｉ　Ｈ
２（ＣＮ）　２なども形成される堆積膜の使用目的によ
っては使用される。

上述したものに、分解空間（Ｂ）で熱、光、放電などの
分解エネルギーを加えることにより、前駆体が生成され
る。この前駆体を堆積空間（Ａ、）へ導入する。この際
、前駆体の寿命が望ましくは、０．０１秒以上あること
が必要で、堆積効率及び堆積速度の上昇を促進させ、堆
積空間（Ａ）に於て、分解空間（Ｃ）から導入される活
性種との活性化反応の効率を増し、その際、必要であれ
ばプラズマなどの放電エネルギーを使用しないで、堆積
空間内あるいは基板上に熱、光などのエネルギーを与え
ることで、所望の堆積膜の形成が達成される。

本発明に於て、分解空間（Ｃ）に導入され、活性種を生
成させる原料としては、Ｈ，、Ｓ　ｉ　Ｈ，。

ＳｉＨ３Ｆ、ＳｉＨ，Ｃｆ２．ＳｉＨ３Ｂｒ、ＳｔＨ，
１などの他、Ｈｅ、Ａｒ等の稀ガスが挙げられる。

本発明に於て堆積空間（Ａ）に於ける分解空間（Ｂ）か
ら導入される前駆体の量と分解空間（Ｃ）から導入され
る活性種の量の割合は、堆積条件、活性種の種類などで
適宜所望に従って決められるが好ましくは１０：１〜１
：１０（導入流量比）が適当であり、より好ましくは８
：２〜４：６とされるのが望ましい。

本発明に於て分解空間（Ｂ）、及び分解空間（Ｃ）で前
駆体及び活性種を生成させる方法としては各々の条件、
装置を考慮して放電エネルギー、熱エネルギー、光エネ
ルギーなどの励起エネルギーが使用される。

次に木発明の堆積膜製造方法によって形成される電子写
真用像形成部材の典型的な例を挙げて本発明を説明する
。

第１図は、木発明によって得られる典型的な光導電部材
の構成例を説明する為の図である。

第１図に示す光導電部材１００は、電子写真用像形成部
材として適用させ得るものであって、光導電部材用とし
ての支持体１０１の上に、必要に応じて設けられる中間
ＦｉｌＯ２と表面層１０４、光導電部１０３とが構成さ
れる層構造を有している。

支持体１０１としては、導電性でも電気絶縁性であって
も良い、導電性支持体としては、例えばＮ　ｉ　Ｃｒ、
ステンレス、ＡＪ２．Ｃｒ、Ｍｏ。

Ａｕ、Ｉ　ｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等の
金運又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ボリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面が導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。

例えばガラスであれば、その表面がＮｉＣｒ。

Ａｌ１．Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉ　ｒ、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２　ｏ、、Ｓｎｏｗ　。

ＩＴＯ（Ｉ　ｎ＝　Ｏ，＋５ｎ０２　）等の薄膜を設け
ることによって導電処理され、或いはポリエステルフィ
ルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、Ａｌ２
．Ａｇ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ。

Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉ　ｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の
金属で真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等で
処理し、又は前記金属でラミネート処理して、その表面
が導電処理される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等、任意の形状として得、所望によフて、
その形状は決定されるが、例えば、第１図の光導電部材
１００を電子写真用像形成部材として使用するのであれ
ば連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状と
するのが望ましい。

中間層１０２は例えばシリコン原子及び炭素原子又は窒
素原子又は酸素原子又はハロゲン原子（Ｘ）を含む非光
導電性のアモルファス材料で構成され、支持体１０１の
側から光導電Ｆ１１０３中へのキャリアの流入を効果的
に阻止し且つＦ磁波の照射によって光導電層１０３中に
生じ、支持体１０１の側に向って移動するフォトキャリ
アの光導電６１０３の側から支持体１０１の側への通過
を容易に許す機能を有するものである。

中間層１０２を形成する場合には、光導ＴｉＦ＋１０３
の形成まで連続的に行うことが出来る。その場合には、
中間層形成用の原料ガスを、必要に応じてＨｅ、Ａｒ等
の稀釈ガスと所定量の混合比で混合して、各々を所定の
分解空間（Ｂ）と分解空間（Ｃ）とに導入し、所望の勘
気エネルギーを夫々の空間に加えて、各々の前駆体及び
活性種を生成させ、それらを支持体１０１の設置しであ
る真空堆積用の堆積空間（Ａ）に導入し、必要に応じて
は、これ等に膜形成用のエネルギーを与えることによフ
て、前記支持体１０１上に中間層１０２を形成させれば
良い。

中間Ｆ！Ｊ１０２を形成する為に分解空間（Ｃ）に導入
される活性種を生成する有効な出発物質は、Ａｒ、Ｈｅ
、８２　、ＳｉとＨとを構成原子とするＳｉＨ＜　、Ｓ
ｉＨ３Ｃｆｌ、ＳｉＨ３Ｆ、５ＬＨ３Ｂｒ等の水素の多
いハロゲン化シラン、Ｎ′＋構成原子とする、或いはＮ
とＨとを構成原子とする例えば窒素（Ｎ２）、アンモニ
ア（ＮＨり）、ヒドラジン（８２ＮＮＨ２）、アジ化水
素（ＨＮ３）。

アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎｓ　）等のガス内の又は
ガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素化合物
、ＣとＨを構成原子とする例えば炭素数１〜５の飽和炭
素化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、炭素数
２〜４のアセチレン系炭化水素等、具体的には、飽和炭
化水素としてはメタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈａ）
、プロパンＣＣ３Ｈａ　）、ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ４Ｈ＋
ｏ）　、ペンタン（ＣｓＨ＋ｚ）、エチレン系炭化水素
としては、エヂレン（Ｃ２Ｈ４）、プロピレン（ＣＳＨ
６）、ブテン−１（Ｃ４Ｈｌｌ）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ
８）、イソブチレン（Ｃ４）（ａ）、ペンテン（ＣＳ）
（ｔｏ）、アセチレン系炭化水素としては、アセチレン
（ＣｚＨｚ）、メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）。

ブチン（Ｃ４Ｈａ）等、さらに、これ等の他に例えば、
Ｐｄ素（０２）　、オゾン（０コ）、−酸化炭素（ＣＯ
）、二酸化炭素（ＣＯ２）、−酸化窒素（Ｎｏ）、二酸
化窒素（ＮＯ２）、−酸化二窒素（Ｎ２０）等を挙げる
ことが出来る。

これらの中間層１０２形成用の出発物質は、所定の原子
が４１３成原子として、形成される中間層１０２中に含
まれ、特に、層形成の際に適宜選択されて使用される。

一方、中間層１０２を形成する際に分解空間（Ｂ）に導
入されて前駆体を生成し得る出発物質としては、ＳｉＦ
４．ＳｉＨ２Ｆ２等が有効なものとして挙げられ、これ
等は高温下で容易にＳｉＦ２の如き長寿命の前駆体を生
成する。

中間層１０２の層厚としては、好ましくは、３０〜１０
００人、より好適には５０〜６００人とされるのが望ま
しい。

先導？ｊＪｑ１０３は、電子写真用像形成部材としての
機能を十分に発揮することができるような光導電特性を
持つようにシリコン原子を母体とし、ハロゲン（Ｘ）を
含み、必要に応じて水素（Ｈ）を含むアモルファスシリ
コンａ−ＳｉＸ（Ｈ）で形成される。

光導電層１０３の形成も、中間層１０２と同様に分解空
間ＣＢ）にＳｉＦ４，５ｉＦ２Ｈ２等の原料ガスが導入
され、これ等を分解することで高温下にて前駆体が生成
される。前駆体は堆積空間（Ａ）に導入される。他方、
分解空間（Ｃ）にはＨ２、ＳｉＨ，，５ｉＨｓ　Ｆなど
の原料ガスが導入され、所定の勘気エネルギーにより活
性種が生成される。活性種は堆積空間（Ａ）に導入され
、分解空間（Ｂ）から堆積空間（Ａ）に導入されて来る
前駆体と化学的相互作用を起こし、その結果所望の光導
電ＷＪ１０３が堆積される。光導電Ｆ！Ｊ１０３の層厚
としては、通用するものの目的に適合させて所望に従っ
て適宜決定される。

第１図に示される光導電層１０３の層厚としては、光導
電層１０３の機能及び中間Ｆ＋１０２の機能が各々有効
に活されている様に中間層１０２との層厚関係に於て′
ａ宣所望に従って決められるものであり、通常の場合、
中間層１０２の層厚に対して数百〜数千倍以上の層厚と
されるのが好ましいものである。

具体的な値としては、好ましくは１〜１００μより好適
には２〜５０μの範囲とされるのが好ましい。

第１図に示す光導電部材の光導電層中に含有されるＨ又
はＸの量は（Ｘ：ｌＩＦなどハロゲン原子）好ましくは
１〜４０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には５〜３０ａｔｏ
ｍｉｃ％とされるのが望ましい。

第１図の光導電部材の表面Ｆｉ１０４は必要に応じて中
間層１０２、及び光導電層１０３と同様に形成される。

シリコンカーバイド膜であれば、例えば、分解空間（Ｂ
）にＳ　ｉ　Ｆ４を、分解空間（Ｃ）にＳｉＨ，とＣＨ
ａとＨ２あるいは５ｔＨ４とＳｉＨ，（ＣＨ３）２など
の原料ガスを導入し、各々分解エネルギーで励起させて
、前駆体及び活性種の夫々を夫々の空間で生成しそれ等
を別々に堆積空間（Ａ）へ導入させるとにより表面層１
０４が堆積される。また、表面層１０４としては、窒化
シリコン、酸化シリコン膜などのバンドギャップの広い
堆積膜が好ましく、光導電層１０３から表面層１０４へ
その膜組成を連続的に変えることも可能である。表面［
１０４の層厚は、好ましくは０．０１μ〜５μ、より好
ましくは０．０５μ〜１μの範囲が望ましい。

先導４層１０３を必要に応じてｎ型又はｐ型とするには
、層形成の際に、ｎ型不純物又は、ｐ型不純物、或いは
両不純物を形成される層中にその量を制御し乍らドーピ
ングしてやる事によって成される。

光導電層中にドーピングされる不純物としては、ｐ型不
純物として、周期律表第■族Ａの元素、例えば、Ｂ、Ａ
ｌｌ、Ｇａ、Ｉｎ、ＴＪ２等が好適なものとして挙げら
れ、ｎ型不純物としては、周期律第Ｖ族Ａの元素、例え
ばＮ、Ｐ、Ａｓ。

Ｓｂ、Ｂｉ等が好適なものとして挙げられるが、殊にＢ
、Ｇａ、Ｐ、Ｓｂ等が最適である。

本発明に於て所望の伝導型を有する為に光導電層１０３
中にドーピングされる不純物の量は、所望される電気的
・光学的特性に応じて適宜決定されるが、周期律表第１
１１族Ａの不純物の場合３×１０−’ａｔｏｍｉｃ％以
下のｆｆｉ範囲でドーピングしてやれば良く、周期律表
第■族Ａの不純物の場合Ｐには５ｘｌＯ−３ａｔｏｍｉ
ｃ％以下の全範囲でドーピングしてやれば良い。

光導電層１０３中に不純物をドーピングするには、層形
成の際に不純物導入用の原料物質をガス状態で分解空間
（Ａ）あるいは（Ｃ）中に導入してやれば良い。その際
には分解空間（Ｂ）の方ではなく、分解空間（Ｃ）方へ
導入し、そこからその活性！Ｉを堆積空間（Ａ）に導入
する方が好ましい。

この様な不純物導入用の原料物質としては、常温常圧で
ガス状態の又は、少なくとも層形成条件下で容易にガス
化し得るものが採用される。その様な不純物導入用の出
発物質として具体的には、ＰＨ３、Ｈ２Ｈ４、Ｐ　Ｈ３
、ｐｃ、Ｉ２．、ＡｓＨｓ。

ＡｓＦ、、ＡｓＣｆ、、ＳｂＨ３，５ｂＦＳ。

ＢｉＨ３、ＢＦ３　、ＢＣｊ！３　、ＢＢｒ＝　、Ｂ２
Ｈ６・　Ｂ４ＨＩＯ・　ＢＳ　Ｈ９・　ＢＳＨＩＩ・　
Ｂ６ＨＩＯ，Ｂ（Ｉ　ＨＩ３．Ａｊ２Ｃ１３等を上げる
ことが出来る。

実施例１ 第２図に示す装置を使い、以下の如き操作によってドラ
ム状の電子写真用像形成部材を作成した。

第２図において、ｌは堆積空間（Ａ）、２は分解空間（
Ｂ）、３は分解空間（Ｃ）、４は電気炉、５は固体Ｓｉ
粒、６は前駆体の原料物質導入管、７は前駆体導入管、
８は電気炉、９は活性種の原料物Ｘ導入管、１０は活性
種導入管、１１はモーター、１２は加熱ヒーター、１３
は吹き出し管、１４は吹き出し管、１５はＡｎシリンダ
ー、１６は排気バルブを示している。

堆積空間（Ａ）１にＡＪＺシリンダー１５をつり下げ、
その内側に加熱ヒーター１２を備え、そ−ター１１によ
り回転できるようにし、分解空間（Ｂ）２からの前駆体
を導入する導入管７を経て、吹き出し管１３と、分解空
間（Ｃ）３からの活性種を導入する導入管１０を経て、
吹き出し管１４を備える。

分解空間（Ｂ）２に固体Ｓｉ粒５を詰めて、電気炉４に
より加熱し、１１００℃に保ち、Ｓｉを溶融し、そこへ
ボンベからＳｉＦ４の導入管６により、Ｓ　ｉ　Ｈ４を
吹き込むことにより、ＳｉＦ２の活性種を生成させ、導
入管７を経て、堆積空間（Ａ）１の吹き出し管１３へ導
入する。一方、分解空間（Ｃ）３に導入管９から、Ｓ　
ｉ　ＨａとＨ２を導入し、電気炉８により６００℃に加
熱し、Ｓ　ｉＨ２％　Ｓ　ｔ　Ｈ％　Ｓ　Ｌ　Ｈｓ　ｓ
　Ｈなどの活性種を生成させ、導入管１０から吹き出し
管１４へ導入する。このとき、導入管１０の長さは、装
置上、可能な限り短縮し、その活性種の有効効率を落さ
ないようにする。堆積空間（Ａ）内のＡｊＺシリンダー
は３００℃にヒーター１２により加熱、保持され、回転
させ、排ガスは排気バルブ１６を通じて排気させる。こ
のようにして光導電Ｚ　１０３が形成されるが、同様に
中間層１０２、表面層１０４も形成される。

実施例２ 一般的°なプラズマＣＶＤ法により、Ｓｉ、Ｆ、と５ｉ
ＨａおよびＨ２から第２図の堆積空間（Ａ）１に１３．
５６ＭＨｚの高周波装置を備えて、アモルファスシリコ
ン堆積膜を形成した。

実施例３ 実施例１と同様に堆積膜を形成するが、分解空間（Ｃ）
３に導入する原料ガスをＨ２として、電気炉によって加
熱する代りに１３．５６ＭＨｚのプラズマ反応を発生さ
せ、水素プラズマ状態を作り、Ｈの活性種を吹き出し管
１４へ導入し、ドラム状の電子写真用像形成部材を作成
した。

上記した実施例！、２．３のドラム状の電子写真用像形
成部材のｔ！Ａ造条件と性能を第１表に示す。

実施例１．３の中間層１０２は分解空間（Ｂ）にＳｉＦ
＜、分解空間（Ｃ）にＳ　ｉ　Ｈ４／　Ｈ２／Ｎｏ／Ｂ
２ＨＱ（容量％でＮＯ：２％、Ｂ、Ｈ，：０．２％）を
各々導入し各々の励起エネルギーで前駆体及び活性種を
生成し、堆積空間（Ａ）へ導入して形成し、中間層１０
２の層厚は、２０００人とする。

比較例の場合も実施例１．３と同様な組成のＳＩ　Ｈ４
／　Ｈ２／　Ｎ　Ｏ／　Ｂ　２　Ｈ６のガスを用いてプ
ラズマＣＶＤ法で中間層１０２を形成し、その層７を２
０００人とする。

実施例１．３の表面層１０４は、分解空間ＣＢ）にＳｉ
Ｆ、を導入し、また分解空間（Ｃ）にはＳ　ｉ　Ｈａ　
／　ＣＨａ　／　Ｈ２を容景比１０：１００：５０で導
入し、各々の励起熱エネルギーで前駆体及び活性種を生
成し、堆積空間（Ａ）へ導入して形成し、表面層１０４
の層厚は、１０００人とする。

実施例２の場合もＳ　Ｉ　Ｈ４／　ＣＨ４／　Ｈ２を同
組成で導入し、プラズマＣＶＤ法で表面層１０４を形成
し、その層厚を１０００人とする。

実施例１，２．３のドラム状の電子写真用像形成部材を
、十帯電、露光、転写によるカールソンプロセスに於て
一トナーによる熱定着方式の複写装置に装着し、全面Ｉ
Ｑ部全面明部あるいは全面ハーフトーン部のＡ３サイズ
の複写を行い、画像中に不均一なノイズが発生するか否
かについて観察したものが平均画像欠陥の数である。又
、その際にドラムの周方向、母船方向の受容電位の均一
性を測定した。

これらの結果は、第１表に示す。

実施例４ 第３図において、１７は回転機構を備えた移動式区会、
１８は冷却空間、１９は加熱空間、２０は堆積空間を示
している。

本実施例は、第３図に示す様に、加熱室１９、堆積室２
０、冷却室１８から成り、各々の空間に、Ａ文シリンダ
ー１５を回転機構を備えた移動式立合１７上に置き、連
続的に１つの堆積空間で多数本のドラム状の電子写真用
像形成部材が作成される装置である。木装置Ｌ￥を使用
して、実施例１と同様な作成方法を試みたところ、堆積
空間の温度、ＡＪ２シリンダーの温度、分解空間（Ｂ）
からの導入管７を経て吹き出し管１３からと、分解空間
（Ｃ）からの導入９１０を経て吹き出し管１４からの各
々の前駆体及び活性種の吹き出し量を制御することによ
り、均一で再現性のある堆積膜をもつドラム状の電子写
真用像形成部材を低コストで量産することができること
が確認された。

プラズマＣＶＤ法では、このように１つの堆積空間内で
、多本数のドラム状の電子写真用像形成部材を作成しよ
うとすると、放電の均一性や製造条件の複雑なパラメー
タの相互の相乗効果もあって、再現性よく均一な堆積膜
を持つドラム状の電子写真用像形成部材を作成すること
が不可能であった。

実施例５ 第４図において、２１は高周波電源−（１３゜５６Ｍｚ
）、２２はプラズマ空間、２３は５０メツシユステンレ
ス金属、２４は基板、２５は支持台、２６は同電位にす
るアースを示す。

本実施例においては、第４図に示すように分解空間（Ｃ
）と堆積空間（Ａ）を同−室の中に配置し、分解空間（
Ｂ）を別に備えた装置において、分解空間（Ｂ）で実施
例１と同様にＳｉＦ、を生成させ、堆積空間（Ａ）へ導
入し、分解空間（Ｃ）・ではＳｉＨ４とＨ２を導入しプ
ラズマを生起させ、ＳｉＦ、と作用させ、メツシュを通
して堆積空間（Ａ）内の２８０℃に保持された基板上に
堆積させる。この堆積膜の光導電層は、略導電率０Ｄ＝
２×１０日Ω−’ｃｍ−’、開環電率ａＰ＝３Ｘ１０’
Ω−１ｃ　ｍ−１であり、良好な特性を示した。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の方法を用いて作成される光導電部材
の一実施悪様例を説明するために層４１３造を示した模
式図である。第２図は、本発明の製造法を具現化するた
めの装置の一例を示す模式的説明図である。第３図は、
本発明の製造法が工業的に量産化可能なことを示す具体
的な装慢例を示した模式図である。第４図は、本発明に
係わる別の装置例を示した模式図である。 ｌ：堆積空間（Ａ）　　　　２：分解空間ＣＢ）３；分
解空間（Ｃ）　　　　４：電気炉５：固体Ｓｉ粒　　　
　６：ＳｉＦ、＋の導入管７：前駆体導入管　　　８：
電気炉 ９：活性種の原料物質導入管 １０：活性種導入管　　１１：モーター１２：加熱ヒー
ター　　１３：吹き出し管１４：吹き出し管　　　１５
：ＡＪ２シリンダー１６：排気バルブ １７：回転機構を備えた移動式置台 １８：冷却空間　　　　１９：加熱空間２０：堆積空間
　　　２１：高周波電源２２：プラズマ空間 ２３　：　５０メツシュステンレス ２４：基板　　　　　２５：支持台 ２６：同電位にするアース １００二光導電部材　１０１：支持体 １０２：中間層　　　１０３：光導電層１０４：表面層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 基板上に堆積膜を形成するための堆積空間 （Ａ）に、分解空間（Ｂ）に於て生成される堆積膜形成
   用の原料となる前駆体と、分解空間（Ｃ）に於て生成さ
   れ、前記前駆体と相互作用をする活性種とを夫々別々に
   導入することによって、前記基板上に堆積膜を形成する
   事を特徴とする堆積膜形成法。